JP2000182816A - マンガン系フェライト及びそれを使用したトランス並びにチョ―クコイル - Google Patents
マンガン系フェライト及びそれを使用したトランス並びにチョ―クコイルInfo
- Publication number
- JP2000182816A JP2000182816A JP10375616A JP37561698A JP2000182816A JP 2000182816 A JP2000182816 A JP 2000182816A JP 10375616 A JP10375616 A JP 10375616A JP 37561698 A JP37561698 A JP 37561698A JP 2000182816 A JP2000182816 A JP 2000182816A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manganese
- mol
- ppm
- zno
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 所定値以上の高い飽和磁束密度Ｂｓと所定値
以下の低い初透磁率μｉを備え、しかも主成分中のＺｎ
Ｏの含有量が０に近い所定値以下においても相対密度が
低下せず高い初透磁率μｉを維持することのできるマン
ガン系フェライトを提供する。 【解決手段】 本発明のマンガン系フェライトは、その
主成分が下記のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの４点を直線で結んだＦ
ｅ2Ｏ3、ＭｎＯおよびＺｎＯにそれぞれ換算しての酸化
鉄、酸化マンガンおよび酸化亜鉛の三元系主成分範囲内
にあり、 Ａ：Ｆｅ2Ｏ3＝５８．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ： ０ｍｏｌ％ Ｂ：Ｆｅ2Ｏ3＝５４．５ｍｏｌ％、ＺｎＯ：７．０ｍｏｌ％ Ｃ：Ｆｅ2Ｏ3＝５３．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：５．０ｍｏｌ％ Ｄ：Ｆｅ2Ｏ3＝５３．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ： ０ｍｏｌ％ （いずれの点も残部ＭｎＯ） かつ副成分として酸化珪素をＳｉＯ2に換算して３００
ｐｐｍ以下および酸化カルシウムをＣａＯ換算で１６８
０ｐｐｍ以下含有し、さらに、不純物としてのＰが１０
０ｐｐｍ以下、およびＢが６０ｐｐｍ以下である。
以下の低い初透磁率μｉを備え、しかも主成分中のＺｎ
Ｏの含有量が０に近い所定値以下においても相対密度が
低下せず高い初透磁率μｉを維持することのできるマン
ガン系フェライトを提供する。 【解決手段】 本発明のマンガン系フェライトは、その
主成分が下記のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの４点を直線で結んだＦ
ｅ2Ｏ3、ＭｎＯおよびＺｎＯにそれぞれ換算しての酸化
鉄、酸化マンガンおよび酸化亜鉛の三元系主成分範囲内
にあり、 Ａ：Ｆｅ2Ｏ3＝５８．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ： ０ｍｏｌ％ Ｂ：Ｆｅ2Ｏ3＝５４．５ｍｏｌ％、ＺｎＯ：７．０ｍｏｌ％ Ｃ：Ｆｅ2Ｏ3＝５３．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：５．０ｍｏｌ％ Ｄ：Ｆｅ2Ｏ3＝５３．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ： ０ｍｏｌ％ （いずれの点も残部ＭｎＯ） かつ副成分として酸化珪素をＳｉＯ2に換算して３００
ｐｐｍ以下および酸化カルシウムをＣａＯ換算で１６８
０ｐｐｍ以下含有し、さらに、不純物としてのＰが１０
０ｐｐｍ以下、およびＢが６０ｐｐｍ以下である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トランス及びチョ
ーク用のコアに用いられるマンガン（マンガン系−亜鉛
系を含む）系フェライトの特性改善及びそれを使用した
トランス並びにチョークコイルに関する。
ーク用のコアに用いられるマンガン（マンガン系−亜鉛
系を含む）系フェライトの特性改善及びそれを使用した
トランス並びにチョークコイルに関する。
【０００２】
【従来の技術】上記したトランス及びチョーク用のコア
に用いられるマンガン系フェライトにおいては、直流重
畳特性の向上、および漏洩磁束に因る発熱量低減のた
め、飽和磁束密度Ｂｓが大きく、初透磁率μｉが所定値
（例えば１８００）以下であることが好ましい。
に用いられるマンガン系フェライトにおいては、直流重
畳特性の向上、および漏洩磁束に因る発熱量低減のた
め、飽和磁束密度Ｂｓが大きく、初透磁率μｉが所定値
（例えば１８００）以下であることが好ましい。
【０００３】高い飽和磁束密度Ｂｓの実現を目的とした
マンガン系フェライトとしては、特開昭６１−１０１４
５８公報（従来技術１）に、組成が下記組成１または２
で、高温・高周波領域において高飽和磁束密度と低電力
損失を呈するマンガン系フェライトが開示されている。
マンガン系フェライトとしては、特開昭６１−１０１４
５８公報（従来技術１）に、組成が下記組成１または２
で、高温・高周波領域において高飽和磁束密度と低電力
損失を呈するマンガン系フェライトが開示されている。
【０００４】組成１ 主成分 Ｆｅ2Ｏ3：５２〜５８ｍｏｌ％ ＭｎＯ ：４２〜４８ｍｏｌ％ 添加物 ＣａＯ ：０．０１〜０．２重量％ ＳｉＯ2 ：０．１重量％以下
【０００５】組成２ 主成分 Ｆｅ2Ｏ3：５２〜５８ｍｏｌ％ ＭｎＯ ：３５〜４８ｍｏｌ％ ＺｎＯ ：７ｍｏｌ％以下 添加物 ＣａＯ ：０．０１〜０．２重量％ ＳｉＯ2 ：０．１重量％以下
【０００６】また、特開昭６３−１４４０６号公報（従
来技術２）、組成が下記組成で、高温における飽和磁束
密度が低温に比べて大きく低下することのない（変化
率：７．７％〜１５．６％）マンガン−亜鉛系フェライ
トが開示されている。
来技術２）、組成が下記組成で、高温における飽和磁束
密度が低温に比べて大きく低下することのない（変化
率：７．７％〜１５．６％）マンガン−亜鉛系フェライ
トが開示されている。
【０００７】組成 主成分 Ｆｅ2Ｏ3：５０〜６０ｍｏｌ％ ＺｎＯ ：０〜９ｍｏｌ％ ＭｎＯ ：残部
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記いずれの
従来技術においても初透磁率が従来のトランス、チョー
ク用フェライトと同等もしくはそれ以下の所定値が得ら
れていない。フェライトをトランス、チョークコイル用
として使用する場合、発熱が重要な要素となるが、発熱
の要素にはコア自体の発熱と銅損等による発熱の二つの
因子がある。従来より、コア自体の発熱についてはさま
ざまな検討が行われ低損失化を図っているが、銅損を考
慮した低損失化の検討はまだまだ不十分である。銅損に
よる発熱は電流と巻線抵抗で決まるジュール熱の他、直
流重畳特性を緩和するために設けられたギャップからの
漏洩磁束に因るものがある。機能的には、最低限必要な
ＡＬ値に合わせることができる初透磁率があり、飽和磁
束密度が大きければ、高い初透磁率は必要ない。一方、
熱的な設計からはギャップをできるだけ小さくし、磁束
の漏洩を抑えることが望ましい。漏洩した磁束はワイヤ
ーや止め金具等導電性の物質と交差し、過電流を発生さ
せる。電磁誘導加熱の系がコイルを中心にできることに
なる。よって初透磁率でギャップを小さくできることが
重要である。発熱量が大きい場合、熱による部材の損傷
の他チョークコイルにおいてはコアが温度上昇すること
により飽和磁束密度が低下し直流重畳特性が劣化する。
また、トランスにおいてはトランスとして最も重要な機
能である効率が低下するという問題が生じる。
従来技術においても初透磁率が従来のトランス、チョー
ク用フェライトと同等もしくはそれ以下の所定値が得ら
れていない。フェライトをトランス、チョークコイル用
として使用する場合、発熱が重要な要素となるが、発熱
の要素にはコア自体の発熱と銅損等による発熱の二つの
因子がある。従来より、コア自体の発熱についてはさま
ざまな検討が行われ低損失化を図っているが、銅損を考
慮した低損失化の検討はまだまだ不十分である。銅損に
よる発熱は電流と巻線抵抗で決まるジュール熱の他、直
流重畳特性を緩和するために設けられたギャップからの
漏洩磁束に因るものがある。機能的には、最低限必要な
ＡＬ値に合わせることができる初透磁率があり、飽和磁
束密度が大きければ、高い初透磁率は必要ない。一方、
熱的な設計からはギャップをできるだけ小さくし、磁束
の漏洩を抑えることが望ましい。漏洩した磁束はワイヤ
ーや止め金具等導電性の物質と交差し、過電流を発生さ
せる。電磁誘導加熱の系がコイルを中心にできることに
なる。よって初透磁率でギャップを小さくできることが
重要である。発熱量が大きい場合、熱による部材の損傷
の他チョークコイルにおいてはコアが温度上昇すること
により飽和磁束密度が低下し直流重畳特性が劣化する。
また、トランスにおいてはトランスとして最も重要な機
能である効率が低下するという問題が生じる。
【０００９】また、理論的には主成分中のＺｎＯが減少
しＭｎＯが増加することにより飽和磁束密度Ｂｓ（１０
０℃）は高くなるが、上記いずれの従来技術においても
主成分中のＺｎＯの含有量が低くなると（特に５mol%以
下の主成分）、相対密度の低下が起こり、４４０mT以上
の飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）、好ましくは４４５mT
以上の飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）を得られていな
い。
しＭｎＯが増加することにより飽和磁束密度Ｂｓ（１０
０℃）は高くなるが、上記いずれの従来技術においても
主成分中のＺｎＯの含有量が低くなると（特に５mol%以
下の主成分）、相対密度の低下が起こり、４４０mT以上
の飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）、好ましくは４４５mT
以上の飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）を得られていな
い。
【００１０】そこで本発明は、４４０mT以上の飽和磁束
密度Ｂｓ（１００℃）、好ましくは４４５mT以上の飽和
磁束密度Ｂｓ（１００℃）と１８００以下の所望の低い
初透磁率を兼ね備え、しかも主成分中のＺｎＯの含有量
が５mol%以下の組成においても相対密度が低下せず高い
飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）を維持することのできる
マンガン系フェライト、およびそれを用いたトランス並
びにチョークコイルを提供することを目的とする。
密度Ｂｓ（１００℃）、好ましくは４４５mT以上の飽和
磁束密度Ｂｓ（１００℃）と１８００以下の所望の低い
初透磁率を兼ね備え、しかも主成分中のＺｎＯの含有量
が５mol%以下の組成においても相対密度が低下せず高い
飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）を維持することのできる
マンガン系フェライト、およびそれを用いたトランス並
びにチョークコイルを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（６）のいずれかの構成により達成される。 （１） マンガン系フェライトにおいて、その主成分が
下記のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの４点を直線で結んだＦｅ2Ｏ3、
ＭｎＯおよびＺｎＯにそれぞれ換算しての酸化鉄、酸化
マンガンおよび酸化亜鉛の三元系主成分範囲内にあり、 Ａ：Ｆｅ2Ｏ3＝５８．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ： ０ｍｏｌ％ Ｂ：Ｆｅ2Ｏ3＝５４．５ｍｏｌ％、ＺｎＯ：７．０ｍｏｌ％ Ｃ：Ｆｅ2Ｏ3＝５３．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：５．０ｍｏｌ％ Ｄ：Ｆｅ2Ｏ3＝５３．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ： ０ｍｏｌ％ （いずれの点も残部ＭｎＯ） かつ副成分として酸化珪素をＳｉＯ2に換算して３００
ｐｐｍ以下および酸化カルシウムをＣａＯ換算で１６８
０ｐｐｍ以下含有し、さらに、不純物としてのＰが１０
０ｐｐｍ以下、およびＢが６０ｐｐｍ以下であるマンガ
ン系フェライト。 （２） 飽和磁束密度（１００℃）が４４０ｍＴ以上、
かつ初透磁率が１８００以下５００以上である上記
（１）のマンガン系フェライト。 （３） 飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が４４５ｍＴ以
上、かつ初透磁率が１８００以下５００以上である上記
（２）のマンガン系フェライト。 （４） 添加物として下記の添加物を下記の範囲内で１
種または２種以上が添加された上記（１）〜（３）のい
ずれかのマンガン系フェライト。 酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5換算） ：５０〜３００ ｐｐｍ 酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ5換算）：１００〜１０００ｐｐｍ 酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3換算）：５０〜５００ ｐｐｍ 酸化モリブデン（ＭｏＯ） ：５０〜４００ ｐｐｍ （５） 上記（１）〜（４）のいずれかに記載のマンガ
ン系フェライトを使用したトランス。 （６） 上記（１）〜（４）のいずれかに記載のマンガ
ン系フェライトを使用したチョークコイル。
（１）〜（６）のいずれかの構成により達成される。 （１） マンガン系フェライトにおいて、その主成分が
下記のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの４点を直線で結んだＦｅ2Ｏ3、
ＭｎＯおよびＺｎＯにそれぞれ換算しての酸化鉄、酸化
マンガンおよび酸化亜鉛の三元系主成分範囲内にあり、 Ａ：Ｆｅ2Ｏ3＝５８．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ： ０ｍｏｌ％ Ｂ：Ｆｅ2Ｏ3＝５４．５ｍｏｌ％、ＺｎＯ：７．０ｍｏｌ％ Ｃ：Ｆｅ2Ｏ3＝５３．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：５．０ｍｏｌ％ Ｄ：Ｆｅ2Ｏ3＝５３．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ： ０ｍｏｌ％ （いずれの点も残部ＭｎＯ） かつ副成分として酸化珪素をＳｉＯ2に換算して３００
ｐｐｍ以下および酸化カルシウムをＣａＯ換算で１６８
０ｐｐｍ以下含有し、さらに、不純物としてのＰが１０
０ｐｐｍ以下、およびＢが６０ｐｐｍ以下であるマンガ
ン系フェライト。 （２） 飽和磁束密度（１００℃）が４４０ｍＴ以上、
かつ初透磁率が１８００以下５００以上である上記
（１）のマンガン系フェライト。 （３） 飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が４４５ｍＴ以
上、かつ初透磁率が１８００以下５００以上である上記
（２）のマンガン系フェライト。 （４） 添加物として下記の添加物を下記の範囲内で１
種または２種以上が添加された上記（１）〜（３）のい
ずれかのマンガン系フェライト。 酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5換算） ：５０〜３００ ｐｐｍ 酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ5換算）：１００〜１０００ｐｐｍ 酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3換算）：５０〜５００ ｐｐｍ 酸化モリブデン（ＭｏＯ） ：５０〜４００ ｐｐｍ （５） 上記（１）〜（４）のいずれかに記載のマンガ
ン系フェライトを使用したトランス。 （６） 上記（１）〜（４）のいずれかに記載のマンガ
ン系フェライトを使用したチョークコイル。
【００１２】
【作用および効果】本発明においては、マンガン系フェ
ライトの主成分をキュリー温度が２８０℃以上の高い主
成分範囲、かつ所定の副成分範囲に制御することによっ
て、なおかつ焼結過程において異常粒成長を引き起こす
原因となるＰ、Ｂを所定含有量以下に制御することによ
って、４４０ｍＴ以上の飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）
かつ初透磁率が所定の低い値となるマンガン系フェライ
トを得ることができ、また同時に、主成分中のＺｎＯの
含有量が０に近い主成分（特に５mol%以下）においても
相対密度が低下せず高い飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）
を維持すること出来た。
ライトの主成分をキュリー温度が２８０℃以上の高い主
成分範囲、かつ所定の副成分範囲に制御することによっ
て、なおかつ焼結過程において異常粒成長を引き起こす
原因となるＰ、Ｂを所定含有量以下に制御することによ
って、４４０ｍＴ以上の飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）
かつ初透磁率が所定の低い値となるマンガン系フェライ
トを得ることができ、また同時に、主成分中のＺｎＯの
含有量が０に近い主成分（特に５mol%以下）においても
相対密度が低下せず高い飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）
を維持すること出来た。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明のマンガン系フェライト
は、主成分として、図１に示した下記のＡ、Ｂ、Ｃおよ
びＤの４点、好ましくはＡ、Ｅ、ＦおよびＧの４点、特
に好ましくはＡ、Ｈ、ＩおよびＧの４点を直線で結んだ
Ｆｅ2Ｏ3、ＭｎＯおよびＺｎＯにそれぞれ換算しての酸
化鉄、酸化マンガンおよび酸化亜鉛の三元系主成分範囲
内にある。
は、主成分として、図１に示した下記のＡ、Ｂ、Ｃおよ
びＤの４点、好ましくはＡ、Ｅ、ＦおよびＧの４点、特
に好ましくはＡ、Ｈ、ＩおよびＧの４点を直線で結んだ
Ｆｅ2Ｏ3、ＭｎＯおよびＺｎＯにそれぞれ換算しての酸
化鉄、酸化マンガンおよび酸化亜鉛の三元系主成分範囲
内にある。
【００１４】 Ａ：Ｆｅ2Ｏ3＝５８．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ： ０ｍｏｌ％ Ｂ：Ｆｅ2Ｏ3＝５４．５ｍｏｌ％、ＺｎＯ：７．０ｍｏｌ％ Ｃ：Ｆｅ2Ｏ3＝５３．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：５．０ｍｏｌ％ Ｄ：Ｆｅ2Ｏ3＝５３．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ： ０ｍｏｌ％ Ｅ：Ｆｅ2Ｏ3＝５６．１ｍｏｌ％、ＺｎＯ：３．９ｍｏｌ％ Ｆ：Ｆｅ2Ｏ3＝５４．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：３．９ｍｏｌ％ Ｇ：Ｆｅ2Ｏ3＝５４．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ： ０ｍｏｌ％ Ｈ：Ｆｅ2Ｏ3＝５７．１ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１．９ｍｏｌ％ Ｉ：Ｆｅ2Ｏ3＝５４．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１．９ｍｏｌ％ （いずれの点も残部ＭｎＯ）
【００１５】主成分の組成が、上記点Ａと点Ｂを結ぶ線
分から外れるとμｉを所定の低い値に制御することがで
きない。
分から外れるとμｉを所定の低い値に制御することがで
きない。
【００１６】上記点Ｂと点Ｃを結ぶ線分から外れると、
μｉを所定の低い値に制御することができず、かつ、飽
和磁束密度Ｂｓの温度特性が低下し、高い飽和磁束密度
Ｂｓ（１００℃）が得られない。そして、上記点Ｃと点
Ｄを結ぶ線分から外れると高い飽和磁束密度Ｂｓ（１０
０℃）が得られない。
μｉを所定の低い値に制御することができず、かつ、飽
和磁束密度Ｂｓの温度特性が低下し、高い飽和磁束密度
Ｂｓ（１００℃）が得られない。そして、上記点Ｃと点
Ｄを結ぶ線分から外れると高い飽和磁束密度Ｂｓ（１０
０℃）が得られない。
【００１７】本発明のマンガン系フェライトには、副成
分として、酸化珪素をＳｉＯ2に換算して３００ｐｐｍ
以下、好ましくは２００ｐｐｍ以下、および酸化カルシ
ウムをＣａＯに換算して１６８０ｐｐｍ以下、好ましく
は１０００ｐｐｍ以下含有する。ＳｉＯ2の量が３００
ｐｐｍを越えると、焼結過程における異常粒成長を抑え
ることが困難となり、高い相対密度が得られず、結果と
して飽和磁束密度が得られない。ＣａＯが１６８０ｐｐ
ｍを越えると、飽和磁束密度が低下する。
分として、酸化珪素をＳｉＯ2に換算して３００ｐｐｍ
以下、好ましくは２００ｐｐｍ以下、および酸化カルシ
ウムをＣａＯに換算して１６８０ｐｐｍ以下、好ましく
は１０００ｐｐｍ以下含有する。ＳｉＯ2の量が３００
ｐｐｍを越えると、焼結過程における異常粒成長を抑え
ることが困難となり、高い相対密度が得られず、結果と
して飽和磁束密度が得られない。ＣａＯが１６８０ｐｐ
ｍを越えると、飽和磁束密度が低下する。
【００１８】そして、本発明のマンガン系フェライトで
は、不純物としてのＰの含有量が、１００ｐｐｍ以下、
好ましくは３〜６０ｐｐｍ、かつＢの含有量が６０ｐｐ
ｍ以下、好ましくは２〜３０ｐｐｍに規定されている。
Ｐの含有量が１００ｐｐｍを越えると、焼結過程におい
て異常粒成長が生じ飽和磁束密度が得られない。
は、不純物としてのＰの含有量が、１００ｐｐｍ以下、
好ましくは３〜６０ｐｐｍ、かつＢの含有量が６０ｐｐ
ｍ以下、好ましくは２〜３０ｐｐｍに規定されている。
Ｐの含有量が１００ｐｐｍを越えると、焼結過程におい
て異常粒成長が生じ飽和磁束密度が得られない。
【００１９】Ｂの含有量が６０ｐｐｍを越えると、Ｐ同
様に焼結過程において異常粒成長が生じ、飽和磁束密度
が得られない。
様に焼結過程において異常粒成長が生じ、飽和磁束密度
が得られない。
【００２０】なお、ＰとＢの含有量の調整は、これらの
２成分の含有量の少ない主成分原材料を選定し、コンタ
ミ量を考慮して補正するか、必要によっては、脱燐、脱
硼素工程をかけた原材料を用いて行うことが好ましい。
２成分の含有量の少ない主成分原材料を選定し、コンタ
ミ量を考慮して補正するか、必要によっては、脱燐、脱
硼素工程をかけた原材料を用いて行うことが好ましい。
【００２１】さらに、本発明のマンガン系フェライトに
は、添加物として下記酸化物を下記の範囲の量内で１種
または２種以上が添加されていることが好ましい。 Ｎｂ2Ｏ5 ５０〜３００ｐｐｍ Ｖ2Ｏ5 １００〜１０００ｐｐｍ Ｂｉ2Ｏ3 ５０〜５００ｐｐｍ ＭｏＯ ５０〜４００ｐｐｍ 本発明のマンガン系フェライトに、これらの酸化物を上
記の範囲内で添加すると、飽和磁束密度Ｂｓが向上す
る。
は、添加物として下記酸化物を下記の範囲の量内で１種
または２種以上が添加されていることが好ましい。 Ｎｂ2Ｏ5 ５０〜３００ｐｐｍ Ｖ2Ｏ5 １００〜１０００ｐｐｍ Ｂｉ2Ｏ3 ５０〜５００ｐｐｍ ＭｏＯ ５０〜４００ｐｐｍ 本発明のマンガン系フェライトに、これらの酸化物を上
記の範囲内で添加すると、飽和磁束密度Ｂｓが向上す
る。
【００２２】本発明のマンガン系フェライトにおいて
は、添加物としてその他、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｓｕ、Ｍ
ｇ、Ｔａ、Ｃｏ等を含有してもよい。その他の添加物の
含有量は、全体で、０．０１〜２wt％程度であることが
好ましい。
は、添加物としてその他、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｓｕ、Ｍ
ｇ、Ｔａ、Ｃｏ等を含有してもよい。その他の添加物の
含有量は、全体で、０．０１〜２wt％程度であることが
好ましい。
【００２３】次に、本発明のマンガン系フェライトの製
造方法について説明する。まず、特公昭４７−１１５５
０号公報等に記載されている噴霧焙焼により製造された
Ｆｅ2Ｏ3とＭｎ3Ｏ4との混合粉末にＺｎＯを加え、ボー
ルミル等により混合粉砕する。また、通常の粉末冶金法
に従い、Ｆｅ2Ｏ3、Ｍｎ3Ｏ4、ＺｎＯをボールミル等で
混合し、仮焼し、ボールミル等で粉砕してもよい。粉砕
後の平均一次粒子径は、１．０〜２．５μｍ程度である
ことが好ましい。
造方法について説明する。まず、特公昭４７−１１５５
０号公報等に記載されている噴霧焙焼により製造された
Ｆｅ2Ｏ3とＭｎ3Ｏ4との混合粉末にＺｎＯを加え、ボー
ルミル等により混合粉砕する。また、通常の粉末冶金法
に従い、Ｆｅ2Ｏ3、Ｍｎ3Ｏ4、ＺｎＯをボールミル等で
混合し、仮焼し、ボールミル等で粉砕してもよい。粉砕
後の平均一次粒子径は、１．０〜２．５μｍ程度である
ことが好ましい。
【００２４】なお、ＣａＣＯ3他上記の副成分および添
加物を添加する場合、添加は粉砕の前に行なうことが好
ましい。
加物を添加する場合、添加は粉砕の前に行なうことが好
ましい。
【００２５】粉砕後の粉末を乾燥した後、所定の形状に
成形する。
成形する。
【００２６】この成形体を所定の酸素濃度の雰囲気中で
焼結する。焼結温度すなわち高温保持温度は、焼結時の
雰囲気にもよるが、１３００〜１４５０℃であることが
好ましい。
焼結する。焼結温度すなわち高温保持温度は、焼結時の
雰囲気にもよるが、１３００〜１４５０℃であることが
好ましい。
【００２７】焼結時間すなわち高温保持時間は、１〜３
時間であることが好ましい。焼結温度までの昇温速度は
１００〜３００℃／時間であることが好ましい。また、
焼結温度からの降温すなわち冷却は、２００℃／時間以
下であることが好ましい。
時間であることが好ましい。焼結温度までの昇温速度は
１００〜３００℃／時間であることが好ましい。また、
焼結温度からの降温すなわち冷却は、２００℃／時間以
下であることが好ましい。
【００２８】以上により本発明のマンガン系フェライト
を製造することができ、この製造されたマンガン系フェ
ライトは、飽和磁束密度Ｂｓを１５Oeの印加磁界下（１
００℃）で４４０ｍＴ以上、好ましくは４４５ｍＴ以
上、初透磁率μｉを１００ｋＨｚで１８００以下を達成
できる。現在のところ、飽和磁束密度Ｂｓの上限は４６
０ｍＴ程度であり、初透磁率μｉの下限は５００程度で
ある。初透磁率の下限は５００以下も可能であるが、最
低限必要なＡＬ値を得るために５００程度とした。
を製造することができ、この製造されたマンガン系フェ
ライトは、飽和磁束密度Ｂｓを１５Oeの印加磁界下（１
００℃）で４４０ｍＴ以上、好ましくは４４５ｍＴ以
上、初透磁率μｉを１００ｋＨｚで１８００以下を達成
できる。現在のところ、飽和磁束密度Ｂｓの上限は４６
０ｍＴ程度であり、初透磁率μｉの下限は５００程度で
ある。初透磁率の下限は５００以下も可能であるが、最
低限必要なＡＬ値を得るために５００程度とした。
【００２９】本発明のマンガン系フェライトの相対密度
は、９６％以上であることが好ましく、現在のところそ
の上限値は９８％程度である。本発明のマンガン系フェ
ライトでは、特にＭｎＯの含有量が０に近い領域におい
ても相対密度が低下せず、高飽和磁束密度Ｂｓが維持で
きるという特徴がある。
は、９６％以上であることが好ましく、現在のところそ
の上限値は９８％程度である。本発明のマンガン系フェ
ライトでは、特にＭｎＯの含有量が０に近い領域におい
ても相対密度が低下せず、高飽和磁束密度Ｂｓが維持で
きるという特徴がある。
【００３０】また、本発明のマンガン系フェライトは、
平均結晶粒径が１０〜１００μｍであることが好まし
い。平均結晶粒径が大きすぎると所定の低い初透磁率に
制御することが困難となり、小さすぎると高い飽和磁束
密度を得ることが困難となる。
平均結晶粒径が１０〜１００μｍであることが好まし
い。平均結晶粒径が大きすぎると所定の低い初透磁率に
制御することが困難となり、小さすぎると高い飽和磁束
密度を得ることが困難となる。
【００３１】この場合の平均結晶粒径は、以下のように
規定する。まず、フェライト焼結体の断面に現われる結
晶粒子の断面積の平均、すなわち、結晶粒子１個あたり
の断面積を求める。
規定する。まず、フェライト焼結体の断面に現われる結
晶粒子の断面積の平均、すなわち、結晶粒子１個あたり
の断面積を求める。
【００３２】次に、この断面積と同じ面積の大円を与え
る球の直径を求める。本発明では、この値を平均結晶粒
径とする。
る球の直径を求める。本発明では、この値を平均結晶粒
径とする。
【００３３】このような測定は、例えば、フェライト焼
結体を鏡面研磨後、フッ酸等によりエッチングし、これ
を５００〜１０００倍程度の金属電子顕微鏡により撮影
して得られた写真を用い、少なくとも面積が２５００μ
ｍ2 以上の範囲について測定することにより行なえばよ
い。
結体を鏡面研磨後、フッ酸等によりエッチングし、これ
を５００〜１０００倍程度の金属電子顕微鏡により撮影
して得られた写真を用い、少なくとも面積が２５００μ
ｍ2 以上の範囲について測定することにより行なえばよ
い。
【００３４】本発明のマンガン系フェライトを用いてコ
アを作成する場合、その形状は、つぼ型、トロイダル形
状、ＥＩ、ＥＥ、ＥＥＲ等とすることができる。このよ
うなコアは、コイルが巻かれてトランスあるいはチョー
クコイルとされる。
アを作成する場合、その形状は、つぼ型、トロイダル形
状、ＥＩ、ＥＥ、ＥＥＲ等とすることができる。このよ
うなコアは、コイルが巻かれてトランスあるいはチョー
クコイルとされる。
【００３５】本発明のマンガン系フェライトで形成され
たコアを用いたトランスは、従来のものに比べて直流重
畳特性が向上する。
たコアを用いたトランスは、従来のものに比べて直流重
畳特性が向上する。
【００３６】
【実施例】表１および表２の主成分、副成分、不純物、
添加物量となるように各成分を秤量、混合、仮焼、粉砕
後、バインダーを加え顆粒とし、トロイダル状のサンプ
ルを成形した。そのサンプルを、３００℃／時間で昇温
し、１３８０℃で６時間安定した。その後２００℃／時
間で室温まで冷却した。安定から室温までの雰囲気はフ
ェライトの平衡酸素分圧に従い設定した。なお、ＰとＢ
の制御は、主成分原料を選定して行うか、主成分原料の
ブレンドによって行った。なお、最終組成を蛍光Ｘ線に
より測定したところ、原料組成とほぼ対応するものであ
った。また、各サンプルは、外径３１ｍｍ、内径１９ｍ
ｍ、高さ８ｍｍのトロイダル状とした。
添加物量となるように各成分を秤量、混合、仮焼、粉砕
後、バインダーを加え顆粒とし、トロイダル状のサンプ
ルを成形した。そのサンプルを、３００℃／時間で昇温
し、１３８０℃で６時間安定した。その後２００℃／時
間で室温まで冷却した。安定から室温までの雰囲気はフ
ェライトの平衡酸素分圧に従い設定した。なお、ＰとＢ
の制御は、主成分原料を選定して行うか、主成分原料の
ブレンドによって行った。なお、最終組成を蛍光Ｘ線に
より測定したところ、原料組成とほぼ対応するものであ
った。また、各サンプルは、外径３１ｍｍ、内径１９ｍ
ｍ、高さ８ｍｍのトロイダル状とした。
【００３７】それらのサンプルの１００ｋＨｚでの初透
磁率μｉ、１５Oeの印加磁界下での飽和磁束密度Ｂｓ
（１００℃）および相対密度をそれぞれ測定した。な
お、相対密度は、アルキメデス法でコアの焼結密度を測
定し、その値をその主成分の理論密度で割った値をパー
セント表示したものである。その結果は表１および表２
の通りである。
磁率μｉ、１５Oeの印加磁界下での飽和磁束密度Ｂｓ
（１００℃）および相対密度をそれぞれ測定した。な
お、相対密度は、アルキメデス法でコアの焼結密度を測
定し、その値をその主成分の理論密度で割った値をパー
セント表示したものである。その結果は表１および表２
の通りである。
【００３８】
【表１】
【００３９】
【表２】
【００４０】実施例１〜２５に示すように主成分が図１
のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄで結ばれる領域内にあり、かつ副成
分、不純物が所定の範囲内に存在するものは飽和磁束密
度Ｂｓ（１００℃）が４４０ｍＴ以上の値で、かつ初透
磁率が１８００以下５００以上の所定値に制御されてい
る。しかし、主成分におけるＦｅ2Ｏ3成分が図１のＡ，
Ｂを結ぶ線より多い領域においては比較例１、４に示す
ように初透磁率が１８００以下の所定値に制御すること
ができない。また、主成分におけるＺｎＯ成分が図１の
Ｂ，Ｃを結ぶ線より多い領域（キュリー温度が２８０℃
より低くなる組成）においては比較例９に示すように相
対密度が高い焼結体においても飽和磁束密度Ｂｓ（１０
０℃）が４４０ｍＴ以上の値が得られず、Ｆｅ2Ｏ3成分
がＣ、Ｄを結ぶ線より少ない領域においても比較例３に
示すように飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が４４０ｍＴ
以上の値が得られない。また、比較例２、５、６、７、
８、１０、１１のように主成分が図１のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ
で結ばれる領域内にあるものでも、副成分、不純物の含
有量がいずれか１つでも所定の範囲を超えるマンガン系
フェライトについては十分な相対密度が得られず、４４
０ｍＴ以上の飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が得られな
い。
のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄで結ばれる領域内にあり、かつ副成
分、不純物が所定の範囲内に存在するものは飽和磁束密
度Ｂｓ（１００℃）が４４０ｍＴ以上の値で、かつ初透
磁率が１８００以下５００以上の所定値に制御されてい
る。しかし、主成分におけるＦｅ2Ｏ3成分が図１のＡ，
Ｂを結ぶ線より多い領域においては比較例１、４に示す
ように初透磁率が１８００以下の所定値に制御すること
ができない。また、主成分におけるＺｎＯ成分が図１の
Ｂ，Ｃを結ぶ線より多い領域（キュリー温度が２８０℃
より低くなる組成）においては比較例９に示すように相
対密度が高い焼結体においても飽和磁束密度Ｂｓ（１０
０℃）が４４０ｍＴ以上の値が得られず、Ｆｅ2Ｏ3成分
がＣ、Ｄを結ぶ線より少ない領域においても比較例３に
示すように飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が４４０ｍＴ
以上の値が得られない。また、比較例２、５、６、７、
８、１０、１１のように主成分が図１のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ
で結ばれる領域内にあるものでも、副成分、不純物の含
有量がいずれか１つでも所定の範囲を超えるマンガン系
フェライトについては十分な相対密度が得られず、４４
０ｍＴ以上の飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が得られな
い。
【００４１】また、実施例９〜２５に示すように主成
分、副成分、不純物が所定の範囲内にあるマンガン系フ
ェライトにおいて、Ｎｂ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5、Ｂｉ2Ｏ3、Ｍｏ
Ｏ3を所定の範囲で添加したものは、そうでないもの
（実施例１〜８）と比べ相対密度のより高い焼結体が得
られ、４４５ｍＴ以上の飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）
が得られる。更にまた、本発明においては、実施例１
０、１１、１２から分かるように、ＺｎＯの含有量が０
に近い領域であっても高飽和磁束密度Ｂｓが維持でき
る。
分、副成分、不純物が所定の範囲内にあるマンガン系フ
ェライトにおいて、Ｎｂ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5、Ｂｉ2Ｏ3、Ｍｏ
Ｏ3を所定の範囲で添加したものは、そうでないもの
（実施例１〜８）と比べ相対密度のより高い焼結体が得
られ、４４５ｍＴ以上の飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）
が得られる。更にまた、本発明においては、実施例１
０、１１、１２から分かるように、ＺｎＯの含有量が０
に近い領域であっても高飽和磁束密度Ｂｓが維持でき
る。
【００４２】また、実施例のサンプルのフェライト焼結
体を鏡面研磨後、フッ酸によりエッチングし、研磨面を
５００倍の光学顕微鏡により撮影した写真に基づきこれ
らのサンプルの平均結晶粒径ｄを調べた。
体を鏡面研磨後、フッ酸によりエッチングし、研磨面を
５００倍の光学顕微鏡により撮影した写真に基づきこれ
らのサンプルの平均結晶粒径ｄを調べた。
【００４３】なお、平均結晶粒径ｄの算出は、下記のよ
うにして行なった。まず、上記のようにして得られた写
真上に２００μｍ×２００μｍの正方形の区画をとり、
この区画中に存在する結晶粒子の数を算定した。ただ
し、区画の境界に存在する結晶粒子は、１／２個として
数えた。この数をｎとし、下記式により平均結晶粒径ｄ
を算出した。
うにして行なった。まず、上記のようにして得られた写
真上に２００μｍ×２００μｍの正方形の区画をとり、
この区画中に存在する結晶粒子の数を算定した。ただ
し、区画の境界に存在する結晶粒子は、１／２個として
数えた。この数をｎとし、下記式により平均結晶粒径ｄ
を算出した。
【００４４】
【数１】
【００４５】その結果、実施例のサンプルでは、ｄ＝１
０〜１００μmの範囲内であった。また、実施例３と比
較例９を用い同形状のトランスを作製し、直流重量特性
を調べた。トランスは、ＥＥＲ４０形状とした。その結
果を図２に示す。図２のように本発明においては１００
℃での直流重量特性が、１２％改善できた。
０〜１００μmの範囲内であった。また、実施例３と比
較例９を用い同形状のトランスを作製し、直流重量特性
を調べた。トランスは、ＥＥＲ４０形状とした。その結
果を図２に示す。図２のように本発明においては１００
℃での直流重量特性が、１２％改善できた。
【図１】本発明のマンガン系フェライトの主成分範囲を
示す図である。
示す図である。
【図２】実施例３と比較例９をトランスにした場合の１
００℃における直流重量特性を示す特性図である。
００℃における直流重量特性を示す特性図である。
Claims (6)
- 【請求項１】 マンガン系フェライトにおいて、その主
成分が下記のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの４点を直線で結んだＦｅ
2Ｏ3、ＭｎＯおよびＺｎＯにそれぞれ換算しての酸化
鉄、酸化マンガンおよび酸化亜鉛の三元系主成分範囲内
にあり、 Ａ：Ｆｅ2Ｏ3＝５８．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ： ０ｍｏｌ％ Ｂ：Ｆｅ2Ｏ3＝５４．５ｍｏｌ％、ＺｎＯ：７．０ｍｏｌ％ Ｃ：Ｆｅ2Ｏ3＝５３．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：５．０ｍｏｌ％ Ｄ：Ｆｅ2Ｏ3＝５３．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ： ０ｍｏｌ％ （いずれの点も残部ＭｎＯ） かつ副成分として酸化珪素をＳｉＯ2に換算して３００
ｐｐｍ以下および酸化カルシウムをＣａＯ換算で１６８
０ｐｐｍ以下含有し、 さらに、不純物としてのＰが１００ｐｐｍ以下、および
Ｂが６０ｐｐｍ以下であるマンガン系フェライト。 - 【請求項２】 飽和磁束密度（１００℃）が４４０ｍＴ
以上、かつ初透磁率が１８００以下５００以上である請
求項１のマンガン系フェライト。 - 【請求項３】 飽和磁束密度Ｂｓ（１００℃）が４４５
ｍＴ以上、かつ初透磁率が１８００以下５００以上であ
る請求項２のマンガン系フェライト。 - 【請求項４】 添加物として下記の添加物を下記の範囲
内で１種または２種以上が添加された請求項１〜３のい
ずれかのマンガン系フェライト。 酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5換算） ：５０〜３００ ｐｐｍ 酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ5換算）：１００〜１０００ｐｐｍ 酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3換算）：５０〜５００ ｐｐｍ 酸化モリブデン（ＭｏＯ） ：５０〜４００ ｐｐｍ - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載のマンガ
ン系フェライトを使用したトランス。 - 【請求項６】 請求項１〜４のいずれかに記載のマンガ
ン系フェライトを使用したチョークコイル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37561698A JP4299390B2 (ja) | 1998-12-16 | 1998-12-16 | マンガン系フェライト及びそれを使用したトランス並びにチョークコイル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37561698A JP4299390B2 (ja) | 1998-12-16 | 1998-12-16 | マンガン系フェライト及びそれを使用したトランス並びにチョークコイル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000182816A true JP2000182816A (ja) | 2000-06-30 |
| JP4299390B2 JP4299390B2 (ja) | 2009-07-22 |
Family
ID=18505797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37561698A Expired - Fee Related JP4299390B2 (ja) | 1998-12-16 | 1998-12-16 | マンガン系フェライト及びそれを使用したトランス並びにチョークコイル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4299390B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1320108A2 (en) * | 2001-12-12 | 2003-06-18 | Spang & Company | Ferrite materials, methods of preparing the same, and products formed therefrom |
| US6650068B2 (en) | 2000-03-13 | 2003-11-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Induction coil core, illumination unit using the same, and polycrystalline ferrite |
| JP2007269502A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Tdk Corp | Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト材料 |
| JP2007311387A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Nec Tokin Corp | 酸化物磁性材料 |
| CN103601481A (zh) * | 2013-09-16 | 2014-02-26 | 南通万宝实业有限公司 | 变频电机用新型稀土共掺fb9永磁体的制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03223119A (ja) * | 1989-12-26 | 1991-10-02 | Kawasaki Steel Corp | 低損失Ｍｎ―Ｚｎ系フェライト |
| JPH05217733A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Tdk Corp | 酸化物磁性材料 |
| JPH07297020A (ja) * | 1994-04-27 | 1995-11-10 | Tdk Corp | フェライトおよび電源用フェライトコア |
| JPH0826732A (ja) * | 1994-07-18 | 1996-01-30 | Tdk Corp | ソフトフェライトの製造方法 |
| JPH08337465A (ja) * | 1995-06-15 | 1996-12-24 | Hitachi Metals Ltd | ソフトフェライト原料粉、フェライト焼結体及びその製造方法 |
| JPH09237709A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Kawasaki Steel Corp | 低損失酸化物磁性材料およびその製造方法 |
-
1998
- 1998-12-16 JP JP37561698A patent/JP4299390B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03223119A (ja) * | 1989-12-26 | 1991-10-02 | Kawasaki Steel Corp | 低損失Ｍｎ―Ｚｎ系フェライト |
| JPH05217733A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Tdk Corp | 酸化物磁性材料 |
| JPH07297020A (ja) * | 1994-04-27 | 1995-11-10 | Tdk Corp | フェライトおよび電源用フェライトコア |
| JPH0826732A (ja) * | 1994-07-18 | 1996-01-30 | Tdk Corp | ソフトフェライトの製造方法 |
| JPH08337465A (ja) * | 1995-06-15 | 1996-12-24 | Hitachi Metals Ltd | ソフトフェライト原料粉、フェライト焼結体及びその製造方法 |
| JPH09237709A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Kawasaki Steel Corp | 低損失酸化物磁性材料およびその製造方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6650068B2 (en) | 2000-03-13 | 2003-11-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Induction coil core, illumination unit using the same, and polycrystalline ferrite |
| EP1320108A2 (en) * | 2001-12-12 | 2003-06-18 | Spang & Company | Ferrite materials, methods of preparing the same, and products formed therefrom |
| EP1320108A3 (en) * | 2001-12-12 | 2004-03-24 | Spang & Company | Ferrite materials, methods of preparing the same, and products formed therefrom |
| US6858155B1 (en) | 2001-12-12 | 2005-02-22 | Spang & Company | Ferrite materials, methods of preparing the same, and products formed therefrom |
| JP2007269502A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Tdk Corp | Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト材料 |
| JP2007311387A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Nec Tokin Corp | 酸化物磁性材料 |
| CN103601481A (zh) * | 2013-09-16 | 2014-02-26 | 南通万宝实业有限公司 | 变频电机用新型稀土共掺fb9永磁体的制备方法 |
| CN103601481B (zh) * | 2013-09-16 | 2015-07-15 | 南通万宝实业有限公司 | 变频电机用稀土共掺fb9永磁体的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4299390B2 (ja) | 2009-07-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5846448A (en) | Ferrite and ferrite core for power supply | |
| JP3968188B2 (ja) | フェライト | |
| JP4523430B2 (ja) | 高飽和磁束密度Ｍｎ−Ｚｎ−Ｎｉ系フェライト | |
| JP5089970B2 (ja) | ＭｎＣｏＺｎフェライトおよびトランス用磁心 | |
| WO2004028997A1 (ja) | フェライト材料 | |
| JP3607203B2 (ja) | ＭｎＺｎ系フェライトの製造方法、ＭｎＺｎ系フェライト、および電源用フェライトコア | |
| JP5089963B2 (ja) | ＭｎＺｎＮｉフェライトの製造方法 | |
| JPH1064715A (ja) | 低損失フェライト磁心材料 | |
| JP4711897B2 (ja) | ＭｎＣｏＺｎフェライトおよびトランス用磁心 | |
| JP5019023B2 (ja) | Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト材料 | |
| JP3418827B2 (ja) | Ｍｎ−Ｚｎフェライトおよびその製造方法 | |
| JP3597673B2 (ja) | フェライト材料 | |
| JP3471896B2 (ja) | フェライトおよび電源用フェライトコア | |
| JP2004161593A (ja) | フェライト材料 | |
| JP4299390B2 (ja) | マンガン系フェライト及びそれを使用したトランス並びにチョークコイル | |
| JP4750563B2 (ja) | ＭｎＣｏＺｎフェライトおよびトランス用磁心 | |
| JPH08169756A (ja) | 低損失Ｍｎ−Ｚｎフェライトコアおよびその製造方法 | |
| JP2000340419A (ja) | マンガン亜鉛系フェライトコアの製造方法及びマンガン亜鉛系フェライトコア | |
| JP3597665B2 (ja) | Ｍｎ−Ｎｉフェライト材料 | |
| JP3790606B2 (ja) | Ｍｎ−Ｃｏフェライト材料 | |
| JP3446082B2 (ja) | Ｍｎ−Ｚｎフェライトおよびその製造方法 | |
| JP3597666B2 (ja) | Ｍｎ−Ｎｉフェライト材料 | |
| JP2005108977A (ja) | Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、トランス用磁心およびトランス | |
| JP2000327411A (ja) | Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトの製造方法 | |
| JP3584437B2 (ja) | Ｍｎ−Ｚｎフェライトの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040601 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050906 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071205 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071218 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080218 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090401 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090417 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140424 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |