JP4429305B2 - 有機電界発光膜蒸着用蒸着源 - Google Patents

有機電界発光膜蒸着用蒸着源 Download PDF

Info

Publication number
JP4429305B2
JP4429305B2 JP2006343450A JP2006343450A JP4429305B2 JP 4429305 B2 JP4429305 B2 JP 4429305B2 JP 2006343450 A JP2006343450 A JP 2006343450A JP 2006343450 A JP2006343450 A JP 2006343450A JP 4429305 B2 JP4429305 B2 JP 4429305B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vapor deposition
deposition material
vapor
deposition source
source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2006343450A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007128898A (ja
Inventor
キボム キム
サンデ キム
ユンス ハン
ユンフン タク
ソクジュー キム
Original Assignee
エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR10-2002-0042271A external-priority patent/KR100471358B1/ko
Priority claimed from KR10-2002-0058116A external-priority patent/KR100471361B1/ko
Priority claimed from KR1020020059786A external-priority patent/KR100669194B1/ko
Application filed by エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド filed Critical エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
Publication of JP2007128898A publication Critical patent/JP2007128898A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4429305B2 publication Critical patent/JP4429305B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/543Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on the vapor source
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Description

本発明は、有機電界発光膜蒸着のための蒸着源(deposition source)に関する。より詳細には、蒸着材料の厚さの変化に伴う加熱手段(または基板)と蒸着材料との間の間隔の増大を補償することによって、基板の全表面に均一な電界発光膜を形成せしめる有機電界発光膜蒸着用蒸着源に関するものである。
低分子有機電界発光素子の製造工程の一つである真空蒸着工程(熱的物理気相成長工程)は、熱によって気化された蒸着材料(有機物)を、ハウジング内に固定された基板表面に蒸着して電界発光膜を形成する技術であり、この蒸着工程で蒸着材料はコンテナー(蒸着源)内に収容され、気化温度まで加熱される。蒸着材料の蒸気は、蒸着材料が収容された蒸着源の外へ移動した後、コーティングされる基板上で凝縮する。このような蒸着工程は、気化される蒸着材料を収容する蒸着源及び蒸着蒸気が蒸着される基板を使用して、10-7ないし10-2トル(Torr)範囲の圧力状態で行われる。
一般に、蒸着材料を収容する蒸着源は、電流が壁(部材)を通過すると温度が上昇する電気抵抗材料で作られる。蒸着源に電流が通電されると、その内部の蒸着材料は、蒸着源の壁からの放射熱及び壁との接触による伝導熱によって加熱される。典型的には、蒸着源は上部に開口が形成されたボックス型であり、この開口によって基板に向けた蒸気の放出(流出)が可能になる。
蒸着源は、例えば、低温有機物、金属、または高温無機化合物などの広範な材料を含む下地層への蒸着のために使用されてきた。一般に、有機層の蒸着において、出発材料(starting material)は粉末である。この有機粉末は、この種の蒸着によるコーティングに対していくつかの不利な点を有するものと認識されてきた。まず、多くの有機物は、比較的弱く結合した比較的複雑な化合物(高分子量)であるので、気化工程の間に分解を防止するためには細心の注意を払わなければならない。次に、粉末形態では、気化されない電界発光材料の粒子が発生する場合があり、この粒子は、蒸気と共に蒸着源から放出され、基板上に望ましくない塊(lump)として堆積される。一般に、このような塊は、微粒子または基板上に形成された層内への微粒子混入とも呼ばれている。
さらに悪いことには、粉末形態は、吸着された水分または揮発性有機物を保持することができる非常に広い表面積を持っており、加熱の間にその揮発性有機物が解離し、それによって、蒸着源から外方の基板に向けてガス及び微粒子が放出される可能性がある。同様の考察は、気化前に溶融され、基板表面に噴出される液滴が形成される材料にも当てはまる。
このような望ましくない粒子または液滴が、製品、特に電子または光学製品に規格外の欠陥を生じさせ、暗いスポット(spots)が画像内に現れるか、短絡(short)または開路(open)によって電子装置内で不良が発生することもある。
このような有機粉末をより均一に加熱し、かつ微粒子または液滴のバーストが基板に到達することを防止するための有機物蒸着装置が提案されており、また蒸気を確実に射出するために、蒸着材料と蒸気放出開口と間の複雑な遮蔽板構造に対する数多くの設計が提案されている。
図1は、上述したような機能を持つ一般的な蒸着装置の内部構成を図示した概略的な断面図であり、蒸着装置の真空チャンバー13内部に設けられた蒸着源10及び蒸着源10上に配置された基板12を図示している。有機電界発光膜が蒸着される基板12は、チャンバー13の上部プレート13−1に取付けられ、蒸着材料(有機物)が収容されている蒸着源10は、チャンバー13の底部材13−2に固定された熱絶縁構造体14上に設けられている。
図2aは、図1に図示された蒸着源10の内部構成を図示した断面図であり、蒸着源10内には蒸着材料20(有機物)の蒸気に含まれる微粒子または滴が蒸着源10の上部プレート11Aに形成された蒸気放出開口11Cを通じて直接放出されるのを防止するために、遮蔽板(baffle)11Bが設けられていることを図示している。遮蔽板11Bは、上部プレート11Aに形成された蒸気放出開口11Cに対応し、蒸着源10の上部プレート11Aに固定された多数の支持ロッド11B−1に固定され、上部プレート11Aから離れた状態を維持するものである。
