JP3959273B2 - イオン化物理蒸着法の方法および装置 - Google Patents

Description

【０００１】
本出願は１９９９年１１月１８日出願のJohn Dreweryその他の米国特許出願第０９／４４２，６００号に対する優先権を主張し、これは参照により本明細書に明示的に組み込まれる。
【０００２】
（発明の分野）
本発明はイオン化物理蒸着法（ＩＰＶＤ）に、特にターゲットからコーティング材料をスパッタリングし、スパッタリングした材料をイオン化して、イオン化したコーティング材料を基板の表面に配向することによって、フィルム、特に金属フィルムを半導体ウェーハ基板上に付着させる方法および装置に関する。
【０００３】
（発明の背景）
イオン化物理蒸着法は、シリコン・ウェーハ上に高いアスペクト比の構造を添加し、裏打ちすることに特定の有用性を有するプロセスである。ＩＰＶＤでは、半導体ウェーハ上に薄いコーティングを付着させるため、付着させる材料をソースからスパッタリングするか、他の方法で気化し、次にコーティングされるウェーハに到達する前に、気化した材料の大部分をプラス・イオンに変換する。このイオン化は、真空室内のプロセス・ガス中で生成される高密度プラズマによって達成される。プラズマは、高周波電力を与えた励起コイルを通って処理室の真空に入る高周波エネルギーを磁気結合させることによって生成することができる。このように生成されたプラズマを、ソースとウェーハとの間の領域に集中させる。ウェーハにマイナスのバイアスを加える方法などによって、コーティング材料のプラス・イオンに電磁力を加える。このようなマイナスのバイアスは、プラズマ内にウェーハを浸漬させるか、高周波電圧をウェーハに印加させることを理由に、電気的に絶縁されたウェーハで発生することができる。バイアスによって、コーティング材料のイオンがウェーハに向かって加速され、したがってウェーハに対してほぼ直角の角度でウェーハに付着するコーティング材料の割合が増加する。これによって、ウェーハ表面の深くて狭い穴および溝を含むウェーハの微細構成に金属を付着させることができ、このような微細構成の底部および側壁が良好に覆われる。
【０００４】
本出願の譲渡人によって提案される特定のシステムが、１９９７年４月２１日出願の米国特許出願第０８／８４４，７５１号、第０８／８３７，５５１号および第０８／８４４，７５６号に開示され、これは参照により明示的に本明細書に組み込まれる。このようなシステムは真空室を含み、これは通常は円筒形で、誘電材料または窓で形成された湾曲外壁の部分を設ける。螺旋状の導電コイルを、誘電窓の外側で室の周囲に、それと同心円状に配置し、コイルの軸方向の範囲は誘電壁の軸方向の範囲の大きい部分となる。使用時には、適切な整合システムを通して高周波電源からコイルにエネルギーを与える。誘電窓によって、コイルから室に入るエネルギーを結合しながら、コイルをプラズマとの接触から隔離することができる。窓は、遮蔽の配置構成によって金属コーティング材料の付着から保護され、遮蔽は通常は金属で形成し、室の内部領域へ高周波電界が通過させながら、磁界によって発生した循環電流の導通路を形成する傾向がある金属の、誘電窓への付着を防止することができる。このような電流は、オーム加熱を招き、コイルからプラズマへのプラズマ励起エネルギーの磁気結合を減少させるので、望ましくない。この励起エネルギーの目的は、室の内部領域に高密度プラズマを発生させることである。結合が減少すると、プラズマ密度が低下し、プロセスの結果が劣化する。
【０００５】
このようなＩＰＶＤシステムでは、材料を、例えばターゲットからスパッタリングし、ターゲットは通常は直流電源によってプラズマに対してマイナスに荷電される。ターゲットは、磁気回路またはターゲットにスパッタリングするためにターゲット上にプラズマを限定する他の磁気構造を組み込んだ平面のマグネトロン設計であることが多い。材料は、高周波電源および整合ネットワークによって通常、高周波バイアスが加えられるウェーハ支持体またはテーブル上に支持されたウェーハに到達する。
【０００６】
多少異なる幾何学的形状は、真空室の内部に配置されたコイルによって発生するプラズマを使用する。このようなシステムは、誘電室窓も誘電壁を保護する特殊な遮蔽も必要としない。このようなシステムは、Barnesその他によって米国特許第５，１７８，７３９号で説明され、それは参照により明示的に本明細書に組み込まれる。室がコイルの外側にあり、Barnesその他の特許で開示されたシステムも有するシステムは、真空室の内側または外側で誘導コイルまたは他の結合要素を使用し、それはスパッタリング・ターゲットとウェーハの面間の空間に物理的に配置され、それを占有する。
【０００７】
コイルのような結合要素を真空室の内部に設けても、外部に設けても、システムの寸法は、高周波エネルギー結合要素をソースと基板の間に設置できるようにするため、十分なソースと基板間の距離が必要であることによって制限されてきた。コイルまたは他の結合要素を設置するために、ウェーハの周囲に十分な直径がなければならない。結合要素のための空間を設ける必要があるために、ソースと基板間の距離を増加させた直接の結果として、このようなシステムでは付着の十分な一様性を獲得することが困難である。一様性を改善するために室の高さを減少させると、室の中心領域のプラズマ密度が失われ、コーティング材料のイオン化のパーセンテージが低下する。また、実際には、システム全体が制限された半径内に適合しなければならない。その結果、高周波コイルの近傍から金属表面まで生じる熱により問題が頻繁にあり、これは追加の冷却を必要とし、技術および生産の費用が増加して、電力が無駄になる。
【０００８】
コイルが室内にあるＩＰＶＤ装置は、コイルがプラズマによって腐食し、したがってターゲットからスパッタリングされるものと同じタイプのターゲット等級の材料で構成しなければならないという追加の欠点を有する。さらに、真空室内に配置するコイルの十分な冷却が必要である。このコイルの冷却に液体を使用すると、コイルに不均一な腐食またはアーク放電が浸透して、液体がシステム内に漏れるという危険があり、これは非常に望ましくなく、システムの洗浄および再検証に長い時間がかかる結果となるようである。さらに、室内の励起コイルもプラズマに容量結合され、励起電力の使用が非効率になって、イオン・エネルギー・スペクトルが拡張され、プロセスに望ましくない影響を与えることがある。
【０００９】
半導体デバイスを小型化した結果、直径がコンマ何ミクロンのアスペクト比が高い穴の底部に、接点への低抵抗接続部を形成する必要性が生じるようになった。そのため、タンタルおよび窒化タンタルなどの材料のバリア層上に銅などの導電性の高い金属を使用する必要性が増大した。このような材料を先行技術で付着させる技術は、完全には満足できるものではなかった。
【００１０】
ＰＶＤ方法による材料の付着は、先行技術では、スパッタリング室内に一様な幾何学的形状のプラズマ濃度を生成し、付着膜の分布一様性に直接影響を与えるため、スパッタリング・ソースの重要な設計を要した。先行技術のアプローチでは、それらの目的のために他の性能パラメータを妥協する結果となった。
【００１１】
上述した考慮事項および問題の結果、ＩＰＶＣ処理システム内で密度の高いコーティング材料イオン化プラズマにエネルギーをより効率的に結合し、室の最適寸法を損なうことなく、好ましくはコイルまたは他の結合要素を真空室内に配置せずにこれを実行する必要がある。
【００１２】
（発明の概要）
本発明の１つの目的は、コイルまたは他の結合要素の配置が処理装置の室の幾何学的形状に悪影響を与えないＩＰＶＤ方法およびＩＰＶＤ装置を提供することである。本発明の別の目的は、ＩＰＶＤの性能のために、より効率的で効果的な方法および装置を提供することである。
【００１３】
本発明の原理によると、ＩＰＶＤ装置に、コーティング材料の原子または微粒子を含む蒸気を真空室内の処理空間に発生させるため、コーティング材料のリング形ソースを設ける。リング形ソースの中心に、室内に入る高周波エネルギーを反応性結合する結合要素を設けて、処理空間内に反応性結合した高密度プラズマを発生させ、処理空間を通過するコーティング材料をイオン化する。コーティング材料のイオンは、静電界または電磁界または他の影響で、処理空間のソースとは反対端にある室内の基板に向かって浮遊する。基板から、例えばセンチメートルのオーダーの特定距離内に到達したこれらのイオンは、シース電界に遭遇して、基板に向かって加速し、したがって高いパーセンテージのコーティング材料が基板に対して直角の角度で基板に到達し、それによって基板の底部および側部の裏打ち、または基板表面にあるアスペクト比が高い機構の充填の有効性が上昇する。
【００１４】
本発明の１つの実施形態では、コーティング材料ソースは、スパッタリング・ターゲットであることが好ましく、誘電窓が配置された中心開口を設ける。窓の背後で、室の真空の外側にプラズマ・ソースが配置され、これは高周波エネルギー源の出力に接続された結合要素、好ましくはコイルを含む。結合要素は、材料ソースの中心の開口にある窓を通過して、エネルギー源から供給され、コーティング材料ソースと、室のコーティング材料ソースとは反対側にある基板支持体上の半導体ウェーハなどの基板との間にある室の領域に入るエネルギーを結合するよう構成され、これは電磁結合であることが好ましい。
