JP3002720B2 - 酸化バナジウム薄膜及びその製造方法 - Google Patents
酸化バナジウム薄膜及びその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ボロメータ型赤外
線センサに用いるボロメータ材料に好適な酸化バナジウ
ム薄膜及びその製造方法に関する。
線センサに用いるボロメータ材料に好適な酸化バナジウ
ム薄膜及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】酸化バナジウム薄膜は、室温動作のボロ
メータ型赤外線センサに用いるボロメータ材料として重
要な性質の一つである比抵抗の温度変化率（以下、ＴＣ
Ｒという）の絶対値が、他のボロメータ材料、例えば酸
化チタン（ＴＣＲ＝−０.２％／Ｋ）等に比べて大き
い。ＴＣＲはボロメータ型赤外線センサの感度の比例係
数であるため、このＴＣＲが大きいほど赤外線センサの
感度が向上する。
メータ型赤外線センサに用いるボロメータ材料として重
要な性質の一つである比抵抗の温度変化率（以下、ＴＣ
Ｒという）の絶対値が、他のボロメータ材料、例えば酸
化チタン（ＴＣＲ＝−０.２％／Ｋ）等に比べて大き
い。ＴＣＲはボロメータ型赤外線センサの感度の比例係
数であるため、このＴＣＲが大きいほど赤外線センサの
感度が向上する。
【０００３】現在、室温におけるＴＣＲが約−２％／Ｋ
の酸化バナジウム薄膜が室温動作のボロメータ型赤外線
センサ材料として用いられている［N.Butler et. al.,S
PIE Proceedings vol.2252(1995) Infrared Technology
XXI］。また、スパッタリング法により成膜したＶＯ2
薄膜を、５００℃で熱処理することにより、温度２５℃
で−５.４％／ＫのＴＣＲを持つ酸化バナジウムがサフ
ァイア上に成膜されている［H. Jerominek and D. Vinc
ent, Optical Engineering 32 No.9，2092(1993)］。
の酸化バナジウム薄膜が室温動作のボロメータ型赤外線
センサ材料として用いられている［N.Butler et. al.,S
PIE Proceedings vol.2252(1995) Infrared Technology
XXI］。また、スパッタリング法により成膜したＶＯ2
薄膜を、５００℃で熱処理することにより、温度２５℃
で−５.４％／ＫのＴＣＲを持つ酸化バナジウムがサフ
ァイア上に成膜されている［H. Jerominek and D. Vinc
ent, Optical Engineering 32 No.9，2092(1993)］。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ボロメータ材料として
酸化バナジウム薄膜を用いた室温動作のボロメータ型赤
外線センサの高感度化を図るためには、酸化バナジウム
薄膜の室温付近におけるＴＣＲをできるだけ向上させる
ことが必要である。酸化バナジウムは、様々な結晶相が
存在するが、特に二酸化バナジウム(ＶＯ2）は室温での
ＴＣＲが大きい。この物質は、６０〜７０℃付近で半導
体−金属相転移を示し、比抵抗が大幅に変化するという
特徴を有する。ＶＯ2のバルクの高純度な単結晶の場
合、相転移温度以下での活性化エネルギーは０.５ｅＶ
であり［D. Adler,"Insulating andmetallic states of
transition metal oxides",Solid State Physics:Adva
ncesin Research and Applications、,F.Seitz，Ed.,Vo
l.21,pp.1，Academic Press(1968)］、この値から求め
たＴＣＲは約−６％／Ｋである（H. Jerominek,前
掲）。
酸化バナジウム薄膜を用いた室温動作のボロメータ型赤
外線センサの高感度化を図るためには、酸化バナジウム
薄膜の室温付近におけるＴＣＲをできるだけ向上させる
ことが必要である。酸化バナジウムは、様々な結晶相が
存在するが、特に二酸化バナジウム(ＶＯ2）は室温での
ＴＣＲが大きい。この物質は、６０〜７０℃付近で半導
体−金属相転移を示し、比抵抗が大幅に変化するという
特徴を有する。ＶＯ2のバルクの高純度な単結晶の場
