DE102005028262B4 - Kondensator mit einer Elektrode und Herstellungsverfahren für den Kondensator mit der Elektrode - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 51
- 239000012799 electrically-conductive coating Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 15
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 30
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 17
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 16
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 11
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 9
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 6
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 28
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 16
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 13
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 12
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 229910021486 amorphous silicon dioxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 5
- -1 siloxane compound Chemical class 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 4
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 4
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Chemical compound O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 3
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 125000005624 silicic acid group Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[2,3-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=C1C=CS2 YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010013786 Dry skin Diseases 0.000 description 1
- VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N Fe3+ Chemical class [Fe+3] VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052910 alkali metal silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical group 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H iron(3+) sulfate Chemical compound [Fe+3].[Fe+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229910000360 iron(III) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical class OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920006294 polydialkylsiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0032—Processes of manufacture formation of the dielectric layer
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/48—Conductive polymers
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- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/54—Electrolytes
- H01G11/56—Solid electrolytes, e.g. gels; Additives therein
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
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- H01G9/0036—Formation of the solid electrolyte layer
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
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- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
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Abstract
Kondensator (1) umfassend
– einen elektrisch leitfähigen Körper (5) mit einer dielektrischen Oberfläche (10),
– eine auf dem Körper (5) angeordnete amorphe Schicht (15) mit einer spezifischen Oberfläche von 50–500 m2/g, umfassend SiO2, wobei die amorphe Schicht (15) durch Trocknen einer auf dem elektrisch leitfähigen Körper (5) befindlichen Lösung (50) erhältlich ist, die die folgenden Komponenten umfasst:
– ein Kieselgel und ein vernetzbares Silan, und
– eine auf der amorphen Schicht (15) angeordnete elektrisch leitfähige Beschichtung (20).
– einen elektrisch leitfähigen Körper (5) mit einer dielektrischen Oberfläche (10),
– eine auf dem Körper (5) angeordnete amorphe Schicht (15) mit einer spezifischen Oberfläche von 50–500 m2/g, umfassend SiO2, wobei die amorphe Schicht (15) durch Trocknen einer auf dem elektrisch leitfähigen Körper (5) befindlichen Lösung (50) erhältlich ist, die die folgenden Komponenten umfasst:
– ein Kieselgel und ein vernetzbares Silan, und
– eine auf der amorphen Schicht (15) angeordnete elektrisch leitfähige Beschichtung (20).
Description
- Aus dem
US-Patent US 6,483,694 B1 ist ein Festelektrolytkondensator bekannt, der eine Aluminium-Elektrode beschichtet mit einer dielektrischen Schicht aufweist, wobei auf dieser dielektrischen Schicht eine Verbindung, die eine Siloxanverbindung aufweist, angebracht ist. Diese Siloxanverbindung soll dabei die Adhäsion zwischen dem dielektrischen Film und noch aufzubringenden elektrisch leitfähigen Polymeren verbessern. Der Nachteil eines derartigen Festelektrolytkondensators besteht aber darin, dass er eine verringerte Kapazität aufweist. - Aus der
DE 1 141 720 B1 ist ein elektrischer Kondensator bekannt, der eine Kieselsäuregelschicht auf einem Grundkörper aus Ventilmetall und einen auf der Kieselsäuregelschicht befindlichen halbleitenden Belag aufweist. - Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen Kondensator mit einer Elektrode sowie ein Herstellungsverfahren für den Kondensator mit der Elektrode anzugeben, das bezüglich der oben genannten Nachteile verbessert ist.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Kondensator nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen des Kondensatorsmit der Elektrode und ein Verfahren zur Herstellung des Kondensators sind Gegenstand weiterer Ansprüche.
- Die Erfindung beschreibt einen Kondensator umfassend
- – einen elektrisch leitfähigen Körper mit einer dielektrischen Oberfläche,
- – eine auf dem Körper angeordnete amorphe Schicht mit einer spezifischen Oberfläche von 50–500 m2/g, umfassend SiO2, wobei die amorphe Schicht durch Trocknen einer auf dem elektrisch leitfähigen Körper befindlichen Lösung erhältlich ist, die die folgenden Komponenten umfasst:
- – ein Kieselgel und ein vernetzbares Silan, und
- – eine auf der amorphen Schicht angeordnete elektrisch leitfähige Beschichtung.
- Der Vorteil eines erfindungsgemäßen Kondensatorsbesteht unter anderem darin, dass die amorphe Schicht, die häufig auch porös ist, besonders gut als Barriere gegen Partikel dienen kann, die in dem Kondensator verwendet werden. Dadurch kann besonders vorteilhaft ein Kurzschluss bzw. ein Leckstrom beim Kontakt der Partikel mit dem Dielektrikum verhindert werden. Auf Grund der hohen spezifischen Oberfläche der amorphen Schicht sind weiterhin beim Einsatz dieser elektrischen Bauelemente keine negativen Auswirkungen auf den ESR (equivalent series resistance) zu erwarten, wenn beispielsweise elektrisch leitende Polymere oder andere leitfähige Materialien, beispielsweise Metalloxide, als Gegenelektrode in den erfindungsgemäßen Kondensatorenzusammen mit den Elektroden eingesetzt werden. Die Kondensatorenkönnen sowohl flüssige als auch feste Elektrolyte aufweisen. Bei den Kondensatoren kann es sich z. B. Festelektrolytkondensatoren handeln.
- Die spezifische Oberfläche der auf dem Körper der Elektrode angeordneten amorphen Schicht lässt sich besonders einfach mittels einer dem Fachmann bekannten Methode, beispielsweise der BET-Methode nach Brunauer, Emmett und Teller bestimmen. Mittels dieser Methode kann gegebenenfalls auch die Porengrößenverteilung der amorphen Schicht bestimmt werden. Die BET-Methode geht dabei davon aus, dass Gase oder Dämpfe auf festen Körpern, wie z. B. der amorphen Schicht der Elektrode unter Freisetzung von messbarer Adsorptionswärme zunächst in einer monomolekularen Schicht adsorbiert werden. Beispielsweise wird dann das Volumen von Stickstoffgas bestimmt, das bei –196°C in Abhängigkeit vom angewandten Druck auf dem Adsorptionsmittel, in diesem Fall der amorphen Schicht, adsorbiert wird.
- Die Oberfläche der amorphen Schicht beträgt bevorzugt 70 bis 380 m2/g, am meisten bevorzugt etwa 200 m2/g. Bei derartigen Werten von spezifischen Oberflächen kann die amorphe Schicht von erfindungsgemäßen Elektroden besonders leicht von Lösungsmitteln durchdrungen werden, die beispielsweise bei der Erzeugung von elektrisch leitfähigen Beschichtungen in Form von elektrisch leitfähigen Polymeren oder Metalloxiden verwendet werden. Aufgrund dieser Eigenschaft der amorphen Schicht kann eine elektrisch leitfähige Beschichtung mit wenigen Reaktionszyklen in genügender Dicke auf der amorphen Schicht erzeugt werden, ohne negative Einflüsse auf den ESR zu haben.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist die amorphe Schicht eine Dicke von maximal 30 μm, bevorzugt etwa 20 bis 30 μm, auf. Bei einer derartigen Dicke stellt die amorphe Schicht von erfindungsgemäßen Elektroden eine besonders wirkungsvolle Barriere gegen Partikel, wie beispielswei se Graphit in Kondensatorendar, die bei Kontakt mit der dielektrischen Oberfläche des leitfähigen Körpers einen Kurzschluss bzw. Leckstrom verursachen können.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umfasst der elektrisch leitfähige Körper von erfindungsgemäßen Kondensatoren ein gesintertes Ventilmetall. Unter Ventilmetallen werden dabei Metalle verstanden, die sich bei anodischer Polung mit einer Oxidschicht überziehen, die auch bei hohen Spannungen und eventuell Überspannungen nicht elektrisch leitend wird. Darunter fallen insbesondere die Metalle Tantal, Niob, Hafnium, Zirkonium, Titan, Vanadium, Wolfram, Beryllium und Aluminium. So besteht beispielsweise im Falle eines elektrisch leitfähigen Körpers, der Tantal oder Niob in gesinterter Form umfasst, die dielektrische Oberfläche des leitenden Körpers dementsprechend aus Tantalpentoxid Ta2O5 oder Niobpentoxid Nb2O5.
- Gegenstand der Erfindung ist ein Kondensator, der eine erfindungsgemäße Elektrode und eine auf der amorphen Schicht der erfindungsgemäßen Elektrode angeordnete elektrisch leitfähige Beschichtung umfasst. Diese elektrisch leitfähige Beschichtung stellt dabei häufig die Gegenelektrode der erfindungsgemäßen Elektrode dar. Im Falle von Festelektrolytkondensatoren als Beispiel für ein derartiges elektrisches Bauelement wird dabei häufig die erfindungsgemäße Elektrode als Anode und die auf der amorphen Schicht angeordnete elektrisch leitfähige Beschichtung als Kathode geschaltet.
- Diese elektrisch leitfähige Beschichtung enthält vorteilhafterweise ein Material, das elektrisch leitfähige Polymere umfasst, die beispielsweise mittels elektrochemischer oder chemischer Polymerisation aus Monomeren erzeugt werden können. Diese Monomeren können ausgewählt sein aus Pyrrol, Thiophen, Anilin und deren Derivaten. Weiterhin kann die elektrisch leitfähige Beschichtung aus elektrisch leitfähigen Metalloxiden, beispielsweise Mangandioxid MnO2 hergestellt werden. Bei einem derartigen elektrischen Bauelement können besonders einfach auf Grund der hohen Oberfläche und der porösen Beschaffenheit der amorphen Schicht die elektrisch leitfähigen Polymere oder die elektrisch leitfähigen Metalloxide in aus reichender Dicke erzeugt werden. Aufgrund der großen inneren Oberfläche und Porosität kann die amorphe Schicht dabei leicht von Lösungsmitteln durchdrungen werden, in denen die Ausgangsstoffe für die elektrisch leitfähigen Polymere oder Metalloxide gelöst oder suspendiert sind.
- In einer weiteren Ausführungsform umfasst die elektrisch leitfähige Beschichtung auf der amorphen Schicht ein elektrisch leitfähiges Polymer, das ein Copolymerisat aus zumindest zwei Monomeren ausgewählt aus Pyrrol, Thiophen, Anilin und deren Derivaten ist. Beispielsweise Festelektrolytkondensatoren, die derartige leitfähige Beschichtungen als Elektroden aufweisen, zeichnen sich gegenüber bekannten Kondensatoren durch einen niedrigeren Leckstrom und niedrigere ESR-Werte bei gleichzeitig besserem Alterungsverhalten aus. Ein besonderes vorteilhaftes Copolymerisat kann dabei aus dem Monomeren Pyrrol und Thiophen hergestellt werden. Die Herstellung einer derartigen elektrisch leitfähigen Beschichtung kann beispielsweise dadurch erfolgen, dass Lösungen verwendet werden, die bereits Mischungen der Monomere enthalten und die anschließend chemisch oder elektrochemisch oxidativ polymerisiert werden. Möglich ist es aber auch, die Monomere in unterschiedlichen Benetzungsvorgängen auf der amorphen Schicht aufzubringen. Bevorzugtes Oxidationsmittel für die genannten Monomeren sind oxidativ wirkende Salze von Metallionen, beispielsweise Fe(III)-Salze. Die chemische Polymerisation der genannten Monomere zu den elektrisch leitfähigen Polymeren kann auch mittels anderer Oxidationsmittel, enthaltend Cu(II), Ce(IV), Perchlorate sowie Peroxide erfolgen.
- Die elektrisch leitfähige Beschichtung, die auf der amorphen Schicht eines erfindungsgemäßen Kondensators angeordnet ist, kann mehrere Teilschichten aufweisen, die gleiche oder unterschiedliche elektrisch leitfähige Polymere umfassen. Dabei können die einzelnen Teilschichten separat mittels der oben genannten Herstellungsmethoden aufgebracht werden. Die Variation bzw. Kombination der verschiedenen Monomere in unterschiedlichen Stöchiometrien bzw. Mol-Verhältnissen erlaubt dabei die Synthese maßgeschneiderter elektrisch leitfähiger Copolymere, welche die gewünschten Eigenschaften der jeweiligen Monomere vereinen. Teilschichten der elektrisch leitfähigen Beschichtung können auch elektrisch leitfähige Homopolymere umfassen, die lediglich aus einem einzigen Monomer hergestellt wurden.
- Besonders vorteilhaft ist ein Kondensator, bei dem die elektrisch leitfähige Beschichtung ein elektrisch leitfähiges Polymer umfasst und die amorphe Schicht durch Trocknen einer auf dem elektrisch leitfähigen Körper befindlichen Lösung erhältlich ist, wobei diese Lösung
- – ein Kieselgel und
- – ein vernetzbares Silan mit wenigstens einem organischen Substituenten umfasst.
- Während der Trocknung der Lösung, die die oben genannten Komponenten enthält, kommt es zu einer Kondensation der Kieselsäurepartikel zu amorphen, polymeren Siliziumdioxid (SiO2)x. Gleichzeitig werden auch die einzelnen Kieselsäurepartikel mittels des vernetzbaren Silans miteinander verknüpft, so dass die bereits oben beschriebene amorphe und poröse Siliziumdioxid umfassende Schicht mit einer hohen spezifischen Oberfläche von 50 bis 500 m2/g gebildet werden kann. Die dabei im vernetzbaren Silan vorhandenen organischen Substituenten sind auch ein Bestandteil der amorphen Schicht. Über diese organischen Substituenten können dann einfach die organischen, elektrisch leitfähigen Polymere als elektrisch leitfähige Beschichtung angebunden werden. Dabei resultiert eine besonders gute Haftung der elektrisch leitfähigen Polymere auf der amorphen Schicht über eine Anknüpfung der Polymere an die organischen Substituenten der amorphen Schicht. Die organischen Substituenten des vernetzbaren Silans enthalten dabei beispielsweise ungesättigte ethylenische Reste oder Epoxidgruppen, und sind beispielsweise ausgewählt aus Vinyl-Gruppen, Glycidoxypropyl-Gruppen und Methacryloxyalkyl-Gruppen. Vernetzbare Silane, die derartige organische Substituenten aufweisen, sind beispielsweise Trialkoxy-Glycidoxyalkyl-Silane, Trialkoxy-Methalcryloxyalkyl-Silane und Trialkoxy-Vinyl-Silane. Konkrete Beispiele für derartige Silane sind z. B. das 3-Glycidoxypropyltrimethoxysilan oder das (3-Methacryloxypropyl)-Trimethoxysilan. Einsetzbar sind aber auch vernetzbare Silane mit Alkyl-Substituenten und besonders aromatischen Substituenten wie z. B. Aryl-Gruppen wie Napthyl-Gruppen. Vernetzbare Silane mit derartigen Substituenten erlauben aufgrund ihrer hohen Affinität zum delokalisierten π-Elektronensystem von elektrisch leitfähigen Polymeren eine gute Anbindung an diese, wenn elektrische leitfähige Polymere als elektrisch leitfähige Beschichtungen verwendet werden. Besonders vorteilhaft sind vernetzbare Silane, deren organische Substituenten nicht mittels Hydrolyse vom Siliziumatom abgespalten werden können, also nicht hydrolysierbar sind, beispielsweise organische Substituenten, die über Alkylenbrücken mit dem Siliziumatom verbunden sind, wie der oben genannte Glycydoxyalkylrest.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umfasst die Lösung weiterhin eine schwache Säure, bevorzugt eine schwache organische Säure. Bei Anwesenheit einer schwachen Säure kann die Vernetzung der Kieselsäure schneller ablaufen.
