JPH0841629A - セルシャッターおよびその使用方法 - Google Patents
セルシャッターおよびその使用方法Info
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- JPH0841629A JPH0841629A JP17685994A JP17685994A JPH0841629A JP H0841629 A JPH0841629 A JP H0841629A JP 17685994 A JP17685994 A JP 17685994A JP 17685994 A JP17685994 A JP 17685994A JP H0841629 A JPH0841629 A JP H0841629A
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- Japan
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- cell shutter
- shutter
- metal
- cell
- crucible
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 分子線結晶成長装置の分子線の通過および遮
蔽に用いるセルシャッター２９において、自動的にセル
シャッター２９の閉状態時にセルシャッター２９を加熱
せず、開状態時に加熱する加熱用ヒータ３４を具備した
ことを特徴とするセルシャッター２９から成る。 【効果】 本発明によれば、セルシャッターの開状態時
に、セルシャッターのヒータに通電し、セルシャッター
の温度を上げ、付着金属を蒸発させ、シャッターの開閉
の動作での付着金属の落下を防ぐ。このことにより、セ
ルシャッターの熱反射板の反射効果の低減の防止、坩堝
内の金属の汚染を防止する。また、シャッター閉時の蒸
発金属をセルシャッターに付着させ、反射による坩堝内
の蒸発金属の汚染を防止する。
蔽に用いるセルシャッター２９において、自動的にセル
シャッター２９の閉状態時にセルシャッター２９を加熱
せず、開状態時に加熱する加熱用ヒータ３４を具備した
ことを特徴とするセルシャッター２９から成る。 【効果】 本発明によれば、セルシャッターの開状態時
に、セルシャッターのヒータに通電し、セルシャッター
の温度を上げ、付着金属を蒸発させ、シャッターの開閉
の動作での付着金属の落下を防ぐ。このことにより、セ
ルシャッターの熱反射板の反射効果の低減の防止、坩堝
内の金属の汚染を防止する。また、シャッター閉時の蒸
発金属をセルシャッターに付着させ、反射による坩堝内
の蒸発金属の汚染を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、分子線結晶成長装置の
セルシャッターおよびその使用方法に関する。
セルシャッターおよびその使用方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の一例の分子線結晶成長装置
のクヌードセンセルの断面図である。１はクヌードセン
セルで、坩堝２の円周方向を加熱用ヒータ３で囲み、さ
らに、一般的に高温での熱反射に優れた表面が鏡面のタ
ンタルで作られた熱反射板４で囲んでいる。５は熱反射
板４の外部に接して、熱反射板４を保持する外套であ
る。６は坩堝２と外套５の接合面のカバ−である。７は
外套５とカバー６を接続する接続子である。８は坩堝２
の底面に接触している温度測定用熱電対である。９は分
子線の通過および遮蔽をするセルシャッターである。１
０はセルシャッター９の支柱である。１１はクヌードセ
ンセル１と支柱１０を保持しているベース板である。ま
た、加熱用ヒータ３のリードおよび熱電対８は気密端子
（図示せず）を通して外部にリードを出している。１２
はセルシャッター９に付着した金属を示す。１３は坩堝
２内の蒸着用金属（例えばガリウム）である。加熱用ヒ
ータ３が坩堝２の上部にあるのは、ガリウムの融点が２
９．８℃と低いために、加熱時の突沸を防ぐために上部
から加熱している。この装置の使用方法は、熱電対８で
コントロールしながらヒータ３で坩堝２を加熱し、蒸着
用金属１３を溶融する。この時、基板（図示せず）への
結晶成長を開始するまでは、セルシャッター９は坩堝２
上の位置に置き（閉じる）、結晶成長時にセルシャッタ
ー７を図１の点線部に置く（開く）。また、他の例とし
て公開特許公報（平４−１９８０９１号）に記載の装置
では、セルシャッター９への付着金属１２の発生防止の
ため、セルシャッター９にヒータを設置し、セルシャッ
ター９が開時も、閉時もヒータに通電してセルシャッタ
ーの温度を高め、付着金属１２の発生を防止しているも
のもある。
のクヌードセンセルの断面図である。１はクヌードセン
セルで、坩堝２の円周方向を加熱用ヒータ３で囲み、さ
らに、一般的に高温での熱反射に優れた表面が鏡面のタ
ンタルで作られた熱反射板４で囲んでいる。５は熱反射
板４の外部に接して、熱反射板４を保持する外套であ
る。６は坩堝２と外套５の接合面のカバ−である。７は
外套５とカバー６を接続する接続子である。８は坩堝２
の底面に接触している温度測定用熱電対である。９は分
子線の通過および遮蔽をするセルシャッターである。１
０はセルシャッター９の支柱である。１１はクヌードセ
ンセル１と支柱１０を保持しているベース板である。ま
た、加熱用ヒータ３のリードおよび熱電対８は気密端子
（図示せず）を通して外部にリードを出している。１２
はセルシャッター９に付着した金属を示す。１３は坩堝
２内の蒸着用金属（例えばガリウム）である。加熱用ヒ
ータ３が坩堝２の上部にあるのは、ガリウムの融点が２
９．８℃と低いために、加熱時の突沸を防ぐために上部
から加熱している。この装置の使用方法は、熱電対８で
コントロールしながらヒータ３で坩堝２を加熱し、蒸着
用金属１３を溶融する。この時、基板（図示せず）への
結晶成長を開始するまでは、セルシャッター９は坩堝２
上の位置に置き（閉じる）、結晶成長時にセルシャッタ
ー７を図１の点線部に置く（開く）。また、他の例とし
て公開特許公報（平４−１９８０９１号）に記載の装置
では、セルシャッター９への付着金属１２の発生防止の
ため、セルシャッター９にヒータを設置し、セルシャッ
ター９が開時も、閉時もヒータに通電してセルシャッタ
ーの温度を高め、付着金属１２の発生を防止しているも
のもある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】第一例の分子線結晶装
置のセルシャッター９は、結晶成長時以外は閉じてい
る。一方、坩堝２内の金属１３は結晶成長時以外の準備
段階、終了直後は溶融状態にあるために、セルシャッタ
ー９の下面に、蒸発により付着金属１２が発生する。坩
堝２内の蒸着用金属１３が溶融している状態で、結晶を
成長しない時間が長くなったり、蒸着のサイクルが多く
なるとセルシャッター９の下面の付着金属１２が蓄積さ
れる。この時、坩堝２からの輻射熱により付着金属１２
は低融点金属（ガリウムの融点は２９．８℃）の場合溶
融状態である。そのために、付着金属１２が多くなる
と、付着金属１２がセルシャッター９から落下する。特
に、セルシャッター９の移動時にシャッター７の振動に
より落下することが多くなる。この落下した金属（図示
せず）が熱反射板４の鏡面に付着し、反射効率が低下し
たり、セルシャッター９に付着することによって汚染さ
れた付着金属１２が坩堝２に入り、坩堝２内の金属が汚
染されると言う問題があった。他例の上記公開特許公報
（閉４−１９８０９１号）に記載の装置では、セルシャ
ッター９を高温にすることにより、セルシャッター９へ
の付着金属の発生を防止し、付着金属１２の落下を防止
している。しかし、セルシャッター９が閉時に蒸発した
金属がセルシャッター９で反射して、一部が坩堝２に戻
る。この時、セルシャッター９の不純物が坩堝２に入り
蒸着用金属１３が汚染されると言う問題が残されてい
る。本発明が課題とするのは、蒸着用金属１３が蒸発
し、セルシャッター９へ付着した付着金属１２が落下
し、坩堝２内の蒸着用金属１３が汚染したり、熱反射板
の反射効率が低下したり、あるいは蒸着用金属１３がセ
ルシャッター９で反射し、坩堝２内の蒸着用金属が汚染
したりすることを防止する装置を提供することを目的と
する。
置のセルシャッター９は、結晶成長時以外は閉じてい
る。一方、坩堝２内の金属１３は結晶成長時以外の準備
段階、終了直後は溶融状態にあるために、セルシャッタ
ー９の下面に、蒸発により付着金属１２が発生する。坩
