JP5089262B2 - 非晶質カーボン層を利用したシリンダー型キャパシターの製造方法 - Google Patents
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Description
22 絶縁膜(ストレージノード用絶縁膜)
23 ストレージノードコンタクトプラグ(ストレージノード用コンタクトプラグ)
24 バリアメタル
25 エッチング停止膜層
26 キャパシターモールド層(酸化膜)
27、27A 中間層(非晶質カーボン)
28 バッファ層(酸化膜)
29 ハードマスク層(非晶質カーボン)
31 オープン領域
32 ストレージノード導電膜層
32A ストレージノード
33、33C、33D 犠牲層(酸化膜)
Claims (36)
- コンタクトプラグが形成された半導体基板上に、中間層が挿入された積層構造の分離構造を形成する第1ステップと、
前記分離構造をエッチングして前記コンタクトプラグの一部分を開放させるオープン領域を形成する第2ステップと、
前記オープン領域上にストレージノードを形成する第3ステップと、
前記分離構造の一部分をエッチングして前記ストレージノードの一部分を囲むパターニングされた前記中間層を形成し、前記ストレージノードを支持する第4ステップと、
パターニングされた前記中間層を除いた前記分離構造の残留部分を除去する第5ステップと、
パターニングされた前記中間層を除去して前記ストレージノードの内壁及び外壁を全て露出する第6ステップと
を含むことを特徴とするシリンダー型キャパシターの製造方法。 - 前記オープン領域を形成する前記第2ステップにおいて、
前記オープン領域が、マスクを利用して形成され、
一方向に隣接する前記オープン領域の間隔よりも、前記一方向と異なる別の方向に隣接する前記オープン領域の間隔が広いことを特徴とする請求項1に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。 - 前記中間層が、第1非晶質カーボン層からなり、
前記オープン領域を形成する前記第2ステップが、
第1絶縁膜層、前記第1非晶質カーボン層、第2絶縁膜層及び第2非晶質カーボン層を半導体基板に積層する第7ステップと、
前記第2非晶質カーボン層上にマスクを形成する第8ステップと、
前記マスクをエッチングバリアとして用いて前記第2非晶質カーボン層をエッチングしてハードマスクを形成する第9ステップと、
前記ハードマスクを用いて前記第2絶縁膜層、前記第1非晶質カーボン層及び前記第1絶縁膜層をエッチングする第10ステップと
を含むことを特徴とする請求項2に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。 - 前記第1絶縁膜層及び前記第2絶縁膜層が、酸化膜で形成されることを特徴とする請求項3に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。
- 前記第1絶縁膜層を形成する前に前記半導体基板上にエッチング停止膜層をさらに形成し、
前記ハードマスクを用いて前記第2絶縁膜層、前記第1非晶質カーボン層及び前記第1絶縁膜層をエッチングした後、前記エッチング停止膜層をエッチングして前記オープン領域を形成することを特徴とする請求項3に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。 - 前記エッチング停止膜層が、窒化膜で形成されることを特徴とする請求項5に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。
- 前記第1非晶質カーボン層が、PECVD方式を利用して300℃〜500℃の範囲の温度で500Å〜2000Åの範囲の厚さに形成されることを特徴とする請求項3に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。
- 前記第2非晶質カーボン層が、PECVD方式を利用して300℃〜500℃の範囲の温度で2000Å〜5000Åの範囲の厚さに形成されることを特徴とする請求項3に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。
- 前記第2非晶質カーボン層を形成した後、且つ、前記マスクを形成する前に、追加ハードマスクを形成することを特徴とする請求項3に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。
- 前記追加ハードマスクが、SiONまたは低温非ドープの酸化膜で500Å〜1500Åの範囲の厚さに形成されることを特徴とする請求項9に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。
- 前記分離構造において、
前記第1絶縁膜層が、PE−TEOS、PSG及びBPSGからなる群の中から選択されるいずれか1つで5000Å〜15000Åの範囲の厚さに形成され、
前記第2絶縁膜層が、PE−TEOS、PSG及びBPSGからなる群の中から選択されるいずれか1つで2000Å〜5000Åの範囲の厚さに形成されることを特徴とする請求項3に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。 - パターニングされた前記中間層を形成する前記第4ステップが、
前記ストレージノードの形成後に前記分離構造の前記第2非晶質カーボン層を除去する第11ステップと、
前記第2非晶質カーボン層の除去後、上部が露出されたストレージノードを含む全面に犠牲層を形成する第12ステップと、
前記犠牲層を選択的にエッチングする第13ステップと、
前記犠牲層をエッチングバリアとして用いて前記分離構造のうち前記第1非晶質カーボン層の上の部分をエッチングし、繋がったリング状の、前記ストレージノードの中間外壁を囲むパターニングされた前記中間層を形成する第14ステップと
を含み、
リング状のパターニングされた前記中間層の形成後、残留する犠牲層が、パターニングされた前記中間層を除く前記分離層構造を除去するときに、同時に除去されることを特徴とする請求項3〜11のいずれか1項に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。 - 前記第2非晶質カーボン層を除去する前記第11ステップが、
酸素雰囲気のプラズマによって行われることを特徴とする請求項12に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。 - 前記犠牲層を形成する前記第12ステップが、
前記ストレージノードの間隔が所定の間隔である部分では、隣接するストレージノードの間を埋め込み、前記ストレージノードの間隔が前記所定の間隔よりも広い部分では、隣接するストレージノードの間を埋め込まない厚さに形成されることを特徴とする請求項12に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。 - 前記犠牲層が、
ALD法を利用してSiO2で形成されることを特徴とする請求項14に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。 - 前記犠牲層のALD法による形成の際、
原料ソースとしてHCD(Hexachloride Disilane)を用い、
触媒物質としてピリジンを用い、
反応ガスとしてH2O蒸気を用いることを特徴とする請求項15に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。 - 前記犠牲層のALD法による形成が、100℃〜150℃の範囲の温度で行われることを特徴とする請求項16に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。