合、相転移温度以下での活性化エネルギーは０.５ｅＶ
であり［D. Adler,"Insulating andmetallic states of
transition metal oxides",Solid State Physics:Adva
ncesin Research and Applications、,F.Seitz，Ed.,Vo
l.21,pp.1，Academic Press(1968)］、この値から求め
たＴＣＲは約−６％／Ｋである（H. Jerominek,前
掲）。
【０００５】しかしながら、薄膜の状態で得られるＶＯ
2は、シリコンデバイス上に成膜した場合、約−２％／
Ｋ程度である（N. Butler et. al.、前掲)。また、良質
の薄膜が成長し易いサファイア基板上の薄膜の成長例
［M. Borek et al., Appl.Phys. Lett.,63(24),3288(19
93)］においても、室温付近でのＴＣＲを文献の図から
求めると約−３.５％／Ｋであり、バルクのものに比べ
て小さいという問題点がある。
2は、シリコンデバイス上に成膜した場合、約−２％／
Ｋ程度である（N. Butler et. al.、前掲)。また、良質
の薄膜が成長し易いサファイア基板上の薄膜の成長例
［M. Borek et al., Appl.Phys. Lett.,63(24),3288(19
93)］においても、室温付近でのＴＣＲを文献の図から
求めると約−３.５％／Ｋであり、バルクのものに比べ
て小さいという問題点がある。
【０００６】また、このレベルのＴＣＲの大きな良質の
酸化バナジウムを得た例（H.Jerominek et al.,前掲）
においては、５００℃に保持する熱処理のプロセスを要
している。しかし、シリコン等を用いた集積回路デバイ
ス（ＩＣデバイス）上に成長する場合、この条件による
成膜では、プロセス温度が高いので、集積回路デバイス
を損なわずに成膜する事は困難であるという問題点があ
る。
酸化バナジウムを得た例（H.Jerominek et al.,前掲）
においては、５００℃に保持する熱処理のプロセスを要
している。しかし、シリコン等を用いた集積回路デバイ
ス（ＩＣデバイス）上に成長する場合、この条件による
成膜では、プロセス温度が高いので、集積回路デバイス
を損なわずに成膜する事は困難であるという問題点があ
る。
【０００７】そこで、本発明の技術的課題は、熱処理を
一切行わず、成長時の基板温度が５００℃を越えない条
件で、室温付近でのＴＣＲがバルクのＶＯ2に近い大き
な値を有し、室温動作のボロメータ型赤外線センサに用
いることが可能な酸化バナジウム薄膜を提供するととも
に、酸化バナジウムの成膜にその場成膜が可能なレーザ
アブレーション法を用い、作製パラメータの単純な制御
により薄膜のＴＣＲを最適化可能な酸化バナジウム薄膜
の製造方法を提供することにある。
一切行わず、成長時の基板温度が５００℃を越えない条
件で、室温付近でのＴＣＲがバルクのＶＯ2に近い大き
な値を有し、室温動作のボロメータ型赤外線センサに用
いることが可能な酸化バナジウム薄膜を提供するととも
に、酸化バナジウムの成膜にその場成膜が可能なレーザ
アブレーション法を用い、作製パラメータの単純な制御
により薄膜のＴＣＲを最適化可能な酸化バナジウム薄膜
の製造方法を提供することにある。
【０００８】本発明のその他の目的や新規な特徴は後述
の実施の形態において明らかにする。
の実施の形態において明らかにする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る第１の酸化バナジウム薄膜は、サファ
イア上に成長し、２５℃〜７５℃の温度範囲において比
抵抗の温度変化率が−６％／Ｋを越えることを特徴とし
ている。
に、本発明に係る第１の酸化バナジウム薄膜は、サファ
イア上に成長し、２５℃〜７５℃の温度範囲において比
抵抗の温度変化率が−６％／Ｋを越えることを特徴とし
ている。
【００１０】また、本発明に係る第２の酸化バナジウム
薄膜は、シリコン酸化膜上に成長し、２５℃〜７５℃の
温度範囲において比抵抗の温度変化率が−４％／Ｋを越
えることを特徴としている。
薄膜は、シリコン酸化膜上に成長し、２５℃〜７５℃の
温度範囲において比抵抗の温度変化率が−４％／Ｋを越
えることを特徴としている。
