JP4603136B2 - 基板をエッチングする装置及び方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気・化学堆積、または電気めっき装置に関する。より詳しく述べれば、本発明は、基板の周縁部分から堆積物を除去するための装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
サブクォーターミクロン多レベル金属化は、次世代の超大規模集積(ULSI)にとってキー技術の1つである。この技術の中核をなしている多レベル相互接続は、高アスペクト比の開口内に形成されているコンタクト、バイア、ライン、その他の特色を含む相互接続特色を平面化する必要がある。これらの相互接続特色を信頼できるように形成させることは、ULSIの成功にとって、及び個々の基板及びダイス上の回路密度を増加させ、品質を向上させる絶えざる努力にとって極めて重要である。
【0003】
回路密度が増加し、バイア、コンタクトその他の特色、並びにそれらの間の誘電体材料の幅が250ナノメートル以下に減少する一方で、誘電体層の厚みは実質的に一定に保たれているために、特色のアスペクト比、即ちそれらの高さを幅で除した値は増加してきている。物理蒸着(PVD)及び化学蒸着(CVD)のような多くの伝統的な堆積プロセスでは、4:1を越える、特にそれが10:1を越えるようなアスペクト比の構造を充填するのは困難であった。従って、現在も、高アスペクト比(特色の高さと特色の幅の比が4:1またはそれ以上であることができる)を有し、ボイドの無いナノメートルサイズの特色を形成させるべく、多大な努力が払われている。更に、特色の幅が減少しているにも拘わらず、デバイスの電流は一定か、もしくは増加しており、そのために特色内の電流密度が増加してきている。
【0004】
アルミニウムは固有電気抵抗が低く、二酸化シリコン(SiO2)への付着が優れ、パターン化が容易であり、そしてそれを高度に純粋な形で入手できることから、半導体処理においてライン及びプラグを形成させるために使用される金属は伝統的に元素アルミニウム(Al)及びその合金であった。しかしながら、アルミニウムは、銅のような他のより導電性の金属よりも固有電気抵抗が高く、またアルミニウムは電気移動を受けて導体内にボイドを形成し易い。
【0005】
銅及びその合金はアルミニウムよりも抵抗率が低く、エレクトロマイグレーション抵抗はアルミニウムと比較してかなり高い。これらの特性は、集積レベルを高くし、デバイス速度を増加させた場合に経験する大きい電流密度を支えるために重要である。また銅は良好な熱伝導率を有しており、高純度状態で入手可能である。従って、半導体基板上のサブクォーターミクロンで高アスペクト比の相互接続特色を充填するための金属として、銅が選択され始めている。
【0006】
半導体デバイスの製造にとって銅を使用することが望ましいにも拘わらず、0.35μ(または、それ以下)幅のバイアを有し、4:1のような極めて高いアスペクト比の特色内に銅を堆積させるための製造方法の選択は制限されている。これらのプロセスが制限されている結果として、従来は回路基板上のラインの製造に制限されていためっきが、半導体デバイス上のバイア及びコンタクトを充填するために使用され始めてきた。
【0007】
金属電気めっきは公知であり、いろいろな技術によって達成することができる。典型的な方法は、特色表面の上にバリヤー層を物理蒸着させるステップと、このバリヤー層の上に導電性金属シード層(好ましくは銅)を物理蒸着させるステップと、このシード層の上に導電性金属を電気めっきして構造/特色を充填するステップとからなる。最後に、堆積された層及び誘電体層を、化学・機械研磨(CMP)による等で平面化し、導電性相互接続特色を限定する。
【0008】
図1は、コンタクトピンを組み込んだ典型的な噴流(ファウンテン)めっき装置10の簡易断面図である。一般的に噴流めっき装置10は、トップ開口を有する電解液容器12と、電解液容器12上に配置されている基板ホールダ14と、電解液容器12の底部分に配置されている陽極16と、基板22と接触するコンタクトリング20とを含んでいる。基板ホールダ14の下面には複数の溝24が形成されている。真空ポンプ(図示してない)が基板ホールダ14に結合され、溝24と通じていて、処理中に基板ホールダ24に基板22を確保することができる真空状態を発生する。コンタクトリング20は、基板22の周縁部分の周りに分布する複数の金属または半金属コンタクトピン26を含んでいて、基板中央のめっき表面を限定している。これらの複数のコンタクトピン26は、半径方向内向きに基板22の狭い周縁部分の上に伸び、コンタクトピン26のチップが基板22の導電性シード層に接触する。電源(図示してない)がピン26に接続され、それによって基板22を電気的にバイアスする。基板22は円筒形電解液容器12の上に位置決めされ、セル10の動作中に電解液の流れを基板めっき表面に直角に衝突させるようになっている。
【0009】
現在の電気めっきプロセスが当面している1つの特定の問題は、電気めっきプロセス中にシード層のエッジが過剰量の堆積を受けることであり、これは典型的にエッジビードと呼ばれている。図2は、ウェーハ30のあるエッジの断面図であって、シード層34のエッジ32における過剰堆積物36を示している。図2に示すように、ウェーハ30はその上に堆積されたシード層32を有しており、電気めっき層38はこのシード層34の上に電気・化学的に堆積されている。シード層34のエッジ32が受ける電流密度は残余のシード層34よりも高く、シード層34のエッジ32における堆積レートが高くなることが解っている。シード層34のエッジ32における機械的応力も残余のシード層よりも高く、シード層のエッジにおける堆積がウェーハ30のエッジを上方へ、そして遠去かるように引っ張る。過剰堆積物36は、典型的には、CMPプロセスによって除去される。しかしながら、CMPプロセス中に、ウェーハのエッジにおける過剰堆積物が典型的にはシード層のエッジから剥がれ落ち、ウェーハの隣接部分を破損させる恐れがある。破砕金属もウェーハ上に形成されたデバイスを破損させる恐れがある。従って、適切に形成されるデバイスの数が減少し、形成されるデバイス当たりのコストが増加することになる。
【0010】
従って、ウェーハのエッジにおける過剰堆積物を除去する装置に対する要望が存在している。好ましくは、この装置は、ウェーハ表面上に形成されたデバイスを破損させることなく、ウェーハのエッジにおける過剰堆積物を除去する。この装置が、ウェーハから過剰堆積物を除去した後に、スピン・洗浄・乾燥プロセスのようなウェーハ洗浄プロセスを遂行するようになっていることも望ましい。
【0011】
【発明の概要】
本発明は、一般的にはウェーハのエッジにおける堆積物を除去する装置及び方法を提供する。本発明による装置は、ウェーハ表面上に形成されたデバイスを破損させることなくウェーハのエッジにおける堆積物を除去する。
【0012】
本発明の1つの面は基板をエッチングする装置を提供し、本装置は、容器、容器内に配置されている基板支持体、基板支持体に取付けられている回転アクチュエータ、及び容器内に配置され、基板支持体上に配置されている基板の周縁部分にエッチング液を送給する流体送給アセンブリを備えている。好ましくは、基板支持体は真空チャックを備え、流体送給アセンブリは1つまたはそれ以上のノズルを含んでいる。
【0013】
本発明の別の面は基板をエッチングする方法を提供し、本方法は、回転可能な基板支持体上に位置決めされている基板を回転させるステップ、及び基板の周縁部分にエッチング液を送給するステップを含む。好ましくは、基板を約100rpm乃至約1000rpmで回転させ、エッチング液は基板の周縁部分に実質的に接線方向に、且つ基板の表面から約0°乃至約45°の入射角で送給する。
【0014】
本発明の別の面はウェーハのエッジにおける堆積物を除去する装置を提供し、本装置は、ウェーハから過剰堆積物を除去した後に、スピン・洗浄・乾燥プロセスのようなウェーハ洗浄プロセスを遂行するようになっている。本装置は、容器、容器内に配置されている基板支持体、基板支持体に取付けられている回転アクチュエータ、及び容器内に配置され、基板支持体上に配置されている基板の周縁部分にエッチング液を、また基板の表面に脱イオン水のような洗浄用流体を選択的に送給する流体送給アセンブリを備えている。
【0015】
本発明の上述した特徴、長所、及び目的を詳細に理解するために、以上に概要説明した本発明を、以下に添付図面に基づいてその実施の形態に関して詳細に説明する。
【0016】
しかしながら、添付図面は単に本発明の典型的な実施の形態を示しているに過ぎず、本発明は他の同じような実施の形態にも適用できることから、本発明の範囲を限定する意図はないことを理解されたい。
【0017】
図3は、本発明のエッジビード除去(EBR)モジュールの側断面図であって、基板のエッジから過剰堆積物を除去するために処理位置内に配置されている基板を示している。EBRモジュール100は独立型ユニットであることも、電気・化学堆積システムまたは他の堆積システムの一成分として配置することもできる。EBRモジュール100は、容器102、ウェーハホールダアセンブリ104、及び流体/薬品送給アセンブリ106を備えている。容器102は、好ましくは、円筒形側壁108、中心開口112を有する容器底110、及び中心開口112の周縁エッジから上方に伸びる上向き内壁114を含む。流体出口116が容器底110に接続されていて、EBRモジュール100からの使用済みの流体及び薬品の排出を容易にしている。
【0018】
ウェーハホールダアセンブリ104が中心開口112の上に配置されており、中心開口112を通って伸びているリフトアセンブリ118及び回転アセンブリ120を含んでいる。リフトアセンブリ118は、好ましくは、当分野においては公知で、市販されているベローズ型リフト、または親ねじステッパモータ型リフトアセンブリからなる。リフトアセンブリ118は、いろいろな垂直位置の間でウェーハホールダアセンブリ104上のウェーハ122の転送及び位置決めを容易にする。回転アセンブリ120は、好ましくは、リフトアセンブリの下に取付けられている回転モータからなる。回転アセンブリ120は、エッジビード除去プロセス中にウェーハ122を回転させる。
【0019】
