JPS60189198A - 高周波放電発生装置 - Google Patents
高周波放電発生装置Info
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- JPS60189198A JPS60189198A JP59044702A JP4470284A JPS60189198A JP S60189198 A JPS60189198 A JP S60189198A JP 59044702 A JP59044702 A JP 59044702A JP 4470284 A JP4470284 A JP 4470284A JP S60189198 A JPS60189198 A JP S60189198A
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- Japan
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- frequency
- plasma
- frequency discharge
- tube
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- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、高周波放電発生装置に係り、特にス４５０±
５０ＭＨ２の周波数のマイクロ波を放射するマグネトロ
ンとこの周波数帯において使用される矩形導波管より構
成されるプラズブ放′８Ｌ’Ｊ生装置に関する。
５０ＭＨ２の周波数のマイクロ波を放射するマグネトロ
ンとこの周波数帯において使用される矩形導波管より構
成されるプラズブ放′８Ｌ’Ｊ生装置に関する。
第１図には従来のグラズマ放電発生装置が示されている
。
。
図において・１は周波数２，４５０±５０ＭＨ２、最大
量カフＱＱｗａｔｔｓ のマグネトロンである０２はマ
クネトロン１に直流電力を供給するケーブルである。３
（１マグネトロツを冷却する空冷ファンである。５はマ
イクロ波を放射するマグネトロン１の放射端であり・矩
形導波管９の内部に挿入せられている。マクネトロン１
は矩形導波管９にカスケラト６を介して、マイクロ波の
漏洩が発生しないようにきつく締めつけられて取付けら
れている。捷た、７は矩形導波管９の中に挿入された棒
である。この棒７の材質は矩形導波管９と同じ高周波電
流抵抗の小さい銅である。この銅棒７はいわば放射端５
から発せられたマイクロ波を効率よく受信するアンテナ
の役割をしている・また・８は矩形導波管９の外側に取
付けられた銅の管であり、中心は銅棒７と一致するよう
に設けられている。この銅棒７と銅管８は両者−組とな
って・同・油導波管が形成されている。
量カフＱＱｗａｔｔｓ のマグネトロンである０２はマ
クネトロン１に直流電力を供給するケーブルである。３
（１マグネトロツを冷却する空冷ファンである。５はマ
イクロ波を放射するマグネトロン１の放射端であり・矩
形導波管９の内部に挿入せられている。マクネトロン１
は矩形導波管９にカスケラト６を介して、マイクロ波の
漏洩が発生しないようにきつく締めつけられて取付けら
れている。捷た、７は矩形導波管９の中に挿入された棒
である。この棒７の材質は矩形導波管９と同じ高周波電
流抵抗の小さい銅である。この銅棒７はいわば放射端５
から発せられたマイクロ波を効率よく受信するアンテナ
の役割をしている・また・８は矩形導波管９の外側に取
付けられた銅の管であり、中心は銅棒７と一致するよう
に設けられている。この銅棒７と銅管８は両者−組とな
って・同・油導波管が形成されている。
すなわち、矩形導波管９の中に挿入された同軸導波管と
同じ効果を持ち、銅棒７の先端と銅管８の内壁の間に高
密度の高周波電界が作られている。
同じ効果を持ち、銅棒７の先端と銅管８の内壁の間に高
密度の高周波電界が作られている。
すなわち・マグネトロン１の放射端５から放射されたマ
イクロ波は・共鳴器（ｆＬｅｓｏ ｎａｔｏｒ ｌとし
て働く矩形導波管９の中に設置された同軸導波管である
銅管８に伝えられ・同軸導波管の銅管８の同軸部である
銅棒７の先端と、同軸導波管の外導体である銅管８の内
壁との間の空間に極めて高い密度の高周波電界が形成さ