【００１１】本発明に係る酸化バナジウム薄膜の製造方
法は、レーザアブレーション法によって基板面に酸化バ
ナジウム薄膜を成膜する場合において、成膜時の酸素雰
囲気の圧力制御によって比抵抗の温度変化率を最適化す
ることを特徴としている。
法は、レーザアブレーション法によって基板面に酸化バ
ナジウム薄膜を成膜する場合において、成膜時の酸素雰
囲気の圧力制御によって比抵抗の温度変化率を最適化す
ることを特徴としている。
【００１２】上記酸化バナジウム薄膜の製造方法におい
て、前記成膜時の基板温度が５００℃を越えないように
設定することが可能である。
て、前記成膜時の基板温度が５００℃を越えないように
設定することが可能である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る酸化バナジウ
ム薄膜及びその製造方法の実施の形態を図面に従って説
明する。
ム薄膜及びその製造方法の実施の形態を図面に従って説
明する。
【００１４】図１は本発明の実施の形態であって、レー
ザアブレーション法によって酸化バナジウム薄膜を成長
させるための薄膜作製装置の概略構成を示す。この図に
おいて、１は薄膜原料であるバナジウム若しくは酸化バ
ナジウムのターゲット、２は酸化バナジウム薄膜を成膜
するための基板であってサファイア基板（Ｒ面、すなわ
ち０１２面ともいう；結晶面の種類を示す）或いはシリ
コンウエハ（１００面；結晶面の種類を示す）上に酸化
膜を形成した基板である。これらのターゲット１及び基
板２は真空チャンバー３内に対向配置されている。４は
レーザ発生装置、５はレンズであり、レンズ５はレーザ
発生装置４により発生したパルスレーザ光を集光してタ
ーゲット１に照射する。前記真空チャンバー３内には、
酸素導入部６より酸素を導入可能であり、導入する酸素
流量は流量調節器７により調整自在である。なお、前記
基板２はヒータで３００〜５００℃に加熱可能である。
ザアブレーション法によって酸化バナジウム薄膜を成長
させるための薄膜作製装置の概略構成を示す。この図に
おいて、１は薄膜原料であるバナジウム若しくは酸化バ
ナジウムのターゲット、２は酸化バナジウム薄膜を成膜
するための基板であってサファイア基板（Ｒ面、すなわ
ち０１２面ともいう；結晶面の種類を示す）或いはシリ
コンウエハ（１００面；結晶面の種類を示す）上に酸化
膜を形成した基板である。これらのターゲット１及び基
板２は真空チャンバー３内に対向配置されている。４は
レーザ発生装置、５はレンズであり、レンズ５はレーザ
発生装置４により発生したパルスレーザ光を集光してタ
ーゲット１に照射する。前記真空チャンバー３内には、
酸素導入部６より酸素を導入可能であり、導入する酸素
流量は流量調節器７により調整自在である。なお、前記
基板２はヒータで３００〜５００℃に加熱可能である。
【００１５】ここで、レーザ発生装置４にはＡｒＦエキ
シマレーザ（波長１９３ｎｍ）を用い、１レーザパルス
あたりのエネルギーは約７Ｊ／cm2、繰り返し周波数は
３０Ｈｚとし、ターゲット１の材料には五酸化バナジウ
ム（Ｖ2０5）を使用した場合について述べる。
シマレーザ（波長１９３ｎｍ）を用い、１レーザパルス
あたりのエネルギーは約７Ｊ／cm2、繰り返し周波数は
３０Ｈｚとし、ターゲット１の材料には五酸化バナジウ
ム（Ｖ2０5）を使用した場合について述べる。
【００１６】図１のレーザアブレーション法による薄膜
作製装置において、真空チャンバー３内を１０-5Torrに
排気した後、レーザ発生装置４により発生したパルスレ
ーザ光をレンズ５で集光し、ターゲット１に照射してタ
ーゲット材料を蒸発、飛散させ、基板２上に堆積させ
た。また、薄膜成長時、酸素導入部６より酸素を導入
し、膜形成の際の酸素離脱を補う。導入する酸素流量は
流量調節器７により適切量に調整する。なお、成長時の
基板温度は３００〜５００℃、成膜時間は１０分間とし
た。
作製装置において、真空チャンバー３内を１０-5Torrに
排気した後、レーザ発生装置４により発生したパルスレ
ーザ光をレンズ５で集光し、ターゲット１に照射してタ
ーゲット材料を蒸発、飛散させ、基板２上に堆積させ
た。また、薄膜成長時、酸素導入部６より酸素を導入
し、膜形成の際の酸素離脱を補う。導入する酸素流量は
流量調節器７により適切量に調整する。なお、成長時の
