JP3389170B2 - ＮｉＭｎＺｎ系フェライト - Google Patents
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- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、広温度域において
使用されるトランス及びチョークコイル用のコアに用い
ることができるＮｉＭｎＺｎ系フェライト及びそれを使
用したトランス及びチョークコイルに関する。
使用されるトランス及びチョークコイル用のコアに用い
ることができるＮｉＭｎＺｎ系フェライト及びそれを使
用したトランス及びチョークコイルに関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトは、その他のフ
ェライト材料及び軟磁性金属材料に比べ、数十ｋＨｚか
ら数百ｋＨｚの周波数帯域で使用されるスイッチング電
源トランス用コアとして使用した場合の電力損失が小さ
く、また、飽和磁束密度が比較的大きいため、トランス
及びチョークコイル用のコアとして主要な材料となって
いる。
ェライト材料及び軟磁性金属材料に比べ、数十ｋＨｚか
ら数百ｋＨｚの周波数帯域で使用されるスイッチング電
源トランス用コアとして使用した場合の電力損失が小さ
く、また、飽和磁束密度が比較的大きいため、トランス
及びチョークコイル用のコアとして主要な材料となって
いる。
【０００３】しかし、近年、電子機器の小型化、高出力
化に伴い、また、自動車用の部品のように使用環境温度
の高い条件下（少なくとも１００℃、好ましくは１５０
℃まで）での使用要求も高まり、従来のフェライト材料
では飽和磁束密度Ｂｓ、特に高温域での飽和磁束密度Ｂ
ｓが不十分であった。
化に伴い、また、自動車用の部品のように使用環境温度
の高い条件下（少なくとも１００℃、好ましくは１５０
℃まで）での使用要求も高まり、従来のフェライト材料
では飽和磁束密度Ｂｓ、特に高温域での飽和磁束密度Ｂ
ｓが不十分であった。
【０００４】そこで、特公昭６３−５９２４１号公報、
特公昭６３−５９２４２号公報等においては、Ｍｎ−Ｚ
ｎ系フェライトに一部Ｎｉ、Ｍｇ、Ｌｉフェライトのう
ち少なくとも一種を置換し、１５０℃以上の使用環境で
低電力損失で、かつ磁気的安定性の高いフェライト材料
について開示されているが、高温での飽和磁束密度Ｂｓ
特性が不十分であった。
特公昭６３−５９２４２号公報等においては、Ｍｎ−Ｚ
ｎ系フェライトに一部Ｎｉ、Ｍｇ、Ｌｉフェライトのう
ち少なくとも一種を置換し、１５０℃以上の使用環境で
低電力損失で、かつ磁気的安定性の高いフェライト材料
について開示されているが、高温での飽和磁束密度Ｂｓ
特性が不十分であった。
【０００５】また、特開平２−８３２１８号公報におい
ては、ＮｉＭｎＺｎ系フェライトによって、高温下、高
磁界中において磁気特性の安定化が高く、飽和磁束密度
Ｂｓが高く、かつ低電力損失であるフェライト材料が開
示されているが、高温での飽和磁束密度Ｂｓ特性が不十
分であった。
ては、ＮｉＭｎＺｎ系フェライトによって、高温下、高
磁界中において磁気特性の安定化が高く、飽和磁束密度
Ｂｓが高く、かつ低電力損失であるフェライト材料が開
示されているが、高温での飽和磁束密度Ｂｓ特性が不十
分であった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のものには次
のような課題があった。
のような課題があった。
【０００７】（１）：トランス及びチョークコイル用の
フェライト材料として使用する場合、通常、可能性のあ
る最も高い温度条件の特性で設計を行うが、上記いずれ
の従来例においても高温度域における飽和磁束密度Ｂｓ
が十分でなかった。
フェライト材料として使用する場合、通常、可能性のあ
る最も高い温度条件の特性で設計を行うが、上記いずれ
の従来例においても高温度域における飽和磁束密度Ｂｓ
が十分でなかった。
【０００８】（２）：トランス及びチョークコイル用の
フェライト材料として使用する場合、飽和磁束密度Ｂｓ
と保磁力Ｈｃの関係において、飽和磁束密度Ｂｓが高
く、保磁力Ｈｃの小さい材料では、Ｂ−Ｈループの初磁
化曲線の立ち上がり方が、飽和状態に近い磁束密度まで
急峻に立ち上がり、結果的に直流重畳特性が良好な（飽
和磁束密度近辺まで直流を重畳してもインダクタンスＬ
の低下が見られない）ものが得られるが、保磁力Ｈｃの
大きいものは初磁化曲線の前半は急峻に立ち上がるもの
の、中盤にかけて傾きが緩やかになり、飽和状態に近い
磁束密度近辺においては非常に傾きの小さい曲線とな
る。そのため、直流重畳特性を評価すると、磁束密度が
飽和する前にインダクタンスの低下が生じてしまい、Ｂ
ｓ特性が高いにもかかわらずその特性を活かすことがで
きず、結果として良好な直流重畳特性が得られないもの
である。
フェライト材料として使用する場合、飽和磁束密度Ｂｓ
と保磁力Ｈｃの関係において、飽和磁束密度Ｂｓが高
く、保磁力Ｈｃの小さい材料では、Ｂ−Ｈループの初磁
化曲線の立ち上がり方が、飽和状態に近い磁束密度まで
急峻に立ち上がり、結果的に直流重畳特性が良好な（飽
和磁束密度近辺まで直流を重畳してもインダクタンスＬ
の低下が見られない）ものが得られるが、保磁力Ｈｃの
大きいものは初磁化曲線の前半は急峻に立ち上がるもの
の、中盤にかけて傾きが緩やかになり、飽和状態に近い
磁束密度近辺においては非常に傾きの小さい曲線とな
る。そのため、直流重畳特性を評価すると、磁束密度が
飽和する前にインダクタンスの低下が生じてしまい、Ｂ
ｓ特性が高いにもかかわらずその特性を活かすことがで
きず、結果として良好な直流重畳特性が得られないもの
である。
【０００９】上記いずれの従来例においても飽和磁束密
度Ｂｓと保磁力Ｈｃの関係において、飽和磁束密度Ｂｓ
が高く保磁力Ｈｃが小さくなるような特性が得られず、
良好な直流重畳特性が得られないものであった。
度Ｂｓと保磁力Ｈｃの関係において、飽和磁束密度Ｂｓ
が高く保磁力Ｈｃが小さくなるような特性が得られず、
良好な直流重畳特性が得られないものであった。
【００１０】従って本発明は、直流重畳特性の優れ、電
力損失が室温から１５０℃程度において低電力損失であ
るＮｉＭｎＺｎ系フェライトを得ることを目的とする。
力損失が室温から１５０℃程度において低電力損失であ
るＮｉＭｎＺｎ系フェライトを得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため次のように構成した。
決するため次のように構成した。
【００１２】（１）：ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおい
て、その主成分がＦｅ2 Ｏ3 ＝５３〜５９ｍｏｌ％、Ｍ
ｎＯ＝２２〜４１ｍｏｌ％、ＺｎＯ＝４〜１２ｍｏｌ
％、ＮｉＯ＝２〜７ｍｏｌ％の通りである主成分範囲に
あり、かつ上記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの副成分がＳ
ｉＯ2 ：０．００５〜０．０３ｗｔ％、ＣａＯ：０．０
０８〜０．１７ｗｔ％、Ｐ：０．０００４〜０．０１ｗ
ｔ％の副成分範囲内にああり、さらに、添加物をＮｂ 2
Ｏ 5 ：０．００５〜０．０３ｗｔ％、Ｔａ 2 Ｏ 5 ：０．
０１〜０．０８ｗｔ％、Ｖ 2 Ｏ 5 ：０．０１〜０．１ｗ
ｔ％、ＺｒＯ 2 ：０．００５〜０．０３ｗｔ％、Ｂｉ 2
Ｏ 3 ：０．００５〜０．０４ｗｔ％、ＭｏＯ 3 ：０．０
０５〜０．０４ｗｔ％の所定の範囲内で１種または２種
以上を添加するものとする。
て、その主成分がＦｅ2 Ｏ3 ＝５３〜５９ｍｏｌ％、Ｍ
ｎＯ＝２２〜４１ｍｏｌ％、ＺｎＯ＝４〜１２ｍｏｌ
％、ＮｉＯ＝２〜７ｍｏｌ％の通りである主成分範囲に
あり、かつ上記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの副成分がＳ
ｉＯ2 ：０．００５〜０．０３ｗｔ％、ＣａＯ：０．０
０８〜０．１７ｗｔ％、Ｐ：０．０００４〜０．０１ｗ
ｔ％の副成分範囲内にああり、さらに、添加物をＮｂ 2
Ｏ 5 ：０．００５〜０．０３ｗｔ％、Ｔａ 2 Ｏ 5 ：０．
０１〜０．０８ｗｔ％、Ｖ 2 Ｏ 5 ：０．０１〜０．１ｗ
ｔ％、ＺｒＯ 2 ：０．００５〜０．０３ｗｔ％、Ｂｉ 2
Ｏ 3 ：０．００５〜０．０４ｗｔ％、ＭｏＯ 3 ：０．０
０５〜０．０４ｗｔ％の所定の範囲内で１種または２種
以上を添加するものとする。
【００１３】
【００１４】
【００１５】（２）：前記（１）のＮｉＭｎＺｎ系フェ
ライトにおいて、焼結体の平均結晶粒径が６μｍ〜２５
μｍであるものとする。
ライトにおいて、焼結体の平均結晶粒径が６μｍ〜２５
μｍであるものとする。
【００１６】（３）：前記（２）のＮｉＭｎＺｎ系フェ
ライトにおいて、焼結体の飽和磁束密度Ｂｓ（１００
℃）が４４０ｍＴ以上であるものとする。
ライトにおいて、焼結体の飽和磁束密度Ｂｓ（１００
℃）が４４０ｍＴ以上であるものとする。
【００１７】（４）：前記（３）のＮｉＭｎＺｎ系フェ
ライトにおいて、Ｂ−Ｈループにおける飽和磁束密度Ｂ
ｓ（１５０℃）と保磁力Ｈｃ（１５０℃）における関係
がＲ＝（Ｂｓ−３００）2 ／Ｈｃ（ただしＲ≧４００）
の条件を満たすものとする。
ライトにおいて、Ｂ−Ｈループにおける飽和磁束密度Ｂ
ｓ（１５０℃）と保磁力Ｈｃ（１５０℃）における関係
がＲ＝（Ｂｓ−３００）2 ／Ｈｃ（ただしＲ≧４００）
の条件を満たすものとする。
【００１８】（５）：前記（１）〜（４）のＮｉＭｎＺ
ｎ系フェライトを使用するトランス又はチョークコイル
とする。
ｎ系フェライトを使用するトランス又はチョークコイル
とする。
【００１９】このような構成により次のような作用を奏
する。
する。
【００２０】ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、その
主成分がＦｅ2 Ｏ3 ＝５３〜５９ｍｏｌ％、ＭｎＯ＝２
２〜４１ｍｏｌ％、ＺｎＯ＝４〜１２ｍｏｌ％、ＮｉＯ
＝２〜７ｍｏｌ％の通りである主成分範囲にあり、かつ
上記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの副成分がＳｉＯ2 ：
０．００５〜０．０３ｗｔ％、ＣａＯ：０．００８〜
０．１７ｗｔ％、Ｐ：０．０００４〜０．０１ｗｔ％の
副成分範囲内にあるものとする。このため、飽和磁束密
度Ｂｓが４４０ｍＴ以上で直流重畳特性が優れ、広温度
帯域で使用することができる。
主成分がＦｅ2 Ｏ3 ＝５３〜５９ｍｏｌ％、ＭｎＯ＝２
２〜４１ｍｏｌ％、ＺｎＯ＝４〜１２ｍｏｌ％、ＮｉＯ
＝２〜７ｍｏｌ％の通りである主成分範囲にあり、かつ
上記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの副成分がＳｉＯ2 ：
０．００５〜０．０３ｗｔ％、ＣａＯ：０．００８〜
０．１７ｗｔ％、Ｐ：０．０００４〜０．０１ｗｔ％の
副成分範囲内にあるものとする。このため、飽和磁束密
度Ｂｓが４４０ｍＴ以上で直流重畳特性が優れ、広温度
帯域で使用することができる。
【００２１】また、ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおい
て、その主成分がＦｅ2 Ｏ3 ＝５３〜５９ｍｏｌ％、Ｍ
ｎＯ＝２２〜３９ｍｏｌ％、ＺｎＯ＝４〜１２ｍｏｌ
％、ＮｉＯ＝４〜７ｍｏｌ％の通りである主成分範囲に
あり、かつ上記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの副成分がＳ
ｉＯ2 ：０．００５〜０．０３ｗｔ％、ＣａＯ：０．０