れる。従って、銅棒７と銅管８の間に・例えばアルゴン
ガスが流れていると・上述の高密度の高周波電界により
容易に電離され、アルゴンの陽イオンと゛電子から成る
、いわゆる高温のアルゴンプラズマ１２が形成され “
る。このアルゴンプラズマ１２はアルゴンカス入口１１
から、アルゴンガスが導入されることにより・銅棒７の
先端に接して゛たいまつ”の如く上方に伸びる炎となる
。
イクロ波は・共鳴器（ｆＬｅｓｏ ｎａｔｏｒ ｌとし
て働く矩形導波管９の中に設置された同軸導波管である
銅管８に伝えられ・同軸導波管の銅管８の同軸部である
銅棒７の先端と、同軸導波管の外導体である銅管８の内
壁との間の空間に極めて高い密度の高周波電界が形成さ
れる。従って、銅棒７と銅管８の間に・例えばアルゴン
ガスが流れていると・上述の高密度の高周波電界により
容易に電離され、アルゴンの陽イオンと゛電子から成る
、いわゆる高温のアルゴンプラズマ１２が形成され “
る。このアルゴンプラズマ１２はアルゴンカス入口１１
から、アルゴンガスが導入されることにより・銅棒７の
先端に接して゛たいまつ”の如く上方に伸びる炎となる
。
したがって、このアルゴンプラズマ１２はプラズマトー
チ（ｐｌａｓｍａ Ｔｏｒｃｈ ）と称されている。１
０は、アルゴンガスの流れをつくる管で・この周波数帯
のマイクロ波の誘電損失の少ない物質１例えばテフロン
などで作られている。
チ（ｐｌａｓｍａ Ｔｏｒｃｈ ）と称されている。１
０は、アルゴンガスの流れをつくる管で・この周波数帯
のマイクロ波の誘電損失の少ない物質１例えばテフロン
などで作られている。
第１図図示従来の高周波放電発生装置は分光分析用光源
として利用されている。すなわち、水溶液の中の微曖元
素を分析する場合・アルゴンカス入口いて斜吹き（Ｎｅ
ｂｕｌ １ｚｅｒ ｌ を動作させ、水溶液の一部を霧
（Ａｅｒｏｓｏｌ ） となしアルゴンガスと共にプラ
ズマトーチを形成するアルゴンプラズマ１２中に導入キ
セる。この除霧の溶媒は蒸発し・溶質が原子に解離し、
電子温度７．００００にのアルゴンプラズマにより原子
が励起され・原子スペクトルが放射される。この状態に
おいて分光器によりスペクトルの強度を測定し、溶質元
素を定量する。
として利用されている。すなわち、水溶液の中の微曖元
素を分析する場合・アルゴンカス入口いて斜吹き（Ｎｅ
ｂｕｌ １ｚｅｒ ｌ を動作させ、水溶液の一部を霧
（Ａｅｒｏｓｏｌ ） となしアルゴンガスと共にプラ
ズマトーチを形成するアルゴンプラズマ１２中に導入キ
セる。この除霧の溶媒は蒸発し・溶質が原子に解離し、
電子温度７．００００にのアルゴンプラズマにより原子
が励起され・原子スペクトルが放射される。この状態に
おいて分光器によりスペクトルの強度を測定し、溶質元
素を定量する。
このような従来の高周波発生装置における周波数２４５
０±５０ＭＨ２，出力４５０ｗａｔｔｓのマイクロ波に
より作られたアルゴンプラズマトーチの温度分布の測定
結果は第２図に示す如、〈である０ 第２図において・横軸は第１図のプラズマトーチの横方
向の距離を示しており・縦軸はプラズマの温度で単位は
０Ｋ （Ｋｅｌｖｔｎ）ｙ示している。
０±５０ＭＨ２，出力４５０ｗａｔｔｓのマイクロ波に
より作られたアルゴンプラズマトーチの温度分布の測定
結果は第２図に示す如、〈である０ 第２図において・横軸は第１図のプラズマトーチの横方
向の距離を示しており・縦軸はプラズマの温度で単位は
０Ｋ （Ｋｅｌｖｔｎ）ｙ示している。
図において温度は銅棒７の中心軸において最も高く、横
方向の距離（ｘｍｍ）とともに減衰し・中心から２簡の
距離で最大値の１／２に減衰している。このプラズマト
ーチについて、原子の発光スペクトルの共存効果は＠３
図に示す如くである。
方向の距離（ｘｍｍ）とともに減衰し・中心から２簡の
距離で最大値の１／２に減衰している。このプラズマト
ーチについて、原子の発光スペクトルの共存効果は＠３
図に示す如くである。
すねわち、縦軸にはカドミウムの発光スペクトル・Ｃｄ
Ｉ ２２８．８０２ｎｍ の光強度が相対値で示されており・横軸には・測定を行
った７個の水溶液試料（カドミウムの濃度は０．２ｐＩ
）ｍ一定：ナトリウム濃度を変えて、ある）のす） Ｉ
Ｊウム濃度が示されている。図において。
Ｉ ２２８．８０２ｎｍ の光強度が相対値で示されており・横軸には・測定を行
った７個の水溶液試料（カドミウムの濃度は０．２ｐＩ
）ｍ一定：ナトリウム濃度を変えて、ある）のす） Ｉ
Ｊウム濃度が示されている。図において。
スペクトルＣｄＩ２２８．８０２ｎｍ１７）強［Ｈ１共
存するす） ＩＪウム元素の濃度と共に急激に減少し、
ナトリウム濃度ｉ、ｏｏｏｐｐｍの時、ナトリウム濃度
ｌｐｐｍの時の値の１／１０に減少している〇 一般に試料中に分析目的元素以外の元素が含まれる場合
、分析目的元素の測定値がこれらの他の元素の量により
変化する現象を共存効果と称している。この共存効果は
分光分析装置の性能を決定する最も重要な要素となって
いる。この共存効果の評価の目的として・人間の生活環
境の中で最も多量に存在する元素で、かつ、プラズマ中
でのイオン化率の最も高いところからナトリウム（Ｎａ
）が用いられている。第３図の如く・ナトリウム濃度変
化によってカドミウム検出値が下がってしまうのは・共
存効果が大きいことを示している。このように、第１図
に示される従来の高周波放電発生装置は、分光分析用光
源として利用する場合。
存するす） ＩＪウム元素の濃度と共に急激に減少し、
ナトリウム濃度ｉ、ｏｏｏｐｐｍの時、ナトリウム濃度
ｌｐｐｍの時の値の１／１０に減少している〇 一般に試料中に分析目的元素以外の元素が含まれる場合
、分析目的元素の測定値がこれらの他の元素の量により
変化する現象を共存効果と称している。この共存効果は
分光分析装置の性能を決定する最も重要な要素となって
いる。この共存効果の評価の目的として・人間の生活環
境の中で最も多量に存在する元素で、かつ、プラズマ中
でのイオン化率の最も高いところからナトリウム（Ｎａ
）が用いられている。第３図の如く・ナトリウム濃度変
化によってカドミウム検出値が下がってしまうのは・共
存効果が大きいことを示している。このように、第１図
に示される従来の高周波放電発生装置は、分光分析用光
源として利用する場合。
共存効果が大きいという欠点を有していた・〔発明の目
的〕 本発明の目的は・共存効果の小さい高周波放電発生波１
ｕ全提供することにある。
的〕 本発明の目的は・共存効果の小さい高周波放電発生波１
ｕ全提供することにある。
本発明は、２４５０±５０ＭＨ２の周波数帯域の高周波
を発振するマクネトロンと、該マクネトロンを搭載する
矩形導波管とを備え高周波プラズマを発生する高周波放
電発生装置において、上記マクネトロンの高周波を放射
する発振軸から一定距離はなれ該発振軸と同じ方向に上
記導波管の内部に所定の長さだけ突出し、両端が導波管
の内部で一足の距離を保持する管を設は筒形状の温度分
布を持つ高周波プラズマを上記矩形導波管の内部に発生
させることにより・共存効果を小さくしようというもの
である。
を発振するマクネトロンと、該マクネトロンを搭載する
矩形導波管とを備え高周波プラズマを発生する高周波放
電発生装置において、上記マクネトロンの高周波を放射
する発振軸から一定距離はなれ該発振軸と同じ方向に上
記導波管の内部に所定の長さだけ突出し、両端が導波管
の内部で一足の距離を保持する管を設は筒形状の温度分
布を持つ高周波プラズマを上記矩形導波管の内部に発生
させることにより・共存効果を小さくしようというもの
である。
以下・本発明の実施例について説明する。
第４図には、本発明の一実施例が示されており・第５図
は・第４図の右側面より見た図が第６図、第７図には一
部断面図がそれぞれ示されている。
は・第４図の右側面より見た図が第６図、第７図には一
部断面図がそれぞれ示されている。
図において、１０１は周波数２４５０±５ｐ囲２゜最大
出力８００Ｗのマグネトロンである。１０２はこのマク
ネトロンに直流高圧（例えばＤ−Ｃ・４２００ＶＯ１ｔ
、３００１ｎＡ）電力を供給するケーブルである。１０
３Ｕ１マグネトロンを冷却する空冷ファンである。また
−１０５Ｈマイクロ波の放射端である。さらに、１０６
Ｕマグネトロン１０１を導波管１０９に接続し・マイク
ロ波の漏洩を防止するカスケラトである。以上の部分は
、第１図に示される従来例と変るところはない。この導
波管１ｔｆＩのＹＹ’軸を中心とする上下平面部は・第
６図に示す如く円筒形をなし導波管ｔｔ４の内部に突出
して設けられている。導波管ｌｏフの上内壁より突出し
た円管の長さと、導波管ｌρ／の下内壁より突出した円
管の長さはＩＩ′！、は等しく、それぞれの突出部の長
さは第４図、第５図の導波管の高さＨ（ｗ）の約１７３
の値である・これらの円筒は導波管１ａ７の一部であり
表面を高周波電流が流れるため抵抗損失の少ない材質の
銅などが用いられる。１１０は、同じ＜ＹＹ’を中心軸
とした円筒管であり。
出力８００Ｗのマグネトロンである。１０２はこのマク
ネトロンに直流高圧（例えばＤ−Ｃ・４２００ＶＯ１ｔ
、３００１ｎＡ）電力を供給するケーブルである。１０
３Ｕ１マグネトロンを冷却する空冷ファンである。また
−１０５Ｈマイクロ波の放射端である。さらに、１０６
Ｕマグネトロン１０１を導波管１０９に接続し・マイク
ロ波の漏洩を防止するカスケラトである。以上の部分は
、第１図に示される従来例と変るところはない。この導
波管１ｔｆＩのＹＹ’軸を中心とする上下平面部は・第
６図に示す如く円筒形をなし導波管ｔｔ４の内部に突出
して設けられている。導波管ｌｏフの上内壁より突出し
た円管の長さと、導波管ｌρ／の下内壁より突出した円
管の長さはＩＩ′！、は等しく、それぞれの突出部の長
さは第４図、第５図の導波管の高さＨ（ｗ）の約１７３
の値である・これらの円筒は導波管１ａ７の一部であり
表面を高周波電流が流れるため抵抗損失の少ない材質の
銅などが用いられる。１１０は、同じ＜ＹＹ’を中心軸
とした円筒管であり。
霧１１５を含んだアルゴンガスのを導入するための導入
口１１９、およびアルゴンガス入口１１６から導入され
たアルゴンカスが導波管１０９の内部に拡散することを
防止するものである。この円筒管１１０の材質は−２４
５Ｏｆ５０ＭＨ２のマイクロ波に対して誘電損失の少な
い１例えば不純物の少ない透明石英などが用いられる。
口１１９、およびアルゴンガス入口１１６から導入され
たアルゴンカスが導波管１０９の内部に拡散することを
防止するものである。この円筒管１１０の材質は−２４
５Ｏｆ５０ＭＨ２のマイクロ波に対して誘電損失の少な
い１例えば不純物の少ない透明石英などが用いられる。
また、霧１１６を含んだアルゴンガスを導入するための
導入口１１９およびアルゴンカス人口１１６を構成する
二重管１１４も高周波に対する誘電損失の少ない石英材
料により作られていΣ。また・１１７は導波管を冷却す
る水冷フランジであるＯこの冷却フランジ１１７は導波
管１０９の上下に用意され水導入口１１８，１２０より
冷却水が供給されるＯ このように構成されるものであるから、いま、第４図の
マグネトロン１０１からマイクロ波が供給されると、第
６図の２つの円筒管１０７と円筒管１０８との各先端の
間に強い高周波′１界が生成される。このとき、導入口
１１９．アルゴンカス入口１１６からアルゴンガスが供
給されると・このアルゴンガスが電離され円筒管１０７
と円筒管１０８の各先端間に接触した円筒状のアルゴン
プラズマ１１２が形成される。このとき、アルゴンカス
人口１１６より供給されるアルゴンは約６ｔ／ ｍ ｉ
ｎ・である。また、導入口１１９より供給される霧１
１５ｔ−含んだアルゴンは約１ｔ／ｍｉｎ。
導入口１１９およびアルゴンカス人口１１６を構成する
二重管１１４も高周波に対する誘電損失の少ない石英材
料により作られていΣ。また・１１７は導波管を冷却す
る水冷フランジであるＯこの冷却フランジ１１７は導波
管１０９の上下に用意され水導入口１１８，１２０より
冷却水が供給されるＯ このように構成されるものであるから、いま、第４図の
マグネトロン１０１からマイクロ波が供給されると、第
６図の２つの円筒管１０７と円筒管１０８との各先端の
間に強い高周波′１界が生成される。このとき、導入口
１１９．アルゴンカス入口１１６からアルゴンガスが供
給されると・このアルゴンガスが電離され円筒管１０７
と円筒管１０８の各先端間に接触した円筒状のアルゴン
プラズマ１１２が形成される。このとき、アルゴンカス
人口１１６より供給されるアルゴンは約６ｔ／ ｍ ｉ
ｎ・である。また、導入口１１９より供給される霧１
１５ｔ−含んだアルゴンは約１ｔ／ｍｉｎ。
である。また・円筒管１０７と、円筒管１０８の外径は
８闘である。なお、マクネトロン１０１から供給される
マイクロ波電力が５００ｗａｔｔｓ以上の場合・円筒状
のプラズマが形成されるＯすなわち、マグネトロン１０
１から供給されるマイクロ波電力が低く、１５０ｗａｔ
ｔｓ程度の時。
８闘である。なお、マクネトロン１０１から供給される
マイクロ波電力が５００ｗａｔｔｓ以上の場合・円筒状
のプラズマが形成されるＯすなわち、マグネトロン１０
１から供給されるマイクロ波電力が低く、１５０ｗａｔ
ｔｓ程度の時。
プラズマは円筒管１０７と円筒管１０８の各先端の一部
分から放電していて、１本の柱となっているＯ マグネトロン１０１から供給されるマイクロ波１１５０
ｗａｔｔｓから次第に増加すると、円筒管１０７と円筒
管１０８の各先端のプラズマが接触゛している部分（熱
電子放射部分）の面積が次第に広がる０マイクロ波出力
が約５ＱＱＷａｔｔＳになると、円筒管１０７と円筒管
１０８の先端の全面にプラズマが接触し・この全面から
熱電子放射が行なわれる。そしてプラズマ１１２は完全
な円筒形状になる〇 このように・第６図の円筒管１０７と円筒管１０８の先
端の一部分から放射する熱電子流は。
分から放電していて、１本の柱となっているＯ マグネトロン１０１から供給されるマイクロ波１１５０
ｗａｔｔｓから次第に増加すると、円筒管１０７と円筒
管１０８の各先端のプラズマが接触゛している部分（熱
電子放射部分）の面積が次第に広がる０マイクロ波出力
が約５ＱＱＷａｔｔＳになると、円筒管１０７と円筒管
１０８の先端の全面にプラズマが接触し・この全面から
熱電子放射が行なわれる。そしてプラズマ１１２は完全
な円筒形状になる〇 このように・第６図の円筒管１０７と円筒管１０８の先
端の一部分から放射する熱電子流は。
マイクロ波出力の増加と共に、最初電流密度が増加する
が・電流密度がほう和（５ａｔｕｒａｔｉｏｎ）に達す
ると、次に熱電子放射面の面積が増加する。
が・電流密度がほう和（５ａｔｕｒａｔｉｏｎ）に達す
ると、次に熱電子放射面の面積が増加する。
いま・円筒管１０７と円筒管１”０８の厚さを薄く（１
ｍ！Ｉ）しておくと、マイクロ波出力５００ｗａｔｔｓ
で円筒管１０７と円筒管１０８の先端の全面から熱電子
放射が行なわれ、プラズマ１１２が円筒管１０７と円筒
管１０８の先端全面に接触して形成されている如く観測
される。かくして・円筒管のアルゴンプラズマ１１２が
形成される。
ｍ！Ｉ）しておくと、マイクロ波出力５００ｗａｔｔｓ
で円筒管１０７と円筒管１０８の先端の全面から熱電子
放射が行なわれ、プラズマ１１２が円筒管１０７と円筒
管１０８の先端全面に接触して形成されている如く観測
される。かくして・円筒管のアルゴンプラズマ１１２が
形成される。
このアルゴンプラズマ１１２のプラズマ維持のためにア
ルゴンガス入口１１６から、約６１７ｍ１ｎ。
ルゴンガス入口１１６から、約６１７ｍ１ｎ。
のアルゴンガスが供給される。一方、分光分析用試料は
霧吹き（Ｎｅｂｕｌｉｚｅｒ ）などを用いて、アルゴ
ンガスと共に霧１１５となって、二重管１１４の内管を
通って円筒状のアルゴンプラズマ１１２の中心部分に送
られる。霧１１５に含まれる溶媒はアルゴンプラズマ１
１２によって瞬時に蒸発させられ・溶質はその元素が原
子と解離して励起発光を生じる。この励起発光によって
生じた放射光は・導波管１０９の側面に開けられた縦長
のスリン）１２２，１２３から外部に取り出されるＯ また、導波管１０９の内部壁を流れる高周波電流の向き
は、スリン）１２２，１２３の高さ方向（第６１図図示
ＹＹ’軸方向）でありスリン）１２３゜１２４を導波管
１０９に設けることによる高周波電力損失は少なくおよ
そ５チ以下である。また、２４５０±５０ＭＨｚのマイ
クロ波の波長は・およそ１２ｃｒｎであり、スリット１
２２，１２３（高さ２０ ＋＋ｕａ 、幅４＋ｕ＋）か
ら直接外部に漏洩する仁とばない。
霧吹き（Ｎｅｂｕｌｉｚｅｒ ）などを用いて、アルゴ
ンガスと共に霧１１５となって、二重管１１４の内管を
通って円筒状のアルゴンプラズマ１１２の中心部分に送
られる。霧１１５に含まれる溶媒はアルゴンプラズマ１
１２によって瞬時に蒸発させられ・溶質はその元素が原
子と解離して励起発光を生じる。この励起発光によって
生じた放射光は・導波管１０９の側面に開けられた縦長
のスリン）１２２，１２３から外部に取り出されるＯ また、導波管１０９の内部壁を流れる高周波電流の向き
は、スリン）１２２，１２３の高さ方向（第６１図図示
ＹＹ’軸方向）でありスリン）１２３゜１２４を導波管
１０９に設けることによる高周波電力損失は少なくおよ
そ５チ以下である。また、２４５０±５０ＭＨｚのマイ
クロ波の波長は・およそ１２ｃｒｎであり、スリット１
２２，１２３（高さ２０ ＋＋ｕａ 、幅４＋ｕ＋）か
ら直接外部に漏洩する仁とばない。
次に、第１図の従来例においては、プラズマ１２が導波
管９の外部に作られるために、プラズマ１２の発生する
熱による導波管９の温度上昇は少ないが、本実施例にお
いては、導波管１０９の内部にプラズマ１１２が形成さ
れるために、導波管１０９の温度が上昇する。これを防
ぐために水冷フランジ１１７を、導波管１０９の上面と
下面に接触して用意する必要がある・水導入口１１８゜
１２０より冷却水（３±０，５ｚ／ｍｉｎ、）が供給さ
れる。プラズマ１１２を形成するアルゴンガス流を安定
化し・プラズマ１１２′ｔ−安定化する煙突１１３を備
え６° 、： 第８図には・本実施例を用いて測定したブラダ □マの
温度分布特性が示されている。この第８図は ）アーベ
ル変換を行なったものでにない。従って。
管９の外部に作られるために、プラズマ１２の発生する
熱による導波管９の温度上昇は少ないが、本実施例にお
いては、導波管１０９の内部にプラズマ１１２が形成さ
れるために、導波管１０９の温度が上昇する。これを防
ぐために水冷フランジ１１７を、導波管１０９の上面と
下面に接触して用意する必要がある・水導入口１１８゜
１２０より冷却水（３±０，５ｚ／ｍｉｎ、）が供給さ
れる。プラズマ１１２を形成するアルゴンガス流を安定
化し・プラズマ１１２′ｔ−安定化する煙突１１３を備
え６° 、： 第８図には・本実施例を用いて測定したブラダ □マの
温度分布特性が示されている。この第８図は ）アーベ
ル変換を行なったものでにない。従って。
アーベル変換を行なった温度分布曲線は中心軸 □（ｘ
＝Ｏｍ）において温度の谷が出来ることが期待される。
＝Ｏｍ）において温度の谷が出来ることが期待される。
第９図には、一定濃度０．２ｐｐｍのカドミウム □の
水溶液試料を霧吹きを用いて第６図の円筒プラズマ１１
２に導入した場合の、カドミウムの発光 ・スペクトル ＣｄＩ ２２８−８０２ｎｎｌ に対するＮ ａ １）イオンの共存効果が示されている
０ ′すなわち、本実施例によるとＮａ”イオンの濃度
と □共にスペクトル強度はゆるやかに増加していき・
Ｎａ１濃度１００ｐｐＩｎに対して最大値となり・ □
Ｎａ１Ｎａ１イオン濃加と共にスペクトル強度はゆるや
かに減少する。Ｎ Ｂ ４− 濃度範囲θ〜１１０００
ｐｐにおいて、Ｃｄ Ｉ２２８．８０２ｎｍ のスペク
トル強度の変化は＋２０チである口これに対し・従来の
高周波放電発生装置は、第３図に示され、る如＜、Ｎａ
”濃度１０ｐｐｆｆｌ におｒて７２ｏｃｓ。
水溶液試料を霧吹きを用いて第６図の円筒プラズマ１１
２に導入した場合の、カドミウムの発光 ・スペクトル ＣｄＩ ２２８−８０２ｎｎｌ に対するＮ ａ １）イオンの共存効果が示されている
０ ′すなわち、本実施例によるとＮａ”イオンの濃度
と □共にスペクトル強度はゆるやかに増加していき・
Ｎａ１濃度１００ｐｐＩｎに対して最大値となり・ □
Ｎａ１Ｎａ１イオン濃加と共にスペクトル強度はゆるや
かに減少する。Ｎ Ｂ ４− 濃度範囲θ〜１１０００
ｐｐにおいて、Ｃｄ Ｉ２２８．８０２ｎｍ のスペク
トル強度の変化は＋２０チである口これに対し・従来の
高周波放電発生装置は、第３図に示され、る如＜、Ｎａ
”濃度１０ｐｐｆｆｌ におｒて７２ｏｃｓ。
変化が生じてしまう。
このように、本実施例によれば、ＣｄＩ２２８・。
８０２１１ｍ のスペクトル線の強度変化が±２０俤以
内となるＮａ＋濃度範囲を従来例に比べて１００倍拡大
した効果がある。
内となるＮａ＋濃度範囲を従来例に比べて１００倍拡大
した効果がある。
すなわち・本実施例によれば、水溶液の分析試料中に共
存するイオン濃度の総和が１１０００ｐｉ）以内の場合
・はぼ誤差２０チ以内で発光分析法を用いてカドミウム
の定量分析ができる。
存するイオン濃度の総和が１１０００ｐｉ）以内の場合
・はぼ誤差２０チ以内で発光分析法を用いてカドミウム
の定量分析ができる。
以上説明したように・本発明によれば共存効果を小さく
することができる◎
することができる◎
第１１角は従来の高周波放電発生装置の構成図。
ｍ２図は第１図図示従来装置によるプラズマ温度特性図
、第３図は第１図図示従来装置によるＮａ共存効果を示
すカドミウムの発光スペクトル図、第４図、第５図、第
６図、第７図は本発明の実施例を示す図、第８図は本実
施例のプラズマ温度特性１図、第９図に本実施例による
共存効果を示すカドミウム発光スペクトル図である。 １０１・・・マグネトロン、１０７，１０８・・・円筒
管、１０９・・・導波管、１１２・・・アルゴンプラズ
マ、１１３・・・煙突、１１４・・・二重管、１１５・
・・霧、１１６・・・アルゴンガス入０．１２２，１２
３・・・スリット◎ 代理人 弁理士 鵜沼辰之 光８０ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ（７Ｋ） Ｄ＋５ｔａｎＣｅ（ｔｎｖｎ３ 不ｑ口 Ｌｌｌｉｔ Ｉｎｔｅｎｓｔｔγ Ｎａ’ Ｃ０ｎＣｅｎＴ、？ｃｌＴ、１ｏｎ（ｔ’Ｐｍ
）。９え、ウ “ １．事件の表示 昭和５９年 特許願 第 ４４７０２ 号２、発明の名
称 高周波放電発生装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （５１０）株式会社日立製作所 ４、代理人 補正の対象 図面（第２．３，８．９図）。 補正の内容 別紙のとおυ
、第３図は第１図図示従来装置によるＮａ共存効果を示
すカドミウムの発光スペクトル図、第４図、第５図、第
６図、第７図は本発明の実施例を示す図、第８図は本実
施例のプラズマ温度特性１図、第９図に本実施例による
共存効果を示すカドミウム発光スペクトル図である。 １０１・・・マグネトロン、１０７，１０８・・・円筒
管、１０９・・・導波管、１１２・・・アルゴンプラズ
マ、１１３・・・煙突、１１４・・・二重管、１１５・
・・霧、１１６・・・アルゴンガス入０．１２２，１２
３・・・スリット◎ 代理人 弁理士 鵜沼辰之 光８０ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ（７Ｋ） Ｄ＋５ｔａｎＣｅ（ｔｎｖｎ３ 不ｑ口 Ｌｌｌｉｔ Ｉｎｔｅｎｓｔｔγ Ｎａ’ Ｃ０ｎＣｅｎＴ、？ｃｌＴ、１ｏｎ（ｔ’Ｐｍ
）。９え、ウ “ １．事件の表示 昭和５９年 特許願 第 ４４７０２ 号２、発明の名
称 高周波放電発生装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （５１０）株式会社日立製作所 ４、代理人 補正の対象 図面（第２．３，８．９図）。 補正の内容 別紙のとおυ
Claims (1)
- １．２４５０士５０ＭＨ２の周波数帯域の高周波・を発
掘するマグネトロンと、該マグネトロンヲ搭載する矩形
導波管とを備え、高周波プラズマを発生する高周波放電
発生装置において上記マグネトロンの高周波全放射する
発掘軸から一定距離はなれ該発振軸と同じ方向に上記導
波管の内部に所定の長さだけ突出し、両端が導波管の内
部で一定の距離全保持する管を設け・筒形状の温度分布
を持つ高周波プラズマ全上記矩形導波管の内部に発生さ
せることを特徴とした高周波放電発生装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の発明において。 上記管は、矩形導波管の中央部分が上下対称的に円筒状
に形成されていることを特徴とする高周波放電発生装置
。 ３、特許請求の範囲第１項又Ｆｉ−第２項記載の発明に
おいて、突出円筒管の内部に径の小さい第２の円筒管を
設け、分光分析用水溶液試料を霧状態にして・不活、性
カスとともに上記礎出円筒管の中心部に送り込むように
したことを特徴とする高周波放電発生装置。 ４、特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれか１項
記載の発明において・突出円筒管の両端面間に発生した
不活性ガスの高周波放電プラズマから放射する光線を導
波管の外部に取り出すためのスリットを導波管の側面に
設けたこと全特徴とする高周波放電発生装置０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59044702A JPS60189198A (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | 高周波放電発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59044702A JPS60189198A (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | 高周波放電発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60189198A true JPS60189198A (ja) | 1985-09-26 |
Family
ID=12698744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59044702A Pending JPS60189198A (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | 高周波放電発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60189198A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008506235A (ja) * | 2004-07-07 | 2008-02-28 | アマランテ テクノロジーズ，インク． | プルーム安定性及び加熱効率が改善されたマイクロ波プラズマノズル |
| JP4922530B2 (ja) * | 2000-07-06 | 2012-04-25 | アジレント・テクノロジーズ・オーストラリア（エム）プロプライエタリー・リミテッド | プラズマ発生方法、分光測定用プラズマ源および導波路 |
| JP2014063721A (ja) * | 2012-08-28 | 2014-04-10 | Agilent Technologies Inc | 電磁導波路およびプラズマ源を含む機器 |
| GB2513439A (en) * | 2013-03-15 | 2014-10-29 | Agilent Technologies Inc | Integrated microwave source and plasma torch and related methods |
-
1984
- 1984-03-08 JP JP59044702A patent/JPS60189198A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4922530B2 (ja) * | 2000-07-06 | 2012-04-25 | アジレント・テクノロジーズ・オーストラリア（エム）プロプライエタリー・リミテッド | プラズマ発生方法、分光測定用プラズマ源および導波路 |
| JP2008506235A (ja) * | 2004-07-07 | 2008-02-28 | アマランテ テクノロジーズ，インク． | プルーム安定性及び加熱効率が改善されたマイクロ波プラズマノズル |
| JP2014063721A (ja) * | 2012-08-28 | 2014-04-10 | Agilent Technologies Inc | 電磁導波路およびプラズマ源を含む機器 |
| GB2513439A (en) * | 2013-03-15 | 2014-10-29 | Agilent Technologies Inc | Integrated microwave source and plasma torch and related methods |
| US9427821B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-08-30 | Agilent Technologies, Inc. | Integrated magnetron plasma torch, and related methods |
| GB2513439B (en) * | 2013-03-15 | 2019-02-06 | Agilent Technologies Inc | Integrated microwave source and plasma torch, and related methods |
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