JP7002722B2 - 気相成長装置 - Google Patents
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Description
図1に、本明細書の技術に係る気相成長装置1を側面から見た概略断面図を示す。気相成長装置1は、HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)法を実施するための装置構成の一例である。気相成長装置1は、反応容器10を備えている。反応容器10は、円筒形状をしている。反応容器10は、石英で構成されていてもよい。反応容器10の内部には、原料ガス供給部20およびウェハホルダ11が配置されている。
HVPE法によって、ウェハ13上にGaN層の気相成長を行う方法について説明する。気層成長条件の一例を列挙する。第1原料ガスG1中のGaClと第2原料ガスG2中のNH3の供給量は、モル比を1:20とした。反応容器10内の圧力は1000hPa、ガス排気管23の出口23bの圧力は990hPaとした。
HVPE法において、GaNのc面へ長尺結晶(厚膜結晶ともいう)を成長させることは困難である。これは、異常成長の発生を抑制することが困難なためである。異常成長の発生の要因例としては、以下の3つが挙げられる。1つ目の要因は、反応容器内で発生したダストが重力によってウェハ表面に落ちてくることである。2つ目の要因は、シャワーヘッド50の第1ノズル51や第2ノズル52にGaN多結晶が析出することによって、ガス管詰まりやガス流変化が発生してしまうことである。3つ目の要因は、副生成物である塩化アンモニウム粉が、ガス排気管23等に詰まってしまうことでガス流変化が発生することである。
以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
特定ガス供給管16は、特定ガス供給部の一例である。
Claims (13)
- 反応容器と、
前記反応容器内に配置されているウェハホルダであって、ウェハ表面が略鉛直下向きになるようにウェハを保持するウェハ保持面を備えた前記ウェハホルダと、
第1原料ガスを前記反応容器内に供給する第1原料ガス供給管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記第1原料ガス供給管と、
前記第1原料ガスと反応する第2原料ガスを前記反応容器内に供給する第2原料ガス供給管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記第2原料ガス供給管と、
前記第1原料ガス供給管および前記第2原料ガス供給管の出口が接続されているシャワーヘッドであって、前記第1原料ガスを前記反応容器内に供給する複数の第1ノズルと、前記第2原料ガスを前記反応容器内に供給する複数の第2ノズルと、が表面に配置されている前記シャワーヘッドと、
前記反応容器内のガスを排気するガス排気管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記ガス排気管と、
を備え、
前記第1原料ガス供給管、前記第2原料ガス供給管、および前記ガス排気管は、略鉛直方向へ伸びるように配置されており、
前記ウェハ保持面の中心を通り前記ウェハ保持面に垂直な軸線と前記ガス排気管との距離が、前記軸線と前記第1原料ガス供給管および前記第2原料ガス供給管との距離よりも大きく、
前記ガス排気管は前記シャワーヘッドの周囲に配置されており、
前記シャワーヘッドの表面が前記ウェハ保持面の下方側であって前記ウェハ保持面に対向する位置に配置されており、
前記シャワーヘッドの表面にはシリコンおよび酸素を含まない材料が配置されていることを特徴とする、化合物半導体の気相成長装置。 - 反応容器と、
前記反応容器内に配置されているウェハホルダであって、ウェハ表面が略鉛直下向きになるようにウェハを保持するウェハ保持面を備えた前記ウェハホルダと、
第1原料ガスを前記反応容器内に供給する第1原料ガス供給管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記第1原料ガス供給管と、
前記第1原料ガスと反応する第2原料ガスを前記反応容器内に供給する第2原料ガス供給管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記第2原料ガス供給管と、
前記第1原料ガス供給管および前記第2原料ガス供給管の出口が接続されているシャワーヘッドであって、前記第1原料ガスを前記反応容器内に供給する複数の第1ノズルと、前記第2原料ガスを前記反応容器内に供給する複数の第2ノズルと、が表面に配置されている前記シャワーヘッドと、
前記反応容器内のガスを排気するガス排気管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記ガス排気管と、
を備え、
前記第1原料ガス供給管、前記第2原料ガス供給管、および前記ガス排気管は、略鉛直方向へ伸びるように配置されており、
