JP2019059636A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019059636A5 JP2019059636A5 JP2017183987A JP2017183987A JP2019059636A5 JP 2019059636 A5 JP2019059636 A5 JP 2019059636A5 JP 2017183987 A JP2017183987 A JP 2017183987A JP 2017183987 A JP2017183987 A JP 2017183987A JP 2019059636 A5 JP2019059636 A5 JP 2019059636A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- material gas
- gas
- wafer
- supply pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017183987A JP7002722B2 (ja) | 2017-09-25 | 2017-09-25 | 気相成長装置 |
| US16/649,371 US11591717B2 (en) | 2017-09-25 | 2018-09-07 | Vapor phase epitaxial growth device |
| CN201880061909.4A CN111133133B (zh) | 2017-09-25 | 2018-09-07 | 气相生长装置及其控制方法 |
| PCT/JP2018/033324 WO2019059009A1 (ja) | 2017-09-25 | 2018-09-07 | 気相成長装置 |
| US18/112,750 US12009206B2 (en) | 2017-09-25 | 2023-02-22 | Vapor phase epitaxial growth device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017183987A JP7002722B2 (ja) | 2017-09-25 | 2017-09-25 | 気相成長装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019059636A JP2019059636A (ja) | 2019-04-18 |
| JP2019059636A5 true JP2019059636A5 (enExample) | 2020-10-15 |
| JP7002722B2 JP7002722B2 (ja) | 2022-02-04 |
Family
ID=66177957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017183987A Active JP7002722B2 (ja) | 2017-09-25 | 2017-09-25 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7002722B2 (enExample) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023125477A (ja) * | 2022-02-28 | 2023-09-07 | パナソニックホールディングス株式会社 | Iii族窒化物結晶の製造装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002316892A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
| JP3922074B2 (ja) * | 2002-04-09 | 2007-05-30 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 |
| GB2415707A (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-04 | Arima Optoelectronic | Vertical hydride vapour phase epitaxy deposition using a homogenising diaphragm |
| JP2010222232A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-10-07 | Kyocera Corp | 単結晶体、単結晶基板、ならびに単結晶体の製造方法および製造装置 |
| JP2011256082A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaN結晶自立基板およびその製造方法 |
| CN102108547B (zh) * | 2010-12-31 | 2012-06-13 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 一种多片大尺寸氢化物气相外延方法和装置 |
| JP2013058741A (ja) * | 2011-08-17 | 2013-03-28 | Hitachi Cable Ltd | 金属塩化物ガス発生装置、ハイドライド気相成長装置、及び窒化物半導体テンプレート |
-
2017
- 2017-09-25 JP JP2017183987A patent/JP7002722B2/ja active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5680565B2 (ja) | 安定した先駆物質供給のための泡供給システム、およびその方法 | |
| TW523785B (en) | Reactor for depositing thin film on wafer | |
| JP5476693B2 (ja) | 多結晶シリコン反応炉 | |
| JP2001262352A (ja) | ラジカル蒸着のためのシャワーヘッド装置 | |
| TW201712145A (zh) | 具有邊緣充氣部噴淋頭組件之沉積設備 | |
| JP5921754B2 (ja) | 蒸着法によって半導体ウエハ上に層を堆積させる装置 | |
| JP5413305B2 (ja) | エピタキシャル成長装置 | |
| JP2016540892A5 (enExample) | ||
| JP6200092B2 (ja) | ヒーター部材及びそれを有する基板処理装置 | |
| JP6575641B1 (ja) | シャワーヘッドおよび処理装置 | |
| TW201510269A (zh) | 氣相成長裝置以及氣相成長方法 | |
| JP2021500756A5 (enExample) | ||
| TW201142069A (en) | System and method for polycrystalline silicon deposition | |
| TW201935567A (zh) | 立式熱處理裝置 | |
| JP6477044B2 (ja) | 原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び成膜装置 | |
| JPWO2019124099A1 (ja) | 成膜装置 | |
| TW579393B (en) | Thin film forming device and production of tungsten nitride thin film | |
| JP6988916B2 (ja) | 成膜装置 | |
| TWI669747B (zh) | 基板處理裝置及其基板處理方法 | |
| JP2013197329A (ja) | 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2004006551A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| TWI602944B (zh) | 含碳之矽膜之形成方法 | |
| WO2012120991A1 (ja) | 基板処理装置、及び、基板の製造方法 | |
| JP5719710B2 (ja) | 気相成長装置および気相成長方法 | |
| CN107641796B (zh) | 制程设备及化学气相沉积制程 |