- 前記犠牲層を選択的にエッチングする前記第13ステップ、及び前記犠牲層をエッチングバリアとして用いて前記分離構造のうち第1非晶質カーボン層の上の部分をエッチングする前記第14ステップが、
乾式エッチバックで行われることを特徴とする請求項12に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。 - 前記ストレージノードを形成する前記第3ステップが、
前記オープン領域の表面及び前記分離構造の上部の表面に沿ってストレージノード導電膜層を形成する第15ステップと、
前記分離構造の上部の表面に形成された前記導電膜層を選択的に除去する第16ステップと
を含むことを特徴とする請求項1に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。 - 前記ストレージノード導電膜層が、TiNまたはRuで形成されることを特徴とする請求項19に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。
- 前記導電層を除去する前記第16ステップが、バリアのない乾式エッチバックで行われることを特徴とする請求項19に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。
- 前記導電層を除去する前記第16ステップが、感光膜バリアまたは酸化膜バリアを利用したCMPまたは乾式エッチバックで行われることを特徴とする請求項19に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。
- 前記中間層が、非晶質カーボン層であり、
前記分離構造が、前記中間層を除いた残りの部分が全て酸化膜であり、
パターニングされた前記中間層を除いた前記分離構造の残留部分を除去する前記第5ステップが、ウェットディップアウトを用いて行われることを特徴とする請求項1に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。 - 前記ウェットディップアウトが、BOE溶液またはHF溶液を用いて酸化膜ウェットディップアウトとして行われることを特徴とする請求項23に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。
- パターニングされた前記中間層を除去して前記ストレージノードの内壁及び外壁を全て露出する前記第6ステップが、
酸素雰囲気のプラズマを用いて行われることを特徴とする請求項1に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。 - コンタクトプラグが形成された半導体基板上に、支持層として中間層を含む分離構造を形成する第1ステップと、
前記分離構造をエッチングして前記コンタクトプラグ上を開放させるオープン領域を形成する第2ステップと、
前記オープン領域の内部にシリンダー型のストレージノードを形成する第3ステップと、
前記分離構造の一部を除去して前記ストレージノードの一部分を露出させる第4ステップと、
残留する分離構造のうち前記支持層の上の部分をエッチングして、前記ストレージノードの外壁を囲み、かつ、隣接するストレージノードの間には互いが繋がるリング状のパターニングされた支持層を形成する第5ステップと、
リング状のパターニングされた前記支持層を除いた分離構造を除去するウェットディップアウトを実施する第6ステップと、
リング状のパターニングされた前記支持層を除去して前記ストレージノードの内壁及び外壁を全て露出する第7ステップと
を含むことを特徴とするシリンダー型キャパシターの製造方法。 - 前記支持層が、第1非晶質カーボン層を含み、
前記分離構造が、第1酸化膜、前記第1非晶質カーボン層、第2酸化膜及び第2非晶質カーボン層を積層して形成され、
前記分離構造の一部を除去して前記ストレージノードの上部を露出させる前記第4ステップにおいて、前記第2非晶質カーボン層が除去されることを特徴とする請求項26に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。 - 前記第1非晶質カーボン層及び前記2非晶質カーボン層が、PECVD法を利用して300℃〜500℃の範囲の温度で形成されることを特徴とする請求項27に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。
- 前記第1酸化膜及び前記第2酸化膜が、PE−TEOS、PSG及びBPSGからなる群の中から選択されるいずれか1つで形成されることを特徴とする請求項27に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。
- 前記第4ステップにおいて、前記第2非晶質カーボン層の除去が、
酸素雰囲気のプラズマによって行われることを特徴とする請求項27に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。 - 前記第2非晶質カーボン層の除去後、
上部が露出した前記ストレージノードを含む全面に犠牲層を形成する第8ステップと、
前記犠牲層を選択的に乾式エッチバックしてスペーサとして残留させる第9ステップと、
スペーサとして残留する前記犠牲層をエッチングバリアとして用いて、前記分離構造のうち前記第1非晶質カーボン層の上の部分をエッチングし、前記第1非晶質カーボン層からなるリング状のパターニングされた前記支持層を形成する第10ステップと
をさらに含み、
リング状のパターニングされた前記支持層の形成後に残留する前記犠牲層が、前記分離構造のウェットディップアウトの際に同時に除去されることを特徴とする請求項30に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。 - 前記犠牲層を形成する前記第8ステップが、
前記ストレージノードの間隔が所定の間隔である部分では、隣接するストレージノードの間を埋め込み、前記ストレージノードの間隔が前記所定の間隔よりも広い部分では隣接するストレージノードの間を埋め込まない厚さに形成されることを特徴とする請求項31に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。 - 前記第8ステップにおいて、前記犠牲層が、ALD法を利用してSiO2で形成されることを特徴とする請求項32に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。
- 前記第8ステップにおいて、前記犠牲層のALD法による形成の際、
原料ソースとしてHCDを用い、触媒物質としてピリジンを用い、反応ガスとしてH2O蒸気を用いることを特徴とする請求項33に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。 - 前記第8ステップにおいて、前記犠牲層のALD法による形成が、100℃〜150℃の範囲の温度で行われることを特徴とする請求項34に記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。
- リング状のパターニングされた前記支持層を形成する前記第5ステップにおいて、
前記支持層のエッチングが、乾式エッチバックを利用して行われることを特徴とする請求項26〜35のいずれかに記載のシリンダー型キャパシターの製造方法。
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