JP5275094B2 - 基板処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板処理方法に関し、特に、マスク層としての有機膜表面に補強膜を形成しつつ、開口パターンを形成する有機膜の線状部分の線幅を微細化する基板処理方法に関する。
シリコン基材上にCVD処理等によって形成された不純物を含む酸化膜、例えばTEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)膜、導電膜、例えばTiN膜、反射防止膜(BARC膜)及びマスク層(フォトレジスト膜)が順に積層された半導体デバイス用のウエハが知られている(例えば、特許文献1参照)。フォトレジスト膜は、フォトリソグラフィにより所定のパターンに形成され、反射防止膜及び導電膜のエッチングの際に、マスク層として機能する。
近年、半導体デバイスの小型化が進む中、上述したようなウエハの表面における回路パターンをより微細に形成する必要性が生じてきている。このような微細な回路パターンを形成するためには、半導体デバイスの製造過程において、フォトレジスト膜におけるパターンの最小寸法を小さくして、小さい寸法の開口部(ビアホールやトレンチ)をエッチング対象膜に形成する必要がある。一方、フォトレジスト膜におけるパターンを小さくするために、例えば現像光による露光制御性を向上すべく透明性の高い材質を用いると、透明性の高い材質は硬度が低いためマスク層自体の強度が低下してパターン倒れの原因となり、十分なエッチング耐性が得られないという問題がある。例えば、パターンの線幅が10nm以下であってアスペクト比が大きい場合にこの傾向が強い。このように、フォトレジスト膜をはじめとするマスク層においては、パターンの微細化とエッチング耐性とはトレードオフ(二律背反)の関係にある。
ところで、半導体デバイスの製造過程において、マスク層の線状部分の線幅を微細化させるための従来技術が開示された公知文献として特許文献2が挙げられる。
特許文献2には、ウエハの下地層上に、電子線の照射によって凝縮する性質を示すレジスト材料を使用してレジスト膜を形成し、レジスト膜に露光処理を施して所定の線幅のレジストパターンを形成した後、電子線を照射してレジストパターンの線幅を縮小させるレジストパターンの形成方法が開示されている。
特開2006−190939号公報 特開2004−134553号公報
しかしながら、上記従来技術は、レジストパターンの線幅を微細化(以下、「トリミング」という。)できるものの、トリミングされたレジストパターンが補強されておらず、該レジストパターンが倒壊するという問題がある。従って、処理対象層に半導体デバイスの小型化要求を満たす小さい寸法の開口部を形成するのは困難である。
本発明の目的は、処理対象層に、半導体デバイスの小型化要求を満たす小さい寸法の開口部を形成することができる基板処理方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、請求項1記載の基板処理方法は、処理対象層と、有機膜を有する基板を処理する基板処理方法であって、前記有機膜表面に補強膜を形成しつつ該有機膜の開口パターンを形成する線状部分の線幅を微細化する成膜トリミングステップを有し、該成膜トリミングステップは、前記有機膜表面にSi含有ガスを吸着させる吸着ステップと、吸着したSi含有ガスをSi酸化膜に改質すると共に前記有機膜の前記線幅を微細化する酸化ステップを有することを特徴とする。
請求項記載の基板処理方法は、請求項記載の基板処理方法において、前記Si含有ガスとして、1価のアミノシランを用いることを特徴とする。
請求項記載の基板処理方法は、請求項又は記載の基板処理方法において、前記吸着ステップにおける処理圧力は、1.33×10−1Pa(1mTorr)〜1.33×10kPa(100Torr)であることを特徴とする。
請求項記載の基板処理方法は、請求項乃至のいずれか1項に記載の基板処理方法において、前記吸着ステップにおける処理温度は、20℃〜700℃であることを特徴とする。
請求項記載の基板処理方法は、請求項乃至いずれか1項に記載の基板処理方法において、前記酸化ステップにおいて、酸化ガスとして酸素含有ガスを用い、該酸素含有ガスをプラズマ励起した酸素ラジカルによって前記有機膜表面に吸着したSi含有ガスをSi酸化膜に改質すると共に前記有機膜の前記線幅を微細化することを特徴とする。
請求項記載の基板処理方法は、請求項乃至のいずれか1項に記載の基板処理方法において、前記酸化ステップにおける処理圧力は、1.33×10−1Pa(1mTorr)〜1.33×10kPa(100Torr)であることを特徴とする。