- Gegenstand der Erfindung ist auch ein Kondensator, bei dem die elektrisch leitfähige Beschichtung ein elektrisch leitfähiges Metalloxid, z. B. Mangandioxid umfasst und die amorphe Schicht durch Trocknen einer auf dem elektrisch leitfähigen Körper befindlichen Lösung erhältlich ist, wobei die Lösung enthält:
- – ein Kieselgel und
- – ein vernetzbares Silan mit ausschließlich anorganischen Substituenten bzw. anorganischen und organischen hydrolisierbaren Substituenten.
- Beim Trocknen einer derartigen Lösung entsteht eine amorphe Schicht, die keine organischen Substituenten aufweist und somit auf der Oberfläche anorganischer Natur ist. Bei einer derartigen amorphen Schicht resultiert eine besonders gute Haftung der anorganischen elektrisch leitfähigen Metalloxide. Beispiele für derartige vernetzbare Silane sind beispielsweise Tetraalkoxy-Silane, z. B. Tetraethoxy-Silan, deren vier organische Substituenten alle hydrolysierbar sind oder Tetrahalogen-Silane, beispielsweise Silicium-tetrachlorid SiCl4, die ausschließlich anorganische Substituenten aufweisen. Über die Anzahl der hydrolysierbaren Substituenten am vernetzbaren Silan lässt sich auch einfach der Vernetzungsgrad der amorphen SiO2 umfassenden Schicht beeinflussen.
- Wie bereits oben beschrieben kann die Lösung vorteilhafterweise zusätzlich eine schwache Säure enthalten.
- Gegenstand der Erfindung ist weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators, bei dem in einem Verfahrensschritt A) ein elektrisch leitfähiger Körper mit einer dielektrischen Oberfläche bereitgestellt und anschließend eine amorphe, Siliziumdioxid enthaltende Schicht mit einer spezifischen Oberfläche von etwa 50 bis 500 m2/g auf dem Körper erzeugt wird. In einem zusätzlichen Verfahrensschritt B) wird nach dem Verfahrensschritt A) eine elektrisch leitfähige Beschichtung auf der amorphen Schicht erzeugt. Wie bereits oben genannt, kann diese elektrisch leitfähige Beschichtung beispielsweise elektrisch leitfähige Polymere oder elektrisch leitfähige Metalloxide, z. B. Mangandioxid, umfassen.
- Die amorphe Schicht wird dadurch erzeugt, dass der elektrisch leitfähige Körper im Verfahrensschritt A) mit einer Lösung enthaltend Kieselsäure und ein vernetzbares Silan in Kontakt gebracht wird und anschließend mittels Trocknens daraus die amorphe Schicht erzeugt wird. Das Inkontaktbringen des elektrisch leitfähigen Körpers der Elektrode mit der Lösung kann mittels verschiedener Verfahren, beispielsweise mittels Tauchbeschichtung oder Sprühbeschichtung erfolgen. Während des Trocknens, das vorteilhafterweise bei Temperaturen zwischen 40°C und 150°C erfolgt, werden dabei aus den einzelnen Kieselsäurepartikeln mittels Hydrolyse amorphe, poröse Siliziumdioxidpartikel gebildet, die über das vernetzbare Silan miteinander verknüpft werden können. Günstigerweise wird während des Trocknens zu Beginn bei geringen Temperaturen zwischen 40 bis 50°C gearbeitet, um das Lösungsmittel der Lösung, beispielsweise Wasser, oder wässrige organische Lösungsmittel, z. B. Methanol oder Ethanol zu verdampfen. Anschließend wird bei höheren Temperaturen von etwa 100 bis 150°C die Hydrolyse und Verknüpfung der einzelnen Kieselsäurepartikel durchgeführt.
- Die Lösung kann weiterhin eine Säure, vor allem eine schwache organische Säure enthalten, die die Vernetzung beschleunigt.
- Im Verfahrensschritt A) kann eine hydrophile Kieselsäure verwendet werden. Eine derartige hydrophile Kieselsäure ermöglicht eine besonders gute Haftung von elektrisch leitfähigen Polymeren als elektrisch leitfähigen Beschichtungen auf den erfindungsgemäßen Elektroden. Dies ist unter anderem darauf zurückzuführen, dass die elektrischen Polymere ionisch aufgebaut sind und durch geeignete Gegenionen, z. B. Anionen wie organischen Sulfonsäuren stabilisiert werden und somit mit den hydrophilen Kieselsäuren gut Wechselwirken können.
- Möglich ist aber auch die Verwendung von hydrophoben Kieselsäuren, die beispielsweise mit Polydialkylsiloxanen, z. B. Polydimethylsiloxan behandelt wurden.
- Bei den verwendeten Kieselsäuren kann es sich beispielsweise um pyrogene Kieselsäuren handeln, unter denen hochdisperse Kieselsäuren verstanden werden, die durch Flammhydrolyse, beispielsweise durch Zersetzung von SiCl4 in einer Knallgasflamme hergestellt werden. Ebenso ist es aber auch möglich, Fällungskieselsäuren zu verwenden, die beispielsweise aus wässrigen Alkalisilikatlösungen durch Fällung mit Mineralsäure hergestellt werden.
- Als Säure wird bevorzugt eine schwache organische Säure beispielsweise Essigsäure verwendet. Diese Säure begünstigt die Abspaltung der Abgangsgruppen, der Substituenten vom vernetzbaren Silan und begünstigt außerdem die Kondensation der Kieselsäuren zum amorphen polymeren Siliziumdioxid.
- Die im Verfahrensschritt A) verwendete Lösung weist dabei vorteilhaft 0,1 bis 10 Gew-% Kieselsäure, 0,1 bis 10 Gew-% einer schwachen organischen Säure, 0,1 bis 10 Gew-% vernetzbares Silan und etwa 10 Gew-% Lösungsmittel, z. B. wässrige organische Lösungsmittel oder Wasser selbst, auf. Mittels Einstellen der Konzentrationen der Kieselsäure und des vernetzbaren Silans lässt sich die Dicke der erzeugten amorphen Schicht sowie der Vernetzungsgrad der amorphen Schicht besonders einfach einstellen. Besonders bevorzugt ist eine Lösung mit 1 bis 4 Gew-% Essigsäure als schwacher Säure, 1 bis 4 Gew-% Kieselgel und 1 bis 4 Gew-% vernetzbarem Silan, z. B. 3-Glycidoxypropyltrimethoxysilan und 5 bis 15 Gew-% Ethanol.
- Im Folgenden soll die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und Figuren noch näher erläutert werden.
-
1 zeigt einen erfindungsgemäßen Festelektrolytkondensator. - Die
2A bis2D zeigen eine Variante eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines Festelektrolytkondensators. -
1 zeigt am Beispiels eines Tantal-Festelektrolytkondensators einen elektrisch leitfähigen Körper5 bestehend aus gesinterten Tantalmetall, der mittels eines Anodendrahtes5A elektrisch kontaktiert werden kann. Mittels anodischer Oxidation wurde auf dem elektrisch leitfähigen Tantalkörper5 eine dielektrische Oberfläche10 , bestehend aus Tantalpentoxid Ta2O5 erzeugt. Auf der dielektrischen Tantalpentoxid- Oberfläche10 befindet sich die amorphe Schicht15 aus hochporösem Siliziumdioxid, die mittels Trocknens einer Lösung aus Kieselsäure, vernetzbarem Silan und schwacher Säure erzeugt wurde. Auf dieser amorphen Siliziumdioxidschicht15 ist ein elektrisch leitendes Polymer als elektrisch leitfähige Beschichtung20 angeordnet. Auf Grund der hohen spezifischen Oberfläche und Porosität der amorphen Siliziumdioxidschicht15 kann das elektrisch leitfähige Polymer, das im Festelektrolytkondensator als Kathode geschaltet wird, einfach erzeugt werden. Die amorphe Siliziumdioxidschicht kann dabei zusätzlich eine Migration von Graphitpartikeln verhindern und so die bei Kontakt der Graphitpartikel mit der dielektrischen Schicht entstehenden Kurzschlüsse bzw. Leckströme verhindern. Die Graphitpartikel sind dabei Bestandteil einer Graphitschicht, die häufig auf den elektrisch leitfähigen Polymeren zur elektrischen Ankontaktierung aufgebracht wird. -
2A stellt einen porösen Tantalsinterkörper5 mit einer dielektrischen Schicht10 aus Tantalpentoxid während des Verfahrensschrittes A) eines erfindungsgemäßen Verfahrens dar. Dabei wird der Tantalsinterkörper5 in eine Lösung50 eingebracht, die Kieselsäure, das vernetzbare Silan, Lösungsmittel und eine schwache Säure enthält. Nach Entfernen des Tantalsinterkörpers5 aus der Lösung50 verbleibt ein Lösungsfilm auf der Oberfläche des Körpers. Ein derartiger Oberflächenfilm kann beispielsweise auch mittels Sprühbeschichtung erzeugt werden. - In der
2B ist eine erfindungsgemäße Elektrode nach dem Verfahrensschritt A) dargestellt. Dabei wurde der in2A aufgebrachte Flüssigkeitsfilm mittels Trocknens in eine amorphe Siliziumdioxidbeschichtung15 mit der bereits genannten hohen spezifischen Oberfläche und Porosität überführt. -
2C zeigt einen erfindungsgemäßen Kondensator während des Verfahrensschritts B) des erfindungsgemäßen Verfahrens. Dabei wurde ein elektrisch leitfähiges Polymer als elektrisch leitfähige Beschichtung20 , die im Bauelement als Kathode dienen kann, auf der amorphen Siliziumdioxidbeschichtung15 erzeugt. Wie bereits oben genannt, kann diese elektrisch leitfähige Beschichtung Homo- oder Copolymerisate aus verschiedenen Monomeren enthalten. Auf Grund der besonders hohen inneren Oberfläche und Porosität der amorphen Siliziumbeschichtung15 kann diese besonders gut von den Lösungsmitteln der Monomer-Lösungen durchdrungen werden, sodass mittels weniger Reaktionszyklen genügend dicke leitfähige Beschichtungen20 aus elektrisch leitfähigen Polymeren erzeugt werden können, ohne negative Einflüsse auf den ESR zu haben. - In
2D ist ein erfindungsgemäßer Tantalfestelektrolytkondensator dargestellt, bei dem während des Verfahrensschritts B) zwei elektrisch leitfähige Teilschichten20A und20B aus gleichen oder verschiedenen Homo- oder Copolymerisaten von elektrisch leitfähigen Polymeren auf der amorphen Siliziumdioxidbeschichtung15 erzeugt worden. Wie bereits oben genannt, lassen sich mittels verschieden aufgebauter Teilbereiche der elektrisch leitfähigen Polymeren die elektrischen Eigenschaften von Festelektrolytkondensatoren besonders einfach den jeweiligen Gegebenheiten anpassen. - Ausführungsbeispiel 1
- Ein anodisierter Tantal-Sinterkörper wird in eine Lösung bestehend aus 0,1 bis 10 Gew-% Essigsäure, 0,1 bis 10 Gew-% Aerosil R200 von Degussa, 0,1 bis 10 Gew-% 3-Glycidoxypropyltrimethoxysilan und 10 Gew-% Ethanol und Wasser getaucht. Anschließend erfolgt eine stufenweise Trocknung bei 40°C ge folgt von 150°C, um zuerst das Lösungsmittel möglichst schonend zu entfernen und anschließend bei höheren Temperaturen die Bildung der amorphen Siliziumdioxidschicht zu ermöglichen. Danach wird der anodisierte Tantalsinterkörper in eine erste, ein Gemisch aus zwei Monomeren enthaltende Lösung eingetaucht. Die Lösung enthält 0,5 bis 5 Gew-%, 3,4-Ethylen-Dioxythiophen, 0,5 bis 5 Gew-% Pyrrol, 10 bis 20 Gew-% Natriumalkylnaphtylsulfonat und 5 bis 25 Gew-% Isopropanol, wobei der Rest Wasser ist. Anschließend wird der anodisierte Tantalsinterkörper in eine wässrige Lösung eines Oxidationsmittels enthaltend 10 bis 25 Gew-% Eisen-(III)-Sulfat, 0,5 Gew-% Schwefelsäure und Wasser eingetaucht. Die Bildung der Kathode aus dem elektrisch leitfähigen Copolymerisat von Pyrrol und Ethylendioxythiophen wird anschließend bei einer Temperatur zwischen –5 und 105°C durchgeführt. Der Kondensator wird anschließend in einer wässrigsauren Lösung gewaschen und reformiert, die beispielsweise Toluolsulfonsäure, Phosphorsäure und Zitronensäure enthalten kann. Auf diese Weise kann eine erste Teilbeschichtung mit elektrisch leitfähigem Polymer erzeugt werden. Ein derartiges Verfahren kann zwischen 5 bis 12-mal wiederholt werden, um weitere elektrisch leitfähige Polymerteilbereiche aufzubringen. Ein derartig hergestellter Kondensator weist eine ESR von 5–15 mOhm und einen LC (leakage current) von 1–5 μA auf.
- Ausführungsbeispiel 2
- Anstatt des anodisierten Tantal-Sinterkörpers aus dem Ausführungsbeispiel 1 wurde ein anodisierter Niob-Sinterkörper verwendet. Alle weiteren Verfahrensschritte entsprechen dem ersten Ausführungsbeispiel.
- Ein derartig hergestellter Kondensator weist eine ESR von 10–25 mOhm und einen LC (leakage current) von 5–10 μA auf.
- Ausführungsbeispiel 3
- Anstelle eines anodisierten Tantal-Sinterkörpers wurde eine anodisierte Aluminiumfolie als elektrisch leitfähiger Körper verwendet. Die übrigen Verfahrensschritte entsprechen denen im Ausführungsbeispiel 1 genannten.
- Ein derartig hergestellter Kondensator weist eine ESR von 5–10 mOhm und einen LC (leakage current) von 5–20 μA auf.
- Die Erfindung beschränkt sich nicht auf die hier dargestellten Ausführungsbeispiele. Weitere Variationen sind beispielsweise möglich bei der Auswahl der gesinterten Metalle für den elektrisch leitfähigen Körper sowie der Zusammensetzung der Lösung, aus der die amorphe Siliziumdioxidbeschichtung hergestellt wird.
Claims (20)
- Kondensator (
1 ) umfassend – einen elektrisch leitfähigen Körper (5 ) mit einer dielektrischen Oberfläche (10 ), – eine auf dem Körper (5 ) angeordnete amorphe Schicht (15 ) mit einer spezifischen Oberfläche von 50–500 m2/g, umfassend SiO2, wobei die amorphe Schicht (15 ) durch Trocknen einer auf dem elektrisch leitfähigen Körper (5 ) befindlichen Lösung (50 ) erhältlich ist, die die folgenden Komponenten umfasst: – ein Kieselgel und ein vernetzbares Silan, und – eine auf der amorphen Schicht (15 ) angeordnete elektrisch leitfähige Beschichtung (20 ). - Kondensator (
1 ) nach dem vorhergehenden Anspruch, – bei der die amorphe Schicht (15 ) eine Dicke von maximal 30 μm aufweist. - Kondensator (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, – bei der der elektrisch leitfähige Körper (5 ) ein gesintertes Ventilmetall umfasst. - Kondensator (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, – bei dem die dielektrische Oberfläche (10 ) des keramischen Körpers (5 ) Ta2O5 oder Nb2O5 umfasst. - Kondensator (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, – bei dem die elektrisch leitfähige Beschichtung (20 ) ein Material enthält, das ausgewählt ist aus einer Gruppe die folgende Elemente enthält: elektrisch leitfähige Polymere und MnO2. - Kondensator nach einem der vorherigen Ansprüche, – bei dem die elektrisch leitfähige Beschichtung (
20 ) ein elektrisch leitfähiges Polymer umfasst, das ein Copolymerisat aus zumindest zwei Monomeren ausgewählt aus Pyrrol, Thiophen, Anilin und deren Derivaten ist. - Kondensator nach einem der vorherigen Ansprüche, – bei dem die elektrisch leitfähige Beschichtung (
20 ) mehrere Teilschichten (20A ,20B ) aufweist, die gleiche oder unterschiedliche elektrisch leitfähige Polymere umfassen. - Kondensator nach einem der vorherigen Ansprüche, – bei dem die elektrisch leitfähige Beschichtung (
20 ) ein elektrisch leitfähiges Polymer umfasst und – die amorphe Schicht (15 ) durch Trocknen einer auf dem elektrisch leitfähigen Körper (5 ) befindlichen Lösung (50 ) erhältlich ist, die ein vernetzbares Silan mit wenigstens einem organischen Substituenten umfasst. - Kondensator nach einem der Ansprüche 1 bis 7, – bei dem die elektrisch leitfähige Beschichtung (
20 ) ein elektrisch leitfähiges Metalloxid umfasst und – die amorphe Schicht (15 ) durch Trocknen einer auf dem elektrisch leitfähigen Körper (5 ) befindlichen Lösung (50 ) erhältlich ist, die ein vernetzbares Silan mit Substituenten, die ausgewählt sind aus anorganischen und organischen hydrolisierbaren Substituenten, umfasst. - Verfahren zur Erzeugung eines Kondensators (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche mit den Verfahrensschritten: A) Bereitstellen eines elektrisch leitfähigen Körpers (5 ) mit einer dielektrischen Oberfläche (10 ) und Erzeugen einer amor phen Schicht (15 ) mit einer spezifischen Oberfläche von 50–500 m2/g enthaltend SiO2 auf dem Körper (5 ) wobei der elektrisch leitfähige Körper (5 ) mit einer Lösung (50 ) enthaltend – Kieselsäure und – ein vernetzbares Silan, In Kontakt gebracht wird und anschließend mittels Trocknens die amorphe Schicht (15 ) erzeugt wird, und B) eine elektrisch leitfähige Beschichtung (20 ) wird auf der amorphen Schicht (15 ) erzeugt. - Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, – bei dem im Verfahrensschritt A) als Kieselsäure eine hydrophile Kieselsäure verwendet wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 10 oder 11, bei dem im Verfahrensschritt A) als Kieselsäure eine pyrogene Kieselsäure verwendet wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, – bei dem im Verfahrensschritt A) als vernetzbares Silan eine Verbindung verwendet wird, die ausgewählt ist aus: – Tetraalkoxy-silan, Trialkoxy-glycidoxyalkyl-Silan und Trialkoxy-Methacryloxyalkyl-Silan, Trialkoxy-vinyl-Silan, Tetrahalogen-Silan.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, – bei dem im Verfahrensschritt A) in der Lösung (
50 ) zusätzlich eine schwache organische Säure verwendet wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 14, – bei dem im Verfahrensschritt A) eine Lösung verwendet wird, die – 0,1 bis 10 Gew-% Kieselsäure, – 0,1 bis 10 Gew-% einer schwachen organischen Säure, – 0,1 bis 10 Gew-% vernetzbares Silan und – etwa 10 Gew-% Lösungsmittel umfasst.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 15, – bei dem im Verfahrensschritt A) bei Temperaturen zwischen 40°C und 150°C getrocknet wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 16, – bei dem im Verfahrenschritt B) die elektrisch leitfähige Beschichtung mittels Polymerisation von Monomeren, ausgewählt aus Pyrrol, Thiophen, Anilin und deren Derivaten erzeugt wird.
- Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, – bei dem im Verfahrenschritt B) ein Copolymerisat aus zumindest zwei verschiedenen Monomeren erzeugt wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 18, – bei dem eine elektrisch leitfähige Beschichtung (
20 ) erzeugt wird, die mehrere Teilschichten aufweist, die gleiche oder unterschiedliche elektrisch leitfähige Polymere umfassen. - Kondensator nach einem der Ansprüche 1 bis 9, – bei dem die Lösung (
50 ) zusätzlich eine schwache Säure enthält.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005028262A DE102005028262B4 (de) | 2005-06-17 | 2005-06-17 | Kondensator mit einer Elektrode und Herstellungsverfahren für den Kondensator mit der Elektrode |
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CN2006800298705A CN101258569B (zh) | 2005-06-17 | 2006-06-19 | 用于电部件的电极、具有该电极的部件及该电极和部件的制造方法 |
KR1020087001158A KR20080036985A (ko) | 2005-06-17 | 2006-06-19 | 전기 소자를 위한 전극, 상기 전극을 갖는 소자, 그리고상기 전극과 소자의 제조 방법 |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005028262A DE102005028262B4 (de) | 2005-06-17 | 2005-06-17 | Kondensator mit einer Elektrode und Herstellungsverfahren für den Kondensator mit der Elektrode |
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---|---|
DE102005028262A1 DE102005028262A1 (de) | 2006-12-28 |
DE102005028262B4 true DE102005028262B4 (de) | 2010-05-06 |
Family
ID=37513423
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102005028262A Expired - Fee Related DE102005028262B4 (de) | 2005-06-17 | 2005-06-17 | Kondensator mit einer Elektrode und Herstellungsverfahren für den Kondensator mit der Elektrode |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7643269B2 (de) |
JP (1) | JP2006352055A (de) |
CN (1) | CN101258569B (de) |
CZ (1) | CZ200821A3 (de) |
DE (1) | DE102005028262B4 (de) |
IL (1) | IL188076A0 (de) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5645152B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2014-12-24 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP5461110B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2014-04-02 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
DE102010002706A1 (de) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | Sgl Carbon Se | Verfahren zur Herstellung von mit Base aktiviertem Kohlenstoff |
DE102010047086A1 (de) | 2010-10-01 | 2012-04-05 | Heraeus Clevios Gmbh | Schichtaufbauten mit verbesserten elektrischen Kenngrößen beinthaltend PEDOT/PSS sowie einen Stabilisator |
CN103534773B (zh) * | 2011-05-24 | 2016-10-12 | 凯米特电子公司 | 用于固体电解电容器的导电性聚合物分散体 |
TWI464934B (zh) * | 2011-12-30 | 2014-12-11 | Eternal Materials Co Ltd | 電解質材料調配物、由此形成之電解質材料聚合物及其用途 |
GB201212051D0 (en) * | 2012-07-06 | 2012-08-22 | Zyk S A | Energy storage apparatus |
CN102779647B (zh) * | 2012-07-16 | 2015-02-25 | 东华大学 | 超级电容器用吡咯/3-(4-叔丁基苯)噻吩共聚物的制备方法 |
CN103680961B (zh) * | 2012-08-31 | 2016-05-11 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司 | 一种钽电容器的制造方法 |
US9236192B2 (en) | 2013-08-15 | 2016-01-12 | Avx Corporation | Moisture resistant solid electrolytic capacitor assembly |
US10186382B2 (en) | 2016-01-18 | 2019-01-22 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
US10763046B2 (en) | 2016-09-15 | 2020-09-01 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
EP3529816A4 (de) | 2016-10-18 | 2020-09-02 | AVX Corporation | Festelektrolytkondensator mit verbesserter leistung bei hohen temperaturen und spannungen |
US10741333B2 (en) | 2016-10-18 | 2020-08-11 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
EP3529815A4 (de) | 2016-10-18 | 2020-08-19 | AVX Corporation | Festelektrolytkondensatoranordnung |
JP2020509599A (ja) | 2017-03-06 | 2020-03-26 | エイブイエックス コーポレイション | 固体電解キャパシタアセンブリ |
CN110720131B (zh) | 2017-07-03 | 2022-05-31 | 京瓷Avx元器件公司 | 固体电解质电容器组件 |
EP3649661A4 (de) | 2017-07-03 | 2021-03-31 | AVX Corporation | Festelektrolytkondensator mit einer nanobeschichtung |
CN113728408B (zh) | 2019-04-25 | 2024-03-08 | 京瓷Avx元器件(曼谷)有限公司 | 固态电解电容器 |
US11837415B2 (en) | 2021-01-15 | 2023-12-05 | KYOCERA AVX Components Corpration | Solid electrolytic capacitor |
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JPH11243036A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-09-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 固体電解質形成用ペースト組成物及びこれを用いた固体電解コンデンサの製造方法 |
JP2000082639A (ja) | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Nec Corp | Nbコンデンサの製造方法 |
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JP2001148326A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | タンタル固体電解コンデンサの製造方法および製造装置 |
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JP4269648B2 (ja) * | 2001-11-07 | 2009-05-27 | ダイソー株式会社 | 電解質組成物および電池 |
JP4383228B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2009-12-16 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
DE102004030802B4 (de) | 2004-06-25 | 2007-11-22 | Epcos Ag | Mit leitfähigen Polymeren beschichteter keramischer Körper und Verfahren zur Herstellung |
-
2005
- 2005-06-17 DE DE102005028262A patent/DE102005028262B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-29 JP JP2005221580A patent/JP2006352055A/ja active Pending
-
2006
- 2006-01-25 US US11/339,276 patent/US7643269B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-19 CN CN2006800298705A patent/CN101258569B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-19 CZ CZ20080021A patent/CZ200821A3/cs unknown
-
2007
- 2007-12-12 IL IL188076A patent/IL188076A0/en not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006352055A (ja) | 2006-12-28 |
US7643269B2 (en) | 2010-01-05 |
CN101258569B (zh) | 2011-11-30 |
CN101258569A (zh) | 2008-09-03 |
US20060286760A1 (en) | 2006-12-21 |
DE102005028262A1 (de) | 2006-12-28 |
CZ200821A3 (cs) | 2008-10-15 |
IL188076A0 (en) | 2008-03-20 |
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Legal Events
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: KEMET ELECTRONICS CORP., SIMPSONVILLE, S.C., US |
|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER, PATENTANWALTSGESELLSCHAFT |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20120103 |