CN113728408B - 固态电解电容器 - Google Patents

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Abstract

本发明的固态电解电容器，包括：由阀金属构成的多孔质烧结体；阳极导线，其一部分进入所述多孔质烧结体中，并且从所述多孔质烧结体突出；形成于所述多孔质烧结体的电介质层；形成于所述电介质层的固态电解质层；形成于所述固态电解质层的阴极层；和至少一部分形成于所述阴极层的保护膜。所述保护膜的玻璃化转变点为180℃以下。

Description

固态电解电容器
技术领域
本发明涉及固态电解电容器。
背景技术
专利文献1中公开有现有的固态电解电容器的一例。固态电解电容器通过在多孔质烧结体的外表面和细孔的内表面层叠电介质层、固态电解质层和阴极层，并且用密封树脂覆盖而形成。固态电解电容器由于安装时的回流焊处理导致的温度变化，具有在与固态电解质层阴极层之间产生皲裂的情况。在产生了皲裂的状态后，由于温度和湿度而使固态电解质层劣化，存在等效串联电阻(ESR)上升的情况。另外，在多孔质烧结体的细孔中含有的水分较多的状态下，由于回流焊处理产生的热而使水分膨胀，在密封树脂较薄的情况下，有可能在密封树脂产生皲裂。当在密封树脂产生皲裂时，水分容易从外部进入，固态电解质层的劣化会发生恶化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-101709号公报。
发明内容
发明要解决的问题
基于上述的问题，本发明的目的之一在于，提供能够抑制固态电解质层的劣化的固态电解电容器。
用于解决问题的技术手段
依据本发明提供的固态电解电容器，其包括：由阀金属构成的多孔质烧结体；阳极导线，其一部分进入所述多孔质烧结体中，并且从所述多孔质烧结体突出；形成于所述多孔质烧结体的电介质层；形成于所述电介质层的固态电解质层；形成于所述固态电解质层的阴极层；和至少一部分形成于所述阴极层的保护膜，所述保护膜的玻璃化转变点为180℃以下。
发明效果
依据上述结构，保护膜的玻璃化转变点为180℃以下，与回流焊处理时的温度相比充分低。因此，保护膜在回流焊处理时软化，缓和了使固态电解质层与阴极层之间产生皲裂的应力。由此，能够抑制固态电解质层与阴极层之间的皲裂的产生，所以能够抑制固态电解质层的劣化。另外，在回流焊处理时在密封树脂中产生了皲裂的情况下，软化了的保护膜流入该皲裂中，能够堵塞皲裂部分。由此，能够抑制水分从皲裂的侵入，能够抑制固态电解质层的劣化。
本发明的其他特征和优点，通过参照附图在以下进行详细的说明而能够更加明确。
附图说明
图1是表示第一实施方式的固态电解电容器的俯视图。
图2是沿着图1的II-II线的截面图。
图3是沿着图1的III-III线的截面图。
图4是表示图1的固态电解电容器的主要部分放大截面图。
图5是表示图1的固态电解电容器的放大截面图，表示在回流焊处理时在密封树脂中产生了皲裂的状态的图。
图6是表示图1的固态电解电容器的制造方法的一例的流程图。
图7是表示图1的固态电解电容器的制造工序的一个工序的截面图。
图8是表示图1的固态电解电容器的制造工序的一个工序的截面图。
图9是表示图1的固态电解电容器的制造工序的一个工序的截面图。
图10是表示图1的固态电解电容器的制造工序的一个工序的截面图。
图11是表示第二实施方式的固态电解电容器的截面图。
图12是表示图11的固态电解电容器的制造方法的一例的流程图。
图13是表示图11的固态电解电容器的制造工序的一个工序的截面图。
图14是表示图11的固态电解电容器的制造工序的一个工序的截面图。
图15是表示第三实施方式的固态电解电容器的截面图。
图16是表示第三实施方式的固态电解电容器的变形例的截面图。
具体实施方式
