CN100587869C - 固体电解电容器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供静电容量大并且ESR低的可靠性高的固体电解电容器及其制造方法。是作为固体电解质使用了导电性高分子化合物的固体电解电容器，是包括：阳极体(1)、形成于阳极体(1)的表面的电介质氧化覆盖膜(2)、部分地形成于电介质氧化覆盖膜(2)上的第1导电性高分子化合物层(3)、至少形成于未形成第1导电性高分子化合物层(3)的电介质氧化覆盖膜(2)上的硅烷偶合剂处理层(4)、形成于第1导电性高分子化合物层(3)上及硅烷偶合剂处理层(4)上的第2导电性高分子化合物层(5)。
Description
技术领域
本发明涉及作为固体电解质使用了导电性高分子化合物的固体电解电容器及其制造方法。
背景技术
近年来，随着电子机器的小型化、轻量化，要求小型并且大容量的高频用的电容器，作为此种电容器，提出了使用导电性高分子化合物形成了固体电解质层的固体电解电容器。
在所述固体电解电容器中，有如下的问题，即，因将由钽、铌、钛或铝等阀金属的烧结体形成的阳极体的表面氧化而形成的电介质氧化覆盖膜、与形成于该电介质氧化覆盖膜上的固体电解质层之间的密接性的降低而造成的LC(Leak Current；泄漏电流)的增大、由ESR(Equivalent SeriesResistance；等价串联电阻)的增大而造成的可靠性的降低。
为了解决此种问题，提出了如下的方案，即，在阳极体表面形成电介质氧化覆盖膜，另外，在对该表面利用硅烷偶合剂进行了处理后，通过在该表面作为固体电解质层形成导电性高分子化合物层，而在电介质氧化覆盖膜和导电性高分子化合物层之间夹隔硅烷偶合剂，使电介质氧化覆盖膜和导电性高分子化合物层之间的密接性提高(例如参照专利文献1到专利文献3)。
另外，对于作为多孔体的阳极体，也提出了如下的方案，即，为了使形成于其阳极体表面的电介质氧化覆盖膜和导电性高分子化合物之间的密接性提高，通过反复进行对电介质氧化覆盖膜的利用硅烷偶合剂的处理及导电性高分子化合物层的形成，在多孔体内部的电介质氧化覆盖膜上形成硅烷偶合剂的第1表面处理层，在该第1表面处理层上形成第1导电性高分子化合物层，在多孔体外周部的电介质氧化覆盖膜上形成硅烷偶合剂的第2表面处理层，在该第2表面处理层上形成第2导电性高分子化合物层，而使得电介质氧化覆盖膜和导电性高分子化合物之间的密接性提高(例如参照专利文献4)。
但是，利用所述的方法，虽然电介质氧化覆盖膜和导电性高分子化合物层之间的密接性提高，ESR被维持较低，可靠性提高，但是有因形成于电介质氧化覆盖膜和导电性高分子化合物层之间的硅烷偶合剂的表面处理层(硅烷偶合剂处理层，以下相同)的存在使静电容量降低的问题。
[专利文献1]特开平02-074021号公报
[专利文献2]特开平04-073924号公报
[专利文献3]特开平08-293436号公报
[专利文献4]特开平11-219860号公报
发明内容
本发明的目的在于，提供静电容量大并且ESR低的可靠性高的固体电解电容器及其制造方法。
本发明是作为固体电解质使用了导电性高分子化合物的固体电解电容器，是包括：阳极体、形成于阳极体的表面的电介质氧化覆盖膜、部分地形成于电介质氧化覆盖膜上的第1导电性高分子化合物层、至少形成于未形成第1导电性高分子化合物层的电介质氧化覆盖膜上的硅烷偶合剂处理层、形成于第1导电性高分子化合物层上及硅烷偶合剂处理层上的第2导电性高分子化合物层的固体电解电容器。
本发明的此种固体电解电容器中，可以将构成第1导电性高分子化合物层的一个局部层和与该局部层相邻的局部层的间隔设为10nm以上而小于100μm。另外，可以将第1导电性高分子化合物层及第2导电性高分子化合物层设为含有聚吡咯或聚噻吩的层。
