JPH0892734A - Ｍｇの蒸発方法 - Google Patents
Ｍｇの蒸発方法Info
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- JPH0892734A JPH0892734A JP25482994A JP25482994A JPH0892734A JP H0892734 A JPH0892734 A JP H0892734A JP 25482994 A JP25482994 A JP 25482994A JP 25482994 A JP25482994 A JP 25482994A JP H0892734 A JPH0892734 A JP H0892734A
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- duct
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｍｇの安定した蒸着を可能にする。
【構成】 Ｍｇを開口部のある容器に入れて６７０℃以
上に加熱し、開口部からＭｇ蒸気を蒸発させる。 【効果】 蒸発速度の変動がなく安定したＭｇの蒸着が
できる。
上に加熱し、開口部からＭｇ蒸気を蒸発させる。 【効果】 蒸発速度の変動がなく安定したＭｇの蒸着が
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｚｎ−Ｍｇ合金蒸着め
っき等に用いる真空中で昇華性を示すＭｇの蒸発方法に
関する。
っき等に用いる真空中で昇華性を示すＭｇの蒸発方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｍｇは昇華性を有する金属であるが、従
来はＡｌやＣｕ等の昇華性を有しない金属と同様に電気
ヒーターや電子ビーム等の加熱手段によって蒸発させて
いる。例えば、極小規模の場合には、ＭｏやＷのボート
の上にＭｇを置き、そのボ−トに通電し、電気抵抗加熱
により蒸発させる。多量に蒸発させる場合には、坩堝に
Ｍｇを入れ、その坩堝を電気ヒーターや電子ビーム等で
加熱することによって蒸発させる。蒸着膜厚、蒸着速度
を精度良く制御する必要がある場合には、スパッタ蒸着
法を用いることもある。
来はＡｌやＣｕ等の昇華性を有しない金属と同様に電気
ヒーターや電子ビーム等の加熱手段によって蒸発させて
いる。例えば、極小規模の場合には、ＭｏやＷのボート
の上にＭｇを置き、そのボ−トに通電し、電気抵抗加熱
により蒸発させる。多量に蒸発させる場合には、坩堝に
Ｍｇを入れ、その坩堝を電気ヒーターや電子ビーム等で
加熱することによって蒸発させる。蒸着膜厚、蒸着速度
を精度良く制御する必要がある場合には、スパッタ蒸着
法を用いることもある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】Ｍｇは、真空中では昇
華性金属であるため、溶融状態を経ず、固体のままの状
態から蒸発する。このため、ボートや坩堝の中で加熱し
ても時間の経過に従って、固体のままのＭｇは形状が変
化し、その表面積が変化するため、蒸発速度が変化す
る。蒸発速度の変化を電気ヒーターや電子ビームの出力
を変え、ボートや坩堝の温度を変化させて調整しようと
しても、蒸発速度の変化が急激であり、ボートや坩堝の
温度がその変化に追随できないため、実質上、蒸発速度
の調節はできない。これに対して、ＡｌやＣｕ等のよう
に溶融状態を経て蒸発する物質の場合は、溶融するた
め、蒸発面が坩堝等の容器の内面で決まり、蒸発面積が
一定になる。このため、電気ヒーターや電子ビームの出
力を調整し、容器の温度を一定にすれば、蒸発速度を一
定にすることができる。また、蒸発速度を制御性良く変
化させることも容易である。
華性金属であるため、溶融状態を経ず、固体のままの状
態から蒸発する。このため、ボートや坩堝の中で加熱し
ても時間の経過に従って、固体のままのＭｇは形状が変
化し、その表面積が変化するため、蒸発速度が変化す
る。蒸発速度の変化を電気ヒーターや電子ビームの出力
を変え、ボートや坩堝の温度を変化させて調整しようと
しても、蒸発速度の変化が急激であり、ボートや坩堝の
温度がその変化に追随できないため、実質上、蒸発速度
の調節はできない。これに対して、ＡｌやＣｕ等のよう
に溶融状態を経て蒸発する物質の場合は、溶融するた
め、蒸発面が坩堝等の容器の内面で決まり、蒸発面積が
一定になる。このため、電気ヒーターや電子ビームの出
力を調整し、容器の温度を一定にすれば、蒸発速度を一
定にすることができる。また、蒸発速度を制御性良く変
化させることも容易である。
【０００４】スパッタ蒸着法では、Ｍｇの蒸発量を精度
良く制御することが可能である。しかし、蒸発速度が遅
く生産性が悪い。また、スパッタ蒸着法では、投入する
電力の１０％以下しか蒸発に寄与しないため、エネルギ
ーの利用効率も非常に悪い。本発明は、このような問題
を解消すべく案出されたものであり、開口部を有する容
器内にＭｇを入れて、容器内の温度を６７０℃以上に加
熱し、開口部からＭｇ蒸気を噴出させることによりＭｇ
の蒸発量を精度良く調節する方法を提供することを目的
とする。
良く制御することが可能である。しかし、蒸発速度が遅
く生産性が悪い。また、スパッタ蒸着法では、投入する
電力の１０％以下しか蒸発に寄与しないため、エネルギ
ーの利用効率も非常に悪い。本発明は、このような問題
を解消すべく案出されたものであり、開口部を有する容
器内にＭｇを入れて、容器内の温度を６７０℃以上に加
熱し、開口部からＭｇ蒸気を噴出させることによりＭｇ
の蒸発量を精度良く調節する方法を提供することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】開口部を有する容器内に
Ｍｇを入れて、容器内の温度を６７０℃以上に加熱し
て、開口部からＭｇ蒸気を噴出させることによりＭｇの
蒸発量を精度良く調節する。上述の方法において、開口
部の出口に反射板を設け、この反射板を５００℃以上に
加熱すればＭｇの蒸発量を更に精度良く調節できる。更
に、上述の二つの方法において、目的によっては開口部
の出口から基板までの間にダクトを設け、このダクトを
５００℃以上に加熱する。
Ｍｇを入れて、容器内の温度を６７０℃以上に加熱し
て、開口部からＭｇ蒸気を噴出させることによりＭｇの
蒸発量を精度良く調節する。上述の方法において、開口
部の出口に反射板を設け、この反射板を５００℃以上に
加熱すればＭｇの蒸発量を更に精度良く調節できる。更
に、上述の二つの方法において、目的によっては開口部
の出口から基板までの間にダクトを設け、このダクトを
５００℃以上に加熱する。
【０００６】図１に示すような開口部を有する容器内に
Ｍｇを入れて、容器内の温度を６７０℃以上に加熱し、
Ｍｇを蒸発させて容器内をＭｇ蒸気で満たし、容器内の
圧力をＭｇの蒸気圧と同等またはそれに近くする。この
ことによって、真空中においてもＭｇが昇華性を失い溶
融するようになる。Ｍｇ蒸気圧は、例えば、７００℃の
場合７Ｔｏｒｒ程度である。尚、容器内に他のガスが存
在しても、Ｍｇを蒸発させている間に容器内は殆どＭｇ
蒸気で満たされる。開口部の大きさは、容器内の圧力が
Ｍｇ蒸気圧若しくはそれに近くなる条件を満たす大きさ
であれば任意で良い。開口部の形状は、円形上、スリッ
ト状等目的に応じて選定すれば良い。開口部の位置は、
容器の上方のみでなくＭｇの位置よりも上であれば、側
面など任意の位置で良い。
Ｍｇを入れて、容器内の温度を６７０℃以上に加熱し、
Ｍｇを蒸発させて容器内をＭｇ蒸気で満たし、容器内の
圧力をＭｇの蒸気圧と同等またはそれに近くする。この
ことによって、真空中においてもＭｇが昇華性を失い溶
融するようになる。Ｍｇ蒸気圧は、例えば、７００℃の
場合７Ｔｏｒｒ程度である。尚、容器内に他のガスが存
在しても、Ｍｇを蒸発させている間に容器内は殆どＭｇ
蒸気で満たされる。開口部の大きさは、容器内の圧力が
Ｍｇ蒸気圧若しくはそれに近くなる条件を満たす大きさ
であれば任意で良い。開口部の形状は、円形上、スリッ
ト状等目的に応じて選定すれば良い。開口部の位置は、
容器の上方のみでなくＭｇの位置よりも上であれば、側
面など任意の位置で良い。
【０００７】容器内のＭｇの温度は、温度変動による凝
固を防止するため、及び凝固による蒸発速度の変動を防
ぐため６７０℃以上にする必要がある。蒸着する真空槽
の真空度には制限は無いが、減圧ガス雰囲気中で蒸発さ
せる場合には、そのガスがＭｇに対して不活性であるこ
とが必要であり、また、全圧力がＭｇ蒸気圧以下でなけ
ればならない。ガスがＭｇに対して活性である場合、そ
のガスが容器内に入り、それが例え少量であってもＭｇ
表面に化合物膜（反応膜）を形成し、しばしば蒸発を阻
害する。全圧力がＭｇ蒸気圧を越えると開口部からＭｇ
蒸気が噴出しなくなる。
固を防止するため、及び凝固による蒸発速度の変動を防
ぐため６７０℃以上にする必要がある。蒸着する真空槽
の真空度には制限は無いが、減圧ガス雰囲気中で蒸発さ
せる場合には、そのガスがＭｇに対して不活性であるこ
とが必要であり、また、全圧力がＭｇ蒸気圧以下でなけ
ればならない。ガスがＭｇに対して活性である場合、そ
のガスが容器内に入り、それが例え少量であってもＭｇ
表面に化合物膜（反応膜）を形成し、しばしば蒸発を阻
害する。全圧力がＭｇ蒸気圧を越えると開口部からＭｇ
蒸気が噴出しなくなる。
【０００８】Ｍｇ蒸気が開口部から容器内に出る場合、
真空中であるため、断熱膨張によって、開口部の出口で
Ｍｇ蒸気が結合しクラスターが発生することがある。特
に開口部からのＭｇ蒸気の噴出量が多い場合、クラスタ
ーが多く発生する。このクラスターは、１００μｍ以上
になることもあり、数μｍの蒸着膜を得る時などは大き
な障害となる。また、容器を高温に加熱し過ぎた場合な
どに溶融したＭｇに突沸が生じ、スプラッシュが発生す
ることがある。このスプラッシュは、数ｍｍ程度のもの
もあり、開口部を通り抜けた場合、蒸着膜に大きな欠陥
を生ずる。このようなクラスター及びスプラッシュは、
図２に示すように、開口部の出口に設けた加熱した反射
板に衝突させ、再度蒸発させることによって原子状の蒸
気とすることができる。これによってクラスター及びス
プラッシュに起因する蒸着膜の欠陥の発生を防止するこ
とができる。尚、反射板は、カーボンや鉄等で作成し、
クラスターやスプラッシュが素通りしないものであれば
任意の形状で良い。また、Ｍｇが反射板に蒸着、堆積せ
ず全て蒸発するようにするため、反射板は５００℃以上
に加熱することが必要である。
真空中であるため、断熱膨張によって、開口部の出口で
Ｍｇ蒸気が結合しクラスターが発生することがある。特
に開口部からのＭｇ蒸気の噴出量が多い場合、クラスタ
ーが多く発生する。このクラスターは、１００μｍ以上
になることもあり、数μｍの蒸着膜を得る時などは大き
な障害となる。また、容器を高温に加熱し過ぎた場合な
どに溶融したＭｇに突沸が生じ、スプラッシュが発生す
ることがある。このスプラッシュは、数ｍｍ程度のもの
もあり、開口部を通り抜けた場合、蒸着膜に大きな欠陥
を生ずる。このようなクラスター及びスプラッシュは、
図２に示すように、開口部の出口に設けた加熱した反射
板に衝突させ、再度蒸発させることによって原子状の蒸
気とすることができる。これによってクラスター及びス
プラッシュに起因する蒸着膜の欠陥の発生を防止するこ
とができる。尚、反射板は、カーボンや鉄等で作成し、
クラスターやスプラッシュが素通りしないものであれば
任意の形状で良い。また、Ｍｇが反射板に蒸着、堆積せ
ず全て蒸発するようにするため、反射板は５００℃以上
に加熱することが必要である。
【０００９】開口部３の出口に図３に示すような加熱可
能なダクト（ヒーター省略）を設ければ、Ｍｇ蒸気を任
意の基板の位置まで搬送できる。このときダクト内にＭ
ｇの蒸着、堆積を防ぐためダクトは５００℃以上に加熱
することが必要がある。クラスター及びスプラッシュ
は、ダクトに衝突すれば反射板と同じ原理により消滅す
る。しかし、ダクトの断面が長さに比べて大きい多場合
には、クラスター及びスプラッシュが素通りすることが
ある。このような場合には、図２の例のように反射板を
設ければ良い。
能なダクト（ヒーター省略）を設ければ、Ｍｇ蒸気を任
意の基板の位置まで搬送できる。このときダクト内にＭ
ｇの蒸着、堆積を防ぐためダクトは５００℃以上に加熱
することが必要がある。クラスター及びスプラッシュ
は、ダクトに衝突すれば反射板と同じ原理により消滅す
る。しかし、ダクトの断面が長さに比べて大きい多場合
には、クラスター及びスプラッシュが素通りすることが
ある。このような場合には、図２の例のように反射板を
設ければ良い。
【００１０】
【作用】開口部を有する容器内にＭｇを入れて、容器内
の温度を６７０℃以上に加熱し、Ｍｇを蒸発させて容器
内をＭｇ蒸気で満たし、容器内の圧力をＭｇの蒸気圧と
同等またはこれに近くすることによって、Ｍｇ上にＭｇ
蒸気圧と同一の圧力の層が厚くできる。この層ができる
ことによって、真空中においてもＭｇのが昇華性がなく
なり、溶融状態から蒸発するようになる。Ｍｇを溶融さ
せるためには、Ｍｇ上のＭｇ蒸気圧と同一の圧力の層の
厚みが１ｍｍ以上必要と考えられる。このようにしてＭ
ｇを溶融状態から蒸発させるため、蒸発速度の変化がな
く安定して蒸発が行われる。
の温度を６７０℃以上に加熱し、Ｍｇを蒸発させて容器
内をＭｇ蒸気で満たし、容器内の圧力をＭｇの蒸気圧と
同等またはこれに近くすることによって、Ｍｇ上にＭｇ
蒸気圧と同一の圧力の層が厚くできる。この層ができる
ことによって、真空中においてもＭｇのが昇華性がなく
なり、溶融状態から蒸発するようになる。Ｍｇを溶融さ
せるためには、Ｍｇ上のＭｇ蒸気圧と同一の圧力の層の
厚みが１ｍｍ以上必要と考えられる。このようにしてＭ
ｇを溶融状態から蒸発させるため、蒸発速度の変化がな
く安定して蒸発が行われる。
【００１１】
実施例１ 図１に示すような形状の、内径７０ｍｍ、内高１１０ｍ
ｍ、孔径（開口部）６ｍｍ、肉厚８ｍｍの黒鉛坩堝を用
いてＭｇを蒸発させた。坩堝温度は、７２０℃とし、坩
堝が置かれている真空槽内の圧力は１×１０-5Ｔｏｒｒ
の真空中及び１×１０-1Ｔｏｒｒの分圧のＮ2 が存在す
る真空中（１×１０-5Ｔｏｒｒまで真空排気した後、Ｎ
2 を導入した。）とし、その中でＭｇを蒸発させた。坩
堝の孔は、始めシャッターで塞いで置き、坩堝温度が所
定の７２０℃に達した後、シャッターを開け２００ｍｍ
上方の基板にＭｇを蒸着させ、蒸着速度を調査した。蒸
発速度の時間変化を図４に示す。１×１０-5Ｔｏｒｒの
真空中及び１×１０-1Ｔｏｒｒの分圧のＮ2 が存在する
真空中の何れにおいても、蒸発速度の変動は０．３μｍ
／ｓに対して±６％以下であり、殆ど変化がなく安定し
た蒸着ができる。これに対して、上方が開放されている
坩堝を用いてＭｇを蒸発させた場合には、蒸着速度は、
０．００１から５μｍ／ｓの範囲で大きく変化し、安定
しなかった。
ｍ、孔径（開口部）６ｍｍ、肉厚８ｍｍの黒鉛坩堝を用
いてＭｇを蒸発させた。坩堝温度は、７２０℃とし、坩
堝が置かれている真空槽内の圧力は１×１０-5Ｔｏｒｒ
の真空中及び１×１０-1Ｔｏｒｒの分圧のＮ2 が存在す
る真空中（１×１０-5Ｔｏｒｒまで真空排気した後、Ｎ
2 を導入した。）とし、その中でＭｇを蒸発させた。坩
堝の孔は、始めシャッターで塞いで置き、坩堝温度が所
定の７２０℃に達した後、シャッターを開け２００ｍｍ
上方の基板にＭｇを蒸着させ、蒸着速度を調査した。蒸
発速度の時間変化を図４に示す。１×１０-5Ｔｏｒｒの
真空中及び１×１０-1Ｔｏｒｒの分圧のＮ2 が存在する
真空中の何れにおいても、蒸発速度の変動は０．３μｍ
／ｓに対して±６％以下であり、殆ど変化がなく安定し
た蒸着ができる。これに対して、上方が開放されている
坩堝を用いてＭｇを蒸発させた場合には、蒸着速度は、
０．００１から５μｍ／ｓの範囲で大きく変化し、安定
しなかった。
【００１２】実施例２ 実施例１で用いた坩堝に図２に示すような反射板を取り
つけた場合の効果を調査した。反射板は、最冷部でも５
００℃以上になるようにした。坩堝内の圧力は１×１０
-1Ｔｏｒｒの分圧のＮ2 が存在する真空度１×１０-5Ｔ
ｏｒｒまで真空排気した後、Ｎ2 を導入した。）とし
た。調査結果を表１に示す。
つけた場合の効果を調査した。反射板は、最冷部でも５
００℃以上になるようにした。坩堝内の圧力は１×１０
-1Ｔｏｒｒの分圧のＮ2 が存在する真空度１×１０-5Ｔ
ｏｒｒまで真空排気した後、Ｎ2 を導入した。）とし
た。調査結果を表１に示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】反射板を取りつけた場合には、坩堝の温度
が高くなって、クラスター又はスパラッシュが発生して
も、高温の反射板に接触してＭｇ蒸気になるため、基板
には付着しなかった。尚、坩堝温度を６７０℃未満とし
た場合、Ｍｇが凝固することがあり、安定した蒸着が得
られなかった。
が高くなって、クラスター又はスパラッシュが発生して
も、高温の反射板に接触してＭｇ蒸気になるため、基板
には付着しなかった。尚、坩堝温度を６７０℃未満とし
た場合、Ｍｇが凝固することがあり、安定した蒸着が得
られなかった。
【００１５】実施例３ 実施例１で用いた坩堝に実施例５に示すような３５ｍｍ
×３５ｍｍの正方形断面のダクトで側方に３５０ｍｍ、
上方に１５０ｍｍ離れた基板にＭｇ蒸気を導き、基板に
Ｍｇ蒸着を施した。坩堝温度は７００℃とし、坩堝内の
圧力は１×１０-5Ｔｏｒｒの真空中及び１×１０-1Ｔｏ
ｒｒの分圧のＮ2 が存在する真空中（１×１０-5Ｔｏｒ
ｒまで真空排気した後、Ｎ2 を導入した。）でＭｇを蒸
発させた。途中にＭｇ蒸気の流れを整える整流板を置
き、均一に蒸着できるようにした。ダクトの温度は最冷
部でも６００℃以上とした。坩堝内の圧力が１×１０-5
Ｔｏｒｒの真空中及び１×１０-1Ｔｏｒｒの分圧のＮ2
が存在する真空中の何れにおいても、蒸着速度０．５μ
ｍ／ｓ±１０％以内の変動で均一な蒸着面が得られた。
また、ダクトを用いているため、基板に蒸着せずに無効
となるＭｇ蒸気が少なくなり、実施例１の場合より坩堝
温度が低いにもかかわらず、蒸着速度が大きくなった。
坩堝、反射板及びダクトは、実施例で用いた大きさのも
のに限らず、大型化若しくは小型化しても本発明方法の
効果は変わらない。
×３５ｍｍの正方形断面のダクトで側方に３５０ｍｍ、
上方に１５０ｍｍ離れた基板にＭｇ蒸気を導き、基板に
Ｍｇ蒸着を施した。坩堝温度は７００℃とし、坩堝内の
圧力は１×１０-5Ｔｏｒｒの真空中及び１×１０-1Ｔｏ
ｒｒの分圧のＮ2 が存在する真空中（１×１０-5Ｔｏｒ
ｒまで真空排気した後、Ｎ2 を導入した。）でＭｇを蒸
発させた。途中にＭｇ蒸気の流れを整える整流板を置
き、均一に蒸着できるようにした。ダクトの温度は最冷
部でも６００℃以上とした。坩堝内の圧力が１×１０-5
Ｔｏｒｒの真空中及び１×１０-1Ｔｏｒｒの分圧のＮ2
が存在する真空中の何れにおいても、蒸着速度０．５μ
ｍ／ｓ±１０％以内の変動で均一な蒸着面が得られた。
また、ダクトを用いているため、基板に蒸着せずに無効
となるＭｇ蒸気が少なくなり、実施例１の場合より坩堝
温度が低いにもかかわらず、蒸着速度が大きくなった。
坩堝、反射板及びダクトは、実施例で用いた大きさのも
のに限らず、大型化若しくは小型化しても本発明方法の
効果は変わらない。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るＭｇ
の蒸着方法によれば、Ｍｇを溶融状態から蒸発させるた
め、蒸発速度の変動がなく安定した蒸着を行うことがで
きる。また、反射板及びダクトを用いることにより、ク
ラスター及びスプラッシュによる蒸着膜の欠陥の発生を
防止できる。また、ダクトを用いれば、Ｍｇ蒸気を直接
基板まで導くことができるため、基板の位置を自由に選
択でき、また基板に蒸着せずに無効になるＭｇ蒸気が少
なくなるため、蒸着効率が非常に高くなる。
の蒸着方法によれば、Ｍｇを溶融状態から蒸発させるた
め、蒸発速度の変動がなく安定した蒸着を行うことがで
きる。また、反射板及びダクトを用いることにより、ク
ラスター及びスプラッシュによる蒸着膜の欠陥の発生を
防止できる。また、ダクトを用いれば、Ｍｇ蒸気を直接
基板まで導くことができるため、基板の位置を自由に選
択でき、また基板に蒸着せずに無効になるＭｇ蒸気が少
なくなるため、蒸着効率が非常に高くなる。
【図１】 Ｍｇ溶解用容器の横断面図
【図２】 反射板を設けたＭｇ溶解用容器の横断面図
【図３】 ダクトを設けたＭｇ溶解用容器の横断面図
【図４】 蒸発速度の経時的変動を示し図
【図５】 ダクト内に整流板を設けたＭｇ溶解用容器の
横断面図
横断面図
１ 容器 ２ ヒーター ３ Ｍｇ ４ 反射板 ５ ダクト ６ 基板 ７ 整流板
Claims (3)
- 【請求項１】 開口部を有する容器内にＭｇを入れて、
容器内の温度を６７０℃以上に加熱することにより、開
口部からＭｇ蒸気を噴出させることを特徴とするＭｇの
蒸発方法。 - 【請求項２】 開口部の出口に反射板を設け、この反射
板を５００℃以上に加熱することを特徴とする請求項１
記載のＭｇの蒸発方法。 - 【請求項３】 開口部の出口から基板までの間にダクト
を設け、このダクトを５００℃以上に加熱することを特
徴とする請求項１又は２記載のＭｇの蒸発方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25482994A JPH0892734A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | Ｍｇの蒸発方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25482994A JPH0892734A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | Ｍｇの蒸発方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0892734A true JPH0892734A (ja) | 1996-04-09 |
Family
ID=17270443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25482994A Withdrawn JPH0892734A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | Ｍｇの蒸発方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0892734A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0735157A2 (en) * | 1995-03-28 | 1996-10-02 | Nisshin Steel Co., Ltd. | Formation of magnesium vapor with high evaporation speed |
| JP2003502494A (ja) * | 1998-11-12 | 2003-01-21 | フレックス プロダクツ インコーポレイテッド | 直線開口蒸着装置および被覆方法 |
| EP1770186A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-04 | Samsung SDI Co., Ltd. | Evaporation source and vacuum deposition apparatus using the same |
-
1994
- 1994-09-22 JP JP25482994A patent/JPH0892734A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0735157A2 (en) * | 1995-03-28 | 1996-10-02 | Nisshin Steel Co., Ltd. | Formation of magnesium vapor with high evaporation speed |
| EP0735157A3 (en) * | 1995-03-28 | 1997-08-27 | Nisshin Steel Co Ltd | Generation of magnesium vapor with high evaporation rate |
| US5705226A (en) * | 1995-03-28 | 1998-01-06 | Nisshin Steel Co., Ltd. | Formation of magnesium vapor with high evaporation speed |
| JP2003502494A (ja) * | 1998-11-12 | 2003-01-21 | フレックス プロダクツ インコーポレイテッド | 直線開口蒸着装置および被覆方法 |
| EP1770186A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-04 | Samsung SDI Co., Ltd. | Evaporation source and vacuum deposition apparatus using the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |