JP2942693B2 - 改良されたヒドロホルミル化方法 - Google Patents
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Description
ルガノホスフィット複合触媒によるヒドロホルミル化方
法に関する。
ロジウムベースのヒドロホルミル化触媒用の触媒リガン
ドとして用いることができかつかかる触媒がオレフィン
ヒドロホルミル化によりアルデヒドを製造するための格
別な活性及びレジオ選択性を示すことはよく知られてい
る。例えば、米国特許第4,668,651号及び同第
4,769,498号はこのようなヒドロホルミル化を
十分詳細に述べている。しかし、かかるロジウム−オル
ガノホスフィット複合触媒によるヒドロホルミル化方法
に利点が付随するにもかかわらず、リガンド及び触媒の
安定性は主要な問題のままである。例えば、米国特許第
4,774,361号は、ヒドロホルミル化プロセスの
間にロジウム−ジオルガノホスフィット複合触媒のロジ
ウムが溶液から沈殿するのを最少にする或は防ぐため
に、有機ポリマーを使用することを指向する。
を伴う連続ロジウム複合触媒によるヒドロホルミル化方
法は、時間のたつうちに、オルガノホスフィットリガン
ドとアルデヒド生成物との反応により望ましくないヒド
ロキシアルキルホスホン酸副生物を生じ、それによりリ
ガンド濃度の低下を引き起こす。その上、このような望
ましくない酸の形成は自触媒性であることが観察され
た。このような酸が経時的に蓄積すると不溶性のゼラチ
ン状副生物が沈殿し、連続反応系の循環管路を閉塞し及
び/又は汚すに至り、これよりかかる酸及び/又は沈殿
を系から適当な方法、例えば酸を弱塩基、例えば重炭酸
ナトリウムで抽出することによって取り去るために可能
な定期的な加工運転停止或は停止を必要とし得る。別法
として、このような問題は、例えば米国特許第4,66
8,651号、同4,717,775号及び同4,76
9,498号に開示されている通りにして、連続液体循
環プロセスの液体反応流出物流を、アルデヒド生成物を
そこから分離する前或は一層好ましくは分離した後のい
ずれかに、弱塩基性アニオン交換樹脂床の中に通すこと
により防いでもよい。このような望ましくないヒドロキ
シアルキアルホスホン酸副生物の問題を最少にする及び
/又は防ぐ一層新規かつ好適な方法は、例えば1994
年11月15日に発行された「ホスフィットリガンドの
安定化方法」なる表題の本出願人の米国特許第5,36
4,950号に記載する通りに、所定のエポキシド試薬
を使用してかかる酸を除くことに在る。
モーティドロジウム触媒をかかるヒドロホルミル化プロ
セスにおいて用いる場合に、更に新規な問題が観測され
るようになった。この問題は、かかるロジウム−オルガ
ノホスフィット複合触媒を連続して用いるうちに触媒活
性の低下を伴うものであり、この低下はクロリド或は硫
黄化合物のような外部毒の存在しない場合でさえ生じ得
る。
モーティドロジウム触媒系を用いる場合に観察されるこ
の固有の触媒活性の低下は、主に或は少なくとも一部ジ
オルガノホスフィット副生物のクラスが形成することに
よるものと考えられ、かかる副生物はそのようにして用
いられる使用オルガノホスフィットリガンドの分解生成
物と最も良く説明することができる。このジオルガノホ
スフィット副生物のクラスはアルキル[1,1’−ビア
リール−2、2’−ジイル]ホスフィットからなり、ア
ルキルラジカルはヒドロホルミル化プロセスにより生成
される特定のn−アルデヒドに対応し、ホスフィットの
[1,1’−ビアリール−2、2’−ジイル]部分は使
用するオルガノビスホスフィットリガンドに由来する。
例えば、米国特許第4,769,498号の例14にお
いてプロピレンの連続ヒドロホルミル化プロセスに用い
ることが示されているオルガノビスホスフィットリガン
ド(該例14においてポリホスフィットリガンドと呼ば
れている)は、連続ヒドロホルミル化プロセスの過程に
わたりn−ブチル[1,1’−ビフェニル−2、2’−
ジイル]ホスフィットが形成することにより、やがては
固有の触媒活性の低下を経験する。そのようなタイプの
アルキル[1,1’−ビフェニル−2、2’−ジイル]
ホスフィットはロジウム金属と配位結合することがで
き、好適なオルガノビスホスフィットリガンドプロモー
ティドロジウム触媒に比べて反応性の低い複合物を形成
する。実際上、そのようにして派生されるかかるタイプ
のアルキル[1,1’−ビアリール−2、2’−ジイ
ル]ホスフィットは触媒毒或は抑制剤として作用し、そ
れにより好適なオルガノビスホスフィットリガンドプロ
モーティドロジウム触媒系の触媒活性を低下させる。一
層簡単に言うと、触媒活性の低下はロジウム金属がその
十分なポテンシャルにまで用いられないことの結果であ
る。
合触媒による連続ヒドロホルミル化プロセスのかかる固
有の触媒失活が、ヒドロホルミル化プロセスを所定の添
加弱酸性化合物及び/又は添加水の存在において行なう
ことにより、留保或は最小にし得ることを見出した。す
なわち、本発明の目的は、プロセスを弱酸性化合物、添
加水或はこれらの混合物からなる群より選ぶ所定の触媒
活性増進用添加剤の存在において行なうことにより、一
部固有に失活された触媒を再活性化する及び/又は触媒
のかかる固有の失活を少なくとも最小にする改良された
連続ロジウム−ビスホスフィット複合触媒によるヒドロ
ホルミル化方法を提供するにある。本発明のその他の目
的及び利点は下記の記述及び特許請求の範囲の記載から
容易に明らかになるものと思う。
な態様は下記として記載することができる:オレフィン
性不飽和化合物と一酸化炭素及び水素とを可溶化された
ロジウム−ビスホスフィット複合触媒の存在において反
応させることを含み、該複合触媒のビスホスフィットリ
ガンドは下記(化7及び化8):
チル、エチル及びn−プロピルからなる群より選ぶラジ
カルを表わし;各々のZ1 及びZ2 ラジカルは個々に水
素或は炭素原子1〜18を含有する有機置換ラジカルを
表わし;各々のXはアルキレン、アルキレン−オキシ−
アルキレン、アリーレン及びアリーレン−(Q)n −ア
リーレンからなる群より選ぶ二価のラジカルを表わし、
ここで各々のアルキレンラジカルは個々に炭素原子2〜
18を含有しかつ同じであるか或は異なり、各々のアリ
ーレンラジカルは個々に炭素原子6〜18を含有しかつ
同じであるか或は異なり;各々のQは個々に−CR5 R
6 −二価ブリッジング基表をわし、各々のR5 及びR6
ラジカルは個々に水素或はメチルラジカルを表わし;各
々のnは個々に0又は1の値を有する)からなる群より
選ぶリガンドであるアルデヒドの改良された連続ヒドロ
ホルミル化製造方法において、該方法を方法のヒドロホ
ルミル化反応媒体中に存在する従たる量の触媒活性増進
用添加剤の存在において行ない、該添加剤を添加水、弱
酸性化合物、或は添加水及び弱酸性化合物の両方からな
る群より選ぶことを特徴とする方法。
に開示する通りの添加水及び/又は所定の弱酸性添加剤
の存在において行なうことによりアルデヒドを製造する
可溶化されたロジウム−ビスホスフィット複合触媒によ
る連続ヒドロホルミル化方法の固有の触媒失活を留保或
は最小にすることを含む。
ム−ビスホスフィット複合触媒による連続ヒドロホルミ
ル化プロセスの例は、例えば下記に記載されているよう
なヒドロホルミル化プロセスを含む:米国特許第4,6
68,651号、同第4,774,361号、同第4,
769,498号、共に1991年8月21日に出願し
た米国特許出願第748,111号及び同第748,1
12号の一部継続である1992年7月16日に出願し
た米国特許出願第911,518号。米国特許出願第9
11,518号において、ビスホスフィットリガンドは
上記(I)及び(II)式からなる群より選ぶリガンド
である。上記の特許及び出願の全開示を本明細書中に援
用する。このように、かかるヒドロホルミル化プロセス
及びそれらの条件は良く知られており並びにヒドロホル
ミル化反応を行なう特定の様式及び採用する特定のヒド
ロホルミル化反応条件は広く変えかつ個々の要求を満足
するように適合させて所望の特定のアルデヒド生成物を
製造し得ることは理解されるべきである。
ン性化合物と一酸化炭素及び水素とを、また触媒用溶媒
を含有する液体媒体中で可溶化されたロジウム−ビスホ
スフィット複合触媒の存在において反応させることによ
ってアルデヒドを製造することを含むのが普通である。
その方法は連続単一パス様式で行なってもよく或は一層
好ましくは連続液体触媒循環様式で行なってもよい。循
環手順はヒドロホルミル化反応域から触媒及びアルデヒ
ド生成物を含有する液体反応媒体の一部を連続に或は断
続的にのいずれかで抜き出し、適する場合には、アルデ
ヒド生成物及び他の揮発性物質を気体状で回収するため
に、別の蒸留域において1又はそれ以上の段で常圧、減
圧或は高圧下でアルデヒド生成物をそこから蒸留し、揮
発されないロジウム触媒含有残分を反応域に循環させる
ことを含むのが普通である。揮発された物質の凝縮、並
びにそれらの例えば蒸留による分離及び回収は任意の慣
用方法で行なうことができ、所望の場合アルデヒド生成
物を先に進めて更に精製し、回収された反応体、例えば
オレフィン性出発原料及び合成ガスを任意の所望の方法
でヒドロホルミル化域に循環させることができる。同様
に、回収された揮発されないロジウム触媒含有残分を更
に処理して或は更に処理しないで所望の任意の慣用方法
でヒドロホルミル化域に循環させることができる。よっ
て、本発明の加工技術は、例えば従来慣用の液体触媒循
環ヒドロホルミル化反応において用いられたような任意
の既知の加工技術に一致してよい。
反応において用いることができるロジウム−ビスホスフ
ィット複合触媒の例は、上述した特許並びにビスホスフ
ィットリガンドが上記(I)及び(II)式からなる群
より選ぶリガンドである出願に記載されているものを含
むことができる。通常、このような触媒は、例えば上記
米国特許第4,668,651号及び同第4,769,
498号に記載されている通りに予備形成してもよく或
は現場形成してもよく、本質的にオルガノビスホスフィ
ットリガンドと錯体配位したロジウムからなる。一酸化
炭素もまた存在しかつ活性種でロジウムと錯化されるも
のと考えられる。活性な触媒種は、また水素をロジウム
に直接結合させて含有してもよい。上述した通りに、本
発明が包含するかかるヒドロホルミル化反応においてロ
ジウム触媒に錯化されるビスホスフィットリガンドとし
て及び/又は任意の遊離ビスホスフィットリガンド(す
なわち、活性な錯体触媒においてロジウム金属と錯化さ
れないリガンド)として用いることができるオルガノビ
スホスフィットリガンドの例は、上記(I)及び(I
I)式のものを含む。
I)においてXにより表わされる二価ラジカルの例は、
アルキレン、アルキレン−オキシ−アルキレン、フェニ
レン、ナフチレン、フェニレン−(Q)n −フェニレン
及びナフチレン−(Q)n −ナフチレンラジカル(Q及
びnは前に規定したのと同じである)からなる群より選
ぶ置換された及び未置換のラジカルを含む。Xにより表
わされる二価ラジカルの一層具体的な例は、例えば下記
を含む:炭素原子2〜18(好ましくは2〜12)を有
する直鎖或は枝分れ鎖のアルキレンラジカル、例えばエ
チレン、プロピレン、ブチレン、ヘキシレン、ドデシレ
ン、オクタデシレン、1,2,6−ヘキシレン、等;−
CH2 CH2 OCH2 CH2 −、1,4−フェニレン、
2,3−フェニレン、1,3,5−フェニレン、1,3
−フェニレン、1,4−ナフチレン、1,5−ナフチレ
ン、1,8−ナフチレン、2,3−ナフチレン、1,
1’−ビフェニル−2、2’−ジイル、1,1’−ビフ
ェニル−4、4’−ジイル、1,1’−ビナフチル−
2、2’−ジイル、2、2’−ビナフチル−1、1’−
ジイル、フェニレン−CH2 −フェニレン、フェニレン
−CH(CH3 )−フェニレンラジカル、等。
びZ2 により表わされるラジカル、並びにXにより表わ
されるラジカル上に存在し得る可能な置換基の例は、水
素に加えて、米国特許第4,668,651号に開示さ
れている炭素原子1〜18を含有するそれらの有機置換
基の内のいずれか、或は本発明の方法に過度の悪影響を
与えない任意の他のラジカルを含む。ラジカル及び置換
基の例は下記を含む:メチル、エチル、n−プロピル、
イソプロピル、ブチル、sec−ブチル、t−ブチル、
neo−ペンチル、n−ヘキシル、アミル、sec−ア
ミル、t−アミル、イソ−オクチル、デシル、オクタデ
シル、等のような第一級、第二級及び第三級アルキルラ
ジカルを含むアルキルラジカル;フェニル、ナフチル、
等のようなアリールラジカル;ベンジル、フェニルエチ
ル、トリフェニルメチル、等のようなアラルキルラジカ
ル;トリル、キシリル、等のようなアルカリールラジカ
ル;シクロペンチル、シクロヘキシル、1−メチルシク
ロヘキシル、シクロオクチル、シクロヘキシルエチル、
等のような脂環式ラジカル;メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、t−ブトキシ、−OCH2 CH2 OCH3 −、
−O(CH2 CH2)2 OCH3 、−O(CH2 CH
2 )3 OCH3 、等のようなアルコキシラジカル;フェ
ノキシ、等のようなアリールオキシラジカル;−Si
(CH3 )3 、−Si(OCH3 )3 、−Si(C3 H
7 )3 、等のようなシリルラジカル;−NH2 、−N
(CH3 )2 、−NHCH3 、−NH(C2 H5 )、等
のようなアミノラジカル;−C(O)CH3 、−C
(O)C2 H5 、−C(O)C6 H5 等のようなアシル
ラジカル;−C(O)OCH3 、等のようなカルボニル
オキシラジカル;−O(CO)C6 H5 等のようなオキ
シカルボニルラジカル;−CONH 2 、−CON(CH
3 )2 、−NHC(O)CH3 、等のようなアミドラジ
カル;−S(O)2 C2 H5 、等のようなスルホニルラ
ジカル;−S(O)CH3 、等のようなスルフィニルラ
ジカル;−SCH3 、−SC2 H5 、−SC6 H5 等の
ようなチオニルラジカル;−P(O)(C6 H5 )2 、
−P(O)(CH3 )2 、−P(O)(C2 H5 )2 、
−P(O)(C3 H7 )2 、−P(O)(C4H9 )
2 、−P(O)(C6 H13)2 、−P(O)CH3 (C
6 H5 )、−P(O)(H)(C6 H5 )、等のような
ホスホニルラジカル。
記式(化9)を有するフェニレン−(Q)n −フェニレ
ンラジカルを表わすのが一層好ましい:
は炭素原子1〜18を含有する有機置換ラジカルを表わ
し、Q及びnは前に規定したのと同じである。R1 、R
2 、R3 及びR4 によって表わされるかかる置換ラジカ
ルのタイプの例は、Z1 及びZ2 を表わすとして前に例
示しかつ検討したもの或は(I)及び(II)式のXの
置換基を含む。よって、本発明において用いることがで
きるビスホスフィットリガンドの好適なクラスは下記式
(化10及び化11)のものである:
4 、Q及びnは前に規定したのと同じである。
びX2 基、各々のZ1 及びZ2 基、各々のR1 、R2 、
R3 及びR4 基は同じでも或は異なってもよい。その
上、(I)及び(II)式のZ1 及びZ2 並びに上記式
のR3 及びR4 はそれらのそれぞれのフェニルラジカル
の4、5或は6位に存在してよいが、それらは5位、す
なわちそれらのそれぞれのフェニルラジカルに結合した
酸素に対してパラ位にあるのが好ましい。同様に、(I
I)及び(IV)式のZ1 及びZ2 はそれらのそれぞれ
のナフチルラジカルの5、6、7或は8位に存在してよ
いが、それらは下記式(VI)に示す通りにそれらのそ
れぞれのナフチルラジカルの6位にあるのが好ましい。
その上、挙げた任意のビスホスフィットリガンド化合物
においてX1 はX2 と同じ、Z1 はZ2 と同じ、R1 は
R2 と同じ、R3 はR4 と同じであるのが好ましい。
スフィットリガンドの一層好適なクラスは下記式(化1
2及び化13)のものである:
4 、Q及びnは前に規定したのと同じである。
2 、R1 、R2 、R3 及びR4 ラジカルは個々に水素、
炭素原子1〜8を有するアルキルラジカル、フェニル、
ベンジル、シクロヘキシル、1−メチルシクロヘキシ
ル、ヒドロキシ及び炭素原子1〜8を有するアルコキシ
ラジカルからなる群より選ぶラジカル、特にメトキシを
表わすのが一層好ましく、各々のnはゼロであるのが好
ましい。上記式のいずれかにおける各々のX1 、X2 、
Z1 及びZ2 は水素を表わし、上記式のいずれかにおけ
る各々のR1 及びR2 は個々にイソプロピル或はそれよ
り高級の立体障害を有するラジカル、例えば炭素原子3
〜8の枝分れアルキルラジカル、例えばイソプロピル、
t−ブチル、t−アミル、イソ−オクチル、等、特にt
−ブチル、脂環式ラジカル、例えばシクロヘキセン、1
−メチルシクロヘキセンを表わすのが最も好ましい。そ
の上、R1 及びR2 は同じであり、R3 及びR4 は同じ
であるのが最も好ましい。
スフィットリガンドの具体例は、下記のような好適なリ
ガンドを含む:下記式(化14)を有する6,6’
[[3,3’−ビス(1,1−ジメチルエチル)−5,
5’−ジメトキシ[1,1’−ビフェニル]−2,2’
−ジイル]ビス−ジベンゾ[d,f][1,3,2]−
ジオキサホスフェピンリガンド:
5’−テトラキス(1,1−ジメチルプロピル)1,
1’−ビフェニル−2,2’−ジイル]ビス(オキ
シ)]ビス−ジベンゾ[d,f][1,3,2]−ジオ
キサホスフェピンリガンド:
5’−テトラキス(1,1−ジメチルエチル)1,1’
−ビフェニル−2,2’−ジイル]ビス(オキシ)]ビ
ス−ジベンゾ[d,f][1,3,2]−ジオキサホス
フェピンリガンド:
表2に掲記する置換基を有する上記(V)及び(VI)
式のものを含む。表1及び表2において、Hは水素を表
わしMeはメチルを表わしPrはプロピルを表わしt−
Buはt−ブチルを表わしt−Amはt−アミルを表わ
しNeo−PはNeo−ペンチルを表わしt−Heはt
−ヘキシル[−C(CH3 )2 CH(CH3 )CH3 ]
を表わしOMeはメトキシを表わしOPrはプロポキシ
を表わす
うなタイプのビスホスフィットリガンド及び/又はそれ
らの製造方法は例えば米国特許第4,668,651号
に開示されている通りに良く知られている。例えば、ビ
スホスフィットリガンドは当分野において良く知られて
いる一連の慣用のハロゲン化リン−アルコール縮合反応
により直ぐにかつ容易に製造することができる。このよ
うなリガンドを製造する簡単な方法は、(a)対応する
有機ジフェノール系化合物と三塩化リンとを反応させて
対応する有機ホスホロクロリダイト中間体を形成し、
(b)該中間体とジオール(上記式中のXに相当する)
とを反応させて対応するヒドロキシ置換されたジオルガ
ノホスフィット中間体を形成し、(c)該ジオルガノホ
スフィット中間体と三塩化リンとを反応させて対応する
ホスホロジクロリダイト中間体を形成し、(d)該ジク
ロリダイトと対応するジオールとを反応させて対応する
所望のビスホスフィットリガンドに至らせることを含む
ことができる。このような縮合反応は、溶媒、例えばト
ルエン、及びHCl受容体、例えばアミンの存在におい
て行うのが好ましく、所望の場合単一ポット合成で行っ
てもよい。例えば、所望の対称なホスフィットタイプの
リガンド、例えば上記(V)及び(VI)式により包含
されるものは、上記工程(a)のホスホロクロリダイト
中間体2モル当量とXに相当するジオール1モル当量と
を反応させることによって直接製造することができる。
その上、本発明において用いることができるビスホスフ
ィットリガンドは、所望の場合、慣用の分析技術、例え
ばリン−31核磁気共鳴分光分析法及びFast At
om Bombardment Mass Spect
roscopyにより容易に同定及び特性決定すること
ができる。
ホルミル化方法において用いることができるヒドロホル
ミル化反応条件は、従来上述した特許に開示されている
任意の適した連続ヒドロホルミル化条件を含んでよい。
例えば、ヒドロホルミル化プロセスの水素、一酸化炭素
及びオレフィン性不飽和出発化合物の全ガス圧は約1〜
約10,000 psia (0.07〜700kg/cm2 A)
の範囲にすることができるが、プロセスは水素、一酸化
炭素及びオレフィン性不飽和出発化合物の全ガス圧約1
500 psia (105kg/cm2 A)未満、一層好ましく
は約500 psia (35kg/cm2 A)未満で運転するす
るのが好ましい。最小の全圧は、主に所望の反応速度を
得るために必要な反応体の量によって制限される。より
詳細には、本発明のヒドロホルミル化プロセスの一酸化
炭素分圧は約1〜約120 psia(0.07〜8.4kg
/cm2 A)が好ましく、約3〜約90 psia (0.2〜
6.3kg/cm2 A)が一層好ましく、水素分圧は約15
〜約160 psia (1.1〜11kg/cm2 A)が好まし
く、約30〜約100 psia (2.1〜7kg/cm2A)
が一層好ましい。ガス状水素対一酸化炭素のH2 :CO
モル比は、通常約1:10〜100:1又はそれ以上の
範囲にすることができ、一層好ましい水素対一酸化炭素
のモル比は約1:1〜10:1である。更に、ヒドロホ
ルミル化プロセスは反応温度約45°〜約150℃で行
うことができる。通常、ヒドロホルミル化反応温度約5
0°〜約120℃がすべてのタイプのオレフィン性出発
原料について好ましく、一層好ましい反応温度は約50
°〜約100℃であり、最も好ましい反応温度は約80
℃である。
おいて用いることができるオレフィン性出発原料反応体
は炭素原子2〜30を含有するオレフィン性化合物を含
む。このようなオレフィン性化合物は、末端又は内部不
飽和にすることができ、直鎖状、分枝鎖状又は環状構造
にすることができ、並びにプロペン、ブテン、イソブテ
ン、等のオリゴマー化から得られるようなオレフィン混
合物(例えば米国特許第4,518,809号及び同第
4,528,403号に開示されているようないわゆる
二量体、三量体又は四量体状プロピレン、等のようなも
の)にすることができる。その上、このようなオレフィ
ン性化合物は、更に1個又はそれ以上のエチレン性不飽
和基を含有してよく、所望ならば2種またはそれ以上の
異なるオレフィン性化合物の混合物を出発ヒドロホルミ
ル化原料として用いてよいのはもちろんである。更に、
このようなオレフィン性化合物及びそれらから誘導され
る対応するアルデヒド生成物は、また、ヒドロホルミル
化プロセス又は本発明の方法に過度に悪い影響を与えな
い基又は置換基、例えば米国特許第3,527,809
号、同第4,668,651号に記載されているもの、
等を1個又はそれ以上含有してもよい。
りである:アルファ−オレフィン、インターナルオレフ
ィン、アルキルアルケノエート、アルケニルアルカノエ
ート、アルケニルアルキルエーテル、アルケノール、
等、例えばエチレン、プロピレン、1−ブテン、1−ペ
ンテン、1−ヘキセン、1−オクテン、1−ノネン、1
−デセン、1−ウンデセン、1−ドデセン、1−トリデ
セン、1−テトラデセン、1−ペンタデセン、1−ヘキ
サデセン、1−ヘプタデセン、1−オクタデセン、1−
ノナデセン、1−エイコセン、2−ブテン、2−メチル
プロペン(イソブチレン)、2−ペンテン、2−ヘキセ
ン、3−ヘキサン、2−ヘプテン、シクロヘキセン、プ
ロピレン二量体、プロピレン三量体、プロピレン四量
体、2−エチル−1−ヘキセン、2−オクテン、スチレ
ン、3−フェニル−1−プロペン、1、4−ヘキサジエ
ン、1、7−オクタジエン、3−シクロヘキシル−1−
ブテン、アリルアルコール、アリルブチレート、ヘキサ
−1−エン−4−オール、オクタ−1−エン−4−オー
ル、ビニルアセテート、アリルアセテート、3−ブテニ
ルアセテート、ビニルプロピオネート、アリルプロピオ
ネート、メチルメタクリレート、ビニルエチルエーテ
ル、ビニルメチルエーテル、アリルエチルエーテル、n
−プロピル−7−オクテノエート、3−ブテンニトリ
ル、5−ヘキセンアミド、4−メチルスチレン、4−イ
ソプロピルスチレン、4−t−ブチルスチレン、アルフ
ァ−メチルスチレン、4−t−ブチル−アルファ−メチ
ルスチレン、1、3−ジイソプロペニルベンゼン、オイ
ゲノール、イソオイゲノール、サフロール、イソサフロ
ール、アネトール、4−アリルアニソール、インデン、
リモネン、ベータ−ピネン、ジシクロペンタジエン、シ
クロオクタジエン、カンフェン、リナロール、等。
望の場合、異なるオレフィン性出発原料の混合物を用い
得ることが理解されるのはもちろんである。一層好まし
くは、主題の発明は、イソブチレンを含む炭素原子2〜
20を含有するアルファオレフィン、及び炭素原子4〜
20を含有するインターナルオレフィン、並びにかかる
アルファオレフィンとインターナルオレフィンとの出発
原料混合物をヒドロホルミル化することにより、アルデ
ヒドを製造するために特に有用である。また、炭素原子
4又はそれ以上を含有する商用アルファオレフィンが対
応するインターナルオレフィン及び/又はそれらの対応
する飽和炭化水素を従たる量で含有し得ること及びかか
る商用オレフィンをヒドロホルミル化する前に必ずしも
精製する必要がないことも了解されるべきである。
ミル化方法は、本明細書中に記載する通りのロジウム−
ビスホスフィットリガンド複合触媒を使用することを伴
うものであった。所望の場合、かかる触媒の混合物もま
た用いることができるのはもちろんである。本発明が包
含する所定のヒドロホルミル化プロセスの反応媒体中に
存在するロジウム−ホスフィット複合触媒の量は、用い
ることを望む所定のロジウム濃度をもたらすのに必要で
ありかつ少なくとも例えば上述した特許に開示されてい
るような含まれる特定のヒドロホルミル化プロセスを触
媒するのに必要な触媒量のロジウムについてのべーシス
を供するその最少量だけにする必要がある。ヒドロホル
ミル化反応媒体中、遊離ロジウムとして計算して約10
〜約1000ppmの範囲のロジウム濃度が通常ほとん
どのプロセスについて充分であり、ロジウム約10〜5
00ppmを用いるのが通常好ましく、ロジウム約25
〜350ppmを用いるのが一層好ましい。
スは、ロジウム−ビスホスフィットリガンド複合触媒に
加えて、遊離のビスホスフィットリガンド、すなわち使
用する複合触媒のロジウム金属と錯化されないリガンド
の存在において行ってよい。かかる遊離のビスホスフィ
ットリガンドは前に本発明において用いることができる
と検討した前に規定したビスホスフィットリガンドの内
のいずれかに一致してよい。遊離ビスホスフィットリガ
ンドは、使用する場合、使用するロジウム−ビスホスフ
ィットリガンド複合触媒のビスホスフィットリガンドと
同じにするのが好ましい。しかし、かかるリガンドはす
べての所定のプロセスにおいて同じにする必要はない。
その上、ヒドロホルミル化プロセスをかかる遊離ビスホ
スフィットリガンドの存在において行うことは絶対に必
要というものではないかもしれないが、ヒドロホルミル
化反応媒体中に遊離ビスホスフィットリガンドを少なく
ともいくらかの量存在させるのが好ましい。すなわち、
本発明のヒドロホルミル化方法は、ヒドロホルミル化反
応媒体中に遊離ビスホスフィットリガンドを存在させず
に或は任意の量、例えばロジウム金属1モル当り100
モルまで、又はそれ以上の遊離ビスホスフィットリガン
ドの存在において行ってよい。本発明のヒドロホルミル
化方法は、反応媒体中に存在するロジウム金属1モル当
り約1〜約50モルのビスホスフィットリガンドの存在
において行うのが好ましく、約1〜約4モルのビスホス
フィットリガンドの存在において行うのが一層好まし
い。ビスホスフィットリガンドの該量は、存在するロジ
ウム金属に結合された(錯化された)ビスホスフィット
リガンドの量と存在する遊離(錯化されない)ビスホス
フィットリガンドの量との合計である。所望の場合、例
えば反応媒体中に所定のレベルの遊離リガンドを保つた
めに、メークアップ或は追加のビスホスフィットリガン
ドをヒドロホルミル化プロセスの反応媒体に任意の時に
及び任意の方法で供給することができるのはもちろんで
ある。
は、またロジウム−ビスホスフィット複合触媒及び存在
してよい任意の遊離ビスホスフィットリガンド用の有機
溶媒の存在において行う。意図するヒドロホルミル化プ
ロセスを過度に悪く妨げない任意の適した溶媒を用いる
ことができる。ロジウム触媒によるヒドロホルミル化プ
ロセスに適した溶媒は、例えば米国特許第4,668,
651号に開示されているものを含む。所望の場合、一
種或はそれ以上の異なる溶媒の混合物を用いてもよいの
はもちろんである。溶媒は、その中にオレフィン性出発
原料、触媒、及び用いるならば弱酸性添加剤がすべて実
質的に可溶性のものが最も好ましい。通常、生成するこ
とを望むアルデヒド生成物に相当するアルデヒド化合物
及び/又はそれより沸点の高いアルデヒド縮合副生物、
例えばヒドロホルミル化プロセスの間に現場生成される
それより沸点の高いアルデヒド液体縮合副生物を一次溶
媒として用いるのが好ましい。実際、連続プロセスの運
転開始時に任意の適した溶媒を用いてよいが、一次溶媒
は、該連続プロセスの性質により、終局的にアルデヒド
生成物及びそれより沸点の高いアルデヒド液体縮合副生
物の両方を含むことになるのが普通である。かかるアル
デヒド縮合副生物は、また、所望の場合予備形成し、適
宜に用いることができる。溶媒の使用量は主題の発明に
とり臨界的なものではなく、反応媒体に所定のプロセス
について望む特定のロジウム濃度を付与する程のその量
だけにする必要があるのはもちろんである。溶媒の量
は、通常反応媒体の全重量を基準にして約5〜約95重
量%まで又はそれ以上の範囲にすることができる。
発明において用いることができる可溶化されたロジウム
−ホスフィット複合触媒による連続ヒドロホルミル化プ
ロセスは液体触媒循環手順を含むのが好ましい。このよ
うなタイプの液体触媒循環手順は、例えば米国特許第
4,668、651号、同第4,774,361号、同
第5,102,505号及び同第5,110,990号
に開示されている通りに知られており、本発明は任意の
かかる慣用の触媒循環手順を採用してよいので、これよ
り液体触媒循環手順については本明細書中で特に詳細に
述べる必要はない。例えば、かかる液体触媒循環手順で
は、ヒドロホルミル化反応装置から、例えばアルデヒド
生成物、可溶化されたロジウム−ビスホスフィット複合
触媒、遊離ビスホスフィットリガンド、及び有機溶媒、
並びにヒドロホルミル化により現場生成された副生物、
例えばアルデヒド縮合副生物、等、並びに未反応のオレ
フィン性出発原料、一酸化炭素及び水素(合成ガス)を
溶解させて含有する液体反応生成物媒体の一部を連続し
て取り出して蒸留域、例えばベーパライザー/セパレー
ターに送り、そこで所望のアルデヒド生成物を、適する
場合には1又はそれ以上の段で、常圧、減圧或は高圧下
で蒸留し、液体媒体と分離することはありふれたことで
ある。そのようにして分離された気化或は蒸留された所
望のアルデヒド生成物を、次いで前に検討した通りに任
意の慣用方法で凝縮させて回収することができる。ロジ
ウム−ビスホスフィット複合触媒、溶媒、遊離ビスホス
フィットリガンド及び通常いくらかの未蒸留アルデヒド
生成物を含有する残留する揮発されない液体残分を、次
いで所望の通りに更に処理或は更に処理しないで、また
該循環液体残分中に依然溶解されるどんな副生物及び揮
発されないガス状反応体と共に、所望の任意の慣用方法
で、例えば上述した特許に開示されているようなヒドロ
ホルミル化反応装置に戻して循環させる。その上、所望
の場合、ベーパライザーから蒸留によってそのようにし
て取り出した反応体ガスもまた反応装置に循環させて戻
してもよい。
生成物溶液からの所望のアルデヒド生成物の蒸留及び分
離は、所望の任意の適した温度で行なってよい。通常、
かかる蒸留は150℃より低いような低い温度で、一層
好ましくは約50°〜約130℃の範囲の温度で、最も
好ましくは約115℃までの温度で行なうのが勧められ
る。また通常、かかるアルデヒド蒸留は低い圧力、例え
ば低沸点アルデヒド(例えばC4 〜C6 )を伴う場合ヒ
ドロホルミル化する間に用いる全ガス圧より実質的に低
い全ガス圧下で或は高沸点アルデヒド(例えばC7 又は
それより高級)を伴う場合減圧下で行なうのが勧められ
る。例えば、一般に行なわれているのは、ヒドロホルミ
ル化反応装置から取り出した液体反応生成物媒体に圧力
降下を施し、それで液体媒体に溶解した未反応ガスの相
当の部分を揮発させ、次いで揮発されたガス及び今合成
ガスをヒドロホルミル化反応媒体中に存在していたより
ずっと低い濃度で含有する液体媒体を蒸留域、例えばベ
ーパライザー/セパレーターに通し、そこで所望のアル
デヒド生成物を蒸留させることである。通常、減圧〜全
ガス圧約50psig(3.5kg/cm2G)までの範囲の
蒸留圧力がほとんどの目的について十分である。
中で検討した通りのかかるロジウム−ビスホスフィット
複合触媒の固有の触媒失活を、ヒドロホルミル化プロセ
スをプロセスのヒドロホルミル化反応媒体中に存在する
従たる量の触媒活性増進用添加剤を添加して存在させて
行い、該添加剤を添加水、弱酸性化合物、或は添加水及
び弱酸性化合物の両方からなる群より選ぶことにより、
留保或は少なくとも最小にし得ることを見出したことに
在る。本発明の方法のヒドロホルミル化反応媒体中の触
媒活性増進用添加剤の該従たる量(すなわち、添加水及
び/又は弱酸性化合物添加剤のその量)は、ヒドロホル
ミル化反応媒体の全重量を基準にして約0.05〜約2
0重量%、一層好ましくは約0.05〜15重量%の範
囲にすることができる。その上、本発明の方法は添加水
を存在させずに或は弱酸性添加剤を存在させずに行なっ
てよいが、本発明のヒドロホルミル化方法は本明細書中
で検討した通りの添加水及び/又は弱酸性化合物添加剤
を少なくともいくらかの量で用いることを伴うことは理
解されるべきである。
ことを望むものではないが、例えば米国特許第4,66
8,651号において検討されている通りに所定のビス
ホスフィットリガンドは、それらの構造上の特徴によ
り、有利に独特のヒドロホルミル化触媒プロモーターと
なるが、また固有の触媒失活の原因にもなる。
るタイプのビスホスフィットプロモーティドロジウムヒ
ドロホルミル化触媒は、ターミナル並びにインターナル
オレフィンをアルデヒドに転化させるのに極めて活性で
ありかつ選択的であることが分かったが、またかかる触
媒系は経時的に触媒活性の低下を被ることも観察され
た。かかる触媒を研究する内に、ジオルガノホスフィッ
ト副生物のクラスが形成するのが分かった。かかる副生
物は、一番よくて使用するビスホスフィットリガンドの
モノホスフィット分解生成物と説明することができる。
かかる証拠は、ビスホスフィットが、アルデヒド生成物
と水素(或はハロゲン化物)との反応から生じると思わ
れるようなアルコール或はアルコキシラジカルと反応し
てアルキル[1,1’−ビアリール−2、2’−ジイ
ル]ホスフィット、すなわちモノホスフィット副生物を
形成するという見地と一致し、かかるモノホスフィット
副生物は、所望の場合、更に慣用の分析技術、例えばリ
ン−31核磁気共鳴分光分析法及びFast Atom
Bombardment Mass Spectro
scopyにより容易に同定可能でありかつ特性決定可
能である。好適なロジウム−ビスホスフィットリガンド
複合触媒の固有の触媒失活は、主にかかるモノホスフィ
ット副生物がロジウム金属上の結合部位について競合し
かつ使用する好適なロジウム−ビスホスフィットリガン
ド複合触媒に比べて触媒反応性のずっと低い錯体を形成
することにより触媒毒として作用することによって引き
起こされるものと考えられる。
検討する通りの添加水及び/又は所定の弱酸性添加剤の
存在において行なうことを含む、このような固有の触媒
失活を留保或は大きく最小にする手段を今見出した。例
えば、従来慣用のロジウム−ビスホスフィット複合触媒
による連続ヒドロホルミル化プロセスは非水性の有機ヒ
ドロホルミル化反応媒体中で行なわれてきた。すなわち
それらのプロセスは故意に加える水の不存在或は本質的
な不存在において行なわれた。かかるヒドロホルミル化
反応媒体中に少しでもあるとすればその水はすべて、た
だ使用する反応体(例えば合成ガス)中の可能な微量の
結果として或は現場形成(例えば、アルデヒド生成物と
その二量体副生物との可能な縮合反応)の結果とし存在
するだけで、触媒の性能に過度に悪い影響を与える或は
ビスホスフィットリガンドの過度の分解(加水分解)を
引き起こす、或は望ましくないモノホスフィットリガン
ド副生物の有意の加水分解を引き起こす程の量で存在し
なかった。
スフィットリガンド副生物が形成することにより、少な
くとも一部固有に失活されるようになったロジウム−ビ
スホスフィットリガンド複合触媒の触媒活性を、本明細
書中に記載する通りの水及び/又は弱酸性添加剤をヒド
ロホルミル化プロセスの反応媒体に加えることによって
有意の程度に戻す(すなわち触媒再活性)ことができる
ことを見出した。かかる固有の触媒失活は、一層好まし
くは、かかるモノホスフィット副生物が有意に蓄積する
前に、水及び/又は弱酸性添加剤を反応媒体に加える
(例えば、かかる添加水及び/又は弱酸性添加剤をヒド
ロホルミル化プロセスの開始から反応媒体において用い
る)ことによって留保或は少なくとも大きく最小にする
ことができる。
水が望ましくないモノホスフィットリガンド副生物を使
用する所望のビスホスフィットリガンドに比べてずっと
速い速度で加水分解させかつかかる選択的加水分解が、
本明細書中に記載する通りの所定の弱酸性添加剤を用い
ることにより触媒或は増進され得ることを見出した。こ
のような知見は、かかる望まないモノホスフィットを反
応系から選択的に取り除くもしくは一層好ましくは、か
かるモノホスフィットリガンドが反応系内に過度にひど
く蓄積するのを防ぐ或は最小にすることを可能にする。
ロホルミル化反応媒体に加える弱酸性添加剤は、それら
の製造方法のように良く知られた化合物でありかつ通常
商業上容易に入手し得る。pKa値約1.0〜約12、
一層好ましくは約2.5〜約10を有する任意の弱酸性
化合物を本発明において用いてよい。このような化合物
のわずかに酸性の性質が、更に水を故意にヒドロホルミ
ル化反応媒体に加えない場合でさえ、使用するビスホス
フィットリガンドに過度に悪い影響を与えないで、モノ
ホスフィットリガンド副生物の加水分解を触媒するのが
分かった。例えば、添加剤化合物の酸性度は、またビス
ホスフィットリガンドを酸加水分解により許容し得ない
速度で分解させる程に高くすべきでない。かかるpKa
値は、McGraw−Hill Book Compa
ny,J.A.Dean編集,”Lange’s Ha
ndbook of Chemistry”、13版、
5−18〜5−60頁(1985)に規定されている通
りに酸性解離定数の負の(decadic)ロガリズ
ム、すなわち−log10Ka=pKaで表わして挙げる
通りの化合物の酸性度の尺度である。推定の(es
t.)pKa値は、”Lange’s Handboo
k of Chemistry”の5−13頁で検討さ
れている通りにpKa値が既知の特性が同様と分かる化
合物と比較を行うことによって得ることができるのはも
ちろんである。一層好適な弱酸性化合物の中に、1〜3
の置換ラジカルを直接結合させて含有するアリール化合
物(すなわち、アリール化合物のある置換基に結合され
ているのと対照してアリール化合物のアリール環に直接
結合されている)であって、各々の置換ラジカルは個々
にヒドロキシ及びカルボン酸ラジカルからなる群より選
ぶものがある。かかるアリール化合物はフェニル、ビフ
ェニル、ナフチル及びジナフチル化合物並びにピリジン
のような複素環式タイプのアリール化合物、等からなる
群より選ぶものを含む。かかる弱酸性化合物はヒドロキ
シラジカルを1〜2或はカルボン酸ラジカルを1〜2或
はこれらの混合物を含有するのが好ましい。かかる弱酸
性アリール化合物は、所望の場合、また本発明の目的を
過度に悪く妨げないその他の基或は置換基、例えばアル
キル、ハライド、トリフルオロメチル、ニトロ、アルコ
キシラジカル、等も含有してよいのはもちろんである。
酸置換されたアリールラジカルの例は、括弧内のそれら
のpKa値と共に、例えば下記(表3)を含む:
めに特定の弱酸性化合物を選択する場合、弱酸性化合物
のpKa値に加えて、またその総括的触媒性能を、関与
するヒドロホルミル化プロセスの多くの特質、例えばヒ
ドロホルミル化する特定のオレフィン、所望の特定のア
ルデヒド生成物及びアルデヒド生成物異性体比、使用す
るビスホスフィットリガンド、反応媒体中に存在する水
の量、反応媒体中に存在するモノホスフィットリガンド
の量、等、並びに弱酸性化合物添加剤のヒドロホルミル
化反応媒体への溶解度及び揮発度(例えば沸点)、等の
ような弱酸性化合物の特性と共に考慮することを望むか
もしれない。
種又はそれ以上の異なる弱酸性化合物の混合物として用
いてよいことが了解されるべきことはもちろんである。
その上、本発明の任意の所定のプロセスにおいて用いる
ことができるかかる弱酸性化合物添加剤の量は、触媒
量、すなわちモノホスフィットリガンド副生物の選択的
加水分解を触媒するのに必要なその最少量だけにする必
要がある。かかる弱酸性化合物添加剤は、ヒドロホルミ
ル化反応媒体の全重量を基準にして0〜約20重量%又
は所望の場合それ以上の量で用いてよい。通常、かかる
弱酸性化合物添加剤は、用いる場合、ヒドロホルミル化
反応媒体の全重量を基準にして約0.1〜約5.0重量
%の範囲の量で用いるのが好適である。本発明のヒドロ
ホルミル化プロセスはかかる弱酸性化合物添加剤を何ら
存在させずに行うのが一層好ましい。実際、更に驚くべ
きことに、ヒドロホルミル化反応媒体に故意に少量の添
加水を付与することによるだけで、使用する所望のビス
ホスフィットリガンドを過度にひどく加水分解しない
で、望ましくないモノホスフィットリガンド副生物を都
合よく許容し得る速度で選択的に加水分解することがで
きることを見出した。例えば、本発明のプロセスのヒド
ロホルミル化反応媒体に、丁度ヒドロホルミル化プロセ
スの開始から(或は少なくともモノホスフィットリガン
ド副生物の過度にひどい蓄積が起きる前に)、適した量
の添加水を付与することによって、望ましくないモノホ
スフィットリガンド副生物を、それが現場形成されると
選択的に加水分解し(弱酸性化合物添加剤をなんら必要
としないで)、それによりモノホスフィットリガンド副
生物の過度にひどい蓄積を防ぐ或は最少にすることがで
きる。このような選択的加水分解は、立ち代わって本明
細書中前に検討した通りにかかるモノホスフィットリガ
ンドによって引き起こされる固有のロジウム−ビスホス
フィットリガンド複合触媒失活を防ぐ或は最小にする。
用語は、主題の発明のヒドロホルミル化反応系に故意に
供給した水(ヒドロホルミル化反応媒体中に現場生成さ
れた水だけが存在することに対比して)を言う。上述し
た通りに、存在するモノホスフィットリガンドの量があ
まりに多くなければ、反応媒体中に現場で生成された水
だけが存在することによるモノホスフィットリガンド副
生物の加水分解は、弱酸性化合物添加剤を用いることに
より、満足すべき程に触媒することができるので、主題
の発明のプロセスにおいてかかる添加水を用いることは
必要ないかもしれない。これより、主題の発明のヒドロ
ホルミル化プロセスを、弱酸性化合物添加剤もまた用い
るかどうかに関係なく添加水を適した量で存在させて行
うのが好適である。よって、本発明の任意の所定のプロ
セスにおいて用いることができるかかる添加水の量は、
モノホスフィットリガンド副生物の所望の選択的加水分
解を達成するのに必要なその最少量だけにする必要があ
る。かかる添加水は、ヒドロホルミル化反応媒体の全重
量を基準にして0〜約20重量%、又は所望の場合それ
以上の量で用いてよい。また所望のビスホスフィットリ
ガンドを望ましくない速度で過度に加水分解するに至る
或は所望の及び慣用の単相(有機)均一ヒドロホルミル
化反応媒体に対比して2相(有機−水性)ヒドロホルミ
ル化反応媒体を生じ得る量の添加水は避けるべきことは
もちろんである。通常、かかる添加水は、用いる場合、
ヒドロホルミル化反応媒体の全重量を基準にして約0.
05〜約10重量%の範囲の量で用いるのが好適であ
る。
加水及び/又は弱酸性化合物添加剤の添加は所望の任意
の適した方法で行なってよく、それらの添加順序は重要
でない。例えば、それらは別々に及び/又は同時に加え
てよく、或は所望の場合予備混合し、次いで加えてもよ
い。その上、それらは単独で或は慣用の反応体と共に、
例えば合成ガス或はオレフィン反応体と共に、もしくは
触媒循環管路を経て反応系に導入してよい。上述した通
りに、かかる添加水及び/又は弱酸性化合物添加剤(実
際に用いる場合)を丁度ヒドロホルミル化プロセスの運
転開始から用いるのが好適である。例えば、弱酸性化合
物添加剤は、ロジウム触媒プリカーサー組成物中に溶解
し、該組成物と共に反応装置に加えることができ、水
は、好ましくは、例えば合成ガスを反応装置に導入する
前に合成ガスを水の容器を通してスパージすることによ
って得られる水飽和合成ガスにより反応媒体に加えるこ
とができる。これより、主題の発明のそれ以上の利点
は、主題の発明を達成するのに、慣用のロジウム触媒に
よる連続ヒドロホルミル化反応系を、実際少しでも修正
しなければならないとすれば、有意に修正しないですむ
ことである。望まないモノホスフィットリガンド副生物
の選択的加水分解は、所望のアルデヒド生成物をそのオ
レフィン性出発原料から製造するのに用いる同じヒドロ
ホルミル化反応装置においてかつ連続反応系全体を通し
てかつ同じヒドロホルミル化条件下で行なわれることが
できる。すなわち、望ましくないモノホスフィットリガ
ンド副生物の選択的加水分解を行うのに用いる条件は臨
界的なものでなく、従来当分野で用いられている同じ慣
用の連続ヒドロホルミル化条件の内の任意のものを含
む。このような所望の融通性は、モノホスフィットリガ
ンド副生物によって引き起こされるロジウム−ビスホス
フィットリガンド複合触媒の固有の触媒失活を防ぐ或は
最小にする際に望む改良度を調節及びバランスするため
の広い加工寛容度を供する。
解は、立ち代って例えば米国特許第4,737,588
号において該略されている通りにヒドロキシアルキルホ
スホン酸を形成するに至る。その上、かかるヒドロキシ
アルキルホスホン酸もまた、例えば米国特許第4,73
7,588号及び同第4,769,498号に開示され
ている通りにロジウム−オルガノホスフィット触媒によ
るヒドロホルミル化プロセスにおいて望ましくない。し
かし、主題の発明によりモノホスフィットリガンド副生
物が加水分解する結果かかるヒドロキシアルキルホスホ
ン酸を形成することは、それでもなおヒドロホルミル化
プロセスにおいて一層望ましくないモノホスフィットリ
ガンド副生物が存在し続けることに比べて好ましい。実
際、かかるヒドロキシアルキルホスホン酸副生物の存在
は米国特許第4,737,588号及び同第4,76
9,498号に記載されている通りに有効に制御し得る
と考えられる。例えば、主題の連続液体循環プロセスの
液体反応流出物流を、それからアルデヒド生成物を分離
する前か或は一層好ましくはアルデヒド生成物を分離し
た後のいずれかに、任意の適した弱塩基性アニオン交換
樹脂、例えばアミン−Amberlyst(登録商
標)、例えばAmberlyst A−22、等の床に
通して液体触媒含有流中に存在し得る望ましくないヒド
ロキシアルキルホスホン酸副生物をいくらか或は全部取
り除いた後に、ヒドロホルミル化反応装置に再加入して
もよい。所望の場合、かかる弱塩基性アニオン交換樹脂
床を1つより多く、例えば該床を直列で用いてもよく、
該床を必要とする或は所望の通りに容易に取り去る及び
/又は置換してよいのはもちろんである。別法として、
所望の場合、ヒドロキシアルキルホスホン酸で汚染され
た触媒循環流の一部或は全部を連続循環運転から定期的
に取り出し、そのように取り出した汚染された液を前に
該略したのと同じ様式で処理して中に含有される量のヒ
ドロキシアルキルホスホン酸を除き或は減少させた後
に、触媒含有液をヒドロホルミル化プロセスにおいて再
使用する。同様に、所望の場合、本発明のヒドロホルミ
ル化プロセスからかかるヒドロキシアルキルホスホン酸
副生物を取り去るための任意の他の適した方法、例えば
酸を弱塩基、例えば重炭酸ナトリウムで抽出することに
よるような方法を採用してもよい。
ルホスホン酸副生物の問題を最少にする及び/又は防ぐ
一層新規なかつ一層好適な方法は、例えば本出願と同時
に出願した「ホスフィットリガンドの安定化方法」なる
表題の本出願人の同時継続中の米国特許出願第 号
に記載されている通りに、かかる酸を除く或は封鎖する
ために所定のエポキシド試薬を用いることに在る。同米
国特許出願の全体の開示を本明細書中に援用する。よっ
て、本発明のヒドロホルミル化方法は、またこのような
エポキシド試薬を更に存在させて行うのが好ましい。
る式を有するものを含む。第一のかかる式は下記(化1
7)の通りである:
下記からなる群より選ぶ:水素;一価炭化水素ラジカル
(例えば、炭素原子1〜約30を有するアルキル、アリ
ール、アラルキル、及びアルカリール基);置換された
炭素原子1〜約30を有するアルキル、アリール、アラ
ルキル、及びアルカリール基;R11、R12、R13、
R14、R15及びR16の内の2つ又はそれ以上が一緒に結
合して炭素原子約30までを有しかつビシクロ−、トリ
シクロ−、テトラシクロ−、及びn−シクロ−基のよう
な環構造を複数含んでもよい環状構造を形成する基; (4)Xは炭素原子約30までを有する置換された或は
未置換のアルキレン、アリーレン、アラルキレン、及び
アルカリーレン基、−O−、−S−、−NR19−、−S
iR20R21−、及び−CO−からなる群より選ぶ二価の
ブリッジング基であり、各々のラジカルR19、R20及び
R21は個々にH或はアルキル基を表わす。
は、エポキシドと反応しない基、例えばアルコキシ及び
アリールオキシ基が存在することを表わす。「置換され
た」の定義から、ハロゲン、カルボキシル成分、ニトリ
ル基及びその他のエポキシドと反応する成分は除かれ
る。炭化水素エポキシドが通常好適である。
かつbが0に等しい場合、エポキシドは下記式(化1
8)を有し得る:
関して説明した通りである。(VIII)式の適したエ
ポキシドの例は下記を含み、これらに限定されない:
1,2−シクロヘキセンオキシド;スチレンオキシド;
プロピレンオキシド;1,2−オクテンオキシド;1,
2−デセンオキシド;1,2−ドデセンオキシド;1,
2−ヘキサデセンオキシド;1,2−オクタデセンオキ
シド;エチレンオキシド;1,2−シクロドデセンオキ
シド;スチルベンオキシド;イソブチレンオキシド;
2,3−エポキシブタン;1,2−エポキシブタン;
1,2−エポキシヘキサン;シクロペンテンオキシド;
シクロオクテンオキシド;シクロデセンオキシド;1,
2−エポキシ−3−フェノキシプロパン。(VIII)
式におけるR11及びR12は水素であるのが好ましい。
基の内の一つとを組み合わせることにより形成される環
状構造において少なくとも1つの環を有する上記(VI
II)式のエポキシ組成は、複数の環を会合させた環状
構造を含み、ビシクロ−及びその他のn−シクロ−基を
含む。ビシクロ−基は、単に2つ又はそれ以上の原子を
共通に有するにすぎない2つの環からなる環状炭化水素
基である。複数の環を有する環状構造の定義の内にトリ
シクロ−、テトラシクロ−、及びその他のn−シクロ−
化合物もまた含まれる。R11及びR12基の内の一つとR
13及びR14基の内の一つとを組み合わせることにより形
成される環状構造の範囲内のかかる多環構造の例は、ビ
シクロ[2.2.1]ヘプタンとしても知られるノルボ
ルナン及び2,7,7−トリメチル−△2 −ビシクロ
[1.1.3]ヘプテンとしても知られるα−ピネンの
ビシクロ−化合物を含む。ノルボルナン及びα−ピネン
から形成される用いるのに適したエポキシ化合物は2,
3−エポキシノルボルナン(また2,3−エポキシ−ビ
シクロ[2.2.1]ヘプタンとしても知られる)及び
α−ピネンオキシドである。
びR14基が一緒になって、或は共に環状構造を形成して
よい上記(VIII)式のエポキシ化合物は複数の環を
含んでよい。このような化合物の環状構造はビシクロ
−、トリシクロ−、及びその他のn−シクロ−化合物を
含むことができる。β−ピネンとしても知られるノピネ
ン或は7,7−ジメチル−2−メチレンノルピナンは有
用なエポキシ化合物を生じる環構造を有する組成物であ
る。ノピネンから誘導されるエポキシ化合物であるβ−
ピネンオキシドは、上記(VIII)式において、R11
及びR12が複数の環構造を有する環状構造を形成し、R
13がメチル基であり及びR14が水素である化合物であ
る。
I)式の適したジエポキシ化合物は下記を含む:1,3
−ブタジエンジエポキシド、1,2,7,8−ジエポキ
シオクタン、ジエポキシシクロオクタン、ジシクロペン
タジエンジオキシド及び3,4−エポキシシクロヘキシ
ルメチル−3,4−エポキシシクロヘキシルカルボキシ
レート(ERL−4221(登録商標)(Union
Carbide Chemicals and Pla
stics Technology Corporat
ionの商標)として入手し得る)。
量は、ホスフィットリガンド含有触媒の分解を引き起こ
すことができる亜リン酸と相互作用する程のその量であ
る。エポキシドの量は、例えば本出願と同時に出願した
「ホスフィットリガンドの安定化方法」なる表題の本出
願人の同時継続中の米国特許出願第 号に開示され
ている通りに、酸性副生物の濃度をリガンドの急速な分
解を引き起こす域値より低く保つ程にするのが好まし
い。この好適なエポキシドの量は、リガンドの分解が、
Jounal of Chemical Educat
ion、1987年11月、64巻、11号、925〜
927頁、Mata−Perez等著”The Kin
etic Rate Law for Autocat
alytic Reactions”に記載されている
「触媒機構」によるよりもむしろ「非触媒機構」によっ
て進行するのを確実にするその量である。その量は酸性
触媒の濃度を本質的に検出し得ないレベルに保つ程にす
るのが最も好ましい。
応混合物中のエポキシドの適した濃度は、反応混合物の
全重量の少なくとも約0.001重量%にするのが典型
的である。最大のエポキシド濃度は、エポキシドの費用
のような実際的事情により及びエポキシドを余り多くす
ることの望ましくない副作用(例えば、アセタール及び
ポリエーテル副生物の形成並びに所望の生成物の過剰の
エポキシドによる起こり得る汚染)によって制限される
のが典型的である。最大のエポキシド濃度は本発明の目
的から狭く限定されないが、実施における最大のエポキ
シド濃度は反応混合物の全重量の約5重量%を越えない
のが典型的である。エポキシドの濃度は、エポキシドが
ホスフィット分解の間に生成する各々の亜リン酸分子と
相互作用するのに要する化学量論的濃度に少なくともほ
ぼ等しくするのが好ましく、これを幾分越えるのが一層
好ましい。各々の亜リン酸分子と相互作用するのに1つ
のエポキシドを必要とするのが典型的である。過剰のエ
ポキシドは有害にならないのが典型的であり、エポキシ
ドの化学量論的不足は単にその使用の有効性を制限する
にすぎない。エポキシド濃度は、反応混合物の全重量を
基準にして約0.01〜2重量%の間に保つのが好まし
い。エポキシド濃度は、反応混合物の全重量を基準にし
て約0.1〜1重量%の間に保つのが最も好ましい。
応混合物に加えて十分に混入してよい。エポキシドは反
応体流或は溶媒メークアップ流の内のいずれかと混合し
或はこれに溶解することができもしくはエポキシドを定
期的に別に反応混合物に加えることができる。エポキシ
ドは、長い運転の期間にわたり少量ずつ反応混合物に加
えることができる。このようにして、リガンドを定常運
転の間安定にするのに有効なエポキシドの濃度を得、エ
ポキシドは、亜リン酸が形成されると、これと反応する
ことにより消費される。エポキシドは、また、必要以上
の濃度で出発し、ある期間の間注入添加しないで濃度を
一層典型的な濃度に低下させることによって長期の安定
化効果を達成する目的で、断続的に一層高い濃度で加え
ることもできる。特定の理論によって束縛されることを
望まないが、下記(化19)の反応のシーケンスが起こ
り得ると思われる:
記の反応シーケンスにおける付加物2)の形成である。
慣用の連続ロジウム−ビスホスフィット複合触媒による
連続ヒドロホルミル化プロセスの顕著な触媒活性の低下
が経時的に起きるのが観測された。この固有の触媒活性
の低下は、測定可能な生産性の減少によって現れかつ本
明細書中に記載する通りに、ロジウム−ビスホスフィッ
ト複合触媒を被毒するモノホスフィットリガンド副生物
が現場生成することにより引き起こされるものと考えら
れる。よって、本発明の新規性の基本的な点は、かかる
ヒドロホルミル化プロセスにおけるかかる固有の触媒失
活が、ヒドロホルミル化プロセスを添加水、或は弱酸性
化合物、或は添加水及び弱酸性化合物の両方の存在にお
いて行なうことにより留保或は有意に最小にすることが
できることを見出したことにある。例えば、望ましくな
いモノホスフィットリガンド副生物が現場に蓄積するこ
とによって一部失活されるようになったロジウム−ビス
ホスフィットリガンド複合触媒は、本発明を実施するこ
とによって触媒活性の少なくともいくらかを回復させる
ことができる。別法として、かかるモノホスフィットリ
ガンド副生物がヒドロホルミル化反応媒体中に現場蓄積
することによる有意の固有の触媒失活を許さないで、む
しろ先ずヒドロホルミル化プロセスを丁度その開始から
添加水及び/又は弱酸性化合物の存在において行ない、
それでかかる望ましくないモノホスフィットリガンドを
それが現場生成されると直ぐに加水分解するようにする
ことによって、かかる失活が起きるのを防ぐ或は少なく
とも大きく最小にさせるのが好適である。
スフィット複合触媒のヒドロホルミル化触媒活性の向上
は、プロセスの生産性の増大を確認する任意の適した慣
用の手順によって求める及び確認することができる。本
発明の方法は、好ましくは、比較のヒドロホルミル化反
応を実施し、それらのヒドロホルミル化速度を連続して
モニターすることにより容易に評価することができる。
次いで、ヒドロホルミル化速度の差異(或は触媒活性の
差異)を任意の簡便な実験室タイムフレームで観測して
もよい。例えば、反応速度は、生成するアルデヒド生成
物のグラム−モル/触媒溶液1リットル/反応の時間に
より表わすことができ、該速度は、所望の場合、該速度
をオレフィン分圧で割ってオレフィン分圧の変化に対し
て調整してもよい。別法として、所望の場合、かかる望
ましくないモノホスフィットリガンドがヒドロホルミル
化反応媒体中に存在することは、慣用の分析技術、例え
ばリン−31核磁気共鳴分光分析法及びFast At
om Bombardment Mass Spect
roscopyにより容易にモニター及び特性決定する
ことができる。このように、本発明の方法は、本明細書
中に記載する通りの可溶化されたロジウム−ビスホスフ
ィット複合触媒のヒドロホルミル化触媒活性を向上させ
る優れた手段を提供する。
必要な主題の発明の最適化は、主題の発明を利用する際
の経験に依存するが、所定の情況について最適なそれら
の条件を確認するのにある実験の尺度が必要なだけであ
り、かかる尺度は充分に当業者の知識の範囲内でありか
つ本明細書中で説明する通りの本発明の一層好適な態様
に従うことにより及び/又は簡単な日常の実験により容
易に得ることができることが理解されるべきことはもち
ろんである。最後に、本発明のヒドロホルミル化方法の
アルデヒド生成物は広い範囲の実用性を有する。かかる
実用性は良く知られておりかつ従来技術において証明さ
れている。例えば、アルデヒド生成物はアルコール及び
酸を製造するための出発原料として特に有用である、下
記の例は本発明を例示するものであり、本発明を制限す
るものとみなすべきでない。例及び特許請求の範囲に挙
げる部、パーセンティジ及び割合は、他に示さない場
合、すべて重量による。
チルアルデヒドを製造した。ヒドロホルミル化をガラス
反応装置において連続単一パスプロピレンヒドロホルミ
ル化方式で作動させて行った。反応装置は3オンス耐圧
ボトルを目視用ガラス前面を有する油浴中に浸漬させて
なるものであった。系を窒素でパージした後に、新たに
調製したロジウム触媒プリカーサー溶液約20mlを注
入器で反応装置に装入した。プリカーサー溶液は、ロジ
ウムジカルボニルアセチルアセトネートとして導入した
ロジウム約200ppm、6,6’[[3,3’,5,
5’−テトラキス(1,1−ジメチルエチル)1,1’
−ビフェニル−2,2’−ジイル]ビス(オキシ)]ビ
ス−ジベンゾ[d,f][1,3,2]−ジオキサホス
フェピンリガンド約2.0重量%(約12モル当量/ロ
ジウム1モル当量)、弱酸性添加剤としてのビフェノー
ル(すなわち、2,2’−ジヒドロキシビフェニル)約
2.0重量%、及び溶媒としてのTexanol(登録
商標)(2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジ
オールモノソブチレート)を含有するものであった。反
応装置を閉止した後に、系を再び窒素でパージし、油浴
を加熱して所望のヒドロホルミル化反応温度を供した。
ヒドロホルミル化反応を、全ガス圧約160psig
(11Kg/cm2G)で行い、水素、一酸化炭素及びプロピ
レンの分圧は下記の表4に挙げる通りであり、残りは窒
素及びアルデヒド生成物であった。
及び窒素)の流量は個々に質量流量計によって調節し、
供給ガスをフリットスパージャーによりプリカーサー溶
液中に分散させた。反応温度を表4に挙げる。供給ガス
の未反応部分をブチルアルデヒド生成物から取り除き、
出口ガスを約6日の連続運転にわたり分析した。ブチル
アルデヒド生成物のグラム−モル/リットル/時をプロ
ピレン分圧で割って表わすおよその1日当りの平均反応
速度、並びに線状(n−ブチルアルデヒド)対枝分れ
(2−メチルプロピオンアルデヒド)生成物比を表4に
挙げる。第1日について初期反応速度約2.0の後に、
触媒活性はゆっくり低下し、比較的一定になった(この
活性を本明細書中ラインド−アウト活性と呼ぶ)。例え
ば、実験の第5及び6日にわたり平均反応速度約0.3
6であることに留意すること。
なわちビフェノールを省いた他は上述したのと本質的に
同じ内容でかつ同じ成分及び量を使用して行い、また第
1日について反応速度約2.0となるのが認められた。
しかし、ビフェノールを存在させずに行ったこの比較プ
ロセスは比較試験の第5及び6日にわたり平均反応速度
約0.20を示した。該比較は、ビフェノールを含有す
る触媒溶液のラインド−アウト反応速度活性が、ビフェ
ノールを含有しない触媒溶液の触媒プロファイルに比較
する場合に、ずっと高かったことを示す。
ロピレンをヒドロホルミル化した。例1のビフェノール
に代えて種々の異なる弱酸性添加剤化合物を使用した他
は、例1の同じ手順、成分及び反応条件を採用した。各
々の実験についてのブチルアルデヒドのグラム−モル/
触媒溶液1リットル/時をプロピレン分圧で割って表わ
すおよそのラインド−アウト平均反応速度を、採用する
特定の弱酸性添加剤と共に下記の表5に挙げる。
溶液に勝る各々の実験の触媒活性向上%も報告する。該
触媒溶液は、比較活性レーティングを100%と定め
た。
の連続単一パスヒドロホルミル化方法を、3つの別の単
一パス反応装置を使用して繰り返した。Rh200pp
mをRh(リガンドA)(CO)2 Hの形態で含有する
プリカーサー溶液を、該リガンドA2.0重量%と共に
第一反応装置(反応装置1)に装入した。Rh(リガン
ドA)CO(BPBP)(H)の形態のロジウム200
ppm、リガンドA2.0重量%及びBPBPリガンド
(すなわち、触媒インヒビター或は被毒性ホスフィッ
ト)5モル当量を含有するプリカーサー溶液を第二反応
装置(反応装置2)に装入した。Rh(リガンドA)C
O(BPBP)(H)の形態のロジウム200ppm、
リガンドA2.0重量%及びBPBPリガンド5モル当
量を、弱酸性添加剤としてのビフェノール(すなわち、
2,2’−ジヒドロキシビフェニル)約2.0重量%と
共に含有する別のプリカーサー溶液を第三反応装置(反
応装置3)に装入した。リガンドAは6,6’[[3,
3’,5,5’−テトラキス(1,1−ジメチルエチ
ル)1,1’−ビフェニル−2,2’−ジイル]ビス
(オキシ)]ビス−ジベンゾ[d,f][1,3,2]
−ジオキサホスフェピンリガンドを表わす。例1の同じ
ヒドロホルミル化手順及び反応条件を3つの反応装置の
すべてにおいて用い、3つの触媒系のすべての反応性を
モニターした。50時間した後に、反応装置2及び3の
触媒系はほとんどゼロの活性を有するのが観測された。
この点で、水約0.50mLを反応装置2及び3の各々
に加え、2つの反応装置のすべての触媒系の活性が増大
するのが観測された。各々の実験について観測されたブ
チルアルデヒド生成物のグラム−モル/リットル/時を
プロピレン分圧で割って表わす各々の触媒溶液のライン
ド−アウトおよその平均反応速度を下記の表6に挙げ
る。
(シス及びトランス)]を下記の通りにして124日間
ヒドロホルミル化した:2.8リットルステンレススチ
ール撹拌式タンク反応装置2つ(反応装置1及び2)を
直列に接合させて収容する液体循環反応装置系を採用し
た。各々の反応装置は鉛直に装着した撹拌機並びにオレ
フィン及び/又は合成ガスを反応装置に供給するための
底部近くの円形管状スパージャーを有していた。スパー
ジャーは、所望のガス流を液体に供するのに十分な大き
さの孔を複数有していた。各々の反応装置は反応装置の
内容物を反応温度にまでもたらす手段としてシリコーン
油シェルを収容しかつ各々の反応装置は反応温度を調節
するための内部冷却コイルを収容した。反応装置1及び
2を管路により接続させて未反応ガスを反応装置1から
反応装置2に移動させかつ更に反応装置1からのアルデ
ヒド生成物及び触媒を含有する液体反応溶液の一部を反
応装置2に送出することができるように管路により接続
させた。ゆえに、反応装置1の未反応オレフィンを反応
装置2において更にヒドロホルミル化させた。
レベルを自動調節するために空気式液体レベルコントロ
ーラーを収容した。反応装置1は更にオレフィン、一酸
化炭素及び水素をスパージャーを通して導入するための
管路を収容し、メークアップ一酸化炭素及び水素をトラ
ンスファー管路より反応装置2に加えた。このトランス
ファー管路は、また未反応ガスを反応装置1から反応装
置2に運んだ。反応装置2は、また未反応ガスを取り出
すためのブローオフベントを収容した。液体反応溶液の
一部を反応装置2からベーパライザーに送出することが
できるように反応装置2の底部からの管路をベーパライ
ザーの上部に接続させた。ベーパライザーの気−液分離
部分において、気化されたアルデヒドを液体反応溶液の
気化されない成分から分離させた。残留する気化されな
い溶液を循環管路により反応装置1にポンプで戻した。
循環管路は、また空気式液体レベルコントローラーを収
容した。気化されたアルデヒド生成物を水冷式コンデン
サーに送り、液化させて生成物レシーバーに捕集した。
ト(ロジウム約125ppm)、6,6’[[3,
3’,5,5’−テトラキス(1,1−ジメチルエチ
ル)1,1’−ビフェニル−2,2’−ジイル]ビス
(オキシ)]ビス−ジベンゾ[d,f][1,3,2]
−ジオキサホスフェピンリガンド約0.75重量%(リ
ガンド約7.4モル当量/ロジウム1モル当量)、弱酸
性添加剤としてのビフェノール(すなわち、2,2’−
ジヒドロキシビフェニル)3.75重量%、及び溶媒と
してのテトラエチレングリコールジメチルエーテル約1
0重量%及びC5 アルデヒド(n−バレルアルデヒド及
び2−メチルブチルアルデヒドが約30:1の比)約8
5.5重量%を含む触媒プリカーサー溶液1リットルを
反応装置1に装入することによって、ヒドロホルミル化
反応を行なった。反応装置2に同じプリカーサー溶液を
同じ量で装入した。次いで、反応装置を窒素でパージし
て存在する酸素を除いた。両方の反応装置に窒素圧力約
100psig(7kg/cm2G)を加え、反応装置を加熱
して表7に示す反応温度にした。
及び混合ブテン[ブテン−1及びブテン−2(シス及び
トランス)]をスパージャーを通して反応装置1の底部
に供給し、反応装置圧力を上げて表7に挙げる運転圧力
にした。液体アルデヒド生成物が生成する結果、反応装
置1内の液体レベルが増大し始めた時に、液体反応溶液
の一部を反応装置1から管路により反応装置2の上部に
反応装置1内の液体レベルを一定に保つ程の速度で送出
した。反応装置2の圧力は表7に挙げる運転圧力に増大
した。反応装置2からのブロー−オフガスを捕集して測
定した。反応装置2内で所望の分圧を保つために、調節
した流量のメークアップ合成ガス(CO及びH2 )を反
応装置2に加えた。上述した運転圧力及び反応温度をヒ
ドロホルミル化中保った。液体アルデヒド生成物が生成
する結果、反応装置2内の液体レベルが増大し始めるに
つれて、液体反応溶液の一部をベーパライザー/セパレ
ーターに反応装置2内の液体レベルを一定に保つ程の速
度で送出した。液体反応溶液から粗製アルデヒド生成物
を109℃及び24.7psia(1.74kg/cm2A)
で分離させ、凝縮させて生成物レシーバーに捕集した。
反応装置2に残留する気化されない触媒含有液体反応溶
液を反応装置1に循環させて戻した。
−エポキシドデカン2ミリリットルを反応装置1及び2
の各々に、各々の反応装置の底部の隔壁を設備したバル
ブを経て供給して各々の反応装置において添加した後の
エポキシド濃度を約0.2%にした。混合ブテン原料の
ヒドロホルミル化を124日間続けた。ヒドロホルミル
化反応条件並びにC5 アルデヒド生成速度(グラム−モ
ル/リットル/時で表わす)及び線状対枝分れアルデヒ
ド生成物比(n−バレルアルデヒド対2−メチルブチル
アルデヒド)を表7に示す。表7に示す通りに124日
のラン経過にわたり、触媒の活性は一定であった。この
一定の活性は、ランの経過にわたり過度のリガンド分解
が起きていなかったことを示す。
直列に使用して混合ブテンをヒドロホルミル化した。上
記例26において用いたのと同じ分圧の反応体ガスを用
いかつ同じ濃度のロジウム及びリガンドを使用した。こ
のランは例26のランと、1,2−エポキシドデカンに
代えて3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4
−エポキシシクロヘキサンカルボキシレートを用いる点
で異なった。このランの第1日目のC5 アルデヒド生成
物の生成速度は2.11gモル/L/時であり、このラ
ンの第22日目のC5 アルデヒド生成物の生成速度は
1.71gモル/L/時であった。この運転期間にわた
り有意のリガンド分解の証拠は無かった。
置を使用して、例26に記載するのと同じようにして1
7日間ヒドロホルミル化した。ロジウムジカルボニルア
セチルアセトネート(ロジウム約200ppm)、6,
6’[[3,3’,5,5’−テトラキス(1,1−ジ
メチルエチル)1,1’−ビフェニル−2,2’−ジイ
ル]ビス(オキシ)]ビス−ジベンゾ[d,f][1,
3,2]−ジオキサホスフェピンリガンド約2.0重量
%(リガンド約12モル当量/ロジウム1モル当量)、
弱酸性添加剤としてのビフェノール(すなわち、2,
2’−ジヒドロキシビフェニル)2.0重量%、及び溶
媒としてのテトラグリメ(テトラエチレングリコールジ
メチルエーテル)約10重量%及びC4 アルデヒド(n
−ブチルアルデヒド及びイソ−ブチルアルデヒド)約8
6重量%を含む溶液を用いた。プロピレン、一酸化炭素
及び水素反応体の外は他の添加剤を反応媒体に加えなか
った。
日間続けた。ヒドロホルミル化反応条件並びにブチルア
ルデヒド生成速度(アルデヒド生成物のグラムモル/触
媒溶液1リットル/反応の時間をプロピレン分圧で割っ
て表わす)及び線状対枝分れアルデヒド生成物比(n−
ブチルアルデヒド対イソ−ブチルアルデヒド)を下記の
表8に示す。
上記と同様にして行なった。再び、ヒドロホルミル化を
17日間続けた。この比較の反応条件並びにブチルアル
デヒド生成速度及び線状対枝分れアルデヒド生成物比
(n−ブチルアルデヒド対イソ−ブチルアルデヒド)も
また表8に示す。上記の結果は、方法の触媒活性を増進
させる際に、酸性添加剤であるビフェノールを添加する
のが有効であることを明らかに立証する。
ドロホルミル化してブチルアルデヒドを製造した。触媒
プリカーサー溶液はロジウムジカルボニルアセチルアセ
トネートとして導入するロジウム約200ppm、6,
6’[[3,3’,5,5’−テトラキス(1,1−ジ
メチルエチル)1,1’−ビフェニル−2,2’−ジイ
ル]ビス(オキシ)]ビス−ジベンゾ[d,f][1,
3,2]−ジオキサホスフェピンリガンド約2.0重量
%(リガンド約12モル当量/ロジウム1モル当量)、
及び溶媒としてのテトラグリメ(テトラエチレングリコ
ールジメチルエーテル)と2−ピロリドンとの50:5
0混合物約98重量%を含有した。水を触媒含有反応媒
体に加えることの効果は、この実験で合成ガスを水タワ
ーの中にパージすることにより故意に水を飽和させた合
成ガス(CO+H2 )を用い、それを次いで反応媒体に
装入することにより求めた。ヒドロホルミル化反応を8
日の連続運転にわたり例1に記載する通りにしてモニタ
ーした。アルデヒド生成物のグラム−モル/触媒溶液1
リットル/反応の時間をプロピレン分圧で割って表わす
およその1日当りの平均反応速度、並びに線状(n−ブ
チルアルデヒド)対枝分れ(イソ−ブチルアルデヒド)
生成物比を下記の表9に挙げる。
合成ガス(CO+H2 )に水を飽和させずかつ水或は弱
酸性添加剤を触媒系に加えなかった。ヒドロホルミル化
を8日の連続運転にわたって同様にしてモニターし、収
集したデータを下記の表10に挙げる。
水飽和合成ガスを用いた場合を、同じ方法を添加水の不
存在において行なうことに対比する触媒性能の向上で表
わして有利な効果が得られたことを明瞭に示す。
置を使用して、例26に記載するのと同じようにして5
2日間ヒドロホルミル化した。ロジウムジカルボニルア
セチルアセトネート(ロジウム約102ppm)、6,
6’[[3,3’,5,5’−テトラキス(1,1−ジ
メチルエチル)1,1’−ビフェニル−2,2’−ジイ
ル]ビス(オキシ)]ビス−ジベンゾ[d,f][1,
3,2]−ジオキサホスフェピンリガンド約0.6重量
%(リガンド約7.2モル当量/ロジウム1モル当
量)、及び溶媒としてのテトラエチレングリコールジメ
チルエーテル(テトラグリメ)約12重量%及びC4 ア
ルデヒド(n−ブチルアルデヒド及びイソ−ブチルアル
デヒドが約25〜30:1の比)を含む触媒溶液1リッ
トルを用いた。水もまた、使用する合成ガスの三分の一
を水のタンクを通してスパージした後に反応装置に加え
ることにより、水飽和合成ガスの形態で合成ガス(CO
+H2 )を基準にして約1000重量ppmの速度で反
応系に加えた。反応装置の反応溶液中の水濃度は平均す
るとおよそ0.2重量%になったが、標準偏差はノルマ
ルより大きかった。次いで、水濃度を約0.2重量%に
して同様の実験を行なった。0.07容積%に等しい量
の1,2−エポキシドデカンを週当り3回加えて反応系
において生成し得る酸を除いた。他の添加剤を反応媒体
に加えなかった。
日間続けた。ヒドロホルミル化反応条件並びにブチルア
ルデヒド生成速度(アルデヒド生成物のグラムモル/触
媒溶液1リットル/反応の時間で表わす)及び線状対枝
分れアルデヒド生成物比(n−ブチルアルデヒド対イソ
−ブチルアルデヒド)を下記の表11に示す。
リガンドはすべて、不注意の不明の酸素源により、酸化
されていた。遊離のリガンドすべての損失はアルデヒド
生成物異性体比の急激な低下及び観測される触媒の活性
の増大を生じた。新たなメークアップリガンドを加える
と、反応ユニットは再びロジウム損失が表われないで正
常に作動し始めた。ガスの速度論応答を調べるために、
合成ガス分圧を定期的に短期間各々60psi(4.2
kg/cm2)から各々30psi(2.1k g/cm2)に低下
させた。初めの酸化問題を除くランの間のリガンド消費
は0.14g/L/日であった。触媒溶液のリンNMR
はリガンド分解に関する異常な挙動を示さなかった。リ
ガンドの初めの酸化の後に被毒性ホスフィットはスペク
トルにおいて明らかでなかった。ベバーパライザー温度
をランのほとんどの間約100℃に保ち、触媒活性は定
常であった。ベーパライザー温度を115℃に上げた場
合に、触媒活性の低下が観測され、これはベーパライザ
ー温度を125℃に上げた場合に、急激に増大した。
用の触媒活性増進用添加剤として加えることが有効であ
ることを明瞭に立証する。本発明の種々の変更態様及び
変更は当業者にとり自明であると思う。このような変更
態様及び変更は本出願の範囲内並びに特許請求の範囲の
記載の精神及び範囲内に含まれるつもりであることは理
解されるべきである。
Claims (7)
- 【請求項1】 オレフィン性不飽和化合物と一酸化炭素
及び水素とを可溶化されたロジウム−ビスホスフィット
複合触媒の存在において反応させることを含み、該複合
触媒のビスホスフィットリガンドは下記: 【化1】 及び 【化2】 (式中、各々のX1及びX2ラジカルは個々に水素、メ
チル、エチル及びn−プロピルからなる群より選ぶラジ
カルを表わし;各々のZ1及びZ2ラジカルは個々に水
素或は炭素原子1〜18を含有する置換ラジカルを表わ
し;各々のXはアルキレン、アルキレン−オキシ−アル
キレン、アリーレン及びアリーレン−(Q)n−アリー
レンからなる群より選ぶ二価のラジカルを表わし、ここ
で各々のアルキレンラジカルは個々に炭素原子2〜18
を含有しかつ同じであるか或は異なり、各々のアリーレ
ンラジカルは個々に炭素原子6〜18を含有しかつ同じ
であるか或は異なり;各々のQは個々に−CR5R6−
二価ブリッジング基を表わし、各々のR5及びR6ラジ
カルは個々に水素或はメチルラジカルを表わし;各々の
nは個々に0又は1の値を有する)からなる群より選ぶ
リガンドであるアルデヒドの連続ヒドロホルミル化製造
方法において、該方法を方法のヒドロホルミル化反応媒
体中に存在する従たる量の触媒活性増進用添加剤の存在
において行ない、添加剤を添加水、pKa値1.0〜1
2を有する弱酸性化合物、或は添加水及びpKa値1.
0〜12を有する弱酸性化合物の両方からなる群より選
ぶことを特徴とする方法。 - 【請求項2】 前記触媒活性増進用添加剤の従たる使用
量がヒドロホルミル化反応媒体の全重量を基準にして
0.05〜20重量%の範囲になり得る請求項1の方
法。 - 【請求項3】 弱酸性化合物が2,2’−ジヒドロキシ
ビフェニルである請求項2の方法。 - 【請求項4】 任意の前記弱酸性化台物添加剤の不存在
において行う請求項2の方法。 - 【請求項5】 使用するビスホスフィットリガンドが下
記: 【化3】 及び 【化4】 (式中、各々のZ1、Z2、R3及びR4ラジカルは個
々に水素、炭素原子1〜8を有するアルキルラジカル、
フェニル、ベンジル、シクロヘキシル及び1−メチルシ
クロヘキシル、ヒドロキシ及び炭素原子1〜8を有する
アルコキシラジカルからなる群より選ぶラジカルを表わ
し;各々のR1及びR2ラジカルは個々に炭素原子3〜
8を有する枝分れアルキルラジカル、シクロヘキシル及
び1−メチルシクロヘキシルからなる群より選ぶラジカ
ルを表わし:X1、X2、Q及びnは前に規定したのと
同じである)からなる群より選ぶリガンドである請求項
2又は4の方法。 - 【請求項6】 ヒドロホルミル化反応媒体中にエポキシ
ド化合物もまた存在する請求項2の方法。 - 【請求項7】 ビスホスフィットリガンドが6,6’
[[3,3’,5,5’−テトラキス(1,1−ジメチ
ルエチル)1,1’−ビフェニル−2,2’−ジイル]
ビス(オキシ)]ビス−ジベンゾ[d,f] [1,
3,2]−ジオキサホスフェピン、6,6’[[3,
3’,5,5’−テトラキス(1,1−ジメチルプロピ
ル)1,1’−ビフェニル−2,2’−ジイル]ビス
(オキシ)]ビス−ジベンゾ[d,f] [1,3,
2]−ジオキサホスフェピン或は6,6’[[3,3’
−ビス(1,1−ジメチルエチル)−5,5’−ジメト
キシ−[1,1’ −ビフェニル]−2,2’−ジイ
ル]ビス(オキシ)]ビスージベンゾ[d,f]
[1,3,2]−ジオキサホスフェピンである請求項4
の方法。
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