本发明是作为固体电解质使用了导电性高分子化合物的固体电解电容器的制造方法，是包括在阳极体的表面形成电介质氧化覆盖膜的工序、在电介质氧化覆盖膜上部分地形成第1导电性高分子化合物层的工序、至少在未形成第1导电性高分子化合物层的电介质氧化覆盖膜上形成硅烷偶合剂处理层的工序、在第1导电性高分子化合物层上及硅烷偶合剂处理层上形成第2导电性高分子化合物层的工序的固体电解电容器的制造方法。
本发明的固体电解电容器的制造方法中，可以将构成第1导电性高分子化合物层的一个局部层和与该局部层相邻的局部层的间隔设为10nm以上而小于100μm。另外，可以利用化学氧化聚合或电解聚合形成第1导电性高分子化合物层。另外，可以利用化学氧化聚合或电解聚合形成第2导电性高分子化合物层。
如上所述，根据本发明，可以提供静电容量大并且ESR低的可靠性高的固体电解电容器及其制造方法。
附图说明
图1是表示本发明的一个固体电解电容器的剖面示意图。
图2是表示以往的一个固体电解电容器的剖面示意图。
具体实施方式
参照图1，本发明的一个固体电解电容器包括：阳极体1、形成于阳极体1的表面的电介质氧化覆盖膜2、部分地形成于电介质氧化覆盖膜2上的第1导电性高分子化合物层3、至少形成于未形成第1导电性高分子化合物层3的电介质氧化覆盖膜2上的硅烷偶合剂处理层4、形成于第1导电性高分子化合物层3上及硅烷偶合剂处理层4上的第2导电性高分子化合物层5。
这里，由于硅烷偶合剂处理层4具有作为电介质的功能，因此本固体电解电容器通过在电介质氧化覆盖膜2上分别部分地形成第1导电性高分子化合物层3及硅烷偶合剂处理层4，在第1导电性高分子化合物层3上及硅烷偶合剂处理层4上形成第2导电性高分子化合物层5，使得由电介质氧化覆盖膜2及硅烷偶合剂处理层4构成的电介质层6与由第1导电性高分子化合物层3及第2导电性高分子化合物层5构成的固体电解质层7的接触面积增大，静电容量提高。另外，第1导电性高分子化合物层3及第2导电性高分子化合物层5(即固体电解质层7)，由于通过部分地形成的硅烷偶合剂处理层4，与电介质氧化覆盖膜2密接，因此就可以维持较低的ESR。
与之相反，参照图2，以往的一个固体电解电容器包括：阳极体1和形成于阳极体1的表面的电介质氧化覆盖膜2、形成于电介质氧化覆盖膜2上的硅烷偶合剂处理层4、形成于硅烷偶合剂处理层4上的第1导电性高分子化合物层3、形成于第1导电性高分子化合物层3上的第2导电性高分子化合物层5。此种以往的固体电解电容器因硅烷偶合剂处理层4的存在而使得电介质氧化覆盖膜2与第1导电性高分子化合物层3的密接性提高(即，电介质氧化覆盖膜2与固体电解质层7的密接性提高)。但是，由于硅烷偶合剂处理层4具有作为电介质的功能，因此当在电介质氧化覆盖膜2上形成硅烷偶合剂处理层4时，就会由此而使得电介质层6变厚，使得ESR变高并且静电容量变低。
本发明中，如上所述，参照图1，通过在电介质氧化覆盖膜2上分别部分地形成第1导电性高分子化合物层3及硅烷偶合剂处理层4，就可以增大电介质层6(电介质氧化覆盖膜2及硅烷偶合剂处理层4)与固体电解质层7(第1导电性高分子化合物层3及第2导电性高分子化合物层5)的接触面积，将ESR维持较低而提高作为电容器的可靠性，并且可以提高静电容量。
本固体电解电容器中，构成第1导电性高分子化合物层3的一个局部层3a和与该局部层3a相邻的局部层3b之间的间隔优选10nm以上而小于100μm。当所述局部层3a、3b间的间隔小于10nm时，则硅烷偶合剂就难以进入局部层3a、3b之间的间隔，阻碍硅烷偶合剂处理层4的形成。另外，当局部层3a、3b间的间隔在100μm以上时，则由电介质氧化覆盖膜2及硅烷偶合剂处理层4构成的电介质层6、与第1导电性高分子化合物层3及第2导电性高分子化合物层5的接触面积的增大就会变少，静电容量的增大变少，并且难以获得足够的ESR降低效果。而且，局部层3a、3b间的间隔可以利用SEM(扫描型电子显微镜)或孔隙率计(细孔分布测定器)测定。这里，构成第1导电性高分子化合物层的一个局部层和与之相邻的局部层既可以分离，也可以在局部相连。另外，所谓所述一个局部层和与之相邻的固体局部层的间隔是指一个局部层的端部和与之相邻的局部层的端部的最短距离。