【００１５】
本発明の装置は、中心のセラミック窓を囲む環状スパッタリング・ターゲットを含む。この環状ターゲットは、円錐台形の形状であることが好ましい。マグネトロンの磁石アセンブリをターゲットの背後に配置して、磁界をターゲット上に、好ましくは中心で中心開口を囲む環状ターゲットの表面上の環状トンネルの形状で限定するプラズマを生成する。
【００１６】
結合要素は、環状スパッタリング・ターゲットの中心開口にある誘電窓の後部外面の背後で、その近傍に配置することが好ましい。例えば１３．５６ＭＨｚの高周波エネルギーをコイルに加えて、室内のターゲットと基板間に高密度の電磁結合プラズマを励起する。ターゲットの表面でマグネトロンの磁石の磁界によって捕捉される主要スパッタリング・プラズマは、ターゲットからのコーティング材料を、高密度の２次プラズマによって占有された処理空間の領域にスパッタリングし、ここで材料の有意の部分が電子を除去され、コーティング材料のプラス・イオンを形成する。マイナスのバイアス電圧を基板ホルダー上のウェーハに加え、これは接近する入射角が基板に直角の状態で、２次プラズマの領域からのスパッタリング材料のプラス・イオンを基板の表面上へと引き寄せ、したがってこれはウェーハ基板の溝および穴に肺って、これらの穴および溝の底部をコーティングすることができる。
【００１７】
本発明の装置および方法の特定の実施形態は、室内の３次元領域で高密度の電磁結合された３次元プラズマにエネルギーを与える３次元コイルを使用するＩＰＶＤソースを含む。室は、３０から１３０ｍＴｏｒｒの真空圧で作動して、基本的にプラズマを熱中性子化し、したがってコーティング材料のイオンをプラズマ内で形成して、基板上に直角に配向し、それによってターゲットおよび磁石の液状がコーティングの一様性に及ぼす影響を低下させることができる。ＩＰＶＤソースは、窓を通して室内に結合され、ＴＥＦＬＯＮスペーサなどの高誘電性材料を通り、次に環状ターゲットの中心で室壁の円形開口を閉鎖する真空バリアを形成するクォーツなどの誘電窓を通る。室の内側には、自身内にコイルの導体に対して配向された山形スロットを有する窓遮蔽がある。遮蔽は窓を付着物、特に金属製コーティング材料の付着物から保護しながら、電磁結合高周波エネルギーを室内に通過させる。遮蔽は、さらにファラデー遮蔽としても機能し、コイルからプラズマへの容量結合を防止して、電束圧縮による加熱を回避する。遮蔽は一体冷却器を有して、アルミニウムでめっきした鋳造銅で形成され、したがって遮蔽は、アルミニウム・コーティングを化学的に溶解させて、蓄積物を除去し、次に再使用のために銅遮蔽をアルミニウムで再めっきすることにより、再調整することができる。窓および遮蔽のアセンブリは、着脱式の組合せを形成する。窓が遮蔽のスリットに隣接して、スリットのこの箇所に形成されるプラズマによって自動洗浄されるよう、窓と遮蔽は隔置される。
【００１８】
ターゲットは、好ましくは円錐台形で、円錐台形の壁は水平面または窓の面に対して約３５°傾斜する。ターゲット表面に３本の、そして好ましくは３本のみの磁気トンネルを生成する永久磁石パックを使用し、主要な中心トンネルがターゲットの寿命の所期に優勢で、環状ターゲットの平均半径を腐食させ、２つの側部トンネルがターゲットの寿命の後部を引き継いで、ターゲットの環の内縁および外縁に隣接する溝を腐食させる。
【００１９】
装置は、垂直動作するためにＺテーブル動作駆動装置に装着したウェーハ・ホルダを使用し、６から９インチ（１５．２４〜２２．８６ｃｍ）のターゲットと基板の間隔（ＴＳＳ）を設け、移送モジュールから移送アームへのウェーハのハンドオフを提供することが好ましい。支持体に静電チャックを設け、支持体から遠隔地にＧＡＬＤＥＮ流体ループを通して支持体と接続され、別の流体ループを通してヒート・シンクと接続されたペルティエ装置を使用してウェーハの加熱および冷却を提供する。静電チャックは３極で、チャックのグリッドが電極として働いて、ウェーハに２ゾーン・バイアスを与え、イオン化してスパッタリングした材料をウェーハに引き寄せる。ウェーハの縁の周囲にシャドー・リングを設けて、非接触の縁のマスキングを提供する。
【００２０】
室は、相互に対して機械的に浮遊する２つの部分に着脱式の遮蔽インサートを有し、異なる加熱による異なる膨張に対応する。遮蔽アセンブリは交換可能な組合せの一部である。装置は、特に、銅をタンタルおよび窒化タンタル上に付着させ、下にあるタンタルおよび窒化タンタルのバリア層をパターン化したウェーハ上に付着させるのに有用であり、Ｔａはイオン化したＰＶＤによって付着させて、ＴａＮは同じ室内でＰＶＤによって付着させ、その後に同じ道具の移送モジュールに取り付けた同様のモジュールのイオン化ＰＶＤによって銅を付着させる。このようにして付着さえた銅は、その後にＣｕ充填の多くの方法のいずれか、特に電気めっきを実行するのに適している。プロセスは、以下で説明するように、圧力、温度、ガス、バイアス力および／または電圧レベル、スパッタリング電力レベル、ＩＣ電力レベルなどのプロセスのパラメータを使用して実行することが好ましい。
【００２１】
本発明による装置構造では、コーティング材料ソースと基板との間に、スパッタリングされる種を適切にイオン化し、それとともにウェーハ上の付着の一様性を良好にするために最適の間隔を設けるよう、処理室の寸法を決定することができる。
【００２２】
本発明は、ＩＰＶＤプロセスを最適化するために処理室を構成する際の設計選択肢に、より大きい自由度を提供し、上記の背景で述べた困難を克服しながら、それを実行する。
【００２３】
本発明の以上およびその他の目的および利点は、図面に関する以下の詳細な説明から、さらに容易に明白になる。
【００２４】
（発明の詳細な説明）
本発明の１つの実施形態によるイオン化物理蒸着（ＩＰＶＤ）装置５００を、図１に示す。ＩＰＶＤ装置５００は、室壁アセンブリ５０２によって制限された真空室５０１を含む。室５０１には、コーティング材料を蒸気の形態でスパッタリング室５０１のボリューム内に供給し、スパ他リング材料蒸気をイオン化するＩＰＶＤソース５０３、処理中にウェーハを保持する静電チャック・ウェーハ支持システム５０７、処理のためにウェーハを装填および除去するウェーハ取扱いシステム５０４、５０４ａ、室５０１を真空圧レベルまで排気する真空およびガス取扱いシステム５０５（図２０から図２１）、ターゲットを取り出して再配置し、ソースの他の保守を実行するＩＰＶＤソース・ホイスト４６０、および本明細書で述べる、および他の方法により装置５００で実行する方法およびプロセスに従って装置５００の他のシステムを操作する制御システム５０９を含む。
【００２５】
装置５００は、以下のような特徴および作業状態を提供することができる保守可能なモジュールである。つまり、（１）１０^-8未満の基底真空、（２）３０から１３０ｍＴｏｒｒの不活性ガス作業圧力、（３）０〜５０ｍＴｏｒｒの分圧での反応性ガスの提供、（４）６から９インチ（１５．２４〜２２．８６ｃｍ）のターゲットと基板の可変間隔、（５）背面でガス加熱または冷却する静電チャック操作、および（６）粒子生成を防止するため、スパッタリング材料が良好に接着する表面を有する着脱式の洗浄可能なコンポーネントへの付着を制限する遮蔽である。
【００２６】
ＩＰＶＤソース５０３の一般的概念が米国特許出願第０９／０７３，１４１号に記載され、それは参照により明示的に本明細書に組み込まれる。ソース５０３の特定の具現例は、その出願で詳細に記述されたタイプのリング形ターゲット１０、特に円錐台形のターゲットを含む。基本的に、ＩＰＶＤソース５０３の原則目的は、以下の特徴および特性を提供することにある。つまり（１）ルーチン作業を実行するために、必要なオペレータの努力を最低限に抑え、可能な限り最小の工具のセットにし、（２）高周波および直流電力を可能な限り水または他の冷却流体から分離し、（３）設計および操作を比較的単純にし、（４）内部のソース・アセンブリ全体の迅速な交換を含め、ソースの迅速な修理または交換を可能にし、（５）モジュール式の内部アセンブリを提供し、（６）操作環境への放射線の漏れを防止するため、高周波遮蔽の完全性を維持することである。
【００２７】
ＩＰＶＤソース５０３は、壁５０２の頂部に載り、室壁５０２の頂部で円形の開口４１２の周を囲む真空が漏れないシールを壁５０２との間に形成するソース・フランジおよび暗空間リング・アセンブリ４７０が設けられる。ＩＰＶＤソースは、環状ターゲット１０および高周波ソース・アセンブリ４５０を含み、これは室５０１内の電磁結合されたプラズマにエネルギーを与える。高周波ソース・アセンブリはターゲット１０の環の内側でウェーハ１００の反対側にある開口４２１内に位置し、ウェーハは、例えば２００ｍｍまたは３００ｍｍのウェーハで、ウェーハ支持システム５０７の静電チャック９７上に装着される。ソース５０３は、好ましくはアルミニウム溶接物であるソース・ハウジング１（図２）を含むソース・ハウジング・アセンブリ４１０を含む。ソース・ハウジング１は、ソース５０３の作動部分を装着する構造、および図１Ａで示すように装置５００に設置し、そこから取り外すためにソース・ホイスト・アセンブリ４６０によるソース５０３の係合、持ち上げ、および下降を可能にする結合構造４１１を含む。ソース・ホイスト４６０によって持ち上げられると、ＩＰＶＤソース５０３は、ホイスト４６０によって回転し、次に下向きの作動方向（図１および図１Ａ）から図１Ｂの上向きの方向に反転させることができ、そこでソース５０３は、例えばターゲット１０を公開するか、洗浄または保守のためにソース５０３の他のコンポーネントを外すため、ソース５０３を保守することができる。