前記ウェハ保持面の中心を通り前記ウェハ保持面に垂直な軸線と前記ガス排気管との距離が、前記軸線と前記第1原料ガス供給管および前記第2原料ガス供給管との距離よりも大きく、
前記ガス排気管は前記シャワーヘッドの周囲に配置されており、
前記シャワーヘッドの表面が前記ウェハ保持面の下方側であって前記ウェハ保持面に対向する位置に配置されており、
前記シャワーヘッドの表面にはタングステンを含む材料であって前記第2原料ガスを触媒効果によって分解可能な材料が配置されており、
前記第2原料ガスはNH 3 を含むガスであることを特徴とする、化合物半導体の気相成長装置。 - 反応容器と、
前記反応容器内に配置されているウェハホルダであって、ウェハ表面が略鉛直下向きになるようにウェハを保持するウェハ保持面を備えた前記ウェハホルダと、
第1原料ガスを前記反応容器内に供給する第1原料ガス供給管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記第1原料ガス供給管と、
前記第1原料ガスと反応する第2原料ガスを前記反応容器内に供給する第2原料ガス供給管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記第2原料ガス供給管と、
前記第1原料ガス供給管および前記第2原料ガス供給管の出口が接続されているシャワーヘッドであって、前記第1原料ガスを前記反応容器内に供給する複数の第1ノズルと、前記第2原料ガスを前記反応容器内に供給する複数の第2ノズルと、が表面に配置されている前記シャワーヘッドと、
前記反応容器内のガスを排気するガス排気管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記ガス排気管と、
を備え、
前記第1原料ガス供給管、前記第2原料ガス供給管、および前記ガス排気管は、略鉛直方向へ伸びるように配置されており、
前記ウェハ保持面の中心を通り前記ウェハ保持面に垂直な軸線と前記ガス排気管との距離が、前記軸線と前記第1原料ガス供給管および前記第2原料ガス供給管との距離よりも大きく、
前記ガス排気管は前記シャワーヘッドの周囲に配置されており、
前記シャワーヘッドの表面が前記ウェハ保持面の下方側であって前記ウェハ保持面に対向する位置に配置されており、
前記複数の第1ノズルの各々は、
前記第1原料ガスを排出する第1中心孔と、
前記第1中心孔の周囲に配置されており特定ガスを排出する第1周囲孔と、
を備えており、
前記第2ノズルは、
前記第2原料ガスを排出する第2中心孔と、
前記第2中心孔の周囲に配置されており前記特定ガスを排出する第2周囲孔と、
を備えており、
前記特定ガスは、酸素を含まないガスであって前記第1原料ガスおよび前記第2原料ガスと反応しないガスであることを特徴とする、化合物半導体の気相成長装置。 - 反応容器と、
前記反応容器内に配置されているウェハホルダであって、ウェハ表面が略鉛直下向きになるようにウェハを保持するウェハ保持面を備えた前記ウェハホルダと、
第1原料ガスを前記反応容器内に供給する第1原料ガス供給管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記第1原料ガス供給管と、
前記第1原料ガスと反応する第2原料ガスを前記反応容器内に供給する第2原料ガス供給管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記第2原料ガス供給管と、
前記反応容器内のガスを排気するガス排気管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記ガス排気管と、
を備え、
前記第1原料ガス供給管、前記第2原料ガス供給管、および前記ガス排気管は、略鉛直方向へ伸びるように配置されており、
前記ウェハ保持面の中心を通り前記ウェハ保持面に垂直な軸線と前記ガス排気管との距離が、前記軸線と前記第1原料ガス供給管および前記第2原料ガス供給管との距離よりも大きく、
前記ウェハホルダの表面にはタングステンを含む材料であって前記第2原料ガスを触媒効果によって分解可能な材料が配置されており、
前記第2原料ガスはNH 3 を含むガスであることを特徴とする、化合物半導体の気相成長装置。 - 前記ウェハホルダ、前記第1原料ガス供給管、前記第2原料ガス供給管、および前記ガス排気管の周囲に配置された第1ヒータをさらに備えることを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載の気相成長装置。
- 前記第1原料ガス供給管の経路上に配置される隔壁であって、水平方向に伸びる前記隔壁と、
前記第1原料ガスを生成する第1原料ガス生成部であって、前記隔壁の下方側に配置されているとともに前記第1原料ガス供給管の入口が接続されている前記第1原料ガス生成部と、
前記第1原料ガス生成部の周囲に配置された第2ヒータと、
をさらに備え、
前記第1ヒータは前記隔壁に対して上方側に配置されており、
前記第2ヒータは前記隔壁に対して下方側に配置されており、