請求項記載の基板処理方法は、請求項乃至のいずれか1項に記載の基板処理方法において、前記酸化ステップにおける処理温度は、20℃〜700℃であることを特徴とする。
請求項8記載の基板処理方法は、請求項1乃至のいずれか1項に記載に基板処理方法において、前記有機膜における前記線状部分の線幅は、60nm以下であることを特徴とする。
請求項記載の基板処理方法は、請求項1乃至のいずれか1項に記載の基板処理方法において、前記成膜トリミングステップによって形成された前記補強膜の一部をエッチングして前記有機膜のトリミングされた前記線状部分を露出させる補強膜エッチングステップを有することを特徴とする。
請求項1記載の基板処理方法によれば、有機膜表面に補強膜を形成しつつ有機膜の線状部分の線幅を微細化するので、マスク層の開口パターンを形成する線状部分の線幅を補強しつつ微細化することができ、これにより、幅が微細化された開口パターンを有するマスク層を得ることができる。その結果、処理対象層に半導体デバイスの小型化要求を満たす
小さい寸法の開口部を形成することができる。また、有機膜表面にSi含有ガスを吸着させた後、吸着したSi含有ガスをSi(シリコン)酸化膜に改質すると共に有機膜の線状部分の線幅を微細化するので、有機膜の線状部分の線幅をトリミングしながらその強度を向上させることができる。
請求項記載の基板処理方法によれば、Si含有ガスとして、1価のアミノシランを用いるので、Si含有ガスが有機膜表面へ吸着し易くなって成膜トリミングステップにおける改質及び酸化のサイクルレートが向上する。
請求項記載の基板処理方法によれば、吸着ステップにおける処理圧力を、1.33×10−1Pa(1mTorr)〜1.33×10kPa(100Torr)としたので、有機膜表面へのSi含有ガスの吸着力が大きくなる。
請求項記載の基板処理方法によれば、吸着ステップにおける処理温度を、20℃〜700℃としたので、形成されるSi酸化膜の膜質や膜厚の均一性が向上する。
請求項記載の基板処理方法によれば、酸化ガスとして酸素含有ガスを用い、該酸素含有ガスをプラズマ励起した酸素ラジカルによって有機膜表面に吸着したSi含有ガスをSi酸化膜に改質すると共に有機膜の線状部分の線幅を微細化するようにしたので、改質及び線状部分のトリミングを促進することができる。
請求項記載の基板処理方法によれば、酸化ステップにおける処理圧力を、1.33×10−1Pa(1mTorr)〜1.33×10kPa(100Torr)としたので、酸素ラジカルが発生しやすくなり、しかも処理空間における酸素ラジカルの平均自由行程を大きくすることができ、もって、Si酸化膜への改質及び線状部分の微細化を促進できる。
請求項記載の基板処理方法によれば、酸化ステップにおける処理温度を、20℃〜700℃としたので、有機膜表面に吸着したSi含有ガスのSi酸化膜への改質及び線状部分のトリミングを良好に行うことができる。
請求項記載の基板処理方法によれば、有機膜における線状部分の線幅を、60nm以下としたので、有機膜の線状部分を補強膜で補強しつつ更にトリミングすることによって近年の半導体デバイスの小型化要請に応えることができる。
請求項記載の基板処理方法によれば、成膜トリミング処理によって形成された補強膜の一部をエッチングして有機膜のトリミングされた線状部分を露出させるようにしたので、有機膜の線状部分の両面がSi酸化膜で補強されたものとなり、その後、露出した有機膜の線状部分を除去してSi酸化膜をサイドウォールとして機能させる等、処理対象層の加工の自由度が向上する。
本発明の実施の形態に係る基板処理方法に適用される成膜トリミング装置の概略構成を示す縦断面図である。 本発明の実施の形態に係る基板処理方法における成膜トリミング処理を示すフローチャートである。 図2の成膜トリミング処理の具体例を示す工程図である。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳述する。
まず、本発明の実施の形態に係る基板処理方法に適用される基板処理装置について説明する。この基板処理装置は、MLD(Molecular Layer Deposition)処理を利用して、基板としての半導体ウエハW(以下、単に「ウエハW」という。)の有機膜表面に補強膜を形成しながら開口パターンを形成する線状部分の線幅をトリミングする装置(以下、「成膜トリミング装置」という。)であって、プラズマ発生時の出力を、例えば500W〜3000Wまで増大させることができるようにしたものである。
図1は、本発明の実施の形態に係る基板処理方法に適用される成膜トリミング装置の概略構成を示す縦断面図である。この成膜トリミング装置は、バッチ式の装置であるが、枚葉式の装置を適用することもできる。
図1において、成膜トリミング装置10は、有天井で略円筒状の反応管12を備えている。反応管12は、耐熱及び耐腐食性に優れた材料、例えば、石英によって形成されている。
反応管12の外表面の一部には、反応管12の内部ガスを排気するための排気部13が設けられている。排気部13は、反応管12に沿って上方向に延び、複数の開口を介して反応管12の内部と連通している。排気部13の上端は、反応管12の頂部に設けられた排気口14に連結されている。排気口14には図示省略した圧力調整機構が設けられており、この圧力調整機構によって反応管12の内部圧力が所定の圧力(真空度)に調整される。
反応管12の下方には、例えば石英からなる蓋体15が配置されており、蓋体15は、エレベータ機構により上下動可能に構成されている。すなわち、蓋体15が上昇すると反応管12の下方側(炉口部分)が閉鎖され、下降すると開口される。蓋体15上には、例えば石英からなるウエハボート16が載置されており、ウエハボート16は、被処理基板であるウエハWが垂直方向に所定の間隔をおいて複数枚収容されている。反応管12の周囲には、図示省略した電熱ヒータが配置されており、この電熱ヒータによって反応管12の内部温度が調整される。
反応管12には、酸化ガスを導入する酸化ガス供給管18と、酸化ガス以外の処理ガスを導入する処理ガス供給管(図示省略)とが設けられている。酸化ガス供給管18は、プラズマ発生部17を介して反応管12に連結されている。従って、酸化ガスは、酸化ガス供給管18を流通し、プラズマ発生部17に設けられた一対の電極19によってプラズマ励起されて活性酸素(以下、「酸素ラジカル」という。)になり、その後、反応管12に導入される。
図示省略した処理ガス供給管は、酸化ガス供給管18と平行に配置され、直接反応管12に接続されている。処理ガス供給管としては、例えば、分散インジェクタが用いられる。反応管12に供給される処理ガスとしては、ソースガス、酸化ガス、希釈ガス、パージガス等がある。酸化ガス以外のソースガス、希釈ガス、パージガスは、処理ガス供給管を経て反応管12に導入される。
ソースガスは、被処理基板である有機膜の表面にソースとしてSi(シリコン)を吸着させるガスであり、Si含有ガスとして1価のアミノシラン、例えばSiH(NHC(CH)、SiH(N(CH)等が好適に適用される。酸化ガスは、被処理基板に吸着されたソース(Si)を酸化するガスであり、酸素含有ガスが用いられる。酸素含有ガスとしては、例えば純水の酸素(O)ガスが用いられるが、Oガスを、例えばNガス等で適宜希釈したガスを用いることもできる。希釈ガスは、処理ガスを希釈するガスであり、例えば窒素(N)ガスである。また、パージガスとしては、例えば窒素(N)ガス等の不活性ガスが用いられる。酸化ガス以外のガスは、プラズマ励起(活性化)されない。酸化ガス供給管18及び処理ガス供給管には、垂直方向に所定間隔の供給孔が複数設けられており、供給孔から反応管12内に処理ガスが供給される。
成膜トリミング装置10は図示省略した制御部を有し、制御部は成膜トリミング装置10の各構成部材及び必要に応じて付設された各種センサ等を制御する。
以下に、成膜トリミング装置10において実行される本発明の実施の形態に係る基板処理方法としての成膜トリミング処理について詳細に説明する。
成膜トリミング処理は、MLD処理を利用してウエハWのフォトレジスト膜上に酸化膜からなる補強膜を形成しつつ、マスク層の開口パターンを形成する線状部分の線幅をトリミングするものである。成膜トリミング処理は、ウエハWのフォトレジスト膜に対して成膜トリミング処理を施す成膜トリミング処理用プログラムに応じて成膜トリミング装置の制御部が実行する。
図2は、本発明の実施の形態に係る基板処理方法における成膜トリミング処理を示すフローチャートである。
図2において、成膜トリミング処理を実行する際、まず、図1の成膜トリミング装置10の反応管12内に、図示省略した処理ガス供給管からNガスを直接導入して反応管12内をパージする(ステップS1)。次いで、複数枚のウエハWを収容したウエハボート16を蓋体15上に載置し、蓋体15を上昇させてウエハWを反応管12内に収容する(ステップS2)。
次に、反応管12内を、例えば400℃、6.65×10Pa(500mTorr)に調整し(ステップS3)、この状態で処理ガス供給管からSi含有ガスとして、例えば1価のアミノシランであるSiH(NHC(CH)ガスを導入してウエハWのフォトレジスト膜の表面に吸着させる(ステップS4)(吸着ステップ)。フォトレジスト膜表面にSi含有ガスを吸着させた後、処理ガス供給管からNガスを導入して反応管12内の余剰のSi含有ガス等をパージする(ステップS5)。
