JP2005294403A - 固体電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005294403A JP2005294403A JP2004104843A JP2004104843A JP2005294403A JP 2005294403 A JP2005294403 A JP 2005294403A JP 2004104843 A JP2004104843 A JP 2004104843A JP 2004104843 A JP2004104843 A JP 2004104843A JP 2005294403 A JP2005294403 A JP 2005294403A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- dielectric layer
- solid electrolytic
- layer
- electrolytic capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 11
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 37
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 29
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 24
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims abstract description 20
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 36
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- -1 fluorine ions Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 10
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 abstract description 16
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 55
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 26
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 26
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 11
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 11
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N ammonium dihydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].OP(O)([O-])=O LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910000387 ammonium dihydrogen phosphate Inorganic materials 0.000 description 9
- 235000019837 monoammonium phosphate Nutrition 0.000 description 9
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q triazanium;borate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]B([O-])[O-] WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L tungstic acid Chemical compound O[W](O)(=O)=O CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N sodium tungstate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][W]([O-])(=O)=O XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/54—Electrolytes
- H01G11/56—Solid electrolytes, e.g. gels; Additives therein
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0032—Processes of manufacture formation of the dielectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
【課題】陽極と陰極層との間の漏れ電流を低減することが可能な固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】この固体電解コンデンサ１００では、陽極リード１ａの周囲にチタン粒子を真空中で焼結成形することにより得られる多孔質焼結体からなる板状の陽極１の表面に、フッ素と、リン、ホウ素、硫黄およびタングステンからなるグループより選択される少なくとも１つの元素とを含む誘電体層２が形成されている。誘電体層２上には、電解質層３が形成されている。電解質層３上には、陰極層４が形成されている。陰極層４上には、導電性接着剤５を介して陰極端子６が接続され、陽極１の陽極リード１ａには、陽極端子７が接続されている。陽極端子７および陰極端子６の端部が外部に引き出されるようにモールド外装樹脂８が形成されている。
【選択図】図１
【解決手段】この固体電解コンデンサ１００では、陽極リード１ａの周囲にチタン粒子を真空中で焼結成形することにより得られる多孔質焼結体からなる板状の陽極１の表面に、フッ素と、リン、ホウ素、硫黄およびタングステンからなるグループより選択される少なくとも１つの元素とを含む誘電体層２が形成されている。誘電体層２上には、電解質層３が形成されている。電解質層３上には、陰極層４が形成されている。陰極層４上には、導電性接着剤５を介して陰極端子６が接続され、陽極１の陽極リード１ａには、陽極端子７が接続されている。陽極端子７および陰極端子６の端部が外部に引き出されるようにモールド外装樹脂８が形成されている。
【選択図】図１
Description
この発明は、固体電解コンデンサおよびその製造方法に関する。
従来、酸化アルミニウムに比べて誘電率が約５倍大きい酸化チタンからなる誘電体層を用いる固体電解コンデンサが知られている。（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。ここで、酸化チタンからなる誘電体層は、チタン金属板またはチタン粉末の焼結体からなる陽極を陽極酸化することによって形成される。
特開平５−１２１２７５号公報
特開平１１−３１２６２８号公報
しかしながら、上記のように陽極酸化によって酸化チタンからなる誘電体層を形成した従来の固体電解コンデンサにおいては、陽極酸化の過程で酸化チタンが結晶化し易く、これにより、誘電体層の絶縁性が低下し、陽極と陰極層との間の漏れ電流が大きくなるという問題点があった。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、
この発明の１つの目的は、陽極と陰極層との間の漏れ電流を低減することが可能な固体電解コンデンサを提供することである。
この発明の１つの目的は、陽極と陰極層との間の漏れ電流を低減することが可能な固体電解コンデンサを提供することである。
この発明のもう１つの目的は、陽極と陰極層との間の漏れ電流を低減することが可能な固体電解コンデンサの製造方法を提供することである。
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による固体電解コンデンサは、チタンからなる陽極と、陽極上に形成され、フッ素と、リン、ホウ素、硫黄およびタングステンからなるグループより選択される少なくとも１つの元素とを含む酸化チタンからなる誘電体層と、誘電体層上に形成された陰極層とを備える。
この第１の局面による固体電解コンデンサでは、上記のように、酸化チタンからなる誘電体層は、フッ素と、リン、ホウ素、硫黄およびタングステンからなるグループより選択される少なくとも１つの元素とを含んでいる。これにより、酸化チタンの結晶化を抑制することができるので、誘電体層中には、絶縁性が小さい結晶質の酸化チタンが増加しにくい。その結果、誘電体層の絶縁性の低下を抑制することができ、陽極と陰極層との間の漏れ電流を低減することが可能な固体電解コンデンサを得ることができる。
上記第１の局面による固体電解コンデンサにおいて、好ましくは、誘電体層中のリン、ホウ素、硫黄およびタングステンからなるグループより選択される少なくとも１つの元素の濃度は、陰極層側が大きく、陽極側が小さい。このように構成すれば、誘電体層の表面側である陰極層側の酸化チタンの結晶化をより一層、抑制することができるので、陰極層側の誘電体層には酸化チタンの結晶化に伴う体積変化が生じにくい。これにより、誘電体層の表面からのひび割れの発生を抑制することができるので、誘電体層の絶縁性の低下をさらに抑制することができる。
上記第１の局面による固体電解コンデンサにおいて、好ましくは、誘電体層の厚さは、４ｎｍ〜２０ｎｍの範囲である。また、より好ましくは、誘電体層の厚さは、６ｎｍ〜１５ｎｍの範囲である。誘電体層の厚さが小さい場合、十分な絶縁性を確保することができず、また、誘電体層の厚さが大きい場合には、誘電体層形成のための陽極酸化時間が長くなり、陽極酸化を行うプロセス中に酸化チタンの結晶化が進行しやすいので、誘電体層の絶縁性が低下する。したがって、誘電体層の厚さを上記範囲とすることにより、誘電体層の絶縁性を十分大きくすることができる。
また、この発明の第２の局面による固体電解コンデンサの製造方法は、チタンからなる陽極を陽極酸化することにより誘電体層を形成する工程と、誘電体層上に陰極層を形成する工程とを備え、誘電体層を形成する工程は、フッ素イオンを含む水溶液中で陽極を陽極酸化する第１工程と、第１工程の後、陽極をリン酸イオン、ホウ酸イオン、硫酸イオンおよびタングステン酸イオンからなるグループより選択される少なくとも１つのイオンを含む水溶液中で陽極酸化する第２工程とを有する。
この第２の局面による固体電解コンデンサの製造方法では、上記のように、第１工程により、フッ素を含む酸化チタンからなる第１の陽極酸化皮膜が形成され、第２工程によりリン、ホウ素、硫黄およびタングステンからなるグループより選択される少なくとも１つの元素を含む酸化チタンからなる第２の陽極酸化皮膜が形成される。これにより、陽極上に上記第１の陽極酸化皮膜と上記第２の陽極酸化皮膜とがこの順で積層した誘電体層を形成することができる。
ここで、第１の陽極酸化皮膜中のフッ素は拡散しやすいので、第１の陽極酸化皮膜上に第２の陽極酸化皮膜を形成することにより、第２の陽極酸化皮膜中にもフッ素を含ませることができる。これに対して、第２の陽極酸化皮膜に含まれる、リン、ホウ素、硫黄およびタングステンからなるグループより選択される少なくとも１つの元素は拡散しにくいので、これらの元素濃度は、第１の陽極酸化皮膜および第２の陽極酸化皮膜からなる誘電体層において、陰極層側で大きく、陽極側で濃度が小さくなる。これらにより、第１の陽極酸化皮膜と第２の陽極酸化皮膜とから構成される酸化チタンからなる誘電体層中に、フッ素と、リン、ホウ素、硫黄およびタングステンからなるグループより選択される少なくとも１つの元素とを含ませることができるので、酸化チタンの結晶化を抑制することができる。その結果、誘電体層中には、絶縁性が小さい結晶質の酸化チタンが増加しにくく、誘電体層の絶縁性の低下を抑制することができる。
また、リン、ホウ素、硫黄およびタングステンからなるグループより選択される少なくとも１つの元素は、誘電体層中の陰極層側で濃度が大きくなるので、誘電体層の表面側である陰極層側の酸化チタンの結晶化をより一層抑制することができる。これにより、陰極層側の誘電体層には酸化チタンの結晶化に伴う体積変化が生じにくいので、誘電体層の表面からのひび割れの発生を抑制することができる。その結果、誘電体層の絶縁性の低下をさらに抑制することができる。したがって、この第２の局面においては、誘電体層としての絶縁性の低下を抑制し、陽極と陰極層との間の漏れ電流を低減することが可能な固体電解コンデンサを容易に製造することができる。
以下、本発明を実施の形態に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明は下記実施の形態に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能なものである。
図１は本発明の一実施形態に係る固体電解コンデンサの断面構造図である。図１を参照して、以下に、本発明の一実施形態による固体電解コンデンサの構造について説明する。
まず、本発明の一実施形態による固体電解コンデンサ１００では、図１に示すように、陽極リード１ａの周囲にチタン粒子を真空中で焼結成形することにより得られる多孔質焼結体からなる板状の陽極１の表面に、フッ素を含む酸化チタンからなる誘電体層２が形成されている。
誘電体層２は、陽極１側に位置する第１の陽極酸化皮膜２ａと陰極層４側に位置する第２の陽極酸化皮膜２ｂとから構成されており、第２の陽極酸化皮膜２ｂは、フッ素と、リン、ホウ素、硫黄およびタングステンからなるグループより選択される少なくとも１つの元素とを含んでいる。
誘電体層２上には、ポリピロール、ポリチオフェンなどの導電性高分子や二酸化マンガンなどからなる電解質層３が形成されている。電解質層３上には、陰極層４が形成されており、陰極層４は、電解質層３上に形成されるカーボンペーストなどからなる第１導電層４ａと、第１導電層４ａ上に形成される銀ペーストなどからなる第２導電層４ｂとから構成されている。
また、陰極層４上には、導電性接着剤５を介して陰極端子６が接続され、陽極１の陽極リード１ａには、陽極端子７が接続されている。陽極端子７および陰極端子６の端部が外部に引き出されるようにモールド外装樹脂８が形成されている。これにより、本発明の一実施の形態に係る固体電解コンデンサ１００が構成されている。
次に、本発明の一実施形態に係る固体電解コンデンサの製造方法について説明する。
まず、図１を参照して、陽極リード１ａの周囲にチタン粒子を真空中で焼結成形することにより、チタン粒子間が溶着してなる多孔質焼結体からなる板状の陽極１を形成する。
次に、陽極１をフッ化アンモニウム水溶液などのフッ素イオンを含む水溶液中で陽極酸化する第１工程を行う。これにより、陽極１の表面にフッ素を含む酸化チタンからなる第１の陽極酸化皮膜２ａを形成する。
続いて、上記陽極１をリン酸二水素アンモニウム水溶液などのリン酸イオンを含む水溶液、ホウ酸アンモニウム水溶液などのホウ酸イオンを含む水溶液、硫酸水溶液などの硫酸イオンを含む水溶液、および、タングステン酸ナトリウム水溶液などのタングステン酸イオンを含む水溶液を含む水溶液中で陽極酸化する第２工程を行う。これにより、第１の陽極酸化皮膜２ａ上にリン、ホウ素、硫黄およびタングステンから選択される少なくとも１つの元素を含む酸化チタンからなる第２の陽極酸化皮膜２ｂを形成する。
これより、第１の陽極酸化皮膜２ａおよび第２の陽極酸化皮膜２ｂからなる誘電体層２を形成する。ここで、上記第２工程中に、容易に、第１の陽極酸化皮膜２ａから第２の陽極酸化皮膜２ｂにフッ素が拡散するので、第２の陽極酸化皮膜２ｂ中にもフッ素が含まれる。これに対して、第２の陽極酸化皮膜２ｂ中に含まれているリン、ホウ素、硫黄およびタングステンから選択される少なくとも１つの元素は、第１の陽極酸化皮膜２ａ中に拡散しにくいので、第１の陽極酸化皮膜２ａおよび第２の陽極酸化皮膜２ｂから構成される誘電体層２中では、陰極層４側でこれらの元素の濃度が大きく、陽極側でこれらの元素の濃度が小さくなっている。
次に、各種重合法や熱分解などの方法により、誘電体層２上にポリピロール、ポリチオフェンなどの導電性高分子や二酸化マンガンなどからなる電解質層３を形成する。導電性高分子などからなる電解質層３を用いた場合、電解質層３が陽極１の多孔質焼結体の表面の誘電体層２の隙間を埋めるように誘電体層２の表面に形成される。
その後、電解質層３上にカーボンペーストなどを塗布することにより第１導電層４ａを形成し、第１導電層４ａ上に銀ペーストなどを塗布することにより第２導電層４ｂを形成する。これにより、第１導電層４ａおよび第２導電層４ｂからなる陰極層４を形成する。
次に、陰極層４上に導電性接着剤５を介して陰極端子６を接続する。また、誘電体層２、電解質層３および陰極層４から露出した陽極１の陽極リード１ａに陽極端子７を接続する。その後、陽極端子７および陰極端子６の端部が外部に引き出されるようにモールド外装樹脂８を形成する。以上の方法により、固体電解コンデンサ１００が作製される。
本発明の一実施の形態では、酸化チタンからなる誘電体層２は、フッ素と、リン、ホウ素、硫黄およびタングステンからなるグループより選択される少なくとも１つの元素とを含んでいるので、酸化チタンの結晶化を抑制することができる。これにより、誘電体層２中には、絶縁性が小さい結晶質の酸化チタンが増加しにくいので、誘電体層２の絶縁性の低下を抑制することができ、陽極１と陰極層４との間の漏れ電流を低減することができる。
また、本発明の一実施の形態では、誘電体層２中において、リン、ホウ素、硫黄およびタングステンからなるグループより選択される少なくとも１つの元素の濃度は、陰極層４側が大きく、陽極１側が小さいので、誘電体層２の表面側である陰極層４側の酸化チタンの結晶化をより一層抑制することができる。これにより、陰極層４側の誘電体層２には酸化チタンの結晶化に伴う体積変化が生じにくいので、誘電体層２の表面からのひび割れの発生を抑制することができる。その結果、誘電体層２の絶縁性の低下をさらに抑制することができる。
また、本発明の一実施の形態では、陽極酸化によりフッ素を含む酸化チタンからなる第１の陽極酸化皮膜２ａを形成した後、陽極酸化によりリン、ホウ素、硫黄およびタングステンからなるグループより選択される少なくとも１つの元素を含む酸化チタンからなる第２の陽極酸化皮膜２ｂを形成することにより第１の陽極酸化皮膜２ａと第２の陽極酸化皮膜２ｂとから構成される誘電体層２を形成しているので、誘電体層２中にフッ素と、リン、ホウ素、硫黄およびタングステンからなるグループより選択される少なくとも１つの元素とを含ませることができるとともに、容易に、リン、ホウ素、硫黄およびタングステンからなるグループより選択される少なくとも１つの元素の濃度が陰極層４側で大きくすることができる。これにより、誘電体層２中の酸化チタンの結晶化を抑制することができるとともに、誘電体層２の表面からのひび割れの発生を抑制することができるので、誘電体層２の絶縁性の低下が抑制された固体電解コンデンサを容易に作製することができる。
また、本発明の一実施形態では、陽極１は、多孔質焼結体からなる板状の基体から構成されているが、本発明はこれに限らず、板状および箔状のチタン基体から構成されてもよい。
また、本発明の一実施形態では、誘電体層２と陰極層４と間には電解質層３が形成されているが、本発明はこれに限らず、電解質層３を形成することなく、陰極層４を誘電体層２上に直接形成してもよい。
以下の実施例では、固体電解コンデンサを作製し、上記実施形態に用いる陽極および誘電体層の評価を行った。
（実施例１）
図２は、本発明の実施例１の固体電解コンデンサの構造および評価方法を示す図である。図２を参照して、以下に、本発明の実施例１による固体電解コンデンサおよびその作製方法について説明する。
図２は、本発明の実施例１の固体電解コンデンサの構造および評価方法を示す図である。図２を参照して、以下に、本発明の実施例１による固体電解コンデンサおよびその作製方法について説明する。
（酸化ステップ１）
まず、約５０ｍｍ長×約１０ｍｍ幅×約１００μｍ厚の約９９．９９％の純度を有するチタン板からなる陽極１１を約５０℃に保持した約０．１重量％のフッ化アンモニウム水溶液（フッ酸イオン濃度：約０．０５重量％）中において約５Ｖの定電圧で約３０分間陽極酸化を行い、陽極１１上に酸化チタンからなる第１の陽極酸化皮膜２ａを形成した。ここで、フッ化アンモニウム水溶液は、本発明の「フッ素イオンを含む水溶液」の一例である。
まず、約５０ｍｍ長×約１０ｍｍ幅×約１００μｍ厚の約９９．９９％の純度を有するチタン板からなる陽極１１を約５０℃に保持した約０．１重量％のフッ化アンモニウム水溶液（フッ酸イオン濃度：約０．０５重量％）中において約５Ｖの定電圧で約３０分間陽極酸化を行い、陽極１１上に酸化チタンからなる第１の陽極酸化皮膜２ａを形成した。ここで、フッ化アンモニウム水溶液は、本発明の「フッ素イオンを含む水溶液」の一例である。
（酸化ステップ２）
続いて、上記陽極１１を約５０℃に保持した約０．１重量％のリン酸二水素アンモニウム水溶液中において約５Ｖの定電圧で約３０分間陽極酸化を行い、第１の陽極酸化皮膜２ａ上に酸化チタンからなる第２の陽極酸化皮膜２ｂを形成した。ここで、リン酸二水素アンモニウム水溶液は、本発明の「リン酸イオンを含む水溶液」の一例である。
続いて、上記陽極１１を約５０℃に保持した約０．１重量％のリン酸二水素アンモニウム水溶液中において約５Ｖの定電圧で約３０分間陽極酸化を行い、第１の陽極酸化皮膜２ａ上に酸化チタンからなる第２の陽極酸化皮膜２ｂを形成した。ここで、リン酸二水素アンモニウム水溶液は、本発明の「リン酸イオンを含む水溶液」の一例である。
以上の酸化ステップ１および酸化ステップ２により、陽極１１上に第１の陽極酸化皮膜２ａおよび第２の陽極酸化皮膜２ｂからなる約１０ｎｍの厚さを有する酸化チタンからなる誘電体層２を形成した。
（電解質層および陰極層の形成）
次に、電解重合により、誘電体層２上に、ポリピロールからなる電解質層３を形成し、さらに、電解質層３上にカーボンペーストおよび銀ペーストをそれぞれ塗布することにより、第１導電層４ａおよび第２導電層４ｂからなる陰極層４を形成した。このようにして、実施例１の固体電解コンデンサＡを作製した。
次に、電解重合により、誘電体層２上に、ポリピロールからなる電解質層３を形成し、さらに、電解質層３上にカーボンペーストおよび銀ペーストをそれぞれ塗布することにより、第１導電層４ａおよび第２導電層４ｂからなる陰極層４を形成した。このようにして、実施例１の固体電解コンデンサＡを作製した。
（比較例１）
比較例１では、実施例１で行った酸化ステップ２を行わない以外は、実施例１と同様に固体電解コンデンサＸを作製した。このとき、酸化ステップ１の陽極酸化時間を約６０分とすることで、陽極上に約１０ｎｍの厚さを有する第１の陽極酸化皮膜を形成した。すなわち、比較例１の固体電解コンデンサＸでは、第２の陽極酸化皮膜がなく、第１の陽極酸化皮膜だけからなる誘電体層が形成されている。
比較例１では、実施例１で行った酸化ステップ２を行わない以外は、実施例１と同様に固体電解コンデンサＸを作製した。このとき、酸化ステップ１の陽極酸化時間を約６０分とすることで、陽極上に約１０ｎｍの厚さを有する第１の陽極酸化皮膜を形成した。すなわち、比較例１の固体電解コンデンサＸでは、第２の陽極酸化皮膜がなく、第１の陽極酸化皮膜だけからなる誘電体層が形成されている。
（比較例２）
比較例２では、実施例１で行った酸化ステップ１を行わない以外は、実施例１と同様に固体電解コンデンサＹを作製した。このとき、酸化ステップ２の陽極酸化時間を約６０分とすることで、陽極上に約１０ｎｍの厚さを有する第２の陽極酸化皮膜を形成した。すなわち、比較例２の固体電解コンデンサＹでは、第１の陽極酸化皮膜がなく、第２の陽極酸化皮膜だけからなる誘電体層が形成されている。
比較例２では、実施例１で行った酸化ステップ１を行わない以外は、実施例１と同様に固体電解コンデンサＹを作製した。このとき、酸化ステップ２の陽極酸化時間を約６０分とすることで、陽極上に約１０ｎｍの厚さを有する第２の陽極酸化皮膜を形成した。すなわち、比較例２の固体電解コンデンサＹでは、第１の陽極酸化皮膜がなく、第２の陽極酸化皮膜だけからなる誘電体層が形成されている。
（評価）
図３は、本発明の実施例１の固体電解コンデンサＡについて、ＥＳＣＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ｆｏｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）による測定結果を示す図である。なお、本測定時には、電解質層３および陰極層４を形成していない試料を用いた。図３において、縦軸はコンデンサ中の元素の含有量を示し、横軸はＥＳＣＡの測定におけるスパッタ時間を示す。スパッタ時間は、コンデンサの厚み方向の位置に対応し、スパッタ時間１分あたりのスパッタ深さは約１ｎｍとなっている。
図３は、本発明の実施例１の固体電解コンデンサＡについて、ＥＳＣＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ｆｏｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）による測定結果を示す図である。なお、本測定時には、電解質層３および陰極層４を形成していない試料を用いた。図３において、縦軸はコンデンサ中の元素の含有量を示し、横軸はＥＳＣＡの測定におけるスパッタ時間を示す。スパッタ時間は、コンデンサの厚み方向の位置に対応し、スパッタ時間１分あたりのスパッタ深さは約１ｎｍとなっている。
図３に示すように、実施例１の固体電解コンデンサＡの陽極１１および誘電体層２では、酸素（Ｏ）の分布より、陽極１１上にチタン（Ｔｉ）および酸素（Ｏ）を含み、約１０ｎｍの厚さを有する誘電体層２が形成されていることがわかった。これより、誘電体層２では酸化チタンが形成されていることがわかった。また、図３において、誘電体層２の図中右側に位置する酸素（Ｏ）がほとんど存在しない領域は陽極１１である。
また、図３より、誘電体層２は、表面側（陰極層４側）に位置するフッ素（Ｆ）とリン（Ｐ）とを含む約６ｎｍの厚さを有する領域（ｉ）と、陽極１１側に位置し、フッ素（Ｆ）を含むがリン（Ｐ）を含まない約４ｎｍの厚さを有する領域（ｉｉ）とからなり、領域（ｉ）は、上記酸化ステップ２で形成された第２の陽極酸化皮膜２ｂであり、領域（ｉｉ）は、上記酸化ステップ１で形成された第１の陽極酸化皮膜２ａであることがわかった。
領域（ｉｉ）の内部には、フッ素（Ｆ）が約３原子％含まれており、このフッ素（Ｆ）が領域（ｉ）に拡散したと考えられる。また、領域（ｉ）には、リン（Ｐ）の濃度が表面側（陰極層４側）で最も大きく（約４原子％）、内部に向かって減少していることがわかった。
同様に、比較例１および比較例２の固体電解コンデンサＸおよびＹについてもＥＳＣＡによる組成評価を行った。その結果、固体電解コンデンサＸの誘電体層中には、フッ素が含まれているがリンは含まれていないことがわかった。また、固体電解コンデンサＹの誘電体層中にはリンが含まれているが、フッ素は含まれていないことがわかった。
次に、実施例１および比較例１および比較例２の各固体電解コンデンサについて、図２に示すように、陽極と陰極層との間に約２．５Ｖの定電圧を印加し、約２０秒後の漏れ電流を測定した。これらの結果を表１に示す。なお、表１においては、実施例１の測定結果を１００として、比較例１および２の測定結果を規格化した値を示している。
（実施例２）
実施例２では、実施例１で行った酸化ステップ２において、約０．１重量％のリン酸二水素アンモニウム水溶液に代えて約０．１重量％のホウ酸アンモニウム水溶液を用いた以外は、実施例１と同様に固体電解コンデンサＡ１を作製した。ここで、ホウ酸アンモニウム水溶液は、本発明の「ホウ酸イオンを含む水溶液」の一例である。
実施例２では、実施例１で行った酸化ステップ２において、約０．１重量％のリン酸二水素アンモニウム水溶液に代えて約０．１重量％のホウ酸アンモニウム水溶液を用いた以外は、実施例１と同様に固体電解コンデンサＡ１を作製した。ここで、ホウ酸アンモニウム水溶液は、本発明の「ホウ酸イオンを含む水溶液」の一例である。
そして、実施例１と同様にＥＳＣＡによる誘電体層の組成分析を行った結果、チタンからなる陽極上に、約１０ｎｍの厚さを有する誘電体層が形成されており、この誘電体層では、フッ素を含む酸化チタンからなる第１の陽極酸化皮膜と、フッ素およびホウ素を含む酸化チタンからなる第２の陽極酸化皮膜とがこの順で積層されていることがわかった。
（実施例３）
実施例３では、実施例１で行った酸化ステップ２において、約０．１重量％のリン酸二水素アンモニウム水溶液に代えて約０．１重量％のタングステン酸アンモニウム水溶液を用いた以外は、実施例１と同様に固体電解コンデンサＡ２を作製した。ここで、タングステン酸アンモニウム水溶液は、本発明の「タングステン酸イオンを含む水溶液」の一例である。
実施例３では、実施例１で行った酸化ステップ２において、約０．１重量％のリン酸二水素アンモニウム水溶液に代えて約０．１重量％のタングステン酸アンモニウム水溶液を用いた以外は、実施例１と同様に固体電解コンデンサＡ２を作製した。ここで、タングステン酸アンモニウム水溶液は、本発明の「タングステン酸イオンを含む水溶液」の一例である。
そして、実施例１と同様にＥＳＣＡによる誘電体層の組成分析を行った結果、チタンからなる陽極上に、約１０ｎｍの厚さを有する誘電体層が形成されており、この誘電体層では、フッ素を含む酸化チタンからなる第１の陽極酸化皮膜と、フッ素およびタングステンを含む酸化チタンからなる第２の陽極酸化皮膜とがこの順で積層されていることがわかった。
（実施例４）
実施例４では、実施例１で行った酸化ステップ２において、約０．１重量％のリン酸二水素アンモニウム水溶液に代えて約０．１重量％の硫酸水溶液を用いた以外は、実施例１と同様に固体電解コンデンサＡ３を作製した。ここで、硫酸水溶液は、本発明の「硫酸イオンを含む水溶液」の一例である。
実施例４では、実施例１で行った酸化ステップ２において、約０．１重量％のリン酸二水素アンモニウム水溶液に代えて約０．１重量％の硫酸水溶液を用いた以外は、実施例１と同様に固体電解コンデンサＡ３を作製した。ここで、硫酸水溶液は、本発明の「硫酸イオンを含む水溶液」の一例である。
そして、実施例１と同様にＥＳＣＡによる誘電体層の組成分析を行った結果、チタンからなる陽極上に、約１０ｎｍの厚さを有する誘電体層が形成されており、この誘電体層では、フッ素を含む酸化チタンからなる第１の陽極酸化皮膜と、フッ素およびイオウを含む酸化チタンからなる第２の陽極酸化皮膜とがこの順で積層されていることがわかった。
（実施例５）
実施例５では、実施例１で行った酸化ステップ２において、約０．１重量％のリン酸二水素アンモニウム水溶液に代えて、約０．１重量％のリン酸二水素アンモニウム水溶液と約０．１重量％のタングステン酸水溶液とを重量比で約１：１に混合した水溶液を用いた以外は、実施例１と同様に固体電解コンデンサＡ４を作製した。ここで、リン酸二水素アンモニウム水溶液およびタングステン酸水溶液を混合した水溶液は、本発明の「リン酸イオンおよびタングステン酸イオンを含む水溶液」の一例である。
実施例５では、実施例１で行った酸化ステップ２において、約０．１重量％のリン酸二水素アンモニウム水溶液に代えて、約０．１重量％のリン酸二水素アンモニウム水溶液と約０．１重量％のタングステン酸水溶液とを重量比で約１：１に混合した水溶液を用いた以外は、実施例１と同様に固体電解コンデンサＡ４を作製した。ここで、リン酸二水素アンモニウム水溶液およびタングステン酸水溶液を混合した水溶液は、本発明の「リン酸イオンおよびタングステン酸イオンを含む水溶液」の一例である。
そして、実施例１と同様にＥＳＣＡによる誘電体層の組成分析を行った結果、チタンからなる陽極上に、約１０ｎｍの厚さを有する誘電体層が形成されており、この誘電体層では、フッ素を含む酸化チタンからなる第１の陽極酸化皮膜と、フッ素、リンおよびタングステンを含む酸化チタンからなる第２の陽極酸化皮膜とがこの順で積層されていることがわかった。
次に、実施例１と同様に、実施例２〜５の固体電解コンデンサＡ１〜Ａ４についても、陽極と陰極層との間に約２．５Ｖの定電圧を印加し、約２０秒後の漏れ電流を測定した。これらの結果を表２に示す。なお、表２においても、表１と同様に、実施例１の測定結果を１００として、実施例２〜５の測定結果を規格化した値を示している。
また、表２より、誘電体層の漏れ電流の低減に対しては、第２の陽極酸化皮膜中にリンおよびタングステンの少なくともいずれかが含まれることが有効であり、より好ましくは、リンおよびタングステンのいずれか１つの元素が第２の陽極酸化皮膜中に含まれているのがよいことがわかった。
（実施例６）
実施例６においては、本発明の誘電体層の厚みと陽極と陰極層との間の漏れ電流との相関について検証を行った。
実施例６においては、本発明の誘電体層の厚みと陽極と陰極層との間の漏れ電流との相関について検証を行った。
ここで、実施例６においては、上記の実施例１の固体電解コンデンサＡの作製において、酸化ステップ１および酸化ステップ２の陽極酸化時の電圧を等しくするとともに、その値をそれぞれ約１Ｖ、約２Ｖ、約３Ｖ、約７．５Ｖ、約１０Ｖ、約１２．５Ｖと変え、それ以外は、上記実施例１の固体電解コンデンサＡ１と同様に各固体電解コンデンサＢ１〜Ｂ６をそれぞれ作製した。
そして、実施例１と同様にＥＳＣＡによる各固体電解コンデンサＢ１〜Ｂ６の誘電体層の組成分析を行った結果、チタンからなる陽極上に誘電体層が形成されており、この誘電体層では、フッ素を含む酸化チタンからなる第１の陽極酸化皮膜と、フッ素およびリンを含む酸化チタンからなる第２の陽極酸化皮膜とがこの順で積層されていることがわかった。また、各固体電解コンデンサＢ１〜Ｂ６の誘電体層の厚さは、それぞれ、約２ｎｍ、約４ｎｍ、約６ｎｍ、約１５ｎｍ、約２０ｎｍおよび約２５ｎｍであることがわかった。
次に、実施例１と同様に、実施例６の各固体電解コンデンサＢ１〜Ｂ６についても、陽極と陰極層との間に陽極酸化時の印加電圧の約１／２の電圧、すなわち、約０．５Ｖ、約１Ｖ、約１．５Ｖ、約３．８Ｖ、約５Ｖ、約６．３Ｖの定電圧をそれぞれ印加し、約２０秒後の漏れ電流を測定した。これらの結果を表３に示す。なお、表３においても、表１と同様に、実施例１の測定結果を１００として、実施例６の測定結果を規格化した値を示している。
１、１１ 陽極
１ａ 陽極リード
２ 誘電体層
２ａ 第１の陽極酸化皮膜
２ｂ 第２の陽極酸化皮膜
３ 電解質層
４ 陰極層
４ａ 第１導電層
４ｂ 第２導電層
５ 導電性接着剤
６ 陰極端子
７ 陽極端子
８ モールド外装樹脂
１００ 固体電解コンデンサ
１ａ 陽極リード
２ 誘電体層
２ａ 第１の陽極酸化皮膜
２ｂ 第２の陽極酸化皮膜
３ 電解質層
４ 陰極層
４ａ 第１導電層
４ｂ 第２導電層
５ 導電性接着剤
６ 陰極端子
７ 陽極端子
８ モールド外装樹脂
１００ 固体電解コンデンサ
Claims (4)
- チタンからなる陽極と、
前記陽極上に形成され、フッ素と、リン、ホウ素、硫黄およびタングステンからなるグループより選択される少なくとも１つの元素とを含む酸化チタンからなる誘電体層と、
前記誘電体層上に形成された陰極層とを備える、固体電解コンデンサ。 - 前記誘電体層中のリン、ホウ素、硫黄およびタングステンからなるグループより選択される少なくとも１つの元素の濃度は、前記陰極層側が大きく、前記陽極側が小さい、請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
- 前記誘電体層の厚さは、４ｎｍ〜２０ｎｍの範囲である、請求項１または２に記載の固体電解コンデンサ。
- チタンからなる陽極を陽極酸化することにより誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層上に陰極層を形成する工程とを備え、
前記誘電体層を形成する工程は、フッ素イオンを含む水溶液中で前記陽極を陽極酸化する第１工程と、前記第１工程の後、前記陽極をリン酸イオン、ホウ酸イオン、硫酸イオンおよびタングステン酸イオンからなるグループより選択される少なくとも１つのイオンを含む水溶液中で陽極酸化する第２工程とを有する、固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004104843A JP4383228B2 (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 固体電解コンデンサ |
| US11/032,076 US6956732B1 (en) | 2004-03-31 | 2005-01-11 | Solid electrolytic capacitor and a fabrication method therefor |
| CN2005100021969A CN1677589B (zh) | 2004-03-31 | 2005-01-14 | 固体电解电容器及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004104843A JP4383228B2 (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 固体電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005294403A true JP2005294403A (ja) | 2005-10-20 |
| JP4383228B2 JP4383228B2 (ja) | 2009-12-16 |
Family
ID=35050022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004104843A Expired - Fee Related JP4383228B2 (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6956732B1 (ja) |
| JP (1) | JP4383228B2 (ja) |
| CN (1) | CN1677589B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008034566A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 電解コンデンサの製造方法 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4275044B2 (ja) * | 2004-02-04 | 2009-06-10 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP4781115B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2011-09-28 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP4372032B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2009-11-25 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| JP4553771B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2010-09-29 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| DE102005028262B4 (de) * | 2005-06-17 | 2010-05-06 | Kemet Electronics Corp. | Kondensator mit einer Elektrode und Herstellungsverfahren für den Kondensator mit der Elektrode |
| JP2007042932A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサおよび分布定数型ノイズフィルタ |
| KR100994639B1 (ko) * | 2006-02-16 | 2010-11-15 | 파나소닉 주식회사 | 전기 이중층 캐패시터 |
| US20080123251A1 (en) * | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Randall Michael S | Capacitor device |
| JP4776522B2 (ja) * | 2006-12-20 | 2011-09-21 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| JP2009038365A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-02-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP4931778B2 (ja) * | 2007-11-21 | 2012-05-16 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| TWI483274B (zh) * | 2013-12-30 | 2015-05-01 | Ind Tech Res Inst | 複合電極及電解電容器 |
| CN115335937B (zh) * | 2020-03-27 | 2025-04-01 | 松下知识产权经营株式会社 | 电解电容器用电极箔、电解电容器及电解电容器的制造方法 |
| US11705288B1 (en) * | 2022-01-10 | 2023-07-18 | Apple Inc. | Polymer capacitors that mitigate anomalous charging current |
| KR20250156697A (ko) * | 2023-02-10 | 2025-11-03 | 웨스트라 머티리얼즈 에이비 | 용액-처리된 n형 전도성 폴리머를 포함하는 폴리머 커패시터 |
| JP2026506473A (ja) * | 2023-02-10 | 2026-02-25 | ウエストラ、マテリアルズ、アクチボラグ | 溶液処理されたｎ型導電性ポリマーを含む電極用スラリー組成物 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05121275A (ja) | 1991-10-28 | 1993-05-18 | Sumitomo Chem Co Ltd | チタン電解コンデンサの製造方法 |
| JPH11312628A (ja) | 1998-04-30 | 1999-11-09 | Nec Corp | 固体電解コンデンサ及び製造方法 |
| DE69933792T3 (de) * | 1998-12-15 | 2012-09-27 | Showa Denko K.K. | Niobkondensator und verfahren zu dessen herstellung |
| TW533440B (en) * | 2000-12-19 | 2003-05-21 | Toho Titanium Co Ltd | Method for forming titanium oxide film and titanium electrolytic capacitor |
| TWI225656B (en) * | 2002-07-26 | 2004-12-21 | Sanyo Electric Co | Electrolytic capacitor and a fabrication method therefor |
| TWI232474B (en) * | 2002-10-03 | 2005-05-11 | Sanyo Electric Co | Electrolytic capacitor and a fabrication method therefor |
-
2004
- 2004-03-31 JP JP2004104843A patent/JP4383228B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-01-11 US US11/032,076 patent/US6956732B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-01-14 CN CN2005100021969A patent/CN1677589B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008034566A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 電解コンデンサの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1677589A (zh) | 2005-10-05 |
| CN1677589B (zh) | 2010-06-09 |
| US20050219801A1 (en) | 2005-10-06 |
| US6956732B1 (en) | 2005-10-18 |
| JP4383228B2 (ja) | 2009-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4383228B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP4275044B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2008235949A (ja) | 電解コンデンサ | |
| JP4383227B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2007294875A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2015115475A (ja) | 電極箔、電解コンデンサおよび電極箔の製造方法 | |
| JP2009038365A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP4454526B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| WO2018198744A1 (ja) | 化成液、アルミニウムを含有する基材の化成処理方法、化成処理済基材、アルミニウム電解コンデンサ用電極材、及びコンデンサ | |
| JP4553771B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2008198984A (ja) | ニオブ固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2008288561A (ja) | ニオブ固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP4753809B2 (ja) | 電解コンデンサの製造方法 | |
| US7223671B2 (en) | Chemical conversion film of tantalum or niobium, method for forming the same and electrolytic capacitor using the same | |
| JP4401195B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| US7876548B2 (en) | Niobium solid electrolytic capacitor and its production method | |
| JP4545204B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP4401218B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP4811939B2 (ja) | 電解コンデンサ用電極箔の化成方法 | |
| JP4217147B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法 | |
| JP2006108172A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2018152428A (ja) | 化成液、アルミニウムを含有する基材の化成処理方法、化成処理済基材、アルミニウム電解コンデンサ用電極材、及びコンデンサ | |
| JP4947888B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP4383226B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2006108173A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20051227 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060418 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090310 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090508 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090825 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090918 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131002 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |