JP2021500756A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6875811B2 (ja) * 2016-09-16 2021-05-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス パターン倒壊回復方法、基板処理方法および基板処理装置
TWI821369B (zh) 2018-08-23 2023-11-11 奧地利商蘭姆研究股份公司 用於防止高深寬比結構的黏滯效應及／或修補高深寬比結構的蒸氣輸送頭
WO2020072278A1 (en) 2018-10-03 2020-04-09 Lam Research Ag Gas mixture including hydrogen fluoride, alcohol and an additive for preventing stiction of and/or repairing high aspect ratio structures
GB201820270D0 (en) 2018-12-12 2019-01-30 Lam Res Ag Method and apparatus for treating semiconductor substrate
JP2021022598A (ja) * 2019-07-24 2021-02-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及び配線パターン形成システム
JP7714438B2 (ja) 2020-11-12 2025-07-29 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US12568781B2 (en) 2021-01-25 2026-03-03 Lam Research Corporation Selective silicon trim by thermal etching
WO2026133983A1 (ja) * 2024-12-18 2026-06-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法およびプログラム

Family Cites Families (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08213357A (ja) 1995-02-06 1996-08-20 Hitachi Ltd 基板の洗浄処理方法
JPH08316189A (ja) 1995-05-12 1996-11-29 Hitachi Ltd 基板の洗浄処理方法
US5489553A (en) * 1995-05-25 1996-02-06 Industrial Technology Research Institute HF vapor surface treatment for the 03 teos gap filling deposition
US5954911A (en) * 1995-10-12 1999-09-21 Semitool, Inc. Semiconductor processing using vapor mixtures
KR100238234B1 (ko) * 1997-03-20 2000-01-15 윤종용 반도체소자용 인-시튜 세정장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 세정방법
US7404863B2 (en) 1997-05-09 2008-07-29 Semitool, Inc. Methods of thinning a silicon wafer using HF and ozone
US6485531B1 (en) 1998-09-15 2002-11-26 Levitronix Llc Process chamber
KR100887360B1 (ko) * 2001-01-23 2009-03-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
KR100416592B1 (ko) * 2001-02-10 2004-02-05 삼성전자주식회사 매엽식 웨이퍼 세정 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 세정 방법
US20020160606A1 (en) * 2001-02-14 2002-10-31 Siefering Kevin L. Method for material removal from an in-process microelectronic substrate
KR100445259B1 (ko) 2001-11-27 2004-08-21 삼성전자주식회사 세정방법 및 이를 수행하기 위한 세정 장치
US7279431B2 (en) * 2003-06-18 2007-10-09 Semitool, Inc. Vapor phase etching MEMS devices
JP2005191511A (ja) * 2003-12-02 2005-07-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US20060042664A1 (en) * 2004-08-30 2006-03-02 Vishwas Hardikar Apparatus and method for removing a liquid from a rotating substrate surface
JP2006114884A (ja) * 2004-09-17 2006-04-27 Ebara Corp 基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット
DE102004062355A1 (de) * 2004-12-23 2006-07-06 Siltronic Ag Verfahren zum Behandeln einer Halbleiterscheibe mit einem gasförmigen Medium sowie damit behandelte Halbleiterscheibe
US20060196527A1 (en) * 2005-02-23 2006-09-07 Tokyo Electron Limited Method of surface processing substrate, method of cleaning substrate, and programs for implementing the methods
JP4527660B2 (ja) * 2005-06-23 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP4607755B2 (ja) * 2005-12-19 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
KR101100466B1 (ko) * 2005-12-22 2011-12-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치
JP4854317B2 (ja) * 2006-01-31 2012-01-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
JP2007227764A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板表面処理装置、基板表面処理方法および基板処理装置
JP4176779B2 (ja) * 2006-03-29 2008-11-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法，記録媒体及び基板処理装置
US20080053486A1 (en) * 2006-08-10 2008-03-06 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate cleaning apparatus
JP5023705B2 (ja) * 2007-01-10 2012-09-12 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び記憶媒体
US7964042B2 (en) * 2007-07-30 2011-06-21 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20100154826A1 (en) * 2008-12-19 2010-06-24 Tokyo Electron Limited System and Method For Rinse Optimization
US8440573B2 (en) 2010-01-26 2013-05-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for pattern collapse free wet processing of semiconductor devices
US8617993B2 (en) 2010-02-01 2013-12-31 Lam Research Corporation Method of reducing pattern collapse in high aspect ratio nanostructures
WO2012027667A2 (en) 2010-08-27 2012-03-01 Advanced Technology Materials, Inc. Method for preventing the collapse of high aspect ratio structures during drying
US8926788B2 (en) 2010-10-27 2015-01-06 Lam Research Ag Closed chamber for wafer wet processing
WO2012063901A1 (ja) * 2010-11-11 2012-05-18 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法および製造装置
US9997379B2 (en) 2010-11-30 2018-06-12 Lam Research Ag Method and apparatus for wafer wet processing
KR101290527B1 (ko) 2011-05-31 2013-07-30 주식회사 테스 기판처리시스템 및 이를 이용한 기판처리방법
JP5958950B2 (ja) * 2011-07-13 2016-08-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US9484229B2 (en) * 2011-11-14 2016-11-01 Lam Research Ag Device and method for processing wafer-shaped articles
JP5632860B2 (ja) * 2012-01-05 2014-11-26 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体
KR20130118559A (ko) * 2012-04-20 2013-10-30 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 소자 및 이의 제조 방법
US20140026926A1 (en) 2012-07-30 2014-01-30 Lam Research Ag Method and apparatus for liquid treatment of wafer-shaped articles
JP6317547B2 (ja) * 2012-08-28 2018-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP2015056519A (ja) * 2013-09-12 2015-03-23 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、エッチング装置及び記憶媒体
JP6199155B2 (ja) * 2013-10-30 2017-09-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 犠牲膜除去方法および基板処理装置
JP6363876B2 (ja) * 2014-05-21 2018-07-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6435667B2 (ja) 2014-07-01 2018-12-12 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、エッチング装置及び記憶媒体
US9460944B2 (en) * 2014-07-02 2016-10-04 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus and method of treating substrate
JP6389089B2 (ja) * 2014-09-18 2018-09-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6489524B2 (ja) * 2015-08-18 2019-03-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6591280B2 (ja) * 2015-12-16 2019-10-16 東芝メモリ株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6588819B2 (ja) * 2015-12-24 2019-10-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6466315B2 (ja) * 2015-12-25 2019-02-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理システム
JP6624609B2 (ja) * 2016-02-15 2019-12-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6722532B2 (ja) * 2016-07-19 2020-07-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および処理カップ洗浄方法
US10446416B2 (en) 2016-08-09 2019-10-15 Lam Research Ag Method and apparatus for processing wafer-shaped articles
JP6789038B2 (ja) * 2016-08-29 2020-11-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6881922B2 (ja) * 2016-09-12 2021-06-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6875811B2 (ja) 2016-09-16 2021-05-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス パターン倒壊回復方法、基板処理方法および基板処理装置
JP6818484B2 (ja) * 2016-09-26 2021-01-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄方法、基板洗浄レシピ作成方法、および基板洗浄レシピ作成装置
JP6812284B2 (ja) * 2017-03-28 2021-01-13 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及び記録媒体
JP6811675B2 (ja) * 2017-04-28 2021-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7109165B2 (ja) * 2017-05-30 2022-07-29 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP6938248B2 (ja) * 2017-07-04 2021-09-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6914138B2 (ja) * 2017-07-26 2021-08-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法及び基板処理装置
JP7116534B2 (ja) * 2017-09-21 2022-08-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

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