JP4508945B2 - 固体電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents

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Description

この発明は、固体電解コンデンサおよびその製造方法に関する。
従来、高周波領域における等価直列抵抗(以下、ESRと呼ぶ)の値が小さい固体電解コンデンサが知られている(例えば、特許文献1参照)。
図2は、従来の固体電解コンデンサの構造を説明するための断面図である。図2を参照して、従来の固体電解コンデンサの構造について説明する。
従来の固体電解コンデンサでは、図2に示すように、タンタルからなる陽極リード101a上に、陽極リード101aの一部を覆うように、約2μmの平均粒径を有するタンタル粉末を真空中で焼結することにより作製したタンタル多孔質焼結体からなる略板状の陽極101が形成されている。
陽極101上には、陽極101の周囲を覆うように、酸化タンタルからなる誘電体層102が形成されている。また、誘電体層102上には、誘電体層102の周囲を覆うように、ポリピロールからなる電解質層103が形成されている。
電解質層103上には、電解質層103の周囲を略均一に覆うように、ポリピロールとカーボン粒子とが混在する中間層104が形成されている。
中間層104上には、中間層104の周囲を覆うように、陰極105が形成されている。陰極105は、中間層104の周囲を覆うように形成されたグラファイト粒子を主成分とする第1導電層105aと、第1導電層105aの周囲を覆うように形成された銀粒子を主成分とする第2導電層105bとから構成されている。
陰極105の周囲のうち上面には、導電性接着剤層106が形成され、さらに、導電性接着剤層106を介して、陰極105と陰極端子107とが接続されている。また、陽極101から露出した陽極リード101a上には、陽極端子108が溶接により接続されている。さらに、陰極端子107および陽極端子108の端部が外部に引き出されるように、第2導電層105b、陰極端子107および陽極端子108の周囲には、モールド外装樹脂109が形成されている。これにより、従来の固体電解コンデンサが構成されている。
そして、従来の固体電解コンデンサでは、上記したように、電解質層103と陰極105との間には、電解質層103および陰極105の構成するポリピロールとカーボン粒子とが混在する中間層104が形成されている。これにより、誘電体層102と陰極105との接触抵抗を小さくすることができる。その結果、高周波領域におけるESRを低減することができる。
特開2001−217159号公報
しかしながら、上記した従来の固体電解コンデンサにおいても、十分小さいESRが得られないという問題点があった。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、
この発明の1つの目的は、等価直列抵抗が小さい固体電解コンデンサを提供することである。
この発明のもう1つの目的は、等価直列抵抗が小さい固体電解コンデンサの製造方法を提供することである。
上記目的を達成するために、この発明の第1の局面による固体電解コンデンサは、金属を主成分とする陽極上に形成された該金属の酸化物を主成分とする誘電体層と、誘電体層上に形成された酸化マンガンまたは導電性高分子を主成分とする電解質層と、電解質層上に形成されたカーボン粒子および有機シランを含む導電層を有する陰極とを備える。
この第1の局面による固体電解コンデンサでは、上記のように、酸化マンガンまたは導電性高分子を主成分とする電解質層上にカーボン粒子および有機シランを含む導電層を有する陰極が形成されている。有機シランは、酸化マンガン、導電性高分子およびカーボンに対して良好な密着性を有しているので、カーボン粒子および有機シランを含有する導電層と電解質層との密着性を向上させることができる。これにより、電解質層と上記導電層を有する陰極との間の接触抵抗を低減することができるので、高周波領域における等価直列抵抗(ESR)の小さい固体電解コンデンサを得ることができる。
上記第1の局面による固体電解コンデンサにおいて、好ましくは、有機シランは、アミノプロピルトリエトキシシラン(APTES)、ジメトキシジフェニルシラン(DMDPS)、メルカプトプロピルトリメトキシシラン(MPTMS)からなるグループより選択される少なくとも1つの有機シランを含む。このように構成すれば、電解質層と陰極との密着性をより向上させることができるので、さらに、電解質層と陰極との間の接触抵抗を低減し、ESRの小さい固体電解コンデンサを得ることができる。
上記第1の局面による固体電解コンデンサにおいて、好ましくは、導電層は、有機シランとカーボン粒子との総量に対して該有機シランを0.1wt%〜5.5wt%含む。このように構成すれば、電解質層と陰極との密着性をより向上させることができるので、さらに、電解質層と陰極との間の接触抵抗を低減し、ESRの小さい固体電解コンデンサを得ることができる。
なお、カーボン粒子および有機シランを含む導電層の膜厚が小さい場合には、上記の導電層を均一性よく形成することができないので、ESRは大きくなり、上記導電層の膜厚が大きい場合にも、導電層自体の抵抗の影響によりESRは大きくなる。従って、上記導電層の膜厚としては、約2μm〜約15μm程度が好ましいと考えられる。