次いで、余剰のSi含有ガス等がパージされた反応管12内の温度を、例えば400℃に設定し、Nガスを供給する等して内部圧力を、例えば6.65×10Pa(500mTorr)に調整する(ステップS6)。その後、酸化ガス供給管18を介して、例えばOガスを供給し、プラズマ発生部17の電極19間に、例えば500W〜3000Wの高周波電力を印加して酸素をプラズマ励起して酸素ラジカルを発生させ、発生した酸素ラジカルを反応管12に供給してフォトレジスト膜に付着したSi含有ガスを酸化し、これによってSi含有ガスをSi酸化膜に改質してフォトレジスト膜を補強すると共に線状部分をトリミングする(ステップS7)(酸化ステップ)。
このとき、Si含有ガス中のC成分及びH成分は、例えばCO又はHOとして飛散し、Siは、例えばSiOとなる。また、マスク膜の開口パターンを形成する線状部分のC成分がCOとして飛散する。これにより、フォトレジスト膜の線状部分の表面をSi酸化膜に改質すると共に、当該線状部分をトリミングする。その後、酸素含有ガスの導入を停止し、処理ガス供給管からNガスを導入して反応管12内をパージして成膜トリミング処理の1サイクルを終了する。
次いで、成膜トリミング処理を再度繰り返すか否かの判定を行い(ステップS8)、成膜トリミング処理が完了するまで、ステップS1〜ステップS7を繰り返し、成膜トリミング処理が完了した時点で本処理を終了する。
図2の処理によれば、ウエハWのフォトレジスト膜表面にSi含有ガスを吸着させ(吸着ステップ)、吸着したSi含有ガスを、酸素をプラズマ励起した酸素ラジカルによって酸化させてSi酸化膜に改質する。また、改質の際、線状部分のC成分が飛散して線状部分がトリミングされる(酸化ステップ)。従って、処理開始時、例えば30nmであったフォトレジスト膜(マスク層)の開口パターンを形成する線状部分の線幅を、例えば7nm程度まで縮小することができる。また、このとき線状部分の両側をSi酸化膜によって補強することができるので、トリミングされた線状部分のパターン倒れを起こすこともない。
また、図2の処理によれば、Si酸化膜の形成と、フォトレジスト膜の線状部分のトリミングを同時に行うことができるので、フォトレジスト膜の線状部分をトリミングした後、線状部分を挟持するようにサイドウォールを形成する従来技術に比べて、処理工程数を減少させることができる。また、従来技術のように、フォトレジストの線状部分をトリミングした後、サイドウォールを形成するために、ウエハを別の基板処理装置に移動させる必要がないので、ディフェクト(欠陥)の発生頻度を低減することもできる。
本実施の形態において、成膜トリミング処理が施されるフォトレジスト膜は、開口パターンを形成する線状部分の線幅が、例えば60nm以下の有機膜である。線幅が100nmを超えると、トリミング量が大きすぎて実用的でなくなる。
図2の成膜トリミング処理は、吸着ステップによってフォトレジスト膜にSi含有ガスを吸着させた後、酸化ステップによってSi含有ガスをSi酸化膜に改質するものであるが、Si含有ガスをSi酸化膜に改質する際、Si酸化膜が次第に厚くなるに伴って開口パターンを形成する線状部分の線幅が次第にスリム化する。このような成膜トリミング処理は、吸着ステップにおいて、Si含有ガスがフォトレジスト膜表面に均一に吸着するので、これが酸化されたSi酸化膜は、均質且つ均等厚さの補強膜となる。
図2の処理において、ステップS1〜ステップS7までの処理サイクルは、通常、数十〜数百回繰り返される。成膜トリミング処理の終了時点は、例えば経験上、上記の処理サイクルを何回繰り返せば目的のマスク層が得られるかを参考にサイクル数を決定し、そのサイクル数が終了した時点で成膜トリミング処理が終了したものとみなすようにしてもよい。この場合、フォトレジスト膜の線状部分の線幅は、繰り返しのサイクル数、反応管内の温度、圧力、酸素ラジカル発生時の電力等によって変動する。
図2の処理において、吸着ステップにおける反応管の内部温度は、20℃〜700℃であることが好ましい。反応管の内部温度が20℃よりも低いと吸着ステップにおけるSi含有ガスのフォトレジスト膜への付着が不十分になる虞があり、700℃を越えると酸化ステップ後のSi酸化膜の膜質又は膜厚が不均一になる虞がある。吸着ステップにおける反応管の内部温度が、20℃〜700℃であれば、Si含有ガスのフォトレジスト膜への吸着状態が良好で、均質のSi酸化膜を均等厚で形成することができる。
図2の処理において、吸着ステップにおける反応管12の内部圧力は、1.33×10−1Pa(1mTorr)〜1.33×10kPa(100Torr)であることが好ましい。これによって、フォトレジスト膜へのSi含有ガスの吸着状態が良好となる。
図2の処理において、酸化ステップにおける酸素含有ガスの供給量は、適用される酸素含有ガス中の酸素濃度、プラズマ励起状態等によって異なるが、フォトレジスト膜に付着したSi含有ガスを十分にSi酸化膜に改質することができ、且つ線状部分の線幅を所定の値、例えば7nm程度までトリミングできる量であることが好ましい。
図2の処理において、酸化ステップにおけるプラズマ発生部17の高周波電源の出力は、例えば500W〜3000Wであることが好ましく、プラズマ発生部17の圧力は、例えば0.133Pa(1mTorr)〜1.33×10Pa(1000mTorr)であることが好ましい。これによって、プラズマが良好に発生し、且つ反応管12内に十分な酸素ラジカルを供給することができる。
図2の処理において、酸化ステップにおける反応管12の内部圧力は、1.33×10−1Pa(1mTorr)〜1.33×10kPa(100Torr)であることが好ましい。この範囲の圧力にすることにより、フォトレジスト膜表面に吸着したSi含有ガスを良好にSi酸化膜に改質すると共に、線状部分を良好にトリミングすることができる。
図2の処理において、酸化ステップにおける処理温度は、20℃〜700℃であることが好ましい。この温度範囲であれば、フォトレジスト膜表面に吸着したSi含有ガスを良好にSi酸化膜に改質することができ、また調整も容易である。
図2の処理において、Si含有ガスとして1価のアミノシランを適用したが、2価又は3価のアミノシランを適用することもできる。2価のアミノシランとしては、例えばBTBAS:SiH(NHC(CH、3価のアミノシランとしては、例えば3DMAS:SiH(N(CHが挙げられる。
図2の処理において、成膜トリミング処理後のウエハWに対し、例えば、補強膜としてのSi酸化膜の一部をエッチングしてトリミングされた線状部分を露出させる補強膜エッチングステップを有することが好ましい。補強膜エッチングステップを施した後、露出した線状部分をエッチングして消失させることによって、ダブルパターニングと同様の効果が得られる幅が微細化された開口パターンを有する、補強膜としてのSi酸化膜からなるマスク層を得ることができる。
図3は、図2の成膜トリミング処理の具体例を示す工程図である。図3(A)において、このウエハWは、シリコン基材50の表面に形成された処理対象層としてのポリシリコン膜51と、ポリシリコン膜51上に形成されたフォトレジスト膜(マスク層)53とを有する。フォトレジスト膜53には、所定の開口部54が設けられている。
そして、処理開始前、線状部分の線幅aが30nmであったフォトレジスト膜53に対して成膜トリミング処理を施すと、図3(B)に示したように、線状部分の線幅aが10nm以下までトリミングされると共に、フォトレジスト膜53の線状部分がSi酸化膜55によって補強される。その後、ウエハWをエッチング処理装置に移して、まず、CFガスを含む処理ガスのプラズマを用いてSi酸化膜55の一部を除去してフォトレジスト膜53を露出させ、さらに、Oガスを含む処理ガスのプラズマを用いて該露出したフォトレジスト膜53を除去する。これにより、図3(C)に示すように、2つのSi酸化膜55が対をなす、幅が微細化された開口パターンを有するマスク層を得ることができる(ダブルパターニング)。その後、該マスク層を用いてポリシリコン膜51をエッチングすることにより、該ポリシリコン膜51に半導体デバイスの小型化要求を満たす小さい寸法の開口部を形成することができる。
また、本実施の形態において、成膜トリミング処理後の線状部分の両側に形成された補強膜55を、近年の半導体製造技術であるサイドウォール方法におけるサイドウォールとして利用することもできる。このとき、サイドウォール相互間の間隔は、線状部分の線幅のトリミングの程度を制御することによって、換言すれば、成膜するSi酸化膜の膜厚を制御することによって調整することができる。
本実施の形態において、有機膜がフォトレジスト膜である場合について説明したが、成膜トリミング処理される有機膜は、フォトレジスト膜に限定されるものではなく、マスク層として機能する他の有機膜であってもよい。また、有機膜は、被処理基板の表層に限らず、中間層であってもよい。
上述した実施の形態において、プラズマ処理が施される基板は半導体デバイス用のウエハに限られず、LCD(Liquid Crystal Display)を含むFPD(Flat Panel Display)等に用いる各種基板や、フォトマスク、CD基板、プリント基板等であってもよい。
