KR20010049738A - 에지 비드 제거형/회전형 세척의 건조(ｅｂｒ／ｓｒｄ)모듈 - Google Patents

에지 비드 제거형/회전형 세척의 건조(ｅｂｒ／ｓｒｄ)모듈 Download PDF

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KR20010049738A
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조셉 제이. 스위니
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Abstract

본 발명은 기판을 에칭하는 장치에 제공하는 것이며, 상기 장치는 용기; 용기내에 배열된 기판 지지부; 기판 지지부에 부착된 회전 작동기; 및 기판 지지부상에 배열된 기판의 원주부에 에칭제를 전달하도록 용기내에 배치된 유체 전달 조립체로 구성된다. 바람직하게도, 기판 지지부는 진공 척으로 구성되며, 유체 전달 조립체는 하나 이상의 노즐로 구성된다.
또한, 본 발명은 기판을 에칭하는 방법을 제공하는 것이며, 상기 방법은 회전형 기판 지지부상에 위치된 기판을 회전시키는 단계와; 상기 기판의 원주부에 에칭제를 전달하는 단계로 구성된다. 바람직하게도, 상기 기판은 약 100rpm 내지 1000rpm사이로 회전되며, 에칭제는 기판의 표면으로 부터 약 0°내지 45°사이의 입사각으로 기판의 원주부에 거의 경사되는 방향으로 전달된다.

Description

에지 비드 제거형/회전형 세척의 건조(ＥＢＲ／ＳＲＤ)모듈 {EDGE BEAD REMOVAL/SPIN RINSE DRY (EBR/SRD) MODULE}
본 발명은 전기-화학 증착 또는 전기도금 장치에 관한 것이다. 보다 상세히 기술하면, 본 발명은 기판의 주변부로부터의 증착을 제거하기 위한 장치이다.
서브-콰터 미크론(sub-quarter micron), 멀티-레벨 금속화(multi-level metallization)는 극초대규모 집적회로(ULSI) 다음세대의 중요한 기술들중의 하나이다. 상기 멀티레벨은 콘택츠, 바이어스, 라인들 및 다른 피쳐(features)를 포함하여 높은 종횡비를 갖는 구멍으로 형성되는 상호접촉 피쳐(interconnect features)들의 평탄화에 필요한 기술들중에 가장 중요한 기술이다. 상기 상호접속 피쳐들의 신뢰할만한 형태는 ULSI의 성공에 매우 중요하며, 각 기판상의 회로 밀도 및 질을 증가시키기 위해 계속하여 노력중에 있다.
회로 밀도가 증가함에 따라, 바이어스, 콘택츠, 및 다른 피쳐들의 크기 이외에 이들사이의 유전체 물질들의 너비는 250나노미터들보다 작게 감소되는 반면에, 유전층의 두께는 거의 일정하게 남아 있으며, 그 결과 피쳐들의 종횡비, 예를들어 높이를 너비로 나눈 값은 증가하게 된다. 물리적인 기상 증착(PVD) 및 화학적인 기상 증착(CVD)과 같은 많은 통상의 증착 공정은 종횡비가 4:1을 초과하고 특히 10:1을 초과하는 어려운 충전 구조를 갖게 된다. 그러므로, 피쳐 높이 대 피쳐 너비의 비가 4 : 1 또는 이보다 높게 되는 비율의 종횡비를 갖는 나노미터 크기의 피쳐, 및 무공극(void-free)의 형태를 항해 계속적으로 노력하고 있다. 추가적으로, 피쳐의 너비가 감소됨에 따라, 장치는 일정하게 되거나 증가하게 되며, 결국 피쳐에서 전류 밀도를 증가시킨다.
알류미늄이 낮은 전기전항, 실리콘 다이옥사이드(SiO2)에 대한 우수한 부착력, 용이한 패턴 형성 및 용이하게 높은 순도의 형태를 얻는 성질등을 갖고 있기 때문에, 알류미늄(Al) 및 그 합금들은 반도체 공정에서 라인 및 플러그를 형성하도록 통상의 금속을 구비한다. 그러므로, 알류미늄은 유리와 같은 다른 유전체 물질보다 높은 전기 저항을 갖고 있으며, 도체에서 공극의 형성을 일으키는 일렉트로마이그레이션(electromigration)으로 부터 단점을 갖게 된다.
구리 및 그 합금들은 알류미늄보다 낮은 저항들을 구비하며, 알류미늄에 비해 상당히 높은 일렉트로마이그레이션 저항을 갖게 된다. 이러한 특징적인 성질들은 높은 집적 레벨에서 얻게되는 높은 전류 밀도를 지지하기 위해 중요하며, 장치의 속도를 증가한다. 구리는 양호한 열전도성을 구비하며 높은 순도의 상태에서 이용 가능하게 된다. 그러므로, 구리는 반도체 기판에 높은 종횡비를 갖는 상호접속 특징, 서브-콰터 미크론을 채우는 선택 금속으로 된다.
반도체 장치의 제조용 구리를 바람직하게 이용함에도 불구하고, 0.35μ(또는 이보다 작게)의 너비를 갖으며, 4:1 정도의 매우높은 종횡비의 피쳐 속으로 구리를 증착하는 제조방법의 선택은 한정된다. 이러한 공정의 한계치에 대한 결과로서, 회로기판상에 라인의 제조에 대해 이미 한정되는 평판화 작업은 반도체 장치에서 바이어스 및 콘택츠를 채우기 위해 바로 이용된다.
금속의 전기도금이 일반적으로 공지되어 있으며, 다양한 기술들에 의해서 얻어진다. 통상의 방법은 피쳐 표면위로 배리어 층을 적층하는 물리적인 기상, 전도성 금속 층 바람직하게는 구리를 배리어층위로 증착하는 물리적인 기상을 구비하며, 상기 증착후 상기 기상은 구조/피쳐를 채우기 위해 시드층위로 전도성 금속을 전기도금한다. 최종적으로, 적층된 층 및 유전 층들이 전도성 상호 접속을 한정하기 위해 화학적인 기계 폴리싱(CMP)에 의해서 극성화된다.
도 1은 접촉 핀들과 결합하는 단순화된 통상의 기초 플레이터(10)의 단면도를 나타낸다. 일반적으로, 기초 플레이터(10)는 상부 개구를 갖는 전해질 용기(12), 상기 전해질 용기(12)위에 배치된 기판 호울더(14), 전해질 용기(12)의 하부에 배치된 양극(16) 및 기판(22)과 접촉하는 접촉 링(20)을 포함한다. 다수의 홈(24)들이 기판 호울더(14)의 하부면에 형성된다. 진공 펌프(도시되지 않음)가 기판 호울더(14)와 결합되며, 홈(24)에 연결되어 공정처리중에 기판 호울더(14)에 기판(22)을 고정할수 있는 진공상태를 형성한다. 상기 접촉 링(20)은 중앙 기판의 평평한 면을 형성하기 위해 기판(22)의 원주부에 대해 분배되는 금속 또는 반-금속의 복수의 접촉 핀(26)들을 구비한다. 다수의 접촉 핀(26)들은 기판(22)의 좁은 원주부위로 반경방향의 내향으로 연장되며, 접촉 핀(26)의 선단부에서 기판의 전도성 시드층과 접촉하게 된다. 동력 공급원(도시되지 않음)이 핀(26)에 부착되어 전기적인 바이어스를 기판(22)에 제공한다. 상기 기판(22)은 원통형 전해질 용기(12)위로 위치되며, 전해질 유동은 셀(10)의 작동중에 기판의 편평한 면에 직각으로 충돌하게 된다.
전기 도금 공정에서 발생되는 중요한 문제점은 시드층의 에지가 전기도금 공정중에 통상 에지 비드로 불리는 과도한 증착물을 받게 되는 것이다. 도 2는 시드층(34)의 에지(32)에서 과도한 증착(36)을 보여주는 웨이퍼(30)의 에지의 단면도이다. 도 2에 도시된바와 같이, 웨이퍼(30)는 그위에 시드층(32)이 증착되며, 시드층(34)위로 전기화학적으로 증착되는 전기도금된 층(38)이 형성되어 있다. 시드층(34)의 에지(32)는 시드층(34)의 나머지 부분보다 높은 전류 밀도를 받으며, 그 결과 시드층(34)의 에지(32)에서 증착율이 높아진다. 또한, 시드층(34)의 에지(32)에서 기계적인 응력은 시드층(34)의 나머지 부분보다 크며, 그결과 시드층의 에지에서의 증착이 웨이퍼(30)의 에지로 당겨지고, 이로부터 멀리 이동되기도 한다. 과도한 증착(34)은 CMP공정에 의해서 통상적으로 제거된다. 그러나, CMP공정중에 웨이퍼의 에지에서 과도한 증착(36)은 시드층의 에지로 부터 통상 벗겨지며, 웨이퍼의 인접부분도 파손되게 한다. 파손된 금속은 웨이퍼 상에 형성된 장치를 파손하게 된다. 그래서, 적절히 형성된 다수의 장치의 사용은 감소되며, 형성되는 장치의 단가는 증가하게 된다.
그러므로, 웨이퍼의 에지에서 과도한 증착을 형성하기 위한 장치가 필요하게 된다. 바람직하게도, 상기 장치는 웨이퍼 표면상에 형성된 장치에 손해를 주지 않으면서 웨이퍼의 에지에서 과도한 증착이 제거된다. 본 발명의 장치는 과도한 증착이 웨이퍼로 부터 제거된후 회전형-세척-건조 공정과 같은 웨이퍼 세정공정을 수행하기 위해 매우 바람직하게 적용된다.
본 발명은 웨이퍼의 에지에서 증착을 제거하기 위한 장치 및 방법을 제거하는 것이다. 본 발명에 따른 장치는 웨이퍼의 표면상에 형성된 장치를 파손시키지 않으면서 웨이퍼의 에지에 증착물을 제거한다.
도 1은 접촉 핀들과 결합되어 있는 단순화된 통상의 기초 플레이터(10)의 단면도.
도 2는 시드 층(34)의 에지(32)에서 초과 증착(36)을 나타내는 웨이퍼(30)의 에지의 단면도.
도 3은 기판의 에지로부터 초과 적층을 제거하기 위한 공정처리 위치에서 증착되는 기판의 위치를 나타내는, 본 발명의 에지 비드 제거형(EBR, edge bead removal)모듈의 측면도.
도 4는 에지 비드 제거를 위한 노즐 위치의 한 실시예를 나타내는 EBR 모듈의 개략적인 평면도.
도 5는 공정처리되는 웨이퍼(122)에 대해 배치되는 노즐(150)의 측면도.
도 6은 유체 유입구들 사이에 수직으로 배치된 공정처리 위치에서 기판을 나타내는 결합형 에지 비드 제거형/스핀-세척-건조(EBR/SRD)모듈의 단면도.
본 발명의 한 목적은 기판을 에칭하는 장치에 제공하는 것이며, 상기 장치는 용기; 용기내에 배열된 기판 지지부; 기판 지지부에 부착된 회전 작동기; 및 기판 지지부상에 배열된 기판의 원주부에 에칭제를 전달하도록 용기내에 배치된 유체 전달 조립체로 구성된다. 바람직하게도, 기판 지지부는 진공 척으로 구성되며, 유체 전달 조립체는 하나 이상의 노즐로 구성된다.
본 발명의 다른 목적은 기판을 에칭하는 방법을 제공하는 것이며, 상기 방법은 회전형 기판 지지부상에 위치된 기판을 회전시키는 단계와; 상기 기판의 원주부에 에칭제를 전달하는 단계로 구성된다. 바람직하게도, 상기 기판은 약 100rpm 내지 1000rpm사이로 회전되며, 에칭제는 기판의 표면으로 부터 약 0°내지 45°사이의 입사각으로 기판의 원주부에 거의 경사되는 방향으로 전달된다.
본 발명의 또다른 목적은 웨이퍼의 에지에서 과도한 증착을 제거하는 장치를 제공하는 것이며, 상기 장치는 과도한 증착이 웨이퍼로 부터 제거된후 회전형-세척-건조 공정과 같은 웨이퍼 세정공정을 수행하기 위해 적용된다. 상기 장치는 용기; 용기내에 배열된 기판 지지부; 기판 지지부에 부착된 회전 작동기; 에칭제를 기판 지지부상에 배열된 기판의 원주부에, 탈이온수와 같은 세척액을 기판의 표면상에 선택적으로 전달하도록 용기내에 배치된 유체 전달 조립체로 구성된다.
본 발명의 상술된 장점 및 특징은 상술된 구성에 의해서 도달될수 있으며, 본 발명을 보다 잘 이해할수 있도록 첨부된 도면을 참조하여 하기에 바람직한 실시예를 기술한다.
그러나, 첨부된 도면들은 단지 본 발명의 통상의 실시예만을 기술한 것이지, 본 발명의 영역을 한정하는 것은 아니다. 따라서, 본 발명의 영역을 벗어나지 않으면서 하기에 기술되는 실시예와 다른 실시예가 실시될 수도 있다.
도 3은 기판의 에지로부터 초과 증착을 제거하기 위한 공정처리 위치에서 증착되는 기판을 나타내는, 본 발명의 에지 비드 제거형(EBR, edge bead removal)모듈의 측면도이다. 상기 EBR 모듈(100)은 직립형-단일 유닛으로 구성되거나, 전기-화학적인 증착 시스템 또는 다른 증착 시스템들중의 한 구성요소로서 배열된다. 상기 EBR 모듈(100)은 용기(102), 웨이퍼 호울더 조립체(104) 및 유체/화학적인 전달 조립체(106)를 구비한다. 상기 용기(102)는 원통형 측벽(108), 중앙 개구(112)를 갖는 용기 바닥(110), 중앙 개구(112)의 원주 에지로 부터 상부로 연장하는 뒤집혀진 형태의 내부 벽(114)을 포함한다. 유체의 유출구(116)는 EBR 모듈(100)로 부터 사용된 유체 및 화학물질이 용이하게 배출되도록 용기 바닥(110)에 연결된다,
웨이퍼 호울더 조립체(104)는 중앙 개구(112)위에 배열되며, 중앙 개구(112)를 통해 연장되는 회전 조립체(120)와 상승(lift)조립체(118)를 포함한다. 상기 상승 조립체(118)는 벨로우즈-형 상승 또는 안내-나사 계단형 모터식 상승 조립체로 구성되며, 이것은 종래 기술에서 널리 공지되어 있으며, 상업적으로도 이용가능하다. 상승 조립체(118)는 다양한 수직 위치들 사이에서 웨이퍼 호울더 조립체(104)상에 웨이퍼(122)를 용이하게 전달하여 위치설정한다. 회전 조립체(120)는 상승 조립체하에 부착된 회전식 모터를 구비하는 것이 바람직하다. 상기 회전 조립체(120)는 에지 비드의 제거 공정중에 웨이퍼(122)를 회전시킨다. 웨이퍼 호울더 조립체(104)는 웨이퍼의 후방으로 부터 웨이퍼(122)를 고정하며 웨이퍼 에지(126)를 방해하지 않는 진공 척(124)을 구비한다. 바람직하게도, 압축형 O-링과 같은 환형 시일(128)이 진공 척 표면의 주변부에 배치되어 에지 비드의 제거 공정중에 사용되는 유체 및 화학물질로 부터 진공 척(124)을 밀봉한다. 웨이퍼 호울더 조립체(104)는 이송 로봇의 로봇 블레이드로부터의 웨이퍼를 웨이퍼 호울더 조립체(104)위로 용이하게 이동시키는 웨이퍼 리프트(lift, 130)를 포함한다. 도 3에 도시된바와 같이, 웨이퍼 리프트(130)는 회전-세척-건조 공정중에 웨이퍼를 고정하는데 사용되는 스파이더 클립 조립체를 구비한다. 상기 스파이더 클립 조립체는 환형 베이스(136)로 부터 연장되는 다수의 아암(134)과, 아암(134)의 말단부(134)에 피봇 회전가능하게 위치된 스파이더 클립(138)으로 구성된다. 상기 환형 베이스(136)는 용기(102)내의 공정처리중에 사용되는 유체를 포함하도록 상기 내부 벽(114)을 오버랩하는 하부 연장 벽(137)을 포함한다. 상기 스파이더 클립(138)은 웨이퍼를 수용하기 위한 상부면(140), 웨이퍼를 클램프하기 위한 클램프부(142), 하부(144)로 구성되며, 상기 하부(144)는 웨이퍼 호울더 조립체가 회전될때 원심력에 의해 웨이퍼의 에지에 클램프부(142)를 결합시킨다. 선택적으로, 웨이퍼 리프트(130)는 다양한 웨이퍼 공정 장치에서 통상 사용되는 웨이퍼 리프트로 구성되며, 진공 척 바디내에 또는 주변상의 상승 링, 또는 상승 플랫포옴상에 배치된 리프트 테(hoop) 또는 상승 핀 셋트와 같은 형태로 형성된다.
유체/화학물의 전달 조립체(106)는 하나 이상의 분배 아암(152)상에 배치된 하나 이상의 아암(150)을 구비한다. 분배 아암(152)은 작동기(154)에 부착된 용기 측벽(108)을 통해 연장되며, 상기 작동기(154)는 기판(122)위로 노즐(150)의 위치를 변화하도록 연장 및 후퇴시킨다. 연장형 분배 아암(152)을 구비하므로서, 노즐은 웨이퍼의 내부로 부터 웨이퍼의 에지를 항해 노즐을 포인트하도록 웨이퍼위로 위치설정된다. 선택적으로, 분배 아암(152)은 용기 측벽(108)에 고정되게 부착되며, 노즐(150)은 용기(102)에서 수직의 웨이퍼 이동을 방해하지 않는 위치에서 분배 아암에 고정된다.
바람직하게도, 분배 아암(152)은 노즐(150)을 에칭제 공급원에 연결시키기 위해 분배 아암을 통해 연장되는 하나 이상의 도관을 포함한다. 다양한 에칭제(etchant)들로는 질산 및 다른 이용가능한 산(acid)등이 기판으로 부터 증착된 금속을 제거하기 위해 본 기술분야에서 널리 사용되는 것이 공지되어 있다. 선택적으로, 노즐(150)은 분배 아암(152)에서 도관을 통해 배치된 굽힘성 튜빙(156)을 통해 연결된다. 바람직하게도, 노즐(150)은 웨이퍼의 상부 에지면 및 하부에지면 각각에 유체/화학물질을 전달하도록 웨이퍼의 상부 및 하부 위치에서 쌍 배열로 위치된다. 상기 노즐(150)은 탈 이온수 공급원(160) 및 에칭제 공급원(162)과 같은 하나 이상의 화학적인/유체 공급원에 선택적으로 연결된다. 컴퓨터 콘트롤(164)은 소정의 프로그램에 따라 하나 이상의 유체 공급원 사이의 연결부를 스위치한다. 선택적으로, 노즐의 제 1 셋트들은 탈이온수 공급원에 연결되고, 노즐의 제 2 셋트는 에칭제 공급원에 연결되며, 노즐들은 유체를 웨이퍼에 제공하기 위해 선택적으로 작동된다.
바람직하게는, 노즐(150)들은 거의 경사방향에서 웨이퍼의 원주 가까이 유체를 제공하도록 각을 이룬 상태로 배열된다. 도 4는 에지 비드의 제거를 위해 노즐 위치들의 한 실시예를 나타내는 EBR 모듈의 개략적인 평면도이다. 도시된바와 같이, 3개의 노즐(150)들은 용기 측벽(108)의 내부 표면에 대해 균등하게 이격되어 배열된다. 각 노즐(150)은 웨이퍼의 에지부에 유체를 제공하도록 배열되며, 공정처리 위치 및 이송 위치사이의 수직 웨이퍼 이동을 허용하도록 충분한 공간을 제공하게 위치된다. 바람직하게도, 유체의 유동 또는 스프레이 패턴은 노즐의 형태 및 유압에 의해서 제어되어 선택된 에지 제외 영역으로의 유체의 이송을 제한한다. 예를들어, 에칭제는 3mm의 에지 제외부분을 얻기 위해 웨이퍼의 3mm 외부 환형부로 제한을 받게 된다. 노즐들은 에칭제가 웨이퍼와 접촉할때 에칭제의 스플래싱을 제어하는 웨이퍼의 표면에 입사각도로 에칭제를 제공하도록 위치설정된다. 도 5는 공정처리되는 웨이퍼(122)에 대해 배열된 노즐(150)의 측면도를 나타낸다. 바람직하게도, 웨이퍼에 대한 에칭제의 입사각도 α는 약 0도 내지 45도 사이에 있으며, 보다 바람직한 각도는 10 내지 30도이다.
웨이퍼(122)는 웨이퍼의 원주부에서 에칭제에 거의 동일한 노출을 제공하도록 에지 비드의 제거 공정 중에 회전된다. 바람직하게도, 웨이퍼(122)는 에지 비드의 제거를 용이하게 하기 위해 에칭제 스프레이 패턴의 방향과 동일한 방향으로 회전된다. 예를들어, 도 4에 도시된바와 같이, 웨이퍼는 반-시계방향의 스프레이 패턴에 대응하는 반-시계 방향(화살표 A)으로 회전된다. 웨이퍼는 약 100 rpm 내지 1000 rpm으로 회전하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 500 rpm 내지 700 rpm으로 회전한다. 효과적인 에치율(제거되는 구리의 량을 제거에 필요한 시간으로 나눔)은 웨이퍼의 회전속도, 에칭제의 온도, 웨이퍼 에지와 접촉하는 에칭제의 속도, 및 에칭제의 에치율의 함수이다. 상기 매개변수들은 다양화될수 있으므로 특정의 바람직한 결과를 얻을수 있다.
작업중에, 웨이퍼(122)는 EBR 모듈(100)의 웨이퍼 호울더 조립체(104)위에 위치되며, 웨이퍼 리프트(130)는 이송 로봇 블레이드로 부터 웨이퍼를 벗어나게 상승시킨다. 로봇 블레이드는 후퇴되며, 웨이퍼 리프트(130)는 진공 척(124)위로 웨이퍼를 하강시킨다. 진공 시스템은 표면위에 웨이퍼를 고정하도록 작동하며, 표면에 웨이퍼가 배치된 웨이퍼 호울더 조립체(104)는 노즐(150)이 웨이퍼(122)의 원주부위로 에칭제를 전달할때 회전된다. 상기 에칭 공정은 웨이퍼 에지상의 과도한 증착(예를들어, 에지 비드)을 제거하는 데 필요한 소정의 시간동안 수행된다. 웨이퍼는 회전형-세척-건조 공정에서 탈이온수를 이용하여 바람직하게 세정된다. 회전형-세척-건조 공정은 웨이퍼로부터 남아 있는 에칭제를 세척하기 위해 웨이퍼에 탈이온수를 통상적으로 전달하는 것과, 웨이퍼를 건조시키기 위해 고속으로 웨이퍼를 회전시키는 것을 수반한다. 이후, 웨이퍼는 에지 비드의 제거 공정 및 회전형-세척공정후에 EBR 모듈(100)로 부터 이송되며, 열 풀림(thermal anneal)처리와 같은 다른 공정 및 다른 웨이퍼 공정을 위해 준비하고 있다.
도 6은 유체 유입구 사이에 수직으로 배치된 공정처리 위치에서 기판을 나타내는 결합된 에지 비드 제거형/회전-세척-건조 모듈의 단면도를 나타낸다. 본 발명의 실시예는 에지 비드의 제거(EBR)공정 및 회전형-세척 건조(SRD)모두에 유용하다. EBR/SRD 모듈(100)의 구성요소들은 상술된 EBR 모듈(100)의 구성요소들과 유사하며, 동일한 구성요소에는 동일한 도면번호를 병기한다. 상기 EBR 모듈(100)의 구성부품 이외에 EBR/SRD 모듈(200)은 웨이퍼 아래 위치에서 배열되며, 바람직하게는 노즐(150)의 위치에 대응하게 수직으로 정렬되는 하부의 추가 노즐(170)셋트를 구비한다. 하부 노즐(170)들은 탈이온수 공급원(160) 및 에칭제 공급원(162)에 선택적으로 연결되며, 노즐(170)에 의해 전달되는 유체는 제어기(164)에 의해서 제어된다. 바람직하게도, 상기 노즐(170)들은 웨이퍼의 후방측의 원주부에 유체를 전달하도록 되어 있다. 하부 노즐(170)들은 웨이퍼 리프트(130)의 이동을 방해하지 않는 위치에서 바람직하게 배열된다. 하부 노즐(170)은 아암(176)을 통해 작동기(174)에 부착되며, 상기 아암(176)은 소정의 위치에 노즐(170)을 위치시키기 위해 후퇴하고 연장된다. 선택적으로, 웨이퍼 리프트(130)는 하부 노즐(170)을 방해하지 않도록 공정처리중에 회전되지 않는다. 상기 EBR/SRD 모듈(200)은 웨이퍼의 상부면의 중앙부분에 탈이온수를 전달하도록 배열된 탈이온수 노즐(172)을 포함한다.
작동중에, 상기 노즐(150,170)은 웨이퍼의 상부면 및 하부면을 포함하는 웨이퍼의 원주부에 에칭제를 전달하여 에지 비드의 제거 공정을 수행한다. 바람직하게도, 탈이온수 노즐(172)은 에지 비드의 제거 공정중에 웨이퍼의 중앙부에 탈이온수를 전달하여 에칭제에 의해서 부주의한 에칭을 방지한다. 상기 에칭제는 웨이퍼 표면의 중앙부위로 스플래시된다. 회전형-세척-건조 공정을 위해, 모든 노즐(150, 170, 172)들은 웨이퍼가 회전할때 웨이퍼를 세척하기 위해 탈이온수를 전달한다.
본 발명의 바람직한 실시예가 상술되었지만, 본 발명의 다른 실시예들이 첨부된 청구범위에 의해서 결정되는 영역 및 사상을 벗어나지 않으면서 실시될수 있다.

Claims (18)

  1. 기판을 에칭하는 장치에 있어서,
    용기와;
    용기내에 배열된 기판 지지부;
    기판 지지부에 부착된 회전 작동기; 및
    기판 지지부상에 배열된 기판의 원주부에 에칭제를 전달하도록 용기내에 배치된 유체 전달 조립체로 구성되는 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기판 지지부가 진공 척으로 구성되는 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 유체 전달 조립체가 하나 이상의 노즐로 구성되는 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 유체 전달 시스템이 수직으로 정렬된 하나 이상의 쌍을 이룬 노즐로 구성되는 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 유체 전달 시스템이 에칭제 공급원 및 탈이온수 공급원사이에 선택적으로 연결되는 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 유체 전달 시스템이 에칭제 공급원에 연결된 다수의 제 1 노즐과, 탈이온수 공급원에 연결된 다수의 제 2 노즐로 구성되는 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 기판의 중앙부에 탈이온수를 전달하기 위해 용기내에 배치된 탈이온수 노즐을 추가로 구성하는 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 용기내 배치된 기판 상승 조립체를 추가로 구성하는 장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 기판 상승 조립체가 상승 플랫포옴으로 부터 방사방향으로 연장되는 복수의 아암으로 구성되는 장치.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 기판 상승 조립체가 상승 플랫포옴으로 부터 방사방향으로 연장되는 복수의 아암과, 상기 아암들의 말단부에 배치된 복수의 클립들로 구성되는 장치.
  11. 기판을 에칭하는 방법에 있어서,
    회전형 기판 지지부상에 위치된 기판을 회전시키는 단계와;
    상기 기판의 원주부에 에칭제를 전달하는 단계로 구성되는 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 기판이 약 100rpm 내지 1000rpm사이로 회전되는 방법.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 에칭제가 기판의 원주부에 거의 경사되는 방향으로 전달되는 방법.
  14. 제 11 항에 있어서, 상기 에칭제가 기판의 표면으로 부터 약 0°내지 45°사이의 입사각으로 전달되는 방법.
  15. 제 11 항에 있어서, 상기 에칭제가 기판의 전방측 및 후방측에 전달되는 방법.
  16. 제 11 항에 있어서, 에칭후 기판에 세정제를 전달하는 단계를 추가로 구성하는 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 기판을 회전식으로 건조하는 단계를 추가로 구성하는 방법.
  18. 제 11 항에 있어서, 상기 기판의 중앙부에 탈이온수를 전달하는 단계를 추가로 구성하는 방법.
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