JP2020526915A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020526915A5 JP2020526915A5 JP2019570822A JP2019570822A JP2020526915A5 JP 2020526915 A5 JP2020526915 A5 JP 2020526915A5 JP 2019570822 A JP2019570822 A JP 2019570822A JP 2019570822 A JP2019570822 A JP 2019570822A JP 2020526915 A5 JP2020526915 A5 JP 2020526915A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor according
- capacitor
- anode
- nanocoating
- precursor compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 76
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 17
- 239000002103 nanocoating Substances 0.000 claims description 17
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N precursor Substances N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 16
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 claims description 14
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims description 14
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 5
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N M-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1 IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N Tantalum pentoxide Chemical compound O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000000277 atomic layer chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PRJNEUBECVAVAG-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(ethenyl)benzene Chemical compound C=CC1=CC=CC(C=C)=C1 PRJNEUBECVAVAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NVZWEEGUWXZOKI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C=C NVZWEEGUWXZOKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JZHGRUMIRATHIU-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C=C)=C1 JZHGRUMIRATHIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C=C1 JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OOLUVSIJOMLOCB-UHFFFAOYSA-N 1633-22-3 Chemical compound C1CC(C=C2)=CC=C2CCC2=CC=C1C=C2 OOLUVSIJOMLOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 2
- 239000000539 dimer Substances 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atoms Chemical class [H]* 0.000 claims description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N o-xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N p-xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 2
- WEERVPDNCOGWJF-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(ethenyl)benzene Chemical compound C=CC1=CC=C(C=C)C=C1 WEERVPDNCOGWJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000006011 modification reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Description
本発明のこれら及び他の修正及び変更は、当業者によって、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく実施することができる。更に、種々の態様の複数の形態は、全体的又は部分的の両方で交換することができることを理解すべきである。更に、当業者であれば、上記の記載はほんの一例にすぎず、添付の特許請求の範囲において更に記載される発明を限定することは意図しないことを認識するであろう。
本発明は以下の実施態様を含む。
(1)焼結多孔質陽極体、前記陽極体の上に配されている誘電体、及び前記誘電体の上に配されている固体電解質を含むキャパシタ素子;
前記キャパシタ素子を封入しているケーシング材料;
前記陽極体と電気的に接続されており、前記ケーシング材料の外部に位置する部分を含む陽極終端;
前記固体電解質と電気的に接続されており、前記ケーシング材料の外部に位置する部分を含む陰極終端;及び
前記のキャパシタ素子、ケーシング材料、陽極終端、陰極終端、又はこれらの組合せの少なくとも一部の上に配置されているナノ被覆、ここで前記ナノ被覆は約2,000ナノメートル以下の平均厚さを有し、蒸着されたポリマーを含む;
を含むキャパシタ。
(2)前記蒸着されたポリマーが、前駆体化合物のin-situ重合によって形成される、(1)に記載のキャパシタ。
(3)前記前駆体化合物がポリアリーレンである、(2)に記載のキャパシタ。