０８〜０．１７ｗｔ％、Ｐ：０．０００４〜０．０１ｗ
ｔ％の副成分範囲内にあるものとする。このため、飽和
磁束密度Ｂｓの特性がより向上し、直流重畳特性が優
れ、広温度帯域で使用することができる。
て、その主成分がＦｅ2 Ｏ3 ＝５３〜５９ｍｏｌ％、Ｍ
ｎＯ＝２２〜３９ｍｏｌ％、ＺｎＯ＝４〜１２ｍｏｌ
％、ＮｉＯ＝４〜７ｍｏｌ％の通りである主成分範囲に
あり、かつ上記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの副成分がＳ
ｉＯ2 ：０．００５〜０．０３ｗｔ％、ＣａＯ：０．０
０８〜０．１７ｗｔ％、Ｐ：０．０００４〜０．０１ｗ
ｔ％の副成分範囲内にあるものとする。このため、飽和
磁束密度Ｂｓの特性がより向上し、直流重畳特性が優
れ、広温度帯域で使用することができる。
【００２２】さらに、前記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトに
おいて、さらに添加物をＮｂ2 Ｏ5：０．００５〜０．
０３ｗｔ％、Ｔａ2 Ｏ5 ：０．０１〜０．０８ｗｔ％、
Ｖ2Ｏ5 ：０．０１〜０．１ｗｔ％、ＺｒＯ2 ：０．０
０５〜０．０３ｗｔ％、Ｂｉ 2 Ｏ3 ：０．００５〜０．
０４ｗｔ％、ＭｏＯ3 ：０．００５〜０．０４ｗｔ％の
所定の範囲内で１種または２種以上を添加するものとす
る。このため、飽和磁束密度Ｂｓが４５０ｍＴ以上であ
り直流重畳特性がさらに優れ、低電力損失のものを得る
ことができる。
おいて、さらに添加物をＮｂ2 Ｏ5：０．００５〜０．
０３ｗｔ％、Ｔａ2 Ｏ5 ：０．０１〜０．０８ｗｔ％、
Ｖ2Ｏ5 ：０．０１〜０．１ｗｔ％、ＺｒＯ2 ：０．０
０５〜０．０３ｗｔ％、Ｂｉ 2 Ｏ3 ：０．００５〜０．
０４ｗｔ％、ＭｏＯ3 ：０．００５〜０．０４ｗｔ％の
所定の範囲内で１種または２種以上を添加するものとす
る。このため、飽和磁束密度Ｂｓが４５０ｍＴ以上であ
り直流重畳特性がさらに優れ、低電力損失のものを得る
ことができる。
【００２３】また、前記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにお
いて、焼結体の平均結晶粒径が６μｍ〜２５μｍである
ものとする。このため、保磁力Ｈｃの小さく、飽和磁束
密度Ｂｓが４４０ｍＴ以上であり、低電力損失のものを
得ることができる。
いて、焼結体の平均結晶粒径が６μｍ〜２５μｍである
ものとする。このため、保磁力Ｈｃの小さく、飽和磁束
密度Ｂｓが４４０ｍＴ以上であり、低電力損失のものを
得ることができる。
【００２４】さらに、焼結体の飽和磁束密度Ｂｓ（１０
０℃）が４４０ｍＴ以上であるものとする。このため、
直流重畳特性が優れたものを得ることができる。
０℃）が４４０ｍＴ以上であるものとする。このため、
直流重畳特性が優れたものを得ることができる。
【００２５】また、Ｂ−Ｈループにおける飽和磁束密度
Ｂｓ（１５０℃）と保磁力Ｈｃ（１５０℃）における関
係がＲ＝（Ｂｓ−３００）2 ／Ｈｃ（ただしＲ≧４０
０）の条件を満たすものとする。このため、Ｒの値（Ｒ
≧４００）を指標として直流重畳特性が優れたものを得
ることができる。
Ｂｓ（１５０℃）と保磁力Ｈｃ（１５０℃）における関
係がＲ＝（Ｂｓ−３００）2 ／Ｈｃ（ただしＲ≧４０
０）の条件を満たすものとする。このため、Ｒの値（Ｒ
≧４００）を指標として直流重畳特性が優れたものを得
ることができる。
【００２６】さらに、前記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトを
使用するトランス又はチョークコイルとする。このた
め、直流重畳特性が優れ、広温度帯域において使用でき
るトランス又はチョークコイルを作製することができ
る。
使用するトランス又はチョークコイルとする。このた
め、直流重畳特性が優れ、広温度帯域において使用でき
るトランス又はチョークコイルを作製することができ
る。
【００２７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を表１、表２
及び図１〜図３に基づき説明する。
及び図１〜図３に基づき説明する。
【００２８】（１）：本発明の要点
本発明は、ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの主成分をキュリ
ー温度が高く、Ｂ−Ｈループの保磁力（Ｈｃ）の小さく
なる主成分範囲に制御し、かつ焼結過程において結晶粒
の構造に影響を及ぼすＰ、及び副成分であるＳｉＯ2 、
ＣａＯを所定の含有量に制御することによって、なおか
つ焼結体の平均結晶粒径を所定の範囲に制御することに
よって、焼結体の密度が高く、保磁力（Ｈｃ）の小さい
特性で飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が４４０ｍＴ以上
である直流重畳特性の優れたＮｉＭｎＺｎ系フェライト
を得るものである。また、電力損失における温度特性の
極小値を示す温度が１００℃程度から１５０℃程度にあ
る主成分範囲に制御することによって、かつ焼結体の平
均結晶粒径を所定の範囲に制御することによって電力損
失が室温から１５０℃程度において低電力損失であるＮ
ｉＭｎＺｎ系フェライトを得るものである。
ー温度が高く、Ｂ−Ｈループの保磁力（Ｈｃ）の小さく
なる主成分範囲に制御し、かつ焼結過程において結晶粒
の構造に影響を及ぼすＰ、及び副成分であるＳｉＯ2 、
ＣａＯを所定の含有量に制御することによって、なおか
つ焼結体の平均結晶粒径を所定の範囲に制御することに
よって、焼結体の密度が高く、保磁力（Ｈｃ）の小さい
特性で飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が４４０ｍＴ以上
である直流重畳特性の優れたＮｉＭｎＺｎ系フェライト
