JP2019059636A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2019059636A5
JP2019059636A5 JP2017183987A JP2017183987A JP2019059636A5 JP 2019059636 A5 JP2019059636 A5 JP 2019059636A5 JP 2017183987 A JP2017183987 A JP 2017183987A JP 2017183987 A JP2017183987 A JP 2017183987A JP 2019059636 A5 JP2019059636 A5 JP 2019059636A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
raw material
material gas
gas
wafer
supply pipe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017183987A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2019059636A (ja
JP7002722B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2017183987A external-priority patent/JP7002722B2/ja
Priority to JP2017183987A priority Critical patent/JP7002722B2/ja
Application filed filed Critical
Priority to US16/649,371 priority patent/US11591717B2/en
Priority to CN201880061909.4A priority patent/CN111133133B/zh
Priority to PCT/JP2018/033324 priority patent/WO2019059009A1/ja
Publication of JP2019059636A publication Critical patent/JP2019059636A/ja
Publication of JP2019059636A5 publication Critical patent/JP2019059636A5/ja
Publication of JP7002722B2 publication Critical patent/JP7002722B2/ja
Application granted granted Critical
Priority to US18/112,750 priority patent/US12009206B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2017183987A 2017-09-25 2017-09-25 気相成長装置 Active JP7002722B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017183987A JP7002722B2 (ja) 2017-09-25 2017-09-25 気相成長装置
US16/649,371 US11591717B2 (en) 2017-09-25 2018-09-07 Vapor phase epitaxial growth device
CN201880061909.4A CN111133133B (zh) 2017-09-25 2018-09-07 气相生长装置及其控制方法
PCT/JP2018/033324 WO2019059009A1 (ja) 2017-09-25 2018-09-07 気相成長装置
US18/112,750 US12009206B2 (en) 2017-09-25 2023-02-22 Vapor phase epitaxial growth device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017183987A JP7002722B2 (ja) 2017-09-25 2017-09-25 気相成長装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019059636A JP2019059636A (ja) 2019-04-18
JP2019059636A5 true JP2019059636A5 (enExample) 2020-10-15
JP7002722B2 JP7002722B2 (ja) 2022-02-04

Family

ID=66177957

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017183987A Active JP7002722B2 (ja) 2017-09-25 2017-09-25 気相成長装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7002722B2 (enExample)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023125477A (ja) * 2022-02-28 2023-09-07 パナソニックホールディングス株式会社 Iii族窒化物結晶の製造装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002316892A (ja) * 2001-04-12 2002-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 気相成長装置
JP3922074B2 (ja) * 2002-04-09 2007-05-30 株式会社デンソー 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置
GB2415707A (en) * 2004-06-30 2006-01-04 Arima Optoelectronic Vertical hydride vapour phase epitaxy deposition using a homogenising diaphragm
JP2010222232A (ja) * 2009-02-26 2010-10-07 Kyocera Corp 単結晶体、単結晶基板、ならびに単結晶体の製造方法および製造装置
JP2011256082A (ja) * 2010-06-10 2011-12-22 Sumitomo Electric Ind Ltd GaN結晶自立基板およびその製造方法
CN102108547B (zh) * 2010-12-31 2012-06-13 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种多片大尺寸氢化物气相外延方法和装置
JP2013058741A (ja) * 2011-08-17 2013-03-28 Hitachi Cable Ltd 金属塩化物ガス発生装置、ハイドライド気相成長装置、及び窒化物半導体テンプレート

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5680565B2 (ja) 安定した先駆物質供給のための泡供給システム、およびその方法
TW523785B (en) Reactor for depositing thin film on wafer
JP5476693B2 (ja) 多結晶シリコン反応炉
JP2001262352A (ja) ラジカル蒸着のためのシャワーヘッド装置
TW201712145A (zh) 具有邊緣充氣部噴淋頭組件之沉積設備
JP5921754B2 (ja) 蒸着法によって半導体ウエハ上に層を堆積させる装置
JP5413305B2 (ja) エピタキシャル成長装置
JP2016540892A5 (enExample)
JP6200092B2 (ja) ヒーター部材及びそれを有する基板処理装置
JP6575641B1 (ja) シャワーヘッドおよび処理装置
TW201510269A (zh) 氣相成長裝置以及氣相成長方法
JP2021500756A5 (enExample)
TW201142069A (en) System and method for polycrystalline silicon deposition
TW201935567A (zh) 立式熱處理裝置
JP6477044B2 (ja) 原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び成膜装置
JPWO2019124099A1 (ja) 成膜装置
TW579393B (en) Thin film forming device and production of tungsten nitride thin film
JP6988916B2 (ja) 成膜装置
TWI669747B (zh) 基板處理裝置及其基板處理方法
JP2013197329A (ja) 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
JP2004006551A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI602944B (zh) 含碳之矽膜之形成方法
WO2012120991A1 (ja) 基板処理装置、及び、基板の製造方法
JP5719710B2 (ja) 気相成長装置および気相成長方法
CN107641796B (zh) 制程设备及化学气相沉积制程