JP7137680B2 - 半導体装置および連続読出し方法 - Google Patents
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Description
110:メモリセルアレイ
120:入出力回路
130:ECC回路
140:アドレスレジスタ
150:コントローラ
160:ワード線選択回路
170:ページバッファ/センス回路
180:列選択回路
Claims (9)
- メモリセルアレイと、当該メモリセルアレイから読み出されたデータを受け取るページバッファ/センス回路とを含み、前記ページバッファ/センス回路は、それぞれ1/2ページ分のデータを保持する第1の保持領域と第2の保持領域とを含む、NAND型フラッシュメモリの連続読出し方法であって、
第1の保持領域に保持されたデータの出力後、第2の保持領域に保持されたデータの出力中に、メモリセルアレイから次のページのデータを第1の保持領域に保持し、第2の保持領域に保持されたデータの出力後、第1の保持領域に保持されたデータの出力中に、メモリセルアレイから次のページのデータを第2の保持領域に保持するステップを有し、
前記ページバッファ/センス回路は、行方向の各ピッチ内に2列×複数段に配置され、第1の保持領域のデータを出力するとき、前記2列の一方の列のページバッファ/センス回路に接続されたビット線を選択してメモリセルアレイの読出しが行われ、第2の保持領域のデータを出力するとき、前記2列の他方の列のページバッファ/センス回路に接続されたビット線を選択してメモリセルアレイの読出しが行われ、非選択のビット線はGNDにシールドされる、方法。 - 前記メモリセルアレイは、列アドレスが連続する方向に順に、データの記憶に利用される第1のメイン領域、データの記憶に利用される第2のメイン領域、第1のメイン領域のデータに関する情報を記憶する第1のスペア領域、第2のメイン領域のデータに関する情報を記憶する第2のスペア領域を含み、
メモリセルアレイのデータを読み出すとき、第1の保持領域が第1のメイン領域のデータと第2のメイン領域のデータの一部とを含み、かつ第2の保持領域が第2のメイン領域の残りのデータと前記第1および第2のスペア領域のデータとを含むようにメモリセルアレイのデータの列アドレス位置が変換される、請求項1に記載の方法。 - 前記メモリセルアレイから第1の保持領域へのデータの読出しは、第1の保持領域に保持されたデータを出力する列アドレスが1/2ページの最終列アドレスに到達したときに開始され、前記メモリセルアレイから第2の保持領域へのデータの読出しは、第2の保持領域に保持されたデータを出力する列アドレスが1/2ページの最終列アドレスに到達したときに開始される、請求項1または2に記載の方法。
- NAND型のメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイの各ビット線に接続され、かつメモリセルアレイから読み出されたデータを受け取るページバッファ/センス回路であって、当該ページバッファ/センス回路は、それぞれ1/2ページ分のデータを保持する第1の保持領域と第2の保持領域とを含み、かつ行方向の各ピッチ内に2列×複数段に配置される、前記ページバッファ/センス回路と、
前記メモリセルアレイの読出しを制御する制御手段とを含み、
前記制御手段は、ページの連続読出しを行うとき、第1の保持領域に保持されたデータの出力後、第2の保持領域に保持されたデータの出力中に、メモリセルアレイから次のページのデータを第1の保持領域に保持し、第2の保持領域に保持されたデータの出力後、第1の保持領域に保持されたデータの出力中に、メモリセルアレイから次のページのデータを第2の保持領域に保持し、
前記制御手段はさらに、第1の保持領域のデータを出力するとき、前記2列の一方の列のページバッファ/センス回路に接続されたビット線を選択してメモリセルアレイの読出しを行い、第2の保持領域のデータを出力するとき、前記2列の他方の列のページバッファ/センス回路に接続されたビット線を選択してメモリセルアレイの読出しを行い、非選択のビット線をGNDにシールドする、半導体装置。 - 前記メモリセルアレイは、列アドレスが連続する方向に順に、データの記憶に利用される第1のメイン領域、データの記憶に利用される第2のメイン領域、第1のメイン領域のデータに関する情報を記憶する第1のスペア領域、第2のメイン領域のデータに関する情報を記憶する第2のスペア領域を含み、
前記制御手段は、メモリセルアレイのデータを読み出すとき、第1の保持領域が第1のメイン領域のデータと第2のメイン領域のデータの一部とを含み、かつ第2の保持領域が第2のメイン領域の残りのデータと前記第1および第2のスペア領域のデータとを含むようにメモリセルアレイのデータの列アドレス位置を変換する、請求項4に記載の半導体装置。 - 前記メモリセルアレイから第1の保持領域へのデータの読出しは、第1の保持領域に保持されたデータを出力する列アドレスが1/2ページの最終列アドレスに到達したときに開始され、前記メモリセルアレイから第2の保持領域へのデータの読出しは、第2の保持領域に保持されたデータを出力する列アドレスが1/2ページの最終列アドレスに到達したときに開始される、請求項4または5に記載の半導体装置。
- 前記読出し手段は、第1および第2の保持領域に保持されたデータをクロック信号に同期して外部に出力する、請求項4ないし6いずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記ページバッファ/センス回路は、1ページ分のデータを保持する単一のラッチを含んで構成される、請求項4に記載の半導体装置。
- 前記ページバッファ/センス回路は、各ピッチ内に2列×4段のレイアウトに配置される、請求項8に記載の半導体装置。
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Patent Citations (3)
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