JPH0572965U - るつぼ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体基板等の表面に真空蒸着法により昇華
する材料の薄膜を形成するためのるつぼに関する。 【構成】 るつぼの入口を内部より狭く構成し（ｄ＜
Ｄ）、または、入口につば３、あるいは突起４を設けて
いるので、このるつぼを昇華する材料の蒸着に適用して
も材料が飛出すことがなく、安定に蒸着することができ
る。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、半導体基板等の表面上に真空蒸着法により昇華する材料の薄膜を形 成するためのるつぼに関する。

【０００２】

【従来の技術】

半導体基板上に薄膜を形成し、所望の回路を作成するに際し、ＣＶＤ法、蒸着 法、フォトエッチング法等の手段が適用される。この中、Ｃｒ−ＳｉＯの如く、 加熱しても融解せずに固体から直接蒸発するいわゆる昇華する材料を蒸着法によ って形成し、抵抗素子を作る場合がある。このとき、図４に示す如く、タングス テンヒータ１を内蔵した逆円錐台形のるつぼに一定量の粉末状のＣｒ−ＳｉＯを 入れ、真空容器内で加熱し、全部蒸発させて基板上に付着させ、薄膜の厚さ、成 分を調整している。ところで、るつぼの中の材料は加熱すると粉末が固形化し蒸 発する。蒸発はるつぼの上面だけでなく側面あるいは底面に向っても起るので固 体の材料は振動し、押上げられるつぼから飛出る場合もある。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

上述の従来のるつぼは、るつぼの中で固体の材料が振動を起こすと蒸着膜が不 安定になったり、るつぼから飛出し蒸着を中断しなければならぬ場合があった。

【０００４】

【課題を解決するための手段】

本考案はこれらの問題を解決するためのるつぼを提供するものであり、その特 徴とするところは、半導体基板の表面に真空蒸着法により昇華する材料の薄膜を 形成するためのるつぼにおいて、るつぼの入口の内周面につば、または突起を設 けて構成されたるつぼである。また、半導体基板の表面に真空蒸着法により昇華 する材料の薄膜を形成するためのるつぼにおいて、るつぼの入口がほぼ円形をな し、該入口の内径がるつぼ内の最大径に対し狭めて構成されたるつぼである。上 記のるつぼは、内部に線条のタングステンヒータ、その周囲に酸化アルミニウム を被覆することが好ましい構成である。

【０００５】

【作用】

図１に示す本考案のるつぼは、その形状が同図（イ）、（ロ）の如く入口につ ば３あるいは突起４を設けるか、同図（ハ）の如く入口が内部より狭くなってい る（ｄ＜Ｄ）ので固体となった材料が蒸発を始め、振動をしたとしてもるつぼの 外に飛出ることはない。従って、秤量してるつぼに入れた粉末材料は加熱して最 後まで蒸発させることができるので、所定の厚さと所定の組成の薄膜を得ること ができる。以下、実施例をあげて本考案のるつぼをより具体的に説明するが、以 下の開示は本考案の実施例にすぎず、本考案の技術的範囲を限定するものでない 。

【０００６】

【実施例】

図１は本考案のるつぼに係わる実施例の断面図であり、１はタングステンの線 条体を図２に示す如く所定の型に成形してるつぼに内蔵したヒータ、２はその上 に施した高温に安定な酸化アルミニウムからなる被覆である。同図（イ）は入口 につば３を設けた逆円錐台形のるつぼ、同図（ロ）は入口に突起４を設けた円柱 状のるつぼ、同図（ハ）は入口の内径ｄが底部の内径Ｄより狭く作られた円錐台 形のるつぼを示す。図３は真空蒸着法により薄膜を形成する方法の説明図である 。基板６を保持する基板ホールダ９、蒸気の通路を開閉するシャッタ８およびる つぼ５は真空容器１の中に設置され、排気は図示していないロータリーポンプお よび油拡散ポンプによって行う。

【０００７】 入口の内径を６０％まで狭めたつば３を設けた図１（イ）に示するつぼ５にＣ ｒ−ＳｉＯ（Ｃｒ：ＳｉＯ＝５０ｗｔ％：５０ｗｔ％）の粉末０．１ｇｒを入れ 、表面に絶縁層を施した直径３インチのＳｉ基板６をホールダ９に設置し、容器 内は１×１０^-6Ｔｏｒｒまで排気した。シャッタ８は開放してるつぼに内蔵した タングステンヒータ１に通電して加熱しＣｒ−ＳｉＯを蒸発した。このとき粉末 の原料は凝縮し、固形物となって振動したがつば３によって大きく振動したり、 るつぼの外に飛出ることはなかった。全てのＣｒ−ＳｉＯが蒸発し、基板上に形 成した薄膜の厚さは５０００Åであった。同様の実験を５回続けて行ったが原料 が飛出すことはなく、夫々所定の薄膜を得ることができた。これに対して、つば のない図４に示す従来のるつぼを用いて上述の実験を行ったところ、３回にうち ２回は原料が飛出し失敗した。

【０００８】

【考案の効果】

本考案のるつぼは、その入口を内部より狭く構成し、または、入口につばある いは突起を設けているので、このるつぼを昇華する材料の蒸着に適用してもるつ ぼの中の材料が飛出すことがなく最後まで蒸着することができる。また、タング ステンヒータを内蔵し、その周囲に熱的に安定な酸化アルミニウムで被覆してい るので不純物が混入することがない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案のるつぼに係わる実施例の断面図であ
る。

【図２】所定の型に成形しるつぼに内蔵するヒータを示
す図である。

【図３】真空蒸着法により薄膜を形成する方法の説明図
である。

【図４】従来のるつぼの断面図である。

【符号の説明】

１：ヒータ ２：被覆 ３：つば ４：突起 ５：るつぼ ６：基板 ７：真空容器 ８：シャッタ ９：基板ホールダ

Claims (3)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板の表面に真空蒸着法により昇
   華する材料の薄膜を形成するためのるつぼにおいて、る
   つぼの入口の内周面につば、または突起を設けて構成さ
   れたことを特徴とするるつぼ。
2. 【請求項２】 半導体基板の表面に真空蒸着法により昇
   華する材料の薄膜を形成するためのるつぼにおいて、る
   つぼの入口がほぼ円形をなし、該入口の内径がるつぼ内
   の最大径に対し狭めて構成されたことを特徴とするるつ
   ぼ。
3. 【請求項３】 内部に線条のタングステンヒータ、その
   周囲に酸化アルミニウムを被覆して構成されたことを特
   徴とする請求項１または２記載のるつぼ。