KR19980065672A - 기판 에지 불순물 제거 방법 - Google Patents

Abstract

관리가 안되는 기판의 모서리 부분의 불순물을 제거할 수 있는 기판 에지 불순물 제거 방법을 개시한다.

기판 에지 세정 장치에 있어서, 린스에서 사용되는 노즐을 웨이퍼 에지 쪽에서 적정거리 들어오게 고정시킨 후 폴리에천트를 쏘아 보내 문제가 될 수 있는 모든 불순물을 제거시키는 것을 특징으로 하는 기판 에지 불순물 제거 방법을 제공한다.

상기 불순물은 폴리실리콘, 텅스텐, 알루미늄등 중 어느 하나이다.

상기 폴리에천트는 웨이퍼를 회전시키면서 노즐을 통해 쏘아 보낸다.

상기 폴리에천트 공정은 스토리지 폴리실리콘 증착, 제1 메탈 플로우 및 제2 메탈 플로우 공정후에 적용시킨다.

상기 폴리에천트는 기존보다 2배이상 강력한 에치비를 가진다.

상기 웨이퍼의 회전 속도는 2000~3000RPM정도이다.

따라서, 본 발명에 의하면 기존의 생산시설에 폴리에천트의 화학물질만 추가하면 된다는 점에서 실현 가능성이 높고, 문제가 될 수 있는 모든 불순물을 걷어내어 파티클 소스 자체를 제거시키게 된다.

Description

기판 에지 불순물 제거 방법

본 발명은 반도체 제조 방법에 관한 것으로, 특히 기판 표면 모서리의 불필요한 물질을 제거하기 위한 기판 에지 불순물 제거 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 소자를 형성하는 기본 순서는 전도물질의 페턴형성과 이 패턴들 사이의 절연을 시켜 주기 위한 절연물질의 연속 형성과정을 통하여, 만들어지게 되어 있다. 이런 전도, 절연물질의 형성 과정은 사진공정, 식각공정, 증착공정의 연결에 의하여 이루어 진다.

64M 또는 256M 디램 공정 진행 중 클램프가 있는 설비에서 건식 식각등을 진행한 후 발생하는 부산물, 예컨대 스핀 스텝의 걸레형 파티클은 기판 에지에서 발생하고 있다. 이는 서로 다른 스텝 진행에 있어서 클램프 크기의 차이, 센터링 차이등으로 발생할 수 있는 에지 리프팅, 포토 스텝 진행 후 남기 쉬운 에지 린스 불량등으로해서 많은 부산물이 발생하는 것이다.

발생된 부산물은 S/S, 린스등을 이용하여 대부분 제거시키고 있으나 스핀 에치 후 나타나는 걸레는 상당 부분이 제거되지 않고 남아 있다가 셀내로 치고 들어와 수율에 영향을 주고 나머지 스텝의 부산물도 셀에 미치는 손상이 전혀 없다고 할 수는 없다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 관리가 안되는 기판의 모서리 부분의 불순물을 제거할 수 있는 기판 에지 불순물 제거 방법을 제공하는 데 있다.

도 1a 내지 도 1b는 본 발명에 의한 기판 에지 세정 장치의 불순물 제거방법의 개념도이다.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

1 ... 관 2 ... 노즐 3 ... 웨이퍼 에지

4 ... 웨이퍼 5 ... 척

상기 과제를 이루기 위해, 기판 에지 세정 장치에 있어서, 린스에서 사용되는 노즐을 웨이퍼 에지 쪽에서 적정거리 들어오게 고정시킨 후 폴리에천트를 쏘아 보내 문제가 될 수 있는 모든 불순물을 제거시키는 것을 특징으로 하는 기판 에지 불순물 제거 방법을 제공한다.

상기 불순물은 폴리실리콘, 텅스텐, 알루미늄등 중 어느 하나이다.

상기 폴리에천트는 웨이퍼를 회전시키면서 노즐을 통해 쏘아 보낸다.

상기 폴리에천트 공정은 스토리지 폴리실리콘 증착, 제1 메탈 플로우 및 제2 메탈 플로우 공정후에 적용시킨다.

상기 폴리에천트는 기존보다 2배이상 강력한 에치비를 가진다.

상기 웨이퍼의 회전 속도는 2000~3000RPM정도이다.

따라서, 본 발명에 의하면 기존의 생산시설에 폴리에천트의 화학물질만 추가하면 된다는 점에서 실현 가능성이 높고, 문제가 될 수 있는 모든 불순물을 걷어내어 파티클 소스 자체를 제거시키게 된다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.

도 1a 내지 도 1b는 본 발명에 의한 기판 에지 세정 장치의 불순물 제거방법의 개념도이다. 본 발명은 기존 사용되고 있는 s/s 혹은 포토 코우터(coater)에서 린스시 사용되는 노즐(2)을 통해 기존의 것보다 더 강력한 에치비, 대략 2배정도의 에치비를 가진 폴리에천트만 공급해 주어 사용하면 된다. 기존의 폴리에천트의 에치비는 대략 다음과 같다. 폴리실리콘 2500Å/분, 열산화막 100Å/분, BPSG 1800Å/분, 텅스텐 3000Å이상/분, 결국 이것의 2배이상 에치비를 갖는 폴리에천트를 사용하자는 것이다.

그 동작을 설명하면, 웨이퍼(4)를 척(5)으로 잡아 3000RPM 정도로 회전시키는 동안 관(1)을 통한 노즐(2)에서 폴리에천트를 쏘아 보내 웨이퍼 에지(3)부의 불순물을 제거하는 방법이다.

린스 혹은 s/s에서 사용되는 노즐을 웨이퍼 에지 쪽에서 적정거리 약 6~7mm정도 들어오게 고정시킨 후 폴리에천트를 쏘아 보내 문제가 될 수 있는 모든 불순물을 걷어내어 파티클 소스 자체를 제거시키게 된다.이때의 본 발명의 장점은 현재의 생산시설에 화학물질만 추가하면 된다는 점에서 실현 가능성이 높다.

본 발명은 이에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 명백하다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 기존의 생산시설에 폴리에천트의 화학물질만 추가하면 된다는 점에서 실현 가능성이 높고, 문제가 될 수 있는 모든 불순물을 걷어내어 파티클 소스 자체를 제거시키게 된다.

Claims (6)

1. 기판 에지 세정 장치에 있어서, 린스에서 사용되는 노즐을 웨이퍼 에지 쪽에서 적정거리 들어오게 고정시킨 후 폴리에천트를 쏘아 보내 문제가 될 수 있는 모든 불순물을 제거시키는 것을 특징으로 하는 기판 에지 불순물 제거 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 불순물은 폴리실리콘, 텅스텐, 알루미늄등 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판 에지 불순물 제거 방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 폴리에천트는 웨이퍼를 회전시키면서 노즐을 통해 쏘아 보내는 것을 특징으로 하는 기판 에지 불순물 제거 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 폴리에천트 공정은 스토리지 폴리실리콘 증착, 제1 메탈 플로우 및 제2 메탈 플로우 공정후에 각각 적용시키는 것을 특징으로 하는 기판 에지 불순물 제거 방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 폴리에천트는 기존보다 2배이상 강력한 에치비를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 에지 불순물 제거 방법.
6. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼의 회전 속도는 2000~3000RPM 정도 인 것을 특징으로 하는 기판 에지 불순물 제거 방법.