基板温度は３００〜５００℃、成膜時間は１０分間とし
た。
【００１７】基板面上に成膜、形成してなる成長した通
りの（as-grownの）薄膜について、同定のためＸ線回折
を行った。また、薄膜をペルチェ素子により温度変化さ
せ、４端子法により抵抗温度特性を求めた。
りの（as-grownの）薄膜について、同定のためＸ線回折
を行った。また、薄膜をペルチェ素子により温度変化さ
せ、４端子法により抵抗温度特性を求めた。
【００１８】図２及び図３は、薄膜作製時の基板温度が
４００℃の条件において成長時に導入する酸素の圧力を
５mTorrから３０mTorrまで変化させたときの抵抗温度特
性曲線を示す。但し、図２はサファイア基板、図３はシ
リコンウエハ（１００面）上に酸化膜を形成した基板の
場合である。
４００℃の条件において成長時に導入する酸素の圧力を
５mTorrから３０mTorrまで変化させたときの抵抗温度特
性曲線を示す。但し、図２はサファイア基板、図３はシ
リコンウエハ（１００面）上に酸化膜を形成した基板の
場合である。
【００１９】また、図４は、成膜時の酸素圧力をパラメ
ータとしたときの、測定温度２５℃におけるＴＣＲプロ
ットを示す。
ータとしたときの、測定温度２５℃におけるＴＣＲプロ
ットを示す。
【００２０】更に図５及び図６にそれぞれサファイア及
びシリコン酸化膜上に成長した酸化バナジウム薄膜のＸ
線回折パターン（散乱角に対する相対強度の変化特性）
の測定例を示す。
びシリコン酸化膜上に成長した酸化バナジウム薄膜のＸ
線回折パターン（散乱角に対する相対強度の変化特性）
の測定例を示す。
【００２１】図２及び図３に示すように、成膜時の酸素
圧力の減少に伴い、酸化バナジウム薄膜の比抵抗が大幅
に減少する。また、同時に、測定温度に対する比抵抗値
の変化の様子は、図２の曲線（イ）及び図３の曲線
（イ）のはっきりとした転移を示す形状から、図２の曲
線（ロ）及び図３の曲線（ロ）のなだらかな変化を示す
形状へと変化する。
圧力の減少に伴い、酸化バナジウム薄膜の比抵抗が大幅
に減少する。また、同時に、測定温度に対する比抵抗値
の変化の様子は、図２の曲線（イ）及び図３の曲線
（イ）のはっきりとした転移を示す形状から、図２の曲
線（ロ）及び図３の曲線（ロ）のなだらかな変化を示す
形状へと変化する。
【００２２】更に図４から、成長の際導入する酸素量の
変化に対し、ＴＣＲが最大となる最適値が存在すること
がわかる。本発明の実施の形態で得られた最適化特性例
として、図２の（ロ）のサファイア基板上に成長した酸
化バナジウム薄膜の場合、酸素圧力２０mTorrの条件で
２５℃におけるＴＣＲは約−６.２％／Ｋ、比抵抗は約
０.３Ωcmの値を得た。また図３の（ロ）のシリコン酸
化膜上に成長した酸化バナジウム薄膜の場合、酸素圧力
１０mTorrの条件で２５℃におけるＴＣＲは約−４.５％
／Ｋ、比抵抗は約０.０２Ωcmの値を得た。さらに、２
５℃を越えて７５℃に至る温度範囲において、サファイ
ア及びシリコン酸化膜上の酸化バナジウム薄膜のＴＣＲ
は２５℃におけるＴＣＲより高い値を示した。
変化に対し、ＴＣＲが最大となる最適値が存在すること
がわかる。本発明の実施の形態で得られた最適化特性例
として、図２の（ロ）のサファイア基板上に成長した酸
化バナジウム薄膜の場合、酸素圧力２０mTorrの条件で
２５℃におけるＴＣＲは約−６.２％／Ｋ、比抵抗は約
０.３Ωcmの値を得た。また図３の（ロ）のシリコン酸
化膜上に成長した酸化バナジウム薄膜の場合、酸素圧力
１０mTorrの条件で２５℃におけるＴＣＲは約−４.５％
／Ｋ、比抵抗は約０.０２Ωcmの値を得た。さらに、２
５℃を越えて７５℃に至る温度範囲において、サファイ
ア及びシリコン酸化膜上の酸化バナジウム薄膜のＴＣＲ
は２５℃におけるＴＣＲより高い値を示した。
【００２３】これらの最適化特性例について測定したＸ
線回折パターンをそれぞれ図５及び図６に示す。但し、
ＶＯ2（２００）は酸化バナジウム結晶の２００面が、
ＶＯ2（１１１）は結晶の１１１面が、ＶＯ2（０１１）
は結晶の０１１面が、ＶＯ2（０２２）は結晶の０２２
面がそれぞれ現れていることを示している。そして、そ
れぞれのパターンをＪＣＰＤＳ（Joint Comittee on Po
wder DiffractionStandard）カードと照合した結果、共
にＶＯ2のピークと一致した。しかしながら、図２の
（ロ）及び図３の（ロ）に示すように、これらの薄膜の
抵抗温度曲線はＶＯ2薄膜の特徴である６０℃〜７０℃
付近における明確な相転移を示さず、なだらかに変化し
ていることから、従来得られているＶＯ2薄膜とは異な
るものと考えられる。
線回折パターンをそれぞれ図５及び図６に示す。但し、
ＶＯ2（２００）は酸化バナジウム結晶の２００面が、
ＶＯ2（１１１）は結晶の１１１面が、ＶＯ2（０１１）
は結晶の０１１面が、ＶＯ2（０２２）は結晶の０２２
面がそれぞれ現れていることを示している。そして、そ
れぞれのパターンをＪＣＰＤＳ（Joint Comittee on Po
wder DiffractionStandard）カードと照合した結果、共
にＶＯ2のピークと一致した。しかしながら、図２の
（ロ）及び図３の（ロ）に示すように、これらの薄膜の
抵抗温度曲線はＶＯ2薄膜の特徴である６０℃〜７０℃
付近における明確な相転移を示さず、なだらかに変化し
ていることから、従来得られているＶＯ2薄膜とは異な
るものと考えられる。
【００２４】以上のように、上記実施の形態で説明した
酸化バナジウム薄膜の製法により、成膜時の基板温度を
４００℃程度とし、５００℃以上での熱処理が不要な酸
化バナジウム薄膜の低温成長が可能である。
酸化バナジウム薄膜の製法により、成膜時の基板温度を
４００℃程度とし、５００℃以上での熱処理が不要な酸
化バナジウム薄膜の低温成長が可能である。
【００２５】また、レーザアブレーション法による酸素
雰囲気下での酸化バナジウムの成膜において、成膜パラ
メータの一つである酸素圧力を最適化制御して（最適な
値を選ぶことにより）、酸化バナジウム薄膜の室温付近
のＴＣＲを向上させることができる。
雰囲気下での酸化バナジウムの成膜において、成膜パラ
メータの一つである酸素圧力を最適化制御して（最適な
値を選ぶことにより）、酸化バナジウム薄膜の室温付近
のＴＣＲを向上させることができる。
【００２６】更に、本製法による酸化バナジウム薄膜の
ＴＣＲは、従来のＶＯ2薄膜とは異なり、サファイア基
板上に４００℃で成長した場合、温度２５℃付近におい
て−６％／Ｋ以上、集積回路デバイス材料であるシリコ
ン酸化膜上に４００℃で成長した場合、温度２５℃付近
において−４％／Ｋ以上を実現でき、従来得られている
実用化されたボロメータ用酸化バナジウム薄膜の室温付
近のＴＣＲ約−２％／Ｋと比較して２倍以上であり、優
れたボロメータ型赤外線センサ材料であるといえる。
ＴＣＲは、従来のＶＯ2薄膜とは異なり、サファイア基
板上に４００℃で成長した場合、温度２５℃付近におい
て−６％／Ｋ以上、集積回路デバイス材料であるシリコ
ン酸化膜上に４００℃で成長した場合、温度２５℃付近
において−４％／Ｋ以上を実現でき、従来得られている
実用化されたボロメータ用酸化バナジウム薄膜の室温付
近のＴＣＲ約−２％／Ｋと比較して２倍以上であり、優
れたボロメータ型赤外線センサ材料であるといえる。
【００２７】また、集積回路デバイス材料であるシリコ
ン酸化膜上に比較的低温で酸化バナジウム薄膜を成長さ
せて高いＴＣＲを実現でき、集積回路デバイスを損なわ
ずに成膜することも可能である。
ン酸化膜上に比較的低温で酸化バナジウム薄膜を成長さ
せて高いＴＣＲを実現でき、集積回路デバイスを損なわ
ずに成膜することも可能である。
【００２８】以上本発明の実施の形態について説明して
きたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記
載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当
業者には自明であろう。
きたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記
載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当
業者には自明であろう。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明により、単
純な工程、簡単な成膜条件の設定で、サファイア又はシ
リコン酸化膜上に成長した、室温付近におけるＴＣＲが
−４〜−６％／Ｋ以上のバルクのＶＯ2に近い値を持つ
酸化バナジウム薄膜を提供することができ、ボロメータ
型センサの感度向上が可能となる。
純な工程、簡単な成膜条件の設定で、サファイア又はシ
リコン酸化膜上に成長した、室温付近におけるＴＣＲが
−４〜−６％／Ｋ以上のバルクのＶＯ2に近い値を持つ
酸化バナジウム薄膜を提供することができ、ボロメータ
型センサの感度向上が可能となる。
【００３０】また、集積回路デバイスに適用可能な成膜
温度が５００℃を越えない（好ましくは４００℃以下
の）範囲で高いＴＣＲを実現できる利点もある。
温度が５００℃を越えない（好ましくは４００℃以下
の）範囲で高いＴＣＲを実現できる利点もある。
【図１】本発明に係る実施の形態であって薄膜作製装置
の概略を示す構成図である。
の概略を示す構成図である。
【図２】本発明の実施の形態においてサファイア基板上
への酸化バナジウム薄膜成長時に導入する酸素の圧力を
５mTorrから３０mTorrまで変化させたときの抵抗温度特
性曲線図である。
への酸化バナジウム薄膜成長時に導入する酸素の圧力を
５mTorrから３０mTorrまで変化させたときの抵抗温度特
性曲線図である。
【図３】同じくシリコン酸化膜上への酸化バナジウム薄
膜成長時に導入する酸素の圧力を５mTorrから３０mTorr
まで変化させたときの抵抗温度特性曲線図である。
膜成長時に導入する酸素の圧力を５mTorrから３０mTorr
まで変化させたときの抵抗温度特性曲線図である。
【図４】同じく成膜時の酸素圧力をパラメータとしたと
きの、測定温度２５℃におけるＴＣＲプロット図であ
る。
きの、測定温度２５℃におけるＴＣＲプロット図であ
る。
【図５】同じく成膜時の酸素圧力が２０mTorrのときサ
ファイア基板上に成長した酸化バナジウム薄膜のＸ線回
折パターン図である。
ファイア基板上に成長した酸化バナジウム薄膜のＸ線回
折パターン図である。
【図６】同じく成膜時の酸素圧力が１０mTorrのときシ
リコン酸化膜上に成長した酸化バナジウム薄膜のＸ線回
折パターン図である。
リコン酸化膜上に成長した酸化バナジウム薄膜のＸ線回
折パターン図である。
１ ターゲット ２ 基板 ３ 真空チャンバー ４ レーザ発生装置 ５ レンズ ６ 酸素導入部 ７ 流量調節器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C01G 31/02 G01J 1/02 G01J 5/02 ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (4)
- 【請求項１】 サファイア上に成長し、２５℃〜７５℃
の温度範囲において比抵抗の温度変化率が−６％／Ｋを
越えることを特徴とする酸化バナジウム薄膜。 - 【請求項２】 シリコン酸化膜上に成長し、２５℃〜７
５℃の温度範囲において比抵抗の温度変化率が−４％／
Ｋを越えることを特徴とする酸化バナジウム薄膜。 - 【請求項３】 レーザアブレーション法によって基板面
に酸化バナジウム薄膜を成膜する酸化バナジウム薄膜の
製造方法において、成膜時の酸素雰囲気の圧力制御によ
って比抵抗の温度変化率を最適化することを特徴とする
酸化バナジウム薄膜の製造方法。 - 【請求項４】 前記成膜時の基板温度が５００℃を越え
ない請求項３記載の酸化バナジウム薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9083326A JP3002720B2 (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 酸化バナジウム薄膜及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Family Applications (1)
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| Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６３（２４），３２８８−３２９０（１９９３） |
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| JPH10259024A (ja) | 1998-09-29 |
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