ウェーハホールダアセンブリ104は、好ましくは、ウェーハ122をウェーハの裏側から確保し、ウェーハエッジ126を妨害しない真空チャック124を備えている。好ましくは、圧縮可能なOリングのような環状シール128を真空チャック表面の周縁部分に配置し、エッジビード除去プロセス中に使用される流体及び薬品から真空チャック124をシールする。ウェーハホールダアセンブリ104は、好ましくは、転送ロボットのロボットアームからウェーハホールダアセンブリ104上までウェーハの転送を容易にする。ウェーハリフト130は、図3に示すように、スピン・洗浄・乾燥プロセス中にウェーハを確保するためにも使用されるスパイダクリップアセンブリを備えている。スパイダクリップアセンブリは、環状ベース136から伸びる複数のアーム134、及びアーム134の先端にピボット可能に配置されているスパイダクリップ138を備えている。環状ベース136は、上向き内壁114と重なり合うように下向きに伸びる壁237を含み、これらの壁は処理中に、使用される流体を容器102の内側に閉じ込める。スパイダクリップ138は、ウェーハを受入れる上面、ウェーハを締付けるクランプ部分142、及びウェーハホールダアセンブリが回転した時に遠心力によりクランプ部分142をウェーハのエッジに係合させる下側部分144を含んでいる。代替として、ウェーハリフト130は、真空チャックボディ内の、または該ボディの周りのリフトプラットフォームまたはリフトリング上に配置されている1組のリフトピンまたはリフトフープのような、いろいろなウェーハ処理装置内で共通使用されるウェーハリフトからなる。
【0020】
流体/薬品送給アセンブリ106は、1つまたはそれ以上のディスペンスアーム152上に配置されている1つまたはそれ以上のノズル150を備えている。ディスペンスアーム152は、容器の側壁108を通って伸び、アクチュエータ154に取付けられている。アクチュエータ154は伸縮して、基板122の上のノズル150の位置を変化させる。伸張可能なディスペンスアーム152を使用したことによって、ノズルは、ノズルがウェーハの上をウェーハの内側部分からウェーハのエッジを指し示すように位置決めすることができ、ウェーハエッジへのエッチング液/流体の送給の制御を強化することができる。代替として、ディスペンスアーム152を容器の側壁108に固定的に取付け、容器102内のウェーハの垂直運動を妨害しないようにノズル150をディスペンスアームの適所に確保する。
【0021】
好ましくは、ディスペンスアーム152は、ディスペンスアームを通って伸びていてノズル150をエッチング液の源に接続するための1つまたはそれ以上の導管を含む。堆積した金属を基板から除去するためのいろいろなエッチング液が知られており、硝酸その他の酸が市販されている。代替として、ノズル150は、ディスペンスアーム152内の導管を通って配置されている柔軟な管156を通して接続される。好ましくは、ノズル150は、流体/薬品をそれぞれウェーハの上側エッジ表面及び下側エッジ表面に送給するために、ウェーハの上及び下の位置に対にされた配列で配置されている。ノズル150は、脱イオン水の源160及びエッチング液の源162のような1つまたはそれ以上の薬品/流体の源に選択的に接続することができ、コンピュータ制御装置164は、所望のプログラムに従って1つまたはそれ以上の流体/薬品の源の間で接続を切り替える。代替として、第1の組のノズルを脱イオン水の源に接続し、第2の組のノズルをエッチング液の源に接続して、これらのノズルを選択的に作動させて流体をウェーハに送給する。
【0022】
好ましくは、ノズル150は、流体をウェーハの周縁部分付近に実質的に接線方向に送給するような角度に配置する。図4は、EBRモジュールの概要上面図であって、エッジビード除去のためのノズル位置の1つの実施の形態を示している。図示のように、3つのノズル150が容器の側壁108の内面の周りに実質的に等間隔に配置されている。各ノズル150は、ウェーハのエッジ部分に流体を供給するように配列されており、処理位置と転送位置との間でウェーハが垂直に運動できるような十分な間隔が得られるように位置決めされている。好ましくは、流体の送給またはスプレーパターンは、流体の送給を選択されたエッジ除外範囲に制限するように、ノズルの形状及び流体の圧力によって制御する。例えばエッチング液は、3mmのエッジ除外を達成するために、ウェーハの外側3mmの環状部分に制限する。ノズルは、エッチング液がウェーハと接触する際のエッチング液の跳ね返りを制御するために、エッチング液をウェーハの表面に対してある入射角で供給するように位置決めされている。図5は、処理中のウェーハ122に対して配置されているノズル150の側面図である。好ましくは、ウェーハに対するエッチング液の入射角αは約0°乃至約45°であり、より好ましくは約10°乃至約30°である。
【0023】
ウェーハ122は、ウェーハの周縁部分がエッチング液に実質的に平等に露出されるように、エッジビード除去プロセス中に回転させる。好ましくは、制御されたエッジビード除去を容易にするために、ウェーハ122はエッチング液スプレーパターンの方向と同一方向に回転させる。例えば、図4に示すように、ウェーハは、反時計方向のスプレーパターンに対応して反時計方向(矢印A)に回転させる。ウェーハは、好ましくは約100rpm乃至約1000rpmで、より好ましくは約500rpm乃至約700rpmで回転させる。実効エッチングレート(即ち、除去される銅の量を、除去に要した時間で除した値)は、エッチング液のエッチングレート、ウェーハエッジに接触するエッチング液の速度、エッチング液の温度、及びウェーハの回転速度の関数である。これらのパラメタは、特定の所望結果を達成するために変化させることができる。
【0024】
動作を説明する。ウェーハ122が、EBRモジュール100のウェーハホールダアセンブリ104上に位置決めされ、ウェーハリフト130が、ウェーハを転送ロボットブレードから持ち上げる。ロボットブレードが後退し、ウェーハリフト130はウェーハを真空チャック124上に降下させる。真空システムが作動してウェーハを真空チャック124上に確保し、ウェーハホールダアセンブリ104はその上に配置されているウェーハと共に回転し、ノズル150がエッチング液をウェーハ122の周縁部分上に送給する。このエッチングプロセスは、ウェーハエッジ上の過剰堆積物(即ち、エッジビード)を除去するのに十分な所定の時間にわたって遂行される。ウェーハは、好ましくは、スピン・洗浄・乾燥プロセスにおいて脱イオン水を使用してきれいにする。スピン・洗浄・乾燥プロセスは、典型的には、脱イオン水をウェーハに送給してウェーハから残留エッチング液を洗浄し、ウェーハを高速でスピンさせて水を乾燥させることを含む。エッジビード除去プロセス及びスピン・洗浄・乾燥プロセスの後に、熱焼鈍処理その他のウェーハ処理のような他の処理のための準備を整えるために、ウェーハをEBRモジュール100から転送する。
【0025】
図6は、混合エッジビード/スピン・洗浄・乾燥(EBR/SRD)モジュールの断面図であって、垂直方向に離間している流体入口の間の処理位置に基板がある状態を示している。本発明のこの実施の形態は、エッジビード除去(EBR)プロセス及びスピン・洗浄・乾燥(SRD)プロセスの両方に有用である。EBR/SRDモジュール200の成分は、上述したEBRモジュール100の成分と同じであり、同一の成分には同一の番号を付してある。EBRモジュール100の成分に加えて、EBR/SRDモジュール200は、ウェーハの下の位置に、好ましくはノズル150の位置に対応して垂直に整列させた付加的な組の下側ノズル170を備えている。下側ノズル170は、脱イオン水の源160とエッチング液の源162とに選択的に接続され、ノズル170によって送給される流体は制御装置164によって制御される。好ましくは、ノズル170は流体をウェーハの裏側の周縁部分へ送給するように向けられている。下側ノズル170は、好ましくはウェーハリフト130の運動を妨げない位置に配置する。下側ノズル170は、ノズル170を所望の位置に位置決めするように伸縮するアーム176を通してアクチュエータ174にも取付けられている。代替として、処理中に下側ノズル170を妨害しないように、ウェーハリフト130は回転しない。EBR/SRDモジュール200は、好ましくは、ウェーハの上面の中心部分に脱イオン水を送給するように配置されている専用脱イオン水ノズル172を更に含む。
【0026】
動作を説明する。ノズル150及び170は、ウェーハの上面及び下面を含むウェーハの周縁部分にエッチング液を送給してエッジビード除去プロセスを遂行する。好ましくは、エッジビード除去プロセス中に脱イオン水ノズル172は脱イオン水をウェーハの中心部分に送給し、ウェーハ表面の中心部分へ跳ね返ったエッチング液による意図しないエッチングを防ぐ。スピン・洗浄・乾燥プロセスの場合には、ウェーハを回転させ、好ましくは全てのノズル150、170、及び172が脱イオン水を送給してウェーハを洗浄させる。ウェーハを洗浄した後にウェーハをスピンさせて乾燥させ、さらなる処理のためにEBR/SRDモジュール200から転送する。
【0027】
以上に本発明の好ましい実施の形態を説明したが、本発明の範囲から逸脱することなく本発明の他の、及びさらなる実施の形態を考案することが可能であり、従って本発明は特許請求の範囲によってのみ限定されることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【図1】コンタクトピンを組み込んだ典型的な簡易噴流めっき装置10の断面図である。
【図2】ウェーハ30のエッジの断面図であって、シード層34のエッジ32の過剰堆積物36を示す図である。
【図3】本発明のエッジビード除去(EBR)モジュールの側断面図であって、基板のエッジから過剰堆積物を除去するために処理位置に配置されている基板を示す図である。
【図4】EBRモジュールの概要上面図であり、エッジビード除去のためのノズル位置の1つの実施の形態を示す図である。
【図5】処理中のウェーハ122に対して配置されているノズル150の側面図である。
【図6】混合エッジビード除去/スピン・洗浄・乾燥(ERB/SRD)モジュールの断面図であって、垂直に離間している流体入口の間の処理位置にある基板を示す図である。
【符号の説明】
10 噴流めっき装置
12 電解液容器
14 基板ホールダ
16 陽極
20 コンタクトリング
22 基板
24 溝
26 コンタクトピン
30 ウェーハ
32 エッジ
34 シード層
36 過剰堆積物
38 電気めっき層
100 EBRモジュール
102 容器
104 ウェーハホールダアセンブリ
106 流体/薬品送給アセンブリ
108 容器側壁
110 容器底
112 中心開口
114 上向き内壁
116 流体出口
118 リフトアセンブリ
120 回転アセンブリ
122 ウェーハ
124 真空チャック
126 ウェーハエッジ
128 環状シール
130 ウェーハリフト
134 アーム
136 環状ベース
137 下向き壁
138 スパイダクリップ
142 クランプ部分
144 下側部分
150 ノズル
152 ディスペンスアーム
154 アクチュエータ
160 脱イオン水の源
162 エッチング液の源
164 コンピュータ制御装置
170 下側ノズル
172 脱イオン水ノズル
174 アクチュエータ
176 アーム
200 EBR/SRDモジュール
Claims (16)
- 基板をエッチングする装置であって、
容器と、
上記容器内に配置されている基板支持体と、
上記基板支持体に取り付けられている回転アクチュエータと、
上記容器内に配置され、上記基板支持体上に配置されている基板の周縁部分にエッチング液を送給する流体送給アセンブリであって、傾斜した1又はそれ以上ノズルを備えた流体送給アセンブリと、
