JP4711897B2

JP4711897B2 - ＭｎＣｏＺｎフェライトおよびトランス用磁心

Info

Publication number: JP4711897B2
Application number: JP2006165815A
Authority: JP
Inventors: 聡志後藤; 裕史吉田; 由紀子中村
Original assignee: Ｊｆｅフェライト株式会社
Priority date: 2006-06-15
Filing date: 2006-06-15
Publication date: 2011-06-29
Anticipated expiration: 2026-06-15
Also published as: JP2007335633A

Description

本発明は、通信機器のパルストランス等に用いられるＭｎＣｏＺｎフェライトと、そのフェライトからなるトランス用磁心に関するものである。

インターネットやＬＡＮ（ＬｏｃａｌＡｒｅａＮｅｔｗｏｒｋ）等の分野で用いられている通信機器のトランスには、入出力端子でのインピーダンスの整合を図る、あるいは電気的絶縁を保持するために、パルストランスが用いられている。このパルストランスは、交流信号のベースに直流のバイアスを印加して使用されることが多いため、直流重畳特性に優れること、すなわち、直流磁界が印加された時でも高いインダクタンス（増分透磁率μΔ）を維持することが求められる。

一般に、トランスの磁心には、金属材料、酸化物磁性材料等の軟磁性材料が用いられているが、広い周波数帯域で使用されるパルストランスの磁心には、外径が数ｍｍ程度以下のトロイダル形状をした超小型ＭｎＺｎフェライトコアが用いられている。その理由は、ＭｎＺｎフェライトは、軟磁性材料の中でも、高透磁率、高インダクタンスが比較的容易に得られること、安価であること等の特長を有するからである。

しかし、このＭｎＺｎフェライトは、酸化物磁性材料であることから、金属磁性材料と比較して、温度の変化による磁気特性の変化が大きいため、幅広い温度域で安定した磁気特性を得ることが難しいという問題がある。そのため、従来のＭｎＺｎフェライトでは、例えば、生産管理や設備制御用等の産業用として用いるために必要な−４０〜８５℃という広い温度域において、直流磁界が印加された時でも高い増分透磁率を実現することが難しいのが実情である。

この問題に対しては、ＭｎＺｎフェライトに、正の磁気異方性を有するＣｏＯを添加して温度依存性を改善することが検討されている。例えば、特許文献１には、５０〜５６ｍｏｌ％の酸化鉄と３０〜３６ｍｏｌ％の酸化マンガンと２０〜６ｍｏｌ％の酸化亜鉛とからなる基本組成に、酸化コバルトを０．０１〜１．０ｍｏｌ％添加することにより、−３０〜９０℃での温度依存性を改善する技術が開示されている。また、これを受けて、特許文献２には、酸化鉄をＦｅ_２Ｏ_３換算で５１〜５４ｍｏｌ％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で１４〜２１ｍｏｌ％、残部が酸化マンガンからなるＭｎＺｎ系フェライトに、酸化コバルトを所定量添加することにより−４０〜８５℃の広い温度域において直流重畳特性が優れ、透磁率の高いフェライトを得る技術が開示されている。
特公昭５２−３１５５５号公報特開２００４−１９６６３２号公報

しかしながら、ＭｎＺｎフェライトへのＣｏＯの添加は、ＭｎＺｎフェライトの透磁率の温度依存性を改善するのには効果的であるが、同時に欠点も有する。
というのは、ＭｎＺｎフェライトに添加したＣｏＯは、Ｃｏ^２＋イオンサイズが、置換されるＭｎ^２＋イオンと比較して小さいことに起因して、焼結速度の支配因子であるＯ^２−イオンのフェライト内の移動速度を上昇させる。そのため、ＣｏＯ無添加のＭｎＺｎフェライトと比較して、焼結が促進されて結晶粒が成長し易く、初透磁率μ_ｉが上昇する。しかし、初透磁率が高い磁性材料は、磁界の印加によって容易に磁化されて磁気飽和に到達し易いため、例えば、３３Ａ／ｍというような高い直流磁界がバイアスとして印加された場合には、磁化曲線（ＢＨ曲線）の傾きが小さくなり、増分透磁率μΔが低下するからである。

すなわち、ＭｎＺｎフェライトへのＣｏＯの添加は、フェライトの結晶粒径（一次粒子径）を大きくし、直流重畳特性の劣化を招き易いという欠点がある。したがって、３３Ａ／ｍという高い直流磁界印加時の増分透磁率を上昇させて直流重畳特性の改善を図るためには、フェライトの結晶粒の成長を抑制し、初透磁率を適度に低下させてやることが有効な手段となる。

しかしながら、特許文献１には、初透磁率の温度依存性に関する記載はあるものの、フェライトの結晶粒径を制御することについては記載がない。また、特許文献２には、平均結晶粒径に関する記載はあるものの、その結晶粒径を実現する手段については開示がなされていない。そのため、これらの特許文献に開示された技術事項だけでは、透磁率の温度依存性が小さく、かつ、直流磁界が印加された時でも高い増分透磁率を有するフェライトを得ることは不可能であった。

そこで、本発明の目的は、広い温度範囲において透磁率の温度依存性が小さく、しかも、直流磁界が印加された時でも高い増分透磁率を有するフェライトと、そのフェライトからなるトランス用磁心を提供する、具体的には、−４０〜８５℃という幅広い温度域において、３３Ａ／ｍの直流磁界印加時の増分透磁率μΔが２０００以上という高い値を示すフェライトと、そのフェライトからなるパルストランス用の磁心を提供することにある。なお、上記増分透磁率μΔ：２０００という値は、パルストランスとして使用するときに必要なインダクタンスを得るための最低限の値である。

発明者らは、上記課題を達成するために、まず、ＭｎＣｏＺｎフェライトにＳｉＯ_２を添加して結晶組織の均一化を図ると共に、ＣａＯを同時に適量添加して粒界に偏析させて結晶粒成長を抑制することで初透磁率μ_ｉを低減することを試みた。しかし、この方法では、製造条件によっては、フェライト結晶粒の異常粒成長が起こって、増分透磁率が大きく劣化したり、フェライト自体の機械的強度が劣化したりすることが多く認められた。

そこで、発明者らは、さらに検討を重ねた結果、上記ＭｎＣｏＺｎフェライトにおけるＣｏＯの含有量を適正範囲に調整すると共に、従来技術においては注目されていなかった不純物として含有されるホウ素（Ｂ）の量を極微量に低減することにより、−４０〜８５℃という広い温度範囲において、直流磁界が印加された時でも高い増分透磁率を示すフェライトが得られることを見出した。さらに、上記ＭｎＣｏＺｎフェライトの増分透磁率をより向上させるためには、添加成分としてＺｒＯ_２，Ｔａ_２Ｏ_５，ＨｆＯ_２およびＮｂ_２Ｏ_５のいずれか１種以上を適正量添加することが有効であることを見出し、本発明を完成させた。

すなわち、本発明は、基本成分と添加成分と不純物とからなるフェライトであって、基本成分が、Ｆｅ_２Ｏ_３：５１．０〜５３．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１６．０〜１８．０ｍｏｌ％、ＣｏＯ：０．０４〜０．６０ｍｏｌ％および残部ＭｎＯからなり、添加成分として全フェライトに対してＳｉＯ_２：０．００５〜０．０４ｍａｓｓ％およびＣａＯ：０．１〜０．４ｍａｓｓ％を含有し、さらに不純物として含まれるＢを全フェライトに対して０．００１ｍａｓｓ％以下含有することを特徴とするＭｎＣｏＺｎフェライトである。

本発明のＭｎＣｏＺｎフェライトは、添加成分としてさらに、ＺｒＯ_２：０．００５〜０．０７５ｍａｓｓ％、Ｔａ_２Ｏ_５：０．００５〜０．０７５ｍａｓｓ％、ＨｆＯ_２：０．００５〜０．０７５ｍａｓｓ％およびＮｂ_２Ｏ_５：０．００５〜０．０７５ｍａｓｓ％のうちから選ばれる１種または２種以上を含有することを特徴とする。

また、本発明のＭｎＣｏＺｎフェライトは、３３Ａ／ｍの直流磁界印加時の増分透磁率μ△が、−４０〜８５℃の温度域において常に２０００以上の値を示すことを特徴とする。

また、本発明は、上記ＭｎＣｏＺｎフェライトを用いたことを特徴とするとするトランス用磁心である。

本発明によれば、−４０℃〜８５℃の幅広い温度域において、３３Ａ／ｍという高い直流磁界が印加された時でも高い増分透磁率μΔを示すＭｎＣｏＺｎフェライトと、そのフェライトからなるトランス磁心を安定して提供することができる。斯かるトランス磁心は、イーサネット機器等の通信機器に用いられるパルストランスの磁心として好適である。

本発明に係るＭｎＣｏＺｎフェライトの基本成分組成を上記範囲に制限する理由について説明する。
Ｆｅ_２Ｏ_３：５１．０〜５３．０ｍｏｌ％
Ｆｅ_２Ｏ_３は、基本成分の中で最も含有量が多い成分である。その含有量が少ない場合には、低温度域における直流磁界印加時の増分透磁率が低下するため、Ｆｅ_２Ｏ_３は最低でも５１．０ｍｏｌ％含有する必要がある。しかし反対に、その含有量が多過ぎる場合には、高温度域における直流磁界印加時の増分透磁率が低下するようになるので、上限は５３．０ｍｏｌ％とする。

ＺｎＯ：１６．０〜１８．０ｍｏｌ％
ＺｎＯは、基本成分の１つであり、この含有量が増加するのに伴って、直流磁界印加時の増分透磁率が上昇する。そのため、最低でも１６．０ｍｏｌ％を含有する。しかし、含有量が適正量を超えると、低温度域における直流磁界印加時の増分透磁率が低下したり、強磁性体が磁性を失う温度であるキュリー温度が低下することによって高温度域における直流磁界印加時の増分透磁率が低下したりするので、上限は１８．０ｍｏｌ％とする。

ＣｏＯ：０．０４〜０．６０ｍｏｌ％
ＣｏＯは、基本成分の１つであり、含有量は少ないものの、本発明のフェライトにおいては、極めて重要な役割を果たす。すなわち、このＣｏＯは、正の磁気異方性を有しており、このＣｏＯの添加によって初めて、−４０〜８５℃という広い温度領域において、直流磁界印加時でも高い増分透磁率を実現することが可能となる。その効果を得るためには、ＣｏＯは、最低でも０．０４ｍｏｌ％含有する必要がある。しかし、適正量を超えて添加すると、全温度域における直流磁界印加時の増分透磁率を低下させるので、上限は０．６０ｍｏｌ％とする。

ＭｎＯ：基本成分の残部
上記Ｆｅ_２Ｏ_３、ＺｎＯおよびＣｏＯ以外の基本成分の残部は、ＭｎＯであり、本発明のフェライトが、広い温度域において３３Ａ／ｍの磁界印加時でも２０００以上の高い増分透磁率を実現するためには、不可欠な成分である。

次に、本発明のフェライトにおいて必須とする添加成分について説明する。
ＳｉＯ_２：０．００５〜０．０４ｍａｓｓ％
ＳｉＯ_２は、フェライトの結晶組織の均一化に寄与すると共に、結晶粒内に残留する空孔を減少して結晶粒界の生成を促し、結晶粒の成長を抑制することにより、直流磁界印加時の増分透磁率を高める効果を有する。それらの効果は、ＳｉＯ_２を全フェライトに対して０．００５ｍａｓｓ％以上添加することにより得られる。しかし、ＳｉＯ_２を過剰に添加すると、異常粒成長が起こり、直流磁界印加時の増分透磁率を著しく低下するので、０．０４ｍａｓｓ％以下に収める必要がある。

ＣａＯ：０．１〜０．４ｍａｓｓ％
ＣａＯは、フェライトの結晶粒界に偏析して、粒成長を抑制する効果があるので、初透磁率μ_ｉを適度に下げて、直流磁界印加時の高い増分透磁率を実現するのに寄与する成分である。その効果を得るためには、０．１ｍａｓｓ％以上添加する必要がある。しかし、添加量が過剰になると、異常成長粒が出現するようになり、直流磁界印加時の増分透磁率を著しく低下させることから、上限は０．４ｍａｓｓ％とする必要がある。

本発明のフェライトは、上記基本成分および添加成分以外の残部は、不純物であるが、本発明は、上記不純物の１つとして含まれるＢの量を、下記の範囲に規制するところに特徴がある。
Ｂ：０．００１ｍａｓｓ％以下
本発明のフェライトにおいては、基本成分と必須添加成分の組成を上記範囲に制御することが重要である。しかし、それだけでは、異常成長粒の出現を完全に防止することはできず、そのため、広い温度範囲で高い増分透磁率を安定して実現することが難しいという問題を抱えていた。発明者らは、その原因について検討した結果、フェライト中に不純物として含まれるＢが、異常成長粒の発生と密接に関係しており、Ｂの含有量を厳しく規制することによって初めて、上記問題を解決できることを新たに見出した。

ＢがＭｎＺｎ系フェライトの初透磁率に及ぼす影響について、平賀らは、結晶組織を不均一にして高い初透磁率の発現を阻害するので５０ｍａｓｓｐｐｍ以下にしておかなければならない（「フェライト」（丸善、１９８６年）ｐ．９２）と説明しているが、直流重畳時の増分透磁率への影響については何ら言及していない。しかし、発明者らは、異常粒の発生や結晶粒度分布のばらつきなどの、組織の不均一を抑制し、広い温度範囲に亘って、直流磁界印加時に高い増分透磁率を実現には、ＭｎＣｏＺｎ系フェライト中に含まれるＢの含有量を０．００１ｍａｓｓ％以下に制御することが必要であることを新たに見出したのである。Ｂは、フェライトの製造工程において、不可避に混入してくる不純物であり、いったん混入すれば、焼成工程などの途中工程で除去することが難しい。そこで、原料酸化鉄の段階で、Ｂの含有量を厳しく規制して少なくしておくことが好ましい。なお、Ｂは、０．０００５ｍａｓｓ％以下であることが好ましいが、過度の低減は、製造コストの上昇を招くので、下限値は０．０００２ｍａｓｓ％程度とするのが好ましい。

上記基本成分、添加成分およびＢの組成範囲に関する規定はいずれも、３３Ａ/ｍの直流磁界印加時に、−４０〜８５℃という幅広い温度域の全てにおいて、増分透磁率μΔ２０００以上を実現するために必要な条件である。

本発明のフェライトは、上記成分組成に加えてさらに、添加成分として、ＺｒＯ_２：０．００５〜０．０７５ｍａｓｓ％、Ｔａ_２Ｏ_５：０．００５〜０．０７５ｍａｓｓ％、ＨｆＯ_２：０．００５〜０．０７５ｍａｓｓ％およびＮｂ_２Ｏ_５：０．００５〜０．０７５ｍａｓｓ％のうちから選ばれる１種または２種以上を含有することが好ましい。

これらの添加成分は、いずれも高い融点を持つ化合物であり、ＭｎＣｏＺｎフェライトに添加した場合には、結晶粒を小さくして粗大な結晶粒の生成を抑制するため、直流磁界印加時の増分透磁率を上昇させる効果がある。上記添加成分は、単独で添加してもよく、２種以上を複合して添加してもよい。しかし添加量が上記適正範囲よりも少ない場合には、斯かる効果が得られず、一方、上記適正範囲よりも多い場合には、異常粒の発生を誘発して、直流磁界印加時の増分透磁率を低下させるので、それぞれ上記範囲内に収めることが望ましい。

次に、本発明に係るトランス磁心について説明する。
本発明のトランス磁心を製造するには、まず、ＭｎＣｏＺｎフェライトの基本成分であるＦｅ_２Ｏ_３，ＺｎＯ，ＣｏＯおよびＭｎＯの各原料粉末を、上述した適性範囲内の所定の比率となるよう秤量し、これらの原料粉末を十分に混合し、仮焼する。次いで、この仮焼粉を粉砕すると共に、各種添加成分を所定の比率で加えてから、さらに粉砕する。この作業では、添加した成分に偏りがないよう、充分均質化を行う必要がある。次に、このようにして適正な成分組成に調整した粉末に、ポリビニルアルコール等の有機バインダーを添加してから造粒し、圧力を加えて所定の形状に成形し、焼成して、トランス磁心とする。かくして得られた本発明のＭｎＣｏＺｎフェライトは、従来のＭｎＺｎフェライトでは不可能であった、−４０〜８５℃という幅広い温度域において、３３Ａ／ｍの直流磁界印加時でも増分透磁率μΔが２０００以上という高い値を示すものとなる。

ＭｎＣｏＺｎフェライトの基本成分となるＦｅ_２Ｏ_３，ＺｎＯ，ＣｏＯおよびＭｎＯの各原料粉末を、フェライトに含まれるＦｅおよびＭｎをすべてＦｅ_２Ｏ_３およびＭｎＯとして換算した場合に表１に示す比率となるように秤量し、これらの原料粉末を、ボールミルを用いて１６時間攪拌・混合した後、空気中で９２５℃×３時間の仮焼を行った。次に、この仮焼粉に添加成分としてＳｉＯ_２，ＣａＯをそれぞれ表１に示す比率となるように秤量して添加し、さらにボールミルで１２時間粉砕し、得られた粉砕粉に、ポリビニルアルコールを加えて造粒し、１１８ＭＰａの圧力をかけてトロイダルコアの形状に成形した。その後、この成形体を焼成炉に入れて、最高温度１３５０℃で焼成を行い、外径２５ｍｍ、内径１５ｍｍ、高さ５ｍｍの焼結体コア試料とした。なお、酸化鉄をはじめとする上記各原料粉末は、すべて高純度なものを用い、また混合、粉砕媒体であるボールミルもＢ含有量の低いものを用いたため、最終的なＢの含有量は、全ての試料で０．０００３ｍａｓｓ％であった。

このようにして得た各焼結体コア試料に１０ターンの巻線を施し、直流印加装置（４２８４１Ａ：ヒューレットパッカード社製）を用いて３３Ａ／ｍの直流磁界をコアに印加した状態で、ＬＣＲメータ（４２８４Ａ：ヒューレットパッカード社製）を用いて、電圧１００ｍＶ、周波数１００ｋＨｚにおける、−４０℃、０℃、２３℃、７０℃および８５℃の各温度における増分透磁率μ△を測定した。

上記測定の結果を、表１中に併記して示した。表１から、本発明例である試料番号１−３、１−５、１−９および１−１２は、−４０℃〜８５℃という広い温度領域において、３３Ａ／ｍの直流磁界印加時の増分透磁率μ△が常に２０００以上という優れた特性を示していることがわかる。
これに対して、Ｆｅ_２Ｏ_３が５３．０ｍｏｌ％よりも多い試料番号１−１は、８５℃でのμ△の値が２０００未満に低下しており、反対に、Ｆｅ_２Ｏ_３を５１．０ｍｏｌ％未満しか含まない試料番号１−２は、−４０℃でのμ△が２０００未満に低下している。
また、ＣｏＯを含まない試料番号１−４は、−４０℃および８５℃におけるμ△の値が２０００に到達していない。反対に、多量に含む試料番号１−６では、全温度域でμ△が低下し、−４０℃、７０℃および８５℃でμ△が２０００未満にまで低下している。
また、ＺｎＯを本発明範囲より多量に含む試料番号１−７は、−４０℃、７０℃および８５℃でのμ△が２０００未満に低下している。反対に、ＺｎＯが不足している試料番号１−８は、全温度域でμ△が低下し、やはり−４０℃、７０℃および８５℃におけるμΔが２０００未満に低下している。
また、ＳｉＯ_２およびＣａＯに着目すると、これらの含有量のいずれか一方でも適量よりも少ない試料番号１−１０および１−１１では、粗大な結晶粒が出現したために、全温度域でμ△が、本発明例と比較して低下しており、−４０、８５℃でのμΔが２０００以下である。反対に、いずれか一方でも適量よりも多い試料番号１−１３〜１−１５では、異常粒が出現した結果、増分透磁率が全温度域で大幅に低下している。

ＭｎＣｏＺｎフェライトの基本成分であるＦｅ_２Ｏ_３，ＺｎＯ，ＣｏＯおよびＭｎＯの各原料粉末を、フェライトに含まれるＦｅおよびＭｎをすべてＦｅ_２Ｏ_３およびＭｎＯとして換算した場合に、Ｆｅ_２Ｏ_３：５３．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１６．０ｍｏｌ％，ＣｏＯ：０．４ｍｏｌ％、残部：ＭｎＯとなるよう各原料粉末を秤量した。この際、Ｆｅ_２Ｏ_３の原料である酸化鉄には、Ｂの含有量が異なる種々のものを使用し、最終的なＢの含有量を表２に示したように変化させた。次いで、上記各原料粉末を、ボールミルで１６時間混合した後、空気中で９２５℃×３時間仮焼し、その後、この仮焼粉にＳｉＯ_２を０．０１０ｍａｓｓ％、ＣａＯを０．１５ｍａｓｓ％となるよう加えてからさらにボールミルで１２時間粉砕し、得られた粉砕粉にポリビニルアルコールを加えて造粒し、１１８ＭＰａの圧力をかけてトロイダルコアの形状に成形した。その後、この成形体を焼成炉に入れて最高温度１３５０℃で焼成し、外径２５ｍｍ、内径１５ｍｍ、高さ５ｍｍの焼結体コア試料とした。このようにして得た各試料について、実施例１と同様の条件で、−４０℃、０℃、２３℃、７０℃および８５℃の各温度における増分透磁率μ△を測定した。

上記測定の結果を表２および図１に示した。これらの結果から、Ｂを０．００１ｍａｓｓ％以下しか含まない発明例の試料番号１−５、２−１〜２−３では、粗大な結晶粒の出現もなく、３３Ａ／ｍの直流磁界印加時の増分透磁率μΔが、−４０℃〜８５℃での全温度域において２０００以上を示すという優れた特性が得られている。
これに対して、Ｂを０．００１２ｍａｓｓ％含む比較例の試料番号２−４および２−５は、いずれも粗大な結晶粒が出現した結果、３３Ａ／ｍの直流磁界印加時の増分透磁率μΔが低下し、２０００を切っている。

Ｂの含有量を０．０００３ｍａｓｓ％に調整した実施例２と同じ基本成分組成を有する仮焼粉に、添加成分としてＳｉＯ_２を０．０１０ｍａｓｓ％、ＣａＯを０．１５ｍａｓｓ％加え、さらに添加成分として、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｔａ_２Ｏ_５、ＨｆＯ_２およびＺｒＯ_２をそれぞれ表３に示す最終組成となるよう添加し、ボールミルで１２時間粉砕を行った。この粉砕粉にポリビニルアルコールを加えて造拉し、１１８ＭＰａの圧力を加えてトロイダルコアの形状に成形し、その後、この成形体を焼成炉に入れ、最高温度１３５０℃で焼成して、外径２５ｍｍ，内径１５ｍｍ、高さ５ｍｍの焼結体コア試料を得た。これらの各試料について、実施例１と同様にして、−４０℃、０℃、２３℃、７０℃および８５℃の各温度における増分透磁率μ△を測定した。

上記測定の結果を表３に示した。表３から、Ｎｂ_２Ｏ_５，Ｔａ_２Ｏ_５、ＨｆＯ_２およびＺｒＯ_２を１種または２種以上適量添加した発明例の試料番号３−１〜３−１５は、いずれも粗大な結晶粒の出現が抑制された結果、３３Ａ／ｍの直統磁界印加時の増分透磁率μ△が−４０〜８５℃での温度域において全て２０００以上を示すという優れた特性が得られている。また、このμ△の値は、添加成分としてＳｉＯ_２とＣａＯしか含まない発明例の試料番号１−５と比較して、同等もしくはそれ以上である。
これに対して、上記４成分のうち１種類でも適正範囲を超えて多量に含有している比較例の試料番号３−１６〜３−１８は、いずれも異常粒成長が発生し、増分透磁率μΔは全温度域において、大幅に低下している。

本発明は、ＤＣ−ＤＣコンバータのチョークコイル等、直流重畳特性が必要なコアにも適用することができる。

増分透磁率の温度依存性に及ぼすＢ含有量の影響を示すグラフである。

Claims

基本成分と添加成分と不純物とからなるフェライトであって、基本成分が、Ｆｅ_２Ｏ_３：５１．０〜５３．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１６．０〜１８．０ｍｏｌ％、ＣｏＯ：０．０４〜０．６０ｍｏｌ％および残部ＭｎＯからなり、添加成分として全フェライトに対してＳｉＯ_２：０．００５〜０．０４ｍａｓｓ％およびＣａＯ：０．１〜０．４ｍａｓｓ％を含有し、さらに不純物として含まれるＢを全フェライトに対して０．００１ｍａｓｓ％以下含有することを特徴とするＭｎＣｏＺｎフェライト。
添加成分としてさらに、ＺｒＯ_２：０．００５〜０．０７５ｍａｓｓ％、Ｔａ_２Ｏ_５：０．００５〜０．０７５ｍａｓｓ％、ＨｆＯ_２：０．００５〜０．０７５ｍａｓｓ％およびＮｂ_２Ｏ_５：０．００５〜０．０７５ｍａｓｓ％のうちから選ばれる１種または２種以上を含有することを特徴とする請求項１に記載のＭｎＣｏＺｎフェライト。
３３Ａ／ｍの直流磁界印加時の増分透磁率μ△が、−４０〜８５℃の温度域において常に２０００以上の値を示すことを特徴とする請求項１または２に記載のＭｎＣｏＺｎフェライト。
請求項１〜３のいずれか１項に記載のＭｎＣｏＺｎフェライトを用いたことを特徴とするとするトランス用磁心。