本固体电解电容器中，形成第1导电性高分子化合物层及第2导电性高分子化合物层的导电性高分子化合物虽然没有特别限制，但是由于导电性高及电介质氧化覆盖膜2的缺陷的修复(利用磨边等使掺杂剂从导电性高分子化合物中脱离，将由导电性高分子化合物形成的固体电解质层的一部分绝缘化)较容易，因此最好包含聚吡咯或聚噻吩。
这里，对本固体电解电容器进行详细说明。参照图1，本固体电解电容器在由钽、铌、钛或铝等阀金属的烧结体形成的阳极体1的表面上，形成使该阳极体1表面氧化了的电介质氧化覆盖膜2，在电介质氧化覆盖膜2上部分地形成第1导电性高分子化合物层3，在未形成第1导电性高分子化合物层3的电介质氧化覆盖膜2上形成硅烷偶合剂处理层，在第1固体电解质层3上及硅烷偶合剂处理层4上形成第2导电性高分子化合物层5。这里，利用第1导电性高分子化合物层3及第2导电性高分子化合物层5构成固体电解质层7。另外，在第2导电性高分子化合物层5上形成含有导电性碳的碳层8，在碳层8上形成由银糊状物等制成的阴极引出层9而构成电容器元件10。另外，在被安装在所述阳极体1的一个端面上的阳极引线构件11上连接阳极端子21，在所述阴极引出层9上连接阴极端子22，所述电容器元件10被环氧树脂等外包装树脂12覆盖密封。
参照图1，本发明的一个固体电解电容器的制造方法包括：在阳极体1的表面形成电介质氧化覆盖膜2的工序、在电介质氧化覆盖膜2上部分地形成第1导电性高分子化合物层3的工序、至少在未形成第1导电性高分子化合物层3的电介质氧化覆盖膜2上形成硅烷偶合剂处理层4的工序、在第1导电性高分子化合物层3上及硅烷偶合剂处理层4上形成第2导电性高分子化合物层5的工序。
由于通过在电介质氧化覆盖膜2上分别部分地形成第1导电性高分子化合物层3及硅烷偶合剂处理层4，在导电性高分子化合物层3上及硅烷偶合剂处理层4上形成第2导电性高分子化合物层5，使电介质层6(电介质氧化覆盖膜2及硅烷偶合剂处理层4)与固体电解质层7(第1导电性高分子化合物层3及第2导电性高分子化合物层)的接触面积增大，因此静电容量变高。
这里，对本固体电解电容器的制造方法进行详细说明。在阳极体1的表面形成电介质氧化覆盖膜2的工序是将由钽、铌、钛或铝等阀金属的烧结体形成的阳极体1的表面氧化而形成作为电介质层的氧化覆盖膜。对于形成电介质氧化覆盖膜2的方法，虽然没有特别限制，但是优选使用例如将阳极体1在磷酸水溶液中进行阳极氧化的方法。
对于电介质氧化覆盖膜2上部分地形成第1导电性高分子化合物层3的方法，虽然没有限制，但是优选使用化学氧化聚合法或电解氧化聚合法。这里，化学氧化聚合法是使用氧化剂将单体氧化聚合的方法，在直至阳极体的很小的细孔内都可以形成导电性高分子化合物层方面是优良的方法。作为氧化剂，虽然没有特别限制，但是可以使用过硫酸铵、过硫酸钾、过硫酸钠等过硫酸盐、氯化铁、氯化铝等金属卤化物、过氧化氢等过氧化物等。电解氧化聚合是利用在阳极上发生的氧化反应将单体在阳极上氧化聚合的方法，在容易控制导电性高分子化合物层的厚度及物性方面是优良的方法。在化学氧化聚合或电解氧化聚合中，通过调节聚合液的单体浓度、聚合液的温度、聚合时间等聚合条件，就可以在电介质氧化覆盖膜2上部分地形成第1导电性高分子化合物层3。另外，在导电性高分子化合物层的形成中，为了显现及提高导电性，在单体聚合时，添加掺杂剂。掺杂剂虽然只要是容易被纳入导电性高分子并提高其导电性的材料，就没有特别限制，但是从导电性较高的观点考虑，优选使用苯磺酸、烷基苯磺酸、萘磺酸、烷基萘磺酸等磺酸或它们的盐。
在形成第1导电性高分子化合物层3的工序中，最好将构成第1导电性高分子化合物层的一个局部层3a和与该局部层3a相邻的局部层3b的间隔设为10nm以上而小于100μm。当所述局部层3a、3b间的间隔小于10nm时，则硅烷偶合剂就难以进入局部层3a、3b间的间隔，阻碍硅烷偶合剂处理层4的形成。另外，当局部层3a、3b间的间隔达到100μm以上时，则由电介质氧化覆盖膜2及硅烷偶合剂处理层4构成的电介质层6、与第1导电性高分子化合物层3及第2导电性高分子化合物层5的接触面积的增大就会变少，静电容量的增大变少，并且难以获得足够的ESR降低效果。这里，局部层3a、3b间的间隔可以通过在化学氧化聚合或电解氧化聚合中调节聚合液的浓度、温度等聚合条件及聚合时间来控制。例如，聚合液的单体浓度越低，聚合液的温度越低，聚合时间越短，则局部层3a、3b间的间隔就越大。
对于至少在未形成第1导电性高分子化合物层3的电介质氧化覆盖膜2上形成硅烷偶合剂处理层4的方法，虽然没有特别限制，但是从操作性优良的观点考虑，优选使用在含有硅烷偶合剂的溶液中将在电介质氧化覆盖膜2上部分地形成第1导电性高分子化合物层3的工序后的阳极体1浸渍后干燥的方法、或者在电介质氧化覆盖膜2上部分地形成第1导电性高分子化合物层3的工序后的阳极体1的电介质氧化覆盖膜2上，涂布含有硅烷偶合剂的溶液后干燥的方法等使用硅烷偶合剂对电介质氧化覆盖膜2进行表面处理的方法。利用所述方法，硅烷偶合剂处理层4就主要形成于未形成有第1导电性高分子化合物层3的电介质氧化覆盖膜2上。而且，虽然有在第1导电性高分子化合物层3上也形成硅烷偶合剂处理层的情况，但是不会使作为固体电解电容器的特性降低。
在硅烷偶合剂处理层4的形成中所使用的硅烷偶合剂，只要是具有介电特性并提高电介质氧化覆盖膜2和固体电解质层7的密接性的材料，就没有特别限制，可以举出乙烯基三氯硅烷、乙烯基(β-甲氧基硅烷)、乙烯基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基硅烷、β-(3，4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-缩硫醇丙基三甲氧基硅烷、γ-氯丙基三甲氧基硅烷等。
对于在第1导电性高分子化合物层3上及硅烷偶合剂处理层4上形成第2导电性高分子化合物层5的方法，虽然没有特别限制，但是优选使用化学氧化聚合法或电解氧化聚合法。如上所述，化学氧化聚合法在直至阳极体的很小的细孔内都可以形成导电性高分子化合物层方面是优良的方法，电解氧化聚合在容易控制导电性高分子化合物层的厚度及物性的方面是优良的方法。另外，第2导电性高分子化合物层5与第1导电性高分子化合物层3不同，最好覆盖第1导电性高分子化合物层3及硅烷偶合剂处理层4的全面。从此种观点考虑，第2导电性高分子化合物的形成与第1导电性高分子化合物层的形成的情况相比，最好在聚合液的单体浓度更高、聚合液的温度更高、聚合时间更长的聚合条件下进行。
[实施例]
(实施例1)
参照图1，通过将在一个端面(2.3mm×1.0mm)上安装了阳极引线构件11的、由钽(Ta)烧结体制成的2.3mm×1.8mm×1.0mm的长方体的阳极体1，在65℃的磷酸水溶液中施加恒电压10V而电解氧化10小时，形成了电介质氧化覆盖膜2。
然后，在将该元件在25℃下浸渍在含有吡咯3.0M(表示摩尔/升的浓度，以下相同)的乙醇溶液中5分钟后，在含有过硫酸铵0.1M、烷基萘磺酸0.1M的水溶液中浸渍5分钟，从而在电介质氧化覆盖膜2上部分地形成了第1导电性高分子化合物层3。利用SEM测定了该第1导电性高分子化合物层3的局部层3a、3b间的间隔，为10nm以上而小于100μm。
然后，在将该元件在含有3.0质量％的γ-缩硫醇丙基三甲氧基硅烷(信越化学公司制硅烷偶合剂「KBN-403」)的25℃的水溶液中浸渍了5分钟后，在130℃下干燥20分钟，至少在未形成第1导电性高分子化合物层3的电介质氧化覆盖膜2上形成了硅烷偶合剂处理层4。然后，将该元件作为阳极，通过在含有吡咯0.2M、烷基萘磺酸0.2M的25℃的水溶液中通入0.5mA的电流3小时，形成了第2导电性高分子化合物层5。
然后，在第2导电性高分子化合物层5上，依次形成含有导电性碳的碳层8、阴极引出层9，形成了电容器元件10。继而，在阳极引线构件11上焊接阳极端子21，利用导电性粘结剂将阴极端子22连接在阴极引出层9上后，将电容器元件10的外侧利用由环氧树脂形成的外包装树脂12覆盖密封后，实施磨边处理，制成了固体电解电容器。
对于如上所述获得的固体电解电容器，测定了初期的ESR、105℃下施加了2.5V的恒电压500小时后的ESR及105℃下施加了2.5V的恒电压1000小时后的ESR，分别为20.8mΩ、24.0mΩ及26.0mΩ。这里，ESR的测定是使用LCR仪(电抗-电容-电阻测定装置)进行的。将初期及高温下的电压施加实验后的固体电解电容器的ESR的结果集中表示在表1中。
另外，对于所得的固体电解电容器，算出了初期的静电容量出现率，为86.3％。这里，静电容量出现率是指，制作的固体电解电容器的实际的静电容量相对于将形成了电介质氧化覆盖膜之后的元件在30质量％的硫酸水溶液中而测定得到的静电容量的百分率(％)。实际的静电容量是使用LCR仪测定的。
另外，对得到的固体电解电容器测定了初期LC的结果，为1.97μA。这里，LC的测定及算出是通过在测定对象的电容器上串联1kΩ的电阻，相对于该电阻并联地连接电压计，将所测定的电压用电阻值除而求得LC来进行的。将初期的固体电解电容器的ESR、静电容量出现率及LC的结果集中表示在表2中。
(比较例1)
除了不把元件浸渍在3.0质量％γ-缩硫醇丙基三甲氧基硅烷的水溶液中而未形成硅烷偶合剂处理层之外，与实施例1相同地制作了固体电解电容器。得到的固体电解电容器的初期ESR、施加105℃×定电压2.5V×500小时之后的ESR以及施加105℃×2.5V×1000小时之后的ESR，分别为21.5mΩ、35.0mΩ以及54.0mΩ。将初期和高温下的电压施加试验之后的固体电解电容器的ESR结果集中表示在表1中。另外，得到的固体电解电容器的初期的静电容量出现率为82.1％，初期的LC为9.45μA。初期的固体电解电容器的ESR、静电容量出现率以及LCR的结果集中表示在表2中。
表1
从表1可以清楚地看到，在第1导电性高分子化合物层的形成后形成了硅烷偶合剂处理层的本发明的固体电解电容器，在高温下即使施加电压，ESR的增大少，但是未形成硅烷偶合剂处理层的以往的固体电解电容器在高温下因连续地施加电压而使ESR明显增大。认为是电压的施加使以往的固体电解电容器的电介质氧化覆盖膜和固体电解质层的密接性降低。
(比较例2)
参照图2，除了在将形成了电介质氧化覆盖膜2的元件浸渍在含有3.0质量％的γ-缩硫醇丙基三甲氧基硅烷的25℃的水溶液中5分钟后，在130℃下干燥20分钟而在电介质氧化覆盖膜2上形成了硅烷偶合剂处理层4，然后将该元件在25℃下在含有0.01M的吡咯的乙醇溶液中浸渍了5分钟后，在含有0.1M过硫酸铵、0.1M烷基萘磺酸的水溶液中浸渍5分钟，在硅烷偶合剂处理层4上形成了第1导电性高分子化合物层3，然后通过将该元件作为阳极，在含有0.2M吡咯、0.2M烷基萘磺酸的25℃的水溶液中通过0.5mA的电流3小时，在第1导电性高分子化合物层3上形成了第2导电性高分子化合物层5以外，与实施例1相同，制作了固体电解电容器。所得的固体电解电容器的初期ESR、静电容量出现率及LC分别为21.0mΩ、79.3％及6.88μA。将结果集中表示在表2中。
表2
| 实施例1 | 比较例1 | 比较例2 | |
| ESR(mΩ) | 20.8 | 21.5 | 21.0 |
| 静电容量出现率(％) | 86.3 | 82.1 | 79.3 |
| LC(μA) | 1.97 | 9.45 | 6.88 |
从表2可以清楚地看到，在第1导电性高分子化合物层的形成后形成了硅烷偶合剂处理层的实施例1的固体电解电容器，与在电介质氧化覆盖膜和固体电解质层之间未形成硅烷偶合剂处理层的比较例1的固体电解电容器相比，静电容量出现率增大，ESR及LC减少。这是因为，实施例1的固体电解电容器由于在电介质氧化覆盖膜上部分地形成有硅烷偶合剂处理层和固体电解质层，因此由电介质氧化覆盖膜及硅烷偶合剂处理层构成的电介质层、由第1导电性高分子化合物层及第2导电性高分子化合物层构成的固体电解质层的接触面积增大，另外电介质氧化覆盖膜和固体电解质层的密接性提高。
另外，实施例1的固体电解电容器，与在硅烷偶合剂处理层形成后形成了第1导电性高分子化合物层的比较例2的固体电解电容器相比，静电容量出现率也增大，ESR及LC也减少。这是因为，对比图1和图2时即可看到，对于由电介质氧化覆盖膜2及硅烷偶合剂处理层4形成的电介质层6、和由第1导电性高分子化合物层3及第2导电性高分子化合物层5形成的固体电解质层7的接触面积，与比较例2的固体电解电容器相比，实施例1的固体电解电容器变大。
另外，比较例2的固体电解电容器与比较例1的固体电解电容器相比，虽然LC减少，但是静电容量出现率也减少。这是因为，通过在电介质氧化覆盖膜上全面地形成硅烷偶合剂处理层，由电介质氧化覆盖膜及硅烷偶合剂处理层构成的电介质层变厚。与此相反，在实施例1的固体电解电容器中，由于电介质氧化覆盖膜仅在硅烷偶合剂处理层上部分地形成，因此由电介质氧化覆盖膜及硅烷偶合剂处理层构成的电介质层不变厚，所以，磨边处理时掺杂剂从形成固体电解质层的导电性高分子化合物上的脱离就变得容易，可以获得进一步的LC降低效果。
本次所公布的实施方式及实施例在全部的方面都应当被认为是示例性的，而不是限制性的。本发明的范围不是由所述的说明，而是由技术方案的范围表示，包含与技术方案的范围均等的意味及范围内的全部的变更。
Claims (7)
1.一种固体电解电容器，其使用导电性高分子化合物作为固体电解质，其特征是，包括：阳极体、形成于所述阳极体的表面的电介质氧化覆盖膜、部分地形成于所述电介质氧化覆盖膜上的第1导电性高分子化合物层、至少形成于未形成第1导电性高分子化合物层的电介质氧化覆盖膜上的硅烷偶合剂处理层、形成于所述第1导电性高分子化合物层上及所述硅烷偶合剂处理层上的第2导电性高分子化合物层。
2.根据权利要求1所述的固体电解电容器，其特征是，构成所述第1导电性高分子化合物层的一个局部层和与所述局部层相邻的局部层的间隔为10nm以上而小于100μm。
3.根据权利要求1或2所述的固体电解电容器，其特征是，所述第1导电性高分子化合物层及所述第2导电性高分子化合物层含有聚吡咯或聚噻吩。
4.一种固体电解电容器的制造方法，所述固体电解电容器使用导电性高分子化合物作为固体电解质，其特征是，包括：在阳极体的表面形成电介质氧化覆盖膜的工序、在所述电介质氧化覆盖膜上部分地形成第1导电性高分子化合物层的工序、至少在未形成所述第1导电性高分子化合物层的电介质氧化覆盖膜上形成硅烷偶合剂处理层的工序、在所述第1导电性高分子化合物层上及所述硅烷偶合剂处理层上形成第2导电性高分子化合物层的工序。
5.根据权利要求4所述的固体电解电容器的制造方法，其特征是，将构成所述第1导电性高分子化合物层的一个局部层和与所述局部层相邻的局部层的间隔设为10nm以上而小于100μm。
6.根据权利要求4或5所述的固体电解电容器的制造方法，其特征是，利用化学氧化聚合或电解氧化聚合形成所述第1导电性高分子化合物层。
7.根据权利要求4或5所述的固体电解电容器的制造方法，其特征是，利用化学氧化聚合或电解氧化聚合形成所述第2导电性高分子化合物层。
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Legal Events
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| GR01 | Patent grant |