KR100403936B1 - 고체전해캐패시터의 제조방법 - Google Patents
고체전해캐패시터의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100403936B1 KR100403936B1 KR10-2000-0068765A KR20000068765A KR100403936B1 KR 100403936 B1 KR100403936 B1 KR 100403936B1 KR 20000068765 A KR20000068765 A KR 20000068765A KR 100403936 B1 KR100403936 B1 KR 100403936B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conductive polymer
- polymer layer
- layer
- oxide film
- solid electrolytic
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims abstract description 94
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000002407 reforming Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 30
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 13
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 abstract description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 abstract 3
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 89
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 21
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 19
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 17
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- -1 Polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N dodecyl benzenesulfonate;sodium Chemical compound [Na].CCCCCCCCCCCCOS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- KJIFKLIQANRMOU-UHFFFAOYSA-N oxidanium;4-methylbenzenesulfonate Chemical class O.CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 KJIFKLIQANRMOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005502 peroxidation Methods 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229940080264 sodium dodecylbenzenesulfonate Drugs 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/02—Diaphragms; Separators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0036—Formation of the solid electrolyte layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/48—Conductive polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/54—Electrolytes
- H01G11/56—Solid electrolytes, e.g. gels; Additives therein
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
- H01G9/028—Organic semiconducting electrolytes, e.g. TCNQ
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
Abstract
밸브금속의 양극산화막이 밸브금속의 다공성표면 위에 형성되고, 그 후, 전도성중합체층이 산화막 위에 형성된다. 연속적으로, 전도성중합체층이 건조된 후, 밸브금속의 양극산화막이 재형성된다. 전술한 바와 같이, 전도성중합체층의 수분함량은 건조에 의하여 감소된 후, 밸브금속의 양극산화막이 재형성되어, 재형성에서 전도성중합체층의 수분과의 과산화반응이 억제될 수 있고, 전도성중합체층의 과도한 절연이 방지될 수 있다. 결국, 등가직렬저항의 증가가 방지되고 전도성중합체층이 고체전해질로 되는 고체전해캐패시터가 얻어질 수 있다.
Description
본 발명은 고체전해캐패시터의 제조방법에 관한 것으로, 특히, 전도성중합체를 고체전해질로서 사용한 고체전해캐패시터에서 누설전류 및 등가직렬저항들 다를 모두 감소시키는데 유효한 제조기법에 관한 것이다.
고체전해질이 탄탈륨이나 알루미늄과 같은 밸브금속을 양극으로 산화시켜 얻어진 유전체막 위에 형성되는 방법으로 얻어지는 고체전해캐패시터에서는, 최근, 폴리피롤, 폴리티오펜, 또는 폴리아닐린과 같은 전도성중합체가 많은 경우들에 고체전해질로서 사용된다. 전도성중합체는 지금까지 고체전해질로서 일반적으로 사용되었던 이산화망간의 등가직렬저항(ESR)보다 낮은 등가직렬저항을 가지며, 고주파영역들에서 특성들이 우수하다.
전도성중합체를 사용한 고체전해캐패시터는 낮은 ESR을 가지며 고주파영역들에서 특성들이 우수한 캐패시터이다. 그러나, 한편, 누설전류가 이산화망간을 사용한 종래의 고체전해캐패시터의 누설전류보다 상대적으로 크다고 알려져 있다. 그래서, 그러한 누설전류특성을 개선하기 위하여, 예컨대 일본공개특허공보 평 11-087187호에 개시된 기법에서는, 전도성중합체의 고체전해질이 화학중합에 의해 유전체막 위에 형성된 후, 유전체막이 양극재산화하게 된다(이하, 재형성이라 칭함).재형성은 누설전류를 감소시키기 위하여 유전체막의 결함부분을 고치는 것이라고 여겨진다.
전술한 공보에 개시된 탄탈륨고체전해캐패시터의 제조방법은 도 1과 도 2a 및 도 2b를 참조하여 이하 설명될 것이다. 전도성중합체인 고체전해질이 유전체막 위에 형성되고, 그 후, 유전체막이 재형성된 고체전해캐패시터의 제조방법은 탄탈륨고체전해캐패시터를 예로 사용하여 이하 설명될 것이다.
도 1은 재형성단계를 구비한 탄탈륨고체전해캐패시터의 제조공정을 공정단계들의 순차대로 나타내는 플로우챠트이다. 도 2a는 탄탈륨고체전해캐패시터의 제조에서 전도성중합체층의 형성까지의 공정들이 완료된 시점에서의 캐패시터소자의 단면도이다. 도 2b는 형성하는 방법을 설명하는 개략도이다.
