JP2007031210A - MnZnフェライト - Google Patents
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Abstract
【課題】 室温から100℃付近の高温度まで高い飽和磁束密度を示し、低損失特性に優れたMnZnフェライトを提供すること。
【解決手段】 スピネル型結晶構造を有するMnZnフェライトにおいて、基本成分組成が、Fe2O3が58.0〜65.0mol%、ZnOが10.0〜20.0mol%、NiOが0.5〜5.0mol%、残部がMnOからなり、副成分として、SiO2を0.005〜0.05wt%、CaOを0.01〜0.1wt%、Nb2O5を0.01〜0.1wt%、CuOを0.01〜1.5wt%以下を含有し、MoO3を0.01〜0.2wt%、WO3を0.01〜0.1wt%、Bi2O3を0.01〜0.1wt%、V2O5を0.01〜0.2wt%のうち少なくとも1種類以上、含有させたこと。
【選択図】 なし
Description
本発明は、チョークコイル等に用いられるMnZnフェライトに関し、特に、100℃付近の高温領域まで高い飽和磁束密度を示し、直流重畳特性に優れたMnZnフェライトに関する。
近年、携帯機器をはじめとして電子機器の小型化・多機能化が急速に進歩している。電子機器の小型・多機能化に伴い、各種部品の集積化及び高周波化が進み、供給される電力の大電流化が進んでいる。大電流化に伴い、各種部品からの発熱は増大し、室温から100℃付近の高温まで高い飽和磁束密度を確保することがチョークコイル等の磁芯材料に求められている。同時に、磁芯材料のコア自身の発熱を抑制するために、磁芯材料のコアのロスが100℃付近で極小になる事が望まれている。
チョークコイル等の磁芯材料のコアに使用される磁性材料には、金属粉末とフェライトがある。金属粉末は、飽和磁束密度が大きく、大電流に対して、磁気飽和しにくい利点があるが、比抵抗がフェライトに比べて小さいので、高周波に対応できないという問題点がある。金属粉末に対してフェライトは、比抵抗が大きく高周波数でも使用可能で、低コストであるという利点がある。しかし、フェライトは、飽和磁束密度が低く、高温になるに従い飽和磁束密度が低下しやすいという材料物性を有する。特に、100℃付近の高温で飽和磁束密度が小さいというのが大きな問題点になっていた。
チョークコイルやトランス材料に使われる一般的なMnZnフェライトは、Fe2O3量が52〜55mol%、ZnO量が7〜12mol%、残部MnOからなる基本成分と、SiO2、CaO等からなる副成分とからなり、室温での飽和磁束密度は540mT程度で、100℃付近では、飽和磁束密度が室温から25%程度低下する。
一般的なMnZnフェライトの飽和磁束密度は、基本組成と焼結体密度に依存する。一般的なMnZnフェライトの基本成分のFe2O3量を多く、ZnO量を少なくすることで、磁気モーメントが増大し、高い飽和磁束密度を得る事ができる。また、キュリー温度の上昇に伴い、100℃付近の高温での飽和磁束密度の低下を小さくできる。しかし、基本成分のFe2O3量を多く、ZnO量を少なくすると、焼結性が悪化し、焼結体密度が低下し、飽和磁束密度の低下と電力損失の増大を招く。更に、Fe2O3量、MnO量、ZnO量だけでは、コアロスが極小となる温度を100℃付近に調整する事が困難であった。
Fe2O3が50mol%を超える一般的なMnZnフェライトは、還元性雰囲気にて焼成を行えば、軟磁性を劣化させるMn3+は、ほとんど生成されないが、電気抵抗を著しく低下させるFe2+が生成されやすい傾向があった。そのために、高周波の比抵抗を改善させたMnZnフェライトは、Fe2O3を50mol%以下の組成を基本組成としたものが検討されてきた(特許文献1および特許文献2参照)。
しかしながら、特許文献1および特許文献2のMnZnフェライトは、飽和磁束密度を左右するFe2O3の含有量が少ないために、100℃付近の高温での飽和磁束密度が極めて小さくなるという問題点があった。
このような問題点を解決するために、Fe2O3の含有量を58mol%まで増加させた技術が特許文献3に開示されている。ここでは、電波吸収体としてのMnZnフェライトの適切な組成の検討、焼成条件(温度、雰囲気、粉末粒径)について開示されている。
上述した特許文献3では、高周波抵抗に関しての特性改善について開示されているが、100℃付近の高温での飽和磁束密度に関しての検討はされていない。
