JPH0217628B2 - - Google Patents
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- JPH0217628B2 JPH0217628B2 JP21707182A JP21707182A JPH0217628B2 JP H0217628 B2 JPH0217628 B2 JP H0217628B2 JP 21707182 A JP21707182 A JP 21707182A JP 21707182 A JP21707182 A JP 21707182A JP H0217628 B2 JPH0217628 B2 JP H0217628B2
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- bath
- temperature
- bath surface
- plating
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- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 24
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/543—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on the vapor source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/246—Replenishment of source material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は工業的大規模の真空蒸着設備によつ
て、例えば鋼帯のような長尺の板状体の表面に連
続的に真空蒸着メツキを施すに際して、均一なメ
ツキの厚さを得るための制御方法に関する。
て、例えば鋼帯のような長尺の板状体の表面に連
続的に真空蒸着メツキを施すに際して、均一なメ
ツキの厚さを得るための制御方法に関する。
第1図は従来の真空蒸着メツキによるメツキ厚
さの制御方法を示す。この図において、1は真空
が維持できる真空槽であり、この真空槽1の内部
においては鋼帯のような板状体2が連続的に走行
している。この板状体2の下部には所定温度に保
持された溶融状態のメツキ金属3を収容する蒸発
源用容器4が設定されており、この容器4の底部
には大気側と連通する輸送管5が接続されてい
る。大気側においてはメツキ金属浴3′を収容す
る容器6を設置しており、この容器6の底部およ
び壁部にはヒーター7と断熱層8を取付け、メツ
キ金属浴3′を溶融状態に加熱保持する。前記輸
送管5の先端はメツキ金属浴3′中にあつて、こ
のメツキ金属浴3′は真空槽1の圧力と大気圧の
圧力差によつて大気側の容器6から真空槽1の内
部の蒸発源容器4に輸送管5を通じて収容され、
レベル9と10が形成される。真空蒸着時におい
ては、レベル9からメツキ金属浴3が蒸発し、板
状体2の表面に蒸着され、メツキ層が形成され
る。メツキの厚さの制御は、メツキ金属浴3の浴
底から距離lの浴中に熱電対11の測温部を設置
し、この信号を温度調節器12が受けて、電源1
3からヒーター14の出力を調節することにより
行われている。
さの制御方法を示す。この図において、1は真空
が維持できる真空槽であり、この真空槽1の内部
においては鋼帯のような板状体2が連続的に走行
している。この板状体2の下部には所定温度に保
持された溶融状態のメツキ金属3を収容する蒸発
源用容器4が設定されており、この容器4の底部
には大気側と連通する輸送管5が接続されてい
る。大気側においてはメツキ金属浴3′を収容す
る容器6を設置しており、この容器6の底部およ
び壁部にはヒーター7と断熱層8を取付け、メツ
キ金属浴3′を溶融状態に加熱保持する。前記輸
送管5の先端はメツキ金属浴3′中にあつて、こ
のメツキ金属浴3′は真空槽1の圧力と大気圧の
圧力差によつて大気側の容器6から真空槽1の内
部の蒸発源容器4に輸送管5を通じて収容され、
レベル9と10が形成される。真空蒸着時におい
ては、レベル9からメツキ金属浴3が蒸発し、板
状体2の表面に蒸着され、メツキ層が形成され
る。メツキの厚さの制御は、メツキ金属浴3の浴
底から距離lの浴中に熱電対11の測温部を設置
し、この信号を温度調節器12が受けて、電源1
3からヒーター14の出力を調節することにより
行われている。
このように従来の真空蒸着法におけるメツキ層
の厚さ制御法はメツキ金属浴3の内部温度を検出
してヒーター14の出力を調整し、浴表面レベル
9から蒸発するメツキ金属浴の蒸発速度を制御す
ることにより行われていた。
の厚さ制御法はメツキ金属浴3の内部温度を検出
してヒーター14の出力を調整し、浴表面レベル
9から蒸発するメツキ金属浴の蒸発速度を制御す
ることにより行われていた。
しかし、このような従来のメツキ厚制御法にお
いては、次のような問題があり、均一なメツキ厚
さの制御が不充分であつた。
いては、次のような問題があり、均一なメツキ厚
さの制御が不充分であつた。
即ち、真空蒸着時においてはメツキ金属浴面9
からメツキ金属浴3が蒸発しており、これに伴い
蒸発潜熱が放出している。従つて浴面レベル9の
温度は浴中の熱電対11の測温部の温度より低温
となり、浴中では第2図のような傾向の温度勾配
が生じる。一方、浴面レベル9はメツキ金属浴3
の蒸発に伴つて常に低下し、測温部との距離Lは
次第に短かくなり、大気中のメツキ金属浴3′か
らメツキ金属を供給して浴面レベル9を調整する
必要がある。また、大気の気圧によつても浴面レ
ベル9の高さが異なる。このような浴面レベル9
の高さの変動と前記温度勾配が存在する状況下に
おいて、固定位置の測温部でメツキ金属浴3の温
度制御を行うことは実質上困難で経済的にメツキ
厚さが変化して均一なメツキが生産されていな
い。
からメツキ金属浴3が蒸発しており、これに伴い
蒸発潜熱が放出している。従つて浴面レベル9の
温度は浴中の熱電対11の測温部の温度より低温
となり、浴中では第2図のような傾向の温度勾配
が生じる。一方、浴面レベル9はメツキ金属浴3
の蒸発に伴つて常に低下し、測温部との距離Lは
次第に短かくなり、大気中のメツキ金属浴3′か
らメツキ金属を供給して浴面レベル9を調整する
必要がある。また、大気の気圧によつても浴面レ
ベル9の高さが異なる。このような浴面レベル9
の高さの変動と前記温度勾配が存在する状況下に
おいて、固定位置の測温部でメツキ金属浴3の温
度制御を行うことは実質上困難で経済的にメツキ
厚さが変化して均一なメツキが生産されていな
い。
本発明は、このような欠点を解消するためにな
されたもので、浴面レベルとヒータ出力を制御す
ることによりメツキ金属浴の蒸発速度を制御し、
均一なメツキ厚さのメツキ製品を生産することを
目的とするものである。
されたもので、浴面レベルとヒータ出力を制御す
ることによりメツキ金属浴の蒸発速度を制御し、
均一なメツキ厚さのメツキ製品を生産することを
目的とするものである。
ところで、蒸発速度は一般に下記理論式で与え
られている。
られている。
G:蒸発速度(g/cm2・sec)
P:T(〓)におけるメツキ金属の飽和蒸発圧
(Torr) M:蒸発分子のグラム分子量 T:蒸発温度(〓) この式において、蒸発速度は蒸発温度が支配的
であり、メツキ金属浴中の各部の温度とこの理論
式を対応させることを試みたところ、浴面レベル
(浴表面)の温度と理論式が対応することが解明
された。すなわち、浴表面温度を常時検出し、ヒ
ータ出力を制御すれば蒸発速度が制御されて均一
なメツキ厚さを理論式通りに得られるのであり、
またこの時、浴面レベルも常時一定に保持する制
御が必要である。
(Torr) M:蒸発分子のグラム分子量 T:蒸発温度(〓) この式において、蒸発速度は蒸発温度が支配的
であり、メツキ金属浴中の各部の温度とこの理論
式を対応させることを試みたところ、浴面レベル
(浴表面)の温度と理論式が対応することが解明
された。すなわち、浴表面温度を常時検出し、ヒ
ータ出力を制御すれば蒸発速度が制御されて均一
なメツキ厚さを理論式通りに得られるのであり、
またこの時、浴面レベルも常時一定に保持する制
御が必要である。
本発明は、以上の知見に基づいてなされたもの
で、真空蒸着法の蒸発源容器に収容したメツキ金
属浴の浴表面レベルを検知器にて検知し、該検知
器の信号を浴表面レベル保持用装置に与えて前記
浴表面レベルを一定に保持し、さらに前記検知器
の信号発信部と同レベル高さに測温部がある温度
検知器を設置し、該温度検知器の信号を温度調節
器に与えて前記メツキ金属浴を加熱するヒータの
出力を調整することを特徴とする蒸発速度制御方
法に関するものである。
で、真空蒸着法の蒸発源容器に収容したメツキ金
属浴の浴表面レベルを検知器にて検知し、該検知
器の信号を浴表面レベル保持用装置に与えて前記
浴表面レベルを一定に保持し、さらに前記検知器
の信号発信部と同レベル高さに測温部がある温度
検知器を設置し、該温度検知器の信号を温度調節
器に与えて前記メツキ金属浴を加熱するヒータの
出力を調整することを特徴とする蒸発速度制御方
法に関するものである。
本発明方法は、鋼帯等長尺の連続体表面を被処
理材とする工業的大規模の連続重空蒸着技術に適
用することができる。
理材とする工業的大規模の連続重空蒸着技術に適
用することができる。
本発明方法を第3図に示す一実施態様例によつ
て具体的に説明する。なお、説明を容易にするた
め第1図と同一作用効果の部材は同一符号を記
す。
て具体的に説明する。なお、説明を容易にするた
め第1図と同一作用効果の部材は同一符号を記
す。
蒸発速度を一定に保持するための第一の操作は
浴面レベル9を一定に保持することである。この
操作は、例えば次のようにして行われる。先端を
メツキ金属浴3中に浸漬した電極15と、先端を
浴面レベル9の上部に設置した電極16を装着
し、該電極16の先端が浴面レベル9に接触すれ
ば電極16の先端から浴面9を通過して電極15
の先端に電流が流れる電源17を取付け、該電源
17と上記の電極15,16とで構成される電気
信号回路を設け、この信号をリレー回路18が受
けて電源19から油圧ポンプの駆動モータ20を
作動させ、油圧式昇降装置21を駆動させる構成
を利用し、電極15と16の間に浴表面レベル9
を通じて電流が流れた場合、油圧式昇降装置21
の上部先端22は下部方向に移動させ、電極16
の先端が浴面レベル9の上部にあつて電流が浴表
面レベル9に流れない場合は、油圧式昇降装置2
1の上部先端22は上部方向に移動させることに
より、浴面レベル9は常時一定に制御される。
浴面レベル9を一定に保持することである。この
操作は、例えば次のようにして行われる。先端を
メツキ金属浴3中に浸漬した電極15と、先端を
浴面レベル9の上部に設置した電極16を装着
し、該電極16の先端が浴面レベル9に接触すれ
ば電極16の先端から浴面9を通過して電極15
の先端に電流が流れる電源17を取付け、該電源
17と上記の電極15,16とで構成される電気
信号回路を設け、この信号をリレー回路18が受
けて電源19から油圧ポンプの駆動モータ20を
作動させ、油圧式昇降装置21を駆動させる構成
を利用し、電極15と16の間に浴表面レベル9
を通じて電流が流れた場合、油圧式昇降装置21
の上部先端22は下部方向に移動させ、電極16
の先端が浴面レベル9の上部にあつて電流が浴表
面レベル9に流れない場合は、油圧式昇降装置2
1の上部先端22は上部方向に移動させることに
より、浴面レベル9は常時一定に制御される。
また、蒸発速度を一定に保持するための第2の
操作は、浴面レベル9(浴表面)の温度を検知
し、一定温度に制御することである。この操作
は、電極16の先端(信号発信部)と熱電対11
の先端(測温部)が同レベルになるよう設置し、
常に浴表面の温度を検出して、温度調節器12
と、電源13によつてヒーター14の出力を調節
し、浴面9の温度を一定に制御する。
操作は、浴面レベル9(浴表面)の温度を検知
し、一定温度に制御することである。この操作
は、電極16の先端(信号発信部)と熱電対11
の先端(測温部)が同レベルになるよう設置し、
常に浴表面の温度を検出して、温度調節器12
と、電源13によつてヒーター14の出力を調節
し、浴面9の温度を一定に制御する。
本発明方法は、以上のように浴面レベルを検出
して一定に保持し、これに伴つて浴表面温度を検
出して一定温度に保持することによつて、浴表面
からの蒸発速度を制御するため、均一なメツキ厚
を常時得ることができるのである。
して一定に保持し、これに伴つて浴表面温度を検
出して一定温度に保持することによつて、浴表面
からの蒸発速度を制御するため、均一なメツキ厚
を常時得ることができるのである。
実施例
第3図に示す態様で、鋼帯2へ亜鉛の連続蒸着
を行ない、亜鉛の浴面温度と蒸発速度との関係を
調べた。この結果、第4図に示す各温度での蒸発
速度を検出した。第4図中、直線100は理論計
算値を、○ぐ
を行ない、亜鉛の浴面温度と蒸発速度との関係を
調べた。この結果、第4図に示す各温度での蒸発
速度を検出した。第4図中、直線100は理論計
算値を、○ぐ
Claims (1)
- 1 真空蒸着法の蒸発源容器に収容したメツキ金
属浴の浴表面レベルを検知器にて検知し、該検知
器の信号を浴表面レベル保持用装置に与えて前記
浴表面レベルを一定に保持し、さらに前記検知器
の信号発信部と同レベル高さに測温部がある温度
検知器を設置し、該温度検知器の信号を温度調節
器に与えて前記メツキ金属浴を加熱するヒータの
出力を調整することを特徴とする蒸発速度制御方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21707182A JPS59107075A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | 蒸発速度制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21707182A JPS59107075A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | 蒸発速度制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59107075A JPS59107075A (ja) | 1984-06-21 |
JPH0217628B2 true JPH0217628B2 (ja) | 1990-04-23 |
Family
ID=16698374
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21707182A Granted JPS59107075A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | 蒸発速度制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59107075A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE60305246T2 (de) * | 2002-07-19 | 2006-09-14 | Lg Electronics Inc. | Quelle zur thermischen PVD-Beschichtung für organische elektrolumineszente Schichten |
-
1982
- 1982-12-13 JP JP21707182A patent/JPS59107075A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59107075A (ja) | 1984-06-21 |
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