(4)前記ポリアリーレンが次の一般構造:
(式中、
R 1 は、アルキル、アルケニル、ハロ、又はハロアルキルであり;
R 2 、R 3 、R 4 、R 5 、及びR 6 は、独立して水素、アルキル、アルケニル、ハロ、又はハロアルキルから選択され、R 1 、R 2 、R 3 、R 4 、R 5 、又はR 6 の1以上は、場合によって第2のポリアリーレン環構造と結合して二量体を形成している)
を有する、(3)に記載のキャパシタ。
(5)前記ポリアリーレンが、1,4−ジメチルベンゼン、1,3−ジメチルベンゼン、1,2−ジメチルベンゼン、トルエン、4−メチルスチレン、3−メチルスチレン、2−メチルスチレン、1,4−ジビニルベンゼン、1,3−ジビニルベンゼン、1,2−ジビニルベンゼン、塩素化ポリアリーレン、[2,2]パラシクロファン、又はこれらの組合せである、(3)に記載のキャパシタ。
(6)前記前駆体化合物がフルオロヒドロカーボンである、(1)に記載のキャパシタ。
(7)前記フルオロヒドロカーボンが、CF 4 、C 2 F 4 、C 2 F 6 、C 3 F 6 、C 3 F 8 、又はこれらの組合せである、(6)に記載のキャパシタ。
(8)前記ナノ被覆が、ポリアリーレン前駆体化合物及びフルオロヒドロカーボン前駆体化合物から形成されるポリマーを含む、(1)に記載のキャパシタ。
(9)前記ナノ被覆が前記キャパシタ素子上に配置されている、(1)に記載のキャパシタ。
(10)前記キャパシタ素子が、前面、後面、上面、下面、第1の側面、及び第2の側面を含み、更に前記キャパシタ素子が、前記キャパシタ素子の前面から伸長する陽極リード線を含む、(1)に記載のキャパシタ。
(11)前記ナノ被覆が、前記の前面、後面、上面、下面、第1の側面、第2の側面、又はこれらの組合せの上に配置されている、(10)に記載のキャパシタ。
(12)前記前面の少なくとも一部の上のナノ被覆の厚さが、前記の後面、上面、下面、第1の側面、又は第2の側面の少なくとも一部の上のナノ被覆の厚さよりも大きい、(11)に記載のキャパシタ。
(13)前記ナノ被覆が前記ケーシング材料の上に配置されている、(1)に記載のキャパシタ。
(14)前記キャパシタの1つの領域における前記ナノ被覆の厚さの、前記キャパシタの他の領域における前記ナノ被覆の厚さに対する比が約2以上である、(1)に記載のキャパシタ。
(15)前記蒸着されたポリマーが、スパッタリング、プラズマ促進物理蒸着、プラズマ促進化学蒸着、原子層化学蒸着、又はこれらの組合せによって形成されている、(1)に記載のキャパシタ。
(16)前記蒸着されたポリマーが、プラズマの存在下で重合されている、(1)に記載のキャパシタ。
(17)前記キャパシタ素子が、前記固体電解質の上に配されている金属粒子層を含む陰極被覆を更に含み、前記金属粒子層は、樹脂状ポリマーマトリクス内に分散されている複数の導電性金属粒子を含む、(1)に記載のキャパシタ。
(18)前記陽極体がタンタルを含み、前記誘電体が五酸化タンタルを含む、(1)に記載のキャパシタ。
(19)前記固体電解質が複数の導電性ポリマー粒子を含む、(1)に記載のキャパシタ。
(20)前記導電性ポリマー粒子が外因性導電性ポリマーを含む、(19)に記載のキャパシタ。
(21)前記外因性導電性ポリマーがポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)である、(20)に記載のキャパシタ。
(22)前記粒子がポリマー対イオンも含む、(20)に記載のキャパシタ。
(23)前記導電性ポリマー粒子が固有導電性ポリマーを含む、(19)に記載のキャパシタ。
(24)前記固体電解質の上に配されており、予め重合された導電性ポリマー粒子及び架橋剤を含む外側ポリマー被覆を更に含む、(1)に記載のキャパシタ。
(25)焼結多孔質陽極体、前記陽極体の上に配されている誘電体、及び前記誘電体の上に配されている固体電解質を含むキャパシタ素子;前記キャパシタ素子を封入しているケーシング材料;前記陽極体と電気的に接続されており、前記ケーシング材料の外部に位置する部分を含む陽極終端;前記固体電解質と電気的に接続されており、前記ケーシング材料の外部に位置する部分を含む陰極終端;を含むキャパシタを封止する方法であって、前駆体化合物を気相重合して、前記のキャパシタ素子、ケーシング材料、陽極終端、陰極終端、又はこれらの組合せの少なくとも一部の上にナノ被覆の少なくとも1つの層を形成することを含む上記方法。
(26)前記ナノ被覆が約2,000ナノメートル以下の平均厚さを有する、(25)に記載の方法。
(27)前記前駆体化合物が、ポリアリーレン、フルオロヒドロカーボン、又はこれらの組合せである、(25)に記載の方法。
(28)前記前駆体化合物を前記キャパシタ素子上で気相重合する、(25)に記載の方法。
(29)前記前駆体化合物を前記ケーシング材料上で気相重合する、(25)に記載の方法。
(30)前記気相重合が、スパッタリング、プラズマ促進物理蒸着、プラズマ促進化学蒸着、原子層化学蒸着、又はこれらの組合せを含む、(25)に記載の方法。
(31)前記気相重合をプラズマの存在下で行う、(25)に記載の方法。
(32)前記気相重合を溶媒の不存在下で行う、(25)に記載の方法。
(33)前記気相重合を約15℃〜約35℃の温度で行う、(25)に記載の方法。
本発明は以下の実施態様を含む。
(1)焼結多孔質陽極体、前記陽極体の上に配されている誘電体、及び前記誘電体の上に配されている固体電解質を含むキャパシタ素子;
前記キャパシタ素子を封入しているケーシング材料;
前記陽極体と電気的に接続されており、前記ケーシング材料の外部に位置する部分を含む陽極終端;
前記固体電解質と電気的に接続されており、前記ケーシング材料の外部に位置する部分を含む陰極終端;及び
前記のキャパシタ素子、ケーシング材料、陽極終端、陰極終端、又はこれらの組合せの少なくとも一部の上に配置されているナノ被覆、ここで前記ナノ被覆は約2,000ナノメートル以下の平均厚さを有し、蒸着されたポリマーを含む;
を含むキャパシタ。
(2)前記蒸着されたポリマーが、前駆体化合物のin-situ重合によって形成される、(1)に記載のキャパシタ。
(3)前記前駆体化合物がポリアリーレンである、(2)に記載のキャパシタ。
(4)前記ポリアリーレンが次の一般構造:
R 1 は、アルキル、アルケニル、ハロ、又はハロアルキルであり;
R 2 、R 3 、R 4 、R 5 、及びR 6 は、独立して水素、アルキル、アルケニル、ハロ、又はハロアルキルから選択され、R 1 、R 2 、R 3 、R 4 、R 5 、又はR 6 の1以上は、場合によって第2のポリアリーレン環構造と結合して二量体を形成している)
を有する、(3)に記載のキャパシタ。
(5)前記ポリアリーレンが、1,4−ジメチルベンゼン、1,3−ジメチルベンゼン、1,2−ジメチルベンゼン、トルエン、4−メチルスチレン、3−メチルスチレン、2−メチルスチレン、1,4−ジビニルベンゼン、1,3−ジビニルベンゼン、1,2−ジビニルベンゼン、塩素化ポリアリーレン、[2,2]パラシクロファン、又はこれらの組合せである、(3)に記載のキャパシタ。
(6)前記前駆体化合物がフルオロヒドロカーボンである、(1)に記載のキャパシタ。
(7)前記フルオロヒドロカーボンが、CF 4 、C 2 F 4 、C 2 F 6 、C 3 F 6 、C 3 F 8 、又はこれらの組合せである、(6)に記載のキャパシタ。