また、本発明の目的は、上述した実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記憶した記憶媒体を、システム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータ(またはCPUやMPU等)が記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出し実行することによっても達成される。
この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した実施の形態の機能を実現することになり、そのプログラムコード及び該プログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。
また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、フロッピー(登録商標)ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、CD−ROM、CD−R、CD−RW、DVD−ROM、DVD−RAM、DVD−RW、DVD+RW等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ROM等を用いることができる。または、プログラムコードをネットワークを介してダウンロードしてもよい。
また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、上述した各実施の形態の機能が実現されるだけではなく、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているOS(オペレーティングシステム)等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
さらに、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その拡張機能を拡張ボードや拡張ユニットに備わるCPU等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
10 基板処理装置(成膜トリミング装置)
12 反応管
17 プラズマ発生部
18 酸化ガス供給管
50 シリコン基材
51 アモルファスカーボン膜
53 フォトレジスト膜
54 開口部
55 Si酸化膜

Claims (9)

  1. 処理対象層と、有機膜とを有する基板を処理する基板処理方法であって、前記有機膜表面に補強膜を形成しつつ該有機膜の開口パターンを形成する線状部分の線幅を微細化する成膜トリミングステップを有し、
    該成膜トリミングステップは、前記有機膜表面にSi含有ガスを吸着させる吸着ステップと、吸着したSi含有ガスをSi酸化膜に改質すると共に前記有機膜の前記線幅を微細化する酸化ステップを有することを特徴とする基板処理方法。
  2. 前記Si含有ガスとして、1価のアミノシランを用いることを特徴とする請求項記載の基板処理方法。
  3. 前記吸着ステップにおける処理圧力は、1.33×10−1Pa(1mTorr)〜1.33×10kPa(100Torr)であることを特徴とする請求項又は記載の基板処理方法。
  4. 前記吸着ステップにおける処理温度は、20℃〜700℃であることを特徴とする請求項乃至のいずれか1項に記載の基板処理方法。
  5. 前記酸化ステップにおいて、酸化ガスとして酸素含有ガスを用い、該酸素含有ガスをプラズマ励起した酸素ラジカルによって前記有機膜表面に吸着したSi含有ガスをSi酸化膜に改質すると共に前記有機膜の前記線幅を微細化することを特徴とする請求項乃至のいずれか1項に記載の基板処理方法。
  6. 前記酸化ステップにおける処理圧力は、1.33×10−1Pa(1mTorr)〜1.33×10kPa(100Torr)であることを特徴とする請求項乃至のいずれか1項に記載の基板処理方法。
  7. 前記酸化ステップにおける処理温度は、20℃〜700℃であることを特徴とする請求項乃至のいずれか1項に記載の基板処理方法。
  8. 前記有機膜における前記線状部分の線幅は、60nm以下であることを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載に基板処理方法。
  9. 前記成膜トリミングステップによって形成された前記補強膜の一部をエッチングして前記有機膜のトリミングされた前記線状部分を露出させる補強膜エッチングステップを有することを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載の基板処理方法。
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