TW455920B - Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module - Google Patents

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455920 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 五、發明說明（） 發明領域： 本發明係關於一種電化學沉積或電鍍設備4更特定 地，本發明係關於一種將沉積物從一基材的周邊部分去除 的設備。 發明背景： 次四分之一微米，多層金屬是下一世代超大型積體電 路（ULSI)的主要關鍵技術之一。此技術的核心之多層内連 線需要一深寬比被形成之内連線特徵（feature)，包括接 點’介廣孔’接線及其它特徵’的平坦化。這些内連線之 可靠的形成對於ULSI的成功及對於提高在每一基材及晶 粒上的電路密度與品質之持續的努力是非常重要的。 當電路揞度提高時’介層孔，接點及其它特徵，以及 介於它們之間的介電物質的寬度會降低至小於25〇奈米， 而介電層的厚度則維持大致固定，其結果為該等特徵的高 寬比’即高度除以寬度，會提高》許多傳統的積處理，如 物理氣相沉積（PVD)及化學氣相沉積（CVD)，在填充深寬比 大於4: 1’特別是大於1〇: 1，的結構時有困難。因此， 目前有許多的努力是有關於無氣隙，具有高的深寬比，即 特徵高度與特徵寬度的比為4: 1或更高者，之奈米大小的 特徵的形成。此外，當特徵寬度降低，裝置電流保待—定 或提高時，這會導致在特徵中之電流密度提高的結果^ 因為鋁的低電阻性’其對於二氧化矽（SiOj之絕佳的 黏著性，其易於形成圖案，及能夠以高純度的形式取得它 第2頁 本紙張尺度適用中g ®家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） - ----I ---I i ^---- I I I I 1 I I I I I 《請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> A7 B7 92〇 五、發明說明（） 的能力等關係，元素鋁（A1)及其合金是在半導體處理中被 用來形成接線及插塞之傳統金屬。然而，鋁比其它更易導 電的金屬，如銅，具有較高的電阻係數，及鋁亦會遭遇到 導致在導電體内氣隙的形成之電子遷移的問題。 與鋁比較起來，銅及其合金具有比鋁低的電阻係數及 明顯大很多之電子遷移抵抗性。這些特性對於支援於高層 級的集積度所遭遇的高電流密度及增加裝置速度而言是 很重要的。銅亦具有良好的導熱性且可在極高純度下被獲 得。因此，銅變成用來填充在半導體基材上之次四分之一 微米，高的深寬比内連線特徵之選用金屬。 雖然在半導體裝置製造上有選用銅的欲望，但將銅沉 積於非常高的深寬比特徵内，如4: 1或具有0.35微米（或更 小）寬的介層孔，之製造方法的選擇則相當有限。這些處 理上的限制的結果為，先前被限制在電路板上的接線的製 造上之電鍍最近剛被用來填充在半導體裝置上的介廣孔 及接點。 金屬電鍍是習知的且可藉由許多種技術來達成。__典 型的方法通常包含物理氣相沉積一阻障層於特徵表面 上’物理氣相沉積一導電金屬晶種層，最好是鋼，於該阻 障層之上’然後電鍍一導電金屬於該晶種層上用以填充結 構/特徵。最後，該等被沉積的層及介電層被平坦化，例如 藉由化學機械研磨（CMP)，來完成一導電内連線特徵。 第1圖為一具有接觸銷之簡化的典型噴水電鍵裝置1〇 的剖面圖》通常，噴水電鍍裝置10包括一電解液容器12其

第3T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2W * 297公爱〉 ------------- ^ - ------ - 訂---·線 (請先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 A7 B7 五、發明說明（） 具有一上開口，一基材固持件14其設置於該電解液容器12 之上，及一設置在該電解液容器12的底部之陽極丨6及一與 該基材22接觸之接觸環20 ^多個溝槽24被形成於該基材固 持件14的下表面上。一真空紫浦（未示出）連接至該基材固 持件14並於該等溝槽24連通用以產生一能夠在處理期間 將基材22固定於該基材固持件14上的真空狀態.該接觸環 20包含多個金屬或半金屬接觸銷26其分佈在該基材22的 圓周部分的周圍用以界定一中央的基材電鍍表面。該等接 觸銷26徑向朝内地延伸跨越基材22的一窄的圓周部分並 在接觸銷26的尖端與基材22的一導電晶種層接觸。一電源 供應器（未示出）被接至該等銷26上藉以提供一電偏壓至該 基材22。基材22被置於該圚筒形的電解液容器12之上且該 電解液於該電鍍裝置10的搡作期間垂直地衝揸該基材電 鍵表面。 在目前的電鍍處理中所遭遇到的一個特定的問題為 該晶種層的邊緣在電鍍處理期間會接受到過量的沉積’典 型地被稱為邊緣珠滴。第2圖為一晶圓3 0的邊緣的一剖面 圖，其顯示該晶種層34的邊缘32上之過量的沉積36 »如第 2圖中所示的，該晶圓30具·有一被沉積於其上的晶種層32 及一被電化學地沉積於該晶種層34上之一電鍍層38。已被 觀察到的是，該晶種層34的邊緣32接受到的電流密度比晶 種層34其它部分所接受到的要來得高’结果為該晶種層34 的邊緣32的沉積速率較高。在晶種層34的邊緣32處之機械 應力亦高於晶種層之其它部分’造成該晶種廣的邊緣上之 第4贯 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公爱） -n I ff n n I ϋ ^ . I i^i I i n 1^1 · I l> n n n n f t f請先閱讚背面之汉f項再填寫本頁> A7 B7 五、發明說明（） 沉積向上拉離該晶圓30的邊緣。該過量的沉積36典型地是 以CMP處理來去除β然而，在CMP處理期間，在晶圓邊緣 上之該過量的沉積36典整地會從該晶種層的邊緣撕離且 會傷及該晶園之相粼的部分a該斷裂的金屬亦會傷及形成 於該晶園上的裝置。因此，被適當地形成的裝置數量會被 減少且每一被形成的裝置的成本即會提高。 因此，對於可將晶圓邊緣上之過量的沉積去除掉的設 備存在著需求。最好是，該設備去除掉該晶圊的邊緣處之 過量的沉積同時不會傷及形成於該晶圓表面上之裝置51對 該設備的進一步需求為該設備可被設計來在該過量的沉 積已從該晶圓上被去除掉之後實施一晶圓清潔處理，如一 旋轉-沖洗-乾燥處理。 發明目的及概述： 本發明大體上提供一種用來去除在一晶圊的邊緣上 之沉積的設備及方法。 本發明的一個態樣提供一種蝕刻一基材的設備，其包 含：_容器；一設置於該容器内之基材支撐器；一固定於 該基材支撐器上之旋轉作動件；及一流體輸送組件其被設 置於該容器内用來輸送一蝕刻劑至一設置於該基材支撐 器上的基材的周邊部分。最好是，該基材支撐器包含一真 空夾盤及該流體輸送組件包含一或多個喷嘴。 本發明的另一個態樣提供一種姓刻一基材的方法，其 包含：將置於一可轉動的基材支撐器上的基材轉動；及輸 第s頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） ' <請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ ------- 訂--— — — — — — 經濟邨智慧財產局員工消费合作杜印製 45592ο Α7 Β7 五、發明說明（） (諝先閱讀背面之注意事項再填寫本Ϊ ) 送一蝕刻劑至該基材的一周邊部分β最好是，該基材是以 lOOrpm至lOOOrpm間的轉速被轉動’且該蝕刻劑是在一大 致與該基材的周邊成切線的方向上被輸送且其入射角約 與該基材的一表面夾〇度至45度。 本發明的另一態樣提供一種用來去檢在該晶圓的邊 緣上之故量沉積的設備’其被設計來在該過量的沉積已從 該晶圓上被去除掉之後實施一晶圓清潔處理，如一旋轉_ 沖洗-乾燥處理。該設備包含：一容器；一設置於該容器 内之基材支撐器：一固定於該基材支撐器上之旋轉作動 件；及一流體輸送組件其被設置於該容器内用來輸送一姓 刻劑至一設置於該基材支轉器上的基材的周邊部分及輸 送一沖洗流體，如去離子水，至該基材的表面。 牖式簡蕈說明：_ 本發明之一更為特定的描述可藉由參照顯示於附圏 中之實施例而被作成’使得本發明之上述特徵，優點及目 地可被詳地地瞭解。 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 然而’應注意的是，附圖中所示者為本發明之典型的 實施例，因此不應被認為是本發明範園的限制，因為本發 明可以有其它等效的實施例。 萁—具有接觸销之簡化的表刑 吊i ®馮 π π 丹型噴水電鍍裝置1 〇的剖 面圖。 第2圖為一晶園30的邊緣的一剖面圖，其顯示該晶種層34 的邊緣3 2上之過量的沉積3 6。 笫6耳 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（） 第3圖為本發明之一邊緣珠滴去除（EBr)模組的側剖面 圖’其顯示一被置於處理位置上的基材用以將該基 材的邊緣上之過量沉積去除。 第4圖為一 EBR模組的上視圖，其顯示用來將邊緣珠滴去除 之噴嘴的一實施例。 第5圖為一噴最150的侧視圖，其被設置成與一將被處理的 晶圓122相關。 第6圖為一邊緣珠滴去除/旋轉，沖洗-乾燥（Ebr/Srd)結合 模组的剖面酮，其顯示在一被垂直地設置於流體入 口之間之一處理位置上的基材。 圖號#照說明： 10 噴水電鍍裝置 12 電解液容器 1 4 基材固持件 16 陽極 20 接觸環 22 基材 24 溝槽 26 接觸銷 30 晶圓 32 邊緣 34 晶種層 36 過量沉積 38 電鍍層 100 EBR模組 102 容器 104 晶圓固持器奴件 106 流體/化學物輸送组件 108 側壁 1 10 容器底部 I 12 中心孔 1 14 上翻的内壁 1 16 流體出口 118 舉升組件 120 轉動組件 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） D ^1 ^1 ϋ i> * I ϋ «I n ^1.^-6,< * I I n n I ·1 n 1 t (請先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁) 48： .· A7 發明說明（) 122 晶圓 124 真空央盤 126 晶圓邊緣 128 環形密封件 130 晶圓舉升件 134 臂 136 環形基底 138 物蛛夬 140 上表面 142 夾持部 144 下部 150 喷嘴 1 52 分配臂 154 作動器 156 撓性管 160 去離子水源 162 蝕刻劑源 164 電腦控制器 200 EBR/SDR 模組 170 喷嘴 172 去離子水嘴嘴 174 作動件 176 臂 發明詳細說明： 第3圈為本發明之_ -邊緣珠滴去除（EBR)模組的側剖 面圖 ’其顯示一被置於處理位置上的基材用以將該基材的 邊緣上之過量沉積去除。 該E B R模組1〇〇可以是一單獨的單 元或 被設置成一電化學 沉積系統 或其它沉積系統的一個 構件 。該EBR模組1〇〇包含一容器1〇2，一晶圓固持器組件 104及一流體/化學物輸送组件丨〇6。該容器1〇2最好是包含 一圖筒形側壁108，一具有一中心孔U2之容器底部u〇， 及一向上翻的内壁其由該中心孔U2的周逢向上延 伸a —流體出口 116被連接至該容器底部110以促進使用過 的流體及化學物由該EBR模組110中排出。 第8頁 本紙張尺度適用中國理家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） (諳先閱讀背面之注s事項再填寫本頁) n 1 n ^aJt ii ϋ u n I I. 經濟部智慧財產局具工消费合作社印製 4559^0 A7 B7 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 五、發明說明（） 該晶圓固持器组件104被設置於該中心孔112之上並 包括一舉升組件118及一轉動組件120其延伸通過該中心 孔112。該舉升組件118最好是包含風箱軟管式舉升组件或 一導螺桿步進馬達式舉升組件，這兩種在此技藝中為習知 且可商業上獲得。該舉升組件1 1 8協助將該晶圓1 22在該晶 圓固持器組件104上之輸送及定位於不同的垂直位置之 間。該轉動組件120最好是包含一旋轉馬達其被固定於該 舉升组件底下。該轉動組件丨2 0在該邊緣珠滴去除處理期 間轉動該晶囲1 22 » 該晶圓固持器組件104最好是包含一真空夾盤124其 由該晶圓背側來固定一晶圓1 22且不會妨礙到該晶圓邊緣 126。最好是，一環形密封件128，如一可壓擠的Ο形環， 被置於該真空夾盤表面的一周邊部分處用在在該邊緣珠 滴去除處理期間將該真空夾盤124密封起來與所使用的流 體及化學物隔離。該晶圓固持器組件1 04最好包括一晶圓 舉升件130其協助將一晶圓從一輸送機械臂的機械臂載盤 輸送至該晶圓固持器組件1 04上。該晶®舉升件1 30，如第 3圖所示，包含一蜘蛛夾組件其亦可被用來在一旋轉-沖洗 -乾燥處理期間固定該晶圓。該蜘蛛夹组件包含多個臂從 一環形基底136延伸出及一蜘蛛夾138可樞轉地設置於該 臂134的遠段上。該環形基底136包括一向下延伸壁137其 與該上翻的内壁114重疊用以容納在處理該容器102内側 時所使用的流體。該蜘蛛夾138包括一上表面140用來承接 —晶圓，一夾持部142用來夹住該晶圃，及一下部丨44，當 *9頁 本紙張尺度適角中围a家標攀（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------- ^ — — — — — — ^----1 — II I, Λ請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Α7 Β7 五、發明說明（） 該晶圖固持組件被轉動時其因離心力的關係而促成該夹 持部142與該晶圓的邊緣接觸。或者，該晶圓舉升件13〇包 含一被使用在許多晶圓處理設備中之晶圓舉升件，如一组 舉井銷或一設置於一皋升平台上的舉升圈或在該真空夾 盤本體内或周圍的舉升環。 該流體/化學物輸送組件i〇6包含—或多個嘴嘴150其 被設置在一或多個分配臂152上。該分配臂152延伸穿過該 容器側壁108且被固定於一作動件154上，其伸展及收縮以 改變該喷嘴150在該基材122上的位置。藉由具有_可伸縮 的分配臂152，該喷嘴可被置於該晶圓上用以將該喷嘴由 該晶圓的内部指向該晶圓的邊緣’其可加強對於流體/蝕刻 劑輸送至該晶囷邊緣的控制β或者，該分配臂152被不動 地固定於該容器壁108上，且噴嘴150被固定於該分配臂的 一位置上而不會干擾到該容器102内之垂直的晶圓移動。 最好是，該分配臂152包括一或多個導管鄞伸穿過該 分配臂用以將噴嘴1 5 0連接至一蝕刻劑源。有許多種用來 從一基材上去除掉沉積金屬的蝕刻劑在此技藝中是習知 的，如硝酸及其它市面上可獲得的酸。或者該喷嘴150經 由一設置在該分配臂152的導管内之撓性管156而被連 接。最好是，喷嘴150是以成對的方式被設置在晶圓的上 及下的位置以分別輸送流體/化學物至該晶囷的上邊緣表 面及下邊緣表面。喷嘴150可選擇性地連接一或多個流體/ 化學物源，如一去離子水源I 60及一蝕刻劑源1 62，及一電 腦控制器1 64根據一所需要的程式而切換一或多個流體’蚀 第10貰 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公藿） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - — lull — !11111 I - 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 45592〇 Α7 Β7 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 五、發明說明（） 刻劑源之間的的連接。或者’ 一第一组喷嘴被連接至該去 離予水源及一第二组喷嘴被連接至該姓刻劑源’及該等噴 嘴被選擇性地啟動以提供流體至該晶圓。 最好是，噴嘴150是以—角度被設置用以在一大致切 線的方向上提供流體接近該晶圓的周邊部分。第4圖為一 EBR模组的上視圖，其顯示用來將邊緣珠滴去除之喷嘴的 一實施例。如圖所示，三個喷嘴150被大致等間距地繞著 該容器内壁108的一内表面被設置。每一噴嘴150被設置來 提供流體至該晶圓的一邊緣部分且被定位以提供足夠的 空間讓晶囫垂直移動於一處理位置與—輸送位置之間。最 好是，該流體輸送或喷灑模式是由喷嘴的形狀及流體壓力 來控制用以限制流體輸送至一選定的邊緣排除範圍。例 如，該蝕刻劑是被限制在該晶圓的外3 mm環形部分上以達 到3mm邊緣排除。該等喷嘴被定位用以以一入射角度提供 蝕刻劑至晶圓表面，其在該蝕刻劑與該晶園接觸時控制蝕 刻劑的濺灑。第5圖為一喷最1 5 0的側視圖，其被設置成與 一將被處理的晶圓1 22相關。最好是，該蝕刻劑對該晶圓 的入射角α是介於0度至45度之間，更佳的是介於10度至 3 0度之間。 該晶圓1 22於邊緣珠滴去除處理期間被旋轉用以讓該 晶圓的周邊部分都能大致相等地曝露於蝕刻劑中。最好 是，該晶囷122最好是被轉動於與蝕刻劑喷灑方向同向的 方向上以利於邊緣珠滴去除的控制。例如，如第4圖所示， 該晶圆被轉動於逆時鐘方向（箭頭Α)其對應於逆時鐘的喷 第11頁 .I — — — — —--— — — —、^, 1Ι1ΙΙ1 訂 -- - ---I - t (請先閱讀背面之注幸？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家楳準（CNS)A4現格（210 X 297公笼> A7 B7 55^2〇 五、發明說明（） 灑-該晶圊最好是以l〇〇rpm至lOOOrpm間的轉速，更佳的 是5 00rpm至700rpm之間的轉速，被旋轉。該有效的蝕刻率 (即，被去除的铜的數量除上去除所花的時間）為該蝕刻劑 的蝕刻率，接觸該晶圓標緣之蝕刻劑的速度’蝕刻劑的溫 度，及該晶圓的旋轉速度的函數。這些參數可被改變以達 到所需要的特定結果。 經濟部智慧財產局貝Η消费合作社印髮 在操作時，一晶圓122被提供於該EBR模組100的晶圓 固持器組件104上，且該晶圃舉升件130將該晶圓舉離一輸 送機械臂載盤3該機械臂載盤收回及該晶圓舉升件130將 晶圓降低至該真空夾盤124上。該真空系統被啟動用以將 晶囷固定於其上，且該晶圓固持器組件1 04與其上的晶® 於噴嘴150輸送蝕刻劑至該晶圓122的周邊部分時被旋 轉。該蝕刻處理被進行一段足以將晶圃邊緣上的過量沉積 (即’邊緣珠滴）去除掉的時間。該晶圓最好是在一旋轉-沖洗-乾燦處理中用去離子水加以清洗。該旋轉-沖洗-乾燥 處理典型地包括輸送去離子水至該晶圓上用以將殘餘的 蝕刻劑從該晶圓上沖洗掉並在一高速下旋轉該晶圓以乾 燥該晶圓•在該邊緣珠滴去除處理及該旋轉-沖洗-乾燥處 理完成之後該晶困被送出該EBR模組1〇〇,且該晶圓已準備 好作其它的處理’如熱退火處理及其它晶圓處理。 第6囷為一邊緣珠滴去除/旋轉-沖洗·乾燥（ebr/SRD) 結合模紐的剖面圖’其顯示在一被垂直地設置於流體入口 之間之一處理位置上的基材。本發明的此實施例對於邊緣 珠滴去除（EBR)處理及旋轉-沖洗-乾燥（SRD)處理兩者都 第12肓 本紙張尺度綱中國國家標準（CNs>A4規格（21(^297公釐） A7 45^92〇 ____B7 _ 五、發明說明（） 是有用的。該[811/3110模组2〇〇的構件與上述之£1^8模组的 構件是相類似的’且相同的構件是以相同的標號來表示。 除了 EBR模組100的構件之外，該ebr/SRD模組200包含了 一额外的下喷嘴組170其設置於該晶圓的底下，最好是與 相對應之噴嘴組150垂直地對齊。該等下噴嘴17〇被選擇性 地連接至去離子水源1 60及蝕刻劑源丨62，且被該等喷嘴 170所輸送之流體是被該控制器164所控制。最好是，該等 喷嘴170被設置成可將流體輸送至該基材背側的周邊部 分。該等下喷嘴170最好是被設置在不會干擾的晶圓舉升 件130的運動的位置處。該等下噴嘴17〇亦可經由一臂176 而被固定於一作動器174上’其會伸展及收缩以將嘴嘴17〇 置於所想要的位置處。或者’該舉升件130沒有在處理期 間被旋轉用以防止干擾到 雖然以上所述係關於本發明的較佳實施例，但本發明 的其它及進一步的實施例可在不偏離本發明之基本範圍 下被達成，該範圍是有以下的申請專利範圍來界定。 (5JF先wtl背面之沒意事項再填寫本頁)

,衣---I 訂---------線. 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 T 3 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）

Claims (1)

1. 六、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 1 . 一種蝕刻一基材的設備，’、至少包含. a) —容器j b) —設置於該容器内之基材支撐器， c) 一固定於該基讨支搏器上之旋轉作動件；及 d) U輸送組件，其被設置於該容器内用來輸送 一#_至一設置於該基材支撲器上的基#的周邊部 分" 2.如申請專利範圍第1項所述之設備’其中該基材支撐器包 含一真空夾盤》 3 ·如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該流體輸送組件 包含一或多個啧嘴。 — — Inf— — — — — — — ! ^ I I (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消费合作社印裳 4 ·如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該流體輸送組件 包含一或多個被垂直對齊的喷嘴组對。5. 如申諳專利範圍第1項所述之設備，其中該流體輸送组件 被選擇性地連接至一蝕刻劑源與一去離予水源^6. 如申請專利範圍第i項所述之設備，其中該流雜輸送組件包含一第一組噴嘴其可連接至-蚀刻劑源及一第二组 •喷嘴其可連接至一去離子水源。 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（21〇x297公釐） 線 ο AS Β8 CS D8 六、申請專利範圍 7. 如中請專利範圍第1項所述之設備’其更包含： e)—去離干水嘖嘴’其被汉置於該容器内用以將去 離子水送至該基材的一中心部分。 8. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其更包含： e)—基材舉升組件’其被設置於該容器内。 9. 如申請專利範圍第8項所述之設備’其中該基材舉升組件 包含多個從一舉升平台径向延伸的臂。 10·如申請專利範圍第8項所述之設備’其中該基材舉升組 件包含多個從一舉升乎台徑向延伸的臂及多個被設置 在該等臂的遠端上的夾子* —種蝕刻一基材的方法，其至少包含： a) 將置於一可轉動的基材支撐器上的基材轉動；及 b) 輸送一蝕刻劑至該基材的一周邊部分* 12‘如申請專利範圍第U項所述之方法，其中該基材是以約 1 OOrpm至lOOOrpm間的轉速被旋轉。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項所述之方法，其中該蝕刻劑是被 輸送於一大致與該基材的周邊部分成切線的方向上。 第15頁 - — — 1 —Ini — 11 i .i •ill· — — — β -------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 本紙稱疋廢；糸田 .λ— 1\ 〒 IT T s Μ 公 y X u —A ώ A8 B8 C8 D8 45592〇 六、申請專利範圍 1 4 ·如申請專利範圍第1 1項所述之方法，其中該蝕刻劑是以 一與該基材约一表面夹0度至45度角的入射角被輸送。 1 5.如申請專利範圍第1 1項所述之方法，其中該蝕刻劑是被 送至該基材的前侧及後側。 16.如申請專利範圍第11項所述之方法，其更包含： c) 在蝕刻之後輸送一沖洗劑至該基材。 1 7.如申請專利範圍第1 6項所述之方法，其更包含： d) 旋轉乾燥該基材。 18.如申請專利範圍第U項所述之方法，其更包含： c)輸送去離子水至該基材的一中心部分》 -------------^--I--r---訂.--------*5^· (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第16頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2W X 297公釐）