【００２８】
図２で示すように、ＩＰＶＤソース５０３は、ＩＰＶＤ装置５００で付着させるためにイオン化コーティング材料を生成するコーティング材料およびイオン化エネルギーのソースである。ターゲット・スパッタリング電力は、コネクタ２を介してハウジング１にもたらされる。金属または他の導電性コーティング材料を付着させるために、ターゲット・スパッタリング電力は装置５００の直流電源（図示せず）によって供給される直流電力である。非導電性材料を付着さえる場合、ターゲット電力は高周波電源から提供される。電力コネクタ２は、ソース５０３を室５０１の頂部の作動位置に設置すると、室壁５０２に永久的に装着されたコネクタ２ａと対合する。その結果、ターゲット電力は、ソース５０３が室５０１の所定の位置にないと、ターゲット１０に生じることができない。マイナスの直流給電線１４７が、水密性の歪み取りブッシュ１４９を通過して、ハウジング１内の絶縁ブロック４に装着されたソケット３へ至り、プラスの給電線１４８は、通常はシステムの接地電位に維持されているハウジング１に直接接続される。
【００２９】
口５をハウジング１の頂部に設け、高周波接続部１５２の導体４０（図４）が、それを通ってソース・ハウジング１の頂部にある電磁結合プラズマ（ＩＣＰ）発生器（図６から図８）の高周波同調器９６（図２）に至る。自動同調器９６はソース・ハウジング１の頂部に装着された商用ユニットである（図２）。大型のメス型コネクタ４０ａが、コネクタ４０を介して高周波コイル・アセンブリ４５０に電力を供給する（図７〜図８）。ハウジング１の外側で、高周波ケーブルが、高周波同調器９６を装置５００の高周波発生器（図示せず）に接続する。ハウジング１には、高周波同調器ユニット９６およびコイル・アセンブリ４５０の存在を検出するインターロック・スイッチ６も設ける。
【００３０】
押し棒機構７ａによって起動されるインターロック・スイッチ７を設け、押し棒機構はばね押しピン１６６（図９および図１３）によって起動され、ターゲット１０が適切に設置されると、スイッチ７を起動する。インターロック７は、ターゲット１０が所定の位置にあって、ロック・ダウンされていない限り、水および電力が供給できないことを保証するために設ける。室５０１の壁５０２の頂部で円形開口４１２を囲むソース・フランジおよび暗空間リング・アセンブリ４７０と電気接続する傾斜コイルばね８を設ける。複数、例えば３個から６個の手動クリップ９を、ハウジング１の周囲に等間隔で設け、これを解放すると、ソース・フランジおよび暗空間リング・アセンブリ４７０を取り外して、ターゲット１０を交換するか、他の方法で保守する、あるいはターゲット１０の取り外しおよび交換、またはソース・ハウジング１内の他のコンポーネントの保守を可能にすることができる。水の出入りのために口１５０を設け、主ソース・ハウジング１の外部で水ループと接続するために、口１５１を設ける。
【００３１】
ターゲット１０は、図３に図示されるターゲット・アセンブリ４２０の一部である。ターゲット１０は円錐台形であり、製造費を最低限に抑えるよう設計される。これは、上部真空継手を画定する１つの上部Ｏリング溝１１、および下部継手を作成する仕上げの良好な表面４２７を有する。ターゲット１０の背面４２８は滑らかである。ターゲット１０は、ターゲット１０が銅である場合によくあるように一体式であるか、スパッタリング技術者によく知られた幾つかの技術のいずれかによって、ソース材料の層を構造的裏打ちプレートに結合することによって形成してもよい。ターゲットの対向する側部は、円錐の発散の開先角度を画定し、これは約１１０°であることが好ましい。
【００３２】
円錐ターゲット１０の１１０°の開先角度は、Kushnerその他のＨＰＥＭコードを使用した包括的なコンピュータ・モデリングの後に選択された。このアングルにより、複数の圧力、電力、および好ましくは約６から９インチ（１５．２４〜２２．８６ｃｍ）のターゲットと基板との間隔で、最適な付着の一様性が得られる。これより小さい開先角度が望ましいこともあるが、９０°未満の角度は、付着速度が低下し、一様性がそれほど改善されないと予想される。開先角度が大きくなると、ターゲットの利用率が低下し、付着の一様性が低下すると予想される。
【００３３】
ターゲット１０の中心開口４２１を囲むターゲットの環の内縁で、ターゲット１０の上部末端にＯリング溝１１を設ける。Ｏリング溝１１の外側に、胸壁のようなぎざぎざがある機構１２を設けて、ねじを使用せずにターゲット１０を冷却水システム４２２（図９）に組み付けられるようにする。開口４２１の直径の内側に段１５４を設け、これは、以下で説明する窓遮蔽および窓アセンブリ４４０（図６）にある同様の段との組合せで、これも以下で説明する開口４２１を覆う誘電窓３３への金属の付着を防止する。
【００３４】
ターゲット１０は、冷却カバー１３と対合して冷却水システム４２２を画定する。このカバー１３は、通路１６の各側でその内側に「四リング」水シール１４および１５を有する。これらのシール１４、１５は、ターゲット１０とカバー１３とを組み立てると、ターゲット１０の背面と接触する。ターゲット１０の胸壁のようなぎざぎざがある機構１２と対合して、カバー１３をターゲット１０と接続する差し込みアセンブリ構造１５３を設ける。ターゲット１０とカバー１３とを接合するため、カバー１３にスロット１７を設けて、カバー１３を胸壁のようなぎざぎざがある機構１２の上に落とせるようにし、その後、ターゲット１９およびカバー１３を相互に対して回転して、部品１０、１３を約２０°回転した場合にこの部品同士を締め付ける「ジャム瓶」効果を生成するが、この角度は、胸壁のようなぎざぎざがある機構１２とそれに対合する差し込みアセンブリ構造１５３との角度間隔の半分より多少小さい。
【００３５】
ターゲットを冷却する水は、口１５５を介して冷却カバー１３に出入りして、図３Ａに示すように、カバー１３の前面のリング形通路１６に形成されたマニホルド１８に入る。これらの口１５５およびマニホルド１８は、カバー１３の通路１６の周囲で相互から１８０°に位置する。マニホルド１８は通路１６より深く、それぞれが通路１６の約１０°のセクタを占有する。各マニホルド１８の各側には、コーム１９を受ける溝１９ａがある。各コーム１９は、一連の切欠き１９ｂを担持する薄い金属インサートである。これらの切欠き１９ｂは、水が主通路１６に入ると、それを別個の流れに分割し、冷却効率の低下または場合によって水の局所的沸騰を招く可能性がある停滞領域が水流に形成されるのを防止する。コーム１９の設計は、コンピュータによる流れの動力学モデリングによって決定される。カバー１３全体を取り外して、交換するのではなく、コーム１９を取り外して、異なる流量と圧力との関係に合わせて設計した他のコームと交換してもよい。ターゲットの寿命が終了したら、カバー１３を寿命切れのターゲットから外して、再使用することができる。以下で説明するばね押し水継手６９（図９から図１０）を介して、カバー１３を通ってマニホルド１８に入る水継手を作成する。以下で説明するばね押しスタブ８０（図１２）を介して、直流電力を接続する。
【００３６】
ＩＰＶＤソース５０３は、図４に示すマグネトロン磁石アセンブリ４３０を含み、これはターゲット・アセンブリ４２０の背部に接続する磁石パック２０を含む。磁石パック２０は、鋼のヨーク２１と、図示のように内部リング２２ａ、中間リング２２ｂおよび外部リング２２ｃを含む３つのリングの状態で配置された一連の磁石２２とを含む。その結果、磁石２２によって生成された磁力線は、主磁力トンネル２６を含み、これはターゲットの寿命の最初にターゲットの腐食に影響を与えて、環状ターゲット１０の中間半径に沿った円形路を通り、さらに内部および外部磁力トンネル２７および２８を含み、これはターゲットの寿命の最後に向かって、ターゲットの環の内縁および外縁へと向かってターゲットの腐食を分散させる。この配置構成による腐食溝は、ターゲットの腐食につれて広がり、ターゲット材料の利用率向上をもたらす。磁石２２は、接着剤結合によってその位置に保持される。非磁気リング２３を使用して磁石を適正に隔置し、ソース・ハウジング１への装着に都合がよい形状を有する成形プラスチック材料の本体２４に、アセンブリを入れてもよい。
【００３７】
代替磁石構成を図５に示す。より単純なこの設計は、図４に図示したおのよりターゲット利用率が低下すると予想される。磁石アセンブリ２０は、ターゲット１０の正味腐食がターゲット寿命にわたって常に生じ、したがってターゲット１０上に正味再付着が生じないよう、磁気トンネルの少なくとも一部がターゲット１０上でプラズマをトラップするように設計することが好ましい。これを達成する一つの方法は、中間磁石リング２２ｂの磁界が、内部および外部磁気リング２２ａおよび２２ｃの対向する極間に延在する主トンネル２６の磁力線によって形成されるトンネルを相殺しないよう、中間磁石リングをターゲットから十分離して配置することによって実行する。
【００３８】
磁石パックは、水および直流電力のフィードスルーを担持しターゲットへとつながる軸に平行に先行された幾つかの穴２５を含む。磁石のアセンブリ２２は、ポリウレタンなどの硬質ポリマ・コーティングで被覆するか、非磁気金属またはプラスチックのクラッド部片に封入し、それを磁石パック２０に結合する。このコーティングは、磁石２２およびヨーク２１が空気中で酸化されるのを防止し、焼結構造である場合もある磁石２２が汚染粒子源になることも防止する。
【００３９】
ＩＰＶＣソース５０３は、図６に示す窓および窓遮蔽アセンブリ４４０も含む。遮蔽および窓アセンブリ４４０は、厚さ７ｍｍのラップ仕上げした高純度アルミニウム板で形成した誘電窓３３、およびアルミニウムまたは銅などの導電性材料で形成した窓遮蔽２６を含む。金属コーティング材料の場合、遮蔽２６は金属で作成することが好ましく、ファラデー遮蔽として機能することができる。遮蔽２６は、自身内に形成されて、遮蔽２６の環状縁部分と、遮蔽２６の縁２７ａに鑞付けまたは溶接した環状流路カバー・リング２７ａとの間に画定された一体の冷却水流路２７を有する。幾つかのスロット２８を遮蔽２６にフライス加工する。スロット２８は、図６Ａに示すように断面が山形であるか、視線路を遮断し、室５０１内からのコーティング材料が窓３３に直接付着するのを防止する他の何らかの断面を有することが好ましい。スロット２８の寸法は、高周波エネルギーに対する遮蔽２６の透過性と、室の処理領域から誘電窓３３へのスパッタリング材料の最小透過性とのバランスをとるようコンピュータのモデリングによって最適化される。
【００４０】
遮蔽２６の流路２７への水接続は、遮蔽２６にねじ込まれてＯリング３０で水シールを作成するステンレス鋼スタブ２９によって作成される。各スタブ２９は外ねじ３１および円錐テーパ状端部３２を有し、そこに平滑仕上げを施してある。スタブ２９を取り付けた遮蔽２６のアセンブリは、穴３４を通してスタブ２９を誘電窓３３に挿入することによって、窓３３に組み付けられ、穴３４は穴３４ａと整列し、これは遮蔽２６の縁の周囲で１８０°隔置され、流路２７と連絡する。水スタブが通過する穴３４が２つあり、１つは水の入口、１つは水の出口用である。テフロン（登録商標）のワッシャ３５およびアルミニウムの刻み付きナット３６をスタブ２９にねじ込み、窓遮蔽２６と窓３３の間でＯリング３７を圧縮し、水スタブ２９の周囲に真空シールを形成する。Ｏリング３８をナット３６内に設け、これは密封機能を有さないが、ばねの機能を果たし、ナット３６の過度の締め付けを防止するのに役立つ。
【００４１】
ターゲット１０からスパッタリングされたイオン化材料のための２次高密度プラズマは、図７に示す高周波コイル・アセンブリ４５０によって励起され、これは３次元コイル３９を含み、その形状および電気的性能および特性は、１９９９年３月２６日に出願され、Process Apparatus And Method For Improving Plasma Distribution And Performance in an Inductively Coupled Plasmaと題した本出願の発明者であるJozef Breka発明の米国特許出願第０９／２７７，５２６号に記載され、これは参照により明示的に本明細書に組み込まれる。コイルへの高周波給電は、コイルの端部片４２のソケット４１にねじ込まれた１対のオス・コネクタ４０によって提供される。給水は、１対のねじ付きパイプ継手４３を通して提供される。これらの継手は、Ｏリング溝４５を有するフランジ４４によって囲まれる。
【００４２】
コイル３９を、テフロン（登録商標）などの材料で作成した誘電性の高い絶縁カップ４６内に装着する。カップ表面の様々な区域で、カップ４６の肉厚は、最も近い導電性表面へのアークを抑制することに矛盾なく、可能な限り薄くなるよう計算される。この計算を実行するには、テフロン（登録商標）、空気ギャップ、およびソース窓３３などの他の誘電体で構成される積重ねについて、有効電界および空気中の圧力と距離との積を計算する。テフロン（登録商標）の厚さは、空気ギャップの妥当な値について、空気の絶縁破壊を生じるのに必要な値より、電界が常に小さくなるよう設定することができる。この計算によって、カップの厚さを安全な状態で最小限に抑えることができる。最小厚さによって、プラズマとの最適結合が可能になり、コイル３９の寸法に対する制限が緩和される。
【００４３】
カップ４６をアルミニウム・リング４７内に装着する。このリングは、肩ねじ６２およびばね６３を使用して水冷アセンブリ４２２に装着し、ねじとばねは、使用時には上述した窓および遮蔽アセンブリ４４０の一部である誘電窓３３にリングを押し付ける。この窓３３は、溝１１内に配置されたターゲットの上部Ｏリング４８に押し付けられる。このばね荷重は、不整合および機械的変形を補償し、したがって真空遮蔽をまとめ、ポンプでシステムの空気を抜けるようにする。
【００４４】
リング４７は、冷却水用の傾斜コイルばね３９および管５０も特徴とする。リング４７には２つの軸方向の穴５１があり、窓遮蔽からの遮蔽水スタブ２９が、これを通過することができる（図８）。テフロン（登録商標）・ワッシャ５３のために、リング４７の背面にある穴５１の周囲に窪み５２を設ける。
【００４５】
アルミニウム・エンクロージャ５４がコイル３９に装着され、傾斜コイルばね４９を通してアルミニウム・リング４７まで電気導通があるよう、ボルトの円によって押さえつけられる。その目的は、水が漏れた場合に、それがコイル上の高電圧に到達するのを防止し、ソースからの高周波放出に対する１次バリアとして作用することである。高周波エネルギーは、誘電窓３３を通してのみ室５０１の処理空間へと逃げることができる。エンクロージャは、４カ所で穿孔され、２つ口５５は高周波給電線を担持し、２つの口５６はコイル３９への給水線を担持する。テフロン（登録商標）部品５７が給水口５６を通過し、Ｏリング４５上を通過して水シールを作成する。これは、コイルの水継手内の水漏れによって水が高周波要素と接触しないよう、２次封じ込めを提供する。テフロン（登録商標）絶縁部片５８を使用して、コイルおよび高周波コネクタをエンクロージャから電気的に隔離する。テフロン（登録商標）・コーム５９を絶縁ねじと一緒に使用して、コイルをカップ４６に押さえつける。これによって、ソースが異なっても挙動が一致する。
【００４６】
図９に示すように、冷却水は、大きいプラスチック板６０に装着された構成要素を介して分配され、プラスチック板は、スペーサ６１上でそれに装着された磁石アセンブリ４３０、および肩ねじ６２を使用してそれに装着された高周波ソース・アセンブリ４５０も支持する。主アルミニウム・マニホルド・ブロック６４を板６０に装着し、ねじ付き接続部を介してソースの外部から水を導入する。２次マニホルド６５によって、コイルを通る水の流れを、ソースの外側に装着した流センサでチェックすることができ、水流をソース・フランジおよび暗空間リング・アセンブリ４７０の冷却流路と接続することもできる。
【００４７】
ターゲット１０の冷却水は、図１０に示すように、スタブ・アセンブリ６８を通過する。アセンブリ６８は、継手管自身の外径以下の大きさの穴を通して水継手６９を組み付けることができるよう設計され、これによって磁石パックの穴２５を最小直径にすることができ、これは、これらの穴によって引き起こされるような磁界の攪乱を最小限にする。アセンブリ６８にはばねが装填され、ばね７０は、プラスチック装着ブロック６０に押し込まれた金属カップ７１と保持リング７３によって水管６９上の所定の位置に保持されたワッシャ７２との間に作用する。この方法で、作動時には、冷却管の下端が、ターゲット冷却カバー１３の特殊設計の細部に押し込まれたＯリング７４に載る。細部は、ＩＳＯおよびＳＡＥ規格の流体接続グランドで使用するものと同様の二重テーパ穴である。
【００４８】
窓遮蔽２６は特殊継手７５を介して冷却され、それは図１１に示すように、遮蔽とも直流接続する。継手は、内向きのＯリング７６を有するテーパ状窪みを特徴とする。取付け具全体は、ばね７７によってばね押しされ、組み立てると、スタブ２９のテーパ状表目がＯリング７６に強力に押し付けられ、水シールを作成する。傾斜コイルばね７７は二重の機能を果たす。第１に、遮蔽２６と電気接続する。第２に、ラッチ機能を果たして、スタブ２９の浅い窪みと契合し、水ハウジング４２２に設置された後、遮蔽２６をほぼ所定の位置に保持する。最後に、この継手は、電気接続するためのテーパ状穴７８を有する。継手は、テフロン（登録商標）・ワッシャ５３を通して高周波アセンブリに挿入される。支持ブロック７９がブロック６０に装着されて、継手を支持し、ばね７７へ圧力も加える。これらのブロックは、その上端に接触フィンガ１５６が取り付けられ、これはソース・ハウジング１と接触することにより、アセンブリ全体を接地し、ソースを組み立てると、これを通してファラデー遮蔽を接地する。
【００４９】
ブロック６０は、２つの水に関係ない品目の支持体も含む。一方は直流接点スタブ８０で、これは図１２に示すように、ターゲット水継手と同様にばねで押される。この場合、スタブ８０はターゲット冷却カバーに押し付けられ、別の傾斜コイルばね８１によって接触が確保される。スタブの上端にはオス・コネクタ１５８を取り付ける。この直流コネクタ・スタブ・アセンブリは、ソースの水漏れ時にこれを噴霧から保護するプラスチック管１５９に囲まれる。他方の品目はばね押しピン１６６（図９）であり、これは磁石パックを通過して、ターゲット冷却カバー１３（図３）に当たる。ソース５０３を組み立てると、このピン１６６の上端が、上述した別のプランジャ・アセンブリ７ａに載り、これがマイクロスイッチ７を起動する。このスイッチ７の起動は、ターゲット・アセンブリ４２０が適正に設置され、したがって冷却水出しても安全であることを示す。
【００５０】
水分配アセンブリ４２２は幾つかの継手および長いテフロン（登録商標）・ホースを含む。漏れが発生した場合は、水をソースの外部に排出し、検出できるどこかで受けることが望ましい。したがって、ブロック６０は、ソース・ハウジング１の小さい穴８３（図２）で終了する排水溝のパターン８２を含む。
【００５１】
ソースの真空漏れチェックを実施しなければならない。内部のターゲットＯリングおよび窓シールのＯリングは非常にアクセスしにくい。この理由から、ブロック６０にはステンレス鋼の毛管も設け、これを図１３Ａに示すような溝８２の一部に埋め込む。漏れチェックの間、これらの管８４を使用して、アクセスできないＯリングの近傍にヘリウムを供給することができる。
【００５２】
図１４を参照すると、ソース・フランジおよび暗視野リング・アセンブリ４７０が図示されている。このアセンブリ４７０は、クリップ９に対応する固定部品８６が装着されたソース・フランジ６７を含む。圧伸加工した冷却水管４７１を設ける。上側は、テフロン（登録商標）絶縁体８９を挿入したＯリング溝８８を有する窪み８７を有し、絶縁体自身にＯリング溝９０を設ける。窪み８７からフランジの外径へつながる水抜き穴４７２を設け、これは冷却水が漏れた場合に、排水および可視警告を提供する。Ｏリング溝９０は、ターゲット１０と接触して機能するＯリング９０ａを有し、外部真空シールを形成する。ソース・フランジ６７の下側は別の窪みを有し、これに暗空間遮蔽９１が装着される。この遮蔽９１は、スロット機構９３に締め付けた肩ねじ９２によって所定の位置に保持される。遮蔽９１を外すには、ねじ９２をわずかに緩め、次に遮蔽をわずかに回転させて持ち上げる。遮蔽９１は、Ｏリング溝８８の付近の領域でソース・フランジ６７と接触しないよう設計され、そのＯリングの過熱を防止する。ソース・フランジ６７は、傾斜コイルばね９４を使用してプロセス室と電気的に接触して機能する。Ｏリング９５が真空シールを作成する。
【００５３】
ＩＰＶＤソース５０３に関する幾つかの特徴または考慮事項がある。修理のための組立および取り外しが一つである。組立時には、直流コネクタ１５８（図１２）がソケット４（図２）に挿入されるよう、完全に組み立てたソースの内部（ファラデー遮蔽アセンブリ４４０およびターゲット・アセンブリ４２０を除く）を、ひっくり返したソース・ハウジング・アセンブリ内へ落とす。６本のねじを挿入して、水を４つの口１５１、１５２に接続する。給電線を差し込む。これでソース５０３を使用する準備が整う。取り外しは、組立の反対である。この単純な組立技術は、ソースのモジュール構造の利点である。定期的なターゲットの交換も、このような特徴または考慮事項である。冷却水を吐き出した後、ソース５０３をひっくり返してクリップ９を解放する。次に、フランジ・アセンブリを外して持ち上げる。これで、ターゲットを持ち上げて、ファラデー遮蔽アセンブリを外すことができる。暗空間遮蔽９１を解放する以外に、工具は必要ない。
【００５４】
静電チャック５０７とウェーハ移送システム５０４が協働して、ウェーハを一方から他方へ移送する。チャック・アセンブリ５０７は、図１５に示すようなサービス支持アセンブリ４８０を含み、これはウェーハ支持体、ホルダまたはチャック９７を含む。適切なチャック９７は、INVAX Inc.または他の供給源から獲得することができる。例えばGALDENブランドの過フッ素化流体などの冷却流体が通過するための流体通路を設ける。チャック９７は３極タイプであり、チャック電圧を加えるために埋め込んだ２本の電気絶縁電極を有し、静電チャックの電極によって高周波バイアスをチャック本体に加えることができる。これによって、高周波が埋め込んだ電極を通してウェーハに結合することができる。チャックの金属部品は全て、独占権下にある誘電体でアルミニウム被覆する。中心穴を通してバックサイド・ガスを設けることができる。サーモカップルをチャックの背面に装着する。
【００５５】
チャック９７は幾つかの座ぐり穴を有し、ねじを使用してステンレス鋼のベース９８に装着され、チャックをねじによる損傷から保護し、電気絶縁を提供するポリイミド「vespel」絶縁体がある。絶縁ブロック９９がチャックをベースから絶縁する。
【００５６】
図１６は、チャックの支持構造への装着を示す。ステンレス鋼のベース９８に受けペグ１０１を取り付け、これがリング１０２を支持する。リングは、受けペグ上の機構と一緒に作動してリングとチャックとを正確に位置合わせする機構を有する。このリングは、セラミックのリフト・ピン１０４を取り付けたソケット１０３を有し、ピンはチャックの穴を通過する。リング１０２は、プロセス中にはペグ１０１上に載る。テーブルをウェーハ移送位置へと下降するにつれ、リングが下記のような別個のアセンブリ阻止して、ペグから持ち上げられ、チャックを通してピンを上昇させ、チャックからウェーハを持ち上げて、ハンドラへ移送する準備を整える。ベースは、下方向に延在する短い管を有し、その端部は、下記のＺ駆動アセンブリ４９０に締め付けることができるフランジ１１９である。
【００５７】
このテーブルの遮蔽の２つの形状を図２２に示す。最も単純なケースでは、ステンレスの遮蔽１０５がベース９８の段に載り、金属が付着しないようチャックを遮蔽する。あるいは、接地した遮蔽１０６を、チャックの真上に載るリング１０７で補う。このリングは、アルミニウムまたはステンレス鋼で作成することができ、誘電材料で被覆しても、しなくてもよく、誘電材料は、場合によってはチャックの誘電体に使用するものと同様の高い比誘電率である。このリングは、チャック誘電体を通してチャックに加えられる高周波電力に結合される。この利点は、遮蔽がチャックに非常に近接することができ、したがって金属付着をより効果的に遮断し、高周波電力がリングに加えられて、ウェーハと同じバイアスを達成し、これによってウェーハ縁に近い電界の歪みが減少することである。リングは接地された遮蔽と重複するが、それからは分離される。これは、金属が付着するための回旋路を提供し、材料がチャック上に付着するのを防止する。
【００５８】
図１８に示すウェーハ移送機構を、ねじ付きペグ１０８を使用してチャンバ壁アセンブリ５０２（図１９）のベースに取り付ける。リング１０９は、ばね１１０によって隆起位置に保持される。これは、機構１１１および１１２によって正確な位置に保持される。スロット付きペグをこのリングに装着する。テーブルまたはチャックを下降させると、ペグ１０１がスロット付きペグのスロット１１４内に下降する。リング１０２を持ち上げて、ピン１０４を上昇させる。ピンを１１ｍｍ持ち上げると、ペグ１０１がスロット１１４の底部に到達する。通常、移送システムはこの時点でピックを挿入し、ウェーハを収集する。テーブルがさらに下降してばね１１０を圧縮し、ピン上のウェーハを含むシステム全体をピック上に下降させる。次にウェーハを担持したピックを取り出す。蛇腹１１５が真空バリアを形成しながら、テーブルの上昇および下降を可能にする。サービス支持アセンブリ４８０は、一定間隔のナイロンのスペーサ１１８を有する３本の銀めっき真鍮管１１７で形成された剛性アセンブリ１１６を含み、各端にある銀めっき板がねじでチャックに固定される。これは３つの機能を有する。それは（１）チャック電圧線、サーモカップル線、温度制御流体管、およびバックサイド・ガス管の機械的支持、（２）チャック本体への高周波電力導通、および（３）チャックの背後にある空間への窒素パージ・ガスの導通である。低い作業温度では、ガス・パージを提供して水分を滲出させない限り、水の凝結がチャックの作動を阻害する。このケースでは、チャックとの界面付近の支持管に小さい十字穴がある。
【００５９】
チャック９７を垂直に移動させ、その高さを調節するための垂直エレベータまたはＺ駆動システム４９０を、図１８に示す。これは、クランプ１２１を使用してテーブル・フランジ１１９に結合することができる上部フランジを有する管１２０で構成される。レール１２２を、ブラケット１２４上に支持されたスライダ１２３に載った管に装着する。管１２０の下端でフランジ１２６に装着されたボール・ナットを、親ねじ１２７で打ち込む。このねじは、モータと歯車箱との組合せ１２８で回転させる。モータは、モータの電源断時にその逆駆動を防止するブレーキ（図示せず）を装備する。モータ制御システムは従来通りのものである。テーブルの位置は、親ねじの上端に装着されたエンコーダを使用して決定する。ブラケット１２４をプロセス室に装着する。
【００６０】
バックサイド・ガス送出システムおよびコンポーネント・エンクロージャ１２９を、フランジ１２６の下に装着する。このエンクロージャは、チャックとの間で送信される信号を調整する電子機器を含む。テーブル高周波減衰器１３０、つまり商用ユニットを外部に装着する。
【００６１】
１つの実施形態では、弁および汎用圧力制御装置（ＵＰＣ）をエンクロージャ１２９の外部に装着する。これらのコンポーネントがバックサイド・ガス送出を制御する。将来、これらのコンポーネントは他の位置に移動する。プラズマ・アレスタを使用して、バックサイド・ガス・システムに絶縁破断を形成し、ガス・ライン中のプラズマ形成を防止する。
【００６２】
真空およびガス処理システム５０５を図２１の線図に示す。これは、室および給送システムを含む。室５０１は室壁アセンブリ５０２に含まれ、これは特に、図１９および図２０に示すような空密室エンクロージャ１３１を含み、これは従来通りのステンレス鋼の設計である。エンクロージャ１３１は、移送システム５０４のハンドラと結合する内部絶縁弁１３２を有する。ソースおよびテーブル・アセンブリ用の上部および下部フランジ、および真空測定、プロセス・ガス入力などのための適切なフランジがある。ベースの８インチ（２０．３２ｃｍ）のconflatフランジが絶縁弁１４２に結合し、これは約１１０Ｋで作動する極低温冷却したパネルおよびターボ分子ポンプ１４４に接続される。ターボ・ポンプの速度を制御して、低速（約２４００ＲＰＭ）作動時に比較的高いガス圧で処理できるようにしながら、高いポンプ速度（約５６０００ＲＰＭで名目３５０ｌｓ^-1）で大気圧からの空気抜きを提供する。ターボ・ポンプを、オイルでない密封タイプの回転ポンプ１４５で支持し、これは室を１００ｍＴｏｒｒ程度まで空気抜きするのにも使用し、この圧力で換気した後、絶縁弁を開くことができる。真空構成は、水ポンプ／可変速度ターボ・ポンプの組合せを使用すること以外、極めて従来通りである。
【００６３】
室５０１を換気した後の回復中に、内部ハロゲン・ランプが焼出し機能を提供する。プロセス・プラズマも使用して、モジュール内部の温度を上昇させ、焼出しを補助する。この方法で、１０^-8トル以下の圧力が、典型的なターゲット変更手順の後、数時間以内に達成される。
【００６４】
室は、通常の動作中に冷却するための外部ウェーハ冷却流路を有する。ソース・ホイストを装着するためのフランジを設ける。室は、外部の溶接リブを追加することによって、このフランジの周囲を局所的に補強し、ホイストでソースを上昇させる場合に加わる荷重を支持する。ソースの直流コネクタ１６２のハウジングも、室に装着する。
【００６５】
反応ガスがあるモジュールおよび反応ガスがないモジュールのガス・システムを、図２１の線図に示す。室へのアルゴン・ガスの送出は、単純なフランジを介する。反応ガスを使用する場合、これは分岐した「スパイダ」管１３３内へと通り、これはガスをプロセス空間へ搬送する。管は、テーブル・アセンブリの対向する側にある２つの位置で終了する。小さいカバー１３４がガス管の端部に載って、スパッタリングされた材料がガス管に付着するのを防止する。
【００６６】
スパッタ遮蔽アセンブリ４９５を図２２に示すように設ける。これは、取り外して洗浄される５つの遮蔽の間にある。これは、上述したファラデーおよび暗空間遮蔽、上述したテーブル遮蔽、および２つの室遮蔽１３６、１３７である。これらの室遮蔽は電機子１３８上に支持される。上部遮蔽１３６は、通常は底部遮蔽１３７より高い温度まで上昇し、電機子から隆起したペグ１３９の３点で支持される。遮蔽１３８上の機構がこれらのペグに載り、遮蔽を室内でセンタリングするが、迅速に移動できるようにする。これは、熱膨張による遮蔽内の応力蓄積、およびその後の異なる熱膨張率での高温材料の付着を防止する。このような応力は、粒子をシステム内に放出することがある。遮蔽を取り外すのに工具は不要である。下部遮蔽１３７を電機子１３８に挿入し、それで支持する。電機子の面取り１４１によって、自動センタリング挙動が生じる。遮蔽を取り外すのに工具は不要である。
【００６７】
遮蔽内の空間のポンピングは、室内の付着の履歴に関係なく、スパッタ・ターゲットの寿命を通して制御下でなければならない。つまり、ポンピングは、被覆するウェーハの数に関係なく、同じ速度でなければならない。大部分のスパッタリング・システムでは、これは良好に制御されていない。これらのシステムのポンピングは、室の温度とともに寸法が変化するギャップ、または他の目的のために遮蔽に設けた穴を通して実行する。これにより、特に反応性スパッタリングの場合にプロセスの問題を招くことがある。この設計はこれらの問題を防止する。ギャップがペグ１３９の長さによって設定されるからである。これは短く、熱負荷が最高になる領域の外側にあるので、熱膨張によって長さが大きく変化しない。その結果、遮蔽１３６、１３７間のギャップは良好に制御され、ポンピングは、制御された方法でプロセス領域の全周で実行される。このギャップは、ギャップを通過する金属を減少させるため、小さくなるように設計され、それは１ミリメートルのオーダーであることが好ましい。遮蔽１３６は、暗空間遮蔽の窪みに填り、室の保護されていない領域に到達する前に、遮蔽間のギャップに入る金属を阻止する回旋路を形成する。これを達成するために、部品の熱膨張への関心と同様、優れた寸法仕様が必要である。
【００６８】
ウェーハは、下部遮蔽１３６のスロット１３７を通して装填される。処理中、このスロット１４６はテーブル遮蔽１０６または１０６によって閉鎖される。スロット１４６は、スパッタリングされた金属をより効率的に阻止するため、囲み１４７を有してもよい。
【００６９】
ソース・ホイスト４６０を図２３に示す。ソース・ホイスト４６０は、約２００ポンド（９０．８ｋｇ）の重量を上昇させることができる空気圧リフトである。ソースを室から持ち上げ、次に垂直軸を中心に回転する必要がある。ターゲットを外す前にソースをひっくり返すことができる動作もなければならない。ソースは、ターゲットへのアクセスを容易にするため、下降しなければならない。室５０１の壁５０２の頂部から持ち上げる時に、ソースを水平に維持するために、アセンブリの十分な剛性が必要である。使用する配置構成では、上部および下部アセンブリ１７１、１７２を担持する固定垂直シャフト１７０がある。これらの品目は両方とも、シャフト１７０上で滑動し、回転することができる線形軸受を含む。空気圧シリンダ１７３によって、ソースを上下させることができる。品目１７１は、垂直に移動し、回転もするよう意図され、品目１７２は回転のみで、シリンダによって品目１７１との位置合わせが維持される。ローラ１７４は軸受として作用し、その上で上部アセンブリ１７２が回転する。ローラを中に落とすことができる窪み付きの機構１７４がある。これは、特定の点においてアセンブリの回転に対する多少の抵抗を提供し、オペレータが操作のための適正な位置を検出できるようにする。
【００７０】
アセンブリ１７６は、１対の対向する角軸受を含む。シャフト１７７がこれを通過し、軸受に予め加重するばねワッシャ１７９およびキャップ１７８によって保持される。この配置構成によって回転式接合部になり、半径方向の剛性が非常に高くなる。アセンブリ１７６はカム・ホィール機構も含み、これはプランジャ１８０との組合せで、ソースが一方向にしか回転できず、直立および逆方向にはロックできることを保証する。フランジ１８１を使用して、ホイストをソースに装着する。
【００７１】
１つのモジュール５００でタンタルおよび窒化タンタルを付着させ、次に同じクラスタ・ツールの別のモジュールで銅を付着させるための好ましいプロセス・パラメータは、以下の通りである。
【表１】

【００７２】
本発明の実現方法を変更することができ、本発明は好ましい実施形態で説明されていることが、当業者には理解される。したがって、本発明の原理および意図から逸脱することなく追加および改修を実行することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明によるＩＰＶＤ装置の１つの実施形態の概略断面図である。
【図１Ａ】 ＩＰＶＤソースが除去された装置を示す、図１と同様の断面図である。
【図１Ｂ】 ソース・フランジおよびターゲット・アセンブリが除去された装置のＩＰＶＤソースを示す、図１Ａと同様の図である。
【図１Ｃ】 断面を切り取った線が下記の図１３に図示された、図１の装置のＩＰＶＤソースの部分断面図である。
【図１Ｄ】 図１ＣのＩＰＶＤソースの分解斜視図である。
【図２】 図１Ｃおよび図１ＤのＩＰＶＤソースのハウジング部分の分解斜視図である。
【図３】 図１Ｃおよび図１ＤのＩＰＶＤソースのターゲット・アセンブリ部分の分解斜視図である。
【図３Ａ】 図３のターゲット・アセンブリのカバーの部分の組立分解斜視図である。
【図４】 図１Ｃおよび図１ＤのＩＰＶＤソースのマグネトロン磁石アセンブリの拡大概略断面図である。
【図５】 代替磁石アセンブリを示す図４と同様の拡大断面図である。
【図６】 図１Ｃおよび図１ＤのＩＰＶＤソースの遮蔽および窓アセンブリの分解斜視図である。
【図６Ａ】 図６の円で囲んだ部分の断面図である。
【図７】 図１Ｃおよび図１ＤのＩＰＶＤソースの高周波ソース・アセンブリの断面図である。
【図８】 図７の高周波ソース・アセンブリの分解斜視図である。
【図９】 断面を切り取った線が下記の図１３に図示された、図１Ｃおよび図１ＤのＩＰＶＤアセンブリの冷却マニホルド装着アセンブリの軸方向断面図である。
【図１０】 断面を切り取った線が下記の図１３に図示された、図９のアセンブリの流体結合アセンブリ部分の１つの実施形態の拡大断面図である。
【図１１】 断面を切り取った線が下記の図１３に図示された、図６の窓および遮蔽アセンブリのための図９のアセンブリの装着コネクタ・アセンブリの拡大断面図である。
【図１２】 断面を切り取った線が下記の図１３に図示された、図１Ｃおよび図１ＤのＩＰＶＤソースの図９のアセンブリの直流接点スタブ部分の拡大断面図である。
【図１３】 図１Ｃおよび図１ＤのＩＰＶＤアセンブリの磁石および冷却マニホルド装着アセンブリ部分の上面図である。
【図１３Ａ】 図１３の図１３Ａとマークした円で囲んだ部分の拡大図である。
【図１４】 図１Ｃおよび図１ＤのＩＰＶＤソース・アセンブリのＩＰＶＤソース・フランジおよび暗空間遮蔽の分解斜視図である。
【図１５】 図１の装置の静電チャック・ウェーハ支持体アセンブリの下斜視図である。
【図１６】 図１５のウェーハ支持体のための図１の装置のウェーハ支持体および持ち上げアセンブリ部分の側分解斜視図である。
【図１７】 図１６のウェーハ支持体アセンブリ部分の軸方向断面図である。
【図１８】 図１の装置のウェーハ支持体垂直位置調節アセンブリの斜視図である。
【図１９】 図１の装置の真空室壁アセンブリの上斜視図である。
【図２０】 特に図１９の真空室壁アセンブリおよび装置のガス真空システム部分を示す、図１の装置の下部分の側斜視図である。
【図２１】 図２０のガス真空システムの線図である。
【図２２】 図１の装置の室壁アセンブリのスパッタリング遮蔽部分の分解斜視図である。
【図２３】 図１の装置のＩＰＶＤソース・ホイスト機構の分解斜視図である。

Claims (17)

1. 円錐台形のスパッタリング・ターゲットを有するリング形コーティング材料ソースにして、
   円錐台形のスパッタリング前面と、
   中心開口と、
   中心開口に隣接し、背面真空継手を画定するリング・シール溝を有する、概ね円筒形で後方に延在する内縁であり、内縁は、その外側で周方向に隔置された複数の胸壁のようなぎざぎざがある機構を有し、これによってターゲットを冷却流体カバーに取り付けることができ、開口の周囲の内側に段を有して、自身上に真空密封表面を有する、内縁と、
   前部真空継手を画定する前向きで仕上げの良好な表面を有する、概ね環状の円盤形で外側に延在する外縁と、
   内縁の近傍の内部環状冷却流体密封面、外縁の近傍の外部環状冷却流体密封面、および内部と外部の環状冷却流体密封面の間の滑らかな環状冷却面を有する背面と、を備えるリング形コーティング材料ソース。
2. さらに、
   ターゲットの背面に取り付けるよう構成された円錐台形の冷却流体カバーを備え、カバーは、
   中心開口と、
   カバーの中心開口に隣接し、ターゲットをカバーに対して何分の１回転かすると、ターゲットの内縁にある胸壁のようなぎざぎざがある機構と係合して、カバーをターゲットに接続するよう構成され、内側で周方向に隔置された差し込みアセンブリ構造を有する内縁と、
   外縁と、
   カバーの内縁の近傍にあって、ターゲットをカバーに対して締め付け位置まで回転すると、ターゲットの内部環状冷却流体密封面に対して冷却流体シールを形成するよう構成された内部環状シールと、カバーの外縁の近傍にあって、ターゲットをカバーに対して締め付け位置まで回転すると、ターゲットの外部環状冷却流体密封面に対して冷却流体シールを形成するよう構成された外部環状流体シールと、内部環状シールと外部環状シールとの間の環状冷却流体流路とを有する前面とを備える、請求項１に記載のリング形コーティング材料ソースを備えるスパッタリング・ターゲット・アセンブリ。
3. カバーがさらに、
   流路と連絡する１対の冷却流体口と、
   流路内に着脱式に装着され、複数の流分割用切欠きを有する、一つ以上の櫛状の流制限部と、
   後方に延在するターゲット電力コネクタと、を有する、請求項２に記載のスパッタリング・ターゲット・アセンブリ。
4. 請求項１に記載のリング形コーティング材料ソースを備える、イオン化物理蒸着装置にして、
   真空室であり、真空室内の真空処理空間を囲む室壁を有し、室壁は、真空室の一方端に開口を有する、真空室と、
   室壁の開口に配置され、室壁の開口の真空密封を形成するＩＰＶＣソース・アセンブリと、
   処理空間にガスを供給するよう真空室に接続されるガス供給システムと、
   真空室に接続され、処理空間のガスを真空圧力レベルに維持するよう動作する真空システムと、
   真空室の外側の高周波エネルギー源とを備え、
   ＩＰＶＤソース・アセンブリが、
   コーティング材料を真空処理空間に供給するリング形コーティング材料ソースであり、開放中心、および真空処理空間と連絡する少なくとも１つの表面を有する、リング形コーティング材料ソースと、
   リング形ソースの開放中心に配置された誘電窓を含み、室壁と共に真空密エンクロージャの一部を形成して、室の側部および外側を有する窓アセンブリと、
   誘電窓に隣接してその外側にある室の前記一方端で、室の外側にあり、高周波エネルギー源によって励起されると、そこから窓を通して処理空間に入るエネルギーを電磁結合するよう高周波エネルギー源と接続され、処理空間のリング形ソースからのコーティング材料をイオン化するのに十分な密度の電磁結合プラズマを処理空間内に維持するコイルとを含み、
   さらに、イオン化物理蒸着装置が、
   室の内側で、処理空間のリング形コーティング材料ソースの反対にあり、自身上に処理空間に面するウェーハ支持表面を有する基板支持体を備える、イオン化物理蒸着装置。
5. スパッタリング・ターゲットが、基板支持体のウェーハ支持表面より大きい外径を有する、請求項４に記載のイオン化物理蒸着装置。
6. ＩＰＤＶソース・アセンブリが、さらに、
   ターゲットの背面に隣接して、ターゲットの前面付近にスパッタリング・プラズマを限定する磁界を生成する円錐台形の永久磁石アセンブリを含む、請求項４に記載のイオン化物理蒸着装置。
7. スパッタリング・ターゲットの前方と後方の真空接続が、室並びに窓アセンブリと共にそれぞれ真空密エンクロージャの一部を形成して、ターゲットの背面は処理空間と接触しない、請求項４に記載のイオン化物理蒸着装置。
8. ＩＰＶＤソース・アセンブリが、更に、スパッタリング・ターゲットと室壁との間と、スパッタリング・ターゲットと誘電窓との間とに、真空密封手段を備える、請求項１に記載の装置。
9. 請求項１に記載のリング形コーティング材料ソースを備える、イオン化物理蒸着装置にして、
   真空室であり、真空室内の真空処理空間を囲む室壁を有し、室壁は、真空室の一方端に開口を有する、真空室と、
   室壁の開口に配置され、室壁の開口の真空密封を形成するＩＰＶＣソース・アセンブリと、
   処理空間にガスを供給するよう真空室に接続されるガス供給システムと、
   真空室に接続され、処理空間のガスを真空圧力レベルに維持するよう動作する真空システムと、
   室の内側で、処理空間のリング形コーティング材料ソースの反対にあり、自身上に処理空間に面するウェーハ支持表面を有し、ターゲットの外縁は、内縁よりもウェーハ支持表面の平面に近い、基板支持体と、を備え、
   ＩＰＶＤソース・アセンブリが、
   室の外側の高周波エネルギー源と、
   リング形コーティング材料ソースと、
   ターゲットに対して何分の１回転かすることによりターゲットの内縁と外縁の少なくとも一方にねじり止めされ、ターゲットの背面により部分的に形成される冷却流体路を形成するターゲットカバーと、
   ターゲットの背面に隣接して、ターゲットの前面付近にスパッタリング・プラズマを限定する磁界を生成する円錐台形の永久磁石アセンブリと、
   リング形ソースの開放中心に配置された誘電窓を含み、室壁と共に真空密エンクロージャの一部を形成して、室の側部および外側を有する窓アセンブリと、
   誘電窓に隣接してその外側にある室の前記一方端で、室の外側にあり、高周波エネルギー源によって励起されると、そこから窓を通して処理空間に入るエネルギーを電磁結合するよう高周波エネルギー源と接続され、処理空間のリング形ソースからのコーティング材料をイオン化するのに十分な密度の電磁結合プラズマを処理空間内に維持するコイルとを含む、
   イオン化物理蒸着装置。
10. スパッタリング・ターゲットが、基板支持体のウェーハ支持表面より大きい外径を有する、請求項９に記載のイオン化物理蒸着装置。
11. 約１１０°の円錐形の発散を有する、請求項９に記載のイオン化物理蒸着装置。
12. ＩＰＶＤソース・アセンブリが、室の内側の窓の付近に、コイルから室内への高周波エネルギーの有意の容量結合を防止するよう配置される導電性ファラデー遮蔽を備える、請求項９に記載のイオン化物理蒸着装置。
13. 半導体ウェファーを被覆するための材料を供給しイオン化するための、請求項１に記載のリング形コーティング材料ソースを備えるＩＰＶＤソース・アセンブリであり、更に、ハウジング・アセンブリを備え、
    ハウジング・アセンブリが、外部接地コネクタと、外部ターゲット電力コネクタと、高周波電源コネクタと、外部冷却流体再循環口と、内部ターゲット電力端子と、少なくとも２つの内部高周波コネクタと、複数の内部冷却流体口と、非導電性支持構造とを有し、