以下，基于本发明的优选的实施方式，参照附图进行更具体的说明。
图1～图4表示了本发明的第一实施方式的固态电解电容器。固态电解电容器A1具有电容器元件100、阳极导通部件6、阴极导通部件7、保护膜8和密封树脂5。在各图中，将俯视时的沿着固态电解电容器A1的一个边的方向(图1中的从左向右的方向)设为x方向，将沿着另一个边的方向(图1中的从下向上的方向)设为y方向，将固态电解电容器A1的厚度方向(图2和图3中的从下向上的方向)设为z方向进行说明。举例固态电解电容器A1的尺寸的一例时，x方向尺寸为3.2mm程度，y方向尺寸为1.6mm程度，z方向尺寸为1.2mm程度。其中，各尺寸没有限定。
图1是表示固态电解电容器A1的俯视图。图1中透过密封树脂5用虚拟线(两点划线)表示了密封树脂5的外形。图2是沿着图1的II-II线的截面图。图3是沿着图1的III-III线的截面图。图4是表示固态电解电容器A1的主要部分放大截面图。
电容器元件100具有多孔质烧结体1、阳极导线11、电介质层2、固态电解质层3和阴极层4。
多孔质烧结体1是相对于电介质层2而成为阳极的结构，由作为阀金属的例如Ta或者Nb等构成。本实施方式中，多孔质烧结体1为长方体形状。如图4所示，多孔质烧结体1在其内部具有微小的大量的细孔15。多孔质烧结体1具有：朝向x方向的一方侧的面1a；在x方向上朝向与面1a相反侧的面1c；与面1a和面1c相连的4个面1b。面1a、1b、1c分别为矩形形状。
阳极导线11其一部分在x方向上进入多孔质烧结体1的内部。阳极导线11由例如作为阀金属的例如Ta或者Nb等构成。阳极导线11的材料没有限定，优选由与形成多孔质烧结体1的阀金属相同的阀金属形成。阳极导线11从多孔质烧结体1的面1c的中心向着x方向进入多孔质烧结体1中，并且向x方向的相反侧突出。即，阳极导线11以与多孔质烧结体1的4个面1b平行的方式配置，在z方向上位于多孔质烧结体1的中央，并且在y方向上位于多孔质烧结体1的中央。阳极导线11进入到多孔质烧结体1中的进入长度为多孔质烧结体1的x方向尺寸的75％程度。阳极导线11的与面1c平行的截面为圆形。
电介质层2层叠在多孔质烧结体1的表面。电介质层2也能够层叠于阳极导线11的一部分的表面。如图4所示，多孔质烧结体1是具有大量的细孔15的构造，电介质层2覆盖的表面不仅是出现在多孔质烧结体1的外观的表面(面1a、1b、1c)，也包括各个细孔15的内表面。在图2和图3中，为了理解的方便，电介质层2作为从外侧覆盖多孔质烧结体1的层而记载，实际上，遍及多孔质烧结体1的外表面和细孔15内而形成。电介质层2通常由阀金属的氧化物形成，例如由Ta2O5(五氧化钽)或者Nb2O5(五氧化铌)等构成。
固态电解质层3覆盖电介质层2。固态电解质层3是能够隔着电介质层2与多孔质烧结体1电气地构成电容器的层即可。如图4所示，固态电解质层3包括内部层31和外部层32。内部层31覆盖电介质层2中的覆盖着多孔质烧结体1的细孔15的内表面的部分，成为填埋多孔质烧结体1的细孔15的形态。内部层31例如由导电性聚合物形成。外部层32层叠在内部层31上，成为在多孔质烧结体1的外部覆盖内部层31的形态。在本实施方式中，外部层32由导电性聚合物形成。固态电解质层3可以由导电性聚合物的单一层构成。
阴极层4层叠在固态电解质层3的外部层32上，是实现固态电解质层3与阴极导通部件7的导通的层。阴极层4只要是具有适当的导电性的结构，其构成没有特别的限定。在本实施方式中，阴极层4以覆盖多孔质烧结体1的面1a和4个面1b的方式形成，没有形成在多孔质烧结体1的面1c的部分。阴极层4也可以以还覆盖多孔质烧结体1的面1c的方式形成。如图4所示，阴极层4由基底层41和上层42形成。基底层41例如由石墨形成，直接覆盖固态电解质层3。上层42层叠在基底层41上，例如由Ag形成。
阳极导通部件6接合于阳极导线11，其一部分从密封树脂5露出。阳极导通部件6例如由实施了镀Cu的、42合金等的Ni-Fe合金形成。阳极导通部件6之中的从密封树脂5露出的部位，作为用于将固态电解电容器A1进行面安装的外部阳极端子6a使用。在本实施方式中，阳极导通部件6由中间部61和露出部62构成。中间部61其全部被密封树脂5覆盖，接合于阳极导线11。露出部62为板状部件，接合于中间部61。露出部62通过其一部分从密封树脂5露出而构成外部阳极端子6a。
阴极导通部件7经由例如由Ag等形成的导电性接合材71接合于阴极层4，其一部分从密封树脂5露出。阴极导通部件7由例如实施了镀Cu的、42合金等的Ni-Fe合金构成，在本实施方式中，为板状部件。阴极导通部件7之中的从密封树脂5露出的面，作为用于将固态电解电容器A1进行面安装的外部阴极端子7a使用。阳极导通部件6的露出部62和阴极导通部件7来自于制造时的引线框架。
密封树脂5覆盖电容器元件100、阳极导通部件6和阴极导通部件7，例如由环氧树脂构成。
保护膜8存在于电容器元件100、阳极导通部件6以及阴极导通部件7与密封树脂5之间。保护膜8在电容器元件100的大部分中形成于阴极层4上。在本实施方式中，保护膜8覆盖电容器元件100之中的、除了接合于阳极导通部件6的阳极导线11的一部分以及接合于阴极导通部件7的阴极层4的一部分以外的全部的面。
保护膜8由含有氟的聚合物构成，具有防水性。因此，能够抑制多孔质烧结体1的细孔15中含有的水分的量变得过多。含有Si的聚合物其防水性过高、多孔质烧结体1的细孔15中含有的水分变得太少。固定电解电容器虽然在回流焊处理时希望细孔15中含有的水分少，但是在回流焊处理后的实际的使用时，需要含有规定量的水分。因此，在本实施方式中，保护膜8采用不含Si的聚合物。在本实施方式中，保护膜8为具有全氟烷基且碳数为6的结构(C6F13-R)，并且热分解温度为200℃～300℃的聚合物。保护膜8并不限定于此。保护膜8的厚度在本实施方式中为0.5μm程度。保护膜8的厚度并不限定于此，优选为0.01～5μm，更优选为0.1～2μm。
保护膜8的玻璃化转变点为35～50℃。保护膜8的玻璃化转变点并不限定于此，为阴极层4、密封树脂5的玻璃化转变点以下即可。因为密封树脂5的玻璃化转变点为110～180℃程度，所以保护膜8的玻璃化转变点为180℃以下即可，优选为110℃以下。更优选的是保护膜8的玻璃化转变点为35～85℃，进一步优选为35～50℃。本发明中的玻璃化转变点是利用DSC(Differential Scanning Calorimetry：差示扫描量热法)法检测出来的。玻璃化转变点也可以用其他的方法检测。
图5是固态电解电容器A1的放大截面图，是表示在回流焊处理时，在密封树脂5中产生了皲裂5a的状态的图。根据小型化的要求，密封树脂5较薄地形成。因为保护膜8不是完全防水，在多孔质烧结体1的细孔15中含有一定程度的水分。因此，存在由于回流焊处理产生的热，该水分膨胀，在密封树脂5中产生皲裂5a的情况。在回流焊处理中，因为被加热至例如260℃程度，固态电解电容器A1的内部的温度超过保护膜8的玻璃化转变点。因此，保护膜8的粘度降低，流动性增加。由此，如图5所示，软化了的保护膜8的一部分8a流入到密封树脂5的皲裂5a中，堵塞了皲裂5a。
关于固态电解电容器A1的制造方法的一例，参照图6～图10在以下进行说明。图6是表示固态电解电容器A1的制造方法的流程的图。图7～图10均为表示固态电解电容器A1的制造方法的工序的截面图，是与图2对应的图。
如图6所示，首先，形成多孔质烧结体1(多孔质烧结体形成工序)。在该工序中，首先形成多孔质体(多孔质体形成工序)。
在多孔质体形成工序中，例如将Ta或者Nb等的阀金属的微粉末填充在模具的空间部中。接着，使成为阳极导线11的导线材料92的前端部分进入填充在空间部中的微粉末内。接着，利用模具将所填充的微粉末施加压力。由此，微粉末被压缩，多孔质体93被加压成形。接着，如图7所示，将导线材料92在与多孔质体93离开的规定的位置切断，取出多孔质体93。通过以上，能够得到进入有导线材料92的多孔质体93。
接着，对该多孔质体93和导线材料92实施烧结处理。通过该烧结处理，阀金属的微粉末彼此烧结，形成具有大量的细孔15的多孔质烧结体1和阳极导线11(烧结处理)。这时，通过伴随着烧结处理的收缩，相比多孔质体93的外形，多孔质烧结体1的外形变小。考虑该收缩，以多孔质烧结体1和阳极导线11成为规定的尺寸的方式使多孔质体93成形。
接着，形成电介质层2(电介质层形成工序)。例如，一边利用阳极导线11支承多孔质烧结体1，一边将多孔质烧结体1浸渍在磷酸水溶液的化学转化溶液中。并且，在该化学转化溶液中，对多孔质烧结体1实施阳极氧化处理。由此，以覆盖多孔质烧结体1的外表面和内表面的方式例如形成由Ta2O5或者Nb2O5等构成的电介质层2。
接着，形成固态电解质层3(固态电解质层形成工序)。在形成固态电解质层3的工序中，首先，形成内部层31(内部层形成)。首先，将聚合物分散体与溶剂混合。上述聚合物分散体为预先聚合反应了的导电性聚合物颗粒，从导电率的观点考虑能够适当地使用例如由选自聚吡咯、聚噻吩、聚(N-甲基吡咯)、聚(3-甲基噻吩)、聚(3-甲氧基噻吩)、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)的1种或者2种形成的聚合物或者共聚物。并且，从能够更加提高导电性并且提高耐热性的观点考虑，优选聚吡咯、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)。上述溶剂是能够使上述聚合物分散体均匀地分散的物质，例如能够适当地采用水、乙醇、有机溶剂等。由此，能够获得分散体液。接着，将形成有电介质层2的多孔质烧结体1浸渍在上述分散体液中，之后提起。接着，通过使上述分散体液例如进行干燥而除去上述溶剂。由此，形成由导电性聚合物构成的内部层31。
接着，形成外部层32(外部层形成)。将形成有内部层31的多孔质烧结体1分别浸渍在已知的氧化剂和单体溶液中，接着提起之后使其干燥。由此，产生化学聚合反应。然后，根据需要进行清洗和再化学转化处理。由此，形成由导电性聚合物构成的外部层32。或者，也可以使用涂布含有单体和掺杂剂的电解质液，并通过流通电流形成由导电性聚合物构成的外部层32的电解聚合法。
接着，形成阴极层4(阴极层形成工序)。首先，形成基底层41(基底层形成)。基底层41的形成，例如使多孔质烧结体1浸渍在石墨和有机溶剂的溶液中，接着提起之后进行干燥或者烧制。接着，形成上层42(上层形成)。上层42的形成例如使多孔质烧结体1浸渍在Ag填料和有机溶剂的溶液中，接着提起之后进行干燥或者烧制。由此，形成上层42，得到阴极层4。通过以上，如图8所示，形成电容器元件100。
接着，将成为阳极导通部件6和阴极导通部件7的材料接合在电容器元件100(接合工序)。首先，将成为阳极导通部件6的中间部61的母材与阳极导线11进行熔接。然后，将该母材切断为规定的大小。切断为规定的大小的母材成为中间部61。接着，将阳极导线11切断为规定的长度。接着，如图9所示，将中间部61接合于成为阳极导通部件6的露出部62的引线框96，将电容器元件100(阴极层4)接合于成为阴极导通部件7的引线框97。引线框97与阴极层4通过银膏等的导电性接合材料71而接合。
接着，形成保护膜8(保护膜形成工序)。保护膜8的形成例如使接合了引线框96、97和中间部61的电容器元件100浸渍在含氟的聚合物分散体与溶剂混合而成的分散体液中，接着提起之后进行干燥或者烧制。由此，如图10所示，在电容器元件100、引线框96、97和中间部61形成保护膜8。保护膜8通过将分散体液通过喷涂来进行涂布，并进行干燥或者烧制而形成。
接着，例如利用传递模塑法等，形成密封树脂5(密封树脂形成工序)。并且，切除并除去引线框96、97的不需要的部分。经过以上的工序，能够获得图1～图4所示的固态电解电容器A1。
接着，关于固态电解电容器A1的作用进行说明。
依据本实施方式，保护膜8的玻璃化转变点为40～50℃，与回流焊处理时的温度相比充分低。因此，与阴极层4相接触的保护膜8在回流焊处理时软化，缓和了使固态电解质层3与阴极层4之间产生皲裂的应力。由此，能够抑制固态电解质层3与阴极层4之间的皲裂的产生。因此，能够抑制由于固态电解质层3与阴极层4之间的皲裂导致的固态电解质层3的劣化。另外，在回流焊处理时在密封树脂5产生了皲裂5a的情况下，软化了的保护膜8的一部分8a流入该皲裂5a，能够堵塞皲裂5a(参照图5)。由此，能够抑制水分从皲裂5a的侵入，所以能够抑制固态电解质层3的劣化。
依据本实施方式，由不含Si而含有氟的聚合物构成的保护膜8覆盖电容器元件100。保护膜8具有一定程度的防水性。由此，与没有形成保护膜8的情况相比较，能够抑制水分侵入到固态电解质层3与阴极层4之间产生的皲裂中。由此，能够抑制固态电解质层3的劣化。另外，与没有形成保护膜8的情况相比较，能够抑制多孔质烧结体1的细孔15中含有的水分的量。由此，能够抑制由于回流焊处理时的水分的膨胀导致的密封树脂5的皲裂5a的发生。另外，保护膜8因为不含Si，能够抑制多孔质烧结体1的细孔15中含有的水分的量变得太少。
在本实施方式中，关于保护膜8由含有氟并且不含Si的聚合物构成的情况进行了说明，但本发明并不限定于此。如果保护膜8玻璃化转变点为180℃以下，则也可以是其他的构成。在该情况下，保护膜8在回流焊处理时软化，缓和使固态电解质层3与阴极层4之间产生皲裂的应力，因此能够抑制固态电解质层3与阴极层4之间的皲裂的发送。因此，能够抑制由于固态电解质层3与阴极层4之间的皲裂导致的固态电解质层3的劣化。另外，在回流焊处理时在密封树脂5中产生了皲裂5a的情况下，软化了的保护膜8的一部分8a流入该皲裂5a，能够堵塞皲裂5a(参照图5)。由此，能够抑制水分从皲裂5a的侵入，因此能够抑制固态电解质层3的劣化。
图11～图16表示本发明的另一实施方式。在这些图中，对与上述实施方式相同或者类似的要素，标注与上述实施方式相同的附图标记。
图11是表示第二实施方式的固态电解电容器的截面图，是与图2对应的图。本实施方式的固态电解电容器A2中，保护膜8覆盖电容器元件100，但没有覆盖阳极导通部件6和阴极导通部件7这一点与上述第一实施方式不同。
在本实施方式中，保护膜8覆盖电容器元件100的大部分。具体而言，保护膜8覆盖多孔质烧结体1的整体，以及阳极导线11的从多孔质烧结体1突出的部分之中的与多孔质烧结体1相邻的一部分。阳极导线11的根端部分11a(x方向的相反侧的端部)没有被保护膜8覆盖。根端部分11a也可以被保护膜8覆盖。保护膜8在多孔质烧结体1的与面1a和4个面1b重叠的部分与阴极层4接触，并且在多孔质烧结体1的与面1c重叠的部分与固态电解质层3接触。即，保护膜8形成于多孔质烧结体1的各面之中的形成有阴极层4的面1a和4个面1b的整面，覆盖阴极层4的整面。另外，保护膜8也存在于电容器元件100与阴极导通部件7之间。保护膜8具有绝缘性，厚度为1μm以下的情况下，能够进行阴极层4与阴极导通部件7之间的使用的导通。
接着，关于固态电解电容器A2的制造方法的一例参照图12～图14在以下进行说明。关于与第一实施方式的固态电解电容器A1的制造方法同样的工序，省略说明。图12是表示固态电解电容器A2的制造方法的流程的图。图13和图14均为表示固态电解电容器A2的制造方法的工序的截面图，是与图2对应的图。
如图12所示，固态电解电容器A2的制造方法，在接合工序之前实施保护膜形成工序这一点，与第一实施方式的固态电解电容器A1的制造方法不同。
关于多孔质烧结体形成工序、电介质层形成工序、固态电解质层形成工序和阴极层形成工序，与第一实施方式的制造方法相同，因此省略说明。通过这些工序形成电容器元件100。
接着，形成保护膜8(保护膜形成工序)。保护膜8的形成，例如使电容器元件100浸渍在含有氟的聚合物分散体和溶剂混合而成的分散体液中，接着提起之后进行干燥或者烧制。在将电容器元件100浸渍在分散体液中时，使阳极导线11的根端部分11a不浸渍在分散体液中。由此，如图13所示，在电容器元件100之中的除根端部分11a以外的部分形成保护膜8。保护膜8也可以利用喷涂来涂布分散体液，并且进行干燥或者烧制而形成。另外，在电容器元件100形成了保护膜8之后，可以将接合阴极导通部件7的区域中所形成的保护膜8除去。
接着，在形成有保护膜8的电容器元件100接合成为阳极导通部件6和阴极导通部件7的材料(接合工序)。首先，将成为阳极导通部件6的中间部61的母材与阳极导线11进行熔接。然后，将该母材切断为规定的大小。切断为规定的大小的母材成为中间部61。接着，将阳极导线11切断为规定的长度。接着，如图14所示，在成为阳极导通部件6的露出部62的引线框96接合中间部61，在成为阴极导通部件7的引线框97接合电容器元件100(阴极层4)。引线框97与阴极层4通过银膏等的导电性接合材71而接合。
接着，利用例如传递模塑法等，形成密封树脂5(密封树脂形成工序)。并且，切断引线框96、97的不需要的部分并除去。经过以上的工序，能够获得图11所示的固态电解电容器A2。
在本实施方式中，保护膜8覆盖电容器元件100，并与阴极层4接触而形成。因此，保护膜8在回流焊处理时软化，缓和使固态电解质层3与阴极层4之间产生皲裂的应力。由此，能够抑制固态电解质层3与阴极层4之间的皲裂的产生。因此，能够抑制由于固态电解质层3与阴极层4之间的皲裂导致的固态电解质层3的劣化。另外，在回流焊处理时，在密封树脂5产生了皲裂5a的情况下，软化了的保护膜8的一部分8a流入该皲裂5a，能够堵塞皲裂5a(参照图5)。由此，能够抑制水分从皲裂5a的侵入，因此能够抑制固态电解质层3的劣化。
在本实施方式中，保护膜8具有防水性。由此，与没有形成保护膜8的情况相比较，能够抑制水分侵入在固态电解质层3与阴极层4之间产生的皲裂。由此，能够抑制固态电解质层3的劣化。另外，与没有形成保护膜8的情况相比较，能够抑制多孔质烧结体1的细孔15中含有的水分的量。由此，能够抑制在回流焊处理时的水分的膨胀导致的密封树脂5的皲裂5a的发生。另外，保护膜8因为不含，所以能够抑制多孔质烧结体1的细孔15中含有的水分的量变得太少。
图15是表示第三实施方式的固态电解电容器的截面图，是与图2对应的图。本实施方式的固态电解电容器A3，在电容器元件100之中的与多孔质烧结体1的面1c对应的面没有形成保护膜8这一点，与上述的第二实施方式不同。
在本实施方式中，保护膜8仅形成在电容器元件100之中的与多孔质烧结体1的面1a和4个面1b对应的面。电容器元件100之中的与多孔质烧结体1的面1c对应的面和阳极导线11没有被保护膜8覆盖。保护膜8形成在多孔质烧结体1的形成有阴极层4的全部的面，在这些面中与阴极层4接触。
在本实施方式中，保护膜8形成于多孔质烧结体1的形成有阴极层4的全部的面，在这些面中与阴极层4接触。保护膜8因为在回流焊处理时软化，缓和了使固态电解质层3与阴极层4之间产生皲裂的应力，所以能够抑制固态电解质层3与阴极层4之间的皲裂的发生。因此，能够抑制由于固态电解质层3与阴极层4之间的皲裂导致的固态电解质层3的劣化。另外，密封树脂5较薄地形成，容易发生皲裂5a，保护膜8形成在与多孔质烧结体1的面1a和4个面1b对应的面。因此，在回流焊处理时，在密封树脂5中产生了皲裂5a的情况下，软化了的保护膜8的一部分8a流入该皲裂5a中，能够堵塞皲裂5a(参照图5)。由此，能够抑制水分从皲裂5a的侵入，因此能够抑制固态电解质层3的劣化。此外，保护膜8没有形成在与多孔质烧结体1的面1c对应的面，因为与该面接触的保护膜8较厚地形成，所以不容易发生皲裂5a。
在本实施方式中，因为保护膜8形成在与多孔质烧结体1的面1a和4个面1b对应的面，所以与没有形成保护膜8的情况相比较，能够抑制水分侵入到在固态电解质层3与阴极层4之间产生的皲裂中。由此，能够抑制固态电解质层3的劣化。另外，与没有形成保护膜8的情况相比较，能够抑制多孔质烧结体1的细孔15中含有的水分的量。由此，能够抑制由于回流焊处理时的水分的膨胀导致的密封树脂5的皲裂5a的发生。另外，保护膜8因为不含Si，所以能够抑制多孔质烧结体1的细孔15中含有的水分的量变得太少。
在本实施方式中，关于保护膜8形成于与多孔质烧结体1的面1b对应的面的整面的情况进行了说明，但本发明并不限定于此。例如图16所示，保护膜8也可以在与多孔质烧结体1的面1b对应的面的一部分(图16中x方向的相反侧的一部分)没有形成。在该情况下，保护膜8在回流焊处理时软化，能够一定程度缓和使固态电解质层3与阴极层4之间产生皲裂的应力。另外，在密封树脂5的与保护膜8重叠的部分产生了皲裂5a的情况下，保护膜8的一部分流入该皲裂5a中而能够将其堵塞。另外，与没有形成保护膜8的情况相比较，保护膜8能够抑制水分侵入在固态电解质层3与阴极层4之间产生的皲裂中，并且能够抑制多孔质烧结体1的细孔15中含有的水分的量。
本发明的固态电解电容器并不限于上述的实施方式。本发明的固态电解电容器的各部的具体的结构能够自由地进行各种设计变更。
附记1.
一种固态电解电容器，其包括：
由阀金属构成的多孔质烧结体；
阳极导线，其一部分进入上述多孔质烧结体中，并且从上述多孔质烧结体突出；
形成于上述多孔质烧结体的电介质层；
形成于上述电介质层的固态电解质层；
形成于上述固态电解质层的阴极层；和
至少一部分形成于上述阴极层的保护膜，
上述保护膜的玻璃化转变点为180℃以下。
附记2.
附记1记载的固态电解电容器中，
上述保护膜的玻璃化转变点为110℃以下。
附记3.
附记2记载的固态电解电容器中，
上述保护膜的玻璃化转变点为35～85℃。
附记4.
附记3记载的固态电解电容器中，
上述保护膜的玻璃化转变点为35～50℃。
附记5.
一种固态电解电容器，其包括：
由阀金属构成的多孔质烧结体；
阳极导线，其一部分进入上述多孔质烧结体中，并且从上述多孔质烧结体突出；
形成于上述多孔质烧结体的电介质层；
形成于上述电介质层的固态电解质层；
形成于上述固态电解质层的阴极层；和
至少一部分形成于上述阴极层的保护膜，
上述保护膜由含有氟的聚合物构成。
附记6.
附记5记载的固态电解电容器中，
上述保护膜不含Si。
附记7.
附记5或6记载的固态电解电容器中，
上述保护膜具有碳数为6的全氟烷基(C6F13-R)，并且由热分解温度为200℃～300℃的聚合物构成。
附记8.
附记1至7中任一项记载的固态电解电容器中，
上述保护膜的厚度为0.01～5μm。
附记9.
附记8记载的固态电解电容器中，
上述保护膜的厚度为0.1～2μm。
附记10.
附记1至9中任一项记载的固态电解电容器中，
还包括：
接合于上述阳极导线的阳极导通部件；和
接合于上述阴极层的阴极导通部件。
附记11.
附记10记载的固态电解电容器中，
上述保护膜的至少一部分形成于上述阳极导通部件和上述阴极导通部件。
附记12.
附记10记载的固态电解电容器中，
上述保护膜的至少一部分存在于上述阴极层与上述阴极导通部件之间。
附记13.
附记12记载的固态电解电容器中，
上述保护膜覆盖上述阴极层的整面。
附记14.
附记10至13中任一项记载的固态电解电容器中，
还包括覆盖上述多孔质烧结体和上述阳极导线的整体的密封树脂，
上述阳极导通部件被上述密封树脂覆盖，并且具有接合于上述阳极导线的中间部和形成为板状部件并接合于上述中间部的露出部，
上述阴极导通部件为板状部件，
上述露出部的一部分和上述阴极导通部件的一部分从上述密封树脂露出而构成外部端子。
附记15.
附记1至14中任一项记载的固态电解电容器中，
上述多孔质烧结体为长方体形状。
附记16.
附记1至15中任一项记载的固态电解电容器中，
上述多孔质烧结体由Ta或者Nb构成。
附图标记的说明
A1～A3：固态电解电容器
100：电容器元件
1：多孔质烧结体
1a、1b、1c：面
15：细孔
11：阳极导线
11a：根端部分
2：电介质层
3：固态电解质层
31：内部层
32：外部层
4：阴极层
41：基底层
42：上层
5：密封树脂
5a：皲裂
6：阳极导通部件
6a：外部阳极端子
61：中间部
62：露出部
7：阴极导通部件
7a：外部阴极端子
71：导电性接合材
8：保护膜
92：导线材料
93：多孔质体
96、97：引线框

Claims (13)

1.一种固态电解电容器，其特征在于，所述固态电解电容器包括：
由阀金属构成的多孔质烧结体；
阳极导线，所述阳极导线的一部分进入所述多孔质烧结体中，并且从所述多孔质烧结体突出；
形成于所述多孔质烧结体的电介质层；
形成于所述电介质层的固态电解质层；
形成于所述固态电解质层的阴极层；和
至少一部分形成于所述阴极层的保护膜，其中，所述保护膜不含Si且包括含全氟烷基的聚合物，其中，所述全氟烷基是具有碳数为6且化学式为C6F13-R的全氟烷基，并且所述聚合物的热分解温度为200℃～300℃；
其中，所述固态电解电容器还包括：接合于所述阴极层的阴极导通部件，所述保护膜的至少一部分存在于所述阴极层与所述阴极导通部件之间。
2.根据权利要求1所述的固态电解电容器，其特征在于，所述保护膜的玻璃化转变点为180℃以下。
3.根据权利要求2所述的固态电解电容器，其特征在于，所述保护膜的玻璃化转变点为110℃以下。
4.根据权利要求3所述的固态电解电容器，其特征在于，所述保护膜的玻璃化转变点为35℃至85℃。
5.根据权利要求4所述的固态电解电容器，其特征在于，所述保护膜的玻璃化转变点为35℃至50℃。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的固态电解电容器，其特征在于，
所述保护膜的厚度为0.01～5μm。
7.根据权利要求6所述的固态电解电容器，其特征在于，
所述保护膜的厚度为0.1～2μm。
8.根据权利要求1～5和7中任一项所述的固态电解电容器，其特征在于，所述固态电解电容器还包括：接合于所述阳极导线的阳极导通部件。
9.根据权利要求8所述的固态电解电容器，其特征在于：
所述保护膜的至少一部分形成于所述阳极导通部件和所述阴极导通部件。
10.根据权利要求1所述的固态电解电容器，其特征在于：
所述保护膜覆盖所述阴极层的整面。
11.根据权利要求8所述的固态电解电容器，其特征在于：
所述固态电解电容器还包括覆盖所述多孔质烧结体和所述阳极导线的整体的密封树脂，
其中，所述阳极导通部件被所述密封树脂覆盖，并且具有接合于所述阳极导线的中间部，和形成为板状部件并接合于所述中间部的露出部，
所述阴极导通部件为板状部件，
所述露出部的一部分和所述阴极导通部件的一部分从所述密封树脂露出而构成外部端子。
12.根据权利要求1～5、7和9～11中任一项所述的固态电解电容器，其特征在于，
所述多孔质烧结体为长方体形状。
13.根据权利要求1～5、7和9～11中任一项所述的固态电解电容器，其特征在于，
所述多孔质烧结体由Ta或者Nb构成。
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