また、陽極を構成する金属としては、好ましくは、タンタル、アルミニウム、ニオブおよびチタンなどの弁作用金属が用いられる。このように構成すれば、弁作用金属を主成分とする陽極を陽極酸化することにより、容易に、該弁作用金属の酸化物を主成分とする誘電体層を得ることができる。
また、この発明の第2の局面による固体電解コンデンサの製造方法は、金属を主成分とする陽極上に該金属の酸化物を主成分とする誘電体層を形成する工程と、誘電体層上に酸化マンガンまたは導電性高分子を主成分とする電解質層を形成する工程と、電解質層をカーボン粒子および有機シランを含む水溶液中に浸漬することにより、該電解質層上に該カーボン粒子および該有機シランを含む導電層を有する陰極を形成する工程とを備える。
この第2の局面による固体電解コンデンサの製造方法では、上記のように、酸化マンガンまたは導電性高分子を主成分とする電解質層をカーボン粒子および有機シランを含む水溶液中に浸漬することにより、カーボン粒子とともに水溶液中で加水分解している有機シランを電解質層表面に付着させることができる。そして、有機シランは、酸化マンガンおよび導電性高分子に対して良好な密着性を有しているので、電解質層表面に優れた密着性を有するカーボン粒子および有機シランを含有する導電層を形成することができる。
また、水溶液中に浸漬することにより、電解質層表面にカーボン粒子および有機シランを含有する導電層を略均一に形成することができる。なお、電解質層を繰り返し水溶液中に浸漬することにより、導電層の膜厚を制御することができる。これにより、電解質層と上記導電層を有する陰極との間の接触抵抗を低減することができるので、高周波領域におけるESRの小さい固体電解コンデンサを容易に得ることができる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
(実施例1)
図1は本発明の実施例1による固体電解コンデンサの構造を説明するための断面図である。図1を参照して、本発明の実施例1による固体電解コンデンサの構造について説明する。
本発明の実施例1による固体電解コンデンサでは、図1に示すように、タンタルからなる陽極リード1a上に、陽極リード1aの一部を覆うように、約2μmの平均粒径を有するタンタル粉末を真空中で焼結することにより作製したタンタル多孔質焼結体からなる略板状の陽極1が形成されている。ここで、タンタルは、本発明の陽極を構成する「金属」の一例である。
陽極1上には、陽極1の周囲を覆うように、酸化タンタルからなる誘電体層2が形成されている。また、誘電体層2上には、誘電体層2の周囲を覆うように、ポリピロールからなる電解質層3が形成されている。ここで、ポリピロールは、本発明の「導電性高分子」の一例である。
電解質層3上には、電解質層3の周囲を覆うように、陰極5が形成されている。陰極5は、電解質層3の周囲を覆うように形成された約10μmの膜厚を有する第1導電層5aと、第1導電層5aの周囲を覆うように形成された銀粒子を主成分とする約10μmの膜厚を有する第2導電層5bとから構成されている。第1導電層5aは、約1μm〜約10μmの粒径を有するグラファイト粒子とアミノプロピルトリエトキシシラン(APTES)とを含む。ここで、第1導電層は、本発明の「導電層」の一例である。また、グラファイト粒子およびAPTESは、本発明の「カーボン粒子」および「有機シラン」の一例である。
陰極5の周囲のうち上面には、導電性接着剤層6が形成され、さらに、導電性接着剤層6を介して、陰極5と陰極端子7とが接続されている。また、陽極1から露出した陽極リード1a上には、陽極端子8が溶接により接続されている。さらに、陰極端子7および陽極端子8の端部が外部に引き出されるように、第2導電層5b、陰極端子7および陽極端子8の周囲には、モールド外装樹脂9が形成されている。これにより、本発明の実施例1による固体電解コンデンサが構成されている。
次に、図1に示す本発明の実施例1による固体電解コンデンサの製造方法について説明する。
まず、タンタルからなる陽極リード1a上に、陽極リード1aの一部を覆うように、約2μmのタンタル粉末を略板状に成形し、これを真空中で焼結することにより陽極1を形成した。
次に、陽極1を約60℃に保持した約0.1wt%のリン酸水溶液中において約8Vの定電圧で約10時間陽極酸化を行った。これにより、陽極1の周囲を覆うように、酸化タンタルからなる誘電体層2を形成した。
次に、誘電体層2上に、化学重合により、ポリピロールからなる電解質層3を形成した。
次に、約1μm〜約10μmの粒径を有するグラファイト粒子、水および結着材をそれぞれ約1:約10:約0.0005の重量比で混合し、さらに、APTESとグラファイト粒子との総量に対してAPTESを約1.1wt%添加した水溶液を準備した。
次に、電解質層3が形成された陽極1を上記APTESおよびグラファイト粒子を含む水溶液中に浸漬することにより、電解質層3の表面に均一にグラファイト粒子およびAPTESを付着させた。そして、上記陽極1を約90℃で約10分間乾燥することにより、電解質層3上に、約1μm〜約10μmの粒径を有するグラファイト粒子とAPTESとを含む第1導電層5aを形成した。このとき、第1導電層5a中のAPTESの濃度は、APTESとグラファイト粒子との総量に対して約1.1wt%であった。