(8)前記ナノ被覆が、ポリアリーレン前駆体化合物及びフルオロヒドロカーボン前駆体化合物から形成されるポリマーを含む、(1)に記載のキャパシタ。
(9)前記ナノ被覆が前記キャパシタ素子上に配置されている、(1)に記載のキャパシタ。
(10)前記キャパシタ素子が、前面、後面、上面、下面、第1の側面、及び第2の側面を含み、更に前記キャパシタ素子が、前記キャパシタ素子の前面から伸長する陽極リード線を含む、(1)に記載のキャパシタ。
(11)前記ナノ被覆が、前記の前面、後面、上面、下面、第1の側面、第2の側面、又はこれらの組合せの上に配置されている、(10)に記載のキャパシタ。
(12)前記前面の少なくとも一部の上のナノ被覆の厚さが、前記の後面、上面、下面、第1の側面、又は第2の側面の少なくとも一部の上のナノ被覆の厚さよりも大きい、(11)に記載のキャパシタ。
(13)前記ナノ被覆が前記ケーシング材料の上に配置されている、(1)に記載のキャパシタ。
(14)前記キャパシタの1つの領域における前記ナノ被覆の厚さの、前記キャパシタの他の領域における前記ナノ被覆の厚さに対する比が約2以上である、(1)に記載のキャパシタ。
(15)前記蒸着されたポリマーが、スパッタリング、プラズマ促進物理蒸着、プラズマ促進化学蒸着、原子層化学蒸着、又はこれらの組合せによって形成されている、(1)に記載のキャパシタ。
(16)前記蒸着されたポリマーが、プラズマの存在下で重合されている、(1)に記載のキャパシタ。
(17)前記キャパシタ素子が、前記固体電解質の上に配されている金属粒子層を含む陰極被覆を更に含み、前記金属粒子層は、樹脂状ポリマーマトリクス内に分散されている複数の導電性金属粒子を含む、(1)に記載のキャパシタ。
(18)前記陽極体がタンタルを含み、前記誘電体が五酸化タンタルを含む、(1)に記載のキャパシタ。
(19)前記固体電解質が複数の導電性ポリマー粒子を含む、(1)に記載のキャパシタ。
(20)前記導電性ポリマー粒子が外因性導電性ポリマーを含む、(19)に記載のキャパシタ。
(21)前記外因性導電性ポリマーがポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)である、(20)に記載のキャパシタ。
(22)前記粒子がポリマー対イオンも含む、(20)に記載のキャパシタ。
(23)前記導電性ポリマー粒子が固有導電性ポリマーを含む、(19)に記載のキャパシタ。
(24)前記固体電解質の上に配されており、予め重合された導電性ポリマー粒子及び架橋剤を含む外側ポリマー被覆を更に含む、(1)に記載のキャパシタ。
(25)焼結多孔質陽極体、前記陽極体の上に配されている誘電体、及び前記誘電体の上に配されている固体電解質を含むキャパシタ素子;前記キャパシタ素子を封入しているケーシング材料;前記陽極体と電気的に接続されており、前記ケーシング材料の外部に位置する部分を含む陽極終端;前記固体電解質と電気的に接続されており、前記ケーシング材料の外部に位置する部分を含む陰極終端;を含むキャパシタを封止する方法であって、前駆体化合物を気相重合して、前記のキャパシタ素子、ケーシング材料、陽極終端、陰極終端、又はこれらの組合せの少なくとも一部の上にナノ被覆の少なくとも1つの層を形成することを含む上記方法。
(26)前記ナノ被覆が約2,000ナノメートル以下の平均厚さを有する、(25)に記載の方法。
(27)前記前駆体化合物が、ポリアリーレン、フルオロヒドロカーボン、又はこれらの組合せである、(25)に記載の方法。
(28)前記前駆体化合物を前記キャパシタ素子上で気相重合する、(25)に記載の方法。
(29)前記前駆体化合物を前記ケーシング材料上で気相重合する、(25)に記載の方法。
(30)前記気相重合が、スパッタリング、プラズマ促進物理蒸着、プラズマ促進化学蒸着、原子層化学蒸着、又はこれらの組合せを含む、(25)に記載の方法。
(31)前記気相重合をプラズマの存在下で行う、(25)に記載の方法。
(32)前記気相重合を溶媒の不存在下で行う、(25)に記載の方法。
(33)前記気相重合を約15℃〜約35℃の温度で行う、(25)に記載の方法。
Claims (33)
- 焼結多孔質陽極体、前記陽極体の上に配されている誘電体、及び前記誘電体の上に配されている固体電解質を含むキャパシタ素子;
前記キャパシタ素子を封入しているケーシング材料;
前記陽極体と電気的に接続されており、前記ケーシング材料の外部に位置する部分を含む陽極終端;
前記固体電解質と電気的に接続されており、前記ケーシング材料の外部に位置する部分を含む陰極終端;及び
前記のキャパシタ素子、ケーシング材料、陽極終端、陰極終端、又はこれらの組合せの少なくとも一部の上に配置されているナノ被覆、ここで前記ナノ被覆は約2,000ナノメートル以下の平均厚さを有し、蒸着されたポリマーを含む;
を含むキャパシタ。 - 前記蒸着されたポリマーが、前駆体化合物のin-situ重合によって形成される、請求項1に記載のキャパシタ。
- 前記前駆体化合物がポリアリーレンである、請求項2に記載のキャパシタ。
- 前記ポリアリーレンが、1,4−ジメチルベンゼン、1,3−ジメチルベンゼン、1,2−ジメチルベンゼン、トルエン、4−メチルスチレン、3−メチルスチレン、2−メチルスチレン、1,4−ジビニルベンゼン、1,3−ジビニルベンゼン、1,2−ジビニルベンゼン、塩素化ポリアリーレン、[2,2]パラシクロファン、又はこれらの組合せである、請求項3に記載のキャパシタ。
- 前記前駆体化合物がフルオロヒドロカーボンである、請求項2に記載のキャパシタ。
- 前記フルオロヒドロカーボンが、CF4、C2F4、C2F6、C3F6、C3F8、又はこれらの組合せである、請求項6に記載のキャパシタ。
- 前記ナノ被覆が、ポリアリーレン前駆体化合物及びフルオロヒドロカーボン前駆体化合物から形成されるポリマーを含む、請求項1に記載のキャパシタ。
- 前記ナノ被覆が前記キャパシタ素子上に配置されている、請求項1に記載のキャパシタ。
- 前記キャパシタ素子が、前面、後面、上面、下面、第1の側面、及び第2の側面を含み、更に前記キャパシタ素子が、前記キャパシタ素子の前面から伸長する陽極リード線を含む、請求項1に記載のキャパシタ。
- 前記ナノ被覆が、前記の前面、後面、上面、下面、第1の側面、第2の側面、又はこれらの組合せの上に配置されている、請求項10に記載のキャパシタ。
- 前記前面の少なくとも一部の上のナノ被覆の厚さが、前記の後面、上面、下面、第1の側面、又は第2の側面の少なくとも一部の上のナノ被覆の厚さよりも大きい、請求項11に記載のキャパシタ。
- 前記ナノ被覆が前記ケーシング材料の上に配置されている、請求項1に記載のキャパシタ。
- 前記キャパシタの1つの領域における前記ナノ被覆の厚さの、前記キャパシタの他の領域における前記ナノ被覆の厚さに対する比が約2以上である、請求項1に記載のキャパシタ。
- 前記蒸着されたポリマーが、スパッタリング、プラズマ促進物理蒸着、プラズマ促進化学蒸着、原子層化学蒸着、又はこれらの組合せによって形成されている、請求項1に記載のキャパシタ。
- 前記蒸着されたポリマーが、プラズマの存在下で重合されている、請求項1に記載のキャパシタ。
- 前記キャパシタ素子が、前記固体電解質の上に配されている金属粒子層を含む陰極被覆を更に含み、前記金属粒子層は、樹脂状ポリマーマトリクス内に分散されている複数の導電性金属粒子を含む、請求項1に記載のキャパシタ。
- 前記陽極体がタンタルを含み、前記誘電体が五酸化タンタルを含む、請求項1に記載のキャパシタ。
- 前記固体電解質が複数の導電性ポリマー粒子を含む、請求項1に記載のキャパシタ。
- 前記導電性ポリマー粒子が外因性導電性ポリマーを含む、請求項19に記載のキャパシタ。
- 前記外因性導電性ポリマーがポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)である、請求項20に記載のキャパシタ。
- 前記粒子がポリマー対イオンも含む、請求項20に記載のキャパシタ。
- 前記導電性ポリマー粒子が固有導電性ポリマーを含む、請求項19に記載のキャパシタ。
- 前記固体電解質の上に配されており、予め重合された導電性ポリマー粒子及び架橋剤を含む外側ポリマー被覆を更に含む、請求項1に記載のキャパシタ。
- 焼結多孔質陽極体、前記陽極体の上に配されている誘電体、及び前記誘電体の上に配されている固体電解質を含むキャパシタ素子;前記キャパシタ素子を封入しているケーシング材料;前記陽極体と電気的に接続されており、前記ケーシング材料の外部に位置する部分を含む陽極終端;前記固体電解質と電気的に接続されており、前記ケーシング材料の外部に位置する部分を含む陰極終端;を含むキャパシタを封止する方法であって、前駆体化合物を気相重合して、前記のキャパシタ素子、ケーシング材料、陽極終端、陰極終端、又はこれらの組合せの少なくとも一部の上にナノ被覆の少なくとも1つの層を形成することを含む上記方法。
- 前記ナノ被覆が約2,000ナノメートル以下の平均厚さを有する、請求項25に記載の方法。
- 前記前駆体化合物が、ポリアリーレン、フルオロヒドロカーボン、又はこれらの組合せである、請求項25に記載の方法。
- 前記前駆体化合物を前記キャパシタ素子上で気相重合する、請求項25に記載の方法。
- 前記前駆体化合物を前記ケーシング材料上で気相重合する、請求項25に記載の方法。
- 前記気相重合が、スパッタリング、プラズマ促進物理蒸着、プラズマ促進化学蒸着、原子層化学蒸着、又はこれらの組合せを含む、請求項25に記載の方法。
- 前記気相重合をプラズマの存在下で行う、請求項25に記載の方法。
- 前記気相重合を溶媒の不存在下で行う、請求項25に記載の方法。
- 前記気相重合を約15℃〜約35℃の温度で行う、請求項25に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762528232P | 2017-07-03 | 2017-07-03 | |
US62/528,232 | 2017-07-03 | ||
PCT/US2018/040580 WO2019010122A1 (en) | 2017-07-03 | 2018-07-02 | SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR CONTAINING A NANOREVÊTEMENT |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020526915A JP2020526915A (ja) | 2020-08-31 |
JP2020526915A5 true JP2020526915A5 (ja) | 2021-07-26 |
JP7181902B2 JP7181902B2 (ja) | 2022-12-01 |
Family
ID=64734479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019570822A Active JP7181902B2 (ja) | 2017-07-03 | 2018-07-02 | ナノ被覆を含む固体電解キャパシタ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11257628B2 (ja) |
EP (1) | EP3649661A4 (ja) |
JP (1) | JP7181902B2 (ja) |
CN (1) | CN110730995A (ja) |
WO (1) | WO2019010122A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3649660A4 (en) | 2017-07-03 | 2021-04-21 | AVX Corporation | ASSEMBLY FORMING A SOLID ELECTROLYTE CAPACITOR |
CN113597654A (zh) * | 2019-03-05 | 2021-11-02 | 株式会社村田制作所 | 电解电容器 |
US11167426B2 (en) | 2019-06-18 | 2021-11-09 | Flexiv Ltd. | Robot with gripper and fibrillar, directional adhesive assembly |
CN115136268A (zh) * | 2020-02-26 | 2022-09-30 | 松下知识产权经营株式会社 | 电容器元件、电解电容器及绝缘材料、以及安装基板的制造方法 |
US11631548B2 (en) | 2020-06-08 | 2023-04-18 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a moisture barrier |
US11837415B2 (en) * | 2021-01-15 | 2023-12-05 | KYOCERA AVX Components Corpration | Solid electrolytic capacitor |
US11869727B2 (en) * | 2021-08-31 | 2024-01-09 | Kemet Electronics Corporation | Device and process for forming membrane type capacitor devices |
Family Cites Families (99)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0399423U (ja) | 1990-01-30 | 1991-10-17 | ||
JP3038504B2 (ja) | 1991-01-09 | 2000-05-08 | 積水成型工業株式会社 | 容器用無菌充填装置 |
US5111327A (en) | 1991-03-04 | 1992-05-05 | General Electric Company | Substituted 3,4-polymethylenedioxythiophenes, and polymers and electro responsive devices made therefrom |
EP0509451B1 (en) | 1991-04-15 | 1995-03-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Improved solid electrolytic capacitors and method for manufacturing the same |
