JPS6130028B2 - - Google Patents
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- JPS6130028B2 JPS6130028B2 JP54028555A JP2855579A JPS6130028B2 JP S6130028 B2 JPS6130028 B2 JP S6130028B2 JP 54028555 A JP54028555 A JP 54028555A JP 2855579 A JP2855579 A JP 2855579A JP S6130028 B2 JPS6130028 B2 JP S6130028B2
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- crucible
- shutter
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- evaporated material
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Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/543—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on the vapor source
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高周波加熱方式いわゆるインソース
方式の蒸発源を使用する真空蒸着方法の改良に関
する。
方式の蒸発源を使用する真空蒸着方法の改良に関
する。
最近集積回路（IC）等の半導体装置の電極配
線形成等に際して高波波加熱方式の蒸発源を使用
する連続真空蒸着が行われるようになつて来た
が、該連続真空蒸着に於て、半導体基体上に所定
の厚さの金属蒸着膜を形成させる手段としては、
予めクリスタルモニターを使用して測定した蒸着
金属の蒸発レートを基準にして、蒸発源の加熱電
力と加熱時間を固定し、順次送られる各基板に対
して順次蒸着処理を行う方法であつた。
線形成等に際して高波波加熱方式の蒸発源を使用
する連続真空蒸着が行われるようになつて来た
が、該連続真空蒸着に於て、半導体基体上に所定
の厚さの金属蒸着膜を形成させる手段としては、
予めクリスタルモニターを使用して測定した蒸着
金属の蒸発レートを基準にして、蒸発源の加熱電
力と加熱時間を固定し、順次送られる各基板に対
して順次蒸着処理を行う方法であつた。
然し該従来方法においては、蒸発るつぼ内に収
容された蒸発金属融液の量が減少して行くに従つ
て、該融液の温度が高くなるために、各基板ごと
の蒸着金属膜厚が変動するという問題や、蒸発金
属融液が或る温度以上になつた場合、該融液の突
沸やはい上りが起つて、融液がるつぼからあふれ
出し、るつぼを取り囲んでいるセラミツク製ボビ
ンと反応固化してるつぼを圧迫し該るつぼを破損
させる等の問題があつた。
容された蒸発金属融液の量が減少して行くに従つ
て、該融液の温度が高くなるために、各基板ごと
の蒸着金属膜厚が変動するという問題や、蒸発金
属融液が或る温度以上になつた場合、該融液の突
沸やはい上りが起つて、融液がるつぼからあふれ
出し、るつぼを取り囲んでいるセラミツク製ボビ
ンと反応固化してるつぼを圧迫し該るつぼを破損
させる等の問題があつた。
本発明は上記問題点に鑑み、高周波加熱方法の
蒸発源を使用する真空蒸着において、蒸発金属融
液の温度を一定とすることにより、蒸着量を一定
せしめ、しかも前記融液がるつぼからあふれ出る
ことを防止する方法を提供するものである。
蒸発源を使用する真空蒸着において、蒸発金属融
液の温度を一定とすることにより、蒸着量を一定
せしめ、しかも前記融液がるつぼからあふれ出る
ことを防止する方法を提供するものである。
即ち本発明は高周波加熱方式の蒸発源を使用す
る真空蒸着方法に於いて、蒸発物質融液の収容さ
れるるつぼの上部にシヤツタを設け、該るつぼ内
の蒸発物質融液の温度を、感温素子を用い閉じら
れた該シヤツタの下面で反射して来る熱線によつ
て検出し、該蒸発物質融液の温度に基づいて該る
つぼの加熱電力を調節して該蒸発物量の蒸発量を
制御した後、該シヤツタを開いて被処理基板面に
該蒸発物質の蒸着を行うことを特徴とする。
る真空蒸着方法に於いて、蒸発物質融液の収容さ
れるるつぼの上部にシヤツタを設け、該るつぼ内
の蒸発物質融液の温度を、感温素子を用い閉じら
れた該シヤツタの下面で反射して来る熱線によつ
て検出し、該蒸発物質融液の温度に基づいて該る
つぼの加熱電力を調節して該蒸発物量の蒸発量を
制御した後、該シヤツタを開いて被処理基板面に
該蒸発物質の蒸着を行うことを特徴とする。
以下本発明を図示実施例により詳細に説明す
る。
る。
図は本発明を実施する際に使用する高周波加熱
方式に蒸発源を有する真空蒸着装置の一例の部分
概念図である。
方式に蒸発源を有する真空蒸着装置の一例の部分
概念図である。
即ち高周波加熱方法の真空蒸着装置における蒸
発源の構成は、図に示すように、セラミツクス製
ステージ１上にセラミツクス製ボビン２に巻かれ
た高周波コイル３が載置され、前記セラミツクボ
ビン２の中にはパイロデイツクーボロンーナイト
ライト（純度95〜96〔％〕の窒化ボロン）よりな
るるつぼ４がはめ込まれた構造となつている。
発源の構成は、図に示すように、セラミツクス製
ステージ１上にセラミツクス製ボビン２に巻かれ
た高周波コイル３が載置され、前記セラミツクボ
ビン２の中にはパイロデイツクーボロンーナイト
ライト（純度95〜96〔％〕の窒化ボロン）よりな
るるつぼ４がはめ込まれた構造となつている。
本発明においては、図に示すように、上記蒸発
源のるつぼ４周辺の、該るつぼ４からへだたり金
属蒸気にさらされない場所で、しかも該るつぼ４
上をシヤツター５で覆つた状態で、蒸発金属融液
６から出た熱線７がシヤツター５の下面で反射し
て到達するような位置に熱電対等の感温素子８を
配設する。そして、るつぼ４内に例えば金属アル
ミニウムを収容せしめ、蒸着装置を真空にし、る
つぼ４上をシヤツター５で覆いつつ高周波コイル
３に所定の実周波電力を加えて、るつぼ４を加熱
し金属アルミニウムを溶融せしめ、金属アルミニ
ウムをシヤツター５の下面に蒸着させながら蒸発
金属融液６であるアルミニウムの温度を、前記シ
ヤツター下面から反射して来熱線７により感温素
子８で検知する。そして該アルミニウム融液の温
度が所定の蒸発量が得られる温度になるように、
高周波電力を調節して後、シヤツター５を開いて
図面上該シヤツター５の上方に位置する被処理半
導体基板（図示せず）の表面にアルミニウム層を
蒸着する。
源のるつぼ４周辺の、該るつぼ４からへだたり金
属蒸気にさらされない場所で、しかも該るつぼ４
上をシヤツター５で覆つた状態で、蒸発金属融液
６から出た熱線７がシヤツター５の下面で反射し
て到達するような位置に熱電対等の感温素子８を
配設する。そして、るつぼ４内に例えば金属アル
ミニウムを収容せしめ、蒸着装置を真空にし、る
つぼ４上をシヤツター５で覆いつつ高周波コイル
３に所定の実周波電力を加えて、るつぼ４を加熱
し金属アルミニウムを溶融せしめ、金属アルミニ
ウムをシヤツター５の下面に蒸着させながら蒸発
金属融液６であるアルミニウムの温度を、前記シ
ヤツター下面から反射して来熱線７により感温素
子８で検知する。そして該アルミニウム融液の温
度が所定の蒸発量が得られる温度になるように、
高周波電力を調節して後、シヤツター５を開いて
図面上該シヤツター５の上方に位置する被処理半
導体基板（図示せず）の表面にアルミニウム層を
蒸着する。
所定時間の蒸着が終了したならば、シヤツター
５を閉じ、再び感温素子８によりアルミニウム融
液の温度を測定し、該融液が所定温度になるよう
に高周波パワーを調節して後、シヤツター５を開
き蒸発源上に送られている別の被処理半導体基板
表面にアルミニウム層の蒸着を行う。
５を閉じ、再び感温素子８によりアルミニウム融
液の温度を測定し、該融液が所定温度になるよう
に高周波パワーを調節して後、シヤツター５を開
き蒸発源上に送られている別の被処理半導体基板
表面にアルミニウム層の蒸着を行う。
以上のような方法でアルミニウム等の金属層の
蒸着を行うことにより、るつぼ内に収容された蒸
発金属の温度は該蒸発金属の量が減少しつつあつ
てもほぼ一定に維持することができ、各被処理半
導体基板に対する蒸着金属の蒸発量を一定にする
ことができる。従つて、連続蒸着処理における被
処理半導体基板ごとの蒸着膜厚のばらつきをなく
すことができると同時に、蒸発金属融液の温度を
適切に選ぶことにより、融液の突沸やはい上りを
防ぐことが出来るので、るつぼの破損が防止でき
る。
蒸着を行うことにより、るつぼ内に収容された蒸
発金属の温度は該蒸発金属の量が減少しつつあつ
てもほぼ一定に維持することができ、各被処理半
導体基板に対する蒸着金属の蒸発量を一定にする
ことができる。従つて、連続蒸着処理における被
処理半導体基板ごとの蒸着膜厚のばらつきをなく
すことができると同時に、蒸発金属融液の温度を
適切に選ぶことにより、融液の突沸やはい上りを
防ぐことが出来るので、るつぼの破損が防止でき
る。
上記実施例に於ては、アルミニウムの連続蒸着
について説明したが、本発明の方法はアルミニウ
ム以外の金属材料の連続蒸着にも適用し得ること
は勿論であり、又更にバツチ式の蒸着に対しても
有効である。又被処理基板として半導体基板を掲
げて説明したがもちろんこれに限定されるもので
はなく、ハイブリツドIC用セラミツク基板への
蒸着処理においても本発明を適用し得ることはも
ちろんである。
について説明したが、本発明の方法はアルミニウ
ム以外の金属材料の連続蒸着にも適用し得ること
は勿論であり、又更にバツチ式の蒸着に対しても
有効である。又被処理基板として半導体基板を掲
げて説明したがもちろんこれに限定されるもので
はなく、ハイブリツドIC用セラミツク基板への
蒸着処理においても本発明を適用し得ることはも
ちろんである。
以上説明したように本発明の方法は、被処理基
板ごとの蒸着金属層の厚さを一定になし得るの
で、例えば、半導体装置の製造にあたつてはその
製造歩留りの向上、信頼性の向上に対して極めて
有効であり、又るつぼの使用寿命を大幅に延長し
得る効果を有する。
板ごとの蒸着金属層の厚さを一定になし得るの
で、例えば、半導体装置の製造にあたつてはその
製造歩留りの向上、信頼性の向上に対して極めて
有効であり、又るつぼの使用寿命を大幅に延長し
得る効果を有する。
図は本発明に使用するインソース方式の蒸発源
を有する真空蒸着装置の一例の部分概念図であ
る。 図において、１はセラミツク製ステージ、２は
セラミツク製ボビン、３は高周波コイル、４はる
つぼ、５はシヤツター、６は蒸発金属融液、７は
熱線、８は感温素子。
を有する真空蒸着装置の一例の部分概念図であ
る。 図において、１はセラミツク製ステージ、２は
セラミツク製ボビン、３は高周波コイル、４はる
つぼ、５はシヤツター、６は蒸発金属融液、７は
熱線、８は感温素子。
Claims (1)
- １ 高周波加熱方式の蒸発源を使用する真空蒸着
方法に於いて、蒸発物質融液の収容されるるつぼ
の直上部にシヤツクを設け、該るつぼ内の蒸発物
質融液の温度を、該シヤツタ下部における蒸発物
質の飛程を外れた領域に配設した感温素子を用
い、閉じられた該シヤツタの下面で反射して来る
熱線によつて検出し、該検出温度に基づき該るつ
ぼの加熱伝力を加減して該蒸発物質融液の温度を
所定の温度に調整した後、該シヤツタを開いて被
処理基板面に該蒸発物質の蒸着を行うことを特徴
とする真空蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2855579A JPS55122870A (en) | 1979-03-12 | 1979-03-12 | Vacuum vapor deposition method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2855579A JPS55122870A (en) | 1979-03-12 | 1979-03-12 | Vacuum vapor deposition method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55122870A JPS55122870A (en) | 1980-09-20 |
| JPS6130028B2 true JPS6130028B2 (ja) | 1986-07-10 |
Family
ID=12251890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2855579A Granted JPS55122870A (en) | 1979-03-12 | 1979-03-12 | Vacuum vapor deposition method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55122870A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0418902U (ja) * | 1990-06-06 | 1992-02-18 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2622683B2 (ja) * | 1987-04-17 | 1997-06-18 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体の製造装置 |
| JPS63259833A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造装置 |
| JP4697411B2 (ja) * | 2005-07-13 | 2011-06-08 | 住友電気工業株式会社 | 真空蒸着装置および真空蒸着装置の運転方法 |
| KR100929035B1 (ko) | 2007-08-23 | 2009-11-26 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 가열용기 및 이를 구비한 증착장치 |
| US8020314B2 (en) * | 2008-10-31 | 2011-09-20 | Corning Incorporated | Methods and apparatus for drying ceramic green bodies with microwaves |
| JP2011052301A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Hitachi Zosen Corp | 真空蒸着用蒸着材料の蒸発、昇華方法および真空蒸着用るつぼ装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5347382A (en) * | 1976-10-13 | 1978-04-27 | Citizen Watch Co Ltd | Shutter mechanism for evaporation source of vacuum evaporation apparatus |
-
1979
- 1979-03-12 JP JP2855579A patent/JPS55122870A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5347382A (en) * | 1976-10-13 | 1978-04-27 | Citizen Watch Co Ltd | Shutter mechanism for evaporation source of vacuum evaporation apparatus |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0418902U (ja) * | 1990-06-06 | 1992-02-18 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55122870A (en) | 1980-09-20 |
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