を得るものである。また、電力損失における温度特性の
極小値を示す温度が１００℃程度から１５０℃程度にあ
る主成分範囲に制御することによって、かつ焼結体の平
均結晶粒径を所定の範囲に制御することによって電力損
失が室温から１５０℃程度において低電力損失であるＮ
ｉＭｎＺｎ系フェライトを得るものである。
【００２９】また、本発明は、上記の発明に対して、さ
らに所定の添加物を所定の含有量に制御することによっ
て、より焼結体の密度が高く、保磁力（Ｈｃ）の小さい
特性で飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が４５０ｍＴ以上
であり直流重畳特性がさらに優れ、より低電力損失であ
るＮｉＭｎＺｎ系フェライトを得るものである。
らに所定の添加物を所定の含有量に制御することによっ
て、より焼結体の密度が高く、保磁力（Ｈｃ）の小さい
特性で飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が４５０ｍＴ以上
であり直流重畳特性がさらに優れ、より低電力損失であ
るＮｉＭｎＺｎ系フェライトを得るものである。
【００３０】（２）：実施例による説明
表１はマンガン系フェライト材料（主成分、副成分、添
加物）とその焼結体の平均結晶粒径と電磁気特性及びＲ
値である。なお、表１において、比較は比較例、実施は
実施例をそれぞれ示している。
加物）とその焼結体の平均結晶粒径と電磁気特性及びＲ
値である。なお、表１において、比較は比較例、実施は
実施例をそれぞれ示している。
【００３１】表１の主成分、副成分、添加物となるよう
に各成分を秤量、混合、仮焼、粉砕、バインダーを加え
顆粒とし、トロイダル状のサンプルを成型した。そのサ
ンプルを、３００℃／ｈｒで昇温し、１２１０〜１４０
０℃で焼成した。安定温度以降は２００℃／ｈｒで室温
まで冷却したが、安定から室温までの雰囲気はフェライ
トの平衡酸素分圧に従い設定した。
に各成分を秤量、混合、仮焼、粉砕、バインダーを加え
顆粒とし、トロイダル状のサンプルを成型した。そのサ
ンプルを、３００℃／ｈｒで昇温し、１２１０〜１４０
０℃で焼成した。安定温度以降は２００℃／ｈｒで室温
まで冷却したが、安定から室温までの雰囲気はフェライ
トの平衡酸素分圧に従い設定した。
【００３２】それらのサンプルの飽和磁束密度Ｂｓ（１
００℃、１５０℃）、保磁力Ｈｃ（１５０℃）、４０ｋ
Ｈｚ−２００ｍＴにおける電力損失（室温ＲＴ、１００
℃、１５０℃）をそれぞれ測定した。また、それらのサ
ンプルにおける平均結晶粒径を測定した。
００℃、１５０℃）、保磁力Ｈｃ（１５０℃）、４０ｋ
Ｈｚ−２００ｍＴにおける電力損失（室温ＲＴ、１００
℃、１５０℃）をそれぞれ測定した。また、それらのサ
ンプルにおける平均結晶粒径を測定した。
【００３３】そして、本サンプルにおける直流重畳特性
の指標となる特性値（Ｒ）をＢ−Ｈループより算出する
計算式を以下に考案して算出した。それらの結果を表１
に示す。
の指標となる特性値（Ｒ）をＢ−Ｈループより算出する
計算式を以下に考案して算出した。それらの結果を表１
に示す。
【００３４】
Ｒ＝（Ｂｓ−３００）2 ／Ｈｃ・・・・・・
なお、式におけるＢｓ：（ｍＴ）ａｔ１５０℃、Ｈ
ｃ：（Ａ／ｍ）ａｔ１５０℃とする。
ｃ：（Ａ／ｍ）ａｔ１５０℃とする。
【００３５】
【表１】
【００３６】・直流重畳特性の説明
式は、直流重畳特性の指標となる値である、Ｒの大き
いほど直流重畳特性は良好となることがわかった。現在
一般的に使用されるＭｎＺｎ系フェライトにおける１５
０℃のＢｓ特性は、高いもので約３００ｍＴであり、
式における（Ｂｓ−３００）2 の項は、本発明における
ＮｉＭｎＺｎ系フェライトのＢｓ特性との差を二乗した
項である。また残りの／Ｈｃについては直流重畳特性に
おける電流値に対するインダクタンス特性の直線的な伸
びを表すための項である。
いほど直流重畳特性は良好となることがわかった。現在
一般的に使用されるＭｎＺｎ系フェライトにおける１５
０℃のＢｓ特性は、高いもので約３００ｍＴであり、
式における（Ｂｓ−３００）2 の項は、本発明における
ＮｉＭｎＺｎ系フェライトのＢｓ特性との差を二乗した
項である。また残りの／Ｈｃについては直流重畳特性に
おける電流値に対するインダクタンス特性の直線的な伸
びを表すための項である。
【００３７】本発明において、さまざまな形を持つＢ−
Ｈループ特性のサンプルと直流重畳特性の関係を調査し
た結果、飽和磁束密度Ｂｓが高いサンプルで、保磁力Ｈ
ｃの小さいものはＢ−Ｈループの初磁化曲線の立ち上が
り方が、飽和状態に近い磁束密度まで急峻に立ち上が
り、結果的に直流重畳特性が良好なものが得られるが、
保磁力Ｈｃの大きいものは初磁化曲線の前半は急峻に立
ち上がるものの、中盤にかけて傾きが緩やかになり、飽
和状態に近い磁束密度近辺では非常に傾きの小さい曲線
となる。
Ｈループ特性のサンプルと直流重畳特性の関係を調査し
た結果、飽和磁束密度Ｂｓが高いサンプルで、保磁力Ｈ
ｃの小さいものはＢ−Ｈループの初磁化曲線の立ち上が
り方が、飽和状態に近い磁束密度まで急峻に立ち上が
り、結果的に直流重畳特性が良好なものが得られるが、
保磁力Ｈｃの大きいものは初磁化曲線の前半は急峻に立
ち上がるものの、中盤にかけて傾きが緩やかになり、飽
和状態に近い磁束密度近辺では非常に傾きの小さい曲線
となる。
【００３８】そのため、直流重畳特性を評価すると、磁
束密度が飽和する前にインダクタンスの低下が生じてし
まい、Ｂｓ特性が高いにもかかわらずその特性を活かす
ことができず、結果として良好な直流重畳特性が得られ
ない。
束密度が飽和する前にインダクタンスの低下が生じてし
まい、Ｂｓ特性が高いにもかかわらずその特性を活かす
ことができず、結果として良好な直流重畳特性が得られ
ない。