また、第1導電層5aの周囲を覆うように、第1導電層5a上に銀ペーストを塗布し、約170℃で約30分間乾燥することにより銀粒子を主成分とする約10μmの膜厚を有する第2導電層5bを形成した。これにより、電解質層3の周囲を覆うように、電解質層3上に第1導電層5aおよび第2導電層5bが積層された陰極5を形成した。
そして、陰極端子7上に導電性接着剤を塗布した後、この導電性接着剤を介して陰極5と陰極端子7とを接触させた。導電性接着剤を陰極5と陰極端子7とで押圧しながら、約60℃の温度で約30分間乾燥を行うことにより、陰極5と陰極端子7とを接続する導電性接着剤層6を形成した。
その後、溶接により、陽極リード1a上に陽極端子8を接続し、さらに、陰極端子7および陽極端子8の端部が外部に引き出されるようにモールド外装樹脂9を形成した。これにより、本発明の実施例1による固体電解コンデンサを作製した。
(実施例2〜実施例6)
実施例2〜実施例6として、上記実施例1において、第1導電層5aに含有されているAPTESに代えて、それぞれ、オクタデシルトリエトキシシラン(OTES)、n−プロピルトリクロロシラン(nPTCS)、ジメトキシジフェニルシラン(DMDPS)、メチルフェニルジクロロシラン(MPDCS)およびメルカプトプロピルトリメトキシシラン(MPTMS)を含有する以外は、実施例1と同様の構造を有する固体電解コンデンサを作製した。
ここで、実施例2〜実施例6による固体電解コンデンサの作製においては、上記実施例1で用いた陽極1を浸漬する水溶液中にAPTESを添加するのに代えて、それぞれ、OTES、nPTCS、DMDPS、MPDCSおよびMPTMSを添加する以外は同様の水溶液を用いて、実施例1と同様の方法で固体電解コンデンサを作製した。
(比較例1)
比較例1として、上記実施例1で用いた陽極1を浸漬するAPTESが添加されている水溶液に代えて、APTESが添加されていない水溶液を用いる以外は、実施例1と同様の方法で固体電解コンデンサを作製した。
即ち、比較例1では、約1μm〜約10μmの粒径を有するグラファイト粒子、水および結着材をそれぞれ約1:約10:約0.0005の重量比で混合した水溶液に電解質層が形成された陽極を浸漬することにより、約1μm〜約10μmの粒径を有するグラファイト粒子を含み、APTESを含まない第1導電層を形成した。
ここで、実施例1〜実施例6および比較例1において作製した固体電解コンデンサについて、約100kHzの周波数におけるESR測定を行った。ESRの測定は、LCRメータを用いて陰極端子7と陽極端子8との間に電圧を印加することにより行った。結果を表1に示す。なお、表1においては、比較例1の測定結果を100として、実施例1〜実施例6および比較例1の測定結果を規格化した値を示している。
Figure 0004508945
表1に示すように、実施例1〜実施例6の固体電解コンデンサでは、いずれも比較例1の固体電解コンデンサよりESRが低減していることが判明した。これにより、有機シランを含む第1導電層5aを形成することにより、ESRが低減することがわかった。また、ESRの低減に対しては、第1導電層5aに含まれる有機シランとしては、APTES、DMDPSおよびMPTMSが好ましいことがわかった。
(実施例7)
実施例7として、上記実施例1において、第1導電層5aに含有されているAPTESの濃度(APTESとグラファイト粒子との総量に対するAPTESの重量比)が約1.1wt%であるのに代えて、それぞれ、約0.01wt%〜約11.1wt%とする以外は、実施例1と同様の構造を有する固体電解コンデンサを作製した。
ここで、実施例7による固体電解コンデンサの作製においては、上記実施例1で用いた陽極1を浸漬する水溶液中に添加されているAPTESが約1.1wt%であるのに代えて、それぞれ、約0.01wt%〜約11.1wt%とする以外は同様の水溶液を用いて、実施例1と同様の方法で固体電解コンデンサを作製した。
次に、実施例1および実施例7において作製した固体電解コンデンサについて、約100kHzの周波数におけるESR測定を行った。ESRの測定は、LCRメータを用いて陰極端子7と陽極端子8との間に電圧を印加することにより行った。結果を表2に示す。なお、表2においては、比較例1の測定結果を100として、実施例1および7の測定結果を規格化した値を示している。
Figure 0004508945
表2に示すように、実施例1および実施例7の固体電解コンデンサでは、いずれも比較例1の固体電解コンデンサよりESRが低減していることが判明した。
また、ESRの低減に対しては、第1導電層5aに含まれるAPTES濃度としては、約0.1wt%〜約5.5wt%が好ましいことがわかった。
また、実施例1〜実施例7では、多孔質焼結体からなる略板状の陽極1を用いている。これにより、電解質層3と陰極5との接触面積が大きくなるとともに、電解質層3の表面に微小な凹凸形状が形成されているので、電解質層3と陰極5との間の密着性も向上する。その結果、さらに、ESRを小さくすることができる。
また、実施例1〜実施例7では、弁作用金属であるタンタルからなる陽極1を用いている。これにより、この陽極1を陽極酸化することにより、容易に、酸化タンタルを主成分とする誘電体層を得ることができる。
なお、今回開示された実施例は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施例の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
たとえば、上記実施例では、第1導電層5aは、APTES、OTES、nPTCS、DMDPS、MPDCSおよびMPTMSを含有していたが、本発明はこれに限らず、他のメチル系シラン、フェニル系シラン、ビニル系シラン、アルコキシシランおよびメルカプト系シランアミノ系シランから構成されていてもよく、あるいは、上記の有機シランからなるグループより選択される少なくとも1つの有機シランを含んでいてもよい。さらに、第1導電層5aは、これらの有機シラン以外に他の材料を含んでいてもよい。
また、上記実施例では、第1導電層5aは、グラファイト粒子を含有していたが、本発明はこれに限らず、グラファイト粒子以外のカーボン粒子を含有していてもよい。
また、上記実施例では、電解質層3をカーボン粒子および有機シランを含む水溶液中に浸漬することにより第1導電層5aを形成したが、本発明はこれに限らず、上記水溶液を電解質層3の表面に噴霧するなどの方法によりカーボン粒子および有機シランを付着させることによっても第1導電層5aを形成することができる。
また、上記実施例では、電解質層3は、ポリピロールから構成されていたが、本発明はこれに限らず、他の導電性高分子を主成分としてもよく、あるいは、酸化マンガンを主成分としてもよい。
また、上記実施例では、陽極1は、タンタルから構成されていたが、本発明はこれに限らず、アルミニウム、ニオブおよびチタンなどの他の弁作用金属を主成分としていてもよく、また、これらの弁作用金属を主成分とする合金などであってもよい。
また、上記実施例では、陽極1の陽極酸化にはリン酸水溶液を用いたが、本発明はこれに限らず、フッ化アンモニウム水溶液、フッ化カリウム水溶液、フッ化ナトリウム水溶液およびフッ酸水溶液などのフッ素を含む水溶液や硫酸などを用いてもよい。
また、上記実施例では、陽極1は、多孔質焼結体からなる略板状であったが、本発明はこれに限らず、延べ板状の金属板や金属箔などから構成されていてもよい。
本発明の実施例1による固体電解コンデンサの構造を説明するための断面図である。 従来の固体電解コンデンサの構造を説明するための断面図である。
符号の説明
1 陽極
1a 陽極リード
2 誘電体層
3 電解質層
5 陰極
5a 第1導電層
5b 第2導電層
6 導電性接着剤層
7 陰極端子
8 陽極端子
9 モールド外装樹脂

Claims (4)

  1. 金属を主成分とする陽極上に形成された該金属の酸化物を主成分とする誘電体層と、
    前記誘電体層上に形成された酸化マンガンまたは導電性高分子を主成分とする電解質層と、
    前記電解質層上に形成されたカーボン粒子および有機シランを含む導電層を有する陰極とを備え、
    前記導電層の膜厚が約2μm〜約15μmである、固体電解コンデンサ。
  2. 前記有機シランは、アミノプロピルトリエトキシシラン(APTES)、ジメトキシジフェニルシラン(DMDPS)、メルカプトプロピルトリメトキシシラン(MPTMS)からなるグループより選択される少なくとも1つの有機シランを含む、請求項1に記載の固体電解コンデンサ。
  3. 前記導電層は、前記有機シランと前記カーボン粒子との総量に対して該有機シランを0.1wt%〜5.5wt%含む、請求項1または2に記載の固体電解コンデンサ。
  4. 金属を主成分とする陽極上に該金属の酸化物を主成分とする誘電体層を形成する工程と、
    前記誘電体層上に酸化マンガンまたは導電性高分子を主成分とする電解質層を形成する工程と、
    前記電解質層をカーボン粒子および有機シランを含む水溶液中に浸漬することにより、該電解質層上に該カーボン粒子および該有機シランを含み、膜厚が約2μm〜約15μmである導電層を有する陰極を形成する工程とを備える、固体電解コンデンサの製造方法。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5041996B2 (ja) 2007-12-07 2012-10-03 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサ
JP5289033B2 (ja) * 2008-12-24 2013-09-11 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサ
KR100996915B1 (ko) * 2009-08-12 2010-11-26 삼성전기주식회사 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법
US8858500B2 (en) * 2009-12-30 2014-10-14 Medtronic Minimed, Inc. Engagement and sensing systems and methods
US8619410B2 (en) * 2010-06-23 2013-12-31 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use in high voltage applications
GB201304033D0 (en) * 2013-03-06 2013-04-17 Univ Brunel Supercapacitor
WO2018142972A1 (ja) * 2017-01-31 2018-08-09 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体電解コンデンサ
JPWO2020137548A1 (ja) * 2018-12-27 2021-11-11 パナソニックIpマネジメント株式会社 電解コンデンサおよびその製造方法
JP7382605B2 (ja) * 2018-12-28 2023-11-17 パナソニックIpマネジメント株式会社 成型体を製造するための金型、製造装置ならびに製造方法
JPWO2021172123A1 (ja) * 2020-02-28 2021-09-02

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01254766A (ja) * 1988-04-04 1989-10-11 Shin Etsu Polymer Co Ltd 導電性ポリアリーレンサルファイド樹脂組成物
JPH05230370A (ja) * 1992-02-19 1993-09-07 Polyplastics Co ポリアリーレンサルファイド樹脂組成物
JPH11297574A (ja) * 1998-04-13 1999-10-29 Nec Toyama Ltd 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2003059338A (ja) * 2001-08-10 2003-02-28 Mitsui Kinzoku Toryo Kagaku Kk 導電性ペースト組成物及び固体電解コンデンサ

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU320209A1 (ru) * 1970-04-20 1976-08-05 Способ изготовлени оксидно-полупроводниковых конденсаторов
US4490282A (en) * 1983-02-18 1984-12-25 Corboy Thomas A Conductive paint composition
JPS59179650A (ja) * 1983-03-31 1984-10-12 Nitto Electric Ind Co Ltd 耐熱導電性ペ−スト組成物
US5571638A (en) * 1993-09-30 1996-11-05 Sumitomo Chemical Company Limited Lithium secondary battery
DE69512182T2 (de) * 1994-11-22 2000-04-06 Sumitomo Chemical Co Kathode für Lithium Sekundärbatterie und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP2000025236A (ja) 1998-07-08 2000-01-25 Murata Mach Ltd 静電式インクジェットヘッド及びこれを用いた静電記録装置
US6552896B1 (en) * 1999-10-28 2003-04-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same
JP2003197468A (ja) * 2001-10-19 2003-07-11 Nec Tokin Toyama Ltd 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JPWO2004070750A1 (ja) * 2003-02-10 2006-05-25 Tdk株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01254766A (ja) * 1988-04-04 1989-10-11 Shin Etsu Polymer Co Ltd 導電性ポリアリーレンサルファイド樹脂組成物
JPH05230370A (ja) * 1992-02-19 1993-09-07 Polyplastics Co ポリアリーレンサルファイド樹脂組成物
JPH11297574A (ja) * 1998-04-13 1999-10-29 Nec Toyama Ltd 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2003059338A (ja) * 2001-08-10 2003-02-28 Mitsui Kinzoku Toryo Kagaku Kk 導電性ペースト組成物及び固体電解コンデンサ

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