このような構造を持つ蒸着源10を利用した蒸着装置は、蒸着源10の側壁11Dから離れた中央部分にある蒸着材料20に熱を供給するため、上部プレート11Aの上部(または下部)にヒーター即ち加熱手段を有するか、または上部プレート11Aがヒーターを有するように構成されている。従って、側壁11Dで発生された熱と共に、上部プレート11Aからの熱が直接的に蒸着材料20に伝達されることによって、蒸着材料20が加熱、気化される。気化された蒸着材料20の蒸気は、遮蔽板11Bの表面に沿って移動し、上部プレート11Aの蒸気放出開口11Cを通じて放出された後、基板(図1の12)の表面に蒸着される。
図2bは、一定時間蒸着工程が実施された後の、図1に図示された蒸着源の上部プレートと蒸着材料との間の間隔変化を図示した断面図であり、上部プレート11Aと蒸着材料20の表面との間の間隔が増大した状態を図示している。
上述したように、蒸着源10内に収容された蒸着材料20は、蒸着工程が進むにつれて加熱及び気化作用によってその量が徐々に減少し、これにより、その厚さも減少する。従って、蒸着材料20の表面と上部プレート11Aの初期間隔(図2aの“A”)は、一定時間が経過した後、顕著に増大(図2bの“a”)する。
このような上部プレート11Aと蒸着材料20表面との間の間隔の増大によって熱伝達経路が増大し、初期設定された蒸着速度(即ち、蒸着材料20の気化速度)が低下することになる。従って、初期設定された蒸着速度を維持するためには、蒸着材料20を加熱するヒーターとして作用する上部プレート11Aの温度上昇が求められる。
特に、蒸着工程が進むにつれて上部プレート11Aと蒸着材料20表面との間の間隔は増大する。この状態では、上部プレート11Aで発生した熱が、蒸着材料20に十分に到達できなくなり、たとえ蒸着源10の側壁11Dにより発生される熱が供給されても、中心部にある蒸着材料20は気化されない。その結果、蒸着材料20の投入量が多い場合(即ち、蒸着材料20の厚さが厚い場合)、全ての蒸着材料の気化を期待することは難しくなる。
また、蒸着膜の均一性(uniformity)と直接的な関係のある基板12と蒸着材料20との間の間隔もやはり増大してしまい、時間経過に伴う蒸着特性の変化が発生することになる。
低分子有機電界発光素子の材料には、熱に対して不安定な有機物が多量に含まれ、蒸着工程中に過度な放射熱にさらされると、分解または材料特性の変化を招いて材料の特性低下という問題が生じる。さらに、蒸着工程は高真空条件下で行われるので、新たに蒸着材料を供給して消耗分を補充するために、チャンバーを冷却し、真空圧を逃がし、そして再び真空化する追加の各工程が求められる。それゆえ、このような追加工程によって処理時間の損失が生じる。
このような問題を解決するために、より多量の蒸着材料を蒸着源に一度に供給しながら、初期の蒸着特性(例えば、蒸着材料の気化速度等)を常に一定に維持することが好ましい。
一方、図2a及び図2bに図示された構造を持つ蒸着源10では、側壁11Dが発熱体(例えば、外壁11Dの周りに加熱コイルが巻かれた構造)として作用することになる。しかし、図1に図示されたように、蒸着源10の側壁11Dは外部に露出しており、側壁11Dで発生された全ての熱が蒸着材料20に伝達されず、その一部は外部へ放射されるため、熱効率が低下する。
さらに、前述したように、蒸着工程が進むにつれて、蒸着源10内に供給された蒸着材料20が消耗し、これにより、蒸着材料20の厚さが減少する。従って、蒸着材料20が存在しない部分に対応する側壁11Dからも熱が発生し、この熱は蒸着材料20に直接的に伝達されないため、エネルギー浪費の一因となる。
蒸着源10の他の問題点は、蒸着源10の下部に置かれた蒸着材料20、即ち底部材11Eの表面に隣接する蒸着材料20には、上部プレート11A及び側壁11Dで発生された熱が十分に伝達されないという点である。この結果、全蒸着材料20に亘る加熱及び気化は行われず、詳しくは、蒸着源10内での位置に応じて、各蒸着材料20に温度差(即ち、蒸着源10内に温度勾配)が発生する。それによって、基板上に均一な蒸着膜を形成することが困難になる。
本発明は、前記従来の蒸着工程が進むにつれて現れる、蒸着源の上部プレート(加熱手段)と蒸着源内に供給された蒸着材料表面との間の間隔の増大による問題を解決するために創作されたもので、その目的は、蒸着工程において、蒸着材料の消耗に伴う蒸着材料の厚さの減少によって発生する、加熱手段と蒸着材料表面との間の間隔変化を補償し得る蒸着源を提供することにある。
本発明の他の目的は、蒸着材料の高さが変化しても、加熱手段の作動を選択的に制御して、蒸着プロセスにおける消費電力を小さくし、蒸着材料の表面と加熱手段との間の温度勾配の発生を防止して、温度差による蒸着厚さの変化を最小化し、熱効率を向上せしめる蒸着源を提供することにある。
本発明の他の目的は、蒸着源の底部材に隣接した蒸着材料にも熱を供給することによって、全蒸着材料を効率的に利用しかつ温度変化の要因を最小化して、均一な蒸着膜を得ることができる有機電界発光膜形成のための蒸着源を提供することにある。
前記課題を解決するために、本発明は、供給される電力によって加熱され、内部に収容された蒸着材料に熱を伝達し、内部で生成された蒸着材料の蒸気を噴射させて基板表面に蒸着膜を形成する有機電界発光膜蒸着用蒸着源において、
蒸気放出開口が形成された上部プレート、側壁、及び底部材を含み、さらに選択された位置に熱を供給する加熱手段と、内部に収容された蒸着材料表面の高さの変化を検知する検知手段と、前記検知手段の信号に応じて前記加熱手段の作動を選択的に制御する制御手段と、を含むことを特徴とする。
また、前記検知手段と加熱手段は前記上部プレートに設けられ、前記移動手段はチャンバーに支持され、各ロッドの終端が前記上部プレートに固定されて前記上部プレートを上下移動させる複数のシリンダーと、上部プレートに設けられた検知手段の信号を受けて、前記上部プレートと前記蒸着材料表面との間の間隔が設定された間隔より大きい場合、各ロッドに固定された前記上部プレートを側壁に沿って下向きに移動させるように前記シリンダーを作動させる制御手段とを含むことを特徴とする。
本発明に係る他の形態の蒸着源は、蒸気放出開口が形成された上部プレート、側壁、及び上下移動可能な底部材からなる容器と、前記容器内に収容された蒸着材料に熱を供給する加熱手段と、前記加熱手段と前記蒸着材料表面との間の変化する間隔に関する検知手段の信号に応じて作動して前記底部材を移動させる移動手段とを含み、前記底部材は、前記加熱手段と前記蒸着材料表面との間の間隔が初期設定値を維持するように、前記移動手段によって上向きに移動することを特徴とする。
また、前記蒸着源において、前記移動手段は、チャンバーに支持され、ロッドの終端が前記底部材に固定されて前記底部材を上下移動させるシリンダーと、前記上部プレートに設けられた検知手段の信号を受けて、前記加熱手段と前記蒸着材料表面との間の間隔が設定された間隔より大きい場合、ロッドに固定された前記底部材を上向きに移動させるように前記シリンダーを作動させる制御手段とを含むことを特徴とする。
本発明に係る他の形態の蒸着源は、蒸気放出開口が形成された上部プレート、側壁、及び底部材とを含み、さらに選択された位置に熱を供給する加熱手段と、内部に収容された蒸着材料表面の高さの変化を検知する検知手段と、前記検知手段の信号に応じて前記加熱手段の作動を選択的に制御する制御手段とを含むことを特徴とする。
また、前記加熱手段は、前記側壁外周面に巻かれかつ前記蒸着材料の高さに応じて前記制御手段の制御によって個別に電力が供給される複数のコイルであり、前記制御手段は、蒸着工程が進むにつれて前記蒸着材料表面の高さが変化する時、前記蒸着材料表面に最も近いコイルにのみ電力を供給するに制御することを特徴とする。
また、前記蒸着源の底部材には溝が形成され、前記溝にはコイルが収容され、このコイルへの電力供給時、このコイルで発生された熱が底部材の表面上に置かれた蒸着材料に伝達されること、さらに、前記側壁の外側には外部ケーシングが配置され、前記加熱手段で発生された熱が外部へ流出されるのを防止することを特徴とする。
また、前記で説明した全蒸着源において、前記上部プレートに形成された前記蒸気放出開口は、蒸着膜が蒸着される基板の幅と同一か、またはその基板の幅より長い長さを持つことによって基板表面全体に均一な蒸着膜を形成することができることを特徴とする。
以下、本発明に係る各実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
<第1の実施形態>
図3aは、本発明の第1の実施形態における蒸着源の断面図である。本実施形態における蒸着源100は、上部プレート101、側壁102、及び底部材103からなる容器であり、その内部には、有機電界発光素子の固体蒸着材料(以下、“蒸着材料”と称する)20が収容されている。上部プレート101には、気化された蒸着材料の蒸気を蒸着源100から放出するための蒸気放出開口101A(以下、便宜上“開口”と称する)が形成され、上部プレート101の下面に固定された遮蔽板104は、開口101Aに対応する。
上部プレート101を蒸着材料20に熱を供給するための加熱手段(ヒーター)として作用させることも、またはその上部(または下部)に別体の加熱手段を設けることもできる。以下の説明では、上部プレート101が加熱手段として作用する場合を例に挙げて説明する。
図3aに図示された本実施形態の最大の特徴は、蒸着源100の上部プレート101を上下移動自在に構成したことであり、このために、上部プレート101に上部プレート101の移動のための移動手段151が設けられている。
本実施形態において、蒸着源100で使用される移動手段151は、油圧または空圧シリンダーであり、チャンバー(図1の13)の側壁に固定された2個の支持ブラケット154は蒸着源100上に延在し、その端部にシリンダー151がそれぞれ設けられている。各シリンダー151のロッド152は上部プレート101の両側にそれぞれ固定され、これにより各シリンダー151は、上部プレート101の開口101Aを通じた蒸着材料の蒸気放出に影響を及ぼさない。
一方、各シリンダー151は図示しない制御手段によって制御され、この制御手段は、遮蔽板104の下面に設けられた検知手段153(例えば、光センサー)に接続され、この検知手段153から入力される信号に応じて各シリンダー151を制御することができる。
図3bは、図3aの3b部分の詳細図であり、蒸着源100の側壁102及び側壁102に沿って上下移動する上部プレート101の構成を部分的に図示している。側壁102の内面には多数の垂直溝102−1が形成され、これに対応する上部プレート101の外周面には、側壁102の各溝102−1に収容され得る大きさの突起部101−1が形成されている。従って、上部プレート101の上下移動の時、上部プレート101の各突起部101−1は側壁102の各溝102−1に沿って移動し、その結果、上部プレート101は、側壁102に対して初期位置からずれることなく、円滑に上下移動することが可能となる。
図3cは、蒸着工程が終了した後の、図3aに図示された蒸着源の上部プレートと蒸着材料との関係を図示した断面図であり、上述のように構成された本実施形態における蒸着源の機能を図3a及び図3cに基づいて説明する。
蒸着工程が進むにつれて、蒸着源100内に収容された蒸着材料20は、加熱及び気化作用によってその量が徐々に減少し、これにより蒸着材料20の表面と上部プレート101との間の間隔が変化(増大)する。遮蔽板104の下面に設けられた検知手段153は、このような蒸着材料20の表面と上部プレート101との間の間隔変化を検知し、検知した信号を制御手段に送信する。
制御手段は、検知手段153から送信された信号に基づいて蒸着材料20の表面と上部プレート101との間の間隔(即ち、蒸着材料20の表面と検知手段153との間の間隔と、遮蔽板104の下面と上部プレート101との間の間隔との和)を計算し、計算された間隔と初期設定された間隔(値)とを比較する。その比較の結果、蒸着材料20の表面と上部プレート101との間の間隔に変化があった場合、制御手段は各シリンダー151を作動させる。各シリンダー151が作動することによって、各シリンダー151のロッド152が下方に伸び、これによりロッド152の先端に固定された上部プレート101が側壁102に沿って下向きに移動する。
このような上部プレート101の下向きの移動によって、上部プレート101と蒸着材料20の表面との間の間隔が初期設定された間隔(図3aの“A”)と同一になった時、即ち、制御手段が検知手段153から送信された信号に基づいて計算した蒸着材料20の表面と上部プレート101との間の間隔が初期設定された間隔と同一になると、制御手段は各シリンダー151の作動を停止させる。
このような制御手段及び各シリンダー151による上部プレート101の下向きの移動は、蒸着工程の間に継続的に実行され、蒸着材料20が全て気化された後、制御手段は、各シリンダー151のロッド152を図3aに示すような初期状態に戻す。従って、蒸着源100の上部プレート101も初期位置に戻り、その後、蒸着源100内に新たに蒸着材料が供給される。
一方、図3a及び図3cでは、検知手段である光センサー153が遮蔽板104の下面に設置された状態を図示しているが、光センサー153は、蒸着工程を妨げず、かつ蒸着材料20の表面と上部プレート101との間の間隔を検知できる限り、上部プレート101の下面を含む任意の位置に設けることができる。
<第2の実施形態>
図4は、本発明の第2の実施形態における蒸着源の断面図である。本実施形態における蒸着源200の全体的な構成は、図3a及び図3cに図示された蒸着源100の構成と同一である。また、蒸着源200の上部プレート201を蒸着材料20に熱を供給するための加熱手段(ヒーター)として作用させることも、またはその上部(または下部)に別体の加熱手段を設けることもできる。以下の説明では、上部プレート201が加熱手段として作用する場合を例に挙げて説明する。
本実施形態における蒸着源200の最大の特徴は、蒸着材料20の表面と蒸着源200の上部プレート201との間の間隔変化に応じて、蒸着源200の底部材203を上下移動自在に構成したことである。
前述したように、基板(図1の12)表面に形成される蒸着膜の均一性は、基板12と蒸着材料20との間の間隔変化に依存する。図3aに図示された第1の実施形態における蒸着源100では、上部プレート101の上下移動によって、上部プレート101と蒸着材料20との間の間隔変化を補償することはできるが、基板12と蒸着材料20との間の間隔変化を調節する手段が明らかではない。このような基板12と蒸着材料20との間の間隔変化を補償するために、本実施形態における蒸着源200では、底部材203が側壁202に沿って上下移動自在に構成されている。
上部に蒸着材料20が置かれる底部材203の下部には、この底部材203を上下移動させるための移動手段が設けられている。本実施形態において、蒸着源200で使用される移動手段は、油圧または空圧シリンダーであり、シリンダー251は、図1に図示されたチャンバー13の底面13−2上に設けられ、そのロッド252は、熱絶縁構造体(図1の14)を貫通し、その終端が底部材203の下面に固定される。しかし、図4に示す構成は一例に過ぎず、底部材203を上下移動させるために他の構造を持つシリンダーを設けることもできる。
本実施形態でも、シリンダー251は図示しない制御手段によって制御され、制御手段は、遮蔽板204の下面に設けられた検知手段253(例えば、光センサー)と接続され、この検知手段253から入力される信号に応じてシリンダー251を制御するものである。
一方、本実施形態における蒸着源200の側壁202の内面には多数の垂直溝を、側壁202に沿って上下移動する底部材203の外周面には各溝に収容される大きさの多数の突起部を、それぞれ形成することによって、底部材203は、側壁202に対して初期位置からずれることなく、円滑に上下移動することが可能となる。このような構成は、突起部が形成される部材のみが異なるだけで、図3bに図示された第1の実施形態における構成と同一であるため、便宜上その説明を省略する。
蒸着工程が進むにつれて、蒸着源200内に収容された蒸着材料20は、加熱及び気化作用によってその量が徐々に減少し、これにより蒸着材料20の表面と上部プレート201との間の間隔は増大する(勿論、蒸着材料20の表面と基板(図1の12)との間の間隔も増大し、各増大量は同一である)。遮蔽板204の下面に設けられた検知手段253は、このような蒸着材料20の表面と上部プレート201との間の間隔変化を検知し、検知された信号を制御手段に送信する。
制御手段は、検知手段253から送信された信号に基づいて蒸着材料20の表面と上部プレート201との間の間隔を計算し、計算された間隔と初期設定された間隔とを比較する。その比較の結果、蒸着材料20の表面と上部プレート201との間の間隔に変化があった場合、制御手段は、底部材203の下部に設けられたシリンダー251を作動させてロッド251を上方に伸ばす。シリンダー251が作動することによって、シリンダー251のロッド252の先端に固定された底部材203は、側壁202に沿って上向きに移動する。
このような底部材203の上向きの移動によって、上部プレート201と蒸着材料20表面との間の間隔が初期設定された間隔と同一になった時、即ち、制御手段が検知手段から送信された信号に基づいて計算した蒸着材料20の表面と上部プレート201との間の間隔が初期設定された間隔と同一になると、制御手段はシリンダー251の作動を停止させる。このような制御手段及びシリンダー251による底部材203の上向きの移動は、蒸着工程の間に継続的に実行され、蒸着材料が全て気化された後、制御手段は、シリンダー251のロッド252を初期状態に戻す。従って、蒸着源200の底部材203も初期位置に戻り、その後、蒸着源200内に新たに蒸着材料が供給される。
一方、図4では、検知手段である光センサー253が遮蔽板204の下面に設けられた状態を図示しているが、光センサーは、蒸着工程を妨げず、かつ蒸着材料20の表面と上部プレート201(即ち、加熱手段)との間の間隔を検知できる限り、上部プレート201の下面を含む任意の位置に設けることができる。
以上のような、第1及び第2の実施形態における蒸着源100、200では、蒸着工程の間に蒸着材料20の消耗によりその厚さに変化が生じた場合、蒸着源の上部プレート101(第1の実施形態)または底部材203(第2の実施形態)を移動させることによって、蒸着材料20の表面と上部プレートとの間の間隔、または蒸着材料20の表面と基板12との間の間隔を初期設定された間隔に維持することができる。その結果、蒸着工程の間、蒸着材料20に適量の熱が伝達されることによって、蒸着材料20の気化温度を一定に維持して最適の蒸着速度を維持することができる。
特に、第2の実施形態では、上部プレート201と蒸着材料20との間の間隔だけでなく、基板と蒸着材料との間の最適間隔が常に維持されるため、均一な蒸着膜形成が可能となる。また、底部材203の表面に隣接した蒸着材料も気化することができるため、蒸着材料の残留量を最小化できる。特に、蒸着工程前に蒸着材料が最大限に供給される場合、全ての蒸着材料を気化することができるため、蒸着材料の補充後にチャンバー内で実施される減圧、加熱、及び冷却の各工程に伴う時間損失を最小化できる。従って、蒸着源の深さを従来の蒸着源の深さよりも深くできるため、最大限の蒸着材料を供給することが可能となる。
<第3の実施形態>
図5は、本発明の第3の実施形態における蒸着源の断面図であり、本実施形態における蒸着源300も、やはり加熱手段として作用する上部プレート301、側壁302、及び底部材303からなる。開口301Aが形成され、遮蔽板304が固定された上部プレート301の構成は、前述した第1及び第2の実施形態における蒸着源100及び200の上部プレート101及び201と同一であるため、その説明は省略する。
図5に図示された蒸着源300の重要な特徴は、蒸着材料20に熱を伝達するための加熱手段である多数のコイルC1,C2、・・・Cnが、蒸着源300の側壁302の周りに巻かれていることと、外壁302の外部にケーシング350が配置されていることである。
蒸着源300の側壁302の周りには多数のコイルC1,C2、・・・Cnが巻かれ、最上端のコイルC1は、蒸着源300内に収容され得る最大高さ(厚さ)の蒸着材料20の表面と一致し、最下端のコイルCnは底部材303の表面と一致する。各コイルC1,C2、・・・Cnは、電力が個別に供給されるように配置される。各コイルC1,C2、・・・Cnに供給される電力は制御手段(未図示)によって制御され、この制御手段は、蒸着源300内部に設けられた検知手段353(例えば、光センサー)に接続されている。このように配置された各コイルC1,C2、・・・Cnの機能を説明すれば、次の通りである。
蒸着工程の初期に、蒸着源300に最大高さで供給された蒸着材料20の表面は、最上端のコイルC1と一致し、この時点では、制御手段によって蒸着材料20の表面と一致する最上端のコイルC1にのみ電力が供給される。従って、蒸着材料20の上側部分は、加熱手段として作用する上部プレート301で発生された熱及び最上端のコイルC1で発生された熱によって加熱及び気化される。蒸着工程が進むにつれて、蒸着源300内の蒸着材料20は、加熱及び気化作用によってその量が徐々に減少する(即ち、蒸着材料20の高さが減少する)。
遮蔽板304の下面に設けられた検知手段353は、このような蒸着材料20の高さの変化を検知して制御手段にその信号を送信し、次に制御手段は、その信号に基づいて蒸着材料20の高さを計算する。制御手段は、計算された蒸着材料20の高さに応じて各コイルC1,C2、・・・Cnに供給する電力を制御する。即ち、蒸着材料20の高さが減少し、その表面が最上端コイルC1の下の2番目のコイルC2に一致すると、制御手段は、最上端のコイルC1に供給される電力を遮断し、2番目のコイルC2に電力を供給する。
同様の制御を継続し、蒸着材料20の高さが減少して、その表面が最下端のコイルCnに一致した場合、制御手段は、最下端のコイルCnにのみ電力を供給し、残りのコイルC1,C2、・・・に供給する電力を遮断する。
このように、蒸着が進むにつれて蒸着材料20の高さが変化しても、電力が供給される1つのコイルを、蒸着材料20の上部プレート301で発生された熱が伝達される部分に常に対応させることによって、加熱及び気化が行われない蒸着材料の部分及び蒸着材料が存在しない部分に熱が不必要に伝達されることを防止することができる。
一方、側壁302の外部に配置されたケーシング350は、各コイルC1,C2、・・・Cnで発生された熱が外部へ放射されることを防止し、これにより、各コイルC1,C2、・・・Cnで発生された熱の大部分が、側壁302を通じて蒸着材料20に伝達されるため、熱損失を最小化できる。特に、蒸着源300の側壁302と外部ケーシング350との間に形成される空間に断熱材を充填した場合、外部への熱放射がさらに效果的に防止され、全システム内における温度勾配が最小化される。
また、ケーシング350を熱容量が大きいアルミニウム(Al)、ジルコニウム(Zr)、シリコン(Si)、又ははイットリウム(Y)等の酸化物又は窒化物で形成することによって、さらに優れた断熱性を得ることができる。未説明符号350Aは、各コイルC1,C2、・・・Cnに電源線を接続するためにケーシング350に形成された開口部である。
本実施形態における蒸着源の他の特徴が、図6に図示されている。図6は、図5の線6−6に沿って示した断面図であり、底部材303の下面に形成された溝303A及びその溝303Aに収容されたコイルCを図示している。溝303Aは、底部材303の縦方向(または幅方向)に形成され、多数の直線部及び隣接する二つの直線部を連結する多数の連結部からなる。従って、単一のコイルCが底部材303の全面に亘って配置される。コイルCの両端は電源(未図示)に接続されている。
蒸着工程時には、前述した側壁302に設けられたコイルC1,C2、・・・Cnの1つと共に底部材303の溝303Aに収容されたコイルCにも電力が供給される(勿論、加熱手段として作用する上部プレート301にも、電力が供給される)。従って、底部材303に隣接した位置にある蒸着材料20にも、底部材303の溝303Aに収容されたコイルCで発生された熱が伝達される。
このように、本実施形態における蒸着源では、蒸着が進むにつれて蒸着材料20の高さが変化しても、電力が供給されるコイルを、蒸着材料20の上部プレート301で発生される熱が伝達される部分に常に対応させることによって、加熱及び気化が行われない蒸着材料の部分及び蒸着材料が存在しない部分に熱が不必要に伝達されるのを防止することができる。
また、蒸着が進むにつれて蒸着材料の高さが変化しても、蒸着材料の表面と加熱手段との間の間隔を常に一定に維持せしめることによって、蒸着工程において、蒸着材料の表面と加熱手段との間の間隔変化による温度勾配の発生を防止でき、その結果、温度差による蒸着厚さの変化を最小化し、均一な厚さの蒸着膜を得ることができる。
また、側壁の外側に設けられたケーシングによって、側壁の周りに巻かれたコイルで発生された熱を外へ放射することが防止され、発生された熱の大部分が側壁を通じて蒸着材料に伝達されるため、全システム内での温度勾配が最小化される。
さらに、蒸着源の底部材に別途コイルを設けることによって、加熱手段から遠く離れた蒸着材料(即ち、蒸着源の底部材の表面に隣接した蒸着材料)にも十分な熱が伝達され、全ての蒸着材料を效率的に利用して均一な蒸着膜を得ることができる。
<第4の実施形態>
図7は、本発明の第4の実施形態における蒸着源と基板との関係を概略的に図示した斜視図であり、便宜上、蒸着源400の内部構成は図示しない。
本実施形態における蒸着源400も、やはり一定の幅と長さを持つ上部プレート401、側壁402、及び底部材からなり、上部プレート401には、その長手方向に開口401Aが形成されている。上部プレート401、側壁402、及び底部材によって形成される空間内には、有機電界発光素子の蒸着材料が収容される。
本実施形態における蒸着源400の特徴は、図7に図示したように、蒸着源400の有効蒸着長さ(即ち、蒸着に実際に寄与する上部プレート401の開口401Aの長さL)を、発光膜が形成される基板12の幅bと同一か、又はそれよりも長く構成したことである。
図8aは、図7に図示された蒸着源を400によって、表面に発光膜が蒸着された基板の初期状態を図示した平面図であり、上述のように構成された蒸着源400を利用して基板12の表面に電界発光膜を蒸着した場合、上部プレート401の開口401Aを通じて放散された蒸着材料の蒸気は、基板12表面の全幅に亘って均一に分散及び蒸着される。
このように構成された蒸着源400又は基板12を基板12の長手方向に移動させることによって、一層効果的な蒸着工程を実行することができる。即ち、蒸着源400または基板12を、蒸着装置内で図8aの矢印方向に水平移動(直線移動)させると、図8aに図示された電界発光膜が、基板12表面の長さ全体に亘って連続的に蒸着され、結局、基板12の全表面に均一した発光膜が形成される。図8bは、蒸着源400または基板12を水平移動させた状態で発光膜の蒸着を完了した状態を図示した基板の平面図である。
一方、上述した第1から第4の実施形態で説明された蒸着源100、200、300、及び400は、上側部分と下側部分に分かれた内部空間を有し、その上側部分の断面積が下部部分の断面積と同じ大きさで構成されている。従って、このような蒸着源では、上側部分における材料蒸気の流速と下部部分における材料蒸気の流速は、ほぼ等しい。また、蒸着源の上側部分の面積が広いことにより、内部の蒸着材料の熱損失が増大する。このような問題点を解決するために、本発明は、蒸着源の形態を変形させるものである。
本発明に係る蒸着源の他の特徴は、蒸着源の上部部分に下部部分の断面積よりも小さい断面積を有する部分を形成したことである。図9a〜図9dは、本発明に係る蒸着源のさまざまな形状を図示した断面図であり、本図面に図示された各蒸着源500A、500B、500C、500Dにおいて、開口501A、501B、501C、501Dがそれぞれ形成された上側部分の断面積は、下側部分の断面積よりも小さく構成されている。部分的に断面積が異なっても、同じ管内を流動する流体の量はどの位置においても同一であり、これにより断面積の小さい部分での流速は、断面積が大きい部分での流速よりも高速になる(ベルヌーイの定理)。
その結果、図9a〜図9dに図示された蒸着源500A、500B、500C、500Dで、開口を通じて蒸着材料の蒸気が放散される直前において、断面積の小さい上側部分を通過する蒸気の流速は、蒸着源の下側部分での流速より速くなり、これによって蒸気(気化された蒸着材料の分子)の運動エネルギーが増大するため、基板上に形成される蒸着膜の密度と均一性を向上させることができる。また、蒸着材料の蒸気が放散される上側部分の断面積が小さいことによって、外部への熱損失を最小化でき、環境温度の変化のような外部の干渉によって影響されない蒸着源が実現される。
一方、本発明では、石英に比べて熱容量の大きな材料、例えば、アルミニウム(Al)、ジルコニウム(Zr)、シリコン(Si)、イットリウム(Y)の酸化物もしくは窒化物、または上記材料の少なくとも2種類からなる複合材料が、蒸着源の材料として用いられている。このような金属の酸化物又は窒化物は、蒸着材料である有機物質よりも熱容量が大きく(約3:1以上)、これにより蒸着源の断熱性を向上させることができる。
一般的な有機電界発光素子蒸着装置の概略的な断面図である。 図1に図示された蒸着源の上部プレートと蒸着材料と間の間隔間隔変化を図示した断面図であり、(a)は工程が進む前、(b)は工程が進んだ後の状態を示すものである。 本発明の第1の実施形態における蒸着源を示す図であり、(a)は断面図、(b)は(a)の部分詳細平面図、(c)は工程が終了した後の(a)に図示された蒸着源の上部プレートと蒸着材料との位置関係を図示した断面図である。 本発明の第2の実施形態における蒸着源の断面図である。 本発明の第3の実施形態における蒸着源の断面図である。 図5の線6−6に沿って示した断面図である。 本発明の第4の実施形態における蒸着源と基板との関係を概略的に図示した斜視図である。 図7に図示された蒸着源を利用して表面に電界発光膜を蒸着した基板の平面図であり、(a)は初期状態、(b)は蒸着源(または、基板)を移動させて蒸着を完了した状態を示すものである。 本発明の第4の実施形態における多様な形態の蒸着源の構成を図示した断面図である。
符号の説明
10,100,200,300,400 蒸着源
12 基板
13 チャンバー
14 熱絶縁構造体
20 蒸着材料
11A、101,201,301,401 上部プレート
11D、102,202,302 側壁
11E,103,203,303 底部材
101A,201A,301A,401A 蒸気放出開口
101−1 突起部
102−1,303A 溝
104,204,304 遮蔽板
C1、C2、・・・Cn コイル

Claims (7)

  1. 供給される電力によって加熱され、内部に収容された蒸着材料に熱を伝達し、内部で生成された蒸着材料の蒸気を噴射させて基板表面に蒸着膜を形成する有機電界発光膜蒸着用蒸着源において、
    蒸気放出開口が形成された上部プレート、側壁、及び底部材を含み、さらに選択された位置に熱を供給する加熱手段と、内部に収容された蒸着材料表面の高さの変化を検知する検知手段と、前記検知手段の信号に応じて前記加熱手段の作動を選択的に制御する制御手段と、
    を含み、
    前記加熱手段は、前記側壁の外周面に巻かれかつ前記蒸着材料の高さに応じて前記制御手段の制御によって個別に電力が供給される複数のコイルからなり
    前記制御手段は、蒸着工程が進むにつれて前記蒸着材料表面の高さが変化する時、前記蒸着材料表面に最も近い前記コイルにのみ電力を供給するように制御する
    ことを特徴とする有機電界発光膜蒸着用蒸着源。
  2. 前記側壁に巻かれたコイルの最上端のコイルは、内部に収容し得る最大量の前記蒸着材料の高さと一致し、最下端のコイルは、前記底部材の表面と一致する請求項に記載の有機電界発光膜蒸着用蒸着源。
  3. 前記底部材には溝が形成され、前記溝にはコイルが収容され、このコイルへの電力供給時、このコイルで発生された熱が底部材の表面上に置かれた蒸着材料に伝達される請求項1に記載の有機電界発光膜蒸着用蒸着源。
  4. 前記底部材に形成された前記溝は、前記底部材の幅または長さ方向に形成され、
    複数の直線部と、隣接する二つの前記直線部を連結する複数の連結部とからなり、
    前記底部材の全面に亘って形成されている請求項に記載の有機電界発光膜蒸着用蒸着源。
  5. 前記側壁の外側に設けられ、前記加熱手段で発生された熱が外部へ流出されるのを防止する外部ケーシングをさらに含んでいる請求項1に記載の有機電界発光膜蒸着用蒸着源。
  6. 前記側壁と前記外部ケーシングとの間に形成される空間に、断熱材が充填されている請求項に記載の有機電界発光膜蒸着用蒸着源。
  7. 前記外部ケーシングは、アルミニウム(Al)、ジルコニウム(Zr)、シリコン(Si)またはイットリウム(Y)の酸化物または窒化物からなる請求項または請求項に記載の有機電界発光膜蒸着用蒸着源。
JP2006343450A 2002-07-19 2006-12-20 有機電界発光膜蒸着用蒸着源 Expired - Lifetime JP4429305B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0042271A KR100471358B1 (ko) 2002-07-19 2002-07-19 유기 전자 발광층의 증착 장치
KR10-2002-0058116A KR100471361B1 (ko) 2002-09-25 2002-09-25 유기 전계 발광 소자 증착 장치
KR1020020059786A KR100669194B1 (ko) 2002-10-01 2002-10-01 유기 전계 발광 소자 증발원

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003277602A Division JP3924751B2 (ja) 2002-07-19 2003-07-22 有機電界発光膜蒸着用蒸着源

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007128898A JP2007128898A (ja) 2007-05-24
JP4429305B2 true JP4429305B2 (ja) 2010-03-10

Family

ID=36571445

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003277602A Expired - Lifetime JP3924751B2 (ja) 2002-07-19 2003-07-22 有機電界発光膜蒸着用蒸着源
JP2006343450A Expired - Lifetime JP4429305B2 (ja) 2002-07-19 2006-12-20 有機電界発光膜蒸着用蒸着源
JP2006343506A Pending JP2007123285A (ja) 2002-07-19 2006-12-20 有機電界発光膜蒸着用蒸着源

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003277602A Expired - Lifetime JP3924751B2 (ja) 2002-07-19 2003-07-22 有機電界発光膜蒸着用蒸着源

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006343506A Pending JP2007123285A (ja) 2002-07-19 2006-12-20 有機電界発光膜蒸着用蒸着源

Country Status (6)

Country Link
US (3) US7025832B2 (ja)
EP (3) EP1560467B1 (ja)
JP (3) JP3924751B2 (ja)
CN (1) CN1226448C (ja)
AT (1) ATE326555T1 (ja)
DE (1) DE60305246T2 (ja)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040144321A1 (en) * 2003-01-28 2004-07-29 Eastman Kodak Company Method of designing a thermal physical vapor deposition system
US7232588B2 (en) * 2004-02-23 2007-06-19 Eastman Kodak Company Device and method for vaporizing temperature sensitive materials
US6893939B1 (en) * 2004-02-25 2005-05-17 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source with minimized internal condensation effects
US20060099344A1 (en) * 2004-11-09 2006-05-11 Eastman Kodak Company Controlling the vaporization of organic material
US7399422B2 (en) * 2005-11-29 2008-07-15 Asml Holding N.V. System and method for forming nanodisks used in imprint lithography and nanodisk and memory disk formed thereby
AU2006254452B2 (en) * 2005-05-31 2010-11-18 Tata Steel Nederland Technology B.V. Apparatus and method for coating a substrate
JP4001296B2 (ja) * 2005-08-25 2007-10-31 トッキ株式会社 有機材料の真空蒸着方法およびその装置
DE102005049906B4 (de) * 2005-10-17 2009-12-03 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Verdampfung von Verdampfungsmaterial
US20070178225A1 (en) * 2005-12-14 2007-08-02 Keiji Takanosu Vapor deposition crucible, thin-film forming apparatus comprising the same, and method of producing display device
JP4847365B2 (ja) * 2006-03-22 2011-12-28 キヤノン株式会社 蒸着源および蒸着装置
JP2007291506A (ja) * 2006-03-31 2007-11-08 Canon Inc 成膜方法
KR101106289B1 (ko) * 2006-08-04 2012-01-18 순천향대학교 산학협력단 증착 공정을 위한 선형 증착 소스
KR101480971B1 (ko) * 2006-10-10 2015-01-09 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 전구체 전달 시스템
DE102008016619B3 (de) 2008-04-01 2009-11-05 Kennametal Sintec Keramik Gmbh Verdampferkörper
WO2009125496A1 (ja) * 2008-04-11 2009-10-15 東芝三菱電機産業システム株式会社 均熱装置
US20100189929A1 (en) * 2009-01-28 2010-07-29 Neal James W Coating device and deposition apparatus
US20120006809A1 (en) * 2010-06-23 2012-01-12 Colorado State University Research Foundation Sublimation crucible with embedded heater element
TW201200614A (en) * 2010-06-29 2012-01-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Coating device
CN102312200B (zh) * 2010-06-30 2014-04-23 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 蒸镀机
JP5557633B2 (ja) * 2010-07-15 2014-07-23 日立造船株式会社 蒸着装置
JP5674431B2 (ja) * 2010-11-17 2015-02-25 株式会社アルバック 薄膜形成装置
CN102485952B (zh) * 2010-12-06 2015-09-23 理想能源设备有限公司 汽化装置以及汽化方法
JP2012132049A (ja) * 2010-12-20 2012-07-12 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 真空蒸着装置及び真空蒸着方法
DE102010055285A1 (de) * 2010-12-21 2012-06-21 Solarion Ag Photovoltaik Verdampferquelle, Verdampferkammer und Beschichtungsverfahren
KR101052435B1 (ko) * 2011-04-13 2011-07-28 에스엔유 프리시젼 주식회사 박막형성용 증착장치
KR20120116720A (ko) * 2011-04-13 2012-10-23 에스엔유 프리시젼 주식회사 원료물질 공급장치
KR101233629B1 (ko) * 2011-04-13 2013-02-15 에스엔유 프리시젼 주식회사 대용량 박막형성용 증착장치
KR101252756B1 (ko) * 2011-08-08 2013-04-09 공주대학교 산학협력단 복수의 증발특성을 갖는 점증발원의 노즐
SG11201408177VA (en) * 2012-06-08 2015-01-29 Univ Houston Self-cleaning coatings and methods for making same
FR2992976B1 (fr) * 2012-07-04 2014-07-18 Riber Dispositif d'evaporation pour appareil de depot sous vide et appareil de depot sous vide comprenant un tel dispositif d'evaporation
KR101433901B1 (ko) 2012-10-25 2014-09-01 지제이엠 주식회사 유기물질의 증착장치 및 방법
CN104099571A (zh) * 2013-04-01 2014-10-15 上海和辉光电有限公司 蒸发源组件和薄膜沉积装置和薄膜沉积方法
KR102098619B1 (ko) * 2013-05-31 2020-05-25 삼성디스플레이 주식회사 도가니 장치 및 이를 포함하는 증착 장치
CN105177510B (zh) * 2015-10-21 2018-04-03 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀设备及蒸镀方法
US11926894B2 (en) 2016-09-30 2024-03-12 Asm Ip Holding B.V. Reactant vaporizer and related systems and methods
US10876205B2 (en) 2016-09-30 2020-12-29 Asm Ip Holding B.V. Reactant vaporizer and related systems and methods
CN106906445B (zh) * 2017-03-29 2019-02-12 武汉华星光电技术有限公司 一种蒸发源
CN107805782B (zh) * 2017-11-27 2019-09-20 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种蒸镀装置
US11634812B2 (en) 2018-08-16 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Solid source sublimator
DE102018131905B4 (de) * 2018-12-12 2024-04-25 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Verdampfungsanordnung und Verfahren
KR102221960B1 (ko) * 2019-03-25 2021-03-04 엘지전자 주식회사 증착 장치
JP7303031B2 (ja) * 2019-06-07 2023-07-04 株式会社アルバック 真空蒸着装置用の蒸着源
CN110344004A (zh) * 2019-08-29 2019-10-18 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种蒸镀坩埚和蒸镀设备
US11624113B2 (en) 2019-09-13 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Heating zone separation for reactant evaporation system

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1556930A (en) * 1924-07-15 1925-10-13 Grau Hans Electrical heater
US2440135A (en) * 1944-08-04 1948-04-20 Alexander Paul Method of and apparatus for depositing substances by thermal evaporation in vacuum chambers
US2793609A (en) * 1953-01-26 1957-05-28 British Dielectric Res Ltd Means for the deposition of materials by evaporation in a vacuum
US2955190A (en) * 1957-07-01 1960-10-04 Ferro Corp Circuitous resistance plate type electric heater
US3904392A (en) * 1973-03-16 1975-09-09 Eastman Kodak Co Method of and apparatus for debubbling liquids
US3971334A (en) 1975-03-04 1976-07-27 Xerox Corporation Coating device
US4440803A (en) * 1979-11-01 1984-04-03 Xerox Corporation Process for preparing arsenic-selenium photoreceptors
JPS56108286A (en) * 1979-11-01 1981-08-27 Xerox Corp Method of manufacturing photoreceptor
JPS59107075A (ja) * 1982-12-13 1984-06-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 蒸発速度制御方法
JPS6026660A (ja) * 1983-07-26 1985-02-09 Ulvac Corp 蒸発源の溶融面制御装置
JPS60181267A (ja) * 1984-02-28 1985-09-14 Mitsubishi Electric Corp 金属溶融装置
JPS6086270A (ja) * 1984-06-01 1985-05-15 Denki Kagaku Kogyo Kk 抵抗加熱器の製法
JPH0238559B2 (ja) * 1984-11-16 1990-08-30 Hitachi Ltd Bunshisenjochakusochi
US4695316A (en) * 1986-06-27 1987-09-22 Inductotherm Corporation Multiple induction furnace system using single power supply
JPS6314861A (ja) * 1986-07-08 1988-01-22 Nippon Kokan Kk <Nkk> 真空蒸着装置
JPH02122068A (ja) * 1988-10-31 1990-05-09 Kawasaki Steel Corp ドライプレーティング処理における蒸発原料供給方法およびその装置
US4914275A (en) * 1988-11-08 1990-04-03 Northern Indiana Public Service Company Regasifier
JPH03134159A (ja) * 1989-10-19 1991-06-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 真空蒸着源
JPH05139882A (ja) * 1991-11-20 1993-06-08 Hitachi Ltd 分子線源
JPH05182196A (ja) * 1991-12-27 1993-07-23 Sony Corp 薄膜形成方法及びその装置と真空蒸着用るつぼ
JPH0572965U (ja) * 1992-03-11 1993-10-05 住友電気工業株式会社 るつぼ
JPH06228740A (ja) * 1993-01-29 1994-08-16 Sony Corp 真空蒸着装置
JPH0770739A (ja) * 1993-09-07 1995-03-14 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 蒸着用るつぼの温度制御装置
US5803976A (en) * 1993-11-09 1998-09-08 Imperial Chemical Industries Plc Vacuum web coating
JPH07268613A (ja) * 1994-03-31 1995-10-17 Eiko Eng:Kk 分子線セル
DE4422697C1 (de) 1994-06-29 1996-01-25 Zsw Verdampferquelle für eine Aufdampfanlage und ihre Verwendung
US5532102A (en) * 1995-03-30 1996-07-02 Xerox Corporation Apparatus and process for preparation of migration imaging members
DE19605335C1 (de) * 1996-02-14 1997-04-03 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Einrichtung zur Regelung eines Vakuumbedampfungsprozesses
DE69632730D1 (de) * 1996-07-31 2004-07-22 Istituto Naz Di Fisica Nuclear Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von dünnen Filmen aus Polymeren oder Verbundmaterialien auf verschiedenen Substraten
JPH10124869A (ja) * 1996-10-14 1998-05-15 Fuji Photo Film Co Ltd 磁気記録媒体の製造装置
US6173609B1 (en) * 1997-06-20 2001-01-16 Optical Sensor Consultants, Inc. Optical level sensor
CA2237534A1 (en) * 1997-06-23 1998-12-23 P.A. Joel Smith Rod-fed source pool height monitor
JPH1161386A (ja) * 1997-08-22 1999-03-05 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光素子の成膜装置
US20030164225A1 (en) * 1998-04-20 2003-09-04 Tadashi Sawayama Processing apparatus, exhaust processing process and plasma processing
JP2000012218A (ja) 1998-06-23 2000-01-14 Tdk Corp 有機el素子の製造装置および製造方法
US6251233B1 (en) * 1998-08-03 2001-06-26 The Coca-Cola Company Plasma-enhanced vacuum vapor deposition system including systems for evaporation of a solid, producing an electric arc discharge and measuring ionization and evaporation
JP2000138095A (ja) * 1998-08-26 2000-05-16 Toray Ind Inc 発光素子の製造方法
US6202591B1 (en) * 1998-11-12 2001-03-20 Flex Products, Inc. Linear aperture deposition apparatus and coating process
JP2000248358A (ja) * 1999-03-01 2000-09-12 Casio Comput Co Ltd 蒸着装置および蒸着方法
JP3095740B2 (ja) * 1999-05-19 2000-10-10 福島県 有機化合物用蒸発装置
US6464795B1 (en) * 1999-05-21 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Substrate support member for a processing chamber
JP2001052862A (ja) * 1999-08-04 2001-02-23 Hokuriku Electric Ind Co Ltd 有機el素子の製造方法と装置
JP2001057289A (ja) * 1999-08-20 2001-02-27 Tdk Corp 有機el表示装置の製造装置および製造方法
JP4187367B2 (ja) * 1999-09-28 2008-11-26 三洋電機株式会社 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法
TW490714B (en) * 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
US6237529B1 (en) * 2000-03-03 2001-05-29 Eastman Kodak Company Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
JP4785269B2 (ja) * 2000-05-02 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法及び成膜装置のクリーニング方法
ATE497028T1 (de) * 2000-06-22 2011-02-15 Panasonic Elec Works Co Ltd Vorrichtung und verfahren zum vakuum-ausdampfen
JP3497450B2 (ja) * 2000-07-06 2004-02-16 東京エレクトロン株式会社 バッチ式熱処理装置及びその制御方法
JP2002175878A (ja) * 2000-09-28 2002-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法
US20030015140A1 (en) * 2001-04-26 2003-01-23 Eastman Kodak Company Physical vapor deposition of organic layers using tubular sources for making organic light-emitting devices
JP4704605B2 (ja) * 2001-05-23 2011-06-15 淳二 城戸 連続蒸着装置、蒸着装置及び蒸着方法
JP2003002778A (ja) * 2001-06-26 2003-01-08 International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd 薄膜堆積用分子線セル
JP3712646B2 (ja) * 2001-08-03 2005-11-02 株式会社エイコー・エンジニアリング 薄膜堆積用分子線セル
US20030101937A1 (en) * 2001-11-28 2003-06-05 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source for making an organic light-emitting device
US20030168013A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-11 Eastman Kodak Company Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures for making an organic light-emitting device
US20040007183A1 (en) * 2002-07-11 2004-01-15 Ulvac, Inc. Apparatus and method for the formation of thin films
US6837939B1 (en) * 2003-07-22 2005-01-04 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source using pellets of organic material for making OLED displays

Also Published As

Publication number Publication date
US20040016400A1 (en) 2004-01-29
EP1382713A3 (en) 2004-06-02
CN1487116A (zh) 2004-04-07
DE60305246D1 (de) 2006-06-22
EP1560468B1 (en) 2018-03-21
EP1560468A1 (en) 2005-08-03
JP2007123285A (ja) 2007-05-17
JP2007128898A (ja) 2007-05-24
US7025832B2 (en) 2006-04-11
ATE326555T1 (de) 2006-06-15
EP1382713B1 (en) 2006-05-17
US20060070576A1 (en) 2006-04-06
DE60305246T2 (de) 2006-09-14
EP1382713A2 (en) 2004-01-21
EP1560467B1 (en) 2014-02-26
US7815737B2 (en) 2010-10-19
EP1560467A1 (en) 2005-08-03
JP3924751B2 (ja) 2007-06-06
JP2004095542A (ja) 2004-03-25
US20060054089A1 (en) 2006-03-16
CN1226448C (zh) 2005-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4429305B2 (ja) 有機電界発光膜蒸着用蒸着源
US7339139B2 (en) Multi-layered radiant thermal evaporator and method of use
JP4653089B2 (ja) Oledを製造するためのペレットを使用する蒸着源
EP1130129B1 (en) Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
EP2187709B1 (en) Vapor emission device, organic thin-film vapor deposition apparatus and method of organic thin-film vapor deposition
US20040042770A1 (en) Heating crucible for organic thin film forming apparatus
JP2007186787A (ja) 蒸着坩堝並びにこれを備えた薄膜形成装置、及び表示装置の製造方法
EP2109899A1 (en) Vapor deposition sources and methods
JP4685404B2 (ja) 有機電界発光素子の垂直蒸着方法,その装置,及び有機電界発光素子の垂直蒸着装置に使用される蒸着源
JP2005060757A (ja) 成膜装置、及び成膜方法
KR100471358B1 (ko) 유기 전자 발광층의 증착 장치
KR100471361B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 증착 장치
KR100669194B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 증발원
KR100598717B1 (ko) 불균일하게 배치된 가열수단을 포함하는 유기 전계 발광소자의 증착원
KR100908971B1 (ko) 표시장치 기판의 증착막 형성장치
KR100656535B1 (ko) 열 차단층을 포함하는 유기 전계 발광층 증착용 증착원
KR20070020909A (ko) 증착 장치
KR20040028315A (ko) 유기박막 형성장치의 가열용기
KR20050090842A (ko) 증착물질 가열장치
KR20050016845A (ko) 유기 전계 발광층 증착용 증착원

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20080501

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090811

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091105

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091201

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091215

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121225

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4429305

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131225

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term