US5424907A (en) | 1992-02-21 | 1995-06-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitors and method for manufacturing the same |
JP2765462B2 (ja) | 1993-07-27 | 1998-06-18 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JPH07135126A (ja) | 1993-11-10 | 1995-05-23 | Nec Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP3068430B2 (ja) | 1995-04-25 | 2000-07-24 | 富山日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
US5812367A (en) | 1996-04-04 | 1998-09-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitors comprising a conductive layer made of a polymer of pyrrole or its derivative |
JP3056079B2 (ja) | 1996-07-30 | 2000-06-26 | 富山日本電気株式会社 | チップ型固体電解コンデンサ |
GB9700566D0 (en) | 1997-01-13 | 1997-03-05 | Avx Ltd | Binder removal |
US6072694A (en) | 1998-09-30 | 2000-06-06 | Kemet Electronics Corporation | Electrolytic capacitor with improved leakage and dissipation factor |
JP2000208367A (ja) | 1999-01-08 | 2000-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP2001057321A (ja) | 1999-08-18 | 2001-02-27 | Nec Corp | チップ型固体電解コンデンサ |
US6602741B1 (en) | 1999-09-14 | 2003-08-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive composition precursor, conductive composition, solid electrolytic capacitor, and their manufacturing method |
DE10004725A1 (de) | 2000-02-03 | 2001-08-09 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von wasserlöslichen pi-konjugierten Polymeren |
US6426866B2 (en) | 2000-04-14 | 2002-07-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same |
JP4014819B2 (ja) | 2001-05-14 | 2007-11-28 | Necトーキン株式会社 | チップ型コンデンサおよびその製造方法 |
US6674635B1 (en) | 2001-06-11 | 2004-01-06 | Avx Corporation | Protective coating for electrolytic capacitors |
JP3920670B2 (ja) * | 2002-03-14 | 2007-05-30 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
US6845004B2 (en) | 2003-02-12 | 2005-01-18 | Kemet Electronics Corporation | Protecting resin-encapsulated components |
ES2329898T3 (es) | 2003-10-17 | 2009-12-02 | H.C. Starck Gmbh | Condensadores electroliticos con capa externa de polimero. |
JP2006049866A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-02-16 | Jsr Corp | 電気化学キャパシタ |
KR100800921B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2008-02-04 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 전기 화학 캐패시터 |
US7350281B2 (en) | 2004-07-26 | 2008-04-01 | Hamilton Sundstrand Corporation | Method of protecting a capacitor |
CN1737072B (zh) | 2004-08-18 | 2011-06-08 | 播磨化成株式会社 | 导电粘合剂及使用该导电粘合剂制造物件的方法 |
CN100587869C (zh) | 2004-10-15 | 2010-02-03 | 三洋电机株式会社 | 固体电解电容器及其制造方法 |
TWI413995B (zh) * | 2005-01-11 | 2013-11-01 | Panasonic Corp | Solid electrolytic capacitor and its manufacturing method |
JP4777668B2 (ja) | 2005-02-15 | 2011-09-21 | パナソニック株式会社 | Mim型容量素子 |
DE102005016727A1 (de) | 2005-04-11 | 2006-10-26 | H.C. Starck Gmbh | Elektrolytkondensatoren mit polymerer Außenschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE102005028262B4 (de) | 2005-06-17 | 2010-05-06 | Kemet Electronics Corp. | Kondensator mit einer Elektrode und Herstellungsverfahren für den Kondensator mit der Elektrode |