【００３９】・実施例１と比較例４の説明
以下の表２は実施例１と比較例４の材料について１００
℃の飽和磁束密度Ｂｓと保磁力Ｈｃの特性を示す。
℃の飽和磁束密度Ｂｓと保磁力Ｈｃの特性を示す。
【００４０】
【表２】
【００４１】図１は直流重畳特性の説明図である。図１
において、表２の材料を用いて作製したトランスの直流
重畳特性を示している。これにより、実施例１と比較例
４の材料とも飽和磁束密度Ｂｓ特性は同等であるが、保
磁力Ｈｃの大きい比較例４の材料は、インダクタンスＬ
が低下し始める直流電流値Ｉ．ｄ．ｃ．が小さく、直流
電流が重畳される前のインダクタンスＬの値が１０％低
下する直流電流値は約１．４（Ａ）である。一方、保磁
力Ｈｃの小さい実施例１の材料は、インダクタンスＬの
値が１０％低下する直流電流値は約１．７５（Ａ）と比
較例４の材料より直流重畳特性が伸びていることがわか
る。
において、表２の材料を用いて作製したトランスの直流
重畳特性を示している。これにより、実施例１と比較例
４の材料とも飽和磁束密度Ｂｓ特性は同等であるが、保
磁力Ｈｃの大きい比較例４の材料は、インダクタンスＬ
が低下し始める直流電流値Ｉ．ｄ．ｃ．が小さく、直流
電流が重畳される前のインダクタンスＬの値が１０％低
下する直流電流値は約１．４（Ａ）である。一方、保磁
力Ｈｃの小さい実施例１の材料は、インダクタンスＬの
値が１０％低下する直流電流値は約１．７５（Ａ）と比
較例４の材料より直流重畳特性が伸びていることがわか
る。
【００４２】これらのデータにより直流重畳特性は、飽
和磁束密度Ｂｓ特性のみに依存せず、飽和磁束密度Ｂｓ
と保磁力Ｈｃの関係が重要であり、特に広温度帯域で使
用される材料は、式のＲの値が大きいことが必要であ
ることがわかった。
和磁束密度Ｂｓ特性のみに依存せず、飽和磁束密度Ｂｓ
と保磁力Ｈｃの関係が重要であり、特に広温度帯域で使
用される材料は、式のＲの値が大きいことが必要であ
ることがわかった。
【００４３】・Ｒの値と直流重畳特性の関係の説明
図２はＲの値と直流重畳特性の関係の説明図である。図
２において、表１における比較例１と実施例１、３、８
の材料を用いて作製したトランスの１００℃における直
流重畳特性を示したものである。これによりＲの値が３
１、４２５、７８０、１１３０と大きくなるに従い直流
重畳特性が向上することがわかる。従来のフェライトで
は、Ｒの値が４００以上の値を達成することは困難であ
り、Ｒの値が４００以上のものを本発明とする。
２において、表１における比較例１と実施例１、３、８
の材料を用いて作製したトランスの１００℃における直
流重畳特性を示したものである。これによりＲの値が３
１、４２５、７８０、１１３０と大きくなるに従い直流
重畳特性が向上することがわかる。従来のフェライトで
は、Ｒの値が４００以上の値を達成することは困難であ
り、Ｒの値が４００以上のものを本発明とする。
【００４４】・平均結晶粒径の説明
平均結晶粒径は、サンプルのフェライト焼結体を鏡面研
磨後、フッ酸によりエッチングし、研磨面を５００倍程
度で光学顕微鏡により撮影した写真に基づき調べる。ま
ず、上記のようにして得られた写真上に粒子が１００個
程度入る例えば２００μｍ×２００μｍの正方形の区画
をとり、この区画中に存在する結晶粒子の数を算定す
る。ただし、区画の境界に存在する結晶粒子は、１／２
個として数える。この数をｎとし、下記式により平均結
晶粒径ｄを算出する。
磨後、フッ酸によりエッチングし、研磨面を５００倍程
度で光学顕微鏡により撮影した写真に基づき調べる。ま
ず、上記のようにして得られた写真上に粒子が１００個
程度入る例えば２００μｍ×２００μｍの正方形の区画
をとり、この区画中に存在する結晶粒子の数を算定す
る。ただし、区画の境界に存在する結晶粒子は、１／２
個として数える。この数をｎとし、下記式により平均結
晶粒径ｄを算出する。
【００４５】
【数１】
【００４６】実施例１〜１９に示すように主成分が所定
の範囲内にあり、かつ副成分が所定の範囲内に存在し、
なおかつ焼結体の平均結晶粒径が６〜２５μｍのものは
Ｒが４００以上で電力損失が室温から１５０℃において
電力損失Ｐｃｖが５００ｋＷ／ｍ3 以下であり、飽和磁
束密度Ｂｓ（１００℃）が４４０ｍＴ以上に制御されて
いる。
の範囲内にあり、かつ副成分が所定の範囲内に存在し、
なおかつ焼結体の平均結晶粒径が６〜２５μｍのものは
Ｒが４００以上で電力損失が室温から１５０℃において
電力損失Ｐｃｖが５００ｋＷ／ｍ3 以下であり、飽和磁
束密度Ｂｓ（１００℃）が４４０ｍＴ以上に制御されて
いる。
【００４７】しかし、比較例５のように焼結体の平均結
晶粒径が６μｍの範囲より小さいものは保磁力Ｈｃが大
きくなり飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が４４０ｍＴ以
下となる。また、比較例６のように焼結体の平均結晶粒
径が２５μｍの範囲より大きいものはＲが４００以下で
低電力損失である特性が得られない。平均結晶粒径が２
５μｍの範囲より大きいものは、焼成条件によっては異
常粒成長を生じることなく粒成長をさせることは可能
で、Ｒを比較的良好な値に制御することが可能である
が、使用周波数帯における電力損失の増大や、焼成コス
トを考慮すると本発明の平均結晶粒径の範囲が好ましい
ものである。
晶粒径が６μｍの範囲より小さいものは保磁力Ｈｃが大
きくなり飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が４４０ｍＴ以
下となる。また、比較例６のように焼結体の平均結晶粒
径が２５μｍの範囲より大きいものはＲが４００以下で
低電力損失である特性が得られない。平均結晶粒径が２
５μｍの範囲より大きいものは、焼成条件によっては異
常粒成長を生じることなく粒成長をさせることは可能