우선, 금속탄탈륨의 미분말이 압착되어 원통형이나 각기둥형태로 성형된다. 성형체가 소결되어, 미다공성의 소결체(1)를 얻는다(단계 S10). 그 때, 탄탈전선(2)이 성형하기 전에 준비된다. 탄탈전선(2)이 성형시에 성형체의 한 평면에 배치된다.
이어서, 도 2b에 나타낸 바와 같이, 소결체(1)는 인산수용액과 같은 형성액(7) 속에 침전된다. 양극형성을 수행하기 위하여 고전위가 소결체(1)의 탄탈전선(2)에 인가되고 저전위가 대향전극(5)에 인가되어, 탄탈산화막(3)을 유전체로서 소결체(1)의 미다공성표면의 표면 상에 형성한다(단계 S20). 탄탈산화막(3)이 형성된 소결체(1)는 이하, 형성체라고 한다.
화학산화중합을 수행하여 전술한 형성체의 탄탈산화막(3) 위에폴리피롤층(4)을 전도성중합체층으로서 형성한다(단계 S30).
그 후, 전술한 형성공정(단계 S20)과 비슷한 방법으로, 탄탈산화막(3)이 재형성된다(단계 S40). 폴리피롤층(4)의 두께는 단계 S30과 단계 S40을 여러번 반복하여 소정의 두께로 조절된다.
단계 S40의 재형성으로 인해, 유전체인 탄탈산화막(3)의 결함부분들은 치유되도록 산화되고, 재형성 동안 전류로에 대응하는 부분의 폴리피롤층(4)이 부분적으로 산화되어 절연체가 된다. 따라서, 이 물품이 캐패시터로서 사용하는 경우 누설전류(LC)는 감소된다.
그 후, 흑연층과 은페이스트가 음극전도층(도시되지 않음)을 제공하도록 그 순서대로 폴리피롤층(4) 위에 적층되게 형성된다(단계 S50). 이어서, 외부음극단자가 전도성접착제로 음극전도층에 고착되고 외부양극단자는 용접으로 탄탈전선(2)에 고착되어, 음극과 양극 두 개의 외부단자들이 부착된다(단계 S60). 그 후, 결과물이 에폭시수지를 사용하는 전사성형공정에 의하여 외장되어(단계 S70), 탄탈륨고체전해캐패시터가 완성된다.
통상, 유전체인 탄탈산화막이 재형성될 때, 전도성중합체층은 형성액이 더러워지는 것을 방지하기 위하여 화학산화중합에 의해 형성된 후에, 형성된 층은 물 또는 알코올을 사용하여 세척된다. 알코올세척이 효과적이긴 하지만, 화학제품의 비용이 많이 든다. 따라서, 일반적으로 물세척이 수행된다. 그러므로, 재형성 전의 전도성중합체층이 물세척하는 동안 수분을 함유한다고 생각할 수 있다. 전도성중합체층이 화학산화중합에 의하여 형성된 후, 전도성중합체층이 전해중합으에 의해 전술한 층 위에 두껍게 붙여지면, 수분도 전도성중합체층들 안에 갇히게 된다.
본 발명의 발명자들은 재형성이 갇힌 수분을 제거하지 않고 수행되었을 경우의, 문제점으로서 캐패시터의 등가직렬저항(ESR)이 커졌다는 것을 알아내었다.
따라서, 본 발명의 목적은 전도성중합체층의 형성 후, 등가직렬저항이 재형성에 인해 열화되지 않는 재형성을 수행하는 단계를 포함하는 고체전해캐패시터의 제조방법을 제공함에 있다.