堝２内の蒸着用金属１３が溶融している状態で、結晶を
成長しない時間が長くなったり、蒸着のサイクルが多く
なるとセルシャッター９の下面の付着金属１２が蓄積さ
れる。この時、坩堝２からの輻射熱により付着金属１２
は低融点金属（ガリウムの融点は２９．８℃）の場合溶
融状態である。そのために、付着金属１２が多くなる
と、付着金属１２がセルシャッター９から落下する。特
に、セルシャッター９の移動時にシャッター７の振動に
より落下することが多くなる。この落下した金属（図示
せず）が熱反射板４の鏡面に付着し、反射効率が低下し
たり、セルシャッター９に付着することによって汚染さ
れた付着金属１２が坩堝２に入り、坩堝２内の金属が汚
染されると言う問題があった。他例の上記公開特許公報
（閉４−１９８０９１号）に記載の装置では、セルシャ
ッター９を高温にすることにより、セルシャッター９へ
の付着金属の発生を防止し、付着金属１２の落下を防止
している。しかし、セルシャッター９が閉時に蒸発した
金属がセルシャッター９で反射して、一部が坩堝２に戻
る。この時、セルシャッター９の不純物が坩堝２に入り
蒸着用金属１３が汚染されると言う問題が残されてい
る。本発明が課題とするのは、蒸着用金属１３が蒸発
し、セルシャッター９へ付着した付着金属１２が落下
し、坩堝２内の蒸着用金属１３が汚染したり、熱反射板
の反射効率が低下したり、あるいは蒸着用金属１３がセ
ルシャッター９で反射し、坩堝２内の蒸着用金属が汚染
したりすることを防止する装置を提供することを目的と
する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を全て
解決するために提案されたもので、分子線結晶成長装置
の分子線の通過および遮蔽に用いるセルシャッターにお
いて、自動的に前記セルシャッターの閉状態時に前記セ
ルシャッターを加熱せず、開状態時に加熱する加熱用ヒ
ータを具備したことを特徴とするセルシャッターを提供
する。
解決するために提案されたもので、分子線結晶成長装置
の分子線の通過および遮蔽に用いるセルシャッターにお
いて、自動的に前記セルシャッターの閉状態時に前記セ
ルシャッターを加熱せず、開状態時に加熱する加熱用ヒ
ータを具備したことを特徴とするセルシャッターを提供
する。
【０００５】
【作用】本発明によれば、セルシャッターを閉じた時は
セルシャッタ−を加熱せず、蒸着用用金属をセルシャッ
ターに付着させ、セルシャッタ−を開いた時にセルシャ
ッター用ヒータに通電、加熱し、セルシャッターに付着
した付着金属を蒸発させることにより、セルシャッター
に付着した付着金属が蓄積することがなくなり、セルシ
ャッターからの付着金属の落下による坩堝内の蒸着用金
属の汚染の防止および熱反射板の反射効率の低下の防止
をする。また、セルシャッターの閉時セルシャッターを
加熱しないので、セルシャッターで反射した金属による
坩堝内の蒸着用金属の汚染もない。
セルシャッタ−を加熱せず、蒸着用用金属をセルシャッ
ターに付着させ、セルシャッタ−を開いた時にセルシャ
ッター用ヒータに通電、加熱し、セルシャッターに付着
した付着金属を蒸発させることにより、セルシャッター
に付着した付着金属が蓄積することがなくなり、セルシ
ャッターからの付着金属の落下による坩堝内の蒸着用金
属の汚染の防止および熱反射板の反射効率の低下の防止
をする。また、セルシャッターの閉時セルシャッターを
加熱しないので、セルシャッターで反射した金属による
坩堝内の蒸着用金属の汚染もない。
【０００６】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図１から説明す
る。２１はクヌードセンセルで、坩堝２２の円周方向を
加熱用ヒータ２３で囲み、さらに、一般的に高温での熱
反射に優れた表面が鏡面のタンタルで作られた熱反射板
２４で囲んでいる。２５は熱反射板２４の外部に接し
て、熱反射板２４を保持する外套２５である。２６は坩
堝２２と外套２５の接合面のカバーである。２７は外套
２５とカバー２６を接続する接続子である。２８は坩堝
２２の底面に接触している温度測定用熱電対である。２
９は分子線の通過および遮断をするセルシャッタ−であ
る。３０はセルシャッタ−の支柱である。３１はクヌー