本発明は、上述した問題点を解決すべくなされたもので、その技術課題は、室温から100℃付近の高温度まで高い飽和磁束密度を示し、低損失特性に優れたMnZnフェライトを提供することである。
上記目的を達成するための第1の発明は、スピネル型結晶構造を有するMnZnフェライトにおいて、基本成分組成が、Fe2O3が58.0〜65.0mol%、ZnOが10.0〜20.0mol%、NiOが0.5〜5.0mol%、残部がMnOからなり、副成分として、SiO2を0.005〜0.05wt%、CaOを0.01〜0.1wt%、Nb2O5を0.01〜0.1wt%、CuOを0.01〜1.5wt%を含有したMnZnフェライトである。
上記目的を達成するための第2の発明は、MoO3を0.01〜0.2wt%、WO3を0.01〜0.1wt%、Bi2O3を0.01〜0.1wt%、V2O5を0.01〜0.2wt%のうち少なくとも1種類以上含有させたMnZnフェライトである。
上記目的を達成するための第3の発明は、焼結体密度が4.95g/cm3以上であるMnZnフェライトである。
本発明によれば、Fe2O3量が58.0〜65.0mol%、ZnO量が10.0〜20.0mol%のFe2O3量が多く、ZnO量が少ない基本成分組成領域でも、0.01〜1.5wt%のCuOを添加することで、焼結過程での緻密化が促進され、十分な焼結体密度(4.95g/cm3以上)を確保できる。また、0.01〜0.2wt%のMoO3、0.01〜0.1wt%のWO3、0.01〜0.1wt%のBi2O3、0.01〜0.2wt%のV2O5のうち少なくとも1種以上を含有させることで、焼結過程での緻密化をより促進できる。また、NiOは、スピネル化合物の格子点に入り、磁気異方性定数を変化させ、Fe2O3量とZnO量のMnZnフェライトコアの損失が極小となる温度を高温側へシフトさせる。更に、SiO2、CaO、Nb2O5を添加し、粒界層に濃縮させることで、比抵抗を増大させ、渦電流損失を低減できる。
その結果、室温から100℃付近の高温度まで高い飽和磁束密度を示し、低損失特性に優れたMnZnフェライトの提供が可能になる。
本発明を実施するための最良の形態に係るMnZnフェライトは、基本成分Fe2O3を58.0〜65.0mol%、ZnOを10.0〜20.0mol%にする。Fe2O3が65.0mol%より多く、ZnOが10.0mol%より少ないと緻密化を促進する副成分の添加を行っても、十分な焼結体密度が得られず、飽和磁束密度が低く、損失が急激に増大するためである。なお、Fe2O3が58.0mol%より少なく、ZnOが20.0mol%より多いと飽和磁束密度が小さく、100℃付近の高温で飽和磁束密度の低下率が増大するためである。
また、NiOを0.5〜5.0mol%にするのは、NiOが0.5mol%より少ないとNiOを含有させた効果が小さすぎて、MnZnフェライトコア損失の極小温度のコントロールができず、5.0mol%より多いと損失が急激に増大するためである。
副成分のCuOを0.01〜1.5wt%にするのは、0.01wt%より少ないと十分な緻密化促進効果が得られないためで、1.5wt%より多いと損失が急激に増大するためである。また、副成分のMoO3を0.01〜0.2wt%、WO3を0.01〜0.1wt%、Bi2O3を0.01〜0.1wt%、V2O5を0.01〜0.2wt%にするのは、各副成分の下限より少ない含有量では、十分な緻密化効果が得られないためで、上限より多い含有量では、異常粒成長を招き損失が急激に増大するためである。
また、副成分のSiO2を0.005〜0.05wt%にするのは、0.005wt%より少ないと十分な比抵抗が得られず、損失が増大するためで、0.05wt%より多いと異常粒成長を促進し、損失が急激に増大するためである。
更に、副成分のCaOを0.01〜0.1wt%にするは、0.01wt%より少ないと十分な比抵抗が得られず、損失が増大するためで、0.1wt%より多いと焼結体密度が低下し、損失が急激に増大するためである。
なお、副成分のNb2O5を0.01〜0.1wt%にするのは、0.01wt%より少ないと十分な比抵抗が得られず、損失が増大するためで、0.1wt%より多いと異常粒成長を促進し、損失が急激に増大するためである。
本発明の実施例について詳細に説明する。
(実施例1)
基本成分をFe2O3:57.0〜66.0mol%、ZnO:9.0〜21.0mol%、NiO:0.4〜6.0mol%、残部=ZnOとなるように秤量し、ボールミルを用いて混合し、大気雰囲気中850℃で2時間の条件で仮焼した。なお、副成分のSiO2を0.03wt%、CaOを0.05wt%、Nb2O5を0.05wt%、CuOを1.0wt%添加した後、ボールミルで微粉砕を行った。微粉砕後、バインダーを添加し、スプレードライヤーにて造粒し、φ30×φ25×5mmのトロイダル形状のコアに成形して、酸素分圧をコントロールした還元雰囲気中で、1400℃で3時間の条件で焼結した。
基本成分をFe2O3:57.0〜66.0mol%、ZnO:9.0〜21.0mol%、NiO:0.4〜6.0mol%、残部=ZnOとなるように秤量し、ボールミルを用いて混合し、大気雰囲気中850℃で2時間の条件で仮焼した。なお、副成分のSiO2を0.03wt%、CaOを0.05wt%、Nb2O5を0.05wt%、CuOを1.0wt%添加した後、ボールミルで微粉砕を行った。微粉砕後、バインダーを添加し、スプレードライヤーにて造粒し、φ30×φ25×5mmのトロイダル形状のコアに成形して、酸素分圧をコントロールした還元雰囲気中で、1400℃で3時間の条件で焼結した。
また、製造条件の確認のために、比較例として同様な方法で、Fe2O3=53.0mol%、MnO=35mol%、残部=ZnOの基本成分で、副成分としてSiO2を0.03wt%、CaOを0.05wt%添加した従来材料を1350℃で焼結した。
以上で得られたMnZnフェライトコアに巻線をし、直流BHトレーサーで1194A/mでの磁束密度を室温と100℃で測定した。なお、1194A/mでの磁束密度はほぼ飽和しているので、ここでは飽和磁束密度とみなす。次に、100kHz−200mTのコア損失を交流BHトレーサーより室温から120℃まで測定した。更に、アルキメデス法により、焼結体密度の測定を行った。得られた試料の室温と100℃での磁束密度、コア損失の極小温度、100℃でのコア損失、焼結体密度を表1に示す。
表1より、本発明に係る適合例の組成では、室温から100℃まで高い磁束密度を示し、100℃付近で低損失になっていることがわかる。
(実施例2)
基本成分をFe2O3:62mol%、ZnO:14.0mol%、NiO:3.0mol%、残部=ZnOとなるように秤量し、ボールミルを用いて混合し、大気雰囲気中850℃で2時間の条件で仮焼した。なお、副成分のSiO2を0.001〜0.06wt%、CaOを0.005〜0.15wt%、Nb2O5を0.005〜0.15wt%、CuOを0.005〜2.0wt%添加した後、ボールミルで微粉砕を行った。微粉砕後、バインダーを添加し、スプレードライヤーにて造粒し、φ30×φ25×5mmのトロイダル形状のコアに成形して、酸素分圧をコントロールした還元雰囲気中1400℃で3時間の条件で焼結した。
基本成分をFe2O3:62mol%、ZnO:14.0mol%、NiO:3.0mol%、残部=ZnOとなるように秤量し、ボールミルを用いて混合し、大気雰囲気中850℃で2時間の条件で仮焼した。なお、副成分のSiO2を0.001〜0.06wt%、CaOを0.005〜0.15wt%、Nb2O5を0.005〜0.15wt%、CuOを0.005〜2.0wt%添加した後、ボールミルで微粉砕を行った。微粉砕後、バインダーを添加し、スプレードライヤーにて造粒し、φ30×φ25×5mmのトロイダル形状のコアに成形して、酸素分圧をコントロールした還元雰囲気中1400℃で3時間の条件で焼結した。
また、製造条件の確認のために、比較例として同様な方法で、Fe2O3=53.0mol%、MnO=35mol%、残部=ZnOの基本成分で、副成分としてSiO2を0.03wt%、CaOを0.05wt%添加した従来材料を1350℃で焼結した。
以上で得られたMnZnフェライトコアに巻線をし、直流BHトレーサーで1194A/mでの磁束密度を室温と100℃で測定した。次に、100kHz−200mTのコア損失を交流BHトレーサーより室温から120℃まで測定した。更に、アルキメデス法により、焼結体密度の測定を行った。得られた試料の室温と100℃での磁束密度、コア損失の極小温度、100℃でのコア損失、焼結体密度を表2に示す。
表2より、本発明に係る適合例の組成では、室温から100℃まで高い磁束密度を示し、100℃付近で低損失となっていることがわかる。
(実施例3)
基本成分をFe2O3:62mol%、ZnO:14.0mol%、NiO:3.0mol%、残部=ZnOとなるように秤量し、ボールミルを用いて混合し、大気雰囲気中850℃で2時間の条件で仮焼した。なお、副成分としてSiO2を0.03wt%、CaOを0.05wt%、Nb2O5を0.05wt%、CuOを0.5wt%、MoO3を0.005〜0.25wt%、WO3を0.005〜0.15wt%、Bi2O3を0.005〜0.15wt%、V2O5を0.005〜0.25wt%添加した後、ボールミルで微粉砕を行った。微粉砕後、バインダーを添加し、スプレードライヤーにて造粒し、φ30×φ25×5mmのトロイダル形状のコアに成形して、酸素分圧をコントロールした還元雰囲気中1400℃で3時間の条件で焼結した。
基本成分をFe2O3:62mol%、ZnO:14.0mol%、NiO:3.0mol%、残部=ZnOとなるように秤量し、ボールミルを用いて混合し、大気雰囲気中850℃で2時間の条件で仮焼した。なお、副成分としてSiO2を0.03wt%、CaOを0.05wt%、Nb2O5を0.05wt%、CuOを0.5wt%、MoO3を0.005〜0.25wt%、WO3を0.005〜0.15wt%、Bi2O3を0.005〜0.15wt%、V2O5を0.005〜0.25wt%添加した後、ボールミルで微粉砕を行った。微粉砕後、バインダーを添加し、スプレードライヤーにて造粒し、φ30×φ25×5mmのトロイダル形状のコアに成形して、酸素分圧をコントロールした還元雰囲気中1400℃で3時間の条件で焼結した。
また、製造条件の確認のために、比較例として同様な方法で、Fe2O3:53.0mol%、MnO:35mol%、NiO:3.0mol%、残部=ZnOの基本組成で、副成分としてSiO2を0.03wt%、CaOを0.05wt%、CuOを0.5wt%添加した従来材料を同条件で焼結を行い作製した。
以上で得られたMnZnフェライトコアに巻線をし、直流BHトレーサーで1194A/mでの磁束密度を室温と100℃で測定した。次に、100kHz−200mTのコアロスを交流BHトレーサーより室温から120℃まで測定した。更に、アルキメデス法により、焼結体密度の測定を行った。得られた試料の室温と100℃での磁束密度、コア損失の極小温度、100℃でのコア損失、焼結体密度を表3に示す。なお、空欄は添加しないことを表す。
表3より、本発明に係る適合例の組成では、室温から100℃まで高い磁束密度を示し、100℃付近で低損失となっていることがわかる。
(実施例4)
基本成分をFe2O3:62mol%、ZnO:14.0mol%、NiO:3.0mol%、残部=ZnOとなるように秤量し、ボールミルを用いて混合し、大気雰囲気中850℃で2時間の条件で仮焼した。なお、副成分としてSiO2を0.03wt%、CaOを0.05wt%、Nb2O5を0.05wt%、CuOを0.5wt%、添加した後、ボールミルで微粉砕を行った。微粉砕後、バインダーを添加し、スプレードライヤーにて造粒し、φ30×φ25×5mmのトロイダル形状のコアに成形して、酸素分圧をコントロールした還元雰囲気中1250〜1450℃で3時間の条件で焼結した。
基本成分をFe2O3:62mol%、ZnO:14.0mol%、NiO:3.0mol%、残部=ZnOとなるように秤量し、ボールミルを用いて混合し、大気雰囲気中850℃で2時間の条件で仮焼した。なお、副成分としてSiO2を0.03wt%、CaOを0.05wt%、Nb2O5を0.05wt%、CuOを0.5wt%、添加した後、ボールミルで微粉砕を行った。微粉砕後、バインダーを添加し、スプレードライヤーにて造粒し、φ30×φ25×5mmのトロイダル形状のコアに成形して、酸素分圧をコントロールした還元雰囲気中1250〜1450℃で3時間の条件で焼結した。
また、製造条件の確認のために、比較例として同様な方法で、Fe2O3:53.0mol%、MnO:35mol%、NiO:3.0mol%、残部=ZnOの基本成分で、副成分としてSiO2を0.03wt%、CaOを0.05wt%添加した従来材料を同条件で焼結を行い作製した。
以上で得られたMnZnフェライトコアに巻線をし、直流BHトレーサーで1194A/mでの磁束密度を室温と100℃で測定した。次に、100kHz−200mTのコア損失を交流BHトレーサーより室温から120℃まで測定した。更に、アルキメデス法により、焼結体密度の測定を行った。得られた試料の室温と100℃での磁束密度、コア損失の極小温度、100℃でのコア損失、焼結体密度を表4に示す。
表4より、本発明に係る適合例の組成では、室温から100℃まで高い磁束密度を示し、100℃付近で低損失となっていることがわかる。
以上に示したように、本発明によりFe2O3量が58.0〜65.0mol%、ZnO量が10.0〜20.0mol%のFe2O3量が多く、ZnO量が少ない基本成分組成領域でも、0.01〜1.5wt%のCuOを添加することで、焼結過程での緻密化が促進され、十分な焼結体密度(4.95g/cm3以上)を確保できる。また、0.01〜0.2wt%のMoO3、0.01〜0.1wt%のWO3、0.01〜0.1wt%のBi2O3、0.01〜0.2wt%のV2O5のうち少なくとも1種以上を含有させることで、焼結過程での緻密化をより促進できる。また、NiOは、スピネル化合物の格子点に入り、磁気異方性定数を変化させ、Fe2O3量とZnO量のMnZnフェライトコアの損失が極小となる温度を高温側へシフトさせる。更に、SiO2、CaO、Nb2O5を添加し、粒界層に濃縮させることで、比抵抗を増大させ、渦電流損失を低減できる。
その結果、室温から100℃付近の高温度まで高い飽和磁束密度を示し、低損失特性に優れたMnZnフェライトの提供が可能になる。
Claims (3)
- スピネル型結晶構造を有するMnZnフェライトにおいて、基本成分組成が、Fe2O3が58.0〜65.0mol%、ZnOが10.0〜20.0mol%、NiOが0.5〜5.0mol%、残部がMnOからなり、副成分として、SiO2を0.005〜0.05wt%、CaOを0.01〜0.1wt%、Nb2O5を0.01〜0.1wt%、CuOを0.01〜1.5wt%を含有したことを特徴とするMnZnフェライト。
- MoO3を0.01〜0.2wt%、WO3を0.01〜0.1wt%、Bi2O30.01〜0.1wt%、V2O5を0.01〜0.2wt%のうち少なくとも1種類以上含有させたことを特徴とする請求項1記載のMnZnフェライト。
- 焼結体密度が4.95g/cm3以上であることを特徴とする請求項1又は請求項2記載のMnZnフェライト。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008081339A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Sony Corp | 低損失フェライト材料及びその製造方法 |
JP2014169194A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Hitachi Metals Ltd | Mn−Znフェライトおよびそれを用いたコイル部品 |
KR20140139983A (ko) | 2013-05-28 | 2014-12-08 | 티디케이가부시기가이샤 | 페라이트 및 트랜스 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001118714A (ja) * | 1999-10-18 | 2001-04-27 | Tokin Corp | 低損失酸化物磁性材料 |
JP2004161593A (ja) * | 2002-09-26 | 2004-06-10 | Tdk Corp | フェライト材料 |
JP2005067950A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Tdk Corp | フェライト材料の製造方法 |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001118714A (ja) * | 1999-10-18 | 2001-04-27 | Tokin Corp | 低損失酸化物磁性材料 |
JP2004161593A (ja) * | 2002-09-26 | 2004-06-10 | Tdk Corp | フェライト材料 |
JP2005067950A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Tdk Corp | フェライト材料の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008081339A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Sony Corp | 低損失フェライト材料及びその製造方法 |
JP2014169194A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Hitachi Metals Ltd | Mn−Znフェライトおよびそれを用いたコイル部品 |
KR20140139983A (ko) | 2013-05-28 | 2014-12-08 | 티디케이가부시기가이샤 | 페라이트 및 트랜스 |
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