前記第1ヒータの方が前記第2ヒータよりも加熱温度が高いことを特徴とする請求項5に記載の気相成長装置。 - 前記反応容器内に前記ウェハホルダの上方から略鉛直下方へ特定ガスを供給する特定ガス供給部をさらに備え、
前記特定ガスは、酸素を含まないガスであって前記第1原料ガスおよび前記第2原料ガスと反応しないガスであることを特徴とする請求項1~6の何れか1項に記載の気相成長装置。 - 前記特定ガスは水素、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンの少なくとも一つを含むガスであることを特徴とする請求項7に記載の気相成長装置。
- 前記ウェハホルダの表面にはシリコンおよび酸素を含まない材料が配置されていることを特徴とする請求項1~8の何れか1項に記載の気相成長装置。
- 気相成長装置を用いた化合物半導体の気相成長方法であって、
前記気相成長装置は、
反応容器と、
前記反応容器内に配置されているウェハホルダであって、ウェハ表面が略鉛直下向きになるようにウェハを保持するウェハ保持面を備えた前記ウェハホルダと、
第1原料ガスを前記反応容器内に供給する第1原料ガス供給管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記第1原料ガス供給管と、
前記第1原料ガスと反応する第2原料ガスを前記反応容器内に供給する第2原料ガス供給管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記第2原料ガス供給管と、
前記第1原料ガス供給管および前記第2原料ガス供給管の出口が接続されているシャワーヘッドであって、前記第1原料ガスを前記反応容器内に供給する複数の第1ノズルと、前記第2原料ガスを前記反応容器内に供給する複数の第2ノズルと、が表面に配置されている前記シャワーヘッドと、
前記反応容器内のガスを排気するガス排気管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記ガス排気管と、
を備え、
前記第1原料ガス供給管、前記第2原料ガス供給管、および前記ガス排気管は、略鉛直方向へ伸びるように配置されており、
前記ウェハ保持面の中心を通り前記ウェハ保持面に垂直な軸線と前記ガス排気管との距離が、前記軸線と前記第1原料ガス供給管および前記第2原料ガス供給管との距離よりも大きく、
前記ガス排気管は前記シャワーヘッドの周囲に配置されており、
前記シャワーヘッドの表面が前記ウェハ保持面の下方側であって前記ウェハ保持面に対向する位置に配置されており、
前記シャワーヘッドの表面にはシリコンおよび酸素を含まない材料が配置されており、
前記気相成長方法は、
前記ウェハホルダで前記ウェハを保持する工程と、
前記複数の第1ノズルから、第1原料ガスを前記反応容器内に供給する第1原料ガス供給工程と、
前記複数の第2ノズルから、前記第1原料ガスと反応する第2原料ガスを前記反応容器内に供給する第2原料ガス供給工程と、
前記ガス排気管から、前記反応容器内のガスを排気するガス排気工程と、
を備えることを特徴とする、化合物半導体の気相成長方法。 - 気相成長装置を用いた化合物半導体の気相成長方法であって、
前記気相成長装置は、
反応容器と、
前記反応容器内に配置されているウェハホルダであって、ウェハ表面が略鉛直下向きになるようにウェハを保持するウェハ保持面を備えた前記ウェハホルダと、
第1原料ガスを前記反応容器内に供給する第1原料ガス供給管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記第1原料ガス供給管と、
前記第1原料ガスと反応する第2原料ガスを前記反応容器内に供給する第2原料ガス供給管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記第2原料ガス供給管と、
前記第1原料ガス供給管および前記第2原料ガス供給管の出口が接続されているシャワーヘッドであって、前記第1原料ガスを前記反応容器内に供給する複数の第1ノズルと、前記第2原料ガスを前記反応容器内に供給する複数の第2ノズルと、が表面に配置されている前記シャワーヘッドと、
前記反応容器内のガスを排気するガス排気管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記ガス排気管と、
を備え、
前記第1原料ガス供給管、前記第2原料ガス供給管、および前記ガス排気管は、略鉛直方向へ伸びるように配置されており、
前記ウェハ保持面の中心を通り前記ウェハ保持面に垂直な軸線と前記ガス排気管との距離が、前記軸線と前記第1原料ガス供給管および前記第2原料ガス供給管との距離よりも大きく、
前記ガス排気管は前記シャワーヘッドの周囲に配置されており、
前記シャワーヘッドの表面が前記ウェハ保持面の下方側であって前記ウェハ保持面に対向する位置に配置されており、
前記シャワーヘッドの表面にはタングステンを含む材料であって前記第2原料ガスを触媒効果によって分解可能な材料が配置されており、
前記第2原料ガスはNH 3 を含むガスであり、
前記気相成長方法は、
前記ウェハホルダで前記ウェハを保持する工程と、