ドセンセル２１とセルシャッター支柱３０を保持してい
るベース板である。また、加熱用ヒータ２３のリードお
よび熱電対２８は気密端子（図示せず）を通して外部に
リードを出している。３２はセルシャッター２９に付着
した金属を示す。３３は坩堝２２内の蒸着用金属（例え
ばガリウム）である。３２は本発明の特徴であるセルシ
ャッター２７上面に設けられたセルシャッター用ヒータ
である。このセルシャッター用ヒータ３２には自動的に
閉時は通電せず、開時は通電する。開時には必ず通電し
ても、間歇に通電してもよい。１サイクルの付着量と、
蒸発量により決める。加熱用ヒータ２３が坩堝２２の上
部にあるのは、ガリウムの融点が２９．８℃と低いため
に、加熱時の突沸を防ぐために上部から加熱している。
この装置の使用方法は、熱電対２８でコントロールしな
がらヒータ２３で坩堝２２を加熱し、金属３３を溶融す
る。この時、基板（図示せず）への結晶成長を開始する
までは、セルシャッター２９は坩堝２２上の位置に置き
（閉じる）、結晶成長時にセルシャッター２９を図１の
点線部に置く（開く）。このセルシャッター２９が開状
態にした時に、本発明のセルシャッター用ヒータ３４に
自動的に通電し、セルシャッター２９の下面の付着金属
３２を加熱し蒸発させる。
る。２１はクヌードセンセルで、坩堝２２の円周方向を
加熱用ヒータ２３で囲み、さらに、一般的に高温での熱
反射に優れた表面が鏡面のタンタルで作られた熱反射板
２４で囲んでいる。２５は熱反射板２４の外部に接し
て、熱反射板２４を保持する外套２５である。２６は坩
堝２２と外套２５の接合面のカバーである。２７は外套
２５とカバー２６を接続する接続子である。２８は坩堝
２２の底面に接触している温度測定用熱電対である。２
９は分子線の通過および遮断をするセルシャッタ−であ
る。３０はセルシャッタ−の支柱である。３１はクヌー
ドセンセル２１とセルシャッター支柱３０を保持してい
るベース板である。また、加熱用ヒータ２３のリードお
よび熱電対２８は気密端子（図示せず）を通して外部に
リードを出している。３２はセルシャッター２９に付着
した金属を示す。３３は坩堝２２内の蒸着用金属（例え
ばガリウム）である。３２は本発明の特徴であるセルシ
ャッター２７上面に設けられたセルシャッター用ヒータ
である。このセルシャッター用ヒータ３２には自動的に
閉時は通電せず、開時は通電する。開時には必ず通電し
ても、間歇に通電してもよい。１サイクルの付着量と、
蒸発量により決める。加熱用ヒータ２３が坩堝２２の上
部にあるのは、ガリウムの融点が２９．８℃と低いため
に、加熱時の突沸を防ぐために上部から加熱している。
この装置の使用方法は、熱電対２８でコントロールしな
がらヒータ２３で坩堝２２を加熱し、金属３３を溶融す
る。この時、基板（図示せず）への結晶成長を開始する
までは、セルシャッター２９は坩堝２２上の位置に置き
（閉じる）、結晶成長時にセルシャッター２９を図１の
点線部に置く（開く）。このセルシャッター２９が開状
態にした時に、本発明のセルシャッター用ヒータ３４に
自動的に通電し、セルシャッター２９の下面の付着金属
３２を加熱し蒸発させる。
【０００７】
【発明の効果】本発明によれば、セルシャッターの開状
態時に、セルシャッターのヒータに通電し、セルシャッ
ターの温度を上げ、付着金属を蒸発させ、シャッターの
開閉の動作での付着金属の落下を防ぐ。このことによ
り、セルシャッターの熱反射板の反射効果の低減の防
止、坩堝内の金属の汚染を防止する。また、シャッター
閉時の蒸発金属をセルシャッターに付着させ、反射によ
る坩堝内の蒸発金属の汚染を防止する。
態時に、セルシャッターのヒータに通電し、セルシャッ
ターの温度を上げ、付着金属を蒸発させ、シャッターの
開閉の動作での付着金属の落下を防ぐ。このことによ
り、セルシャッターの熱反射板の反射効果の低減の防
止、坩堝内の金属の汚染を防止する。また、シャッター
閉時の蒸発金属をセルシャッターに付着させ、反射によ
る坩堝内の蒸発金属の汚染を防止する。
【図１】 本発明の分子線結晶装置のクヌードセンセル
の断面図
の断面図
【図２】 従来の分子線結晶装置のクヌードセンセルの
断面図
断面図
２９ セルシャッター ３４ 加熱用ヒータ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年１２月５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 セルシャッターおよびその使用方法
Claims (2)
- 【請求項１】分子線結晶成長装置の分子線の通過および
遮蔽に用いるセルシャッターにおいて、自動的に前記セ
ルシャッターの閉状態時に前記セルシャッターを加熱せ
ず、開状態時に加熱する加熱用ヒータを具備したことを
特徴とするセルシャッター。 - 【請求項２】分子線結晶成長装置の分子線の通過および
遮蔽に用いる加熱用ヒータを具備したセルシャッターの
使用方法において、前記セルシャッターの閉状態時に前
記加熱用ヒータに通電せず、開状態時に前記加熱用ヒ−
タに通電することを特徴とするセルシャッターの使用方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17685994A JPH0841629A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | セルシャッターおよびその使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17685994A JPH0841629A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | セルシャッターおよびその使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0841629A true JPH0841629A (ja) | 1996-02-13 |
Family
ID=16021075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17685994A Pending JPH0841629A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | セルシャッターおよびその使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0841629A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006206996A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Jfe Steel Kk | 焼結機原料装入装置の付着物除去方法および焼結鉱の製造方法 |
| JP2013147422A (ja) * | 2013-03-25 | 2013-08-01 | Ricoh Co Ltd | 結晶製造方法 |
| WO2014046455A1 (ko) * | 2012-09-20 | 2014-03-27 | 한국에너지기술연구원 | 소스 잔류물 배출형 셔터를 구비한 진공 증발원 및 이를 포함하는 증착 장비 |
-
1994
- 1994-07-28 JP JP17685994A patent/JPH0841629A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006206996A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Jfe Steel Kk | 焼結機原料装入装置の付着物除去方法および焼結鉱の製造方法 |
| WO2014046455A1 (ko) * | 2012-09-20 | 2014-03-27 | 한국에너지기술연구원 | 소스 잔류물 배출형 셔터를 구비한 진공 증발원 및 이를 포함하는 증착 장비 |
| KR101406702B1 (ko) * | 2012-09-20 | 2014-06-11 | 한국에너지기술연구원 | 소스 잔류물 배출형 셔터를 구비한 진공 증발원 및 이를 포함하는 증착 장비 |
| JP2013147422A (ja) * | 2013-03-25 | 2013-08-01 | Ricoh Co Ltd | 結晶製造方法 |
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