JP4739864B2 - コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 78
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 98
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 39
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 claims description 22
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 22
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 17
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 35
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 6
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 5
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 4
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical class [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N phenylsilane Chemical class [SiH3]C1=CC=CC=C1 PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N sulfanylsilane Chemical compound S[SiH3] TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
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- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
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- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
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- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
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Description
この発明の1つの目的は、等価直列抵抗が小さいコンデンサを提供することである。
図1は、本発明の実施例1による固体電解コンデンサの構造を説明するための断面図である。図1を参照して、本発明の実施例1による固体電解コンデンサの構造について説明する。
まず、図2に示すように、約2μmの平均粒径を有するニオブ粒子の多孔質焼結体からなる約3.3mm×約2.7mm×約1.7mmの直方体状の基体1bと陽極リード1aとを備える陽極1を形成した。多孔質焼結体の形成は、陽極リード1aの一部を埋め込んだニオブ粒子からなる成形体を真空中で熱処理することにより行った。
次に、陽極1を約60℃に保持した約0.1wt%のリン酸水溶液中において約10Vの定電圧で約10時間陽極酸化を行うことにより、図3に示すように、基体1bの周囲を覆うように、酸化ニオブからなる誘電体層2を形成した。
次に、図4に示すように、重合などにより誘電体層2の周囲を覆うように、誘電体層2上にポリピロールからなる電解質層3を形成した。
次に、図5に示すように、電解質層3の周囲を覆うように、電解質層3上に、約5μm〜約6μmの平均粒径を有するグラファイト粒子を含むグラファイトペーストを塗布し、約80℃で約30分間乾燥することによりグラファイト粒子を含む約10μmの膜厚を有する第1導電層4aを形成した後、第1導電層4aの周囲を覆うように、第1導電層4a上に約3μm〜約4μmの平均粒径を有する銀粒子を含む銀ペーストを塗布し、約160℃で約60分間乾燥することにより銀粒子を含む約10μmの膜厚を有する第2導電層4bを形成した。これにより、電解質層3の周囲を覆うように第1導電層4aおよび第2導電層4bが積層された陰極4を形成するとともに、陽極1と、陽極1上に形成された誘電体層2と、誘電体層2上に形成された電解質層3と、電解質層3上に形成された陰極4とを有するコンデンサ素子5を形成した。
次に、約0.1mmの厚みを有する銅からなる陰極端子8の一端をAPTESを約0.01wt%含有する水溶液中に約10分間浸漬した後、陰極端子8を水洗し、さらに約60℃で約10分間乾燥した。これにより、図6に示すように、陰極端子8の一端の周囲を覆うように、陰極端子8上にAPTESからなる有機シラン層7を形成した。さらに、有機シラン層7の下面上に約3μm〜約4μmの平均粒径を有する銀粒子を含む導電性接着剤6aを約2mg塗布した。
最後に、陰極端子8および陽極端子9の端部が外部に引き出されるように、コンデンサ素子5、陰極端子8および陽極端子9の周囲にモールド外装樹脂10を形成した。このようにして、図1に示すように、実施例1による固体電解コンデンサを作製した。
実施例2〜6として、上記実施例1において、APTESからなる有機シラン層7に代えて、それぞれ、メルカプトプロピルトリメトキシシラン(MPTMS)、メチルトリエトキシシラン(MTES)、フェニルトリエトキシシラン(PTES)、ビニルトリエトキシシラン(VTES)、および、テトラエトキシシラン(TES)からなる有機シラン層7とする以外は、実施例1と同様の構造を有する固体電解コンデンサを作製した。
比較例1として、上記実施例1で用いたAPTESからなる有機シラン層7が形成された陰極端子8に代えて、有機シラン層が形成された陰極端子を用いる以外は、実施例1と同様の方法で固体電解コンデンサを作製した。即ち、比較例1では、陰極と陰極端子とは導電性接着剤層のみを介して接続されている。
比較例2として、上記実施例1で用いたAPTESからなる有機シラン層7が形成された陰極端子8に代えて、スズメッキ層が形成された陰極端子を用いる以外は、実施例1と同様の方法で固体電解コンデンサを作製した。即ち、比較例2では、陰極と陰極端子とは陰極上に形成された導電性接着剤層および導電性接着剤層上に形成されたスズメッキ層を介して接続されている。
次に、実施例1〜実施例6、比較例1および比較例2において作製した固体電解コンデンサに対して、約100kHzの周波数におけるESR測定を行った。ESRの測定は、LCRメータを用いて陰極端子8と陽極端子9との間に電圧を印加することにより行った。結果を表1に示す。なお、表1においては、比較例2の測定結果を100として、実施例1〜実施例6および比較例1の測定結果を規格化した値を示している。
1a 陽極リード
1b 基体
2 誘電体層
3 電解質層
4 陰極
4a 第1導電層
4b 第2導電層
5 コンデンサ素子
6 導電性接着剤層
7 有機シラン層
8 陰極端子
9 陽極端子
10 モールド外装樹脂
Claims (4)
- 陽極と陰極との間に誘電体層を有するコンデンサ素子と、
前記陰極に接続される陰極端子とを備え、
前記陰極と前記陰極端子とは、前記陰極上に形成された導電性接着剤層と、前記陰極端子の一端の周囲を覆うように形成された有機シラン層とを介して電気的に接続されている、コンデンサ。 - 前記導電性接着剤層は、銀粒子を含み、
前記有機シラン層は、アミノプロピルトリエトキシシラン(APTES)およびメルカプトプロピルトリメトキシシラン(MPTMS)からなるグループより選択される少なくとも1つの有機シランを含む、請求項1に記載のコンデンサ。 - 陽極と陰極との間に誘電体層を有するコンデンサ素子を形成する工程と、
前記陰極上に形成された導電性接着剤層と、前記陰極端子の一端の周囲を覆うように形成された有機シラン層とを介して前記陰極と陰極端子とを電気的に接続する工程とを備える、コンデンサの製造方法。 - 前記有機シラン層は、前記陰極端子を有機シランを含む水溶液中に浸漬することにより前記陰極端子の一端の周囲を覆うように形成される、請求項3に記載のコンデンサの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005249372A JP4739864B2 (ja) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | コンデンサおよびその製造方法 |
US11/511,470 US7489498B2 (en) | 2005-08-30 | 2006-08-29 | Capacitors and methods for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005249372A JP4739864B2 (ja) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | コンデンサおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007067065A JP2007067065A (ja) | 2007-03-15 |
JP4739864B2 true JP4739864B2 (ja) | 2011-08-03 |
Family
ID=37803764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005249372A Expired - Fee Related JP4739864B2 (ja) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | コンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7489498B2 (ja) |
JP (1) | JP4739864B2 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1776040A4 (en) * | 2004-08-09 | 2012-02-15 | Univ Johns Hopkins | IMPLANTABLE MRI-COMPATIBLE PACING AND ANTENNAS AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS |
JP4756020B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2011-08-24 | 株式会社東芝 | 筐体及びその製造方法、並びに電子機器 |
US8896986B2 (en) * | 2010-05-26 | 2014-11-25 | Kemet Electronics Corporation | Method of improving electromechanical integrity of cathode coating to cathode termination interfaces in solid electrolytic capacitors |
US9748043B2 (en) | 2010-05-26 | 2017-08-29 | Kemet Electronics Corporation | Method of improving electromechanical integrity of cathode coating to cathode termination interfaces in solid electrolytic capacitors |
US9941055B2 (en) | 2012-02-27 | 2018-04-10 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitor with interlayer crosslinking |
JP5769742B2 (ja) | 2012-02-27 | 2015-08-26 | ケメット エレクトロニクス コーポレーション | 層間架橋を用いた固体電解コンデンサ |
JP2014127682A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサ |
DE112014003398T5 (de) | 2013-07-24 | 2016-06-09 | Kemet Electronics Corp. | Zusammensetzung eines leitfähigen Polymers mit Dualvernetzungsmittelsystem für Kondensatoren |
US10186382B2 (en) | 2016-01-18 | 2019-01-22 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
JP6735604B2 (ja) * | 2016-05-31 | 2020-08-05 | アルプスアルパイン株式会社 | 複合成形部材、複合成形部材の製造方法、電子・電気部品、電子・電気部品の製造方法、電子・電気機器および電子・電気機器の製造方法 |
US10763046B2 (en) | 2016-09-15 | 2020-09-01 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
JP2018049883A (ja) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
JP7209631B2 (ja) | 2016-10-18 | 2023-01-20 | キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション | 固体電解キャパシタアセンブリ |
WO2018075330A2 (en) | 2016-10-18 | 2018-04-26 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
US11387047B2 (en) | 2016-10-18 | 2022-07-12 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved performance at high temperatures and voltages |
JP2020509599A (ja) | 2017-03-06 | 2020-03-26 | エイブイエックス コーポレイション | 固体電解キャパシタアセンブリ |
US10770238B2 (en) | 2017-07-03 | 2020-09-08 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor assembly with hydrophobic coatings |
US11257628B2 (en) | 2017-07-03 | 2022-02-22 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a nanocoating |
US11837415B2 (en) | 2021-01-15 | 2023-12-05 | KYOCERA AVX Components Corpration | Solid electrolytic capacitor |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58190015A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-05 | マルコン電子株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
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JP2003133183A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP2005089517A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導電性高分子およびそれを用いた固体電解コンデンサ |
JP4553770B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2010-09-29 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
-
2005
- 2005-08-30 JP JP2005249372A patent/JP4739864B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-08-29 US US11/511,470 patent/US7489498B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7489498B2 (en) | 2009-02-10 |
JP2007067065A (ja) | 2007-03-15 |
US20070047179A1 (en) | 2007-03-01 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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