JP5060951B2 - プラズマ発生システム - Google Patents

プラズマ発生システム Download PDF

Info

Publication number
JP5060951B2
JP5060951B2 JP2007520452A JP2007520452A JP5060951B2 JP 5060951 B2 JP5060951 B2 JP 5060951B2 JP 2007520452 A JP2007520452 A JP 2007520452A JP 2007520452 A JP2007520452 A JP 2007520452A JP 5060951 B2 JP5060951 B2 JP 5060951B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rod
gas flow
shaped conductor
microwave
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007520452A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008506235A (ja
Inventor
サン ハン リー
ジェイ ジョンソ キム
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SAIAN CORP
Original Assignee
SAIAN CORP
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SAIAN CORP filed Critical SAIAN CORP
Publication of JP2008506235A publication Critical patent/JP2008506235A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5060951B2 publication Critical patent/JP5060951B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/461Microwave discharges
    • H05H1/4622Microwave discharges using waveguides
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/461Microwave discharges
    • H05H1/463Microwave discharges using antennas or applicators

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description

本発明は、プラズマ発生器に関し、より詳細には、マイクロ波を使って発生させることのできるプラズマプルームを放出するノズルを持つ装置に関する。
近年、プラズマ生成の進歩が盛んになりつつある。典型的には、プラズマは正帯電イオン、中性物質および電子からなる。一般に、プラズマは熱平衡および熱非平衡プラズマの2つの分類に細分化される。熱平衡とは、正電荷イオン、中性物質、および電子を含むあらゆる物質の温度が同じであることを意味する。
プラズマはまた局所的熱平衡(LTE)および非LTEプラズマにも分類でき、この場合、このような細分化は典型的にはプラズマの圧力に関連している。「局所的熱平衡(LTE)」という用語はすべてのプラズマ物質の温度がプラズマの局所化領域において同じである熱動的状態を意味する。
高プラズマ圧力はプラズマにおいて単位時間間隔当たりで多数の衝突をもたらし、これによりプラズマを含む物質間に十分なエネルギー交換を生み、そしてこれによりプラズマ物質の温度が等しくなる。一方、プラズマ圧力が低いとプラズマの物質同士の衝突が不十分となることによりプラズマ物質の温度が安定しなくなる場合がある。
非LTEまたは単なる非熱プラズマでは、イオンおよび中性物質の温度は通常100℃未満であるが、電子の温度は摂氏数万℃までにもなり得る。従って、非LTEプラズマは大量のエネルギーを消費することなくパワフルな用途および繊細な用途にも使える高反応性ツールとして機能できる。この「高温冷却性」によりさまざまな用途についてさまざまな処理可能性および商業上の好機が得られる。パワフルな用途としては金属蒸着システムおよびプラズマカッタが挙げられ、繊細な用途としてはプラズマ表面洗浄システムおよびプラズマディスプレイ装置が挙げられる。
このような用途の1つとしてプラズマ殺菌が挙げられる。プラズマ殺菌は、プラズマを使って抵抗力の高い内生胞子をはじめとする細菌生物を死滅させる。殺菌は末端用途の医療および歯科装置、材料、および繊維の安全性を確実にするための重要な工程である。病院および産業で使用されている既存の殺菌方法はオートクレーブ、酸化エチレンガス(EtO)、乾燥加熱、およびガンマ光線または電子光線の照射が挙げられる。これらの技術は対処し克服しなければならない多数の問題点を抱えている。かかる問題としては、熱感応性および熱による破壊、有害副産物の形成、作業が高費用である、および全体のサイクル継続時間が不十分であるといった点が挙げられる。その結果、健康管理事務所および産業は長い間、さまざまな熱感応性電子構成部材および設備をはじめとする広範囲の医療材料の構造を破壊することなく、大幅に短時間で、室温付近で機能できる殺菌技術を必要としていた。
従来の殺菌法を使ってこれらの変更を行い新規の医療材料および装置とすることは非常に困難であった。1つのアプローチでは、過酸化水素から発生された低圧プラズマ(または等価的に大気圧未満のプラズマ)を使っていた。しかしながら、このプロセスは複雑でありまたバッチプロセス単位の作業費用が高いため、病院ではこの技術の使用は非常に特定の用途に限られていた。また、低圧プラズマシステムは、解毒および部分的な殺菌のほとんどを引き起こすラジカルを持つプラズマを発生するが、これはプロセスの作業効率に悪影響を与える。
プラスチック表面の予備処理のような表面処理のための大気圧プラズマを発生させることも可能である。大気圧プラズマを発生させる方法の1つが特許文献1(Fornselら)によって教示されている。特許文献1の図1には、高周波数発生器でピン状電極18と管状導電筐体10との間に高電圧を印加するようにしたプラズマノズルが開示されている。その結果、ピン状電極18と管状導電筐体10との間で、加熱メカニズムとしての放電が生成される。
大気圧プラズマを発生させる他の方法が、特許文献2(Yamamotoら)に記載されている。Yamamotoらは高周波放電プラズマ発生器を開示しており、高周波電力が適切な放電ガスの流れに供給されてこのガスの流れの中に高周波放電を生じさせるというものである。これにより非常に高温のイオン化ガスのプラズマ炎が生み出される。Yamamotoらは引き込み式なコンダクタロッド30および公報の図3に示す関連する構成部材を使用して、複雑なメカニズムを使ってプラズマを開始している。Yamamotoらはまた同軸状の導波管3も備えており、これはコンダクタであり周波数電力搬送経路を形成するものである。
米国特許第6,677,550号公報 米国特許第3,353,060号公報
特許文献1の手法、ならびに高電圧交流またはパルス化直流を使ってノズルに内にアークを誘導しおよび/または電気放出を使ってプラズマを形成する他の既存のシステムは、さまざまな効率上の欠点を抱えている。これは、初期のプラズマがノズル内で発生されて狭いスリットによって案内されるためである。このアレンジメントにより活性ラジカルのいくらかがノズル内で失われてしまう。他にもこのノズル設計は電力消費が大きくプラズマ温度が高くなるという点でも問題を抱えている。
また、特許文献2の構成の問題としては、プラズマのイオンおよび中性物質の温度が5,000℃から10,000の範囲であることが挙げられる。このような温度は殺菌の対象となる製品を簡単に破壊してしまうため殺菌には有用でない。
プラズマを発生させる従来の方法の1つとしてマイクロ波の使用がある。しかしながら、既存のマイクロ波技術は次の1つ以上の欠点のために適切なプラズマは発生せず、または殺菌には極端に不十分なプラズマをせいぜい発生するにすぎない。欠点とはすなわち、プラズマ温度が高いこと、プラズマのエネルギーフィールドが低いこと、作業費用が高いこと、殺菌に非常に長い作業処理時間がかかること、装置の初期費用が高いこと、または真空システムを使った低圧を使うこと(典型的には大気圧未満)である。従って、1)現在利用できる殺菌システムよりも安価であり、2)比較的低温のプラズマを発生するノズルを使用し、および3)大気圧で作動するため真空設備が必要でない殺菌システムが必要とされている。
本発明は、大気圧を使って比較的低温のマイクロ波を発生するためのさまざまなシステムおよび方法を提供するものである。これらのシステムは単位当たりの費用が安価であり、より安価な作業費用、より小さい電力消費、短時間の殺菌の作業処理時間で大気圧にて作動する。比較的低温のマイクロ波プラズマは、既存のプラズマ発生システムとは異なり、大気圧で作動し作業効率のより改善されたノズルによって生成される。
真空チャンバにともなう低圧プラズマとは対照的に、大気圧プラズマは数多くの独特の利点をユーザーに提供する。大気圧プラズマシステムはコンパクトなパッケージングを使用するためシステムを簡単に構成でき、その結果、高価な真空チャンバおよびポンプシステムが必要でなくなる。また、大気圧プラズマシステムはさらに別に設備を要することなくさまざまな環境に設置でき、それらの作業費用およびメンテナンス要件は最小限である。実際、大気圧プラズマ殺菌システムの主な特徴は、より早い作業処理サイクルで使いやすいやり方で感熱性対象物を殺菌できる能力である。大気圧プラズマ殺菌は、酸素原子および水素ラジカルを含む反応性中性物質、およびプラズマ発生紫外線の直接的な効果を実現し、これらはすべて細菌細胞膜を攻撃し破壊する。従って、出願人は有効かつ安価な殺菌装置として大気圧プラズマを発生できる装置の必要性を認識した。
本発明の1つの側面によると、マイクロ波とガスとを用いてプラズマを発生させるためのマイクロ波プラズマノズルが開示されている。このマイクロ波プラズマノズルは、その中にガスが流されるガスフロー管を備えており、このガスフロー管は実質的にマイクロ波を透過させる材料からなる出口部を持っている。この出口部は、エッジを備えるセクション、およびこのエッジの近位にあるガスフロー管の部分と呼ばれる。ノズルはまた、ガスフロー管内に配置されたロッド状コンダクタも備えている。ロッド状コンダクタはガスフロー管の出口部の近傍に配置された先端部を備える。また、ロッド状コンダクタとガスフロー管との間に配置されたうず巻状ガイドを備えることも可能である。このうず巻状ガイドは、ロッド状コンダクタの長軸に対して角度が付けられた少なくとも1つの流路を持っており、この流路に沿って通過するガスにロッド状コンダクタの周りで螺旋状の流動方向を付与する。うず巻状ガイド内部に(単一または複数の)流路を提供することが可能であり、および/または(単一または複数の)流路はうず巻状ガイドの外側表面に配置されたチャネルでうず巻状ガイドとガスフロー管との間にあってもよい。
本発明の他の側面によると、マイクロ波およびガスからプラズマを発生するためのマイクロ波プラズマノズルは、中にガス流体を通すためのガスフロー管、このガスフロー管内に配置されたロッド状コンダクタ、およびロッド状コンダクタとガスフロー管との間に配置されたうず巻状ガイドを備えている。ロッド状コンダクタはガスフロー管の出口部の近位に配置された先端部を持っている。うず巻状ガイドは、ロッド状コンダクタの長軸に対して角度の付けられた少なくとも1つの流路を持っており、この流路に沿って通過するガスにロッド状コンダクタの周りでつるまき状の流動方向を付与する。
本発明のさらに他の側面によると、マイクロ波とガスとを用いてプラズマを発生させるためのマイクロ波プラズマノズルは、ガスが流されるガスフロー管、ガスフロー管内に配置されたロッド状コンダクタ、ガスフロー管を通る際のマイクロ波パワー損失を緩和するための接地遮蔽、およびロッド状コンダクタと接地遮蔽との間に配置されて接地遮蔽に対してロッド状コンダクタを固定して保持するための位置ホルダを備えている。ロッド状コンダクタはガスフロー管の出口部の近傍に配置された先端部を持っている。接地遮蔽はガス流体を受け取るための穴を持っており、この穴はガスフロー管の外部表面に取り付けられている。
本発明のさらに他の側面によると、プラズマを発生するための装置が提供される。この装置は、ガス流路の一部を形成している壁を持つマイクロ波キャビティ、およびガスが流されるガスフロー管を備えており、このガスフロー管はマイクロ波キャビティに接続されている入口部を持ち、ガスフロー管は誘電材料からなる出口部を持っている。ノズルもまた、ガスフロー管内に配置されたロッド状コンダクタを備えている。ロッド状コンダクタはガスフロー管の出口部の近傍に配置された先端部を持っている。ロッド状コンダクタの一部はマイクロ波キャビティ内に配置されており、そこを通過するマイクロ波を受信することができる。マイクロ波プラズマノズルはまた、ガスフロー管を通る際のマイクロ波パワー損失を緩和するための手段も備えることができる。マイクロ波パワー損失を緩和するための手段はガスフロー管の一部に隣接して配置された遮蔽を備えることができる。この遮蔽はガスフロー管の外部および/または内部に提供できる。ノズルにはまたガスフロー管の一部に隣接して配置される接地遮蔽も提供できる。ガスフロー管を通る際のマイクロ波損失を緩和するための遮蔽メカニズムもまた提供できる。遮蔽メカニズムはガスフロー管内に配置される内側遮蔽管、またはガスフロー管を覆う接地遮蔽であってよい。
本発明の他の側面によると、プラズマ発生システムは、マイクロ波キャビティ、およびマイクロ波キャビティに機能的に接続されたノズルを備えている。ノズルは誘電材料からなる出口部を持つガスフロー管、ガスフロー管内に配置されたロッド状コンダクタ、マイクロ波キャビティに接続されガスフロー管の外部表面に配置された接地遮蔽、およびロッド状コンダクタと接地遮蔽との間に配置され接地遮蔽に対してロッド状コンダクタを固定して保持するための位置ホルダを備えている。ロッド状コンダクタは、ガスフロー管の出口部の近位に配置された先端部、およびマイクロ波キャビティ内に配置されてマイクロ波を収集する部分を持っている。接地遮蔽はガスフロー管を通る際のマイクロ波パワー損失を緩和し、ガス流体を受け取るための穴を持っている。
本発明の他の側面によると、プラズマ発生システムが開示されている。プラズマ発生システムは、マイクロ波を発生するためのマイクロ波発生器、マイクロ波発生器に接続されこれに電力を提供するための電源、ガス流路の一部を形成している壁を持つマイクロ波キャビティ、マイクロ波キャビティに動作可能に接続されこれにマイクロ波を搬送するための導波管、マイクロ波キャビティから反射されたマイクロ波を放散させるためのアイソレータ、ガスが流されるガスフロー管であって、誘電材料からなる出口部と、マイクロ波キャビティに接続された入口部とを持つガスフロー管、およびガスフロー管内に配置されたロッド状コンダクタを備えている。ロッド状コンダクタはガスフロー管の出口部の近傍に配置された先端部を持っている。ロッド状コンダクタの一部はマイクロ波キャビティ内に配置され、マイクロ波を受け取るかまたは収集する。うず巻状ガイドもまたロッド状コンダクタとガスフロー管との間に配置させることができる。うず巻状ガイドはロッド状コンダクタの長軸に対して角度の付けられた少なくとも1つの流路を持ち、この流路に沿って通過するガスにロッド状コンダクタの周りで螺旋状の流動方向を付与する。
本発明の他の側面によると、プラズマ発生システムが開示されている。プラズマ発生システムは、マイクロ波を発生するためのマイクロ波発生器、マイクロ波発生器に接続されこれに電力を提供するための電源、マイクロ波キャビティ、マイクロ波キャビティに動作可能に接続されマイクロ波をマイクロ波キャビティに搬送する導波管、ガスが流されるガスフロー管であって、このガスフロー管は誘電材料からなる出口部を持ち、ガスフロー管に配置されたロッド状コンダクタ、マイクロ波キャビティに接続されガスフロー管を通る際のマイクロ波パワー損失を緩和するよう構成された接地遮蔽、およびロッド状コンダクタと接地遮蔽との間に配置され接地遮蔽に対してロッド状コンダクタを固定して保持するための位置ホルダを備えている。ロッド状コンダクタはガスフロー管の出口部の近位に配置された先端部を持っている。ロッド状コンダクタの一部はマイクロ波キャビティ内に配置されマイクロ波を受け取るか収集する。接地遮蔽はガス流体を受け取るための穴を持ち、ガスフロー管の外部表面に配置されている。
本発明のさらに他の側面によると、マイクロ波を使ってプラズマを発生するための方法が提供される。この方法は、マイクロ波キャビティを準備する工程、ガスフロー管の軸方向に配置されるガスフロー管およびロッド状コンダクタを準備する工程、ロッド状コンダクタの第1の部分をガスフロー管の出口部の隣に位置させロッド状コンダクタの第2の部分をマイクロ波キャビティ内に配置する工程、ガスをガスフロー管に供給する工程、マイクロ波をマイクロ波キャビティに伝搬する工程、伝搬されたマイクロ波を少なくともロッド状コンダクタの第2の部分を使って受信する工程、およびガスをガスフロー管に供給する工程で提供されたガスと、受信する工程で受信されたマイクロ波を使うことでプラズマを発生させる工程を具備している。
本発明のこれらおよび他の利点および特徴は、以下により完全に説明される本発明の詳細を読むことで当業者にとってより明らかとなるであろう。
図1は、本発明の1つの実施態様に係る、マイクロ波キャビティおよびノズルを持つ、マイクロ波プラズマを発生させるためのシステムの概略図である。図示するように、参照符号10で示されるシステムは、マイクロ波キャビティ24;マイクロ波をマイクロ波キャビティ24に供給するためのマイクロ波供給ユニット11;マイクロ波をマイクロ波供給ユニット11からマイクロ波キャビティ24へと伝搬するための導波管13;およびマイクロ波キャビティ24に接続されマイクロ波キャビティ24からマイクロ波を受信しガスタンク30から受容されるガスおよび/ガス混合物を使って大気プラズマを発生するためのノズル26を備えている。市販のスライディングショート32をマイクロ波キャビティ24に取り付けて、マイクロ波位相を調整することにより、マイクロ波キャビティ24内におけるマイクロ波エネルギー分布を制御することができる。
マイクロ波供給ユニット11は、マイクロ波をマイクロ波キャビティ24に供給するものであり、マイクロ波を発生するためのマイクロ波発生器12;マイクロ波発生器12に電力を供給するための電源14;および、マイクロ波発生器12に向かって伝搬する反射マイクロ波を放散させるためのダミーロード16と反射マイクロ波をダミーロード16へと向かわせるためのサーキュレータ18とを持つアイソレータ15を備える。
他の実施態様では、マイクロ波供給ユニット11は、マイクロ波のフラックスを測定するための結合器20;およびマイクロ波キャビティ24から反射されたマイクロ波を緩和するためのチューナ22をさらに備えることができる。図1に示すマイクロ波供給ユニット11の構成部材は公知であり本願では説明の目的でのみ挙げるにすぎない。また、マイクロ波供給ユニット11を、マイクロ波をマイクロ波キャビティ24に供給する能力を持つシステムと本発明から逸脱することなく取り替えることも可能である。同様に、スライディングショート32を、マイクロ波供給ユニット11内に構成できる位相シフタと取り替えてもよい。典型的には、位相シフタはアイソレータ15と結合器20との間に搭載される。
図2は、図1の線A−Aに沿ったマイクロ波キャビティ24およびノズル26の部分断面図である。図示されるように、マイクロ波キャビティ24は、ガスタンク30からのガスを通すためのガスチャネル42を形成している壁41;およびマイクロ波発生器12から搬送されるマイクロ波を含むためのキャビティ43を備えている。ノズル26は、ガスチャネル42を形成しているキャビティまたは構造体で封止されてそこからガスを受け取るためのガスフロー管40、マイクロ波キャビティ24内に設けられてマイクロ波キャビティ24内でマイクロ波キャビティ24からマイクロ波を受け取るためのロッド状コンダクタ34;およびロッド状コンダクタ34とガスフロー管40との間に設けられたうず巻状ガイド36を備えている。うず巻状ガイド36はそれぞれの素子を所定の位置に固定して保持するように設計できる。
ガスフロー管40の出口部の少なくともいくつかの部分は導電材料から作成できる。ガスフロー管の外側部分の一部として使用される導電材料は遮蔽として作用し、プラズマ効率を改善する。導電材料を使う出口部の一部は、例えば、ガスフロー管の出口エッジに配置できる。
図3は、図2に示すノズル26の分解斜視図である。図3に示すように、ロッド状コンダクタ34およびガスフロー管40はそれぞれ、うず巻状ガイド36の内側および外側周辺に係合できる。ロッド状コンダクタ34はマイクロ波キャビティ24からマイクロ波を受信するためのアンテナとして機能し、受信されたマイクロ波を先細り先端部33に集中させてガスフロー管40を通って流れるガスを使ってプラズマ28を発生させる。ロッド状コンダクタ34はマイクロ波を伝導できる材料であればどのような材料からでも作成してよい。ロッド状コンダクタ34は銅、アルミニウム、白金、金、銀、および他の導電材料から作成できる。ロッド状コンダクタという用語は、円形断面、卵形断面、楕円形断面、または長楕円形断面のようなさまざまな断面、またはそれらのどのような組み合わせも持つコンダクタを網羅することを意図している。ロッド状コンダクタの断面はその2つの部分があいまって鋭角(または鋭利な先端)を形成しマイクロ波がこの領域に集中して装置の効率を低下させるような断面を持たないことが好ましい。
ガスフロー管40はノズル26全体を機械的に支持しており、エネルギー損失の非常に低い状態でマイクロ波が通過できる材料であればどのような材料からでも作成してよい。かかる材料は好ましくは石英または他の従来の誘電材料であり得るが、これらに制限されることはない。
