JP5378574B1 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 メモリ装置20は、フラッシュメモリ40と、フラッシュメモリ40を制御するコントローラ30を有する。フラッシュメモリは、複数の記憶素子を有するメモリ領域と、複数の記憶素子を有する冗長メモリ領域と、メモリ領域の記憶素子のための冗長情報を記憶する冗長情報記憶部140とを有する。冗長情報記憶部140は、コントローラ30からの要求に応答して冗長情報をコントローラ30に転送する。コントローラ30は、フラッシュメモリに対して冗長情報の転送を要求する要求部と、冗長情報を保持する冗長情報保持部と、保持された冗長情報に基づきフラッシュメモリから読み出されたデータまたはフラッシュメモリに書込むデータを制御する制御部とを有する。
【選択図】 図2
Description
さらに本発明は、メモリチップの周辺回路の占有面積の縮減を図りメモリセルアレイの記憶容量の増大を図ることができるメモリ装置を提供することを目的とする。
30:コントローラ 40:フラッシュメモリ
100:メモリアレイ 110:入出力バッファ
120:アドレスレジスタ 130:制御部
140:冗長情報記憶部 150:ワード線選択回路
160:ページバッファ/センス回路 170:データレジスタ
180:列選択回路 300:冗長制御プログラム
310:冗長情報要求部 320:冗長情報保持部
330:カラム制御部 332:アドレス比較部
334:データ変換部 336:ページバッファ
MM:メモリ領域 MR:冗長メモリ領域
Claims (11)
- 少なくとも1つのメモリと、前記メモリを制御するコントローラと、前記メモリと前記コントローラとを接続する接続手段とを有するメモリ装置であって、
前記メモリは、NANDストリング構成の複数の記憶素子を有するメモリ領域と、NANDストリング構成の複数の記憶素子を有する冗長メモリ領域と、前記メモリ領域に含まれる欠陥記憶素子の欠陥アドレス情報、および前記冗長メモリ領域の前記欠陥記憶素子を救済するための冗長記憶素子の冗長アドレス情報を含む冗長情報を記憶する冗長情報記憶部と、前記メモリ領域および前記冗長メモリ領域から読み出された読出しデータまたは前記メモリ領域および前記冗長メモリ領域へ書込む書込みデータをページ単位で保持する第1のデータ保持部と、前記第1のデータ保持部に接続され、前記読出しデータを連続的に出力しまたは前記書込みデータを連続的に入力する入出力部とを備え、
前記コントローラは、前記入出力部から出力される読出しデータまたは前記入出力部へ入力される書込みデータをページ単位で保持する第2のデータ保持部と、前記メモリから転送された前記冗長情報に基づき前記第2のデータ保持部に保持された欠陥記憶素子のデータを冗長記憶素子のデータに変換するカラム制御部とを備えた、メモリ装置。 - 前記コントローラはさらに、前記メモリに対して前記冗長情報の転送を要求する要求部と、転送された冗長情報を保持する冗長情報保持部とを含み、前記カラム制御部は、前記冗長情報保持部で保持された冗長情報に基づき前記読出しデータまたは前記書込みデータのカラム制御を行う、請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記欠陥アドレス情報および前記冗長アドレス情報は、前記メモリ領域および前記冗長領域のカラムアドレス情報である、請求項1または2に記載のメモリ装置。
- 前記カラム制御部は、前記冗長情報に含まれる欠陥アドレス情報および前記冗長アドレス情報と、前記第2のデータ保持部に保持されたデータのアドレス情報とを比較するアドレス比較部と、前記アドレス比較部の比較結果に基づき前記第2のデータ保持部に保持された欠陥記憶素子のデータを冗長記憶素子のデータに変換するデータ変換部とを含む、請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記入出力部は、前記読出しデータを前記第2のデータ保持部に直列に出力し、前記書込みデータを前記第1のデータ保持部に直列に入力する、請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記要求部は、コントローラに電源が投入されたとき、前記メモリに対して前記冗長情報の転送を要求するコマンドを発する、請求項2に記載のメモリ装置。
- 前記冗長情報保持部は、不揮発性メモリである、請求項2に記載のメモリ装置。
- 前記メモリは、シリコン基板上に複数のNANDストリングが形成されたフラッシュメモリチップであり、前記コントローラは、フラッシュメモリチップとは別のシリコン基板上に形成されたコントローラチップであり、前記フラッシュメモリチップおよびコントローラチップは、モジュール化される、請求項1ないし7いずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記フラッシュメモリチップおよび前記コントローラチップは、1つのパッケージ内に収容される、請求項1ないし8いずれか1つに記載の半導体装置。
- NANDストリング構成の複数の記憶素子を有するメモリ領域と、NANDストリング構成の複数の記憶素子を有する冗長メモリ領域と、前記メモリ領域に含まれる欠陥記憶素子の欠陥アドレス情報、および前記冗長メモリ領域の前記欠陥記憶素子を救済するための冗長記憶素子の冗長アドレス情報を含む冗長情報を記憶する冗長情報記憶部と、前記メモリ領域および前記冗長メモリ領域から読み出された読出しデータまたは前記メモリ領域および前記冗長メモリ領域へ書込む書込みデータをページ単位で保持する第1のデータ保持部と、前記第1のデータ保持部に接続され、前記読出しデータを連続的に出力しまたは前記書込みデータを連続的に入力する入出力部とを備えたフラッシュメモリの冗長方法であって、
コントローラに電源が投入されたとき、前記コントローラは、前記冗長情報の転送を要求するコマンドを前記フラッシュメモリに発行し、
フラッシュメモリは、前記冗長情報をコントローラに送信し、
コントローラは、フラッシュメモリから転送された前記冗長情報を保持し、
フラッシュメモリメモリに対してデータの読出しが行われるとき、コントローラは、フラッシュメモリの第1のデータ保持部で保持されたページ単位のデータを前記入出力部を介して第2のデータ保持部で保持し、次いで前記冗長情報に基づき前記第2のデータ保持部に保持された欠陥記憶素子のデータを冗長記憶素子のデータに変換し、データの書込みが行われるとき、第2のデータ保持部に書込みデータを保持し、次いで前記冗長情報に基づき前記第2のデータ保持部に保持された欠陥記憶素子のデータを冗長記憶素子のデータに変換し、変換されたデータを前記入出力部を介して前記第1のデータ保持部へ出力する、冗長方法。 - 冗長方法はさらに、前記冗長情報に含まれる欠陥アドレス情報および前記冗長アドレス情報と、前記第2のデータ保持部に保持されたデータのアドレス情報とを比較し、比較結果に基づき前記第2のデータ保持部に保持された欠陥記憶素子のデータを冗長記憶素子のデータに変換する、請求項10に記載の冗長方法。
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