    さらに、ハウジングに着脱式に固定される高周波コイル・アセンブリを備え、高周波コイル・アセンブリが、内部高周波コネクタを介して着脱式に接続される３次元コイルを含み、３次元コイルは、内部冷却流体口のうち少なくとも２つを介して着脱式に接続される冷却通路を有し、
    さらに、ハウジングに着脱式に固定されて、高周波コイル・アセンブリを囲む環状永久磁石アセンブリと、ハウジングまたはコイル・アセンブリに着脱式に固定された窓アセンブリとを備え、窓アセンブリがほぼ平坦な誘電窓を含み、
    ターゲットは、ハウジングに着脱式に固定され、このように接続されると、窓とともに真空密シールを形成する手段を有する環状ターゲット・アセンブリであり、ターゲット・アセンブリが、内部冷却口のうち少なくとも２つを介して着脱式に接続されるターゲット用の液密冷却通路を形成する環状消耗スパッタリング・ターゲットを含み、ターゲット・アセンブリが、ハウジングの内部ターゲット電力端子に着脱式に接続された電気コネクタを有し、
    さらに、ＩＰＶＤソース・アセンブリが接続されると、ターゲット・アセンブリと真空処理室の壁との間に空密シールを形成する手段を備える、ＩＰＶＤソース・アセンブリ。
14. 請求項１に記載のリング形コーティング材料ソースを備える、イオン化物理蒸着装置にして、
    真空室であり、真空室内の真空処理空間を囲む室壁を有し、室壁は、真空室の一方端に開口を有する、真空室と、
    室壁の開口に配置され、室壁の開口の真空密封を形成するＩＰＶＣソース・アセンブリと、
    処理空間にガスを供給するよう真空室に接続されるガス供給システムと、
    真空室に接続され、処理空間のガスを真空圧力レベルに維持するよう動作する真空システムと、
    真空室の外側の高周波エネルギー源とを備え、
    ＩＰＶＤソース・アセンブリが、
    コーティング材料を真空処理空間に供給するリング形コーティング材料ソースであり、開放中心、および真空処理空間と連絡する少なくとも１つの表面を有する、リング形コーティング材料ソースと、
    リング形ソースの開放中心に配置された誘電窓を含み、室壁と共に真空密エンクロージャの一部を形成して、室の側部および外側を有する窓アセンブリと、
    誘電窓に隣接してその外側にある室の前記一方端で、室の外側にあり、高周波エネルギー源によって励起されると、そこから窓を通して処理空間に入るエネルギーを電磁結合するよう高周波エネルギー源と接続され、処理空間のリング形ソースからのコーティング材料をイオン化するのに十分な密度の電磁結合プラズマを処理空間内に維持するコイルとを含み、
    さらに、イオン化物理蒸着装置が、
    室の内側で、処理空間のリング形コーティング材料ソースの反対にあり、自身上に処理空間に面するウェーハ支持表面を有する基板支持体を備え、
    更に、ガス供給システムと真空システムの少なくとも一方が、プラズマ内のイオンが処理空間内で熱中性子化するよう十分に高く室内の真空圧を維持する圧力コントローラーを備えて、ウェーハ支持表面上のウェーハ上へのエネルギー分散と方向付けとが高密度プラズマとウェーハとの間のプラズマ遮蔽を貫通する電界に支配される、イオン化物理蒸着装置。
15. 請求項１に記載のリング形コーティング材料ソースを備える、イオン化物理蒸着装置にして、
    真空室であり、真空室内の真空処理空間を囲む室壁を有し、室壁は、真空室の一方端に開口を有する、真空室と、
    室壁の開口に配置され、室壁の開口の真空密封を形成するＩＰＶＣソース・アセンブリと、
    処理空間にガスを供給するよう真空室に接続されるガス供給システムと、
    真空室に接続され、処理空間のガスを真空圧力レベルに維持するよう動作する真空システムと、
    真空室の外側の高周波エネルギー源とを備え、
    ＩＰＶＤソース・アセンブリが、
    コーティング材料を真空処理空間に供給するリング形コーティング材料ソースであり、開放中心、および真空処理空間と連絡する少なくとも１つの表面を有する、リング形コーティング材料ソースと、
    リング形ソースの開放中心に配置された誘電窓を含み、室壁と共に真空密エンクロージャの一部を形成して、室の側部および外側を有する窓アセンブリと、
    誘電窓に隣接してその外側にある室の前記一方端で、室の外側にあり、高周波エネルギー源によって励起されると、そこから窓を通して処理空間に入るエネルギーを電磁結合するよう高周波エネルギー源と接続され、処理空間のリング形ソースからのコーティング材料をイオン化するのに十分な密度の電磁結合プラズマを処理空間内に維持するコイルと、
    コイルと窓との間のカップ状高誘電率材料を含み、コイルはカップ状高誘電率材料内に配置され、電導表面に隣接する領域のカップ状高誘電率材料の厚さは薄いがコイルから電導表面への影響を防ぐには十分であり、
    さらに、イオン化物理蒸着装置が、
    室の内側で、処理空間のリング形コーティング材料ソースの反対にあり、自身上に処理空間に面するウェーハ支持表面を有する基板支持体と、窓と処理区間との間の遮蔽体とを備え、遮蔽体は、導電性コーティング材料の窓内側への付着を防止し、コイルからの高周波エネルギーの処理空間内への効果的伝達を維持する、イオン化物理蒸着装置。
16. 請求項１に記載のリング形コーティング材料ソースを備える、イオン化物理蒸着装置にして、
    真空室であり、真空室内の真空処理空間を囲む室壁を有し、室壁は、真空室の一方端に開口を有する、真空室と、
    室壁の開口に配置され、室壁の開口の真空密封を形成するＩＰＶＣソース・アセンブリと、
    処理空間にガスを供給するよう真空室に接続されるガス供給システムと、
    真空室に接続され、処理空間のガスを真空圧力レベルに維持するよう動作する真空システムと、
    真空室の外側の高周波エネルギー源とを備え、
    ＩＰＶＤソース・アセンブリが、
    コーティング材料を真空処理空間に供給するリング形コーティング材料ソースであり、開放中心、および真空処理空間と連絡する少なくとも１つの表面を有する、リング形コーティング材料ソースと、
    リング形ソースの開放中心に配置された誘電窓を含み、室壁と共に真空密エンクロージャの一部を形成して、室の側部および外側を有する窓アセンブリと、
    誘電窓に近接し且つ並列して室内に配置される窓遮蔽であり、コーティング材料の付着から窓を遮蔽し且つ処理空間内への窓や遮蔽を通じてのコイルからの高周波エネルギーの誘導を可能にし、金属で形成され、窓とコーティング材料ソースの開放中心を通じて冷却流体ソースに接続される冷却流体通路を備える、窓遮蔽と、
    誘電窓に隣接してその外側にある室の前記一方端で、室の外側にあり、高周波エネルギー源によって励起されると、そこから窓を通して処理空間に入るエネルギーを電磁結合するよう高周波エネルギー源と接続され、処理空間のリング形ソースからのコーティング材料をイオン化するのに十分な密度の電磁結合プラズマを処理空間内に維持するコイルと、
    室の内側で、処理空間のリング形コーティング材料ソースの反対にあり、自身上に処理空間に面するウェーハ支持表面を有する基板支持体と、を有する、イオン化物理蒸着装置。
17. 請求項１に記載のリング形コーティング材料ソースを備える、イオン化物理蒸着装置にして、
    真空室であり、真空室内の真空処理空間を囲む室壁を有し、室壁は、真空室の一方端に開口を有する、真空室と、
    室壁の開口に配置され、室壁の開口の真空密封を形成するＩＰＶＣソース・アセンブリと、
    処理空間にガスを供給するよう真空室に接続されるガス供給システムと、
    真空室に接続され、処理空間のガスを真空圧力レベルに維持するよう動作する真空システムと、
    真空室の外側の高周波エネルギー源とを備え、
    ＩＰＶＤソース・アセンブリが、
    コーティング材料を真空処理空間に供給するリング形コーティング材料ソースであり、開放中心、および真空処理空間と連絡する少なくとも１つの表面を有する、リング形コーティング材料ソースと、
    リング形ソースの開放中心に配置された誘電窓を含み、室壁と共に真空密エンクロージャの一部を形成して、室の側部および外側を有する窓アセンブリと、
    誘電窓に隣接してその外側にある室の前記一方端で、室の外側にあり、高周波エネルギー源によって励起されると、そこから窓を通して処理空間に入るエネルギーを電磁結合するよう高周波エネルギー源と接続され、処理空間のリング形ソースからのコーティング材料をイオン化するのに十分な密度の電磁結合プラズマを処理空間内に維持するコイルと、
    室の内側で、処理空間のリング形コーティング材料ソースの反対にあり、自身上に処理空間に面するウェーハ支持表面を有する基板支持体と、を備え、基板支持体は、処理のためのウェーハ支持平面内にウェーハを保持する静電チャックを備え、静電チャックは、２極グリッド、および２極グリッドに接続された複数ゾーン・システムを含む、イオン化物理蒸着装置。
    

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