JPS59107075A - 蒸発速度制御方法 - Google Patents
蒸発速度制御方法Info
- Publication number
- JPS59107075A JPS59107075A JP21707182A JP21707182A JPS59107075A JP S59107075 A JPS59107075 A JP S59107075A JP 21707182 A JP21707182 A JP 21707182A JP 21707182 A JP21707182 A JP 21707182A JP S59107075 A JPS59107075 A JP S59107075A
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- Japan
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- bath
- level
- plating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/543—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on the vapor source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/246—Replenishment of source material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は工業的大規模の真空蒸着設備によって、例えば
銅帯のような長尺の板状体の表面に連続的に真空蒸着メ
ッキを施すに際して、均一なメッキの厚さ化得るための
制御方法に関する。
銅帯のような長尺の板状体の表面に連続的に真空蒸着メ
ッキを施すに際して、均一なメッキの厚さ化得るための
制御方法に関する。
第１図は従来の真空蒸着メッキによるメッキ厚さの制御
方法？示す。この図において、１は真空が維持できる真
空槽であり、この真空槽１の内部においては銅帯のよう
な板状体２が連続的に走行している。この板状体２の下
部には所定温度に保持された溶融状態のメッキ金属５乞
収容する蒸発源用容器４が設定されており、この容器４
の底部には大気側と連通ずる輸送管５が接続さｎている
。大気側においてはメッキ金属浴５′を収容する容器６
ケ設置しており、この容器６の底部および壁部にはヒー
ター７と断熱層８ヶ取付け、メッキ金属浴６′？溶融状
態に加熱保持する。前記輸送管５の先端はメッキ金属浴
６′中にあって、このメッキ金属浴３′は真空槽１の圧
力と大気圧の圧力差によって大気側の容器６から真空槽
１の内部の蒸発源容器４に輸送管５を通じて収容され、
レベル９と１０が形成される。真空蒸着時においては、
レベル９からメッキ金属浴３が蒸発し、板状体２の表面
に蒸着され、メッキ層か形成される。メッキの厚さの制
御は、メッキ金属浴５の浴底から距離ｌの浴中に熱電対
１１の測温ｍ娶設置し、この信号？温度訓節監１２が受
けて、■１源１６からヒーター１４の出力を調節Ｊする
ことにより行われている。
方法？示す。この図において、１は真空が維持できる真
空槽であり、この真空槽１の内部においては銅帯のよう
な板状体２が連続的に走行している。この板状体２の下
部には所定温度に保持された溶融状態のメッキ金属５乞
収容する蒸発源用容器４が設定されており、この容器４
の底部には大気側と連通ずる輸送管５が接続さｎている
。大気側においてはメッキ金属浴５′を収容する容器６
ケ設置しており、この容器６の底部および壁部にはヒー
ター７と断熱層８ヶ取付け、メッキ金属浴６′？溶融状
態に加熱保持する。前記輸送管５の先端はメッキ金属浴
６′中にあって、このメッキ金属浴３′は真空槽１の圧
力と大気圧の圧力差によって大気側の容器６から真空槽
１の内部の蒸発源容器４に輸送管５を通じて収容され、
レベル９と１０が形成される。真空蒸着時においては、
レベル９からメッキ金属浴３が蒸発し、板状体２の表面
に蒸着され、メッキ層か形成される。メッキの厚さの制
御は、メッキ金属浴５の浴底から距離ｌの浴中に熱電対
１１の測温ｍ娶設置し、この信号？温度訓節監１２が受
けて、■１源１６からヒーター１４の出力を調節Ｊする
ことにより行われている。
このように従来の真空蒸着法しでおけるメッキ層の厚さ
制御法はメッキ金椙浴５ （７，１内名ｂＢ度乞検Ｈ」
シ、てヒーター１４の出力を調整し、浴表面レベルνか
ら蒸発するメッキ金践浴の蒸発速度を１ｌｉｌＪ ｒＭ
’ｌ’することにより行われていた。
制御法はメッキ金椙浴５ （７，１内名ｂＢ度乞検Ｈ」
シ、てヒーター１４の出力を調整し、浴表面レベルνか
ら蒸発するメッキ金践浴の蒸発速度を１ｌｉｌＪ ｒＭ
’ｌ’することにより行われていた。
しかし、このような従来のメッキ厚制御伝ＶＣおい又Ｃ
１，−次のような問題力・あり、均一なメッキＪｊ’ｌ
−さの制御が不充分であった。
１，−次のような問題力・あり、均一なメッキＪｊ’ｌ
−さの制御が不充分であった。
νＩＩち、真空蒸着時においてはメッキ金属浴面９から
メッキ金属浴５が蒸発しており、こｔしに伴ｌ／コ蒸発
潜熱が放出している。従って浴面レベル９の温度は浴中
の熱π％′対１１の測温部の温度より低温蒸発に伴って
常に低下し、測温部との距離りは次第に短かくなジ、大
気中のメッキ金属浴５′からメッキ金践？供給して浴面
レベル？？調整する必要がある。また、大気の気圧によ
っても浴面レベル９の高さが異なる。このような浴面レ
ベル９の高さの変動と前記温度勾配が存在する状況下に
おいて、固定位置の測温部でメッキ金属浴３の温度制御
２行うことは実質上困難で経済的にメッキ厚さが変化し
て均一なメッキが生産されていない。
メッキ金属浴５が蒸発しており、こｔしに伴ｌ／コ蒸発
潜熱が放出している。従って浴面レベル９の温度は浴中
の熱π％′対１１の測温部の温度より低温蒸発に伴って
常に低下し、測温部との距離りは次第に短かくなジ、大
気中のメッキ金属浴５′からメッキ金践？供給して浴面
レベル？？調整する必要がある。また、大気の気圧によ
っても浴面レベル９の高さが異なる。このような浴面レ
ベル９の高さの変動と前記温度勾配が存在する状況下に
おいて、固定位置の測温部でメッキ金属浴３の温度制御
２行うことは実質上困難で経済的にメッキ厚さが変化し
て均一なメッキが生産されていない。
本発明は、このようなア点ヲ鮮消するためになされたも
ので、浴面レベルとヒータ煕出力を制御することにより
メッキ金属浴の蒸発速度？制御し、均一なメッキ厚さの
メッキ製品馨生産すること馨目的とするものである。
ので、浴面レベルとヒータ煕出力を制御することにより
メッキ金属浴の蒸発速度？制御し、均一なメッキ厚さの
メッキ製品馨生産すること馨目的とするものである。
ところでへ蒸発速度は一般に下記理論式で与えられてい
る。
る。
Ｇ：蒸発速度（９／ｃｎｒ−ｓｅｃ ）Ｐ ： Ｔ （
ＯＫ）におけるメッキ金属の飽和蒸気圧（Ｔｏｒｒ）Ｍ
：蒸発分子のグラム分子量 Ｔ：蒸発温度（０Ｋ） この式において、蒸発速度は蒸発温度が支配的であり、
メッキ金属浴中の各部の温度と仁の理論式を対応させる
ことを試みたところ、浴面レベル（浴表面）の温度と理
論式が対応することが解明された。すなわち、浴表面温
度馨常時検串し、ヒータ啜出力を制御すれば蒸発速度が
制御さ扛て均一なメッキ厚さ馨理論式通りに得られるの
であり、またこの時、浴面レベルも常時−足に保持する
制御か必要である〇 本発明は、以上の知見に基づいてなさｎたもので、真空
蒸着法の蒸発源容器に収容したメッキ金属浴の浴表面レ
ベルケ検知器にて検知し、該検知器の信号を浴表面レベ
ル保持用装置に与えて前記浴表面レベルＹ−？に保持し
、さらに前記検知器の信号発信部と一ルベル高さに測温
部がある温度検知器馨設置し、該温度検知器の信号お温
度調節器に与えて前記メッキ金属浴な加熱するヒータへ
の出力を調整すること馨特徴とする蒸発速度制御方法に
関するものである。
ＯＫ）におけるメッキ金属の飽和蒸気圧（Ｔｏｒｒ）Ｍ
：蒸発分子のグラム分子量 Ｔ：蒸発温度（０Ｋ） この式において、蒸発速度は蒸発温度が支配的であり、
メッキ金属浴中の各部の温度と仁の理論式を対応させる
ことを試みたところ、浴面レベル（浴表面）の温度と理
論式が対応することが解明された。すなわち、浴表面温
度馨常時検串し、ヒータ啜出力を制御すれば蒸発速度が
制御さ扛て均一なメッキ厚さ馨理論式通りに得られるの
であり、またこの時、浴面レベルも常時−足に保持する
制御か必要である〇 本発明は、以上の知見に基づいてなさｎたもので、真空
蒸着法の蒸発源容器に収容したメッキ金属浴の浴表面レ
ベルケ検知器にて検知し、該検知器の信号を浴表面レベ
ル保持用装置に与えて前記浴表面レベルＹ−？に保持し
、さらに前記検知器の信号発信部と一ルベル高さに測温
部がある温度検知器馨設置し、該温度検知器の信号お温
度調節器に与えて前記メッキ金属浴な加熱するヒータへ
の出力を調整すること馨特徴とする蒸発速度制御方法に
関するものである。
本発明方法は、銅帯等長尺の連続体表面を抜本発明方法
ケ第６図に示す一実施態様例によって具体的に説明する
。なお、説明な容易にするため第１図と同一作用効果の
部材は同一符号を記す。
ケ第６図に示す一実施態様例によって具体的に説明する
。なお、説明な容易にするため第１図と同一作用効果の
部材は同一符号を記す。
蒸発速度ケ一定に保持するだめの第一の操作は浴面レベ
ル９に一足に保持することである。
ル９に一足に保持することである。
この操作は、例えは次のようにして行わ扛る。
先端をメッキ金属浴５中に浸漬した電極１５と、先端ｒ
浴面レベル９の上部に設置した電極１６を装着し、該電
極１６の先端が浴面レベル９に接触すれば電極１６の先
端から浴面９ケ通過して電、極１５の先端に電流が流れ
る電源１７？取付け、該電源１７と上記の電極１５．１
６とで構成される電気信号回路娶設は−この信号ケリレ
ー回路１８が受けて電源１９から油圧ポンプの駆動モー
タ２０ケ作動させ、油圧式昇降装置２１乞駆動させる構
成ケ利用し、電極１５と１６の間に浴表面レベル９を通
じて電流が流れた場台、油圧式昇降装置２１の上部先端
２２は下部方向に移勿Ｉさせ一指′４執１６の先端が浴
面レベル９の上部にあって１ｌＪＬ ＊が浴表面レベル
９に流れない場合は、油圧式昇降装竹２１の上部先端２
２け土部方向ＶＣ停茜＋させることｅこよジ、浴面レベ
ル９は當時−足に制御される。
浴面レベル９の上部に設置した電極１６を装着し、該電
極１６の先端が浴面レベル９に接触すれば電極１６の先
端から浴面９ケ通過して電、極１５の先端に電流が流れ
る電源１７？取付け、該電源１７と上記の電極１５．１
６とで構成される電気信号回路娶設は−この信号ケリレ
ー回路１８が受けて電源１９から油圧ポンプの駆動モー
タ２０ケ作動させ、油圧式昇降装置２１乞駆動させる構
成ケ利用し、電極１５と１６の間に浴表面レベル９を通
じて電流が流れた場台、油圧式昇降装置２１の上部先端
２２は下部方向に移勿Ｉさせ一指′４執１６の先端が浴
面レベル９の上部にあって１ｌＪＬ ＊が浴表面レベル
９に流れない場合は、油圧式昇降装竹２１の上部先端２
２け土部方向ＶＣ停茜＋させることｅこよジ、浴面レベ
ル９は當時−足に制御される。
また、蒸発速度を一足に保持するための第２の操作は、
浴ａＩ」レベル９（γ”６表面）の温度を検知し、一定
温度に制御することである。この操作は、′にに極１６
の先端（伯号光信部）と熱電対１１の先端（測温部うか
同レベルＶＣ７ｚるよう設置■し、常に浴衣面の温度化
検出して、温度調節器１２と、１１源１５によってヒー
ター１４の出力馨調節し、γ？ｉｉＩ′ｉＩ９の温朋ケ
一定に制御する。
浴ａＩ」レベル９（γ”６表面）の温度を検知し、一定
温度に制御することである。この操作は、′にに極１６
の先端（伯号光信部）と熱電対１１の先端（測温部うか
同レベルＶＣ７ｚるよう設置■し、常に浴衣面の温度化
検出して、温度調節器１２と、１１源１５によってヒー
ター１４の出力馨調節し、γ？ｉｉＩ′ｉＩ９の温朋ケ
一定に制御する。
本発明方法は、以上のようＶＣ浴面レペルケ検出して−
７に保持し、こｒｔ Ｋ伴って浴表面湯度を検出して一
犀温度に保持することによって、浴表面からの蒸発速度
？制御するため、均一なメッキ厚？常時得ることができ
るのである。
７に保持し、こｒｔ Ｋ伴って浴表面湯度を検出して一
犀温度に保持することによって、浴表面からの蒸発速度
？制御するため、均一なメッキ厚？常時得ることができ
るのである。
実施例
第５図に示す狸様で一鋼帯２へ亜鉛の連続蒸着を行ない
、亜鉛の浴面温度と蒸発速度との関係馨調べた。この結
果、第４図に示す各温度での蒸発速度乞検出した。第４
図中、直線１００は理論侑算値？、■印は実測値？示す
。この結果によれは、実測した蒸発速度と理論式による
蒸発速度はよく一致しており−しかもこれ等の値は経時
変化がなかった。また生産された亜鉛のメッキ厚さは均
一なものであった。
、亜鉛の浴面温度と蒸発速度との関係馨調べた。この結
果、第４図に示す各温度での蒸発速度乞検出した。第４
図中、直線１００は理論侑算値？、■印は実測値？示す
。この結果によれは、実測した蒸発速度と理論式による
蒸発速度はよく一致しており−しかもこれ等の値は経時
変化がなかった。また生産された亜鉛のメッキ厚さは均
一なものであった。
第１図は従来の連続真空蒸着時のメッキ厚さ制御方法馨
示す図、第２因は第１図の場合の欠点？説明するだめの
図表、第５図は本発明方法の一実施態様例γ示す図、第
４図は本発明の実施例で得ら扛た結果タボす図表である
。 復代浮六 内 １） 明 復代理人 萩 原 亮 − 第１図 第２図
示す図、第２因は第１図の場合の欠点？説明するだめの
図表、第５図は本発明方法の一実施態様例γ示す図、第
４図は本発明の実施例で得ら扛た結果タボす図表である
。 復代浮六 内 １） 明 復代理人 萩 原 亮 − 第１図 第２図
Claims (1)
- 真壁蒸着法の蒸発源容器に収容したメッキ金属浴の浴表
面レベルを検知器にて検知し、該検知器の信号ケ浴表面
しベル保持用装置に与えて前記浴表面レベル乞一定に保
持し、さらに前記検知器の信号発信部と同レベル高さに
ｄ（１１温部がある温度検知器乞設置し、該温度検知器
の信号を温ｆ１．Ｍ節器に与えて前記メッキ金属浴乞カ
ロ熱するヒータの出力乞調象すること？特徴とする蒸発
速度制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21707182A JPS59107075A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | 蒸発速度制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21707182A JPS59107075A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | 蒸発速度制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59107075A true JPS59107075A (ja) | 1984-06-21 |
| JPH0217628B2 JPH0217628B2 (ja) | 1990-04-23 |
Family
ID=16698374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21707182A Granted JPS59107075A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | 蒸発速度制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59107075A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007128898A (ja) * | 2002-07-19 | 2007-05-24 | Lg Electron Inc | 有機電界発光膜蒸着用蒸着源 |
-
1982
- 1982-12-13 JP JP21707182A patent/JPS59107075A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007128898A (ja) * | 2002-07-19 | 2007-05-24 | Lg Electron Inc | 有機電界発光膜蒸着用蒸着源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0217628B2 (ja) | 1990-04-23 |
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