で、Ｒを比較的良好な値に制御することが可能である
が、使用周波数帯における電力損失の増大や、焼成コス
トを考慮すると本発明の平均結晶粒径の範囲が好ましい
ものである。
【００４８】・比較例１１、１２のように主成分におけ
るＦｅ2 Ｏ3 成分が５９ｍｏｌ％以上、ＮｉＯ成分が７
ｍｏｌ％以上と所定の範囲より多く含まれる領域におい
てはＢ−Ｈループがパーミンバー型となりその傾向が顕
著で、飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が高いにもかかわ
らず保磁力Ｈｃが大きくなることによってＲが４００以
下となる。また、それに伴い電力損失も急増する。Ｆｅ
2 Ｏ3 成分が５３ｍｏｌ％未満では所定の飽和磁束密度
Ｂｓが得られない。また、ＮｉＯ成分は、０〜２ｍｏｌ
％では比較例１、２に示すように飽和磁束密度Ｂｓ（１
００℃）の向上に対する添加効果が少なく、所望の特性
が得られない。そのため、ＮｉＯ成分は２ｍｏｌ％以上
が必要となる。実際には４ｍｏｌ％以上が好ましく、飽
和磁束密度Ｂｓ（１００℃）の特性向上が顕著でＲの値
も大きくなる。そして、４〜６ｍｏｌ％においてＲの値
が最大となりそれ以上の領域においては低下する。
るＦｅ2 Ｏ3 成分が５９ｍｏｌ％以上、ＮｉＯ成分が７
ｍｏｌ％以上と所定の範囲より多く含まれる領域におい
てはＢ−Ｈループがパーミンバー型となりその傾向が顕
著で、飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が高いにもかかわ
らず保磁力Ｈｃが大きくなることによってＲが４００以
下となる。また、それに伴い電力損失も急増する。Ｆｅ
2 Ｏ3 成分が５３ｍｏｌ％未満では所定の飽和磁束密度
Ｂｓが得られない。また、ＮｉＯ成分は、０〜２ｍｏｌ
％では比較例１、２に示すように飽和磁束密度Ｂｓ（１
００℃）の向上に対する添加効果が少なく、所望の特性
が得られない。そのため、ＮｉＯ成分は２ｍｏｌ％以上
が必要となる。実際には４ｍｏｌ％以上が好ましく、飽
和磁束密度Ｂｓ（１００℃）の特性向上が顕著でＲの値
も大きくなる。そして、４〜６ｍｏｌ％においてＲの値
が最大となりそれ以上の領域においては低下する。
【００４９】・比較例４のようにＺｎＯ成分が４ｍｏｌ
％の範囲より少ない領域では、飽和磁束密度Ｂｓ（１０
０℃）が高いにもかかわらず保磁力Ｈｃが大きくなりや
はりＲの値は低下し、良好な直流重畳特性が得られず、
かつ低電力損失である特性が得られない。比較例３のよ
うにＺｎＯ成分が１２ｍｏｌ％の範囲より多い領域で
は、キュリー温度が低下することによって飽和磁束密度
Ｂｓ（１００℃）が十分に得られない。
％の範囲より少ない領域では、飽和磁束密度Ｂｓ（１０
０℃）が高いにもかかわらず保磁力Ｈｃが大きくなりや
はりＲの値は低下し、良好な直流重畳特性が得られず、
かつ低電力損失である特性が得られない。比較例３のよ
うにＺｎＯ成分が１２ｍｏｌ％の範囲より多い領域で
は、キュリー温度が低下することによって飽和磁束密度
Ｂｓ（１００℃）が十分に得られない。
【００５０】・また、主成分が所定の範囲内にあるもの
でも、比較例７〜１０のように、副成分の含有量が所定
の範囲を外れるＮｉＭｎＺｎ系フェライトは、焼成過程
において粒成長の不足や異常粒成長が生じ十分な焼結体
の密度が得られず、飽和磁束密度Ｂｓ、Ｒの値が低下
し、電力損失も急増する。
でも、比較例７〜１０のように、副成分の含有量が所定
の範囲を外れるＮｉＭｎＺｎ系フェライトは、焼成過程
において粒成長の不足や異常粒成長が生じ十分な焼結体
の密度が得られず、飽和磁束密度Ｂｓ、Ｒの値が低下
し、電力損失も急増する。
【００５１】ＳｉＯ2 が０．００５ｗｔ％及びＣａＯが
０．００８ｗｔ％の範囲よりも少ないと電気抵抗が下が
り電力損失が大きくなる。また、ＳｉＯ2 が０．０３ｗ
ｔ％及びＣａＯが０．１７ｗｔ％の範囲を超えると焼成
時の異常粒成長により所望の飽和磁束密度Ｂｓ及び低電
力損失が得られない。
０．００８ｗｔ％の範囲よりも少ないと電気抵抗が下が
り電力損失が大きくなる。また、ＳｉＯ2 が０．０３ｗ
ｔ％及びＣａＯが０．１７ｗｔ％の範囲を超えると焼成
時の異常粒成長により所望の飽和磁束密度Ｂｓ及び低電
力損失が得られない。
【００５２】特に、Ｐの副成分は、少量で焼結体の密度
に影響を及ぼし、Ｐは０．０００４ｗｔ％〜０．０１ｗ
ｔ％の範囲が本発明である。比較例９のようにＰの含有
量が０．０１ｗｔ％より多い領域では焼結過程で異常粒
成長を生じ十分な焼結体の密度が得られず、その結果所
定の飽和磁束密度Ｂｓ、Ｒの値が得られない。また、比
較例１０のようにＰの含有量が０．０００４ｗｔ％より
少ない領域では焼結性が不十分でやはり所定の飽和磁束
密度Ｂｓ、Ｒの値が得られない。
に影響を及ぼし、Ｐは０．０００４ｗｔ％〜０．０１ｗ
ｔ％の範囲が本発明である。比較例９のようにＰの含有
量が０．０１ｗｔ％より多い領域では焼結過程で異常粒
成長を生じ十分な焼結体の密度が得られず、その結果所
定の飽和磁束密度Ｂｓ、Ｒの値が得られない。また、比
較例１０のようにＰの含有量が０．０００４ｗｔ％より
少ない領域では焼結性が不十分でやはり所定の飽和磁束
密度Ｂｓ、Ｒの値が得られない。
【００５３】・それに対して主成分、副成分が所定の範
囲内にあるＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、実施例
８〜１９のように添加物としてＮｂ2 Ｏ5 ：０．００５
〜０．０３ｗｔ％、Ｔａ2 Ｏ5 ：０．０１〜０．０８ｗ
ｔ％、Ｖ2 Ｏ5 ：０．０１〜０．１ ｗｔ％、Ｚｒ
Ｏ2 ：０．００５〜０．０３ｗｔ％、Ｂｉ2 Ｏ3 ：０．
００５〜０．０４ｗｔ％、ＭｏＯ3 ：０．００５〜０．
０４ｗｔ％の所定の範囲で１種または２種以上を添加
し、かつ焼結体の平均結晶粒径が６〜２５μｍの範囲に
制御されたものは、これらの添加物を添加しないものと
比べ、相対密度のより高い焼結体が得られ、結果として
より保磁力Ｈｃが小さくかつ飽和磁束密度Ｂｓが高くＲ
値のより大きい特性が得られる。また、特に、Ｎｂ2 Ｏ
5 、Ｔａ2 Ｏ5の添加物は、電力損失の低減にも効果的
である。
囲内にあるＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、実施例
８〜１９のように添加物としてＮｂ2 Ｏ5 ：０．００５
〜０．０３ｗｔ％、Ｔａ2 Ｏ5 ：０．０１〜０．０８ｗ
ｔ％、Ｖ2 Ｏ5 ：０．０１〜０．１ ｗｔ％、Ｚｒ
Ｏ2 ：０．００５〜０．０３ｗｔ％、Ｂｉ2 Ｏ3 ：０．
００５〜０．０４ｗｔ％、ＭｏＯ3 ：０．００５〜０．
０４ｗｔ％の所定の範囲で１種または２種以上を添加
し、かつ焼結体の平均結晶粒径が６〜２５μｍの範囲に
制御されたものは、これらの添加物を添加しないものと
比べ、相対密度のより高い焼結体が得られ、結果として
より保磁力Ｈｃが小さくかつ飽和磁束密度Ｂｓが高くＲ
値のより大きい特性が得られる。また、特に、Ｎｂ2 Ｏ
5 、Ｔａ2 Ｏ5の添加物は、電力損失の低減にも効果的
である。
【００５４】これらの添加物の水準が所定の範囲より少
ない領域では、その添加効果が明確ではなく、また所定
の範囲より多い領域では、焼結過程において異常粒成長
を生じ、所望の飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）、並びに
低電力損失は得られない。
ない領域では、その添加効果が明確ではなく、また所定
の範囲より多い領域では、焼結過程において異常粒成長
を生じ、所望の飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）、並びに
低電力損失は得られない。
【００５５】（３）：トランス及びチョークコイルの説
明図３はトランス及びチョークコイルの説明図である。
図３（ａ）はＥＥ型の外観斜視図、図３（ｂ）はＥＥ型
の断面図、図３（ｃ）はＥＩ型の外観斜視図である。
明図３はトランス及びチョークコイルの説明図である。
図３（ａ）はＥＥ型の外観斜視図、図３（ｂ）はＥＥ型
の断面図、図３（ｃ）はＥＩ型の外観斜視図である。
【００５６】図３（ａ）、図３（ｂ）において、トラン
ス及びチョークコイルは、一対のＥ型フェライトコア１
を対接して磁心を構成し、中央磁脚２にコイル４が巻か
れたボビン３が嵌合されるものである。なお、中央磁脚
２間のギャップＧは、インダクタンスを調整するための
もので、無くてもかまわないものである。
ス及びチョークコイルは、一対のＥ型フェライトコア１
を対接して磁心を構成し、中央磁脚２にコイル４が巻か
れたボビン３が嵌合されるものである。なお、中央磁脚
２間のギャップＧは、インダクタンスを調整するための
もので、無くてもかまわないものである。
【００５７】図３（ｃ）において、Ｅ型フェライトコア
１１とＩ型フェライトコア１２を対接して磁心を構成
し、Ｅ型フェライトコア１１の中央磁脚１０１にコイル
１４が巻装されている。
１１とＩ型フェライトコア１２を対接して磁心を構成
し、Ｅ型フェライトコア１１の中央磁脚１０１にコイル
１４が巻装されている。
【００５８】このような構成のトランス及びチョークコ
イルのコアに本願のＮｉＭｎＺｎ系フェライトを用いる
ことで、広温度域において使用することができるトラン
ス及びチョークコイルを製作することができる。
イルのコアに本願のＮｉＭｎＺｎ系フェライトを用いる
ことで、広温度域において使用することができるトラン
ス及びチョークコイルを製作することができる。
【００５９】
【発明の効果】本発明により下記の効果を奏することが
できる。
できる。
【００６０】（１）：ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおい
て、その主成分がＦｅ2 Ｏ3 ＝５３〜５９ｍｏｌ％、Ｍ
ｎＯ＝２２〜４１ｍｏｌ％、ＺｎＯ＝４〜１２ｍｏｌ
％、ＮｉＯ＝２〜７ｍｏｌ％の通りである主成分範囲に
あり、かつ上記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの副成分がＳ
ｉＯ2 ：０．００５〜０．０３ｗｔ％、ＣａＯ：０．０
０８〜０．１７ｗｔ％、Ｐ：０．０００４〜０．０１ｗ
ｔ％の副成分範囲内にあるものとするため、飽和磁束密
度Ｂｓが４４０ｍＴ以上で直流重畳特性が優れ、広温度
域で使用することができる。
て、その主成分がＦｅ2 Ｏ3 ＝５３〜５９ｍｏｌ％、Ｍ
ｎＯ＝２２〜４１ｍｏｌ％、ＺｎＯ＝４〜１２ｍｏｌ
％、ＮｉＯ＝２〜７ｍｏｌ％の通りである主成分範囲に
あり、かつ上記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの副成分がＳ
ｉＯ2 ：０．００５〜０．０３ｗｔ％、ＣａＯ：０．０
０８〜０．１７ｗｔ％、Ｐ：０．０００４〜０．０１ｗ
ｔ％の副成分範囲内にあるものとするため、飽和磁束密
度Ｂｓが４４０ｍＴ以上で直流重畳特性が優れ、広温度
域で使用することができる。
【００６１】（２）：ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおい
て、その主成分がＦｅ2 Ｏ3 ＝５３〜５９ｍｏｌ％、Ｍ
ｎＯ＝２２〜３９ｍｏｌ％、ＺｎＯ＝４〜１２ｍｏｌ
％、ＮｉＯ＝４〜７ｍｏｌ％の通りである主成分範囲に
あり、かつ上記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの副成分がＳ
ｉＯ2 ：０．００５〜０．０３ｗｔ％、ＣａＯ：０．０
０８〜０．１７ｗｔ％、Ｐ：０．０００４〜０．０１ｗ
ｔ％の副成分範囲内にあるものとすると、飽和磁束密度
Ｂｓの特性がより向上し、直流重畳特性が優れ、広温度