上記容器内に配置され、リフトプラットフォームと該リフトプラットフォームから半径方向に延びる複数のアームとを備えた、基板リフトアセンブリと、
を備えていることを特徴とする装置。 - 上記基板支持体は、真空チャックを備えていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 上記傾斜した1又はそれ以上のノズルが、上記基板の周縁部分に対して0度乃至45度の入射角により上記エッチング液を送給する、ことを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 上記傾斜した1又はそれ以上のノズルが1又はそれ以上の垂直に整列されたノズル対を備えていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 上記流体送給アセンブリは、エッチング液の源と、脱イオン水の源との間に選択的に接続されることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 上記傾斜した1又はそれ以上のノズルが、エッチング液の源に接続可能な第1の組のノズル、及び、脱イオン水の源に接続可能な第2の組のノズルを備えていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- e)上記容器内に配置され、脱イオン水を上記基板の中心部分に送給する脱イオン水ノズル、
を更に備えていることを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 上記基板リフトアセンブリは、上記アームの先端に配置されている複数のクリップを備えていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 基板をエッチングする方法であって、
リフトプラットフォームと該リフトプラットフォームから半径方向に延びる複数のアームとを備えた回転可能な基板支持体を用いて、基板を回転させるステップと、
傾斜した1又はそれ以上のノズルを有する流体送給アセンブリを用いて、上記基板の周縁部分にエッチング液を送給するステップと、
エッチング後に上記基板に洗浄剤を送給するステップと、
上記基板をスピン乾燥させるステップと、
を含んでいることを特徴とする方法。 - 上記基板は、100rpm乃至1000rpmで回転させることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 上記エッチング液は、上記基板の周縁部分に実質的に接線方向に送給されることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 上記エッチング液は、基板の表面から0°乃至45°の入射角で送給されることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 上記エッチング液は、上記基板の前側及び裏側に送給されることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 上記基板の中心部分に脱イオン水を送給するステップ、
を更に含んでいることを特徴とする請求項9に記載の方法。 - 上記傾斜した1又はそれ以上のノズルが、上記基板の周縁部分に対して10度乃至30度の入射角により上記エッチング液を送給する、請求項1に記載の装置。
- 上記傾斜した1又はそれ以上のノズルが、上記基板の周縁部分に対して10度乃至30度の入射角により上記エッチング液を送給する、請求項12に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
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US7780867B1 (en) * | 1999-10-01 | 2010-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Edge bevel removal of copper from silicon wafers |
KR100436361B1 (ko) * | 2000-12-15 | 2004-06-18 | (주)케이.씨.텍 | 기판 가장자리를 세정하기 위한 장치 |
JP4743735B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2011-08-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2002353181A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-06 | Ses Co Ltd | 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置 |
JP2003006948A (ja) * | 2001-06-15 | 2003-01-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光情報記録媒体の製造方法 |
JP3944368B2 (ja) * | 2001-09-05 | 2007-07-11 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US6786996B2 (en) | 2001-10-16 | 2004-09-07 | Applied Materials Inc. | Apparatus and method for edge bead removal |
US6708701B2 (en) * | 2001-10-16 | 2004-03-23 | Applied Materials Inc. | Capillary ring |
US7138014B2 (en) * | 2002-01-28 | 2006-11-21 | Applied Materials, Inc. | Electroless deposition apparatus |
US6899816B2 (en) * | 2002-04-03 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Electroless deposition method |
US6905622B2 (en) * | 2002-04-03 | 2005-06-14 | Applied Materials, Inc. | Electroless deposition method |
US20030190426A1 (en) * | 2002-04-03 | 2003-10-09 | Deenesh Padhi | Electroless deposition method |
US20030207206A1 (en) * | 2002-04-22 | 2003-11-06 | General Electric Company | Limited play data storage media and method for limiting access to data thereon |
JP4017463B2 (ja) * | 2002-07-11 | 2007-12-05 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄方法 |
KR100518765B1 (ko) * | 2002-08-01 | 2005-10-05 | 주식회사 에이알티 | 웨이퍼 식각 장치 |
US6821909B2 (en) * | 2002-10-30 | 2004-11-23 | Applied Materials, Inc. | Post rinse to improve selective deposition of electroless cobalt on copper for ULSI application |
US20070232072A1 (en) * | 2003-04-18 | 2007-10-04 | Bo Zheng | Formation of protection layer on wafer to prevent stain formation |
US7827930B2 (en) * | 2004-01-26 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates |
US7654221B2 (en) * | 2003-10-06 | 2010-02-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates |
US7465358B2 (en) * | 2003-10-15 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Measurement techniques for controlling aspects of a electroless deposition process |
US20070111519A1 (en) * | 2003-10-15 | 2007-05-17 | Applied Materials, Inc. | Integrated electroless deposition system |
US7064065B2 (en) * | 2003-10-15 | 2006-06-20 | Applied Materials, Inc. | Silver under-layers for electroless cobalt alloys |
US20050095830A1 (en) * | 2003-10-17 | 2005-05-05 | Applied Materials, Inc. | Selective self-initiating electroless capping of copper with cobalt-containing alloys |
TW200530427A (en) * | 2003-10-17 | 2005-09-16 | Applied Materials Inc | Selective self-initiating electroless capping of copper with cobalt-containing alloys |
US7476290B2 (en) * | 2003-10-30 | 2009-01-13 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US7205233B2 (en) * | 2003-11-07 | 2007-04-17 | Applied Materials, Inc. | Method for forming CoWRe alloys by electroless deposition |
US20060003570A1 (en) * | 2003-12-02 | 2006-01-05 | Arulkumar Shanmugasundram | Method and apparatus for electroless capping with vapor drying |
US20050161338A1 (en) * | 2004-01-26 | 2005-07-28 | Applied Materials, Inc. | Electroless cobalt alloy deposition process |
US20050170650A1 (en) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Hongbin Fang | Electroless palladium nitrate activation prior to cobalt-alloy deposition |
US20050181226A1 (en) * | 2004-01-26 | 2005-08-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for selectively changing thin film composition during electroless deposition in a single chamber |
US20060033678A1 (en) * | 2004-01-26 | 2006-02-16 | Applied Materials, Inc. | Integrated electroless deposition system |
US20050230350A1 (en) | 2004-02-26 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication |
US7371312B2 (en) * | 2004-03-31 | 2008-05-13 | Intel Corporation | Using cell voltage as a monitor for deposition coverage |
US20050253268A1 (en) * | 2004-04-22 | 2005-11-17 | Shao-Ta Hsu | Method and structure for improving adhesion between intermetal dielectric layer and cap layer |
KR100568873B1 (ko) * | 2004-11-30 | 2006-04-10 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼의 에지 비드 스트립용 노즐장치 |
US20060240187A1 (en) * | 2005-01-27 | 2006-10-26 | Applied Materials, Inc. | Deposition of an intermediate catalytic layer on a barrier layer for copper metallization |
US20060246699A1 (en) * | 2005-03-18 | 2006-11-02 | Weidman Timothy W | Process for electroless copper deposition on a ruthenium seed |
US7651934B2 (en) | 2005-03-18 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Process for electroless copper deposition |
US20060252252A1 (en) * | 2005-03-18 | 2006-11-09 | Zhize Zhu | Electroless deposition processes and compositions for forming interconnects |
US20060246217A1 (en) * | 2005-03-18 | 2006-11-02 | Weidman Timothy W | Electroless deposition process on a silicide contact |
US20060211237A1 (en) | 2005-03-21 | 2006-09-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for planarizing gap-filling material |
JP4237184B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2009-03-11 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7691559B2 (en) * | 2005-06-30 | 2010-04-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography edge bead removal |
US20070071888A1 (en) * | 2005-09-21 | 2007-03-29 | Arulkumar Shanmugasundram | Method and apparatus for forming device features in an integrated electroless deposition system |
US20070099806A1 (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Stewart Michael P | Composition and method for selectively removing native oxide from silicon-containing surfaces |
US20070099422A1 (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Kapila Wijekoon | Process for electroless copper deposition |
US20070209684A1 (en) * | 2006-03-07 | 2007-09-13 | Applied Materials, Inc. | Copper deposition chamber having integrated bevel clean with edge bevel removal detection |
WO2007111976A2 (en) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for cleaning a substrate |
US8100081B1 (en) | 2006-06-30 | 2012-01-24 | Novellus Systems, Inc. | Edge removal of films using externally generated plasma species |
KR100829923B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2008-05-16 | 세메스 주식회사 | 스핀헤드 및 이를 이용하는 기판처리방법 |
US8580078B2 (en) | 2007-01-26 | 2013-11-12 | Lam Research Corporation | Bevel etcher with vacuum chuck |
US9732416B1 (en) | 2007-04-18 | 2017-08-15 | Novellus Systems, Inc. | Wafer chuck with aerodynamic design for turbulence reduction |
US8174800B2 (en) * | 2007-05-07 | 2012-05-08 | Canon Anelva Corporation | Magnetoresistive element, method of manufacturing the same, and magnetic multilayered film manufacturing apparatus |
JP4593601B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2010-12-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 汚染物質除去方法、半導体製造方法、及び薄膜形成加工装置 |
JP4819010B2 (ja) * | 2007-09-04 | 2011-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置、処理方法および記憶媒体 |
US7867900B2 (en) | 2007-09-28 | 2011-01-11 | Applied Materials, Inc. | Aluminum contact integration on cobalt silicide junction |
US8419964B2 (en) * | 2008-08-27 | 2013-04-16 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for edge bevel removal of copper from silicon wafers |
US8172646B2 (en) * | 2009-02-27 | 2012-05-08 | Novellus Systems, Inc. | Magnetically actuated chuck for edge bevel removal |
JP5840612B2 (ja) | 2009-09-21 | 2016-01-06 | ノボ・ノルデイスク・エー/エス | 針カニューレの化学エッチングのための方法 |
US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
DE102010017751A1 (de) * | 2010-07-06 | 2012-01-12 | Infineon Technologies Bipolar Gmbh & Co. Kg | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Randstruktur eines Halbleiterbauelements |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US8771539B2 (en) | 2011-02-22 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Remotely-excited fluorine and water vapor etch |
US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
US9421617B2 (en) | 2011-06-22 | 2016-08-23 | Tel Nexx, Inc. | Substrate holder |
US8967935B2 (en) | 2011-07-06 | 2015-03-03 | Tel Nexx, Inc. | Substrate loader and unloader |
US8771536B2 (en) | 2011-08-01 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films |
US8679982B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen |
US8679983B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen |
US8927390B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-01-06 | Applied Materials, Inc. | Intrench profile |
US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
WO2013070436A1 (en) | 2011-11-08 | 2013-05-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing |
JP5891085B2 (ja) * | 2012-03-27 | 2016-03-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US8765574B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-07-01 | Applied Materials, Inc. | Dry etch process |
US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
US9064816B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective oxidation removal |
US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
US8801952B1 (en) | 2013-03-07 | 2014-08-12 | Applied Materials, Inc. | Conformal oxide dry etch |
US10170282B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Insulated semiconductor faceplate designs |
US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
US8895449B1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-25 | Applied Materials, Inc. | Delicate dry clean |
US9114438B2 (en) | 2013-05-21 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Copper residue chamber clean |
JP5651744B1 (ja) | 2013-07-04 | 2015-01-14 | 株式会社カイジョー | 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 |
US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
US8956980B1 (en) | 2013-09-16 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon nitride |
US8951429B1 (en) | 2013-10-29 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Tungsten oxide processing |
US9236265B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon germanium processing |
US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
JP6064875B2 (ja) * | 2013-11-25 | 2017-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
US9117855B2 (en) | 2013-12-04 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Polarity control for remote plasma |
US9287095B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
US9263278B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-02-16 | Applied Materials, Inc. | Dopant etch selectivity control |
US9190293B2 (en) | 2013-12-18 | 2015-11-17 | Applied Materials, Inc. | Even tungsten etch for high aspect ratio trenches |
US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9136273B1 (en) | 2014-03-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Flash gate air gap |
US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
US9269590B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation |
US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
US9847289B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-12-19 | Applied Materials, Inc. | Protective via cap for improved interconnect performance |
US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
US9159606B1 (en) | 2014-07-31 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Metal air gap |
US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
US9165786B1 (en) | 2014-08-05 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures |
US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
US9478434B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-10-25 | Applied Materials, Inc. | Chlorine-based hardmask removal |
US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US9299583B1 (en) | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
US9343272B1 (en) | 2015-01-08 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned process |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US9373522B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-06-21 | Applied Mateials, Inc. | Titanium nitride removal |
US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
JP7024307B2 (ja) * | 2017-01-26 | 2022-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜除去装置、塗布膜除去方法及び記憶媒体 |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10875149B2 (en) * | 2017-03-30 | 2020-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method for timed dispensing various slurry components |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
JP7364322B2 (ja) * | 2018-02-23 | 2023-10-18 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
TWI766433B (zh) | 2018-02-28 | 2022-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
EP3594748B1 (en) | 2018-07-09 | 2021-04-14 | C&D Semiconductor Services. Inc | Optimal exposure of a bottom surface of a substrate material and/or edges thereof for cleaning in a spin coating device |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
JP7309485B2 (ja) * | 2019-07-04 | 2023-07-18 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング装置およびエッチング方法 |
DE102021116206B3 (de) | 2021-06-23 | 2022-09-29 | Infineon Technologies Bipolar Gmbh & Co. Kg | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Randstruktur eines Halbleiterbauelements |
KR102573825B1 (ko) | 2023-05-15 | 2023-09-04 | 주식회사 기술공작소바다 | 이비알 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62287625A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-14 | Hitachi Ltd | スピン式エッチング装置 |
JPH02309638A (ja) * | 1989-05-24 | 1990-12-25 | Fujitsu Ltd | ウエハーエッチング装置 |
JPH04263429A (ja) * | 1991-02-18 | 1992-09-18 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH09298181A (ja) * | 1996-05-07 | 1997-11-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板の裏面洗浄装置 |
JP2000269178A (ja) * | 1999-03-15 | 2000-09-29 | Nec Corp | エッチング除去方法および装置と洗浄方法および装置 |
Family Cites Families (101)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3727620A (en) | 1970-03-18 | 1973-04-17 | Fluoroware Of California Inc | Rinsing and drying device |
US3772105A (en) | 1970-07-24 | 1973-11-13 | Shipley Co | Continuous etching process |
US3770598A (en) | 1972-01-21 | 1973-11-06 | Oxy Metal Finishing Corp | Electrodeposition of copper from acid baths |
US4027686A (en) | 1973-01-02 | 1977-06-07 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for cleaning the surface of a semiconductor slice with a liquid spray of de-ionized water |
IT1046971B (it) | 1975-03-11 | 1980-09-10 | Oxy Metal Industries Corp | Begno per l elettrodeposizione di rame e metodo per prepararlo |
US3953265A (en) * | 1975-04-28 | 1976-04-27 | International Business Machines Corporation | Meniscus-contained method of handling fluids in the manufacture of semiconductor wafers |
US3990462A (en) * | 1975-05-19 | 1976-11-09 | Fluoroware Systems Corporation | Substrate stripping and cleaning apparatus |
JPS5271871A (en) | 1975-12-11 | 1977-06-15 | Nec Corp | Washing apparatus |
JPS5819350B2 (ja) | 1976-04-08 | 1983-04-18 | 富士写真フイルム株式会社 | スピンコ−テイング方法 |
US4326940A (en) | 1979-05-21 | 1982-04-27 | Rohco Incorporated | Automatic analyzer and control system for electroplating baths |
US4315059A (en) | 1980-07-18 | 1982-02-09 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Molten salt lithium cells |
US4405416A (en) | 1980-07-18 | 1983-09-20 | Raistrick Ian D | Molten salt lithium cells |
US4336114A (en) | 1981-03-26 | 1982-06-22 | Hooker Chemicals & Plastics Corp. | Electrodeposition of bright copper |
US4376685A (en) | 1981-06-24 | 1983-03-15 | M&T Chemicals Inc. | Acid copper electroplating baths containing brightening and leveling additives |
DE3272891D1 (en) | 1981-10-01 | 1986-10-02 | Emi Ltd | Electroplating arrangements |
US4429983A (en) * | 1982-03-22 | 1984-02-07 | International Business Machines Corporation | Developing apparatus for exposed photoresist coated wafers |
US4439243A (en) * | 1982-08-03 | 1984-03-27 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method of material removal with fluid flow within a slot |
US4439244A (en) | 1982-08-03 | 1984-03-27 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method of material removal having a fluid filled slot |
US4838289A (en) * | 1982-08-03 | 1989-06-13 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for edge cleaning |
US4489740A (en) | 1982-12-27 | 1984-12-25 | General Signal Corporation | Disc cleaning machine |
US4510176A (en) * | 1983-09-26 | 1985-04-09 | At&T Bell Laboratories | Removal of coating from periphery of a semiconductor wafer |
US4518678A (en) | 1983-12-16 | 1985-05-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Selective removal of coating material on a coated substrate |
JPS60210840A (ja) * | 1984-03-06 | 1985-10-23 | Fujitsu Ltd | スピン処理装置 |
US4519846A (en) | 1984-03-08 | 1985-05-28 | Seiichiro Aigo | Process for washing and drying a semiconductor element |
JPS61279858A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | ネガレジスト現像装置 |
US4693805A (en) | 1986-02-14 | 1987-09-15 | Boe Limited | Method and apparatus for sputtering a dielectric target or for reactive sputtering |
US4788994A (en) * | 1986-08-13 | 1988-12-06 | Dainippon Screen Mfg. Co. | Wafer holding mechanism |
US4732785A (en) | 1986-09-26 | 1988-03-22 | Motorola, Inc. | Edge bead removal process for spin on films |
FR2623134B1 (fr) | 1987-11-13 | 1991-08-02 | Salem Ali | Procede technique de decoupe et d'ajourage de plaques metalliques en vue de leur reproduction et incrustation |
US5224504A (en) | 1988-05-25 | 1993-07-06 | Semitool, Inc. | Single wafer processor |
US5230743A (en) | 1988-05-25 | 1993-07-27 | Semitool, Inc. | Method for single wafer processing in which a semiconductor wafer is contacted with a fluid |
US5235995A (en) | 1989-03-27 | 1993-08-17 | Semitool, Inc. | Semiconductor processor apparatus with dynamic wafer vapor treatment and particulate volatilization |
US5092975A (en) | 1988-06-14 | 1992-03-03 | Yamaha Corporation | Metal plating apparatus |
JPH01316936A (ja) | 1988-06-17 | 1989-12-21 | Toshiba Corp | 半導体基板エッチング処理装置 |
US5316974A (en) | 1988-12-19 | 1994-05-31 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit copper metallization process using a lift-off seed layer and a thick-plated conductor layer |
JPH02253620A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体基板の洗浄装置 |
JP2803143B2 (ja) * | 1989-04-14 | 1998-09-24 | カシオ計算機株式会社 | 半導体ウエハのメッキ前処理方法 |
US5039381A (en) | 1989-05-25 | 1991-08-13 | Mullarkey Edward J | Method of electroplating a precious metal on a semiconductor device, integrated circuit or the like |
US5162260A (en) | 1989-06-01 | 1992-11-10 | Hewlett-Packard Company | Stacked solid via formation in integrated circuit systems |
US5055425A (en) | 1989-06-01 | 1991-10-08 | Hewlett-Packard Company | Stacked solid via formation in integrated circuit systems |
US5155336A (en) | 1990-01-19 | 1992-10-13 | Applied Materials, Inc. | Rapid thermal heating apparatus and method |
JP2841618B2 (ja) | 1990-01-25 | 1998-12-24 | 日本電気株式会社 | ウェットエッチング装置 |
US5222310A (en) | 1990-05-18 | 1993-06-29 | Semitool, Inc. | Single wafer processor with a frame |
US5259407A (en) | 1990-06-15 | 1993-11-09 | Matrix Inc. | Surface treatment method and apparatus for a semiconductor wafer |
US5252807A (en) | 1990-07-02 | 1993-10-12 | George Chizinsky | Heated plate rapid thermal processor |
US5368711A (en) | 1990-08-01 | 1994-11-29 | Poris; Jaime | Selective metal electrodeposition process and apparatus |
US5256274A (en) | 1990-08-01 | 1993-10-26 | Jaime Poris | Selective metal electrodeposition process |
JPH0810686B2 (ja) * | 1990-09-14 | 1996-01-31 | 株式会社東芝 | 半導体基板エッチング処理装置 |
CA2059841A1 (en) | 1991-01-24 | 1992-07-25 | Ichiro Hayashida | Surface treating solutions and cleaning method |
DE4109955A1 (de) | 1991-03-26 | 1992-10-01 | Siemens Ag | Verfahren zum nasschemischen aetzen einer wolframrueckseitenbeschichtung auf einer halbleiterscheibe |
JPH04363022A (ja) * | 1991-06-06 | 1992-12-15 | Enya Syst:Kk | 貼付板洗浄装置 |
JPH0513322A (ja) * | 1991-07-09 | 1993-01-22 | Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk | 被膜溶剤塗布装置 |
JPH06124887A (ja) * | 1991-09-27 | 1994-05-06 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法及びこれに使用できる基板洗浄装置 |
JPH0715897B2 (ja) | 1991-11-20 | 1995-02-22 | 株式会社エンヤシステム | ウエ−ハ端面エッチング方法及び装置 |
JPH05160104A (ja) | 1991-12-05 | 1993-06-25 | Fujitsu Ltd | 半導体ウェーハのウェット処理方法及びウェット処理装置 |
DE4202194C2 (de) | 1992-01-28 | 1996-09-19 | Fairchild Convac Gmbh Geraete | Verfahren und Vorrichtung zum partiellen Entfernen von dünnen Schichten von einem Substrat |
JP2528413B2 (ja) * | 1992-02-03 | 1996-08-28 | オリジン電気株式会社 | 不要塗膜の剥離方法及び装置 |
JP2654314B2 (ja) | 1992-06-04 | 1997-09-17 | 東京応化工業株式会社 | 裏面洗浄装置 |
JPH0617291A (ja) | 1992-07-03 | 1994-01-25 | Nec Corp | 金属めっき装置 |
US5328589A (en) | 1992-12-23 | 1994-07-12 | Enthone-Omi, Inc. | Functional fluid additives for acid copper electroplating baths |
US5718813A (en) | 1992-12-30 | 1998-02-17 | Advanced Energy Industries, Inc. | Enhanced reactive DC sputtering system |
JP3277404B2 (ja) * | 1993-03-31 | 2002-04-22 | ソニー株式会社 | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
JP3247211B2 (ja) | 1993-08-02 | 2002-01-15 | 富士通株式会社 | 配線用銅膜表面の酸化銅除去方法 |
US5608943A (en) | 1993-08-23 | 1997-03-11 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for removing process liquid |
US5415890A (en) | 1994-01-03 | 1995-05-16 | Eaton Corporation | Modular apparatus and method for surface treatment of parts with liquid baths |
US5625170A (en) | 1994-01-18 | 1997-04-29 | Nanometrics Incorporated | Precision weighing to monitor the thickness and uniformity of deposited or etched thin film |
JP3377849B2 (ja) | 1994-02-02 | 2003-02-17 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | ウエーハ用メッキ装置 |
US5651865A (en) | 1994-06-17 | 1997-07-29 | Eni | Preferential sputtering of insulators from conductive targets |
US5753133A (en) * | 1994-07-11 | 1998-05-19 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Method and apparatus for etching film layers on large substrates |
JPH0837143A (ja) | 1994-07-25 | 1996-02-06 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体処理装置 |
KR960006409U (ko) * | 1994-07-26 | 1996-02-17 | 무선전화기의 안테나 장착 장치 | |
US5705223A (en) | 1994-07-26 | 1998-01-06 | International Business Machine Corp. | Method and apparatus for coating a semiconductor wafer |
JPH0878378A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-03-22 | Toshiba Corp | 半導体基板の表面処理方法 |
