JPS6240427B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6240427B2 JPS6240427B2 JP12410379A JP12410379A JPS6240427B2 JP S6240427 B2 JPS6240427 B2 JP S6240427B2 JP 12410379 A JP12410379 A JP 12410379A JP 12410379 A JP12410379 A JP 12410379A JP S6240427 B2 JPS6240427 B2 JP S6240427B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- vapor deposition
- chamber
- melted
- melting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 22
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 16
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 16
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 11
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/246—Replenishment of source material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はハンダバンプ(Solder Dot)等を蒸着
により形成せしめるハンダ蒸着装置及びハンダ蒸
着方法に関するものである。
により形成せしめるハンダ蒸着装置及びハンダ蒸
着方法に関するものである。
CCB(Controlled Collaspe Bonding)等の手
法で製造される半導体装置においては、ウエハ上
のハンダバンプを蒸着によつて形成する。
法で製造される半導体装置においては、ウエハ上
のハンダバンプを蒸着によつて形成する。
ところで、従来のハンダ蒸着装置は、蒸発源の
モリブデン製ボートに直接ハンダ棒をチヤージし
直接溶融、蒸着を行なうものであつた。このた
め、(1)ハンダ棒を溶解したときに溶融面に形成さ
れるスカムにより、蒸発面がマスクされ蒸着速度
が遅く、しかも不安定になる。(2)蒸着室内でハン
ダを溶解するため溶解時にハンダから放出される
ガスの排気に要する時間をサイクルタイムに加熱
せねばならない、等の欠点を有していた。また、
従来方法においてもハンダを直接溶融蒸着してい
たため同様の欠点を有していた。
モリブデン製ボートに直接ハンダ棒をチヤージし
直接溶融、蒸着を行なうものであつた。このた
め、(1)ハンダ棒を溶解したときに溶融面に形成さ
れるスカムにより、蒸発面がマスクされ蒸着速度
が遅く、しかも不安定になる。(2)蒸着室内でハン
ダを溶解するため溶解時にハンダから放出される
ガスの排気に要する時間をサイクルタイムに加熱
せねばならない、等の欠点を有していた。また、
従来方法においてもハンダを直接溶融蒸着してい
たため同様の欠点を有していた。
本発明は上述の如き従来装置の欠点を解消した
新規な構成になるハンダ蒸着装置及びハンダ蒸着
方法を提供する目的でなされたものである。
新規な構成になるハンダ蒸着装置及びハンダ蒸着
方法を提供する目的でなされたものである。
本発明の装置はハンダを溶解する溶解室と、溶
解したハンダを蒸発させて被処理物に蒸着させる
蒸着室を別々に備え、溶解室から蒸着室に溶解た
ハンダを供給する手段を有していることを特徴と
するものである。
解したハンダを蒸発させて被処理物に蒸着させる
蒸着室を別々に備え、溶解室から蒸着室に溶解た
ハンダを供給する手段を有していることを特徴と
するものである。
図に本発明の一実施例になるハンダ蒸着装置の
概略的構成を示す。即ち、排気系(図示せず)に
より高真空に保持される蒸着室1に隣接して、同
様に排気系により真空に保持される予備溶解室2
を設け、上記予備溶解室2内において、適宜のル
ツボ3およびヒーター4によりPb−Snハンダ5
を真空溶解せしめる。ルツボ3内で溶解せしめた
ハンダ5は外部から操作されるコツク6および均
熱供給パイプ7を介して溶融状態のまま蒸着室1
内の蒸発源容器8内に供給される。ここで、上記
ハンダ5はルツボ3内における液面より下部から
取出すように構成されている。蒸発源容器8に導
出されたハンダ5はヒーター9によつてさらに加
熱されバルブ10およびシヤツタ11の開閉によ
りウエハホルダ12に装着されたウエハ13に蒸
着せしめられる。
概略的構成を示す。即ち、排気系(図示せず)に
より高真空に保持される蒸着室1に隣接して、同
様に排気系により真空に保持される予備溶解室2
を設け、上記予備溶解室2内において、適宜のル
ツボ3およびヒーター4によりPb−Snハンダ5
を真空溶解せしめる。ルツボ3内で溶解せしめた
ハンダ5は外部から操作されるコツク6および均
熱供給パイプ7を介して溶融状態のまま蒸着室1
内の蒸発源容器8内に供給される。ここで、上記
ハンダ5はルツボ3内における液面より下部から
取出すように構成されている。蒸発源容器8に導
出されたハンダ5はヒーター9によつてさらに加
熱されバルブ10およびシヤツタ11の開閉によ
りウエハホルダ12に装着されたウエハ13に蒸
着せしめられる。
上述の如き本発明の実施例によれば、ハンダは
予め真空溶解されているため蒸着室内においてガ
ス放出を生ずることがなく、しかもスカム14は
予備溶解室内のルツボ3内に残留せしめられるた
め蒸発源容器8内のハンダ面にはほとんどスカム
を生ずることがないため、蒸着速度を高めること
ができ、しかも安定した蒸着を行なうことができ
る。
予め真空溶解されているため蒸着室内においてガ
ス放出を生ずることがなく、しかもスカム14は
予備溶解室内のルツボ3内に残留せしめられるた
め蒸発源容器8内のハンダ面にはほとんどスカム
を生ずることがないため、蒸着速度を高めること
ができ、しかも安定した蒸着を行なうことができ
る。
ちなみに、従来装置及び従来方法による蒸着速
度は約3μm/分であつたが、本発明の実施によ
り約8μm/分に高めることができた。
度は約3μm/分であつたが、本発明の実施によ
り約8μm/分に高めることができた。
ここで、前記予備溶解室内のルツボ3、コツク
4および均熱供給パイプ5としては、ハンダとの
化学的反応が生じない耐熱材料として石英等で構
成することが好適である。さらに上記均熱供給パ