帯域で使用することができる。
て、その主成分がＦｅ2 Ｏ3 ＝５３〜５９ｍｏｌ％、Ｍ
ｎＯ＝２２〜３９ｍｏｌ％、ＺｎＯ＝４〜１２ｍｏｌ
％、ＮｉＯ＝４〜７ｍｏｌ％の通りである主成分範囲に
あり、かつ上記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの副成分がＳ
ｉＯ2 ：０．００５〜０．０３ｗｔ％、ＣａＯ：０．０
０８〜０．１７ｗｔ％、Ｐ：０．０００４〜０．０１ｗ
ｔ％の副成分範囲内にあるものとすると、飽和磁束密度
Ｂｓの特性がより向上し、直流重畳特性が優れ、広温度
帯域で使用することができる。
【００６２】（３）：ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおい
て、さらに添加物をＮｂ2 Ｏ5 ：０．００５〜０．０３
ｗｔ％、Ｔａ2 Ｏ5 ：０．０１〜０．０８ｗｔ％、Ｖ2
Ｏ5：０．０１〜０．１ｗｔ％、ＺｒＯ2 ：０．００５
〜０．０３ｗｔ％、Ｂｉ2 Ｏ 3 ：０．００５〜０．０４
ｗｔ％、ＭｏＯ3 ：０．００５〜０．０４ｗｔ％の所定
の範囲内で１種または２種以上を添加するため、飽和磁
束密度Ｂｓが４５０ｍＴ以上であり直流重畳特性がさら
に優れ、低電力損失のものを得ることができる。
て、さらに添加物をＮｂ2 Ｏ5 ：０．００５〜０．０３
ｗｔ％、Ｔａ2 Ｏ5 ：０．０１〜０．０８ｗｔ％、Ｖ2
Ｏ5：０．０１〜０．１ｗｔ％、ＺｒＯ2 ：０．００５
〜０．０３ｗｔ％、Ｂｉ2 Ｏ 3 ：０．００５〜０．０４
ｗｔ％、ＭｏＯ3 ：０．００５〜０．０４ｗｔ％の所定
の範囲内で１種または２種以上を添加するため、飽和磁
束密度Ｂｓが４５０ｍＴ以上であり直流重畳特性がさら
に優れ、低電力損失のものを得ることができる。
【００６３】（４）：ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおい
て、焼結体の平均結晶粒径が６μｍ〜２５μｍであるも
のとするため、保磁力Ｈｃの小さく、飽和磁束密度Ｂｓ
が４４０ｍＴ以上であり、低電力損失のものを得ること
ができる。
て、焼結体の平均結晶粒径が６μｍ〜２５μｍであるも
のとするため、保磁力Ｈｃの小さく、飽和磁束密度Ｂｓ
が４４０ｍＴ以上であり、低電力損失のものを得ること
ができる。
【００６４】（５）：焼結体の飽和磁束密度Ｂｓ（１０
０℃）が４４０ｍＴ以上であるものとするため、直流重
畳特性が優れたものを得ることができる。
０℃）が４４０ｍＴ以上であるものとするため、直流重
畳特性が優れたものを得ることができる。
【００６５】（６）：Ｂ−Ｈループにおける飽和磁束密
度Ｂｓ（１５０℃）と保磁力Ｈｃ（１５０℃）における
関係がＲ＝（Ｂｓ−３００）2 ／Ｈｃ（ただしＲ≧４０
０）の条件を満たすものとするため、Ｒの値（Ｒ≧４０
０）を指標として直流重畳特性が優れたものを得ること
ができる。
度Ｂｓ（１５０℃）と保磁力Ｈｃ（１５０℃）における
関係がＲ＝（Ｂｓ−３００）2 ／Ｈｃ（ただしＲ≧４０
０）の条件を満たすものとするため、Ｒの値（Ｒ≧４０
０）を指標として直流重畳特性が優れたものを得ること
ができる。
【００６６】（７）：前記のＮｉＭｎＺｎ系フェライト
を使用するトランス又はチョークコイルとするため、直
流重畳特性が優れ、広温度域において使用できるトラン
ス又はチョークコイルを作製することができる。
を使用するトランス又はチョークコイルとするため、直
流重畳特性が優れ、広温度域において使用できるトラン
ス又はチョークコイルを作製することができる。
【図１】直流重畳特性の説明図である。
【図２】Ｒの値と直流重畳特性の関係の説明図である。
【図３】トランス及びチョークコイルの説明図である。
Claims (5)
- 【請求項１】ＮｉＭｎＺｎ系フェライトにおいて、その
主成分が以下の通りである主成分範囲にあり、 Ｆｅ2 Ｏ3 ＝５３〜５９ｍｏｌ％、 ＭｎＯ ＝２２〜４１ｍｏｌ％、 ＺｎＯ ＝ ４〜１２ｍｏｌ％、 ＮｉＯ ＝ ２〜 ７ｍｏｌ％、 かつ上記ＮｉＭｎＺｎ系フェライトの副成分が以下の副
成分範囲内にあり、 ＳｉＯ2 ：０．００５ 〜０．０３ｗｔ％ ＣａＯ ：０．００８ 〜０．１７ｗｔ％ Ｐ ：０．０００４〜０．０１ｗｔ％さらに、以下の添加物を以下の所定の範囲内で１種また
は２種以上を添加することを特徴とするＮｉＭｎＺｎ系
フェライト。 Ｎｂ 2 Ｏ 5 ：０．００５〜０．０３ｗｔ％ Ｔａ 2 Ｏ 5 ：０．０１ 〜０．０８ｗｔ％ Ｖ 2 Ｏ 5 ：０．０１ 〜０．１ ｗｔ％ ＺｒＯ 2 ：０．００５〜０．０３ｗｔ％ Ｂｉ 2 Ｏ 3 ：０．００５〜０．０４ｗｔ％ ＭｏＯ 3 ：０．００５〜０．０４ｗｔ％ - 【請求項２】請求項１に記載されたＮｉＭｎＺｎ系フェ
ライトにおいて、 焼結体の平均結晶粒径が６μｍ〜２５μｍであることを
特徴とするＮｉＭｎＺｎ系フェライト。 - 【請求項３】請求項２に記載されたＮｉＭｎＺｎ系フェ
ライトにおいて、 焼結体の飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が４４０ｍＴ以
上であることを特徴とするＮｉＭｎＺｎ系フェライト。 - 【請求項４】請求項３に記載されたＮｉＭｎＺｎ系フェ
ライトにおいて、 Ｂ−Ｈループにおける飽和磁束密度Ｂｓ（１５０℃）と
保磁力Ｈｃ（１５０℃）における関係が下記の条件を満
たすことを特徴とするＮｉＭｎＺｎ系フェライト。 Ｒ＝（Ｂｓ−３００）2 ／Ｈｃ ただしＲ≧４００ - 【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載されたＮｉ
ＭｎＺｎ系フェライトを使用することを特徴とするトラ
ンス又はチョークコイル。
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