JPH08195370A (ja) * | 1995-01-13 | 1996-07-30 | Sony Corp | エッジクリーン方法 |
JP3137873B2 (ja) | 1995-06-27 | 2001-02-26 | 株式会社日立製作所 | 半導体ウェハシールエッチング装置 |
JPH0969509A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-03-11 | Matsushita Electron Corp | 半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置及びその使用方法 |
JP3447869B2 (ja) * | 1995-09-20 | 2003-09-16 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄方法及び装置 |
US5807469A (en) | 1995-09-27 | 1998-09-15 | Intel Corporation | Flexible continuous cathode contact circuit for electrolytic plating of C4, tab microbumps, and ultra large scale interconnects |
TW357406B (en) * | 1996-10-07 | 1999-05-01 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for cleaning and drying a substrate |
US6114254A (en) * | 1996-10-15 | 2000-09-05 | Micron Technology, Inc. | Method for removing contaminants from a semiconductor wafer |
US5937469A (en) * | 1996-12-03 | 1999-08-17 | Intel Corporation | Apparatus for mechanically cleaning the edges of wafers |
TW345681B (en) * | 1996-12-13 | 1998-11-21 | Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd | Method for removing covering layer on the peripheral edge portion of wafer |
KR19980065672A (ko) * | 1997-01-14 | 1998-10-15 | 김광호 | 기판 에지 불순물 제거 방법 |
JP3300624B2 (ja) * | 1997-01-24 | 2002-07-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板端面の洗浄方法 |
KR100249309B1 (ko) * | 1997-02-28 | 2000-03-15 | 윤종용 | 반도체 제조용 포토 레지스트 코팅 장치 |
TW419716B (en) * | 1997-04-28 | 2001-01-21 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus |
AT407806B (de) * | 1997-05-23 | 2001-06-25 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Anordnung zum behandeln wafer-förmiger gegenstände, insbesondere von siliziumwafern |
US5783097A (en) * | 1997-06-09 | 1998-07-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Process to avoid dielectric damage at the flat edge of the water |
US6017437A (en) | 1997-08-22 | 2000-01-25 | Cutek Research, Inc. | Process chamber and method for depositing and/or removing material on a substrate |
TW385489B (en) * | 1997-08-26 | 2000-03-21 | Tokyo Electron Ltd | Method for processing substrate and device of processing device |
JP3469788B2 (ja) * | 1997-08-26 | 2003-11-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜除去方法及びその装置 |
US6159354A (en) | 1997-11-13 | 2000-12-12 | Novellus Systems, Inc. | Electric potential shaping method for electroplating |
US6179983B1 (en) | 1997-11-13 | 2001-01-30 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for treating surface including virtual anode |
US5897379A (en) * | 1997-12-19 | 1999-04-27 | Sharp Microelectronics Technology, Inc. | Low temperature system and method for CVD copper removal |
US6117778A (en) * | 1998-02-11 | 2000-09-12 | International Business Machines Corporation | Semiconductor wafer edge bead removal method and tool |
JPH11288903A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-10-19 | Memc Kk | シリコンウエハのエッジ鏡面化方法 |
DE69929967T2 (de) | 1998-04-21 | 2007-05-24 | Applied Materials, Inc., Santa Clara | Elektroplattierungssystem und verfahren zur elektroplattierung auf substraten |
US6258220B1 (en) | 1998-11-30 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition system |
US6290865B1 (en) | 1998-11-30 | 2001-09-18 | Applied Materials, Inc. | Spin-rinse-drying process for electroplated semiconductor wafers |
US6254760B1 (en) | 1999-03-05 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition system and method |
US6309981B1 (en) | 1999-10-01 | 2001-10-30 | Novellus Systems, Inc. | Edge bevel removal of copper from silicon wafers |
-
1999
- 1999-07-09 US US09/350,212 patent/US6516815B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-07-05 EP EP00305662A patent/EP1067591A3/en not_active Withdrawn
- 2000-07-06 TW TW089113447A patent/TW455920B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-07-07 SG SG200003818A patent/SG80684A1/en unknown
- 2000-07-07 KR KR1020000038869A patent/KR100717445B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-07-07 JP JP2000245286A patent/JP4603136B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62287625A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-14 | Hitachi Ltd | スピン式エッチング装置 |
JPH02309638A (ja) * | 1989-05-24 | 1990-12-25 | Fujitsu Ltd | ウエハーエッチング装置 |
JPH04263429A (ja) * | 1991-02-18 | 1992-09-18 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH09298181A (ja) * | 1996-05-07 | 1997-11-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板の裏面洗浄装置 |
JP2000269178A (ja) * | 1999-03-15 | 2000-09-29 | Nec Corp | エッチング除去方法および装置と洗浄方法および装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100717445B1 (ko) | 2007-05-14 |
SG80684A1 (en) | 2001-05-22 |
EP1067591A3 (en) | 2004-03-24 |
US6516815B1 (en) | 2003-02-11 |
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KR20010049738A (ko) | 2001-06-15 |
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