JP6509978B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
Transistor:TFT)からなるスイッチング素子や電流制御素子を設けたアク
ティブマトリクス型の表示装置(発光表示装置や電気泳動式表示装置等)が盛んに開発さ
れている。このような発光表示装置の一つとして、例えば、エレクトロルミネッセンス(
Electro Luminescence:EL)表示装置が挙げられる。
ランジスタ」と呼ぶ)を、透光性を有する基板上に形成し、表示装置のスイッチング素子
などに用いる技術が研究されている(特許文献1参照)。
ンジスタに比べ、移動度が高いため、オン電流が高いという利点がある。また酸化物半導
体トランジスタのオフ電流は、チャネル形成領域にアモルファスシリコン膜を用いたトラ
ンジスタに比べて低いという利点がある。
スタを用いると、酸化物半導体トランジスタのオン電流が高すぎる恐れがある。オン電流
が高すぎるトランジスタは、トランジスタの駆動電圧の小さな変動でドレイン電流が大き
く変動してしまう。トランジスタのドレイン電流が大きく変動すると、発光表示装置の輝
度が大きく変動するという問題が生じる。
。酸化物半導体トランジスタのオン電流を下げるためには、酸化物半導体トランジスタの
チャネル長を長く設ければよい。
ンジスタの占有面積が増大してしまうという恐れがある。
、表示装置の開口率が小さくなるという恐れがある。
低減できる酸化物半導体トランジスタを得ることを課題の一とする。
酸化物半導体トランジスタを画素に用いた表示装置を得ることを課題の一とする。
ソースドライバのような駆動回路に用いることができる。
同一基板上に作製すると、酸化物半導体トランジスタの作製工程が削減でき、作製コスト
を抑制することができる。
トランジスタ及びオン電流が高い酸化物半導体トランジスタを作製することを課題の一と
する。
ジスタを作製し、かつ駆動回路にオン電流が高い酸化物半導体トランジスタを作製すると
、表示装置の作製工程が削減でき、作製コストを抑制することができる。
体トランジスタを用い、かつ駆動回路にオン電流が高い酸化物半導体トランジスタを用い
た表示装置を得ることを課題の一とする。
電極及び第2のゲート電極を設ける。
と第2のゲート電極が重畳している領域との間に、酸化物半導体膜とゲート電極が重畳し
ない領域が生じる。本明細書では、当該ゲート電極が重畳しない酸化物半導体膜の領域を
Loff領域と呼ぶ。当該Loff領域を設けることにより、酸化物半導体トランジスタ
のオン電流を減少させることができる。
半導体トランジスタの占有面積を増大させずに、オン電流を低減させることができる。
装置では、開口率が減少するのを抑制することができる。
い。そこでオン電流が低い酸化物半導体トランジスタと、オン電流が高い酸化物半導体ト
ランジスタを同一基板上に作製することができる。
トランジスタを同一基板上に作製すると、作製工程が削減でき、作製コストを抑制するこ
とができる。
トランジスタ)を駆動回路を構成するトランジスタ、Loff領域を設けた酸化物半導体
トランジスタ(オン電流が低い酸化物半導体トランジスタ)を、画素を構成するトランジ
スタとして用いると、画素と駆動回路の酸化物半導体トランジスタを同一基板上に作製す
ることができる。
かつ駆動回路にオン電流が高い酸化物半導体トランジスタを作製すると、表示装置の作製
工程が削減でき、作製コストを抑制することができる。
ト電極及び第2のゲート電極と、ゲート絶縁膜を介して、当該第1のゲート電極及び第2
のゲート電極と重畳する領域、並びに当該第1のゲート電極及び第2のゲート電極と重畳
しない領域を有する酸化物半導体膜と、当該第1のゲート電極の一部及び当該酸化物半導
体膜の一部と重畳するソース電極又はドレイン電極の一方と、当該第2のゲート電極の一
部及び当該酸化物半導体膜の一部と重畳するソース電極又はドレイン電極の他方と、当該
ゲート絶縁膜、当該第1のゲート電極、当該第2のゲート電極、当該酸化物半導体膜、並
びに、当該ソース電極及びドレイン電極を覆い、当該酸化物半導体膜と直接接触している
絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置に関する。
ンジスタを有する半導体装置であり、当該絶縁表面上に設けられ、互いに離れて配置され
た第1のゲート電極及び第2のゲート電極と、ゲート絶縁膜を介して、当該第1のゲート
電極及び第2のゲート電極と重畳する領域、及び当該第1のゲート電極及び第2のゲート
電極と重畳しない領域を有する第1の酸化物半導体膜と、当該第1のゲート電極の一部及
び当該第1の酸化物半導体膜の一部と重畳する第1のソース電極又はドレイン電極の一方
と、当該第2のゲート電極の一部及び当該第1の酸化物半導体膜の一部と重畳する第1の
ソース電極又はドレイン電極の他方と、当該ゲート絶縁膜、当該第1のゲート電極、当該
第2のゲート電極、当該第1の酸化物半導体膜、及び、当該第1のソース電極及びドレイ
ン電極を覆い、当該第1の酸化物半導体膜と直接接触している絶縁膜とを有する当該第1
のトランジスタと、当該絶縁表面上に設けられた第3のゲート電極と、当該ゲート絶縁膜
を介して、当該第3のゲート電極と重畳する第2の酸化物半導体膜と、当該第3のゲート
電極の一部及び当該第2の酸化物半導体膜の一部と重畳する第2のソース電極及びドレイ
ン電極と、当該ゲート絶縁膜、当該第3のゲート電極、当該第2の酸化物半導体膜、及び
、当該第2のソース電極及びドレイン電極を覆い、当該第2の酸化物半導体膜と直接接触
している当該絶縁膜とを有する当該第2のトランジスタと、を有することを特徴とする半
導体装置に関する。
部を駆動する駆動回路を有する表示装置であり、当該複数の画素はそれぞれ、発光素子と
、当該発光素子の電流を制御する電流制御素子と、当該電流制御素子のオン及びオフを制
御するスイッチング素子とを有し、当該電流制御素子は、当該絶縁表面上に設けられ、互
いに離れて配置された第1のゲート電極及び第2のゲート電極と、ゲート絶縁膜を介して
、当該第1のゲート電極及び第2のゲート電極と重畳する領域、及び当該第1のゲート電
極及び第2のゲート電極と重畳しない領域を有する酸化物半導体膜と、当該第1のゲート
電極の一部及び当該酸化物半導体膜の一部と重畳するソース電極又はドレイン電極の一方
と、当該第2のゲート電極の一部及び当該酸化物半導体膜の一部と重畳するソース電極又
はドレイン電極の他方と、当該ゲート絶縁膜、当該第1のゲート電極、当該第2のゲート
電極、当該酸化物半導体膜、及び、当該ソース電極及びドレイン電極を覆い、当該酸化物
半導体膜と直接接触している絶縁膜とを有するトランジスタを有することを特徴とする表
示装置に関する。
部を駆動する駆動回路を有する表示装置であり、当該複数の画素はそれぞれ、当該絶縁表
面上に設けられ、互いに離れて配置された第1のゲート電極及び第2のゲート電極と、ゲ
ート絶縁膜を介して、当該第1のゲート電極及び第2のゲート電極と重畳する領域、及び
当該第1のゲート電極及び第2のゲート電極と重畳しない領域を有する第1の酸化物半導
体膜と、当該第1のゲート電極の一部及び当該第1の酸化物半導体膜の一部と重畳する第
1のソース電極又はドレイン電極の一方と、当該第2のゲート電極の一部及び当該第1酸
化物半導体膜の一部と重畳する第1のソース電極又はドレイン電極の他方と、当該ゲート
絶縁膜、当該第1のゲート電極、当該第2のゲート電極、当該第1の酸化物半導体膜、及
び、当該第1のソース電極及びドレイン電極を覆い、当該第1の酸化物半導体膜と直接接
触している絶縁膜とを有する当該第1のトランジスタを有し、当該駆動回路は、当該絶縁
表面上に設けられた第3のゲート電極と、当該ゲート絶縁膜を介して、当該第3のゲート
電極と重畳する第2の酸化物半導体膜と、当該第3のゲート電極の一部及び当該第2の酸
化物半導体膜の一部と重畳する第2のソース電極及びドレイン電極と、当該ゲート絶縁膜
、当該第3のゲート電極、当該第2の酸化物半導体膜、及び、当該第2のソース電極及び
ドレイン電極を覆い、当該第2の酸化物半導体膜と直接接触している絶縁膜とを有する当
該第2のトランジスタを有することを特徴とする表示装置に関する。
徴とする。
部を駆動する駆動回路を有する表示装置であり、当該複数の画素はそれぞれ、発光素子と
、当該発光素子の電流を制御する電流制御素子と、当該電流制御素子のオン及びオフを制
御するスイッチング素子とを有し、当該電流制御素子は、当該絶縁表面上に設けられ、互
いに離れて配置された第1のゲート電極及び第2のゲート電極と、ゲート絶縁膜を介して
、当該第1のゲート電極及び第2のゲート電極と重畳する領域、及び当該第1のゲート電
極及び第2のゲート電極と重畳しない領域を有する第1の酸化物半導体膜と、当該第1の
ゲート電極の一部及び当該第1の酸化物半導体膜の一部と重畳する第1のソース電極又は
ドレイン電極の一方と、当該第2のゲート電極の一部及び当該第1酸化物半導体膜の一部
と重畳する第1のソース電極又はドレイン電極の他方と、当該ゲート絶縁膜、当該第1の
ゲート電極、当該第2のゲート電極、当該第1の酸化物半導体膜、及び、当該第1のソー
ス電極及びドレイン電極を覆い、当該第1の酸化物半導体膜と直接接触している絶縁膜と
を有する当該第1のトランジスタを有し、当該駆動回路は、当該絶縁表面上に設けられた
第3のゲート電極と、当該ゲート絶縁膜を介して、当該第3のゲート電極と重畳する第2
の酸化物半導体膜と、当該第3のゲート電極の一部及び当該第2の酸化物半導体膜の一部
と重畳する第2のソース電極又はドレイン電極と、当該ゲート絶縁膜、当該第3のゲート
電極、当該第2の酸化物半導体膜、及び、当該第2のソース電極及びドレイン電極を覆い
、当該第2の酸化物半導体膜と直接接触している絶縁膜とを有する当該第2のトランジス
タを有することを特徴とする表示装置に関する。
であることを特徴とする。
物半導体トランジスタを得ることができる。
た酸化物半導体トランジスタを画素に用いた表示装置を得ることができる。
ランジスタ及びオン電流が高い酸化物半導体トランジスタを作製することができる。
同一基板上に作製すると、酸化物半導体トランジスタの作製工程が削減でき、作製コスト
を抑制することができる。
体トランジスタを用い、かつ駆動回路にオン電流が高い酸化物半導体トランジスタを用い
た表示装置を得ることができる。
にオン電流が高い酸化物半導体トランジスタを作製すると、表示装置の作製工程が削減で
き、作製コストを抑制することができる。
、本明細書に開示された発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本明細書
に開示された発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変
更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限
定して解釈されるものではない。なお、以下に示す図面において、同一部分又は同様な機
能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
する素子及び装置全般を指し、電子回路、表示装置、発光装置等を含む電気装置およびそ
の電気装置を搭載した電子機器をその範疇とする。
図1(B)に示す酸化物半導体トランジスタ100は、絶縁表面を有する基板101上に
形成されている。酸化物半導体トランジスタ100は、第1のゲート電極であるゲート電
極102a、第2のゲート電極であるゲート電極102b、ゲート絶縁膜123、第1の
酸化物半導体膜である酸化物半導体膜104、ソース電極又はドレイン電極の一方である
電極105a、ソース電極又はドレイン電極の他方である電極105bを有している。
ノシリケートガラスなど、フュージョン法やフロート法で作製される無アルカリガラス基
板、セラミック基板の他、本作製工程の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック
基板等を用いることができる。また、ステンレス合金などの金属基板の表面に絶縁膜を設
けた基板を適用しても良い。
配置されている。また、ゲート電極102a及びゲート電極102bの間には、ゲート絶
縁膜123が配置されている。
02bは、それぞれチタン(Ti)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、タンタル(
Ta)、タングステン(W)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)、銅(C
u)のいずれかを含む導電膜である。
含む導電膜を用いた単層構造であってもよく、又上記の元素のいずれかを含む導電膜の積
層構造であってもよい。
が形成される。そのため、半導体膜や導電膜の段切れ防止のため、ゲート電極102a及
びゲート電極102bそれぞれの端部は、テーパ状になるように加工することが望ましい
。
いる。
いた単層構造、或いはこれらの膜を積層した積層構造を用いてもよい。
(O)の含有量が多いものであって、ラザフォード後方散乱法(RBS:Rutherf
ord Backscattering Spectrometry)及び水素前方散乱
法(HFS:Hydrogen Forward Scattering)を用いて測定
した場合に、濃度範囲として酸素(O)が55〜70原子%、窒素(N)が0.5〜15
原子%、珪素(Si)が25〜35原子%、水素(H)が0.1〜10原子%の範囲で含
まれるものをいう。
多いものであって、濃度範囲として酸素(O)が5〜30原子%、窒素(N)が20〜5
5原子%、珪素(Si)が25〜35原子%、水素(H)が10〜30原子%の範囲で含
まれるものをいう。
、窒素(N)、酸素(O)、珪素(Si)、及び水素(H)の含有比率が上記の範囲内に
含まれるものとする。
シウム(Mg)、又はハフニウム(Hf)の酸化物、アルミニウム(Al)、イットリウ
ム(Y)、マグネシウム(Mg)、又はハフニウム(Hf)窒化物、アルミニウム(Al
)、イットリウム(Y)、マグネシウム(Mg)、又はハフニウム(Hf)酸化窒化物、
又はアルミニウム(Al)、イットリウム(Y)、マグネシウム(Mg)、又はハフニウ
ム(Hf)窒化酸化物のいずれかを用いることができる。また当該酸化物、窒化物、酸化
窒化物、窒化酸化物の少なくとも2種以上を含む化合物を用いることもできる。
成領域が形成される酸化物半導体膜104を有している。酸化物半導体トランジスタ10
0は、連続した面を有する酸化物半導体膜104を有しているので、キャリアの移動に障
壁がなく好適である。
膜104と第2のゲート電極102bが重畳している領域との間に、酸化物半導体膜10
4とゲート電極が重畳しない領域が生じる。上述のように、本明細書では、当該ゲート電
極102a及びゲート電極102bが重畳しない酸化物半導体膜104の領域をLoff
領域109と呼ぶ。
鉛(Zn)を含むことが好ましい。特にInとZnを含むことが好ましい。また、該酸化
物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとし
て、それらに加えてガリウム(Ga)を有することが好ましい。また、スタビライザーと
してスズ(Sn)を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてハフニウム(H
f)を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてアルミニウム(Al)を有す
ることが好ましい。
Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム
(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホル
ミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、ル
テチウム(Lu)のいずれか一種あるいは複数種を有してもよい。
物であるIn−Zn系酸化物、Sn−Zn系酸化物、Al−Zn系酸化物、Zn−Mg系
酸化物、Sn−Mg系酸化物、In−Mg系酸化物、In−Ga系酸化物、三元系金属の
酸化物であるIn−Ga−Zn系酸化物(IGZOとも表記する)、In−Al−Zn系
酸化物、In−Sn−Zn系酸化物、Sn−Ga−Zn系酸化物、Al−Ga−Zn系酸
化物、Sn−Al−Zn系酸化物、In−Hf−Zn系酸化物、In−La−Zn系酸化
物、In−Ce−Zn系酸化物、In−Pr−Zn系酸化物、In−Nd−Zn系酸化物
、In−Sm−Zn系酸化物、In−Eu−Zn系酸化物、In−Gd−Zn系酸化物、
In−Tb−Zn系酸化物、In−Dy−Zn系酸化物、In−Ho−Zn系酸化物、I
n−Er−Zn系酸化物、In−Tm−Zn系酸化物、In−Yb−Zn系酸化物、In
−Lu−Zn系酸化物、四元系金属の酸化物であるIn−Sn−Ga−Zn系酸化物、I
n−Hf−Ga−Zn系酸化物、In−Al−Ga−Zn系酸化物、In−Sn−Al−
Zn系酸化物、In−Sn−Hf−Zn系酸化物、In−Hf−Al−Zn系酸化物を用
いることができる。
て有する酸化物という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、InとG
aとZn以外の金属元素が入っていてもよい。
で表記される材料を用いてもよい。なお、Mは、Ga、Fe、Mn及びCoから選ばれた
一の金属元素または複数の金属元素を示す。また、酸化物半導体として、In2SnO5
(ZnO)n(n>0、且つ、nは整数)で表記される材料を用いてもよい。
a:Zn=2:2:1(=2/5:2/5:1/5)の原子比のIn−Ga−Zn系酸化
物やその組成の近傍の酸化物を用いることができる。あるいは、In:Sn:Zn=1:
1:1(=1/3:1/3:1/3)、In:Sn:Zn=2:1:3(=1/3:1/
6:1/2)あるいはIn:Sn:Zn=2:1:5(=1/4:1/8:5/8)の原
子比のIn−Sn−Zn系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いるとよい。
応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とする半導体特性を得るために、キ
ャリア密度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間結合距離、密度
等を適切なものとすることが好ましい。
ら、In−Ga−Zn系酸化物でも、バルク内欠陥密度を下げることにより移動度を上げ
ることができる。
c=1)である酸化物の組成が、原子数比がIn:Ga:Zn=A:B:C(A+B+C
=1)の酸化物の組成の近傍であるとは、a、b、cが、(a―A)2+(b―B)2+
(c―C)2≦r2、を満たすことをいい、rは、例えば、0.05とすればよい。他の
酸化物でも同様である。
でもよい。また、アモルファス中に結晶性を有する部分を含む構造でも、非アモルファス
でもよい。
これを用いてトランジスタを作製した際の界面散乱を低減でき、比較的容易に、比較的高
い移動度を得ることができる。
の平坦性を高めればアモルファス状態の酸化物半導体以上の移動度を得ることができる。
表面の平坦性を高めるためには、平坦な表面上に酸化物半導体を形成することが好ましく
、具体的には、平均面粗さ(Ra)が1nm以下、好ましくは0.3nm以下、より好ま
しくは0.1nm以下の表面上に形成するとよい。
きるよう三次元に拡張したものであり、「基準面から指定面までの偏差の絶対値を平均し
た値」と表現でき、以下の式にて定義される。
)(x2,y2)で表される4点によって囲まれる長方形の領域)の面積を指し、Z0は
測定面の平均高さを指す。Raは原子間力顕微鏡(AFM:Atomic Force
Microscope)にて評価可能である。
界面の方向から見て三角形状または六角形状の原子配列を有し、c軸においては金属原子
が層状または金属原子と酸素原子とが層状に配列しており、ab面においてはa軸または
b軸の向きが異なる(c軸を中心に回転した)結晶(CAAC:C Axis Alig
ned Crystalともいう)を含む酸化物について説明する。
て、三角形、六角形、正三角形または正六角形の原子配列を有し、かつc軸方向に垂直な
方向から見て、金属原子が層状、または金属原子と酸素原子が層状に配列した相を含む酸
化物をいう。
ACは結晶化した部分(結晶部分)を含むが、1つの結晶部分と他の結晶部分の境界を明
確に判別できないこともある。
を構成する個々の結晶部分のc軸は一定の方向(例えば、CAACを支持する基板面、C
AACの表面などに垂直な方向)に揃っていてもよい。または、CAACを構成する個々
の結晶部分のab面の法線は一定の方向(例えば、CAACを支持する基板面、CAAC
の表面などに垂直な方向)を向いていてもよい。
たりする。また、その組成などに応じて、可視光に対して透明であったり不透明であった
りする。
方向から観察すると三角形または六角形の原子配列が認められ、かつその膜断面を観察す
ると金属原子または金属原子および酸素原子(または窒素原子)の層状配列が認められる
結晶を挙げることもできる。
なお、特に断りがない限り、図11乃至図13は上方向をc軸方向とし、c軸方向と直交
する面をab面とする。なお、単に上半分、下半分という場合、ab面を境にした場合の
上半分、下半分をいう。また、図11において、丸で囲まれたOは4配位のOを示し、二
重丸で囲まれたOは3配位のOを示す。
配位のO)と、を有する構造を示す。ここでは、金属原子が1個に対して、近接の酸素原
子のみ示した構造を小グループと呼ぶ。図11(A)の構造は、八面体構造をとるが、簡
単のため平面構造で示している。なお、図11(A)の上半分および下半分にはそれぞれ
3個ずつ4配位のOがある。図11(A)に示す小グループは電荷が0である。
配位のO)と、Gaに近接の2個の4配位のOと、を有する構造を示す。3配位のOは、
いずれもab面に存在する。図11(B)の上半分および下半分にはそれぞれ1個ずつ4
配位のOがある。また、Inも5配位をとるため、図11(B)に示す構造をとりうる。
図11(B)に示す小グループは電荷が0である。
造を示す。図11(C)の上半分には1個の4配位のOがあり、下半分には3個の4配位
のOがある。または、図11(C)の上半分に3個の4配位のOがあり、下半分に1個の
4配位のOがあってもよい。図11(C)に示す小グループは電荷が0である。
造を示す。図11(D)の上半分には3個の4配位のOがあり、下半分には3個の4配位
のOがある。図11(D)に示す小グループは電荷が+1となる。
4配位のOがあり、下半分には1個の4配位のOがある。図11(E)に示す小グループ
は電荷が−1となる。
大グループ(ユニットセルともいう。)と呼ぶ。
6配位のInの上半分の3個のOは、下方向にそれぞれ3個の近接Inを有し、下半分の
3個のOは、上方向にそれぞれ3個の近接Inを有する。5配位のGaの上半分の1個の
Oは、下方向に1個の近接Gaを有し、下半分の1個のOは、上方向に1個の近接Gaを
有する。4配位のZnの上半分の1個のOは下方向に1個の近接Znを有し、下半分の3
個のOは、上方向にそれぞれ3個の近接Znを有する。この様に、金属原子の上方向の4
配位のOの数と、そのOの下方向にある近接金属原子の数は等しく、同様に金属原子の下
方向の4配位のOの数と、そのOの上方向にある近接金属原子の数は等しい。Oは4配位
なので、下方向にある近接金属原子の数と、上方向にある近接金属原子の数の和は4にな
る。従って、金属原子の上方向にある4配位のOの数と、別の金属原子の下方向にある4
配位のOの数との和が4個のとき、金属原子を有する二種の小グループ同士は結合するこ
とができる。例えば、6配位の金属原子(InまたはSn)が下半分の4配位のOを介し
て結合する場合、4配位のOが3個であるため、5配位の金属原子(GaまたはIn)、
または4配位の金属原子(Zn)のいずれかと結合することになる。
また、このほかにも、層構造の合計の電荷が0となるように複数の小グループが結合して
中グループを構成する。
す。図12(B)に、3つの中グループで構成される大グループを示す。なお、図12(
C)は、図12(B)の層構造をc軸方向から観察した場合の原子配列を示す。
、例えば、Snの上半分および下半分にはそれぞれ3個ずつ4配位のOがあることを丸枠
の3として示している。同様に、図12(A)において、Inの上半分および下半分には
それぞれ1個ずつ4配位のOがあり、丸枠の1として示している。また、同様に、図12
(A)において、下半分には1個の4配位のOがあり、上半分には3個の4配位のOがあ
るZnと、上半分には1個の4配位のOがあり、下半分には3個の4配位のOがあるZn
とを示している。
ら順に4配位のOが3個ずつ上半分および下半分にあるSnが、4配位のOが1個ずつ上
半分および下半分にあるInと結合し、そのInが、上半分に3個の4配位のOがあるZ
nと結合し、そのZnの下半分の1個の4配位のOを介して4配位のOが3個ずつ上半分
および下半分にあるInと結合し、そのInが、上半分に1個の4配位のOがあるZn2
個からなる小グループと結合し、この小グループの下半分の1個の4配位のOを介して4
配位のOが3個ずつ上半分および下半分にあるSnと結合している構成である。この中グ
ループが複数結合して大グループを構成する。
67、−0.5と考えることができる。例えば、In(6配位または5配位)、Zn(4
配位)、Sn(5配位または6配位)の電荷は、それぞれ+3、+2、+4である。従っ
て、Snを含む小グループは電荷が+1となる。そのため、Snを含む層構造を形成する
ためには、電荷+1を打ち消す電荷−1が必要となる。電荷−1をとる構造として、図1
1(E)に示すように、2個のZnを含む小グループが挙げられる。例えば、Snを含む
小グループが1個に対し、2個のZnを含む小グループが1個あれば、電荷が打ち消され
るため、層構造の合計の電荷を0とすることができる。
−O系の結晶(In2SnZn3O8)を得ることができる。なお、得られるIn−Sn
−Zn−O系の層構造は、In2SnZn2O7(ZnO)m(mは0または自然数。)
とする組成式で表すことができる。
元系金属の酸化物であるIn−Ga−Zn系酸化物(IGZOとも表記する。)、In−
Al−Zn系酸化物、Sn−Ga−Zn系酸化物、Al−Ga−Zn系酸化物、Sn−A
l−Zn系酸化物や、In−Hf−Zn系酸化物、In−La−Zn系酸化物、In−C
e−Zn系酸化物、In−Pr−Zn系酸化物、In−Nd−Zn系酸化物、In−Sm
−Zn系酸化物、In−Eu−Zn系酸化物、In−Gd−Zn系酸化物、In−Tb−
Zn系酸化物、In−Dy−Zn系酸化物、In−Ho−Zn系酸化物、In−Er−Z
n系酸化物、In−Tm−Zn系酸化物、In−Yb−Zn系酸化物、In−Lu−Zn
系酸化物や、二元系金属の酸化物であるIn−Zn系酸化物、Sn−Zn系酸化物、Al
−Zn系酸化物、Zn−Mg系酸化物、Sn−Mg系酸化物、In−Mg系酸化物や、I
n−Ga系酸化物などを用いた場合も同様である。
ル図を示す。
ら順に4配位のOが3個ずつ上半分および下半分にあるInが、4配位のOが1個上半分
にあるZnと結合し、そのZnの下半分の3個の4配位のOを介して、4配位のOが1個
ずつ上半分および下半分にあるGaと結合し、そのGaの下半分の1個の4配位のOを介
して、4配位のOが3個ずつ上半分および下半分にあるInと結合している構成である。
この中グループが複数結合して大グループを構成する。
、図13(B)の層構造をc軸方向から観察した場合の原子配列を示している。
ぞれ+3、+2、+3であるため、In、ZnおよびGaのいずれかを含む小グループは
、電荷が0となる。そのため、これらの小グループの組み合わせであれば中グループの合
計の電荷は常に0となる。
中グループに限定されず、In、Ga、Znの配列が異なる中グループを組み合わせた大
グループも取りうる。
成比は、In:Sn:Znが原子数比で、1:2:2、2:1:3、1:1:1、または
20:45:35などとなる酸化物ターゲットを用いる。
dary Ion Mass Spectroscopy)によって測定されたナトリウ
ム(Na)の濃度は、5×1016cm−3以下、好ましくは1×1016cm−3以下
、さらに好ましくは1×1015cm−3以下が好適である。また本明細書の酸化物半導
体膜において、SIMSによって測定されたリチウム(Li)の濃度は、5×1015c
m−3以下、好ましくは1×1015cm−3以下が好適である。また本明細書の酸化物
半導体膜において、SIMSによって測定されたカリウム(K)の濃度は、5×1015
cm−3以下、好ましくは1×1015cm−3以下が好適である。
)等のアルカリ金属、並びに、アルカリ土類金属の濃度が高い場合、トランジスタ特性の
劣化及びトランジスタ特性のばらつきをもたらす恐れがある。そのため、トランジスタ特
性の劣化及びトランジスタ特性のばらつきを抑制するために、酸化物半導体膜中のアルカ
リ金属及びアルカリ土類金属は、上述の濃度範囲であることが好適である。
、当該絶縁膜中に拡散し、ナトリウムイオン(Na+)となる。また、ナトリウム(Na
)は、酸化物半導体膜中において、金属と酸素の結合を分断し、あるいは結合中に割り込
む恐れがある。
Na)が酸化物半導体膜中において、金属と酸素の結合を分断し、或いは、ナトリウム(
Na)が酸化物半導体膜中において、結合中に割り込む場合、トランジスタ特性の劣化(
例えば、ノーマリオン化(しきい値の負へのシフト)、移動度の低下等)の原因となる恐
れがある。さらに、このようなナトリウム(Na)の振る舞いは、トランジスタ特性のば
らつきの原因ともなる。
ジスタ特性のばらつきは、特に酸化物半導体膜中の水素の濃度が十分に低い場合において
顕著となる。従って、酸化物半導体膜中の水素の濃度が、5×1019cm−3以下、特
に5×1018cm−3以下である場合には、アルカリ金属の濃度を上述の値にすること
が好適である。
部及び酸化物半導体膜104の一部と重畳している。また、ソース電極又はドレイン電極
の他方である電極105bは、ゲート電極102bの一部及び酸化物半導体膜104の一
部と重畳している。
ンタル(Ta)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)から選ばれ
た元素を含む導電膜、上述した元素を成分とする合金膜、或いは上述した元素を組み合わ
せた合金膜等を用いる。
等の問題点がある。そのため、電極105a及び電極105bそれぞれをアルミニウム(
Al)を用いて形成する場合は、アルミニウム(Al)と耐熱性導電性材料を組み合わせ
て形成する。
タル(Ta)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、ネオジム(
Nd)、スカンジウム(Sc)から選ばれた元素を含む材料、または上述した元素を成分
とする合金材料、上述した元素を組み合わせた合金材料、または上述した元素を成分とす
る窒化物を用いる。
02b、ゲート絶縁膜123、酸化物半導体膜104、ソース電極又はドレイン電極の一
方である電極105a、ソース電極又はドレイン電極の他方である電極105bを覆って
、絶縁膜126が形成されている。絶縁膜126は、酸化物半導体膜104に直接接触し
て設けられている絶縁膜であり、酸化物半導体膜104を保護する保護膜である。
珪素膜、窒化珪素膜を用いた単層構造、或いはこれらの膜を積層した積層構造を用いても
よい。保護膜は、大気中に浮遊する有機物や金属物、水蒸気などの汚染不純物の侵入を防
ぐためのものであり、緻密な膜が好ましい。
の断面図が、図1(B)となる。
)との間の領域が、チャネル形成領域となる。よって図1(A)に示すように、電極10
5aの端部及び電極105bの端部との間の距離が、チャネル長Lとなる。また電極10
5a又は電極105bのチャネル長と垂直な一辺の長さが、チャネル幅Wとなる。
ート電極102bに重畳しない領域が、Loff領域109となる。Loff領域109
のチャネル長方向の長さを長さFとする。
効果が望めず、長すぎるとチャネル形成領域の抵抗が増大する。よって、Loff領域1
09のチャネル長方向の長さである長さFは、1μm以上20μm以下が好適である。
低減することができる。よって、占有面積を増大することなくオン電流を低減できる酸化
物半導体トランジスタ100を得ることができる。
トランジスタ100は、表示装置の画素に用いることができる。画素に酸化物半導体トラ
ンジスタ100を用いた表示装置については、後述する。
するトランジスタについて説明したが、開示される発明の一態様はこれに限定されない。
第1のゲート電極と第2のゲート電極が互いに離れており、ゲート絶縁膜を介して、当該
第1のゲート電極と第2のゲート電極に重畳する領域と重畳しない領域を有する酸化物半
導体トランジスタは、トップゲート構造であってもオン電流低減の効果が望めるので好適
である。
f領域を設けた酸化物半導体トランジスタ>
図2(A)〜図2(C)に、Loff領域を設けない酸化物半導体トランジスタ110及
びLoff領域109を設けた酸化物半導体トランジスタ100の上面図と断面図を示す
。
(A)に対応する。なお、図2(B)は図1(A)と同じ図面であり、図2(C)のA−
A’の断面図は、図1(B)と同じ図面である。図2(B)及び図2(C)に示される酸
化物半導体トランジスタ100の詳細な説明については、上述したので割愛する。
基板101上に形成されている。
ゲート電極112、及びゲート絶縁膜123を有している。ゲート電極112の材料は、
ゲート電極102a及びゲート電極102bと同様である。
して設けられ、チャネル形成領域が形成される第2の酸化物半導体膜である酸化物半導体
膜114を有している。酸化物半導体膜114の材料は、酸化物半導体膜104と同様で
ある。
14の一部と重畳し、ソース電極又はドレイン電極の一方である電極115a、及び、ゲ
ート電極112の一部及び酸化物半導体膜114の一部と重畳し、ソース電極又はドレイ
ン電極の他方である電極115bを有している。電極115a及び電極115bの材料は
、電極105a及び電極105bと同様である。
て、ゲート電極112、ゲート絶縁膜123、酸化物半導体膜114、ソース電極又はド
レイン電極の一方である電極115a、ソース電極又はドレイン電極の他方である電極1
15bを覆って、絶縁膜126が形成されている。絶縁膜126は、酸化物半導体膜11
4に直接接触して設けられている絶縁膜であり、酸化物半導体膜114を保護する保護膜
である。
高い。このようなオン電流の高い酸化物半導体トランジスタ110は、表示装置の駆動回
路に用いることができる。酸化物半導体トランジスタ110を駆動回路に用いた表示装置
については、後述する。
102a、ゲート電極102b、酸化物半導体膜104、電極105a、及び、電極10
5b、並びに、酸化物半導体トランジスタ110のゲート電極112、酸化物半導体膜1
14、電極115a、及び、電極115bを矩形としたが、本実施の形態はこれに限定さ
れない。酸化物半導体トランジスタ100及び酸化物半導体トランジスタ110を構成す
るゲート電極、酸化物半導体膜、ソース電極及びドレイン電極を、図10(A)〜図10
(C)に示すように、湾曲形状を有するように形成してもよい。ゲート電極、酸化物半導
体膜、ソース電極及びドレイン電極が湾曲形状を有する酸化物半導体トランジスタにおい
ても、Loff領域が形成された酸化物半導体トランジスタは、オン電流が低いという点
において好適である。またLoff領域が形成されない酸化物半導体トランジスタは、オ
ン電流が高いので駆動回路に用いることが可能である。
110として、ボトムゲート構造を有するトランジスタについて説明したが、本実施の形
態はこれに限定されない。トップゲート構造の酸化物半導体トランジスタにおいても、L
off領域が形成された酸化物半導体トランジスタは、オン電流が低いという点において
好適である。またLoff領域が形成されない酸化物半導体トランジスタは、オン電流が
高いので駆動回路に用いることが可能である。
off領域109を設けた酸化物半導体トランジスタ100の作製方法について、以下に
述べる。
ート電極102bを作製する(図3(A)参照)。
や真空蒸着法で、導電膜を形成し、当該導電膜をエッチングすることによって形成する。
或いは、導電性ナノペーストを用い、インクジェット法により吐出し焼成することにより
、ゲート電極112、ゲート電極102a、及びゲート電極102bを形成してもよい。
を覆って、ゲート絶縁膜123を形成する(図3(B)参照)。
化物半導体膜124は、上述した酸化物半導体膜104の材料をターゲットとして用い、
スパッタ法にて形成すればよい。
膜123を介して酸化物半導体膜114、並びに、ゲート電極102a及びゲート電極1
02b上にゲート絶縁膜123を介して酸化物半導体膜104が形成される(図4(A)
参照)。これにより、酸化物半導体トランジスタ110のチャネル形成領域である酸化物
半導体膜である114、及び酸化物半導体トランジスタ100のチャネル形成領域である
酸化物半導体膜104を、同じ材料及び同じ工程で形成することができる。
電極102bの間の領域、すなわちゲート電極と酸化物半導体膜104が重畳しない領域
が、Loff領域109となる。Loff領域109が存在することにより、酸化物半導
体トランジスタ100のオン電流が低減される。
膜125を形成する(図4(B)参照)。導電膜125は、上述した電極105a及び電
極105bの材料をターゲットとして用い、スパッタ法にて形成すればよい。
及びドレイン電極である電極115a及び電極115b、並びに、酸化物半導体トランジ
スタ100のソース電極及びドレイン電極である電極105a及び電極105bを形成す
る。以上により、酸化物半導体トランジスタ110及び酸化物半導体トランジスタ100
が作製される(図4(C)参照)。
、保護膜として機能する絶縁膜126を形成する(図2(C)参照)。
。一方、酸化物半導体トランジスタ100は、Loff領域109が設けられているため
、オン電流が低減される。
0及びオン電流が高い酸化物半導体トランジスタ110を作製することができる。
114及び酸化物半導体膜104を形成した後、導電膜125を形成し、導電膜125を
エッチングすることにより電極115a、電極115b、電極105a、及び電極105
bを形成する。しかし本実施の形態は、上述の作製工程に限定されない。酸化物半導体膜
124及び導電膜125を形成し、酸化物半導体膜124及び導電膜125を、同じマス
クを用いてエッチングしてもよい。酸化物半導体膜124及び導電膜125を、同じマス
クを用いてエッチングすると、マスク数を減らすことができ、作製工程を減らすことが可
能である。
導体トランジスタ110を同一基板101上に作製すると、酸化物半導体トランジスタの
作製工程が削減でき、作製コストを抑制することができる。
高い酸化物半導体トランジスタ110として、ボトムゲート構造のトランジスタを作製す
る例について述べたが、開示される発明の一態様はこれに限定されない。酸化物半導体ト
ランジスタ100及び酸化物半導体トランジスタ110としてトップゲート構造を有する
トランジスタを用いた場合においても、同一基板上にそれぞれのトランジスタを同時に作
製することが可能である。これにより、酸化物半導体トランジスタの作製工程が削減でき
、作製コストを抑制することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る表示装置として、発光表示装置の例を示す。表
示装置の有する表示素子としては、ここではエレクトロルミネッセンスを利用する発光素
子を用いて示す。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合
物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機EL素子、後
者は無機EL素子と呼ばれている。
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成
し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよう
な発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明す
る。
型EL表示装置を示す。図5(A)に示す発光表示装置は、絶縁表面を有する基板101
上に、複数の画素136を有する画素部131、並びに、画素部131を駆動する駆動回
路であるゲートドライバ132及びソースドライバ134を有する。
より、ソースドライバ134と接続されている。また画素部131は、ゲートドライバ1
32から伸張して配置された複数のゲート線133によりゲートドライバ132と接続さ
れている。また画素部131は、ソース線135及びゲート線133に対応して、マトリ
クス状に配置された複数の画素136を有する。
143、ソース線135、ゲート線133、電源線137を含む(図5(B)参照)。
ている。トランジスタ141のソース又はドレインの他方は、容量素子143の一方の端
子、及びトランジスタ142のゲートに電気的に接続されている。トランジスタ141の
ゲートは、ゲート線133に電気的に接続されている。トランジスタ141は、トランジ
スタ142のオン及びオフを制御するスイッチング素子として機能する。
ている。トランジスタ142のソース又はドレインの他方は、容量素子143の他方の端
子、及び電源線137に電気的に接続されている。トランジスタ142のゲートは、トラ
ンジスタ141のソース又はドレインの他方、及び容量素子143の一方の端子に電気的
に接続されている。トランジスタ142は、発光素子144に流す電流の制御を行う電流
制御素子として機能する。
トランジスタ142のゲートに電気的に接続されている。容量素子143の他方の端子は
、トランジスタ142のソース又はドレインの他方、及び電源線137に電気的に接続さ
れている。
ている。
A)〜図1(B)及び図2(B)〜図2(C)で説明された酸化物半導体トランジスタ1
00を用いることができる。
09を有する酸化物半導体トランジスタ100を用いると、占有面積を増大させずに、オ
ン電流が低減されたトランジスタ141及びトランジスタ142を得ることができる。
いた発光表示装置は、発光表示装置の開口率が減少するのを抑制することが可能である。
電流が低減されたトランジスタを用いると、トランジスタ142の駆動電圧が変化しても
ドレイン電流の変化量が小さいという点で特に好適である。その理由を以下に説明する。
依存する。そのため、発光素子144及びトランジスタ142の特性が発光表示装置の輝
度にとっては重要である。
ンジスタを用いた場合と、チャネル長が短いことによりオン電流が高いトランジスタを用
いた場合の特性の違いを、図9(A)及び図9(B)を用いて説明する。
続されている側の電圧をVA、またトランジスタ142のソース又はドレインのうち、発
光素子144と接続されている側の電圧を電圧VEとする。
ン電流が高い(チャネル長が短い)トランジスタそれぞれにおいて、電圧VE及びドレイ
ン電流Id特性(以下「VE−ID特性」ともいう)、並びに、発光素子144の電圧特
性を示す。なおこのとき、オン電流が低い(チャネル長が長い)トランジスタ及びオン電
流が高い(チャネル長が短い)トランジスタのゲート及びソース間電圧Vgsは等しいも
のとする。
Cl、曲線Clが曲線CEと交わる点の電圧を電圧Vl、及び、曲線Clが曲線CEと交
わる点の電流をIdlとする。
Cs、曲線Csが曲線CEと交わる点の電圧を電圧Vs、及び、曲線Csが曲線CEと交
わる点の電流をIdsとする。
領域である飽和領域S、及び、電圧VEに対してドレイン電流Idに対して線形に変化す
る線形領域Rを有する。
ン電流が高い(チャネル長が短い)トランジスタの駆動電圧となる。
た場合の電圧特性を示す。
、劣化後の発光素子144の電圧特性の曲線CEを曲線CE2とする。
、曲線CE1と交わる点の電圧を駆動電圧Vl1とする。オン電流が高い(チャネル長が
短い)トランジスタのVE−ID特性の曲線Csが、曲線CE1と交わる点の電圧を駆動
電圧Vs1とする。
が、曲線CE2と交わる点の電圧を駆動電圧Vl2とする。オン電流が高い(チャネル長
が短い)トランジスタのVE−ID特性の曲線Csが、曲線CE2と交わる点の電圧を駆
動電圧Vs2とする。
印加する電圧を増加させなければならない。そのため、駆動電圧Vl1及び駆動電圧Vs
1よりも、駆動電圧Vl2及び駆動電圧Vs2の方が電圧値が高くなる。さらに、駆動電
圧Vl2及び駆動電圧Vs2が高くなると、駆動電圧Vl2及び駆動電圧Vs2が線形領
域Rに入る恐れがある。
電圧Vs2が線形領域Rに入った場合を示している。駆動電圧が線形領域Rに入ると、駆
動電圧の小さな変化でドレイン電流が大きく変化してしまう恐れがある。
は、線形領域Rに入らず、飽和領域Sに存在する。
ドレイン電流の変化量が小さいという効果を奏する。
用いると、トランジスタ142の駆動電圧が変化してもドレイン電流の変化量が小さいと
いう点で特に好適である。
ースドライバ134に用いるトランジスタとして、図2(A)及び図2(C)で説明され
た酸化物半導体トランジスタ110を用いることができる。
体トランジスタ110を用いると、オン電流が高い酸化物半導体トランジスタ110と、
上記オン電流が低い酸化物半導体トランジスタ100を、同一基板101上に作製するこ
とができる。
スタ100を同一基板101上に作製すると、酸化物半導体トランジスタ110及び酸化
物半導体トランジスタ100の作製工程が削減でき、作製コストを抑制することができる
。
半導体トランジスタ100を用い、かつ駆動回路(ゲートドライバ132及びソースドラ
イバ134)にオン電流が高い酸化物半導体トランジスタ110を用いた表示装置を得る
ことができる。
及びソースドライバ134)に用いられるトランジスタとして、それぞれ酸化物半導体ト
ランジスタ100及び酸化物半導体トランジスタ110を同一基板101上に作製するこ
とができる。これにより、発光表示装置の作製において、作製工程が削減でき、作製コス
トを抑制することが可能となる。
100、及び発光素子144の断面を示す。
トランジスタ100、絶縁膜126、絶縁膜127、隔壁128、電極107、発光層1
52、電極153を有している。電極107は、酸化物半導体トランジスタ100のソー
ス電極又はドレイン電極の他方に電気的に接続されている。また、電極107、発光層1
52、及び電極153で、発光素子144を形成する。
すればよい。そして、基板上にトランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面か
ら発光を取り出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基
板とは反対側の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、本発明の一態様に
係る画素構成はどの射出構造の発光素子にも適用することができる。
を用いて形成することが好ましい。
)がn型である。そのため、電極107を陰極として用いることが望ましい。具体的には
、陰極としては、仕事関数が小さい材料、例えば、Ca、Al、CaF、MgAg、Al
Li等の金属材料を用いることができる。
に感光性の材料を用い、電極107上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲
率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
いてもどちらでも良い。
有する導電性材料を用いた透光性導電膜で形成することができる。
酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸
化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化
ケイ素を添加したインジウム錫酸化物等が挙げられる。
成されている。また、発光素子144に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないよ
うに、電極153及び隔壁128を覆って保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒
化珪素膜、窒化酸化珪素膜、DLC膜等を形成することができる。
材料、陽極である電極153が透光性を有する導電性材料を用いて形成されている。その
ため、図6(A)に示した発光素子144から発せられる光は、矢印で示すように電極1
53側に射出する。よって、図6(A)に示す発光素子144は、上面射出構造の発光素
子である。
を上げることは難しい。しかしながら、本実施の形態により、トランジスタ142のオン
電流の最適化が行われているので好適である。
に電気的に接続された電極108を、上述の透光性を有する導電性材料を用いて形成する
。
り、電極154上に発光層152、陽極である電極153が順に積層されている。
性材料であれば様々な材料を用いることができる。ただしその膜厚は、光を透過する程度
(好ましくは、5nm〜30nm程度)とする。例えば20nmの膜厚を有するアルミニ
ウム膜を、電極154として用いることができる。
遮蔽するための遮蔽膜155を形成する。遮蔽膜155は、例えば光を反射する金属等を
用いることができるが、金属膜に限定されない。例えば黒の顔料添加した樹脂等を用いる
こともできる。
成されている。また、発光素子144に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないよ
うに、遮蔽膜155及び隔壁128を覆って保護膜を形成してもよい。保護膜としては、
窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、DLC膜等を形成することができる。
薄い。また電極154の下方には、透光性を有する電極108が設けられている。また、
陽極である電極153を覆って遮蔽膜155が形成されている。
極154側に射出する。よって、図6(B)に示す発光素子144は、下面射出構造の発
光素子である。
表示装置の開口率を上げることができる。さらに、本実施の形態により、トランジスタ1
42のオン電流の最適化が行われているので好適である。
トランジスタ100)に電気的に接続された電極108を、上述の透光性を有する導電性
材料を用いて形成する。
極108上に、発光素子144の陰極である電極154が成膜されており、電極154上
に発光層152、陽極である電極153が順に積層されている。
性材料であれば様々な材料を用いることができる。ただしその膜厚は、光を透過する程度
(好ましくは、5nm〜30nm程度)とする。例えば20nmの膜厚を有するアルミニ
ウム膜を、電極154として用いることができる。
成されている。また、発光素子144に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないよ
うに、電極153及び隔壁128を覆って保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒
化珪素膜、窒化酸化珪素膜、DLC膜等を形成することができる。
薄い。また電極154の下方には、透光性を有する電極108が設けられている。また、
陽極である電極153も透光性を有する導電材料を用いて形成されている。
極154側及び電極153側の両方に射出する。よって、図6(C)に示す発光素子14
4は、両面射出構造の発光素子である。
気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム(貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィ
ルム等)やカバー材でパッケージング(封入)することが好ましい。
として無機EL素子を設けることも可能である。
遮光する遮光膜、更に或いは酸化物半導体トランジスタ100全体を遮光する遮光膜を設
けてもよい。このような遮光膜を設けることにより、光の取り出し効率を高めることがで
きる。
図7(A)及び図7(B)は、本実施の形態の表示装置の一形態である表示パネルの上面
図及び断面図である。図7(B)は、図7(A)のC−C’の断面図に相当する。
バ132b、ソースドライバ134a、及びソースドライバ134bを囲むようにして、
シール材162が設けられている。また画素部131、ゲートドライバ132a、ゲート
ドライバ132b、ソースドライバ134a、及びソースドライバ134bの上に第2の
基板161が設けられている。画素部131、ゲートドライバ132a、ゲートドライバ
132b、ソースドライバ134a、及びソースドライバ134bは、第1の基板101
、第2の基板161、及びシール材162によって、充填材169と共に密封されている
。
ように、図1(A)〜図1(B)及び図2(B)〜図2(C)で説明された酸化物半導体
トランジスタ100を用いることができる。
体トランジスタ100を用いると、画素部131に用いられるトランジスタは、占有面積
を増大させることなくオン電流を低減することができる。
パネルの開口率が減少するのを抑制することが可能である。
びソースドライバ134bにトランジスタとして、上述のように、図2(A)及び図2(
C)で説明された酸化物半導体トランジスタ110を用いることができる。
100を用い、かつゲートドライバ132a、ゲートドライバ132b、ソースドライバ
134a、及びソースドライバ134bにオン電流が高い酸化物半導体トランジスタ11
0を用いた表示パネルを得ることができる。これにより、表示パネルの作製において、作
製工程が削減でき、作製コストを抑制することができる。
スドライバ134bに与えられる各種信号及び電位は、FPC167a及びFPC167
bから供給されている。
の発光素子を用いる。当該表示パネルにおいて、接続端子165が、電極107と同じ導
電膜から形成され、配線166は、発光素子144が有する電極153と同じ導電膜から
形成されている。
6(B)に示す下方射出構造の発光素子、図6(C)に示す両面射出構造の発光素子を用
いてもよい。
は、接続端子165として電極108又は電極154と同じ導電膜、配線166として電
極153と同じ導電膜を用いることができる。
は、接続端子165として電極108又は電極154と同じ導電膜、配線166として電
極153と同じ導電膜を用いることができる。
に接続されている。
す両面射出構造の発光素子を用いる場合には、発光素子144からの光の取り出し方向に
位置する第2の基板161は透光性でなければならない。その場合には、ガラス板、プラ
スチック板、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透光性を有する材料
を用いる。
または熱硬化樹脂を用いることができ、PVC(ポリビニルクロライド)、アクリル、ポ
リイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)またはEVA
(エチレンビニルアセテート)を用いることができる。本実施の形態は充填材169とし
て窒素を用いた。
む)、位相差板(λ/4板、λ/2板)、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設け
てもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸
により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
抑制された酸化物半導体トランジスタを得ることができる。
た表示装置において、表示装置の開口率が減少するのを抑制することができる。
オン電流が高い酸化物半導体トランジスタを作製することができる。
ジスタを用い、かつ駆動回路にオン電流が高い酸化物半導体トランジスタを用いた表示装
置を得ることができる。
化物半導体トランジスタの特性の変化について述べる。より具体的には、ゲート−ソース
間電圧Vgs及びドレイン電流Id特性(以後「Vgs−Id特性」ともいう)の長さF
との依存性について述べる。
における酸化物半導体トランジスタとして、実施の形態で述べた酸化物半導体トランジス
タ100を用いた。また、長さFが0μm、すなわちLoff領域が存在しない酸化物半
導体トランジスタの構造は、実施の形態の酸化物半導体トランジスタ110と同様である
。なお本実施例では、酸化物半導体トランジスタ100の酸化物半導体膜104、及び酸
化物半導体トランジスタ110の酸化物半導体膜114の材料として、酸化インジウムと
酸化ガリウムと酸化亜鉛からなる酸化物(IGZO:Indium Gallium Z
inc Oxide)を用いた。
ャネル幅Wが異なる酸化物半導体トランジスタであった。ドレイン電流Idは、チャネル
長L及びチャネル幅Wに依存して変化してしまう。そのため、本実施例では、チャネル長
L及びチャネル幅Wの比に基づいて、ドレイン電流Idの規格化を行った。
タ1のチャネル長Lをチャネル長L1、トランジスタ1のチャネル幅WをW1とする。
トランジスタ2とする。トランジスタ2のチャネル長Lをチャネル長L2、トランジスタ
2のチャネル幅WをW2、及びトランジスタ2の測定されたドレイン電流IdをId2と
する。同様に、チャネル長方向の長さFが10μmの酸化物半導体トランジスタをトラン
ジスタ3とし、トランジスタ3のチャネル長L、チャネル幅W、測定されたドレイン電流
Idをそれぞれ、チャネル長L3、チャネル幅W3、ドレイン電流Id3とする(表1参
照)。
ンジスタ1のチャネル長L1とチャネル幅W1の比L1/W1によって規格化した。
のドレイン電流をドレイン電流Id2’とする。測定されたドレイン電流Id2をL1/
W1によって規格化するには、Id2’:Id2=W2/L2:W1/L1が成り立つ。
これにより、Id2’=Id2×(W2/L2)×(L1/W1)となる。またトランジ
スタ3においても同様の規格化を行った(表1参照)。
s−Id特性を示す。図8において、トランジスタ1のVgs−Id特性は点線、トラン
ジスタ2のVgs−Id特性は一点鎖線、トランジスタ3のVgs−Id特性は実線で示
されている。
て、規格化後のドレイン電流Id’が低くなった。
減できる酸化物半導体トランジスタを得ることができる。
た酸化物半導体トランジスタを画素に用いた表示装置を得ることができる。
ランジスタ及びオン電流が高い酸化物半導体トランジスタを作製することができる。
同一基板上に作製すると、酸化物半導体トランジスタの作製工程が削減でき、作製コスト
を抑制することができる。
体トランジスタを用い、かつ駆動回路にオン電流が高い酸化物半導体トランジスタを用い
た表示装置を得ることができる。
にオン電流が高い酸化物半導体トランジスタを作製すると、表示装置の作製工程が削減で
き、作製コストを抑制することができる。
101 基板
102a ゲート電極
102b ゲート電極
104 酸化物半導体膜
105a 電極
105b 電極
107 電極
108 電極
109 Loff領域
110 酸化物半導体トランジスタ
112 ゲート電極
114 酸化物半導体膜
115a 電極
115b 電極
123 ゲート絶縁膜
124 酸化物半導体膜
125 導電膜
126 絶縁膜
127 絶縁膜
128 隔壁
131 画素部
132 ゲートドライバ
132a ゲートドライバ
132b ゲートドライバ
133 ゲート線
134 ソースドライバ
134a ソースドライバ
134b ソースドライバ
135 ソース線
136 画素
137 電源線
141 トランジスタ
142 トランジスタ
143 容量素子
144 発光素子
152 発光層
153 電極
154 電極
155 遮蔽膜
161 基板
162 シール材
165 接続端子
166 配線
167a FPC
167b FPC
168 異方性導電膜
169 充填材
Claims (1)
- 絶縁表面上に第1の導電層と、第2の導電層と、第3の導電層とを形成し、
前記第1の導電層と、前記第2の導電層と、前記第3の導電層の上面に接する第1の絶縁層を形成し、
前記第1の絶縁層上に第1の酸化物半導体層と、第2の酸化物半導体層とを形成し、
前記第1の酸化物半導体層上に第4の導電層と、第5の導電層とを形成し、
前記第2の酸化物半導体層上に第6の導電層と、第7の導電層とを形成し、
前記第1の酸化物半導体層、前記第2の酸化物半導体層と、前記第4の導電層、前記第5の導電層、前記第6の導電層及び前記第7の導電層上に第2の絶縁層を形成し、
前記第1の酸化物半導体層は、前記第1の導電層と重畳する領域を有し、
前記第2の酸化物半導体層は、前記第2の導電層と、前記第3の導電層と重畳する領域を有し、
前記第6の導電層は、前記第2の導電層と重畳する領域を有し、
前記第7の導電層は、前記第3の導電層と重畳する領域を有し、
前記第2の酸化物半導体層は、前記第6の導電層と前記第7の導電層の間において、
前記第2の導電層と前記第3の導電層と重畳せず、且つ前記第2の酸化物半導体層上面で前記第2の絶縁層と接する領域を有する、半導体装置の作製方法。
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JP6076617B2 (ja) * | 2011-05-13 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2013251255A (ja) * | 2012-05-04 | 2013-12-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
KR102081468B1 (ko) | 2012-07-20 | 2020-02-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치 |
TWI621270B (zh) * | 2013-02-07 | 2018-04-11 | 群創光電股份有限公司 | 薄膜電晶體元件與薄膜電晶體顯示裝置 |
TWI644434B (zh) * | 2013-04-29 | 2018-12-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
KR102522133B1 (ko) * | 2013-06-27 | 2023-04-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP6410496B2 (ja) | 2013-07-31 | 2018-10-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | マルチゲート構造のトランジスタ |
US9917110B2 (en) | 2014-03-14 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN105742294B (zh) * | 2016-03-23 | 2019-01-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft基板的制作方法及制得的tft基板 |
KR102613288B1 (ko) | 2016-07-26 | 2023-12-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US10910407B2 (en) | 2017-01-30 | 2021-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP7183061B2 (ja) * | 2019-01-31 | 2022-12-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びトランジスタ |
Family Cites Families (150)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
US4907041A (en) * | 1988-09-16 | 1990-03-06 | Xerox Corporation | Intra-gate offset high voltage thin film transistor with misalignment immunity |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3395259B2 (ja) * | 1993-07-07 | 2003-04-07 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
KR100306801B1 (ko) * | 1998-06-25 | 2002-05-13 | 박종섭 | 박막트랜지스터및그의제조방법 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
US7022556B1 (en) * | 1998-11-11 | 2006-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Exposure device, exposure method and method of manufacturing semiconductor device |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
JP2000214800A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
US6506635B1 (en) * | 1999-02-12 | 2003-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and method of forming the same |
JP2001196594A (ja) | 1999-08-31 | 2001-07-19 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ、液晶表示用基板及びその製造方法 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP2002072963A (ja) * | 2000-06-12 | 2002-03-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光モジュールおよびその駆動方法並びに光センサ |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
JP4678933B2 (ja) * | 2000-11-07 | 2011-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4310076B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2009-08-05 | キヤノン株式会社 | 結晶性薄膜の製造方法 |
JP2005322935A (ja) | 2001-06-01 | 2005-11-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2003229578A (ja) | 2001-06-01 | 2003-08-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、表示装置およびその作製方法 |
US6897477B2 (en) | 2001-06-01 | 2005-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
KR100980008B1 (ko) * | 2002-01-02 | 2010-09-03 | 삼성전자주식회사 | 배선 구조, 이를 이용하는 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법 |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4314843B2 (ja) * | 2003-03-05 | 2009-08-19 | カシオ計算機株式会社 | 画像読取装置及び個人認証システム |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP2004296963A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
JP4748954B2 (ja) * | 2003-07-14 | 2011-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP4112527B2 (ja) * | 2003-07-14 | 2008-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | システムオンパネル型の発光装置の作製方法 |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7268485B2 (en) * | 2003-10-07 | 2007-09-11 | Eastman Kodak Company | White-emitting microcavity OLED device |
KR100987859B1 (ko) * | 2003-11-03 | 2010-10-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 다결정실리콘 액정표시소자 및 그 제조방법 |
KR100585410B1 (ko) * | 2003-11-11 | 2006-06-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 구동회로 일체형 액정표시장치의 스위칭 소자 및 구동소자및 그 제조방법 |
JP4588312B2 (ja) * | 2003-12-02 | 2010-12-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP4566575B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2010-10-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
CN102856390B (zh) | 2004-03-12 | 2015-11-25 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 包含薄膜晶体管的lcd或有机el显示器的转换组件 |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
KR100603835B1 (ko) * | 2004-05-24 | 2006-07-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
BRPI0517560B8 (pt) | 2004-11-10 | 2018-12-11 | Canon Kk | transistor de efeito de campo |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
WO2006051994A2 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
EP1812969B1 (en) | 2004-11-10 | 2015-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor comprising an amorphous oxide |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7582904B2 (en) * | 2004-11-26 | 2009-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device and method for manufacturing thereof, and television device |
KR101086487B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2011-11-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 폴리 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI569441B (zh) | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI472037B (zh) | 2005-01-28 | 2015-02-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
US7544967B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
KR100731750B1 (ko) * | 2005-06-23 | 2007-06-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치의제조방법 |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101112655B1 (ko) | 2005-11-15 | 2012-02-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브 매트릭스 디스플레이 장치 및 텔레비전 수신기 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
JP2008134625A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、表示装置及び電子機器 |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP4755143B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2011-08-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TWI412125B (zh) * | 2007-07-17 | 2013-10-11 | Creator Technology Bv | 電子元件及電子元件之製法 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
TWI500159B (zh) * | 2008-07-31 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
TWI476921B (zh) | 2008-07-31 | 2015-03-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
JP5627071B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2014-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9082857B2 (en) * | 2008-09-01 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer |
KR101529575B1 (ko) * | 2008-09-10 | 2015-06-29 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터, 이를 포함하는 인버터 및 이들의 제조방법 |
US8575615B2 (en) * | 2008-09-17 | 2013-11-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
EP2172977A1 (en) | 2008-10-03 | 2010-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
KR101432764B1 (ko) * | 2008-11-13 | 2014-08-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치의 제조방법 |
KR102359831B1 (ko) | 2008-11-21 | 2022-02-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
KR20100075195A (ko) * | 2008-12-24 | 2010-07-02 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
US8383470B2 (en) * | 2008-12-25 | 2013-02-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor (TFT) having a protective layer and manufacturing method thereof |
KR101648927B1 (ko) * | 2009-01-16 | 2016-08-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP5663214B2 (ja) * | 2009-07-03 | 2015-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TWI559501B (zh) * | 2009-08-07 | 2016-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
WO2011027656A1 (en) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and display device |
WO2011034012A1 (en) * | 2009-09-16 | 2011-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit, light emitting device, semiconductor device, and electronic device |
WO2011033911A1 (en) * | 2009-09-16 | 2011-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101882887B1 (ko) * | 2009-09-16 | 2018-07-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 이의 제조 방법 |
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