도 1은 재형성 공정을 포함하는 탄탈륨고체전해캐패시터의 종래의 제조공정을 공정단계들의 순차대로 나타내는 플로우챠트;
도 2a는 종래의 탄탈륨고체전해캐패시터 제조에서 전도성중합체층 형성까지의 공정들이 완료된 시점에서의 캐패시터소자의 단면도;
도 2b는 도 2a에 나타낸 캐패시터소자를 양극으로 형성하는 방법을 설명하기 위한 개략도;
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 탄탈륨고체전해캐패시터의 제조공정을 공정단계들의 순차대로 나타내는 플로우챠트;
도 4a는 본 발명에 따른 탄탈륨고체전해캐패시터 제조에서 전도성중합체층 형성까지의 공정들이 완료된 시점에서의 캐패시터소자를 나타내는 단면도; 및
도 4b는 도 4a에 나타낸 캐패시터소자를 양극으로 형성하는 방법을 설명하기위한 개략도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 소결체 2 : 탄탈전선
3 : 탄탈산화막 4 : 폴리피롤층
4a : 프리코팅층 5 : 대향전극
6 : 전도성중합체층 7 : 형성액
본 발명에 따른, 고체전해캐패시터 제조방법은 전도성중합체층에 함유되어 있는 수분을 소정의 양으로 줄이기 위하여 전도성중합체층이 재형성단계 전에 건조된 후, 밸브금속으로 만들어진 산화막이 재형성된다는 점이 특징이다.
본 발명에 따르면, 전도성중합체층이 밸브금속의 산화막 위에 형성된 후, 전도성중합체층 내의 수분이 소정의 양으로 감소된다. 결국, 전도성중합체층은 밸브금속의 산화막이 재형성되는 시점에서 전도성중합체층에 인가되는 전압에 의하여 전도성중합체층 내의 수분과 반응하는 그런 현상을 억제할 수 있어, 중합체층이 과도하게 절연되며, 고체전해캐패시터의 등가직렬저항의 증가를 막을 수 있다. 본 발명에 따르면, 고체전해캐패시터의 등가직렬저항의 증가를 막음과 동시에, 발명이 속하는 기술분야와 유사한 방식으로, 고체전해캐패시터의 누설전류도 감소될 수 있다.
이하, 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예는 설명될 것이다. 우선, 금속탄탈륨의 미분말이 압축되어 원통형이나 프리즘형태로 성형된다. 성형체는 소결되어, 미다공성 소결체(1)를 얻는다(단계 S10). 그 때, 탄탈전선(2)은 성형 전에 준비된다. 탄탈전선(2)이 성형 시 성형체의 한 평면에 배치된다.
이어서, 도 4b에 나타낸 바와 같이, 소결체(1)가 인산수용액과 같은 형성액(7) 속에 침전된다. 양극형성을 수행하기 위하여 고전위가 소결체(1)의 탄탈전선(2)에 인가되고 저전위가 대향전극(5)에 인가되어, 탄탈산화막(3)을 유전체로서 소결체(1)의 미다공성표면에 형성한다(단계 S20). 탄탈산화막(3)이 형성되었던 소결체(1)는, 이하, 형성체라고 한다.
화학산화중합은 폴리피롤, 폴리티오펜 또는 그 유도체로 된 전도성중합체층(프리코팅층(4a))을 전술한 형성체의 탄탈산화막(3) 위에 형성한다(단계 S31). 프리코팅층(4a)은 유전체인 탄탈산화막(3) 위에 전도성중합체층을 전해중합하는 전도체로서 사용된다.
그 후, 전술한 형성공정(단계 S20)과 비슷한 방법으로, 탄탈산화막(3)이 재형성된다(단계 S40).
이어서, 폴리피롤로 된 전도성중합체층(6)은 전해중합에 의하여 유전체로서 프리코팅층(4a) 위에 형성되고 물로 세척된다(단계 S41).
전도성중합체층(6)은 가열, 진공건조, 또는 대기 중에 놓아둠으로서 건조된다(단계 S42). 건조공정은 수분함량이 약 0.1wt% 내지 3wt%로 설정되도록 전도성중합체층(6)에 함유된 수분이 증발되도록 한다. 그 후, 단계 S40과 유사한 방법으로, 탄탈산화막(3)이 재형성된다(단계 S43).
그 후, 종래의 잘 알려진 방법에 의해, 예컨대, 흑연층과 은페이스트가 그 순서대로 전도성중합체층(6) 위에 적층되도록 형성되어 음극전도층(도시되지 않음)을 형성한다(단계 S50). 이어서, 외부음극단자가 전도성접착제로 음극전도층에 고착되고 외부양극단자는 용접으로 탄탈전선(2)에 고착되어, 음극과 양극 두 개의 외부단자들이 부착된다(단계 S60). 그 후, 그 결과물은 에폭시수지를 사용한 전사성형공정에 의하여 외장되어(단계 S70), 탄탈륨고체전해캐패시터가 완성된다.
이하 본 실시예에 따른 탄탈륨고체전해캐패시터의 제조방법이 여러 예들에 근거하여 이하 구체적으로 설명된다.
(예 1)
우선, 성형성을 높이는 접합제가 금속탄탈륨분말과 혼합되어, 압착성형용 과립분을 형성하였다. 이어서, 탄탈전선(2)이 매설된 원주형 압축물은 과립분을 사용하여 압착법에 의해 형성되었다. 압축물은 1300∼1600℃ 온도로 약 1.33x10-4pa 의 진공 속에서 소결되어 소결체(1)를 얻었다(단계 S10).
이어서, 상기 소결체(1)가 0.6wt%의 인산수용액(형성액(7))에 침전되고 18V의 형성전압이 형성을 수행하도록 탄탈전선(2)과 대향전극(5) 사이에 인가되어, 탄탈산화막(3)이 형성되어 형성체를 얻었다(단계 S20).
다음으로, 상기 형성체가 산화용액으로서 역할을 하는 30wt%의 p톨루엔술폰산염의 염철수용액에 5분간 침전된 후 꺼내어져 건조되었다. 그 후, 이렇게 가공된 형성체는 전도성중합체의 단량체인 에틸렌이산티오펜용액에 1분간 침전된 후 꺼내어지고 건조되어, 프리코팅층(4a)을 화학산화중합에 의하여 폴리에틸렌이산티오펜으로 만들어진 전도성중합체층으로서 탄탈산화막(3) 위에 형성하였다(단계 S31).
그 후, 화학산화중합으로 얻어진 프리코팅층(4a)이 형성되어 있는 형성체가 물로 세척되었다. 이어서, 단계 S20에서의 형성체와 유사한 방법으로, 물로 세척한 형성체가 인산수용액에 침전되었고, 재형성을 수행하기 위하여 형성전압이 인가되었다(단계 S40). 그 때, 0.002wt%의 인산수용액이 사용되었고 15V의 형성전압이 5시간동안 인가되었다.
이어서, 전도성중합체의 단량체로서 0.7mol/L의 피롤, 보조전해질로서 0.3mol/L의 p톨루엔술폰산나트륨 및 0.05mol/L의 도데실벤젠술폰산나트륨을 포함하는 전해중합액에, 소자가 침전되어 전해중합에 의해 전도성중합체층(6,폴리피롤층)을 형성하였다(단계 S41). 그 때, 스테인레스제의 전원공급단자가 형성체의 프리코팅층(4a)에 접촉되었고, 직류전원의 양의 단자는 스테인레스제 전원공급단자에 접속되었으며, 음의 단자는 전해중합용액내의 소자와 대향하도록 배치된 금속제의 전극에 접속되어, 전압이 인가되었다. 결국, 전도성중합체층(6,폴리피롤층)은 프리코팅층(4a) 위에 적층되도록 형성되었다.
연속적으로, 전도성중합체층(6,폴리피롤층)이 전해중합으로 형성되어 있는 형성체가 물로 세척된 후, 통상 15℃∼30℃ 범위의, 실온 이상의 온도에서 건조되어, (폴리피롤층)내의 수분을 감소시켰다(단계 S42). 바람직한 건조온도는 40℃ 이상이다. 이 실시예에서, 형성체는 85℃에서 2시간동안 건조되었다. 프리코팅층(4a)의 수분함량도 이렇게 건조하여 감소되었다. 건조는 초기에 4wt%까지 함유된 수분함량을 2wt%로 반감하였다. 단계 S40에서의 재형성과 유사한 방법으로, 그러한 건조과정을 통과한 형성체는 인산수용액에 침전되었고 재형성을 수행하기 위하여 형성전압이 인가되었다(단계 S43). 그 때, 0.002wt%의 인산수용액이 사용되었고 15V의 형성전압이 0.8시간동안 인가되었다.
그 후, 흑연층과 은페이스트는 전해중합에 의하여 형성된 전도성중합체층(6,폴리피롤층) 위에 이 순차대로 도포되어 음극전도층을 제공하였다(단계 S50). 외부음극단자는 전도성접착제로 음극전도층에 고착되고 외부양극단자는 용접으로 탄탈전선(2)에 고착되어, 음극과 양극 두 개의 외부단자들이 부착되었다(단계 S60). 이렇게 가공된 물품은 에폭시수지를 사용한 전사성형공정에 의하여 외장되어(단계 S70), 탄탈륨고체전해캐패시터가 완성되었다.
(예 2)
도 3의 단계 (S42,건조)에서, 프리코팅층(4a) 및 전도성중합체층(6,폴리피롤층)의 수분함량이 1.33x10-3pa의 감압하에 한 시간동안 15℃의 실온에서 건조하여 감소된 점을 제외하고는, 탄탈륨고체전해캐패시터는 예 1에서와 같은 조건으로 제작되었다. 예 2에서 건조 후의 프리코팅층(4a) 및 전도성중합체층(6,폴리피롤층) 각각의 수분함량(wt%)은 예 1과 유사한 방식으로 초기 수분함량의 1/2이었다.
(예 3)
도 3의 단계 (S42,건조)에서, 전도성중합체층의 수분함량이 실온에서 24시간동안 자연건조하여 감소된 점을 제외하고는 예 1과 같은 조건들 하에서 탄탈륨고체전해캐패시터가 제조되었다. 예 3에서 건조 후의 수분함량(wt%)은 예 1과 유사한 방법으로 초기 수분함량의 1/2이었다.
이어서, 탄탈륨고체전해캐패시터는 각각 건조과정이 비교하기 위하여 생략된 다음 두 종류의 비교실시예들에 근거하여 형성되었다.
(비교예 1)
도 3에서의 단계 S42가 생략된 그런 점 이외에는 예 1과 같은 조건들 하에서, 고체전해캐패시터가 제작되었다. 전도성중합체층(6) 및 프리코팅층(4a)의 총 수분함량은 4wt%이었다.
(비교예 2)
도 3에서 단계 (S40,프리코팅층 형성 후 재형성) 및 단계 (S42,건조)가 생략된 그런 점 이외에는 예 1과 같은 조건들 하에서, 탄탈륨고체전해캐패시터가 제작되었다. 전도성중합체층(6) 및 프리코팅층(4a)의 총 수분함량은 비교예 1과 유사한 4wt%이었다.
이어서, 캐패시터들의 특성들을 비교하기 위하여, 예 1∼예 3 및 비교예 1과 비교예 2 각각의 10개의 탄탈고체전해캐패시터들이 제작되었다. 정전용량(C), 등가직렬저항(ESR), 및 누설전류(LC)의 초기값들이 측정되었다. 각 레벨들에서의 측정된 값들의 평균값들이 표 1에 표시된다. 각 ESR 및 정전용량(C)의 각각의 값은 1kHz의 주파수에서 측정된 값을 나타내고, 누설전류(LC)의 값은 6.3V의 직류전압 인가가 완료된 후 30초 뒤에 측정된 값을 나타낸다. 예 1 내지 예 3의 측정결과들에서의 중요한 차이점들이 발견되지 않았기 때문에, 예 1의 측정결과들이 대표로보여진다.
| 견 본 | 정전용량(C)(㎌) | 등가직렬저항(ESR)(mΩ) | 누설전류(LC)(㎁) |
| 예 1(예 2,예 3) | 165 | 43 | 527 |
| 비교예 1 | 164 | 110 | 544 |
| 비교예 2 | 164 | 160 | 617 |
표 1을 참조하면, 예 1 내지 예 3의 정전용량(C) 및 누설전류(LC)가 비교예 1 및 비교예 2의 정전용량(C)와 누설전류(LC) 값들과 실질적으로 동일하지만, 예 1 내지 예 3의 등가직렬저항(ESR)은 비교예 1 및 비교예 2의 ESR의 약 1/3∼1/4로 감소하였다. 그 이유는 다음과 같이 생각된다. 즉, 화학산화중합으로 얻어진 폴리에틸렌이산티오펜(프리코팅층(4a)) 및 전해중합으로 얻어진 폴리피롤층(전도성중합체층(6))에는, 중합하는 동안 갇힌 수분 또는 물세척 도중 옮겨진 수분이 포함되어 있다. 재형성이 도 3의 단계 S43에서 수행되는 경우, 누설전류(LC)가 큰 부분이 있다면, 재형성 동안, 고전계가 전도성중합체층(화학산화중합으로 얻어진 프리코팅층(4a)) 및 전해중합으로 얻어진 폴리피롤층(전도성중합체층(6))에 인가되는 부분이 발생한다. 고전계의 부분에 대응하는 전도성중합체는 물분자와 반응하고 전기화학적 과산화반응이 발생, 그 부분은 절연체가 된다. 동시에, 탄탈산화막이 재산화되어 회복된다. 단계 S43에서 재형성을 통한 누설전류(LC)의 감소는 전도성중합체의 부분절연 및 탄탈산화막의 재산화와 회복이라는 전술한 두 요인들에 근거하는 것처럼 보인다. 그러나, 전도성중합체의 절연은 누설전류(LC)의 감소 및, 동시에, 전도성중합체 자체의 저항증가를 초래한다. 따라서, 전도성중합체가 과도하게 절연될 때, 캐패시터의 등가직렬저항(ESR)의 악화가 발생된다. 결국,누설전류(LC)는 전도성중합체에 함유된 수분양을 적당히 조절함으로써 탄탈산화막의 재산화 및 수복과 관련하여 개선되면서, 동시에, 등가직렬저항(ESR)의 증가도 방지할 수 있다고 여겨진다.
약 2wt%가 재형성 전의 전도성중합체층(6,프리코팅층을 포함하는)의 수분함량으로 바람직하다는 것이 표 1의 결과로부터 판명된다. 등가직렬저항(ESR)의 바람직한 값으로는, 80mΩ이하이다. 표 1의 결과에 따르면, 재형성 전의 (프리코팅층을 포함하는)전도성중합체층(6)의 수분함량이 3wt% 이하라고 추정된다. 재형성 전의 (프리코팅층을 포함하는)전도성중합체층(6)의 수분양이 과도하게 낮아질 때, 전도성중합체층(6)을 통한 탄탈산화막의 재산화반응은 억제된다. 따라서, 전도성중합체층(6)의 수분함량의 하한이 0.1wt%인 것이 바람직하다. 따라서, 건조공정에서 전도성중합체층의 수분함량이 0.1∼3wt%로 조절되는 것이 바람직하다고 여겨진다.
전술한 예 1 내지 예 3은 본 발명이 탄탈륨고체전해캐패시터의 제조에 적용되는 예들을 나타내지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 탄탈륨이외의, 예컨대, 알루미늄같은 밸브금속의 고체전해캐패시터의 제조에 적용될 수 있다. 화학산화중합인해 얻어진 폴리에틸렌이산티오펜이 프리코팅층(4a)으로 사용되고, 폴리피롤이 전해중합으로 얻어지는 전도성중합체층(6)으로서 사용된 예를 나타내었다. 본 발명은 다른 전도성중합체를 사용한 고체전해캐패시터에도 적용될 수 있다.
본 실시예의 예 1 내지 예 3에서 등가직렬저항(ESR)의 악화를 방지함으로써얻어지는 유익한 효과들은 전술한 이유들에 근거한다. 고체전해질로서의 전도성중합체가 화학산화중합 또는 전해중합으로 형성될 때조차, 그 효과들은 어느 중합방법에 관계없이 얻어질 수 있을 것이다. 그러나, 본 발명에 따르면, 발명이 전해중합에 기인한 전도성중합체를 사용한 고체전해캐패시터의 제조에 적용되는 경우 더 유리하다고 여겨진다. 잘 알려진 바와 같이, 전해중합에 기인하여, 고밀도, 따라서, 저저항을 갖는 양질의 전도성중합체가 단시간에 효율적으로 얻어질 수 있다. 전도성중합체의 밀도가 높아질수록, 형성액은 단계 S43에서 재형성시에 조금도 침투하지 못한다. 따라서, 탄탈산화막(3)의 재산화 및 회복이 거의 수행되지 않는, 즉, 누설전류(LC)가 크고 고전계가 전도성중합체에 인가되는 부분이 쉽게 발생한다. 동시에, 전도성중합체에 함유된 수분이 증가된다. 이는, 전해중합으로 얻어진 전도성중합체에서, 재산화에 의한 등가직렬저항의 악화가 고전계와 고수분함량과 같은 전술한 두 요인들에 의하여 쉽게 발생한다고 여겨지기 때문이다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 전도성중합체를 고체전해질로서 사용하고, 전도성중합체층 형성 후 재형성에 의한 등가직렬저항의 악화가 없는 고체전해캐패시터를 제공할 수 있다. 본 발명이 전해중합에 의한 전도성중합체층을 형성하는 제조방법에 적용될 때, 그 이익들은 현저하다.
Claims (11)
- 고체전해캐패시터를 제조하는 방법에 있어서,밸브금속의 다공성표면에 밸브금속을 양극으로 산화시켜 산화막을 형성하는 단계;상기 산화막 위에 화학산화중합법에 의해 프리코팅층으로서 제1전도성중합체층을 형성하는 단계;상기 프리코팅층의 형성 후에 상기 산화막을 양극으로 재산화하는 단계;상기 프리코팅층 위에 전해중합법에 의해 제2전도성중합체층을 형성하는 단계;상기 제2전도성중합체층의 수분함량을 감소시키는 건조단계;상기 제2전도성중합체층의 상기 수분함량을 감소시킨 후 상기 산화막을 양극으로 재산화하는 재형성단계; 및상기 제2전도성중합체층 위에 음극전도성층을 형성하는 단계를 포함하는 고체전해캐패시터의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 건조단계는 상기 전도성중합체층의 수분함량을 반감시키는 단계인 고체전해캐패시터의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 건조단계 전에 상기 전도성중합체층을 물로 세척하는 단계를 포함하는 고체전해캐패시터의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 건조단계는 상기 전도성중합체층을 실온보다 높은 온도에서 가열하는 단계인 고체전해캐패시터의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 건조단계는 상기 전도성중합체층을 그 압력이 대기압보다 낮은 대기 중에 방치하는 단계인 고체전해캐패시터의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 건조단계는 전도성중합체층의 수분함량이 반감될 때까지 상기 전도성중합체층을 상온에서 방치하는 단계인 고체전해캐패시터의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 건조단계는 상기 전도성중합체층의 수분함량을 3wt% 이하로 감소시키는 단계인 고체전해캐패시터의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 건조단계는 상기 전도성중합체층의 수분함량을 0.1∼3wt% 로 감소시키는 단계인 고체전해캐패시터의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 건조단계는 상기 고체전해캐패시터의 등가직렬저항을 80mΩ이하로 설정하는 단계인 고체전해캐패시터의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 음극전도성층을 상기 전도성중합체층 위에 형성하는 단계 후에,외부단자들을 부착하는 단계; 및수지로 외장하는 단계를 더 포함하는 고체전해캐패시터의 제조방법.
- 고체전해캐패시터를 제조하는 방법에 있어서,밸브금속의 다공성표면에 밸브금속을 양극으로 산화시켜 산화막을 형성하는 단계;상기 산화막 위에 화학산화중합법에 의해 프리코팅층으로서 제1전도성중합체층을 형성하는 단계;상기 프리코팅층의 형성 후에 상기 산화막을 양극으로 재산화하는 단계;상기 프리코팅층 위에 전해중합법에 의해 제2전도성중합체층을 형성하는 단계;상기 제2전도성중합체층의 수분함량을 감소시키는 건조단계;상기 제2전도성중합체층의 상기 수분함량을 감소시킨 후 상기 산화막을 양극으로 재산화하는 재형성단계; 및상기 제2전도성중합체층 위에 음극전도성층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 건조단계는 상기 제2전도성중합체층의 수분함량을 3중량%이하로 감소시키는 단계인 고체전해캐패시터의 제조방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-330201 | 1999-11-19 | ||
| JP33020199A JP2001148328A (ja) | 1999-11-19 | 1999-11-19 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010051810A KR20010051810A (ko) | 2001-06-25 |
| KR100403936B1 true KR100403936B1 (ko) | 2003-11-01 |
Family
ID=18229978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0068765A KR100403936B1 (ko) | 1999-11-19 | 2000-11-18 | 고체전해캐패시터의 제조방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6464738B1 (ko) |
| EP (1) | EP1102287A3 (ko) |
| JP (1) | JP2001148328A (ko) |
| KR (1) | KR100403936B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018221810A1 (ko) * | 2017-05-31 | 2018-12-06 | 한국생산기술연구원 | 다공성 산화 피막이 코팅된 다공성 금속 지지체 제조방법 및 이에 의해 제조된 다공성 금속 지지체 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1665301B1 (en) * | 2003-09-26 | 2018-12-12 | Showa Denko K.K. | Production method of a capacitor |
| JP2007012836A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Rohm Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| KR100828960B1 (ko) * | 2006-10-19 | 2008-05-19 | 주식회사 디지털텍 | 전도성 고분자 중합 용액 주입 공정이 개선된 고분자콘덴서의 제조방법 |
| KR100935323B1 (ko) * | 2007-06-05 | 2010-01-06 | 삼성전기주식회사 | 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법 |
| US8310816B2 (en) * | 2009-05-21 | 2012-11-13 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitors with improved reliability |
| JP2011082313A (ja) * | 2009-10-06 | 2011-04-21 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 固体電解キャパシタ及びその製造方法 |
| JP2011171674A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | キャパシタ及びその製造方法 |
| JP5492595B2 (ja) * | 2010-02-22 | 2014-05-14 | 信越ポリマー株式会社 | キャパシタ及びその製造方法 |
| JP5502563B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-05-28 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| CN117157723A (zh) * | 2021-04-15 | 2023-12-01 | 松下知识产权经营株式会社 | 电解电容器及其制造方法 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3636100A1 (de) * | 1986-10-23 | 1988-05-05 | Roederstein Kondensatoren | Festkoerperkondensator mit einem elektrisch leitfaehigen polymeren als bestandteil des festelektrolyten |
| US4934033A (en) * | 1987-01-23 | 1990-06-19 | Nitsuko Corporation | Method of manufacturing a solid electrolytic capacitor |
| JPH0722075B2 (ja) * | 1987-01-23 | 1995-03-08 | 日通工株式会社 | 固体電解コンデンサの半導体層形成方法 |
| JPH063786B2 (ja) * | 1987-10-21 | 1994-01-12 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JPH0748454B2 (ja) * | 1989-02-20 | 1995-05-24 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP2733618B2 (ja) * | 1989-03-09 | 1998-03-30 | 旭硝子株式会社 | 固体電解コンデンサとその製造方法 |
| JPH0821524B2 (ja) * | 1990-09-10 | 1996-03-04 | 信英通信工業株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH0736375B2 (ja) * | 1991-04-05 | 1995-04-19 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP3339511B2 (ja) * | 1992-12-22 | 2002-10-28 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP3488260B2 (ja) * | 1992-12-25 | 2004-01-19 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JPH10303075A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Fujitsu Towa Electron Kk | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| KR19980081610A (ko) * | 1997-04-23 | 1998-11-25 | 우치가사키이사오 | 고체전해콘덴서의 전해질형성용 조성물 및 고체전해콘덴서 |
| JPH10298427A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 固体電解コンデンサの電解質形成用組成物及び固体電解コンデンサ |
| JPH118162A (ja) * | 1997-04-23 | 1999-01-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 固体電解コンデンサの電解質形成用組成物、固体電解コンデンサの製造法及び固体電解コンデンサ |
| JPH10303080A (ja) * | 1997-04-25 | 1998-11-13 | Fujitsu Towa Electron Kk | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP3119604B2 (ja) | 1997-09-01 | 2000-12-25 | 富山日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| US6168639B1 (en) * | 1997-10-09 | 2001-01-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solid electrolyte capacitor, and process and apparatus for producing same |
-
1999
- 1999-11-19 JP JP33020199A patent/JP2001148328A/ja active Pending
-
2000
- 2000-10-02 US US09/676,532 patent/US6464738B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-24 EP EP00123063A patent/EP1102287A3/en not_active Withdrawn
- 2000-11-18 KR KR10-2000-0068765A patent/KR100403936B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018221810A1 (ko) * | 2017-05-31 | 2018-12-06 | 한국생산기술연구원 | 다공성 산화 피막이 코팅된 다공성 금속 지지체 제조방법 및 이에 의해 제조된 다공성 금속 지지체 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010051810A (ko) | 2001-06-25 |
| JP2001148328A (ja) | 2001-05-29 |
| EP1102287A2 (en) | 2001-05-23 |
| US6464738B1 (en) | 2002-10-15 |
| EP1102287A3 (en) | 2006-04-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3705306B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| KR100279098B1 (ko) | 고체전해콘덴서의제조방법 | |
| JP5933397B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法および固体電解コンデンサ | |
| KR100403936B1 (ko) | 고체전해캐패시터의 제조방법 | |
| JP4285523B2 (ja) | 固体電解コンデンサ用電極箔とその製造方法 | |
| US20020008957A1 (en) | Solid electrolytic capacitors and method for manufacturing the same | |
| JP4062787B2 (ja) | 固体電解コンデンサとその製造方法 | |
| JPH10321471A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP4345227B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2001110685A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2001284174A (ja) | 固体電解コンデンサとその製造方法 | |
| JPH0396210A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3284993B2 (ja) | 固体電解コンデンサ製造方法及び固体電解コンデンサ | |
| JP4269351B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3615388B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法及び装置 | |
| JP4773031B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0536575A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH11121280A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP4442361B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP4084862B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3970063B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2007305684A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2003297672A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH10321474A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP4114325B2 (ja) | 固体電解コンデンサとその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| AMND | Amendment | ||
| B701 | Decision to grant | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |