JP5019023B2 - Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト材料 - Google Patents

Description

本発明は、例えば電源トランス等の磁心に用いられる、１ＭＨｚ以上、特に２ＭＨｚ以上の高周波域で用いるのに適したＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料に関するものである。

近年電気機器の小型化の進展が著しい。それに伴い各種電気機器に搭載される電源においても更なる小型化が求められている。一般にトランスを正弦波で駆動する場合、磁束密度ＢはＢ＝（Ｅ_ｐ／４．４４Ｎ_ｐＡｆ）×１０^７と表される。前記式においてＥ_ｐは印加電圧［Ｖ］、Ｎ_ｐは１次側巻き線数、Ａは磁心断面積［ｃｍ^２］、ｆは駆動周波数［Ｈｚ］である。前記式から明らかなように、トランスの小型化には駆動周波数の高周波化が有効であり、そのため近年においては数ＭＨｚという高い周波数での使用に耐えうる高性能な磁心が求められている。

現在、電源トランス等で最も多く用いられている磁心の材料として、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト材料が挙げられる。この材料は確かに１００ｋＨｚ程度の低周波域においては透磁率が高く、かつ損失（コア損失）が低く、磁心材料として重要な特性を満足するものである。しかしながらこのフェライト材料は駆動周波数が数ＭＨｚと高い場合には損失が著しく増大し、駆動周波数の高周波化が進む昨今においては使用に供されることが困難である。この問題に対し、特開平６−３１０３２０号公報（特許文献１）、特開平７−１３０５２７号公報（特許文献２）などではＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料に対し添加成分として種々の酸化物を含有させることにより３００ｋＨｚ−数ＭＨｚにおいて低損失を示す磁性材料が開示されている。これに対し高周波数における低損失特性が不十分であるとして、特開平１０−３４０８０７号公報（特許文献３）においてＦｅ_２Ｏ_３：５２〜５５ｍｏｌ％、ＣｏＯ：０．４〜１ｍｏｌ％を含み、残部が実質的にＭｎＯからなることを特徴とするＭｎ−Ｃｏ系フェライト材料が提案されている。

特開平６−３１０３２０号公報 特開平７−１３０５２７号公報 特開平１０−３４０８０７号公報

ところで、このようなＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料においては、通常、その損失の低いことが要求されるが、用途によっては、損失低減よりも、磁場劣化が少ないことが要求されることがある。
磁場劣化とは、１ＭＨｚ以上といった高周波領域で顕著な現象であり、焼結後に磁場を印加すると、電力損失が増大し、これとともにインダクタンスが増大するというものである。この現象は、印加された磁場によって磁区構造が変化し、誘導磁気異方性が低下するためと考えられる。
このような磁場劣化は、スイッチング電源のメイントランスやチョーク、あるいは電源用トランス等においては、特に安定性が要求されるため、上記のような磁場劣化をなるべく抑えることが望まれる。
本発明は、このような技術的課題に基づいてなされたもので、１ＭＨｚ以上の高周波域で、磁場劣化の少ないＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料を提供することを目的とする。

本発明者らが鋭意検討を行った結果、磁場劣化を抑えるには、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト材料の陽イオン欠陥量（δ、以下の式（１）で定義される）を調整するのが有効であることを見出した。
（Ｚｎ_ａ ^２+，Ｔｉ_ｂ ^４+，Ｍｎ_ｃ ^２+，Ｍｎ_ｄ ^３+，Ｆｅ_ｅ ^２+，Ｆｅ_ｆ ^３+，Ｃｏ_ｇ ²⁺，Ｃｏ_ｈ ^３+）_３Ｏ_４+δ…組成式（１）
ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＝３、δ＝ａ＋２ｂ＋ｃ＋（３／２）ｄ＋ｅ＋（３／２）ｆ＋ｇ＋（３／２）ｈ−４、[ｇ：ｈ＝１：２]

本発明者等の検討によると、１ＭＨｚ以上、特に２ＭＨｚ以上の高周波域において磁場劣化を低減するためには、陽イオン欠陥量δが所定の範囲にあることが有利であることを知見した。本発明はこの知見に基づくものであり、主成分として、Ｆｅ_２Ｏ_３：５３〜５４ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１〜７ｍｏｌ％、残部：ＭｎＯを含み、副成分として、ＣｏをＣｏ _３ Ｏ _４ 換算で０．１５〜０．６５ｗｔ％、ＳｉをＳｉＯ_２換算で０．０１〜０．０４５ｗｔ％、ＣａをＣａＣＯ_３換算で０．０５〜０．４０ｗｔ％を含み、下記フェライト組成式（１）におけるδ値（陽イオン欠陥量）が、３×１０^−３≦δ≦７×１０^−３であることを特徴とするＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料である。

