JPH0313566A - 薄膜製造方法 - Google Patents
薄膜製造方法Info
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- JPH0313566A JPH0313566A JP14789589A JP14789589A JPH0313566A JP H0313566 A JPH0313566 A JP H0313566A JP 14789589 A JP14789589 A JP 14789589A JP 14789589 A JP14789589 A JP 14789589A JP H0313566 A JPH0313566 A JP H0313566A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明Ｉｔ 蒸着材料を、溶融して蒸気を発生し基板
に付着させて薄膜を形成する薄膜製造方法に関するもの
であも 従来の技術 一般に真空蒸着法によって合金を蒸着させる場色 第２
図（Ａ）に示したようにマグネシア等の耐熱材料よりな
る坩堝１内に設置したインゴット（図示せず）を電子銃
２より照射される電子ビーム３によって加へ 溶融し
蒸気を発生させ基板（図示せず）上へ付着させ金属薄膜
を形成していも この隊 前記坩堝１内の溶湯４は時間
と共に減少上 また 使用する蒸着材料によっては飽和
蒸気圧が異なるので溶湯組成も時間と共に変化すも こ
のた数 蒸着材料供給棒（以後供給棒と呼ぶ）５を供給
することによって、溶湯４の量及び組成を一定に保って
いも またこの隊 供給場所にて発生するスプラッシュ
が膜に付かないように仕切り板６を設けていも 供給棒５が供給されると前記供給棒５の表面の異物東
酸化膜も共に溶湯４内に入り、浮遊物７となって溶湯４
の表面を漂う。通家 電子ビーム３による加熱を行った
場合、溶湯４の表面では電子ビーム３が照射されている
高温領域よりも周囲の低温領域の方が表面張力が大きく
なり、この表面張力の差に起因したマランゴニ力が生じ
溶湯４表面の前記電子ビーム３が照射されている領域か
ら前記坩堝１の矢・印Ｃ方向への流れが生じも発明が解
決しようとする課題 しかし 坩堝ｌの前記溶湯４との濡れ性が良い場合マラ
ンゴニ力が小さく、且つ坩堝１が小さい場合は溶湯４の
中央部が凹状になり易いたべ 浮遊物７は溶湯４の表面
を自由に動きまわり中央部にたまも この浮遊物７は高
融点であるため電子ビームによって直接加熱されても容
易に溶けず、沸騰の核となって前記溶湯５の液滴の飛散
を招く。
に付着させて薄膜を形成する薄膜製造方法に関するもの
であも 従来の技術 一般に真空蒸着法によって合金を蒸着させる場色 第２
図（Ａ）に示したようにマグネシア等の耐熱材料よりな
る坩堝１内に設置したインゴット（図示せず）を電子銃
２より照射される電子ビーム３によって加へ 溶融し
蒸気を発生させ基板（図示せず）上へ付着させ金属薄膜
を形成していも この隊 前記坩堝１内の溶湯４は時間
と共に減少上 また 使用する蒸着材料によっては飽和
蒸気圧が異なるので溶湯組成も時間と共に変化すも こ
のた数 蒸着材料供給棒（以後供給棒と呼ぶ）５を供給
することによって、溶湯４の量及び組成を一定に保って
いも またこの隊 供給場所にて発生するスプラッシュ
が膜に付かないように仕切り板６を設けていも 供給棒５が供給されると前記供給棒５の表面の異物東
酸化膜も共に溶湯４内に入り、浮遊物７となって溶湯４
の表面を漂う。通家 電子ビーム３による加熱を行った
場合、溶湯４の表面では電子ビーム３が照射されている
高温領域よりも周囲の低温領域の方が表面張力が大きく
なり、この表面張力の差に起因したマランゴニ力が生じ
溶湯４表面の前記電子ビーム３が照射されている領域か
ら前記坩堝１の矢・印Ｃ方向への流れが生じも発明が解
決しようとする課題 しかし 坩堝ｌの前記溶湯４との濡れ性が良い場合マラ
ンゴニ力が小さく、且つ坩堝１が小さい場合は溶湯４の
中央部が凹状になり易いたべ 浮遊物７は溶湯４の表面
を自由に動きまわり中央部にたまも この浮遊物７は高
融点であるため電子ビームによって直接加熱されても容
易に溶けず、沸騰の核となって前記溶湯５の液滴の飛散
を招く。
第２図（Ｂ）に示すように高周波誘導加熱コイル１５を
用いて加熱を行なった場合でも前記と同様に溶湯４は中
央部が凹状になり前記異物７が中央部にたまり、蒸発時
の抵抗となり蒸発速度が落ちも このため中央部に熱が
溜り突沸の原因となり前記溶湯４の液滴の飛散を招く。
用いて加熱を行なった場合でも前記と同様に溶湯４は中
央部が凹状になり前記異物７が中央部にたまり、蒸発時
の抵抗となり蒸発速度が落ちも このため中央部に熱が
溜り突沸の原因となり前記溶湯４の液滴の飛散を招く。
この飛散した液滴はスプラシュと呼ばれ基板状で凝固し
異物となって残存し 金属薄膜の完成度が非常に低下す
るという不具合が生じも本発明はかかる点に鑑へ 均一
で完成度の高い金属薄膜の製造装置を提供することを目
的とする。
異物となって残存し 金属薄膜の完成度が非常に低下す
るという不具合が生じも本発明はかかる点に鑑へ 均一
で完成度の高い金属薄膜の製造装置を提供することを目
的とする。
課題を解決するための手段
本発明（よ 蒸着材料を加へ 溶融し蒸発させるための
坩堝として、蒸着材料の溶湯に対して接触角が９０度以
上となる坩堝を用いるものであム作 用 本発明の技術的手段による作用として（よ 蒸着材料の
溶湯に対して濡れ性の悪い坩堝を用いると前記溶湯表面
は表面張力によって中央部が盛上がる。また このよう
な組合せの場合 前記坩堝と前記溶湯の界面張力が大き
いた数 前記溶湯の自由表面を前記坩堝壁の方向に引き
寄せようとすもこのた敢 前記溶湯を漂う浮遊物はいっ
たん前記坩堝壁にトラップされると、前記盛上がりと界
面張力に起因する力とによって、再び前記坩堝壁から離
れて浮遊することができなくなも これによって浮遊物
が原因となるスブラシュをなくすことが可能となも 実施例 以下、本発明の一実施例における薄膜製造方法を添付図
面に基づいて説明すも 本実施例は磁気記録媒体を製膜する場合に行ったもので
あり、第１図に本実施例の概略図を示も蒸着材料として
磁性材料であるＣｏ−Ｃｒ、もしくはＣｏ−Ｎｉを用し
入 前記蒸着材料の溶湯８との接触角θが９０度以上で
あるよう狐 イツトリアもしくは窒化ほう素を主成分と
した耐熱材料で形成された坩堝９を使用し 電子銃ＩＯ
より照射された電子ビーム１１によって前記坩堝９内の
蒸着材料を船級 溶融上 蒸発領域Ａにおいて蒸発させ
も 蒸発にともない前記溶湯８は減少するバ蒸着材料供
給棒１２によって補給し常に溶湯８の１は一定に保たれ
も また供給時に供給領域Ｂにて発生するスブラシュは
仕切り板１３によって膜（図示せず）には影響を及ぼさ
ないようにしている。
坩堝として、蒸着材料の溶湯に対して接触角が９０度以
上となる坩堝を用いるものであム作 用 本発明の技術的手段による作用として（よ 蒸着材料の
溶湯に対して濡れ性の悪い坩堝を用いると前記溶湯表面
は表面張力によって中央部が盛上がる。また このよう
な組合せの場合 前記坩堝と前記溶湯の界面張力が大き
いた数 前記溶湯の自由表面を前記坩堝壁の方向に引き
寄せようとすもこのた敢 前記溶湯を漂う浮遊物はいっ
たん前記坩堝壁にトラップされると、前記盛上がりと界
面張力に起因する力とによって、再び前記坩堝壁から離
れて浮遊することができなくなも これによって浮遊物
が原因となるスブラシュをなくすことが可能となも 実施例 以下、本発明の一実施例における薄膜製造方法を添付図
面に基づいて説明すも 本実施例は磁気記録媒体を製膜する場合に行ったもので
あり、第１図に本実施例の概略図を示も蒸着材料として
磁性材料であるＣｏ−Ｃｒ、もしくはＣｏ−Ｎｉを用し
入 前記蒸着材料の溶湯８との接触角θが９０度以上で
あるよう狐 イツトリアもしくは窒化ほう素を主成分と
した耐熱材料で形成された坩堝９を使用し 電子銃ＩＯ
より照射された電子ビーム１１によって前記坩堝９内の
蒸着材料を船級 溶融上 蒸発領域Ａにおいて蒸発させ
も 蒸発にともない前記溶湯８は減少するバ蒸着材料供
給棒１２によって補給し常に溶湯８の１は一定に保たれ
も また供給時に供給領域Ｂにて発生するスブラシュは
仕切り板１３によって膜（図示せず）には影響を及ぼさ
ないようにしている。
この様な構成にすることによって次のような効果があも
供給棒１２が供給される時に持込まれる酸化物等の異
物１４ （最初から存在する場合もある）（ヨ 濡れ
性が悪いことによる溶湯８の表面中央部の盛上がりによ
る傾斜と、坩堝９と前記溶湯８の界面張力とによって前
記坩堝９の壁にトラップされ蒸発領域Ａへの流入を阻止
されも特へ この様に前記電子ビーム１１によって加熱
を行った場合マランゴニ力が生欧 前記界面張力との相
乗効果により、矢印で示したように前記溶湯５の表面か
ら前記坩堝１の壁方向へ大きな流れが生じべ このため
前記異物１４は前記坩堝９の壁へと押付けられ 前記坩
堝９の壁にトラップされも これによって、前記異物１
４が原因で引き起こされるスプラッシュを無くすことが
できも発明の効果 本発明によって、蒸着材料供給時に流入した異へ 又は
最初から存在していた異物を坩堝壁面にトラップするこ
とにより、蒸発領域への前記異物の流入を防ぐことがで
きるのて スプラシュの発生を防ぎ、完成度の高い薄膜
が製膜可能となも
供給棒１２が供給される時に持込まれる酸化物等の異
物１４ （最初から存在する場合もある）（ヨ 濡れ
性が悪いことによる溶湯８の表面中央部の盛上がりによ
る傾斜と、坩堝９と前記溶湯８の界面張力とによって前
記坩堝９の壁にトラップされ蒸発領域Ａへの流入を阻止
されも特へ この様に前記電子ビーム１１によって加熱
を行った場合マランゴニ力が生欧 前記界面張力との相
乗効果により、矢印で示したように前記溶湯５の表面か
ら前記坩堝１の壁方向へ大きな流れが生じべ このため
前記異物１４は前記坩堝９の壁へと押付けられ 前記坩
堝９の壁にトラップされも これによって、前記異物１
４が原因で引き起こされるスプラッシュを無くすことが
できも発明の効果 本発明によって、蒸着材料供給時に流入した異へ 又は
最初から存在していた異物を坩堝壁面にトラップするこ
とにより、蒸発領域への前記異物の流入を防ぐことがで
きるのて スプラシュの発生を防ぎ、完成度の高い薄膜
が製膜可能となも
第１図は本発明の一実施例における薄膜製造方法の概略
医 第２図（Ａ）（Ｂ）は従来例の概略図であム ８・・・・溶邑 ９・・・・坩堝 １０・・・・電子坑
１１・・・・電子ビー八 １２・・・・供給域 １３
・・・・仕切り楓 １４・・・・異′ｌ丸
医 第２図（Ａ）（Ｂ）は従来例の概略図であム ８・・・・溶邑 ９・・・・坩堝 １０・・・・電子坑
１１・・・・電子ビー八 １２・・・・供給域 １３
・・・・仕切り楓 １４・・・・異′ｌ丸
Claims (2)
- （１）蒸着材料を加熱、溶融して蒸発させるための坩堝
として、蒸着材料の溶湯に対して接触角が９０度以上と
なる坩堝を用いることを特徴とする薄膜製造方法。 - （２）蒸着材料としてＣｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ等の磁性
材料を用い、坩堝材料としてイットリアもしくは窒化ほ
う素を主成分とする耐熱材料を用いたことを特徴とする
特許請求項第１項記載の薄膜製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14789589A JPH0313566A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 薄膜製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14789589A JPH0313566A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 薄膜製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0313566A true JPH0313566A (ja) | 1991-01-22 |
Family
ID=15440587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14789589A Pending JPH0313566A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 薄膜製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0313566A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002241930A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-08-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 窒化物薄膜作製方法 |
| US7319079B2 (en) | 2003-09-24 | 2008-01-15 | Rusinko Jr David Michael | Container for evaporation of metal and method to manufacture thereof |
| JP2014528888A (ja) * | 2011-08-05 | 2014-10-30 | クルーシブル インテレクチュアル プロパティ エルエルシーＣｒｕｃｉｂｌｅ Ｉｎｔｅｌｌｅｃｔｕａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｙ Ｌｌｃ | るつぼ材料 |
-
1989
- 1989-06-09 JP JP14789589A patent/JPH0313566A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002241930A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-08-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 窒化物薄膜作製方法 |
| JP4619554B2 (ja) * | 2001-02-19 | 2011-01-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 窒化物薄膜作製方法 |
| US7319079B2 (en) | 2003-09-24 | 2008-01-15 | Rusinko Jr David Michael | Container for evaporation of metal and method to manufacture thereof |
| JP2014528888A (ja) * | 2011-08-05 | 2014-10-30 | クルーシブル インテレクチュアル プロパティ エルエルシーＣｒｕｃｉｂｌｅ Ｉｎｔｅｌｌｅｃｔｕａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｙ Ｌｌｃ | るつぼ材料 |
| US10107550B2 (en) | 2011-08-05 | 2018-10-23 | Crucible Intellectual Property, LLC. | Crucible materials |
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