イプ5はヒーターとミラーパイプとによつて形成
することによつてハンダを溶融状態のまま蒸着室
に供給することができる。
4および均熱供給パイプ5としては、ハンダとの
化学的反応が生じない耐熱材料として石英等で構
成することが好適である。さらに上記均熱供給パ
イプ5はヒーターとミラーパイプとによつて形成
することによつてハンダを溶融状態のまま蒸着室
に供給することができる。
第1図は本発明の一実施例になるハンダ蒸着装
置の概略的構成を示す縦断面図である。 1……蒸着室、2……予備溶解室、3……溶解
ルツボ、4……ヒーター、5……ハンダ、6……
コツク、7……均熱供給パイプ、8……蒸発源容
器、9……ヒーター、10……バルブ、11……
シヤツタ、12……ウエハホルダ、13……ウエ
ハ、14……スカム。
置の概略的構成を示す縦断面図である。 1……蒸着室、2……予備溶解室、3……溶解
ルツボ、4……ヒーター、5……ハンダ、6……
コツク、7……均熱供給パイプ、8……蒸発源容
器、9……ヒーター、10……バルブ、11……
シヤツタ、12……ウエハホルダ、13……ウエ
ハ、14……スカム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ハンダを溶解する溶解室と、前記溶解したハ
ンダを蒸発させて被処理物に蒸着させる蒸着室と
を別々に備え、前記溶解室から前記蒸着室に溶解
したハンダを供給する手段を有していることを特
徴とするハンダ蒸着装置。 2 前記ハンダを供給する手段は、均熱供給パイ
プからなつていることを特徴とする特許請求の範
囲第1項に記載のハンダ蒸着装置。 3 ハンダを溶解室にて溶解し、溶解したハンダ
を蒸着室へ供給し、前記蒸着室にて被処理物にハ
ンダを蒸着させることを特徴とするハンダ蒸着方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12410379A JPS5647563A (en) | 1979-09-28 | 1979-09-28 | Soldering depositor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12410379A JPS5647563A (en) | 1979-09-28 | 1979-09-28 | Soldering depositor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5647563A JPS5647563A (en) | 1981-04-30 |
JPS6240427B2 true JPS6240427B2 (ja) | 1987-08-28 |
Family
ID=14876992
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12410379A Granted JPS5647563A (en) | 1979-09-28 | 1979-09-28 | Soldering depositor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5647563A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2568662B1 (fr) * | 1984-07-31 | 1987-02-27 | Instruments Sa | Dispositif pour isoler temporairement un objet d'une enceinte a vide. |
JPS6350472A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-03 | Hitachi Maxell Ltd | 真空蒸着装置 |
JP2006309085A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Takuyou:Kk | 室名表示装置 |
-
1979
- 1979-09-28 JP JP12410379A patent/JPS5647563A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5647563A (en) | 1981-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2000264793A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法及び単結晶製造装置 | |
WO2001031080A3 (en) | Electron beam physical vapor deposition apparatus | |
JPS6240427B2 (ja) | ||
KR20100036948A (ko) | 성막방법 및 성막장치 | |
GB2156231A (en) | Evaporation cell for a liquid compound suitable for epitaxy by molecular jets | |
US3063858A (en) | Vapor source and processes for vaporizing iron, nickel and copper | |
JPH027395B2 (ja) | ||
JPH04272169A (ja) | 含浸型真空蒸着装置 | |
KR101037121B1 (ko) | 증착장치 및 증착방법 | |
JP2002030419A (ja) | 成膜装置および方法 | |
JPS6386861A (ja) | 蒸着材料補給装置 | |
JPH0369990B2 (ja) | ||
JPH01234560A (ja) | 蒸着装置における低融点蒸発材の供給方法及び装置 | |
JPH0841629A (ja) | セルシャッターおよびその使用方法 | |
JPH0680496A (ja) | 低温用クヌ−ドセンセル | |
JPS59172715A (ja) | 分子線発生装置 | |
JP2652947B2 (ja) | 分子線セル | |
JPS61261294A (ja) | 分子線エピタキシャル成長法 | |
JPH01184272A (ja) | 蒸着装置 | |
JPS6327425B2 (ja) | ||
JPS6120129B2 (ja) | ||
JPS61117824A (ja) | 気相反応容器 | |
JPH0344144B2 (ja) | ||
JPH0372037A (ja) | 金属蒸気発生装置 | |
JPH06948B2 (ja) | 金属蒸発方法 |