さらに、本発明者等は、陽イオン欠陥量δのコントロールとともに、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト材料の平均結晶粒径を、ある範囲内に納めるのが重要であることも見出した。すなわち、本発明におけるＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料の平均結晶粒子径は、８μｍより大きく１５μｍ以下である。

本発明のＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料において、δ値は３×１０^−３≦δ＜５×１０^−３であることが好ましい。
また本発明の本発明のＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料において、室温から１２５℃における温度範囲において、励磁磁束密度５０ｍＴ、測定周波数２ＭＨｚにおける電力損失が３０００［ｋＷ／ｍ^３］以下であり、かつ磁場劣化率が１００％以下であるのが好ましい。ここで磁場劣化率とは、飽和磁束密度程度まで励磁させた直後における電力損失の、励磁前の電力損失に対する増加率であり、励磁直後（磁場劣化後）の電力損失をＰｃｖｒ、励磁前の初期の電力損失をｐｃｖとしたとき、
〔Ｐｃｖｒ−Ｐｃｖ〕／〔Ｐｃｖ〕×１００〔％〕
で表される。

本発明によれば、１ＭＨｚ以上の高周波域で、磁場劣化の少ないＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料を提供するがことでき、安定性に優れたトランス等を実現することが可能となる。

本発明によるＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料は上述したように、組成式（１）で示される陽イオン欠陥量δが、３×１０^−３≦δ≦７×１０^−３の条件を満たす。１ＭＨｚ以上の高周波域においては、陽イオン欠陥量δが、３×１０^−３未満になると、高温での損失Ｐｃｖが大きくなってしまう。また、陽イオン欠陥量δが７×１０^−３を超えると、磁場劣化率が大きくなり、磁場が印加されたときの安定性が損なわれる。本発明における好ましい陽イオン欠陥量δは３×１０^−３≦δ＜５×１０^−３、さらに好ましい陽イオン欠陥量δは３×１０^−３≦δ≦４．５×１０^−３である。

陽イオン欠陥量δは、焼成時の酸素分圧ＰＯ_２によって変動し、酸素分圧ＰＯ_２を高くすると陽イオン欠陥量δを多くすることができる。

また、本発明によるＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料は、その粒径（平均結晶粒子径）Ｄが８μｍよりも大きく、かつ１５μｍ以下であるという条件を満たす。１ＭＨｚ以上の高周波域においては、結晶粒径Ｄが８μｍ以下になると、磁場劣化率が大きくなり、磁場が印加されたときの安定性が損なわれる。また、結晶粒径Ｄが１５μｍよりも大きくなると、高温での損失Ｐｃｖが大きくなってしまう。本発明における好ましい結晶粒径Ｄは１２μｍ≦Ｄ≦１５μｍ、さらに好ましい結晶粒径Ｄは１３μｍ≦Ｄ≦１５μｍである。

次に、本発明によるＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料の組成限定理由について詳述する。
Ｆｅ_２Ｏ_３：５３〜５４ｍｏｌ％
Ｆｅ_２Ｏ_３は本発明のＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料の主成分をなす必須の構成であり、その量が少なすぎても、また多すぎても高温での損失Ｐｃｖが大きくなってしまう。また、その量が５４ｍｏｌ％を超えると、後述する実施例３で示すように、磁場劣化率が増大してしまう。したがって本発明では、Ｆｅ_２Ｏ_３量を５３〜５４ｍｏｌ％とする。

ＺｎＯ:１〜７ｍｏｌ％
ＺｎＯも本発明のＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料の主成分をなすものである。ＺｎＯの量によってＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料の周波数特性を制御することができる。即ち、ＺｎＯ量が少ないほど、高周波域での損失Ｐｃｖが小さくなる。ＺｎＯが７ｍｏｌ％を超えた場合、２ＭＨｚ以上の高周波域における損失Ｐｃｖが劣化するため、ＺｎＯの上限を７ｍｏｌ％とした。また、ＺｎＯ量が１ｍｏｌ％を下回ると、磁場劣化率が大きくなり、磁場が印加されたときの安定性が損なわれる。好ましいＺｎＯ量は２〜７ｍｏｌ％、さらに好ましいＺｎＯ量は５〜７ｍｏｌ％である。

本発明によるＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料は、Ｆｅ_２Ｏ_３およびＺｎＯの残部として他にＭｎ酸化物を主成分として含む。Ｍｎ酸化物としては、ＭｎＯ、Ｍｎ_３Ｏ_４を用いることができる。

本発明のＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料は、上記主成分の他に以下の副成分を含む。これら副成分を最適化することにより、高周波域における損失の低減および損失の温度特性が制御されている。
Ｃｏ：Ｃｏ_３Ｏ_４換算で０．１５〜０．６５ｗｔ％（１５００〜６５００ｐｐｍ）
Ｃｏ量が少なすぎると、損失Ｐｃｖの低減効果が十分に得られないため下限をＣｏ_３Ｏ_４換算で０．１５ｗｔ％とする。また、Ｃｏ量を増大させると、磁場劣化率が増大する。よって、ＣｏはＣｏ _３ Ｏ _４ 換算で０．６５ｗｔ％以下とする。好ましいＣｏ量はＣｏ_３Ｏ_４換算で０．１５〜０．５０ｗｔ％、さらに好ましいＣｏ量はＣｏ_３Ｏ_４換算で０．１５〜０．３０ｗｔ％である。

Ｓｉ：ＳｉＯ_２換算で０．０１〜０．０４５ｗｔ％
Ｓｉは結晶粒界に偏析して粒界抵抗を増大させ電流損失を低減させる効果がある。この効果により高周波域における損失を低減させる効果が得られる。この効果を得るために、ＳｉをＳｉＯ_２換算で０．０１ｗｔ％以上添加する。しかしながら、Ｓｉの過剰な添加は異常粒成長を誘発する。そのため、ＳｉはＳｉＯ_２換算で０．０４５ｗｔ％以下とする。好ましいＳｉ量はＳｉＯ_２換算で０．０１〜０．０３ｗｔ％、さらに好ましいＳｉ量はＳｉＯ_２換算で０．０１〜０．０２ｗｔ％である。

Ｃａ:ＣａＣＯ_３換算で０．０５〜０．４０ｗｔ％
Ｃａは結晶粒界に偏析して粒界抵抗を増大させ電流損失を低減させる効果、異常粒成長を抑える効果がある。この効果を得るために、ＣａをＣａＣＯ_３換算で０．０５ｗｔ％以上添加する。しかしながら、Ｃａの過剰な添加は高周波粋における損失を増大させるため、ＣａはＣａＣＯ_３換算で０．４０ｗｔ％以下とする。好ましいＣａ量はＣａＣＯ_３換算で０．１０〜０．３０ｗｔ％、さらに好ましいＣａ量はＣａＣＯ_３換算で０．１０〜０．２０ｗｔ％である。

以下、本発明のＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料の製造に好適な方法について説明する。
主成分の原料としては、酸化物又は加熱により酸化物となる化合物の粉末を用いる。具体的には、Ｆｅ_２Ｏ_３粉末、Ｍｎ_３Ｏ_４粉末およびＺｎＯ粉末等を用いることができる。用意する各原料粉末の平均粒径は０．１〜３μｍの範囲で適宜選択すればよい。

主成分の原料粉末を湿式混合した後、仮焼きを行う。仮焼きの温度は８００〜１０００℃とし、また雰囲気はＮ_２〜大気の間で行えばよい。仮焼きの安定時間は０．５〜５時間の範囲で適宜選択すればよい。仮焼き後、仮焼き体を例えば、平均粒径０．５〜２μｍ程度まで粉砕する。なお、上述の主成分の原料に限らず、２種以上の金属を含む複合酸化物の粉末を主成分の原料としてもよい。例えば、塩化鉄、塩化マンガンを含有する水溶液を酸化培焼することによりＦｅ、Ｍｎを含む複合酸化物の粉末が得られる。この粉末とＺｎＯ粉末を混合して主成分原料としてもよい。このような場合には、仮焼きは不要である。

本発明のＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料には、主成分の他に上述した副成分を添加する。これら副成分の原料粉末は、仮焼き後に粉砕された主成分の粉末と混合される。ただし、主成分の原料粉末と混合した後に、主成分とともに仮焼きすることもできる。

主成分および副成分からなる混合粉末は、後の成形工程を円滑に実行するために顆粒に造粒することができる。造粒は例えばスプレードライヤを用いて行うことができる。混合粉末に適当なバインダ、例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を少量添加し、これをスプレードライヤで噴霧、乾燥する。得られる顆粒の粒径は８０〜２００μｍ程度とすることが望ましい。

得られた顆粒は、所定形状の金型を有するプレスを用いて所望の形状に成形され、この成形体は焼成工程に供される。焼成は１０５０〜１３５０℃の温度範囲で２〜１０時間程度保持する。この焼成雰囲気、特に安定温度における酸素分圧ＰＯ_２を調整することにより陽イオン欠陥量δ又はＦｅ^２＋／Ｆｅを変動させることができる。主成分の組成、焼成温度によっても変わるが、陽イオン欠陥量δを３×１０^−３≦δ≦７×１０^−３とするには、安定温度における酸素分圧ＰＯ_２を０．１〜３％程度とすればよい。
また、安定温度を調整することにより、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト材料の平均結晶粒径を変動させることができる。安定温度を上げれば、粒成長が進み、平均結晶粒径を増大させることができる。また、同一の安定温度であっても、ＳｉＯ_２、ＣａＣＯ _３量を減らすことで、粒成長を促進させることができ、これによっても平均結晶粒径の調整を行うことができる。

上記のような条件を満足するＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料によれば、室温から１２５℃における温度範囲において、励磁磁束密度５０ｍＴ、測定周波数２ＭＨｚにおける電力損失が３０００［ｋＷ／ｍ^３］以下であり、かつ磁場劣化率が１００％以下とした、磁場劣化の少ない材料を実現することができる。

主成分の原料としてＦｅ_２Ｏ_３粉末、ＺｎＯ粉末およびＭｎＯ粉末を、また副成分の原料としてＣｏ_３Ｏ_４粉末、ＳｉＯ_２粉末、ＣａＣＯ_３粉末を用意し、表１に示す組成となるように秤量した。以後は下記の製造条件および表１に示す焼成条件（保持時間６時間）によりトロイダル形状のＭｎ−Ｚｎ系フェライト焼結体（磁心）を作製した。

配合および粉砕用ポット：ステンレスボールミルポット使用
配合および粉砕用メディア：スチールボール使用
配合時間：１６時間
仮焼き温度および時間：８５０℃、３時間
粉砕時間：１６時間
成形：成形体密度３ｇ／ｃｍ^３
試料寸法：Ｔ１０形状（外形２０ｍｍ、内径１０ｍｍ、高さ５ｍｍのトロイダル形状）

［陽イオン欠陥量δ］
以上で得られた焼結体について陽イオン欠陥量δを以下の方法により上記組成式（１）に基づいて求めた。
すなわち、δ値の算出は、組成分析と、Ｆｅ^２＋とＭｎ^３＋の定量によって行う。組成分析については、上記焼結体を粉砕し、粉末状にした後、蛍光Ｘ線分析装置（リガク（株）製、サイマルティック３５３０）を用いガラスビード法によって測定した。Ｆｅ^２＋とＭｎ^３＋の定量は、上記焼結体を粉砕、粉末状にし、酸に溶解後、Ｋ_２Ｃｒ_２Ｏ_７溶液により、電位差滴定を行ない定量した。その他、Ｚｎ^２＋、Ｔｉ^４+、Ｃｏ^{２+、３＋}については、組成分析より得られたＺｎが全て２価のイオン、Ｔｉが全て４価のイオン、Ｃｏが２価と３価が１対２の比率で存在するものと仮定している。また、Ｆｅ^３＋、Ｍｎ^２＋量は、組成分析により得られたＦｅ、Ｍｎ量により、上記電位差滴定によって求められたＦｅ^２＋、Ｍｎ^３＋量をそれぞれ差し引いた値とした。

［初期損失（Ｐｃｖ）］
以上で得られたトロイダル形状の焼結体に銅線ワイヤーを一次側および二次側共に３ターン巻き付け、Ｂ−Ｈアナライザ(岩崎通信機器（株）製 ＳＹ−８２１７)を用いて初期損失（Ｐｃｖ）を測定した。なお、励磁磁束密度（Ｂｍ）を２５〜１２５ｍＴ、測定周波数（ｆ）を２ＭＨｚとした。また測定は、恒温槽を用いて行った。

［磁場劣化後損失（Ｐｃｖｒ）］
続いて、前記の焼結体に巻き付けた銅線ワイヤーに、５００Ａ／ｍの直流電流を流し、焼結体に直流磁場を印加する。

このようにして磁場劣化を生じさせた後、前記と同様にして、磁場劣化後の損失（以下、磁場劣化後損失）（Ｐｃｖｒ）を測定した。
そして、磁場劣化率を、
〔磁場劣化後損失（Ｐｃｖｒ）−初期損失（Ｐｃｖ）〕／〔初期損失（Ｐｃｖ）〕
という式により算出した。

表１、図１に陽イオン欠陥量δ、初期損失（Ｐｃｖ）、磁場劣化後損失（Ｐｃｖｒ）の結果を示す。なお、図１は、励磁磁束密度（Ｂｍ）を５０ｍＴとした場合の結果を示している。

表１および図１に示すように、陽イオン欠陥量δが大きいほど、損失Ｐｃｖが小さくなる傾向にある。これに対し、磁場劣化率は、陽イオン欠陥量δが大きいほど大きくなる。そして、本発明の陽イオン欠陥量δとすることにより、磁場劣化率を低く抑えることが可能となる。これらの結果より、好ましい陽イオン欠陥量δは３×１０^−３≦δ≦７×１０^−３、より好ましい陽イオン欠陥量δは３×１０^−３≦δ≦５×１０^−３、さらに好ましい陽イオン欠陥量δは３×１０^−３≦δ≦４．５×１０^−３であることがわかる。

焼結体の平均結晶粒径を表２に示すものとした以外は、実施例１と同様にして焼結体を作製した。この焼結体について実施例１と同様の測定を行った。その結果を表２および図２に示す。
表２および図２より、また、図２に平均結晶粒径と損失Ｐｃｖとの関係を示す。表２および図２より、平均結晶粒径が８μｍ以下になると、磁場劣化率が大きくなる。また、平均結晶粒径が１５μｍよりも大きくなると、高温での損失Ｐｃｖが大きくなってしまう。これらの結果より、好ましい平均結晶粒径は、８μｍよりも大きく、かつ１５μｍ以下であり、より好ましい平均結晶粒径は１２μｍ以上１５μｍ以下、さらに好ましい平均結晶粒径は１３μｍ以上１５μｍ以下である。

主成分、副成分の組成を表３に示すものとした以外は、実施例１と同様にして焼結体を作製した。この焼結体について実施例１と同様の測定を行った。その結果を表３に示す。また、図３にＦｅ_２Ｏ_３量と磁場劣化率との関係を示す。表３および図３より、Ｆｅ_２Ｏ_３量が５３ｍｏｌ％未満又は５４ｍｏｌ％を超えると、磁場劣化率が増大してしまう。

主成分、副成分の組成を表４に示すものとした以外は、実施例１と同様にして焼結体を作製した。この焼結体について実施例１と同様の測定を行った。その結果を表４に示す。また、図４にＺｎＯ量と磁場劣化率との関係を示す。表４および図４より、ＺｎＯ量が多くなると損失Ｐｃｖが大きくなることがわかる。損失Ｐｃｖ（１２５℃、２ＭＨｚ、５０ｍＴ）を３０００ｋＷ／ｍ^３以下にするには、ＺｎＯを７ｍｏｌ％以下とすることが必要である。また、ＺｎＯ量が減ると磁場劣化率が増大してしまう。磁場劣化率を低減するには、ＺｎＯは２〜７ｍｏｌ％以下とすることが好ましく、５〜７ｍｏｌ％以下とすることがさらに好ましい。

主成分、副成分の組成を表５に示すものとした以外は、実施例１と同様にして焼結体を作製した。この焼結体について実施例１と同様の測定を行った。その結果を表５に示す。また、図５にＣｏ_３Ｏ_４量と磁場劣化量との関係を示す。表５および図５が示す結果より、Ｃｏ_３Ｏ_４を添加することにより、損失Ｐｃｖを低くすることができるが、Ｃｏ量を増大させると、磁場劣化率が増大する。よって、ＣｏはＣｏ_３Ｏ_４換算で０．６５ｗｔ％以下とする。好ましいＣｏ量はＣｏ_３Ｏ_４換算で０．１５〜０．５０ｗｔ％、さらに好ましいＣｏ量はＣｏ_３Ｏ_４換算で０．１５〜０．３０ｗｔ％である。

主成分、副成分の組成を表６に示すものとした以外は、実施例１と同様にして焼結体を作製した。この焼結体について実施例１と同様の測定を行った。その結果を表６に示す。また、図６にＳｉＯ_２量と磁場劣化との関係を示す。表６および図６が示す結果より、ＳｉＯ_２を添加することにより、損失Ｐｃｖを低くすることができるが、Ｓｉ量を過度に増大させると異常粒成長が生じる。よって、ＳｉはＳｉＯ_２換算で０．０４５ｗｔ％以下とする。好ましいＳｉ量はＳｉＯ_２換算で０．０１〜０．０３ｗｔ％、さらに好ましいＳｉ量はＳｉＯ_２換算で０．０１〜０．０２ｗｔ％である。

主成分、副成分の組成を表７に示すものとした以外は、実施例１と同様にして焼結体を作製した。この焼結体について実施例１と同様の測定を行った。その結果を表７に示す。また、図７にＣａＣＯ_３量と磁場劣化率との関係を示す。表７および図７が示す結果より、ＣａＣＯ_３を添加することにより、磁場劣化率を低くすることができる。ＣａＣＯ_３量は０．０５〜０．４０ｗｔ％とすることにより、１２５℃、２ＭＨｚにおける損失Ｐｃｖを２０００ｋＷ／ｍ^３以下とすることができる。
ＣａはＣａＣＯ_３換算で０．４０ｗｔ％以下とする。また、ＣａＣＯ_３を過度に減らすと異常粒成長が生じるため、好ましいＣａ量はＣａＣＯ_３換算で０．１０〜０．３０ｗｔ％、さらに好ましいＣａ量はＣａＣＯ_３換算で０．１０〜０．２０ｗｔ％である。

陽イオン欠陥量δと磁場劣化率との関係を示すグラフである。 平均結晶粒径と磁場劣化率との関係を示すグラフである。 Ｆｅ_２Ｏ_３量と磁場劣化率との関係を示すグラフである。 ＺｎＯ量と磁場劣化率との関係を示すグラフである。 Ｃｏ _３ Ｏ _４ 量と磁場劣化率との関係を示すグラフである。 ＳｉＯ_２量と磁場劣化率との関係を示すグラフである。 ＣａＣＯ_３量と磁場劣化率との関係を示すグラフである。

Claims (3)

1. 主成分として、
   Ｆｅ_２Ｏ_３：５３〜５４ｍｏｌ％、
   ＺｎＯ：１〜７ｍｏｌ％、
   残部：ＭｎＯを含み、
   副成分として、
   ＣｏをＣｏ _３ Ｏ _４ 換算で０．１５〜０．６５ｗｔ％、
   ＳｉをＳｉＯ_２換算で０．０１〜０．０４５ｗｔ％、
   ＣａをＣａＣＯ_３換算で０．０５〜０．４０ｗｔ％を含み、
   下記フェライト組成式（１）におけるδ値（陽イオン欠陥量）が、３×１０^−３≦δ≦７×１０^−３であり、
   かつ平均結晶粒子径が８μｍより大きく１５μｍ以下であることを特徴とするＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料。
   （Ｚｎ_ａ ^２+，Ｔｉ_ｂ ^４+，Ｍｎ_ｃ ^２+，Ｍｎ_ｄ ^３+，Ｆｅ_ｅ ^２+，Ｆｅ_ｆ ^３+，Ｃｏ_ｇ ²⁺，Ｃｏ_ｈ ^３+）_３Ｏ_４+δ…組成式（１）
   ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＝３、δ＝ａ＋２ｂ＋ｃ＋（３／２）ｄ＋ｅ＋（３／２）ｆ＋ｇ＋（３／２）ｈ−４、[ｇ：ｈ＝１：２]
2. 前記δ値が、３×１０^−３≦δ＜５×１０^−３であることを特徴とする請求項１に記載のＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料。
3. 室温から１２５℃における温度範囲において、励磁磁束密度５０ｍＴ、測定周波数２ＭＨｚにおける電力損失が３０００［ｋＷ／ｍ^３］以下であり、
   かつ飽和磁束密度程度まで励磁させた直後における電力損失の、励磁前の電力損失に対する増加率である磁場劣化率が１００％以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料。

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