前記複数の第1ノズルから、第1原料ガスを前記反応容器内に供給する第1原料ガス供給工程と、
前記複数の第2ノズルから、前記第1原料ガスと反応する第2原料ガスを前記反応容器内に供給する第2原料ガス供給工程と、
前記ガス排気管から、前記反応容器内のガスを排気するガス排気工程と、
を備えることを特徴とする、化合物半導体の気相成長方法。 - 気相成長装置を用いた化合物半導体の気相成長方法であって、
前記気相成長装置は、
反応容器と、
前記反応容器内に配置されているウェハホルダであって、ウェハ表面が略鉛直下向きになるようにウェハを保持するウェハ保持面を備えた前記ウェハホルダと、
第1原料ガスを前記反応容器内に供給する第1原料ガス供給管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記第1原料ガス供給管と、
前記第1原料ガスと反応する第2原料ガスを前記反応容器内に供給する第2原料ガス供給管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記第2原料ガス供給管と、
前記第1原料ガス供給管および前記第2原料ガス供給管の出口が接続されているシャワーヘッドであって、前記第1原料ガスを前記反応容器内に供給する複数の第1ノズルと、前記第2原料ガスを前記反応容器内に供給する複数の第2ノズルと、が表面に配置されている前記シャワーヘッドと、
前記反応容器内のガスを排気するガス排気管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記ガス排気管と、
を備え、
前記第1原料ガス供給管、前記第2原料ガス供給管、および前記ガス排気管は、略鉛直方向へ伸びるように配置されており、
前記ウェハ保持面の中心を通り前記ウェハ保持面に垂直な軸線と前記ガス排気管との距離が、前記軸線と前記第1原料ガス供給管および前記第2原料ガス供給管との距離よりも大きく、
前記ガス排気管は前記シャワーヘッドの周囲に配置されており、
前記シャワーヘッドの表面が前記ウェハ保持面の下方側であって前記ウェハ保持面に対向する位置に配置されており、
前記複数の第1ノズルの各々は、
前記第1原料ガスを排出する第1中心孔と、
前記第1中心孔の周囲に配置されており特定ガスを排出する第1周囲孔と、
を備えており、
前記第2ノズルは、
前記第2原料ガスを排出する第2中心孔と、
前記第2中心孔の周囲に配置されており前記特定ガスを排出する第2周囲孔と、
を備えており、
前記特定ガスは、酸素を含まないガスであって前記第1原料ガスおよび前記第2原料ガスと反応しないガスであり、
前記気相成長方法は、
前記ウェハホルダで前記ウェハを保持する工程と、
前記複数の第1ノズルから、第1原料ガスを前記反応容器内に供給する第1原料ガス供給工程と、
前記複数の第2ノズルから、前記第1原料ガスと反応する第2原料ガスを前記反応容器内に供給する第2原料ガス供給工程と、
前記ガス排気管から、前記反応容器内のガスを排気するガス排気工程と、
を備えることを特徴とする、化合物半導体の気相成長方法。 - 気相成長装置を用いた化合物半導体の気相成長方法であって、
前記気相成長装置は、
反応容器と、
前記反応容器内に配置されているウェハホルダであって、ウェハ表面が略鉛直下向きになるようにウェハを保持するウェハ保持面を備えた前記ウェハホルダと、
第1原料ガスを前記反応容器内に供給する第1原料ガス供給管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記第1原料ガス供給管と、
前記第1原料ガスと反応する第2原料ガスを前記反応容器内に供給する第2原料ガス供給管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記第2原料ガス供給管と、
前記反応容器内のガスを排気するガス排気管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記ガス排気管と、
を備え、
前記第1原料ガス供給管、前記第2原料ガス供給管、および前記ガス排気管は、略鉛直方向へ伸びるように配置されており、
前記ウェハ保持面の中心を通り前記ウェハ保持面に垂直な軸線と前記ガス排気管との距離が、前記軸線と前記第1原料ガス供給管および前記第2原料ガス供給管との距離よりも大きく、
前記ウェハホルダの表面にはタングステンを含む材料であって前記第2原料ガスを触媒効果によって分解可能な材料が配置されており、
前記第2原料ガスはNH 3 を含むガスであり、
前記気相成長方法は、
前記ウェハホルダで前記ウェハを保持する工程と、
前記第1原料ガス供給管から、第1原料ガスを前記反応容器内に供給する第1原料ガス供給工程と、
前記第2原料ガス供給管から、前記第1原料ガスと反応する第2原料ガスを前記反応容器内に供給する第2原料ガス供給工程と、
前記ガス排気管から、前記反応容器内のガスを排気するガス排気工程と、
を備えることを特徴とする、化合物半導体の気相成長方法。
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