JP4739864B2 (ja) | 2005-08-30 | 2011-08-03 | 三洋電機株式会社 | コンデンサおよびその製造方法 |
DE102005043829A1 (de) * | 2005-09-13 | 2007-04-05 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit hoher Nennspannung |
EP1829917A1 (de) | 2006-03-02 | 2007-09-05 | Sika Technology AG | Ohne Primer verklebbare thermisch gehärtete Silikonbeschichtung |
EP2024980A2 (en) | 2006-03-31 | 2009-02-18 | H.C. Starck GmbH | Solid electrolytic capacitors |
JP4845645B2 (ja) | 2006-08-30 | 2011-12-28 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
GB0703172D0 (en) | 2007-02-19 | 2007-03-28 | Pa Knowledge Ltd | Printed circuit boards |
JP4767197B2 (ja) | 2007-02-27 | 2011-09-07 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
US7515396B2 (en) | 2007-03-21 | 2009-04-07 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a conductive polymer |
US7724502B2 (en) | 2007-09-04 | 2010-05-25 | Avx Corporation | Laser-welded solid electrolytic capacitor |
JP5114264B2 (ja) | 2008-03-26 | 2013-01-09 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
BRPI0917289A8 (pt) | 2008-08-18 | 2019-09-17 | Semblant Global Ltd | revestimento polimérico de halo-hidrocarboneto |
JP5340872B2 (ja) | 2008-11-05 | 2013-11-13 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
TW201023220A (en) | 2008-12-01 | 2010-06-16 | Sanyo Electric Co | Method of manufacturing solid electrolytic capacitor |
JP5274340B2 (ja) | 2009-03-31 | 2013-08-28 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
US8310816B2 (en) | 2009-05-21 | 2012-11-13 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitors with improved reliability |
JP5461110B2 (ja) | 2009-08-28 | 2014-04-02 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
GB201203927D0 (en) * | 2012-03-06 | 2012-04-18 | Semblant Ltd | Coated electrical assembly |
GB201003067D0 (en) * | 2010-02-23 | 2010-04-07 | Semblant Ltd | Plasma-polymerized polymer coating |
US8206467B2 (en) | 2010-03-24 | 2012-06-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing a solid electrolytic capacitor |
JP5491246B2 (ja) | 2010-03-25 | 2014-05-14 | Necトーキン株式会社 | 導電性高分子およびその製造方法、導電性高分子分散液、ならびに固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
US8808403B2 (en) | 2010-09-15 | 2014-08-19 | Kemet Electronics Corporation | Process for solid electrolytic capacitors using polymer slurries |
JP5469038B2 (ja) | 2010-11-12 | 2014-04-09 | 株式会社オティックス | 燃料系部品の製造方法および燃料系部品 |
GB2485419B (en) | 2010-11-15 | 2015-02-25 | Semblant Ltd | Method for reducing creep corrosion |
JP2012119427A (ja) | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサおよび固体電解コンデンサの製造方法 |
US8576543B2 (en) | 2010-12-14 | 2013-11-05 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a poly(3,4-ethylenedioxythiophene) quaternary onium salt |
WO2012112676A2 (en) | 2011-02-15 | 2012-08-23 | Kemet Electronics Corporation | Materials and methods for improving corner and edge coverage of solid electrolytic capacitors |
JP2012174948A (ja) | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP5895177B2 (ja) | 2011-02-25 | 2016-03-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP5995262B2 (ja) | 2011-03-06 | 2016-09-21 | ヘレウス ドイチェラント ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー | Pedot/pssを固体電解質として含有するコンデンサにおける電気パラメータをポリグリセロールによって改善するための方法 |
US8451588B2 (en) * | 2011-03-11 | 2013-05-28 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a conductive coating formed from a colloidal dispersion |
JP5321851B2 (ja) | 2011-03-25 | 2013-10-23 | 株式会社東芝 | 磁気発振素子及びスピン波装置 |
US8947857B2 (en) | 2011-04-07 | 2015-02-03 | Avx Corporation | Manganese oxide capacitor for use in extreme environments |
US8379372B2 (en) | 2011-04-07 | 2013-02-19 | Avx Corporation | Housing configuration for a solid electrolytic capacitor |
US8885326B2 (en) | 2011-04-26 | 2014-11-11 | Rohm Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
US9555418B2 (en) | 2011-05-24 | 2017-01-31 | Soane Mining, Llc | Recovering valuable mined materials from aqueous wastes |
JP2013074032A (ja) | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP5769742B2 (ja) | 2012-02-27 | 2015-08-26 | ケメット エレクトロニクス コーポレーション | 層間架橋を用いた固体電解コンデンサ |
ES2597167T3 (es) | 2012-03-06 | 2017-01-16 | Semblant Limited | Conjunto eléctrico revestido |
US8971020B2 (en) | 2012-03-16 | 2015-03-03 | Avx Corporation | Wet capacitor cathode containing a conductive copolymer |
CN104428856B (zh) | 2012-06-26 | 2018-07-03 | 松下知识产权经营株式会社 | 固体电解电容器 |
DE102013213723A1 (de) | 2012-07-19 | 2014-01-23 | Avx Corporation | Festelektrolytkondensator mit erhöhter Feucht-zu-Trocken-Kapazität |
US9378898B2 (en) | 2012-12-07 | 2016-06-28 | Kemet Electronics Corporation | Linear-hyperbranched polymers as performance additives for solid electrolytic capacitors |
GB201305500D0 (en) | 2013-03-26 | 2013-05-08 | Semblant Ltd | Coated electrical assembly |
US9824826B2 (en) | 2013-05-13 | 2017-11-21 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing conductive polymer particles |
EP3009210B1 (en) | 2013-06-13 | 2019-05-22 | Ishihara Chemical Co., Ltd. | Production method of beta tantalum powder, granulated tantalum powder, used thereof in solid electrolytic capacitor |
US10014116B2 (en) | 2013-07-24 | 2018-07-03 | Kemet Electronics Corporation | Conductive polymer composition with a dual crosslinker system for capacitors |
US9236192B2 (en) * | 2013-08-15 | 2016-01-12 | Avx Corporation | Moisture resistant solid electrolytic capacitor assembly |
US9236193B2 (en) | 2013-10-02 | 2016-01-12 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor for use under high temperature and humidity conditions |
US9589733B2 (en) * | 2013-12-17 | 2017-03-07 | Avx Corporation | Stable solid electrolytic capacitor containing a nanocomposite |
US9293263B2 (en) | 2014-01-29 | 2016-03-22 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitor |
CN106663542B (zh) | 2014-05-21 | 2019-01-08 | 凯米特电子公司 | 具有充电时间降低添加剂和功函数改良剂的电容器 |
EP3037497A1 (en) | 2014-12-23 | 2016-06-29 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Process for producing functionalized polythiophenes |
JP2016122689A (ja) | 2014-12-24 | 2016-07-07 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサ用品、固体電解コンデンサ、リードフレームおよび固体電解コンデンサの製造方法 |
JP2016178160A (ja) | 2015-03-19 | 2016-10-06 | 小島プレス工業株式会社 | 積層型フィルムコンデンサ |
US10861652B2 (en) | 2015-05-06 | 2020-12-08 | Kemet Electronics Corporation | Capacitor with volumetrically efficient hermetic packaging |
US9767963B2 (en) | 2015-05-29 | 2017-09-19 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with an ultrahigh capacitance |
EP3307832A1 (en) | 2015-06-09 | 2018-04-18 | P2i Ltd | Coating |
GB2539231B (en) | 2015-06-10 | 2017-08-23 | Semblant Ltd | Coated electrical assembly |
JP2017059652A (ja) | 2015-09-16 | 2017-03-23 | ローム株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
TW201714191A (zh) | 2015-10-14 | 2017-04-16 | 鈺邦科技股份有限公司 | 固態電解電容器封裝結構及其製造方法 |
US10186382B2 (en) | 2016-01-18 | 2019-01-22 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
US10224150B2 (en) | 2016-02-02 | 2019-03-05 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitor with enhanced humidity resistance and method for producing the same |
WO2018075329A1 (en) | 2016-10-18 | 2018-04-26 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved performance at high temperatures and voltages |
WO2018075327A1 (en) | 2016-10-18 | 2018-04-26 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor assembly |
US10741333B2 (en) | 2016-10-18 | 2020-08-11 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
JP6293318B1 (ja) | 2017-01-20 | 2018-03-14 | 株式会社トーキン | 固体電解コンデンサ |
EP3593367A4 (en) | 2017-03-06 | 2021-01-20 | AVX Corporation | SOLID ELECTROLYTE CONDENSER ASSEMBLY |
EP3649660A4 (en) | 2017-07-03 | 2021-04-21 | AVX Corporation | ASSEMBLY FORMING A SOLID ELECTROLYTE CAPACITOR |
-
2018
- 2018-07-02 US US16/025,195 patent/US11257628B2/en active Active
- 2018-07-02 CN CN201880036498.3A patent/CN110730995A/zh active Pending
- 2018-07-02 WO PCT/US2018/040580 patent/WO2019010122A1/en unknown
- 2018-07-02 JP JP2019570822A patent/JP7181902B2/ja active Active
- 2018-07-02 EP EP18827663.8A patent/EP3649661A4/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2020526915A5 (ja) | ||
JP5884068B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
US8644006B2 (en) | Composite cathode foils and solid electrolytic capacitors comprising the same | |
JP4874159B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP7054870B2 (ja) | 電解コンデンサ | |
CN101106021B (zh) | 电解电容器的制造方法及电解电容器 | |
JP4532262B2 (ja) | 電極および該電極の製造方法 | |
JP7181902B2 (ja) | ナノ被覆を含む固体電解キャパシタ | |
JP4850127B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP4696751B2 (ja) | カーボンナノチューブを用いた電極の製造方法 | |
JPWO2018020985A1 (ja) | 電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP2012204628A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
US6816357B2 (en) | Solid electrolytic capacitor and a fabrication method therefor | |
CN102420052A (zh) | 固体电解电容器 | |
JP2006278788A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
TW201800518A (zh) | 複合材料、導電性材料、導電性粒子及導電性膜 | |
US20130118682A1 (en) | Substrate with carbon nanotubes, and method to transfer carbon nanotubes | |
JPWO2018043063A1 (ja) | 電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP4911620B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP4942673B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP5252421B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP5274344B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP4665854B2 (ja) | バルブ金属複合電極箔およびその製造方法 | |
Ovsyannikova et al. | Electrochemical properties of thin-layered composites formed by carbon nanotubes and polybithiophene | |
JP5532773B2 (ja) | 固体電解コンデンサ |