JPS6086270A - 抵抗加熱器の製法 - Google Patents
抵抗加熱器の製法Info
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- JPS6086270A JPS6086270A JP11226584A JP11226584A JPS6086270A JP S6086270 A JPS6086270 A JP S6086270A JP 11226584 A JP11226584 A JP 11226584A JP 11226584 A JP11226584 A JP 11226584A JP S6086270 A JPS6086270 A JP S6086270A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boat
- evaporation
- inner bottom
- metal
- sintered body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は＄１暗巾金属を効率よく蒸発ばせろ導″『［？
性セラミノクス焼結体力・らなろ真空蒸着用抵抗加４！
｝器のり法に関するものである。
性セラミノクス焼結体力・らなろ真空蒸着用抵抗加４！
｝器のり法に関するものである。
従来、ゼート状の真空蒸着用抵抗加熱′５（以下ボート
という）は、タングステン、モリブデン、クンクル等の
高を訓点金属によつ装作し１こボートが用いら２”Ｌて
いろ。しかしこれら高ｉ＜＋！に点金屈は使用中に蒸着
材としての溶’；ｉｌＩ！金属と合金什したり、又高層
［点金属の結晶化等により破損するので、数回の使用し
か出来久かった。
という）は、タングステン、モリブデン、クンクル等の
高を訓点金属によつ装作し１こボートが用いら２”Ｌて
いろ。しかしこれら高ｉ＜＋！に点金屈は使用中に蒸着
材としての溶’；ｉｌＩ！金属と合金什したり、又高層
［点金属の結晶化等により破損するので、数回の使用し
か出来久かった。
又ボートに金属からなる蒸着材を収納し、加熱して、融
液から蒸発するときに硼１液がボートに濡れないもので
あるときは蒸着材の希が少くなってくると島状になるの
で均一に蒸発することができないのでボートの内底面に
高融点金属繊維状部品甘定はボート内咲面せ凹凸面を形
成することが提案されているがこの方法では高融点金属
を用いていろため蒸発状況は改善づｎろが、その寿命は
従来のものと変らず連続使用は不可能であった。
液から蒸発するときに硼１液がボートに濡れないもので
あるときは蒸着材の希が少くなってくると島状になるの
で均一に蒸発することができないのでボートの内底面に
高融点金属繊維状部品甘定はボート内咲面せ凹凸面を形
成することが提案されているがこの方法では高融点金属
を用いていろため蒸発状況は改善づｎろが、その寿命は
従来のものと変らず連続使用は不可能であった。
（実開＋ｌｇ５ ０−４ ０ ８ ５ ０号）近年、こ
れらの高融点金属にかわってチタンボライド、ジノレコ
ニウムボライド、ボロンナイトライド、アルミニウムナ
イトライ団等力）ら選ばれた１種以上を加圧焼結した導
′ボ．性セラミックスポートが提案されていろ。こねら
の導′ポ性セラミックスからなるボートは耐熱性が高く
、耐スポーリング１生にすぐ肚，蒸着材との反応が少な
くボート寿命が長いという利点がある。
れらの高融点金属にかわってチタンボライド、ジノレコ
ニウムボライド、ボロンナイトライド、アルミニウムナ
イトライ団等力）ら選ばれた１種以上を加圧焼結した導
′ボ．性セラミックスポートが提案されていろ。こねら
の導′ポ性セラミックスからなるボートは耐熱性が高く
、耐スポーリング１生にすぐ肚，蒸着材との反応が少な
くボート寿命が長いという利点がある。
しかし、こオ”Ｌらのセラミックスは高／ｍ！点金属て
比べて、溶融し１こ蒸着材との濡わが悪く、セラミック
スボートと蒸着材との接触が不充分であることがらボー
トの発α１が充分に蒸着材を加；塾することができず大
部分は１幅吋熱として放散し熱効率が、鵠かつ１こ。
比べて、溶融し１こ蒸着材との濡わが悪く、セラミック
スボートと蒸着材との接触が不充分であることがらボー
トの発α１が充分に蒸着材を加；塾することができず大
部分は１幅吋熱として放散し熱効率が、鵠かつ１こ。
’Ｊ１． Ｋ ＝ｂ？明すると、蒸着材の金属蒸発部（
以下キャビチーという）への儒れ拡がりが４．Ｑ、ｊ
（、溶ｉ、！ｌ１ｌｔ した蒸着材でキャビチーの内底
面の全面を濡らすことが困・帷で、キャビチー開面全面
を蒸発剖として有効に利甲で舌ないために単位時間当り
の蒸発）１）は低かった。
以下キャビチーという）への儒れ拡がりが４．Ｑ、ｊ
（、溶ｉ、！ｌ１ｌｔ した蒸着材でキャビチーの内底
面の全面を濡らすことが困・帷で、キャビチー開面全面
を蒸発剖として有効に利甲で舌ないために単位時間当り
の蒸発）１）は低かった。
通常固体表面と溶解１１金屈の渭１１れ性は儒ｎ角度θ
が用いら才ｔろ。
が用いら才ｔろ。
ＣＯ８θ＝ Ｒ（ｒｓ −ｒｓＬ ） ／ ｒＬで示さ
れ、Ｒは荒ざの因子であり、γＳ、γｓＬ、ｒＬは夫々
固体表面、固液界面、液体の表面張力である。
れ、Ｒは荒ざの因子であり、γＳ、γｓＬ、ｒＬは夫々
固体表面、固液界面、液体の表面張力である。
ここで、Ｒは見かけの表面梢に対する真の表（ｆ１４責
を示す。Ｒを大きくすることにより、θは０に近づき固
体表面は、湾ｉ触金属に濡れやすくなる。
を示す。Ｒを大きくすることにより、θは０に近づき固
体表面は、湾ｉ触金属に濡れやすくなる。
史に、表面を粗面とし表面イもを増加することにより、
Ｒを大きくできろこと、１ ｒ、−粗面にすると濡れ性
の悪いボロンナイトライドが除去ζゎ濡れ性が向上する
という知見により本発明に到達し定ものである。
Ｒを大きくできろこと、１ ｒ、−粗面にすると濡れ性
の悪いボロンナイトライドが除去ζゎ濡れ性が向上する
という知見により本発明に到達し定ものである。
すなわち本発明はチタンポライドを主成分としボロンナ
イトライドを含有する導電性セラミックス焼結体からな
る真空蒸発Ｊ＃８Ａ抵抗加抵抗器−３器において、外形
加工の終った加熱器部材を表面が粗粒である回転研石を
用いて金属蒸発部を形成し、その内ｌ成行を粗面状とす
ることを特徴とする真空蒸着用抵抗加熱器のルジ法であ
る。本発明品を蒸着金属の蒸着に使用すると、蒸着材と
ボートとの濡れは蒸発初期から良好で、連続又は繰返し
使用可能である。
イトライドを含有する導電性セラミックス焼結体からな
る真空蒸発Ｊ＃８Ａ抵抗加抵抗器−３器において、外形
加工の終った加熱器部材を表面が粗粒である回転研石を
用いて金属蒸発部を形成し、その内ｌ成行を粗面状とす
ることを特徴とする真空蒸着用抵抗加熱器のルジ法であ
る。本発明品を蒸着金属の蒸着に使用すると、蒸着材と
ボートとの濡れは蒸発初期から良好で、連続又は繰返し
使用可能である。
以下さらに本発明を詳しく涌盲明する。
本発明はチタンポライドを主成分としボロンナイトライ
ドを含有する導電、性セラミックス焼結体からなるボー
ト部材にキャビチーとその内底面な粗面にすることを同
時に行うことを特徴とするものである。
ドを含有する導電、性セラミックス焼結体からなるボー
ト部材にキャビチーとその内底面な粗面にすることを同
時に行うことを特徴とするものである。
その方法としては外形加工の終ったボートにキャビチー
を形成する工程で、粒度の粗いダイヤモンドを研ｊ端面
にもつ回転砥石でキャビチーを７ｉ１Ｆ削加工ずｎばキ
ャビチーの１戊而に自動的に粗面が形成される。本発明
に用いられるボート部材はノコ４軍性のチタンポライド
を主成分とし、簡れ姓の悪いボロンナイトライドドな含
有するものであるが、ボロンナイトライドを含有させＴ
こものは切削加工が容易であり、導電性も所望のものが
ｆ林らｎるが、Ｍｆ＋記した回転イ１１（石により（Ｍ
Ｊｊ度がチタンポライド、［り低いボロンナイトライド
が除去され１１１１れｌとＥか向上する。本発明１てよ
れ１ｒｆ加エエＩＨｐを」曽加することなしに、２５着
材Ｋ ’Ｉｔｓ肚やすいキャビチーの内底面を有するボ
ートが得られる。
を形成する工程で、粒度の粗いダイヤモンドを研ｊ端面
にもつ回転砥石でキャビチーを７ｉ１Ｆ削加工ずｎばキ
ャビチーの１戊而に自動的に粗面が形成される。本発明
に用いられるボート部材はノコ４軍性のチタンポライド
を主成分とし、簡れ姓の悪いボロンナイトライドドな含
有するものであるが、ボロンナイトライドを含有させＴ
こものは切削加工が容易であり、導電性も所望のものが
ｆ林らｎるが、Ｍｆ＋記した回転イ１１（石により（Ｍ
Ｊｊ度がチタンポライド、［り低いボロンナイトライド
が除去され１１１１れｌとＥか向上する。本発明１てよ
れ１ｒｆ加エエＩＨｐを」曽加することなしに、２５着
材Ｋ ’Ｉｔｓ肚やすいキャビチーの内底面を有するボ
ートが得られる。
本発明のボートを用いろことにより装着材はキャビチー
ｊ戊面の全面に容す、に諸第１．拡がり、キャビチー１
戊百の全面より蒸発可醋となり、単位時間当りの蒸着量
を増加１−ろことができろ。四に、ボートから蒸着材へ
の熱の伝達量が多くなり、ｔ［来のボートより少ない電
力でｌｒ率良く金属を蒸着することが可能となった。
ｊ戊面の全面に容す、に諸第１．拡がり、キャビチー１
戊百の全面より蒸発可醋となり、単位時間当りの蒸着量
を増加１−ろことができろ。四に、ボートから蒸着材へ
の熱の伝達量が多くなり、ｔ［来のボートより少ない電
力でｌｒ率良く金属を蒸着することが可能となった。
１ｋ、溶融した蒸着材がキャビチーの内底面の全面に鍋
ｒ、拡がり、濡れ拡がりの面１・＾が変化しないため、
ボートの低抗変化がなくなり蒸着中の電源制個１が容易
である。
ｒ、拡がり、濡れ拡がりの面１・＾が変化しないため、
ボートの低抗変化がなくなり蒸着中の電源制個１が容易
である。
史に、キャビチーの内底面の全面より蒸着金属を蒸発さ
せろことができ１、低いボート温度での操業が可能とな
り、ボートと蒸着材との反応がなくなり、特に局部的な
１副食は見られずボートの寿命が艮くなるとい５〃Ｉ果
もある。
せろことができ１、低いボート温度での操業が可能とな
り、ボートと蒸着材との反応がなくなり、特に局部的な
１副食は見られずボートの寿命が艮くなるとい５〃Ｉ果
もある。
次に、本発明を比較例及び実加ｉ例に従って説明ずろ。
比１咬例
比抵抗が１２００μΩ−伍となるように、チタンポライ
ド４８重量部、ボロンナイｌ−ライド２８重量部及びア
ルミニウムナイトライド２４市量部を合１む＃重性セラ
ミックをホットフ０レス法により成形した。
ド４８重量部、ボロンナイｌ−ライド２８重量部及びア
ルミニウムナイトライド２４市量部を合１む＃重性セラ
ミックをホットフ０レス法により成形した。
この導電性セラミック成形体から１６Ｘ８Ｘ１００罪の
ホードを切り出し１．２５０メソシユのダイヤモンドホ
イ／Ｉ／によって切削し、ｒｌ〕１２ ｍｍ、深さ１．
５ｍｙｎ、長さ７０ ｍｍのキャビチーを形成し二〇蒸
着材として直径１．５ｍｍのＡ／Ｊ線を選び、連続供給
装置を用い直接通′覗で加熱さ扛たボートから連続蒸着
をおこなった。
ホードを切り出し１．２５０メソシユのダイヤモンドホ
イ／Ｉ／によって切削し、ｒｌ〕１２ ｍｍ、深さ１．
５ｍｙｎ、長さ７０ ｍｍのキャビチーを形成し二〇蒸
着材として直径１．５ｍｍのＡ／Ｊ線を選び、連続供給
装置を用い直接通′覗で加熱さ扛たボートから連続蒸着
をおこなった。
蒸着ば、゛ボＶｆ８．５Ｖ’市流６５０ＡでおこないＡ
ｌの中位時間当りの蒸発量は１．５＆／分であつ１こ。
ｌの中位時間当りの蒸発量は１．５＆／分であつ１こ。
溶融したＡｌは、キャビチーの内底面全面には濡ね拡が
らず、キャビチーの片側の鴎にそって約半分に法れ拡が
つ１こに留丑り、四に市、圧を増してボート温度を高く
しても濡れ拡がりは改善づオｔなかつＴこ。この条件で
３００分の〉ｋ着を続けた後、ボートはキャビチーの壁
部で蒸着材と反応し、ボートは変形し、これ以上の放盾
に１１ｉ・ｔえないものとｔｃつ１こ。
らず、キャビチーの片側の鴎にそって約半分に法れ拡が
つ１こに留丑り、四に市、圧を増してボート温度を高く
しても濡れ拡がりは改善づオｔなかつＴこ。この条件で
３００分の〉ｋ着を続けた後、ボートはキャビチーの壁
部で蒸着材と反応し、ボートは変形し、これ以上の放盾
に１１ｉ・ｔえないものとｔｃつ１こ。
笑屑１ｊ例
比ｊ咬・列と同じ導゛市性セラミック成１１４体を用い
、１６Ｘ８Ｘ１００ｍ＋ｎのボートを従来の力／ＩＱで
明り出シ、次いで８０メツシユのダイヤモンドを研摩面
に持つ回転砥石を用いて巾１２ｍｍ、深さ１．５ｍｍ、
長さ７０ｍｍのキャビチーの内ノ戊面を粗面とし定ボー
トを形成した。
、１６Ｘ８Ｘ１００ｍ＋ｎのボートを従来の力／ＩＱで
明り出シ、次いで８０メツシユのダイヤモンドを研摩面
に持つ回転砥石を用いて巾１２ｍｍ、深さ１．５ｍｍ、
長さ７０ｍｍのキャビチーの内ノ戊面を粗面とし定ボー
トを形成した。
この＆−１〜を使用して、比較例に示す方法でＡｌの連
続蒸＠を実がＦＴした。
続蒸＠を実がＦＴした。
蒸着は電圧８．ＯＶ電、流３００Ａでおこないｐ、ｌの
単位時間当りの蒸９儀は２．０＆／分であつ１こ。
単位時間当りの蒸９儀は２．０＆／分であつ１こ。
溶融したＡｌはキャビチー底面の全面に濡れ拡がり電圧
電流の変動も貼られず、極めて安定し１こ操業が回部で
あった。この条件でろ００分連続蒸着をり、）Ａ； し
たが、キャビチー壁部の腐食は見らちなかつ′に。
電流の変動も貼られず、極めて安定し１こ操業が回部で
あった。この条件でろ００分連続蒸着をり、）Ａ； し
たが、キャビチー壁部の腐食は見らちなかつ′に。
特許出頓人 電気什学工業株式会社
Claims (1)
- チタンボライドを主成分としボロンナイトライドを含有
する導電性セラミックス焼結体からなろ冥空蒸発用抵抗
加夕！器の製法において、外形加工の終つ１こ加熱器部
材を表面が什粒である回転イ低石を用いて金属νに元部
を形成し、その内底面をオ′１１面状とすることを晶・
イ｛りとする真空蒸着用抵抗力１１姑器の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11226584A JPS6086270A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 抵抗加熱器の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11226584A JPS6086270A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 抵抗加熱器の製法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10026077A Division JPS5433878A (en) | 1977-08-22 | 1977-08-22 | Resistance heater and method of treating the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086270A true JPS6086270A (ja) | 1985-05-15 |
Family
ID=14582372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11226584A Pending JPS6086270A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 抵抗加熱器の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086270A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1382713A2 (en) * | 2002-07-19 | 2004-01-21 | Lg Electronics Inc. | Source for thermal physical vapour deposition of organic electroluminescent layers |
| WO2005049881A1 (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-02 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | 金属蒸発発熱体及び金属の蒸発方法 |
| JP2007138276A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-06-07 | General Electric Co <Ge> | 金属蒸着用の容器及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50119731A (ja) * | 1974-03-05 | 1975-09-19 | ||
| JPS50161505A (ja) * | 1974-06-21 | 1975-12-27 | ||
| JPS5040850B1 (ja) * | 1971-07-15 | 1975-12-27 |
-
1984
- 1984-06-01 JP JP11226584A patent/JPS6086270A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5040850B1 (ja) * | 1971-07-15 | 1975-12-27 | ||
| JPS50119731A (ja) * | 1974-03-05 | 1975-09-19 | ||
| JPS50161505A (ja) * | 1974-06-21 | 1975-12-27 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1382713A2 (en) * | 2002-07-19 | 2004-01-21 | Lg Electronics Inc. | Source for thermal physical vapour deposition of organic electroluminescent layers |
| EP1382713A3 (en) * | 2002-07-19 | 2004-06-02 | Lg Electronics Inc. | Source for thermal physical vapour deposition of organic electroluminescent layers |
| US7025832B2 (en) | 2002-07-19 | 2006-04-11 | Lg Electronics Inc. | Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers |
| US7815737B2 (en) | 2002-07-19 | 2010-10-19 | Lg Display Co., Ltd. | Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers |
| WO2005049881A1 (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-02 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | 金属蒸発発熱体及び金属の蒸発方法 |
| JP2007138276A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-06-07 | General Electric Co <Ge> | 金属蒸着用の容器及びその製造方法 |
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