うず巻状ガイド36は少なくとも1つの流路またはチャネル38を持っている。単一の流路38(または複数の流路)は図2に示すように管を通って流動するガスにロッド状コンダクタ34の回りで螺旋状の流動方向を付与する。螺旋状ガス流路37はプラズマ28の長さを長くし安定性を高くできる。螺旋状ガス流路37はまた、螺旋状ガス流路37がなければプラズマを生み出すのに必要とされるであろう長さよりもコンダクタの長さを短くできる。好ましくは、うず巻状ガイド36はセラミック材料から作成される。うず巻状ガイド36は高温にさらされても耐えることのできる非導電材料であればどのような材料からでも作成できる。例えば、やはりマイクロ波透過材料である高温プラスチックがうず巻状ガイド36に使われる。
図3では、それぞれの貫通穴または流路38はロッド状コンダクタの長軸に対して角度をつけた状態で概略的に表されており、単一または複数の流路を通って流れるガスにつるまき状またはらせん状の流れが付与されるように形作ることができる。しかしながら、単一または複数の流路は流路がロッド状コンダクタの回りに渦を巻く流動を起こすものであれば他の形状の流路形状であってもよい。
図2に戻って、マイクロ波キャビティ壁41はガスタンク30からのガスを入れるためのガスチャネルを形成している。ガスフロー管40の入口部は壁41の一部に接続されている。図4(A)〜(C)は、図2に示されるガス供給システムのさまざまな実施態様を表しており、これらは図2の相手部材に類似の構成部材を備えている。
図4(A)は、図2に示すマイクロ波キャビティおよびノズルアレンジメントの他の実施態様の部分断面図である。この実施態様では、マイクロ波キャビティ44は、ガスタンク30に接続されているガス流動チャネル46を形成している壁47を備える。ノズル48はロッド状コンダクタ50、マイクロ波キャビティ壁46に接続されているガスフロー管54、およびうず巻状ガイド52を備えている。この実施態様では、ガスフロー管54はエネルギー損失の非常に低い状態でマイクロ波を通過させる材料であればどのような材料からでも作成してよい。その結果、ガスフロー管54を流れるガスは、ロッド状コンダクタ50の先細り先端部に到着する前にマイクロ波キャビティ44内であらかじめ加熱できる。第1の他の実施態様では、ガスフロー管54の上部53は誘電材料のようなマイクロ波を実質的に透過させる材料から作成してよく、一方、他の部分55は、出口部がマイクロ波を実質的に透過させる材料を持つ状態で導電材料から作成してよい。
第2の他の実施態様では、ガスフロー管54の部分53は誘電材料から作成でき、部分55は2つの部分、すなわち、ガスフロー管54の出口部付近にある誘電材料からなる小部分、および導電材料からなる小部分を備えてよい。第3の他の実施態様では、ガスフロー管54の部分53は誘電材料から作成でき、部分55は2つの部分、すなわち、ガスフロー管54の出口部付近にある導電材料からなる小部分、および誘電材料からなる小部分を備えてよい。図2の場合と同様に、ロッド状コンダクタ50の一部によって受信されたマイクロ波は先細り先端部に集中され、ガスを加熱してプラズマ56にする。
図4(B)は、図2に示すマイクロ波キャビティおよびノズルの他の実施態様の部分断面図である。図4(B)では、マイクロ波キャビティ58全体が、ガスタンク30に接続されているガス流動チャネルを形成している。ノズル60は、ロッド状コンダクタ62、マイクロ波キャビティ58に接続されているガスフロー管66、およびうず巻状ガイド64を備えている。図2の場合と同様に、ロッド状コンダクタ62の一部によって受信されたマイクロ波は先細り先端部に集中され、ガスを加熱してプラズマ68にする。
図4(C)は、図2に示すマイクロ波キャビティおよびノズルのさらに他の実施態様の部分断面図である。図4(C)では、ノズル72は、ロッド状コンダクタ74、ガスタンク30に接続されたガスフロー管78、およびうず巻状ガイド76を備えている。この実施態様では、図4(A)、図4(B)のシステムとは異なり、マイクロ波キャビティ70はガスタンク30に直接接続されていない。ガスフロー管78を、実質的にマイクロ波を透過させる材料から作成することで、ガスがロッド状コンダクタ74の先細り先端部に到着する前にマイクロ波キャビティ70内であらかじめ加熱されるようにしてよい。図2の場合と同様に、ロッド状コンダクタ74の一部によって収集されたマイクロ波は先細り先端部に集中され、ガスを加熱してプラズマ80にする。この実施態様では、タンク30からのガスの流れはマイクロ波キャビティへと延びているガスフロー管78を通過する。そしてガスは、うず巻状ガイド76を通って流動し、先細り先端部付近で加熱されプラズマ80にされる。
図2に示すように、ロッド状コンダクタ34の部分35はキャビティ43内に挿入され、マイクロ波を受け取り収集する。そして、これらのマイクロ波はコンダクタ34の表面に沿って移動し先細り先端部に集中される。移動するマイクロ波の一部はガスフロー管40を通る際に失われる場合があるため、図5(A)〜(B)に示すように、遮蔽メカニズムを使ってノズルの効率および安全性を改善できる。
図5(A)は、図2に示すノズルの他の実施態様の断面図である。図示するように、ノズル90は、ロッド状コンダクタ92、ガスフロー管94、うず巻状ガイド96、およびガスフロー管94を通る際のマイクロ波パワー損失を緩和するための内側遮蔽98を備えている。内側遮蔽98は管の形状とでき、うず巻状ガイド96の外側周辺に沿って形成されたくぼみ内に設けることができる。内側遮蔽はロッド状コンダクタ92の回りの螺旋状の流動方向をさらに制御し、ガスフロー管94とロッド状コンダクタ92との間の隙間を変化させることによってプラズマの安定性を高める。
図5(B)は、図2に示すノズルの他の実施態様の断面図である。図示するように、ノズル100はロッド状コンダクタ102、ガスフロー管104、うず巻状ガイド106、およびガスフロー管104を通る際のマイクロ波パワー損失を緩和するための接地遮蔽108を備えている。接地遮蔽108はガスフロー管104の一部を覆うことができ、銅のような金属から作成できる。内側遮蔽98と同様、接地遮蔽108はロッド状コンダクタ102の回りの螺旋状の流動方向をさらに制御し、ガスフロー管104とロッド状コンダクタ102との間の隙間を変化させることによってプラズマの安定性を高める。
図2および図4(A)〜(C)に示されたノズルに適用される主な加熱のメカニズムはロッド状コンダクタの先端部に集中されまたこの先端部で放出されるマイクロ波であり、この場合、ノズルは殺菌用非LTEプラズマを生み出すことができる。イオンおよび中性物質の温度は100℃未満とできるが、一方、電子の温度は摂氏数万℃までにもなり得る。電子温度を高めノズル効率を高めるために、図5(C)〜図5(F)に示すように、ノズルはガスがガスフロー管内にある状態でガスを電子的に励起させる、さらなるメカニズムを備えることができる。
図5(C)は、図2に示すノズルのさらに他の実施態様の断面図である。図示するように、ノズル110はロッド状コンダクタ112、ガスフロー管114、うず巻状ガイド116、およびガスフロー管114内を流れるガスを電子的に励起させるための一対の外側磁石118を備えている。一対の外側磁石118はそれぞれが、ガスフロー管114の外側表面の周りに設けられた例えば半円形の断面を持つ筒の一部として形作ることができる。
図5(D)は、図2に示すノズルのさらに他の実施態様の断面図である。図示するように、ノズル120はロッド状コンダクタ122、ガスフロー管124、うず巻状ガイド126、およびガスフロー管124内にうず巻状ガイド126によって固定され、ガスフロー管125を流れるガスを電子的に励起させるための一対の内側磁石128を備えている。一対の内側磁石128はそれぞれが、例えば半円形の断面を持つ筒の一部として形作ることができる。
図5(E)は、図2に示すノズルのさらに他の実施態様の断面図である。図示するように、ノズル130はロッド状コンダクタ132、ガスフロー管134、うず巻状ガイド136、一対の外側磁石138、および内側遮蔽140を備えている。外側磁石138はそれぞれが、例えば半円形の断面を持つ管の一部として形作られる。他の実施態様では、内側遮蔽140はほぼ管の形状である。
図5(F)は、図2に示すノズルの他の実施態様の断面図である。図示するように、ノズル142は、ロッド状コンダクタ144、ガスフロー管146、うず巻状ガイド148、アノード150、およびカソード152を備えている。アノード150およびカソード152は、電源(簡素化のため図示せず)に接続されている。このアレンジメントでは、アノード150およびカソードにより、ガスフロー管146を流れるガスを電子的に励起することが可能となる。アノードおよびカソードは電磁界を発生するがこれはガスが磁界を通過する際にガスを充填するものである。これによりプラズマにより高いエネルギー電位を持たせることができその結果プラズマの平均寿命期間が改善される。
図5(A)〜(F)は、図2に示すノズルのさまざまな実施態様の断面図である。図4(A)〜(C)に示すノズルの代わりに、図5(A)〜(F)に示されるさまざまな他の実施態様もまた使えることが理解されるはずである。
図2、図3に示す例では、ガスフロー管40はまっすぐな管として例示されている。しかしながら、図6(A)、(B)に示すように、ガスフロー管40の断面形状をその長さに沿って変えて、螺旋状の流動方向37を先端部33に向かわせるようにしてよい。例えば、図6(A)はノズル26(図2)の他の実施態様の部分断面図である。図示されるように、ノズル160はロッド状コンダクタ166、およびストレート部163と円錐台形部164とを有するガスフロー管162を備えている。図6(B)はノズル26のさらに他の実施態様の断面図であり、この場合、ガスフロー管170はストレート部173、および例えばベル状部172のような曲線部を持っている。
図6(C)は、ノズル26(図2)のさらに他の実施態様の断面図である。図示するように、ノズル176はロッド状コンダクタ182およびガスフロー管178を持ってよく、この場合、ガスフロー管178はストレート部180、およびプラズマプルームの長さを長くしプルームの安定性を改善するための延長案内部181を持っている。図6(D)は、ノズル26のさらに他の実施態様の断面図である。図示するように、ノズル184はロッド状コンダクタ188およびガスフロー管186を持ってよく、この場合、ガスフロー管186はストレート部187、およびプラズマプルームの形状を改変するためのプルーム改変部183を持っている。
図6(E)および図6(F)はそれぞれ、図6(D)に示すガスフロー管186の斜視図および上面図である。ガスフロー管186の入口192はほぼ円形の形状であってよく、一方出口190はほぼ細いスリットの形状であってよい。プルーム改変部183はプラズマプルームの断面形状を先細り先端部におけるほぼ円形から出口190におけるほぼ狭いストリップへと変更できる。
図6(G)は、ノズル26のさらに他の実施態様の断面図である。図示するように、ノズル193はロッド状コンダクタ194およびガスフロー管195を持ってよく、この場合、ガスフロー管195はストレート部196、およびプラズマプルームの直径を拡大するためのプルーム拡大部197を持っている。
図6(H)および図6(I)はそれぞれ、図6(G)に示すガスフロー管195の斜視図および上面図である。プルーム拡大部197はほぼベル型形状を持ってよく、この場合、プルーム拡大部197の出口199は入口よりも大きな直径を持っている。プラズマがロッド状コンダクタの先端部から出口199へと移動するにつれて、プラズマプルームの直径は大きくなり得る。
図2に示すように、マイクロ波はマイクロ波キャビティ24内へと延びているロッド状コンダクタ34の受信部35によって受け取られる。これらのマイクロ波はロッド状コンダクタを下り先細り先端部33へと向かう。より詳細には、マイクロ波はロッド状コンダクタ34によって受け取られその表面に沿って移動する。マイクロ波の浸透および移動の原因である表皮の深さはマイクロ波周波数とコンダクタ材料の関数である。マイクロ波浸透距離はミリメートル未満とできる。従って、中空部201を持つ図7(A)のロッド状コンダクタ200は、ロッド状コンダクタの他の実施態様である。
いくつかの貴金属が良好なマイクロ波コンダクタであることは公知である。従って、ロッド状コンダクタの性能を妥協させることなく装置の単価を安くするには、ロッド状コンダクタの表皮層を良好なマイクロ波コンダクタである貴金属から製造すると同時に、コアの内部により安価な導電材料を使うとよい。図7(B)はロッド状コンダクタのさらに他の実施態様の断面図であり、ロッド状コンダクタ202は、貴金属から製造される表皮層206と、より安価な導電材料から製造されているコア層204とを備えている。
図7(C)は、ロッド状コンダクタのさらに他の実施態様の断面図である。このロッド状コンダクタ208は、円錐状に先細りとなっている先端部210を備えている。他の断面の変形例もまた使用できる。例えば、円錐状に先細りの先端部210はロッドコンダクタ208の他の部分よりもプラズマによってより早くに腐食する可能性があるため、定期的に取り替える必要がある場合がある。
図7(D)は、ロッド状コンダクタのさらに他の実施態様の断面図であり、ロッド状コンダクタ212は鋭利な先端部の代わりにとがっていない先端部214を持っておりその寿命が長くなっている。
図7(E)は、ロッド状コンダクタのさらに他の実施態様の断面図であり、ロッド状コンダクタ216は適切な固定メカニズム222(この場合は、先細り部218はスクリュー端部222を使って円筒状部220にねじ込める)によって円筒状部分220に固定されている先細り部218を備え、交換が簡単かつ迅速に行えるようになっている。
図7(F)〜(I)は、ロッド状コンダクタのさらに他の実施態様の断面図を示している。図示されるように、ロッド状コンダクタ221、224、228、および234はそれぞれの相手部材34(図2)、200(図7(A))、202(図7(B))、および216(図7(E))にそれぞれ類似であるが、プラズマによる腐食率を小さくするためにとがっていない先端部を持つ点が異なっている。
図8は、本発明の他の実施態様に係る、マイクロ波キャビティ及びノズルを持つマイクロ波プラズマを発生するためのシステムの概略図である。図示するように、システムは、マイクロ波キャビティ324;マイクロ波をマイクロ波キャビティ324に供給するためのマイクロ波供給ユニット311;マイクロ波をマイクロ波供給ユニット311からマイクロ波キャビティ324へと搬送するための導波管313;およびマイクロ波キャビティ324からマイクロ波を受け取り、ガスタンク330から受け取られたガスおよび/またはガス混合物を使って大気プラズマ328を発生するための、マイクロ波キャビティ324に接続されたノズル326を備えることができる。システム310はシステム10(図1)に似ているが、ノズル326がガスタンク330からガスラインまたは管343を介して直接ガスを受け入れるようになっている点で異なっている。
図9は、図8の線B−Bに沿った、マイクロ波キャビティ324およびノズル326の部分断面図を表している。図示されるように、ノズル500は、ガスフロー管508;ガスフロー管508を通るマイクロ波損失を緩和するために設けられ、キャビティ壁342で封止され、ガスフロー管508がぴったりと嵌合されている接地遮蔽510;マイクロ波キャビティ324内に配置された部分504を持ち、マイクロ波キャビティ324内でマイクロ波キャビティ324に存在するマイクロ波を受信するロッド状コンダクタ502;ロッド状コンダクタ502と接地遮蔽510との間に配置され、接地遮蔽510に対してロッド状コンダクタ502を確実に保持するよう構成されている位置ホルダ506;およびガスラインまたは管343を接地遮蔽510に結合するためのガス供給メカニズム512を備えている。位置ホルダ506、接地遮蔽510、ロッド状コンダクタ502、およびガスフロー管508は、それぞれうず巻状ガイド36(図2)、接地遮蔽108(図5(B))、ロッド状コンダクタ34(図3)、およびガスフロー管40(図3)と同じ材料から製造してよい。例えば、接地遮蔽510は金属から、好ましくは銅から製造してよい。ガスフロー管508は一般的な誘電材料から、好ましくは石英から製造してよい。
図9に図示するように、ノズル500は、ガス供給メカニズム512を通してガスを受容できる。ガス供給メカニズム512はガスライン343を接地遮蔽510に結合でき、例えば、米国、インディアナ州のインディアナポリスに所在するSMC社によって製造されている油圧式ワンタッチ取り付け具(モデル番号KQ2H05−32)であってよい。ガス供給メカニズム512の一端は、接地遮蔽360の穿孔または穴514のエッジに形成されている雌ねじと噛み合うねじ付きボルトを持っている(図10に図示するとおり)。本発明は、ガスライン343を接地遮蔽510に結合できる他の適切なタイプのガス供給メカニズムを使って実施できることがわかる。
図10は、図9に図示するノズル336の分解斜視図である。図示するように、ロッド状コンダクタ502および接地遮蔽510はそれぞれ位置ホルダ506の内側および外側周辺部と係合できる。ロッド状コンダクタ502はマイクロ波キャビティ324からマイクロ波を受信するアンテナとして作用する部分504を持っている。受信されたマイクロ波はロッド状コンダクタ502に沿って移動し、ガスフロー管508を通って流動するガスを使ってプラズマ505を発生する。ロッド状コンダクタ34の場合(図3)と同様に、ロッド状コンダクタという用語は、円形断面、楕円形断面、長円形断面、または長楕円形断面のようなさまざまな断面、またはそれらのどのような組み合わせも持つコンダクタを網羅することを意図している。
ロッド状コンダクタ502は、図7(A)〜(I)に表されるさまざまな実施態様のうちの1つであり得ることが分かる。例えば、図11(A)はノズル520の他の実施態様を表しており、図7(F)に描かれているロッド状コンダクタ221と同じロッド状コンダクタ524を持っている。
図11(B)は、図9に示されるノズルの他の実施態様の断面図である。図示されるように、ノズル534はロッド状コンダクタ536、接地遮蔽538、接地遮蔽538の内側表面にぴったりと嵌合された外側表面を持つガスフロー管540、位置ホルダ542、およびガス供給メカニズム544を備えることができる。ガスフロー管540は壁に穴を持つことでガス通路を形成でき、位置ホルダ542の外側周辺に沿って形成されたくぼみに固定できる。
参照符号508のガスフロー管(図10)は、図6(A)−図6(I)に表される実施態様に類似の他の実施態様を持ってよい。例えば、図11(C)−図11(E)は、プルーム改変部552、延長案内部564、およびプルーム拡大部580をそれぞれ持つノズル500の他の実施態様の断面図である。
図12は、参照符号600で表されるフローチャートであり、図1および図8に描かれるシステムを使ってマイクロ波プラズマを発生するためのアプローチとして取られる例示的な工程を表している。工程602では、マイクロ波キャビティ、およびガスフロー管およびロッド状コンダクタを持つノズルが設けられて、この場合、ロッド状コンダクタはガスフロー管の軸方向に配置される。次に、工程604で、ロッド状コンダクタの一部がマイクロ波キャビティ内に配置される。また、ロッド状コンダクタの先端部はガス流動の出口に隣接して位置される。そして、工程606で、ガスがガスフロー管に注入され、そして工程608で、マイクロ波がマイクロ波キャビティに導入される。次に、工程610で、搬送されたマイクロ波がロッド状コンダクタの構成された部分に受信される。その結果、工程612で、受信されたマイクロ波はロッド状コンダクタの先端部に集中され、ガスを加熱してプラズマにする。
本発明をその具体的な実施態様を参照して説明してきたが、上述のものは本発明の好ましい実施態様に関連しており、以下の特許請求の範囲に規定されるような本発明の精神および範囲から逸脱することなく改変を行い得ることが理解されるはずである。
本発明の第1の実施態様に係る、マイクロ波キャビティおよびノズルを持つプラズマ発生システムの概略図である。 マイクロ波キャビティおよびノズルの図1に示すA−A線に沿った部分断面図である。 図3は、図2に表すノズルに備えられているガスフロー管、ロッド状コンダクタおよびうず巻状ガイドの分解図である。 (A)〜(C)は、マイクロ波キャビティおよびノズルの他の実施態様を示す、図1に示す線A−Aに沿った部分断面図である。 (A)〜(F)は、図2に示すガスフロー管、ロッド状コンダクタおよびうず巻状ガイドの他の実施例の断面図であり、ノズル効率を改善するさらに他の構成部材を含む態様を示している。 (A)〜(D)は、図2に示すガスフロー管の他の実施態様の断面図であり、ガスフロー管の出口部の4つの異なる形状を含む構成を示している。(E)〜(F)はそれぞれ、図6(D)に表すガスフロー管の斜視図および上面図である。(G)は、図2に示すガスフロー管のさらに他の実施態様の断面図を示している。(H)、(I)はそれぞれ、図6(G)に表すガスフロー管の斜視図および上面図である。 (A)〜(I)は、図2に示すロッド状コンダクタの他の実施態様である。 本発明の第2の実施態様に係る、マイクロ波キャビティおよびノズルを持つプラズマ発生システムの概略図である。 図8に示すB−B線に沿ったマイクロ波キャビティおよびノズルの部分断面図である。 図9に示すノズルの分解斜視図である。 (A)〜(E)は、図9に示すノズルの他の実施態様の断面図であり、ノズルのガスフロー管およびロッド状コンダクタのさまざまな構成を含む態様を示している。 本発明に係る図1および図8に示すシステムを使ってマイクロ波プラズマを発生させるための例示的な工程を表すフローチャートである。
符号の説明
11 マイクロ波供給ユニット
12 マイクロ波発生器
13 導波管
14 電源
15 アイソレータ
16 ダミーロード
18 サーキュレータ
24 マイクロ波キャビティ
26 ノズル
28 プラズマ
34 ロッド状コンダクタ
36 うず巻状ガイド
37 螺旋状ガス流路
40 ガスフロー管
41 壁

Claims (8)

  1. マイクロ波が伝搬する空間を形成するキャビティ壁を備えるマイクロ波キャビティと、
    誘電材料を含む出口部を持ち、その中にガスが流されるガスフロー管と、
    前記ガスフロー管内に配置されるロッド状コンダクタと、
    一端部と他端部とを備えた筒状体であって、前記ガスフロー管の外部表面に配置され、前記マイクロ波キャビティのキャビティ壁に前記一端部側が取り付けられると共に前記ガスフロー管を通る際のマイクロ波パワー損失を緩和するように構成され、ガス流を受け入れるための穴を持つ接地遮蔽と、
    前記マイクロ波キャビティ内を通過することなく配管され、前記ガスを供給するための管であって、前記接地遮蔽の前記穴に終端が接続されるガス供給管と、
    前記ロッド状コンダクタと前記接地遮蔽との間に配置され、前記接地遮蔽に対してロッド状コンダクタを固定して保持するための位置ホルダと、を備え、
    前記ロッド状コンダクタは、
    マイクロ波を受信するために前記マイクロ波キャビティ内に配置される受信部と、該受信部に連なる先端部とを含み、
    前記受信部は、受信したマイクロ波を伝搬して前記先端部に集中させるものであり、前記先端部が前記ガスフロー管の前記出口部及び前記接地遮蔽の前記他端部の近傍に配置されていることを特徴とするプラズマ発生システム
  2. 前記ロッド状コンダクタと前記ガスフロー管との間に配置され、前記ロッド状コンダクタの長軸に対して角度の付けられた少なくとも1つの流路を形成し、前記少なくとも1つの流路に沿って通過するガスに前記ロッド状コンダクタの回りに螺旋状の流動方向を付与するうず巻状ガイドをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ発生システム
  3. 前記ロッド状コンダクタは、円形の断面を持つことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ発生システム
  4. 前記ガスフロー管は、石英からなることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ発生システム
  5. 前記ロッド状コンダクタは、その中に空間を区画する部分を備えていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ発生システム
  6. 前記先端部は、先細りであることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ発生システム
  7. 前記ロッド状コンダクタは、2つの異なる材料からなることを特徴とする、請求項1に記載のプラズマ発生システム
  8. 前記ロッド状コンダクタは、取り外し可能な固定メカニズムによって接続されている2つの部分を備えることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ発生システム
JP2007520452A 2004-07-07 2005-07-07 プラズマ発生システム Expired - Fee Related JP5060951B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/885,237 2004-07-07
US10/885,237 US7164095B2 (en) 2004-07-07 2004-07-07 Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency
PCT/US2005/023886 WO2006014455A2 (en) 2004-07-07 2005-07-07 Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008506235A JP2008506235A (ja) 2008-02-28
JP5060951B2 true JP5060951B2 (ja) 2012-10-31

Family

ID=35116039

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007520452A Expired - Fee Related JP5060951B2 (ja) 2004-07-07 2005-07-07 プラズマ発生システム

Country Status (9)

Country Link
US (2) US7164095B2 (ja)
EP (1) EP1787500B1 (ja)
JP (1) JP5060951B2 (ja)
KR (2) KR100906836B1 (ja)
CN (1) CN101002508B (ja)
AU (1) AU2005270006B2 (ja)
CA (1) CA2572391C (ja)
RU (1) RU2355137C2 (ja)
WO (1) WO2006014455A2 (ja)

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7164095B2 (en) * 2004-07-07 2007-01-16 Noritsu Koki Co., Ltd. Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency
US7806077B2 (en) * 2004-07-30 2010-10-05 Amarante Technologies, Inc. Plasma nozzle array for providing uniform scalable microwave plasma generation
US20080093358A1 (en) * 2004-09-01 2008-04-24 Amarante Technologies, Inc. Portable Microwave Plasma Discharge Unit
US20060052883A1 (en) * 2004-09-08 2006-03-09 Lee Sang H System and method for optimizing data acquisition of plasma using a feedback control module
KR100689037B1 (ko) * 2005-08-24 2007-03-08 삼성전자주식회사 마이크로파 공명 플라즈마 발생장치 및 그것을 구비하는플라즈마 처리 시스템
CN101361409B (zh) * 2006-01-30 2011-09-14 赛安株式会社 工件处理系统和等离子体产生装置
TW200742506A (en) * 2006-02-17 2007-11-01 Noritsu Koki Co Ltd Plasma generation apparatus and work process apparatus
JP4680091B2 (ja) * 2006-02-23 2011-05-11 株式会社サイアン プラズマ発生装置及びワーク処理装置
JP4699235B2 (ja) * 2006-02-20 2011-06-08 株式会社サイアン プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
JP2007227201A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生装置及びワーク処理装置
TW200816881A (en) * 2006-08-30 2008-04-01 Noritsu Koki Co Ltd Plasma generation apparatus and workpiece processing apparatus using the same
TW200830945A (en) * 2006-09-13 2008-07-16 Noritsu Koki Co Ltd Plasma generator and work processing apparatus provided with the same
JP4719184B2 (ja) * 2007-06-01 2011-07-06 株式会社サイアン 大気圧プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
DE102007042436B3 (de) * 2007-09-06 2009-03-19 Brandenburgische Technische Universität Cottbus Verfahren und Vorrichtung zur Auf-, Um- oder Entladung von Aerosolpartikeln durch Ionen, insbesondere in einen diffusionsbasierten bipolaren Gleichgewichtszustand
GB0718721D0 (en) 2007-09-25 2007-11-07 Medical Device Innovations Ltd Surgical resection apparatus
DK2599506T3 (en) 2007-11-06 2018-10-08 Creo Medical Ltd Microwave Plasma Masterization Applicator
GB2454461B (en) * 2007-11-06 2012-11-14 Creo Medical Ltd A system to treat and/or kill bacteria and viral infections using microwave atmospheric plasma
US20100074810A1 (en) * 2008-09-23 2010-03-25 Sang Hun Lee Plasma generating system having tunable plasma nozzle
US20100074808A1 (en) * 2008-09-23 2010-03-25 Sang Hun Lee Plasma generating system
US7921804B2 (en) * 2008-12-08 2011-04-12 Amarante Technologies, Inc. Plasma generating nozzle having impedance control mechanism
US20100201272A1 (en) * 2009-02-09 2010-08-12 Sang Hun Lee Plasma generating system having nozzle with electrical biasing
US8460283B1 (en) * 2009-04-03 2013-06-11 Old Dominion University Low temperature plasma generator
US20100254853A1 (en) * 2009-04-06 2010-10-07 Sang Hun Lee Method of sterilization using plasma generated sterilant gas
WO2010129901A2 (en) * 2009-05-08 2010-11-11 Vandermeulen Peter F Methods and systems for plasma deposition and treatment
WO2011096956A1 (en) * 2010-02-05 2011-08-11 Micropyretics Heaters International, Inc. Anti-smudging, better gripping, better shelf-life of products and surfaces
US8723423B2 (en) * 2011-01-25 2014-05-13 Advanced Energy Industries, Inc. Electrostatic remote plasma source
RU2561081C2 (ru) 2011-03-30 2015-08-20 Виктор Григорьевич КОЛЕСНИК СПОСОБ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ЖЕЛЕЗА, ВОССТАНОВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ И ВОССТАНОВЛЕНИЯ ДИОКСИДА ТИТАНА ДО МЕТАЛЛИЧЕСКОГО ТИТАНА ПУТЁМ ГЕНЕРАЦИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВЗАИМОДЕЙСТВИЙ ЧАСТИЦ SiO2, КРЕМНИЙСОДЕРЖАЩЕГО ГАЗА, ЧАСТИЦ FeTiО3 И МАГНИТНЫХ ВОЛН
GB2496879A (en) * 2011-11-24 2013-05-29 Creo Medical Ltd Gas plasma disinfection and sterilisation
CN103079329B (zh) * 2012-12-26 2016-08-10 中国航天空气动力技术研究院 一种高压等离子点火装置
US10266802B2 (en) * 2013-01-16 2019-04-23 Orteron (T.O) Ltd. Method for controlling biological processes in microorganisms
IL226105A (en) * 2013-01-16 2014-05-28 Orteron T O Ltd A device and method to produce a strange plasma
NL1040070C2 (nl) * 2013-02-27 2014-08-28 Hho Heating Systems B V Plasmatron en verwarmingsinrichtingen omvattende een plasmatron.
JP5475902B2 (ja) * 2013-03-21 2014-04-16 株式会社プラズマアプリケーションズ 大気中マイクロ波プラズマニードル発生装置
KR101730094B1 (ko) * 2013-08-30 2017-04-25 내셔날 인스티튜트 오브 어드밴스드 인더스트리얼 사이언스 앤드 테크놀로지 마이크로파 플라스마 처리 장치
JP6326219B2 (ja) * 2013-11-26 2018-05-16 圭祐 戸田 表示装置および表示方法
GB201410639D0 (en) * 2014-06-13 2014-07-30 Fgv Cambridge Nanosystems Ltd Apparatus and method for plasma synthesis of graphitic products including graphene
CN104999216B (zh) * 2015-08-10 2016-11-23 成都国光电气股份有限公司 一种阴极组件装配夹具
CN105979693A (zh) * 2016-06-12 2016-09-28 浙江大学 一种大功率微波等离子体发生装置
CN106304602B (zh) * 2016-09-26 2018-07-20 吉林大学 一种微波耦合等离子体谐振腔
CN111033689B (zh) 2017-06-27 2023-07-28 彼得·F·范德莫伊伦 用于等离子体沉积和处理的方法及系统
US10861667B2 (en) 2017-06-27 2020-12-08 Peter F. Vandermeulen Methods and systems for plasma deposition and treatment
US12110229B2 (en) 2018-09-27 2024-10-08 Maat Energy Company Process for recovering heat at high temperatures in plasma reforming systems
CN109640505A (zh) * 2019-02-25 2019-04-16 成都新光微波工程有限责任公司 一种大功率高效多用途微波等离子体炬
US20200312629A1 (en) * 2019-03-25 2020-10-01 Recarbon, Inc. Controlling exhaust gas pressure of a plasma reactor for plasma stability
US10832893B2 (en) 2019-03-25 2020-11-10 Recarbon, Inc. Plasma reactor for processing gas
US20210283290A1 (en) * 2020-03-13 2021-09-16 Peter F. Vandermeulen Methods and systems for medical plasma treatment and generation of plasma activated media
US11979974B1 (en) * 2020-06-04 2024-05-07 Inno-Hale Ltd System and method for plasma generation of nitric oxide
JP7430429B1 (ja) 2023-01-11 2024-02-13 株式会社アドテックプラズマテクノロジー 同軸型マイクロ波プラズマトーチ

Family Cites Families (158)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3353060A (en) * 1964-11-28 1967-11-14 Hitachi Ltd High-frequency discharge plasma generator with an auxiliary electrode
US3562486A (en) * 1969-05-29 1971-02-09 Thermal Dynamics Corp Electric arc torches
US3911318A (en) 1972-03-29 1975-10-07 Fusion Systems Corp Method and apparatus for generating electromagnetic radiation
JPS5378170A (en) 1976-12-22 1978-07-11 Toshiba Corp Continuous processor for gas plasma etching
US4185213A (en) 1977-08-31 1980-01-22 Reynolds Metals Company Gaseous electrode for MHD generator
US4207286A (en) * 1978-03-16 1980-06-10 Biophysics Research & Consulting Corporation Seeded gas plasma sterilization method
FR2480552A1 (fr) 1980-04-10 1981-10-16 Anvar Generateur de plasmaŸ
FR2533397A2 (fr) 1982-09-16 1984-03-23 Anvar Perfectionnements aux torches a plasma
JPS6046029A (ja) 1983-08-24 1985-03-12 Hitachi Ltd 半導体製造装置
DE3331216A1 (de) 1983-08-30 1985-03-14 Castolin Gmbh, 6239 Kriftel Vorrichtung zum thermischen spritzen von auftragsschweisswerkstoffen
FR2552964B1 (fr) * 1983-10-03 1985-11-29 Air Liquide Torche a plasma a energie hyperfrequence
FR2555392B1 (fr) 1983-11-17 1986-08-22 Air Liquide Procede de traitement thermique, notamment de coupage, par un jet de plasma
JPS60189198A (ja) * 1984-03-08 1985-09-26 株式会社日立製作所 高周波放電発生装置
US5028527A (en) * 1988-02-22 1991-07-02 Applied Bio Technology Monoclonal antibodies against activated ras proteins with amino acid mutations at position 13 of the protein
JPS6281274A (ja) 1985-10-02 1987-04-14 Akira Kanekawa プラズマ・ジエツト・ト−チ
JPH0645896B2 (ja) 1986-03-08 1994-06-15 株式会社日立製作所 低温プラズマ処理装置
JPH0660412B2 (ja) 1986-08-21 1994-08-10 東京瓦斯株式会社 薄膜形成法
US4976920A (en) * 1987-07-14 1990-12-11 Adir Jacob Process for dry sterilization of medical devices and materials
JPH01183432A (ja) * 1988-01-18 1989-07-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 石英ガラス管の加熱方法
JPH0748480B2 (ja) 1988-08-15 1995-05-24 新技術事業団 大気圧プラズマ反応方法
US5083004A (en) 1989-05-09 1992-01-21 Varian Associates, Inc. Spectroscopic plasma torch for microwave induced plasmas
US5114770A (en) 1989-06-28 1992-05-19 Canon Kabushiki Kaisha Method for continuously forming functional deposited films with a large area by a microwave plasma cvd method
JP2527150B2 (ja) * 1989-07-25 1996-08-21 豊信 吉田 マイクロ波熱プラズマ・ト―チ
JPH0691634B2 (ja) 1989-08-10 1994-11-14 三洋電機株式会社 固体撮像素子の駆動方法
JP2781996B2 (ja) 1989-08-18 1998-07-30 株式会社日立製作所 高温蒸気発生装置
US5170098A (en) * 1989-10-18 1992-12-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma processing method and apparatus for use in carrying out the same
US5084239A (en) * 1990-08-31 1992-01-28 Abtox, Inc. Plasma sterilizing process with pulsed antimicrobial agent treatment
US5645796A (en) 1990-08-31 1997-07-08 Abtox, Inc. Process for plasma sterilizing with pulsed antimicrobial agent treatment
JPH05275191A (ja) 1992-03-24 1993-10-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 大気圧放電方法
JPH05146879A (ja) 1991-04-30 1993-06-15 Toyo Denshi Kk プラズマ加工機のノズル装置
JP3021117B2 (ja) 1991-09-20 2000-03-15 三菱重工業株式会社 電子サイクロトロン共鳴プラズマcdv装置
US5349154A (en) 1991-10-16 1994-09-20 Rockwell International Corporation Diamond growth by microwave generated plasma flame
JPH065384A (ja) 1992-06-17 1994-01-14 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ発生トーチ管
JPH0613329A (ja) 1992-06-25 1994-01-21 Canon Inc 半導体装置及び半導体製造装置及び製造方法
JPH06244140A (ja) 1992-10-28 1994-09-02 Nec Kyushu Ltd ドライエッチング装置
DE4242633C2 (de) 1992-12-17 1996-11-14 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Durchführung von stabilen Niederdruck-Glimmprozessen
US5389153A (en) * 1993-02-19 1995-02-14 Texas Instruments Incorporated Plasma processing system using surface wave plasma generating apparatus and method
JP2540276B2 (ja) 1993-03-12 1996-10-02 株式会社山東鉄工所 容器内部の殺菌装置
US5938854A (en) * 1993-05-28 1999-08-17 The University Of Tennessee Research Corporation Method and apparatus for cleaning surfaces with a glow discharge plasma at one atmosphere of pressure
JPH07135196A (ja) 1993-06-29 1995-05-23 Nec Kyushu Ltd 半導体基板アッシング装置
JPH0740056A (ja) 1993-07-28 1995-02-10 Komatsu Ltd プラズマトーチ
JPH07153593A (ja) 1993-12-01 1995-06-16 Daido Steel Co Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JPH07258828A (ja) 1994-03-24 1995-10-09 Matsushita Electric Works Ltd 膜形成方法
US5565118A (en) 1994-04-04 1996-10-15 Asquith; Joseph G. Self starting plasma plume igniter for aircraft jet engine
US5679167A (en) 1994-08-18 1997-10-21 Sulzer Metco Ag Plasma gun apparatus for forming dense, uniform coatings on large substrates
US5503676A (en) * 1994-09-19 1996-04-02 Lam Research Corporation Apparatus and method for magnetron in-situ cleaning of plasma reaction chamber
JPH08236293A (ja) * 1994-10-26 1996-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロ波プラズマトーチおよびプラズマ発生方法
TW285746B (ja) * 1994-10-26 1996-09-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd
EP0727504A3 (en) 1995-02-14 1996-10-23 Gen Electric Plasma coating process for improved adhesive properties of coatings on objects
US5573682A (en) * 1995-04-20 1996-11-12 Plasma Processes Plasma spray nozzle with low overspray and collimated flow
US5689949A (en) 1995-06-05 1997-11-25 Simmonds Precision Engine Systems, Inc. Ignition methods and apparatus using microwave energy
US5793013A (en) 1995-06-07 1998-08-11 Physical Sciences, Inc. Microwave-driven plasma spraying apparatus and method for spraying
US5741460A (en) * 1995-06-07 1998-04-21 Adir Jacob Process for dry sterilization of medical devices and materials
US5750072A (en) * 1995-08-14 1998-05-12 Sangster; Bruce Sterilization by magnetic field stimulation of a mist or vapor
US5825485A (en) * 1995-11-03 1998-10-20 Cohn; Daniel R. Compact trace element sensor which utilizes microwave generated plasma and which is portable by an individual
US5977715A (en) * 1995-12-14 1999-11-02 The Boeing Company Handheld atmospheric pressure glow discharge plasma source
JPH09169595A (ja) 1995-12-19 1997-06-30 Daihen Corp 薄膜形成方法
US6017825A (en) * 1996-03-29 2000-01-25 Lam Research Corporation Etch rate loading improvement
US6030579A (en) * 1996-04-04 2000-02-29 Johnson & Johnson Medical, Inc. Method of sterilization using pretreatment with hydrogen peroxide
US5928527A (en) 1996-04-15 1999-07-27 The Boeing Company Surface modification using an atmospheric pressure glow discharge plasma source
US5972302A (en) 1996-08-27 1999-10-26 Emr Microwave Technology Corporation Method for the microwave induced oxidation of pyritic ores without the production of sulphur dioxide
US5994663A (en) 1996-10-08 1999-11-30 Hypertherm, Inc. Plasma arc torch and method using blow forward contact starting system
US6309979B1 (en) * 1996-12-18 2001-10-30 Lam Research Corporation Methods for reducing plasma-induced charging damage
US5869401A (en) * 1996-12-20 1999-02-09 Lam Research Corporation Plasma-enhanced flash process
GB9703159D0 (en) 1997-02-15 1997-04-02 Helica Instr Limited Medical apparatus
US6125859A (en) 1997-03-05 2000-10-03 Applied Materials, Inc. Method for improved cleaning of substrate processing systems
US6039834A (en) 1997-03-05 2000-03-21 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for upgraded substrate processing system with microwave plasma source
US5980768A (en) * 1997-03-07 1999-11-09 Lam Research Corp. Methods and apparatus for removing photoresist mask defects in a plasma reactor
US6209551B1 (en) * 1997-06-11 2001-04-03 Lam Research Corporation Methods and compositions for post-etch layer stack treatment in semiconductor fabrication
JP3175640B2 (ja) 1997-06-17 2001-06-11 横河電機株式会社 マイクロ波誘導プラズマ点火装置
US6221792B1 (en) * 1997-06-24 2001-04-24 Lam Research Corporation Metal and metal silicide nitridization in a high density, low pressure plasma reactor
US6150628A (en) 1997-06-26 2000-11-21 Applied Science And Technology, Inc. Toroidal low-field reactive gas source
JPH1121496A (ja) 1997-06-30 1999-01-26 Nippon Shokubai Co Ltd 保護被膜形成材および基材の一時的保護処理方法
US6200651B1 (en) * 1997-06-30 2001-03-13 Lam Research Corporation Method of chemical vapor deposition in a vacuum plasma processor responsive to a pulsed microwave source
US6080270A (en) * 1997-07-14 2000-06-27 Lam Research Corporation Compact microwave downstream plasma system
JPH1186779A (ja) * 1997-09-11 1999-03-30 Yokogawa Analytical Syst Kk 高周波誘導結合プラズマを用いた飛行時間質量分析計
US6165910A (en) * 1997-12-29 2000-12-26 Lam Research Corporation Self-aligned contacts for semiconductor device
US6016766A (en) * 1997-12-29 2000-01-25 Lam Research Corporation Microwave plasma processor
JPH11224795A (ja) 1998-02-10 1999-08-17 Shin Seiki:Kk プラズマ生成方法、プラズマ生成装置、プラズマ利用表面処理方法、並びにプラズマ利用ガス処理方法
US6157867A (en) 1998-02-27 2000-12-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method and system for on-line monitoring plasma chamber condition by comparing intensity of certain wavelength
US5990446A (en) * 1998-03-27 1999-11-23 University Of Kentucky Research Founadtion Method of arc welding using dual serial opposed torches
DE19814812C2 (de) 1998-04-02 2000-05-11 Mut Mikrowellen Umwelt Technol Plasmabrenner mit einem Mikrowellensender
US6027616A (en) * 1998-05-01 2000-02-22 Mse Technology Applications, Inc. Extraction of contaminants from a gas
CZ286310B6 (cs) * 1998-05-12 2000-03-15 Přírodovědecká Fakulta Masarykovy Univerzity Způsob vytváření fyzikálně a chemicky aktivního prostředí plazmovou tryskou a plazmová tryska
US6727148B1 (en) * 1998-06-30 2004-04-27 Lam Research Corporation ULSI MOS with high dielectric constant gate insulator
US6235640B1 (en) * 1998-09-01 2001-05-22 Lam Research Corporation Techniques for forming contact holes through to a silicon layer of a substrate
JP2000133494A (ja) * 1998-10-23 2000-05-12 Mitsubishi Heavy Ind Ltd マイクロ波プラズマ発生装置及び方法
JP2000150484A (ja) 1998-11-11 2000-05-30 Chemitoronics Co Ltd プラズマエッチング装置およびエッチングの方法
US6417013B1 (en) 1999-01-29 2002-07-09 Plasma-Therm, Inc. Morphed processing of semiconductor devices
KR19990068381A (ko) 1999-05-11 1999-09-06 허방욱 마이크로웨이브플라즈마버너
US6228330B1 (en) * 1999-06-08 2001-05-08 The Regents Of The University Of California Atmospheric-pressure plasma decontamination/sterilization chamber
JP2000353689A (ja) 1999-06-10 2000-12-19 Nec Yamagata Ltd ドライエッチング装置およびドライエッチング方法
DE29911974U1 (de) 1999-07-09 2000-11-23 Agrodyn Hochspannungstechnik GmbH, 33803 Steinhagen Plasmadüse
US6573731B1 (en) * 1999-07-20 2003-06-03 Tokyo Electron Limited Electron density measurement and control system using plasma-induced changes in the frequency of a microwave oscillator
JP4455794B2 (ja) 1999-07-20 2010-04-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ発生器を制御するためのシステム
EP1218763A4 (en) 1999-07-20 2005-02-02 Tokyo Electron Ltd ELECTRON DENSITY MEASUREMENT AND CONTROL SYSTEM USING PLASMA-INDUCED FREQUENCY CHANGES OF A MICROWAVE OSCILLATOR
JP3271618B2 (ja) 1999-07-29 2002-04-02 日本電気株式会社 半導体製造装置およびドライエッチング時の異物検査・除去方法
JP2001054556A (ja) 1999-08-18 2001-02-27 Shikoku Kakoki Co Ltd 大気圧低温プラズマ殺菌方法
US6410451B2 (en) * 1999-09-27 2002-06-25 Lam Research Corporation Techniques for improving etching in a plasma processing chamber
DE29921694U1 (de) 1999-12-09 2001-04-19 Agrodyn Hochspannungstechnik GmbH, 33803 Steinhagen Plasmadüse
US6363882B1 (en) * 1999-12-30 2002-04-02 Lam Research Corporation Lower electrode design for higher uniformity
JP2001203097A (ja) 2000-01-17 2001-07-27 Canon Inc プラズマ密度計測装置および方法並びにこれを利用したプラズマ処理装置および方法
JP2001281284A (ja) 2000-03-30 2001-10-10 Makoto Hirano 複素誘電率の非破壊測定装置
AU2001265093A1 (en) 2000-05-25 2001-12-11 Russell F. Jewett Methods and apparatus for plasma processing
US6337277B1 (en) * 2000-06-28 2002-01-08 Lam Research Corporation Clean chemistry low-k organic polymer etch
JP2002124398A (ja) 2000-10-17 2002-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及び装置
FR2815888B1 (fr) 2000-10-27 2003-05-30 Air Liquide Dispositif de traitement de gaz par plasma
US6441554B1 (en) * 2000-11-28 2002-08-27 Se Plasma Inc. Apparatus for generating low temperature plasma at atmospheric pressure
US6620394B2 (en) 2001-06-15 2003-09-16 Han Sup Uhm Emission control for perfluorocompound gases by microwave plasma torch
US6936842B2 (en) 2001-06-27 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for process monitoring
JP4009087B2 (ja) 2001-07-06 2007-11-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体製造装置における磁気発生装置、半導体製造装置および磁場強度制御方法
JP4653348B2 (ja) 2001-07-18 2011-03-16 新日本製鐵株式会社 溶鋼加熱用プラズマトーチ
JP2003059917A (ja) 2001-08-10 2003-02-28 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Mocvd装置
DE50208353D1 (de) * 2001-08-28 2006-11-16 Jeng-Ming Wu Plasmabrenner mit mikrowellenanregung
US6616759B2 (en) 2001-09-06 2003-09-09 Hitachi, Ltd. Method of monitoring and/or controlling a semiconductor manufacturing apparatus and a system therefor
JP4077704B2 (ja) 2001-09-27 2008-04-23 積水化学工業株式会社 プラズマ処理装置
JP4044397B2 (ja) * 2001-10-15 2008-02-06 積水化学工業株式会社 プラズマ表面処理装置
JP2003133302A (ja) 2001-10-26 2003-05-09 Applied Materials Inc アダプター保持具、アダプター、ガス導入ノズル、及びプラズマ処理装置
JP2003135571A (ja) 2001-11-07 2003-05-13 Toshiba Corp プラズマ殺菌装置
JP3843818B2 (ja) * 2001-11-29 2006-11-08 三菱電機株式会社 ガス分解装置
JP3822096B2 (ja) 2001-11-30 2006-09-13 株式会社東芝 放電検出装置
JP2003171785A (ja) 2001-12-04 2003-06-20 Osg Corp 硬質表皮膜の除去方法
DE10164120A1 (de) 2001-12-24 2003-07-03 Pierre Flecher Mikrowellen-Plasmasterilisation von PET-Flaschen
JP2003213414A (ja) 2002-01-17 2003-07-30 Toray Ind Inc 成膜方法および成膜装置、並びにカラーフィルター製造方法
JP2003210556A (ja) 2002-01-18 2003-07-29 Toshiba Corp 管用プラズマ滅菌装置
JP2003236338A (ja) * 2002-02-15 2003-08-26 Mitsubishi Electric Corp 有機ハロゲン含有ガスの処理方法および装置
JP3908062B2 (ja) * 2002-03-13 2007-04-25 新日鉄エンジニアリング株式会社 プラズマトーチの構造
JP3977114B2 (ja) 2002-03-25 2007-09-19 株式会社ルネサステクノロジ プラズマ処理装置
US20060057016A1 (en) 2002-05-08 2006-03-16 Devendra Kumar Plasma-assisted sintering
US6673200B1 (en) 2002-05-30 2004-01-06 Lsi Logic Corporation Method of reducing process plasma damage using optical spectroscopy
US6830650B2 (en) 2002-07-12 2004-12-14 Advanced Energy Industries, Inc. Wafer probe for measuring plasma and surface characteristics in plasma processing environments
JP3691812B2 (ja) 2002-07-12 2005-09-07 株式会社エー・イー・ティー・ジャパン 共振器を用いて複素誘電率を測定する方法および前記方法を実施する装置
TWI236701B (en) 2002-07-24 2005-07-21 Tokyo Electron Ltd Plasma treatment apparatus and its control method
US20040016402A1 (en) 2002-07-26 2004-01-29 Walther Steven R. Methods and apparatus for monitoring plasma parameters in plasma doping systems
GB0218946D0 (en) 2002-08-14 2002-09-25 Thermo Electron Corp Diluting a sample
US6792742B2 (en) * 2002-09-09 2004-09-21 Phoenix Closures, Inc. Method for storing and/or transporting items
JP4432351B2 (ja) 2003-04-16 2010-03-17 東洋製罐株式会社 マイクロ波プラズマ処理方法
US6769288B2 (en) 2002-11-01 2004-08-03 Peak Sensor Systems Llc Method and assembly for detecting a leak in a plasma system
JP3839395B2 (ja) * 2002-11-22 2006-11-01 株式会社エーイーティー マイクロ波プラズマ発生装置
CN1207944C (zh) * 2002-11-22 2005-06-22 中国科学院金属研究所 大功率微波等离子体炬
US7183514B2 (en) * 2003-01-30 2007-02-27 Axcelis Technologies, Inc. Helix coupled remote plasma source
JP2004237321A (ja) 2003-02-06 2004-08-26 Komatsu Sanki Kk プラズマ加工装置
JP2004285187A (ja) 2003-03-20 2004-10-14 Rikogaku Shinkokai 炭化水素の部分酸化方法およびマイクロリアクタ装置
JP2005095744A (ja) 2003-09-24 2005-04-14 Matsushita Electric Works Ltd 絶縁部材の表面処理方法及び絶縁部材の表面処理装置
JP3793816B2 (ja) 2003-10-03 2006-07-05 国立大学法人東北大学 プラズマ制御方法、及びプラズマ制御装置
JP2005235464A (ja) 2004-02-17 2005-09-02 Toshio Goto プラズマ発生装置
WO2005096681A1 (en) 2004-03-31 2005-10-13 Gbc Scientific Equipment Pty Ltd Plasma torch spectrometer
CN2704179Y (zh) 2004-05-14 2005-06-08 徐仁本 微波炉安全防护罩
KR20060000194A (ko) 2004-06-28 2006-01-06 정민수 자바가상기계 성능 개선을 위한 전처리기 기술
US7164095B2 (en) 2004-07-07 2007-01-16 Noritsu Koki Co., Ltd. Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency
US20060021980A1 (en) 2004-07-30 2006-02-02 Lee Sang H System and method for controlling a power distribution within a microwave cavity
US7806077B2 (en) 2004-07-30 2010-10-05 Amarante Technologies, Inc. Plasma nozzle array for providing uniform scalable microwave plasma generation
US20080093358A1 (en) 2004-09-01 2008-04-24 Amarante Technologies, Inc. Portable Microwave Plasma Discharge Unit
US7338575B2 (en) 2004-09-10 2008-03-04 Axcelis Technologies, Inc. Hydrocarbon dielectric heat transfer fluids for microwave plasma generators
JP2006128075A (ja) 2004-10-01 2006-05-18 Seiko Epson Corp 高周波加熱装置、半導体製造装置および光源装置
TWI279260B (en) 2004-10-12 2007-04-21 Applied Materials Inc Endpoint detector and particle monitor
JP4620015B2 (ja) 2006-08-30 2011-01-26 株式会社サイアン プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
US20100201272A1 (en) 2009-02-09 2010-08-12 Sang Hun Lee Plasma generating system having nozzle with electrical biasing

Also Published As

Publication number Publication date
CN101002508B (zh) 2010-11-10
KR100946434B1 (ko) 2010-03-10
US20060006153A1 (en) 2006-01-12
RU2007104587A (ru) 2008-08-20
KR20070026675A (ko) 2007-03-08
WO2006014455A2 (en) 2006-02-09
JP2008506235A (ja) 2008-02-28
KR100906836B1 (ko) 2009-07-08
CA2572391C (en) 2012-01-24
CA2572391A1 (en) 2006-02-09
AU2005270006B2 (en) 2009-01-08
CN101002508A (zh) 2007-07-18
EP1787500A2 (en) 2007-05-23
US20080017616A1 (en) 2008-01-24
WO2006014455A3 (en) 2007-01-18
US7164095B2 (en) 2007-01-16
AU2005270006A1 (en) 2006-02-09
EP1787500B1 (en) 2015-09-09
RU2355137C2 (ru) 2009-05-10
US8035057B2 (en) 2011-10-11
KR20080092988A (ko) 2008-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5060951B2 (ja) プラズマ発生システム
JP4896880B2 (ja) マイクロ波プラズマノズルアレイを構成するための方法、マイクロ波プラズマノズルアレイユニット及びマイクロ波プラズマシステム
Schoenbach et al. 20 years of microplasma research: a status report
Iza et al. Microplasmas: Sources, particle kinetics, and biomedical applications
RU2656333C1 (ru) Плазменный прибор со сменной разрядной трубкой
Seo et al. Comparative studies of atmospheric pressure plasma characteristics between He and Ar working gases for sterilization
ES2548096T3 (es) Aparato manual de plasma frío para el tratamiento de superficies con plasma
US8471171B2 (en) Cold air atmospheric pressure micro plasma jet application method and device
JP2008527643A (ja) マイクロ・プラズマ・アレー
CN109950124B (zh) 一种消除电感耦合等离子体质谱二次放电的射频线圈
JP6244141B2 (ja) プラズマ発生装置およびその利用
Machida Ferrite loaded DBD plasma device
Laroussi et al. Cold atmospheric pressure plasma sources for cancer applications
KR20090011059A (ko) 플라즈마 발생장치
KR20100015978A (ko) 플라즈마 발생기를 위한 전극
Chernyak et al. Properties of microdischarge plasma in the vortex air flow
Babij et al. Miniature plasma jet for mass spectrometry
CN108615667B (zh) 提高点火性能的低压等离子体反应器
EP3253184A1 (en) Multi frequency atmospheric plasma generating device
Laroussi et al. Non-equilibrium plasma sources
Goch et al. New microwave source of microdischarges in noble gases at atmospheric pressure
Hussain Electrical, thermal and optical characteristics of plasma torch
JP2000095507A (ja) オゾン発生器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080403

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20100810

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101214

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110304

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120403

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120628

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120731

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120806

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150810

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5060951

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

S211 Written request for registration of transfer of exclusive licence

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314213

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S221 Written request for registration of change of exclusive licence

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314221

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S221 Written request for registration of change of exclusive licence

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314221

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees