JPH02122068A - ドライプレーティング処理における蒸発原料供給方法およびその装置 - Google Patents
ドライプレーティング処理における蒸発原料供給方法およびその装置Info
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- JPH02122068A JPH02122068A JP27329888A JP27329888A JPH02122068A JP H02122068 A JPH02122068 A JP H02122068A JP 27329888 A JP27329888 A JP 27329888A JP 27329888 A JP27329888 A JP 27329888A JP H02122068 A JPH02122068 A JP H02122068A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、ドライプレーティング処理槽内の容器に蒸
発原料を連続的に供給する方法及びその装置に関する。
発原料を連続的に供給する方法及びその装置に関する。
(従来の技術)
近年、真空蒸着、スパッタリングおよびイオンブレーテ
ィングなどのドライプレーティング処理技術が各分野で
利用されている。
ィングなどのドライプレーティング処理技術が各分野で
利用されている。
たとえば鉄鋼分野においては金属ストリップの表面特性
、すなわち耐食性および耐摩耗性などの改良を目的とし
て、TiNやTiCなとのセラミックスの被覆を、ドラ
イプレーティング処理によって行っている。
、すなわち耐食性および耐摩耗性などの改良を目的とし
て、TiNやTiCなとのセラミックスの被覆を、ドラ
イプレーティング処理によって行っている。
このドライプレーティング処理は、高真空に保持された
ドライプレーティング処理槽内の容器、例えばるつぼに
連続的に蒸発原料を供給するに当り、コーティング被膜
の品質及び膜厚を一定に保持する為に、るつぼ内の蒸発
源の湯面レベルを一定に調節することが必要不可欠とな
る。
ドライプレーティング処理槽内の容器、例えばるつぼに
連続的に蒸発原料を供給するに当り、コーティング被膜
の品質及び膜厚を一定に保持する為に、るつぼ内の蒸発
源の湯面レベルを一定に調節することが必要不可欠とな
る。
蒸発源にZnのような融点が400 ’C程度と低い物
質を用いる場合は、蒸発源湯面の制御は比較的容易であ
るが、融点が2000°Cと高いTi等の場合は難しい
。
質を用いる場合は、蒸発源湯面の制御は比較的容易であ
るが、融点が2000°Cと高いTi等の場合は難しい
。
湯面レベルを検出するセンサーとしては固定センサーと
湯面間の距hfを測定する渦流センサー等があるが、蒸
5′1′、j’:lからの蒸発物質(ヘイバー)がセン
サー検出部に1・1着するという不可避の問題があって
適用されていない。
湯面間の距hfを測定する渦流センサー等があるが、蒸
5′1′、j’:lからの蒸発物質(ヘイバー)がセン
サー検出部に1・1着するという不可避の問題があって
適用されていない。
(発明が解決しようとする課題)
この発明は、蒸発源の湯面レベルを検出して過不足なく
1発原料を供給することによって湯面レベルを常に一定
に制御する方法およびこの方法の実施に用いて好適な装
置を提供しようとするものである。
1発原料を供給することによって湯面レベルを常に一定
に制御する方法およびこの方法の実施に用いて好適な装
置を提供しようとするものである。
(課題を解決するための手段)
この発明は、高真空に保持したドライプレーティング処
理槽内の容器に蒸発源となる蒸発原料を供給するに当り
、予め蒸発源の湯面レベルと容器の温度との相関をパタ
ーン化し、ドライプレーティング処理中に測定した容器
の温度から上記パターンに基づいて湯面レベルを読み取
り、このレベルが最適湯面レベルとの間に差があるとき
はその差を補充する量の蒸発原料を容器に供給し、蒸発
源の湯面レベルを一定に制御することを特徴とするドラ
イプレーティング処理における蒸発原料供給方法である
。
理槽内の容器に蒸発源となる蒸発原料を供給するに当り
、予め蒸発源の湯面レベルと容器の温度との相関をパタ
ーン化し、ドライプレーティング処理中に測定した容器
の温度から上記パターンに基づいて湯面レベルを読み取
り、このレベルが最適湯面レベルとの間に差があるとき
はその差を補充する量の蒸発原料を容器に供給し、蒸発
源の湯面レベルを一定に制御することを特徴とするドラ
イプレーティング処理における蒸発原料供給方法である
。
またこの発明の方法に直接使用する装置は、高真空に保
持したドライプレーティング処理槽内に設置した容器に
向けて照射したプラズマビームの■Iα射域に、原料棒
を送り込んで溶融し容器の蒸発源に蒸発原料を供給する
装置であって、容器に埋設した熱電対によって測定した
容器の温度分布から、予めパターン化した蒸発ビ原の湯
面レベルと容器の温度との相関に基づいて湯面レベルを
算出する湯面レベル認識装置および算出した湯面レベル
と最適湯面レベルとの差に応じた型の原料棒送り込みを
行う制御装置をそなえてなるものがを利に適合する。
持したドライプレーティング処理槽内に設置した容器に
向けて照射したプラズマビームの■Iα射域に、原料棒
を送り込んで溶融し容器の蒸発源に蒸発原料を供給する
装置であって、容器に埋設した熱電対によって測定した
容器の温度分布から、予めパターン化した蒸発ビ原の湯
面レベルと容器の温度との相関に基づいて湯面レベルを
算出する湯面レベル認識装置および算出した湯面レベル
と最適湯面レベルとの差に応じた型の原料棒送り込みを
行う制御装置をそなえてなるものがを利に適合する。
次にごの発明を具体的に説明する。
第1図にこの発明の実施に好適な蒸発原料(Ju給装置
を示す。図中1はるつぼ、2は蒸発源、((はプラズマ
ビームを発生させるH CDガン、4はHCDガン3の
出力コントローラー、5は原料棒、6は原料棒5を保持
するチャック、7はボルダ−8はホルダー7のめねじ孔
7aに係合するねし軸、9はねじ軸8を駆動するモータ
ーおよび1oはストッパーで、モーターってねじ軸8を
回転させると、ボルダ−7の連れ回転がストッパー10
で抑止されてボルダ−7はねし軸8の軸方向に移動し、
原fgi棒5をるつは川へと送ることができる。送られ
た原料棒5はI(CDガン3から照射されたプラズマビ
ームによって溶融され、蒸発源2へ原料の供給が行われ
る。
を示す。図中1はるつぼ、2は蒸発源、((はプラズマ
ビームを発生させるH CDガン、4はHCDガン3の
出力コントローラー、5は原料棒、6は原料棒5を保持
するチャック、7はボルダ−8はホルダー7のめねじ孔
7aに係合するねし軸、9はねじ軸8を駆動するモータ
ーおよび1oはストッパーで、モーターってねじ軸8を
回転させると、ボルダ−7の連れ回転がストッパー10
で抑止されてボルダ−7はねし軸8の軸方向に移動し、
原fgi棒5をるつは川へと送ることができる。送られ
た原料棒5はI(CDガン3から照射されたプラズマビ
ームによって溶融され、蒸発源2へ原料の供給が行われ
る。
またるつぼlにはその高さおよび幅方向に複ム々の熱電
対11を等間隔で埋設してあり、これらの熱電対11に
よってるつぼlの温度を測定する。/l′111定結果
は湯定結へル認識装置j2に入力する。この湯面レベル
認識装置12には外部人力装置13がら、予め測定Gこ
よって求められたるっぽ1の温度と蒸発tA2の湯面レ
ベルとの関係をパターン化した情報を人力しておき、こ
のパターンに基づいて熱電対11による測定結果から現
在の湯面レベルを求め、最適湯面レベルとの間に差があ
る場合はその差に応じた原料棒5の送り遣(送り星と)
容融量との関係から予め設置しておく)を原料棒送り速
度制御装置14に入力し、この制御装置14にて出ツノ
コントローラー4での出力に応じて送り速度を決定し、
これを制御信号として制御装置14からモーター9に人
力し、原料棒5の送り込みを行う。なお原f・[棒5の
移動量はパルスジェネレーター15を介して原料棒送り
速度制御装置14に入力され、適宜修整される。
対11を等間隔で埋設してあり、これらの熱電対11に
よってるつぼlの温度を測定する。/l′111定結果
は湯定結へル認識装置j2に入力する。この湯面レベル
認識装置12には外部人力装置13がら、予め測定Gこ
よって求められたるっぽ1の温度と蒸発tA2の湯面レ
ベルとの関係をパターン化した情報を人力しておき、こ
のパターンに基づいて熱電対11による測定結果から現
在の湯面レベルを求め、最適湯面レベルとの間に差があ
る場合はその差に応じた原料棒5の送り遣(送り星と)
容融量との関係から予め設置しておく)を原料棒送り速
度制御装置14に入力し、この制御装置14にて出ツノ
コントローラー4での出力に応じて送り速度を決定し、
これを制御信号として制御装置14からモーター9に人
力し、原料棒5の送り込みを行う。なお原f・[棒5の
移動量はパルスジェネレーター15を介して原料棒送り
速度制御装置14に入力され、適宜修整される。
(作 用)
第2図にドライプレーティング処理に使用するイオンブ
レーティング装置における丞発源廻りを模式で示すよう
に、カソード16から照射されたビーム17はるつは1
8内の范発物質を溶融するばかりでなく、原料棒19を
も溶融しるつぼ18内の広発原料を補給する役目も担う
。通常はビーム出力と原iF’+棒の送り速度とか予め
設定した値になるようなi1’+l+御を行っているが
、原料棒19の送り速度、すなわち蒸発原料の補給速度
がるつぼからの蒸発速度より大きいとるつぼ内芸発源の
湯面レベルは」−昇し、最悪の場合はオーバーフローと
なり、一方小さいと、湯面レベルは低下する。
レーティング装置における丞発源廻りを模式で示すよう
に、カソード16から照射されたビーム17はるつは1
8内の范発物質を溶融するばかりでなく、原料棒19を
も溶融しるつぼ18内の広発原料を補給する役目も担う
。通常はビーム出力と原iF’+棒の送り速度とか予め
設定した値になるようなi1’+l+御を行っているが
、原料棒19の送り速度、すなわち蒸発原料の補給速度
がるつぼからの蒸発速度より大きいとるつぼ内芸発源の
湯面レベルは」−昇し、最悪の場合はオーバーフローと
なり、一方小さいと、湯面レベルは低下する。
この発明は、コーティング被膜の膜厚及び品質を一定に
保つ為に必要不可欠な蒸発ri、湯面レヘしベ調整を、
るつは内に埋設した熱電対によりるっぼ各部の温度を検
出ずろことによって、その(5号を朶発原料補給速度、
ずなわら原料棒の送り速度にフィードバックするもので
ある。したがって湯面レベルに応じて筑発原料の補給が
でき、湯面レベルは一定に保持される。
保つ為に必要不可欠な蒸発ri、湯面レヘしベ調整を、
るつは内に埋設した熱電対によりるっぼ各部の温度を検
出ずろことによって、その(5号を朶発原料補給速度、
ずなわら原料棒の送り速度にフィードバックするもので
ある。したがって湯面レベルに応じて筑発原料の補給が
でき、湯面レベルは一定に保持される。
第3図にるつぼ内の熱電対埋設状況及び湯面レベルの高
低に伴う温度変化状態をT1を蒸発源とした場合につい
て示す。
低に伴う温度変化状態をT1を蒸発源とした場合につい
て示す。
同図から、湯面レベルが変化した場合、ろ−っは各部の
温度分布4)顕著に変化することがわかる。
温度分布4)顕著に変化することがわかる。
したがって湯面の各レベルるこおける各熱電対による測
定結果である温度分布を予め記1aさ−lることにより
、逆に熱電対の測定に基づくるつは温度分布により、湯
面レベルの検出がiJ能となる。そして検出した湯面レ
ベルを基弔しベルと比較し、その差によって草発原料補
給速度を自動的に1rll ?ffff iれば湯面レ
ベルは常に一定の状態となる。
定結果である温度分布を予め記1aさ−lることにより
、逆に熱電対の測定に基づくるつは温度分布により、湯
面レベルの検出がiJ能となる。そして検出した湯面レ
ベルを基弔しベルと比較し、その差によって草発原料補
給速度を自動的に1rll ?ffff iれば湯面レ
ベルは常に一定の状態となる。
以」−の手法により蒸発物質が高副1点祠料の場合であ
っても原発源湯面レベルを一定に保持ずろごとが可11
ヒとなる。
っても原発源湯面レベルを一定に保持ずろごとが可11
ヒとなる。
(実施例)
ステンレス鋼板にTiNの被膜を形成するイオンブレー
ティング処理を、蒸発源の湯面レベルを一定に保持して
行った。るつぼ(グラファイト製)への蒸発原料の供給
は第1図に示す装置を用いた。
ティング処理を、蒸発源の湯面レベルを一定に保持して
行った。るつぼ(グラファイト製)への蒸発原料の供給
は第1図に示す装置を用いた。
また処理条件としてHCDガンビーム出力を1500△
とした。
とした。
まずイオンブレーティング処理を行うに先立ら、るつぼ
に溶融Tiを最i!!湯面レベルまで公人し、るつぼに
埋設した夕、さ電対によってるつぼ各部の温度分布を測
定した(第3図(A)参l!α)ほか、湯if+iレベ
ルでの温度分布を測定しパターン化した。
に溶融Tiを最i!!湯面レベルまで公人し、るつぼに
埋設した夕、さ電対によってるつぼ各部の温度分布を測
定した(第3図(A)参l!α)ほか、湯if+iレベ
ルでの温度分布を測定しパターン化した。
ここで熱電対a−fはるつぼへその上面から20mmピ
ッチで埋設した。
ッチで埋設した。
また熱電対りは」二面から180mmの深さのほぼ中央
に埋設した。
に埋設した。
熱電対g、iは同りより横方向に50mm、高さ方向は
上側へ20mmの位置に埋設した。
上側へ20mmの位置に埋設した。
ついでイオンブレーティング処理を開始し、処理中ば熱
電対にてるつぼ各部の温度を測定し、処理開始から15
分後に第3図(B)に示す温度分Ojになって湯面レベ
ルが低下したことが判明したの゛乙最適湯面しベルとの
差を袖充する頃の原゛f1+ケを送って/8融させ、再
び第3図(A)の状態5二戻した。その後も湯面レベル
の低下が検出されろ都度8.」二記の操作を行ってイオ
ンブレーティング処理をm続したところ、蒸発源の湯面
レベルの最適湯面レベルに対する変動を±10mm以内
シこすることができた。
電対にてるつぼ各部の温度を測定し、処理開始から15
分後に第3図(B)に示す温度分Ojになって湯面レベ
ルが低下したことが判明したの゛乙最適湯面しベルとの
差を袖充する頃の原゛f1+ケを送って/8融させ、再
び第3図(A)の状態5二戻した。その後も湯面レベル
の低下が検出されろ都度8.」二記の操作を行ってイオ
ンブレーティング処理をm続したところ、蒸発源の湯面
レベルの最適湯面レベルに対する変動を±10mm以内
シこすることができた。
(発明の効果)
この発明によれば、震発F1.湯面しベルをはは一定に
保持することができるため、安定した品質の被膜の連続
コーティングを実現し得る。
保持することができるため、安定した品質の被膜の連続
コーティングを実現し得る。
第1図はこの発明の方法に使用する菌宛原ト−1の供給
装置を示す模式図、 第2図は蒸発源(=J近の模式図、 第3図(Δ)(B)はるつぼ各部の温度分布を示す説明
図である。 ■・・・るつぼ 2・・・茅発源3・・・
HCDガン 4・・・出力コントローラー 5・・・原料棒6・・・
チャック 7・・・ホルダー7 a・・・め
ねし孔 8・・・ねじ軸9・・・モーター
lO・・・ストッパー11・・・熱電対 I2・・・湯面レベル認識装置 13・・・外部入力装
置1・1・・・原料棒送り速度コントローラーI5・・
・パルスジェネレーター 特許用1頭人 川崎製鉄株式会社 第2図 (B)
装置を示す模式図、 第2図は蒸発源(=J近の模式図、 第3図(Δ)(B)はるつぼ各部の温度分布を示す説明
図である。 ■・・・るつぼ 2・・・茅発源3・・・
HCDガン 4・・・出力コントローラー 5・・・原料棒6・・・
チャック 7・・・ホルダー7 a・・・め
ねし孔 8・・・ねじ軸9・・・モーター
lO・・・ストッパー11・・・熱電対 I2・・・湯面レベル認識装置 13・・・外部入力装
置1・1・・・原料棒送り速度コントローラーI5・・
・パルスジェネレーター 特許用1頭人 川崎製鉄株式会社 第2図 (B)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、高真空に保持したドライプレーティング処理槽内の
容器に蒸発源となる蒸発原料を供給するに当り、 予め蒸発源の湯面レベルと容器の温度との相関をパター
ン化し、ドライプレーティング処理中に測定した容器の
温度から上記パターンに基づいて湯面レベルを読み取り
、このレベルが最適湯面レベルとの間に差があるときは
その差を補充する量の蒸発原料を容器に供給し、蒸発源
の湯面レベルを一定に制御することを特徴とするドライ
プレーティング処理における蒸発原料供給方法。 2、高真空に保持したドライプレーティング処理槽内に
設置した容器に向けて照射した電子ビームの照射域に、
原料棒を送り込んで溶融し容器の蒸発源に蒸発原料を供
給する装置であって、 容器に埋設した熱電対によって測定した容器の温度分布
から、予めパターン化した蒸発源の湯面レベルと容器の
温度との相関に基づいて湯面レベルを算出する湯面レベ
ル認識装置および 算出した湯面レベルと最適湯面レベルとの差に応じた量
の原料棒送り込みを行う制御装置をそなえてなる蒸発原
料供給装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27329888A JPH02122068A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | ドライプレーティング処理における蒸発原料供給方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27329888A JPH02122068A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | ドライプレーティング処理における蒸発原料供給方法およびその装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02122068A true JPH02122068A (ja) | 1990-05-09 |
Family
ID=17525907
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27329888A Pending JPH02122068A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | ドライプレーティング処理における蒸発原料供給方法およびその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02122068A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04135953U (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-17 | 日新製鋼株式会社 | 真空蒸着めつきにおける溶融金属供給装置 |
JP2007128898A (ja) * | 2002-07-19 | 2007-05-24 | Lg Electron Inc | 有機電界発光膜蒸着用蒸着源 |
DE102011104173A1 (de) | 2011-06-14 | 2012-12-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung zum Verdampfen eines Materials mittels eines Elektronenstrahls innerhalb einer Vakuumkammer |
WO2013073201A1 (ja) * | 2011-11-16 | 2013-05-23 | 三菱重工業株式会社 | 真空蒸着装置 |
CN103276358A (zh) * | 2012-12-26 | 2013-09-04 | 友达光电股份有限公司 | 蒸镀装置 |
WO2014061150A1 (ja) * | 2012-10-19 | 2014-04-24 | 三菱重工業株式会社 | 蒸着材料供給方法、基板製造方法、制御装置および蒸着装置 |
-
1988
- 1988-10-31 JP JP27329888A patent/JPH02122068A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04135953U (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-17 | 日新製鋼株式会社 | 真空蒸着めつきにおける溶融金属供給装置 |
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WO2014061150A1 (ja) * | 2012-10-19 | 2014-04-24 | 三菱重工業株式会社 | 蒸着材料供給方法、基板製造方法、制御装置および蒸着装置 |
JPWO2014061150A1 (ja) * | 2012-10-19 | 2016-09-05 | 三菱重工業株式会社 | 蒸着材料供給方法、基板製造方法、制御装置および蒸着装置 |
US10184169B2 (en) | 2012-10-19 | 2019-01-22 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Method for supplying deposition material, method for producing substrate, control device and deposition device |
CN103276358A (zh) * | 2012-12-26 | 2013-09-04 | 友达光电股份有限公司 | 蒸镀装置 |
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