JP2010267778A - ニオブ固体電解コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】耐電圧が高く、ESRを低減することができるニオブ固体電解コンデンサ及びその製造方法を得る。
【解決手段】ニオブまたはニオブ合金からなる陽極2と、陽極2の表面上に形成される誘電体層3と、誘電体層3の上に形成される導電性高分子層5と、導電性高分子層5上に形成される陰極層6とを備えるニオブ固体電解コンデンサにおいて、誘電体層3の厚さが75nm以上であり、誘電体層3と導電性高分子層5の間にエポキシ系シランの層4が設けられていることを特徴としている。
【選択図】図1
【解決手段】ニオブまたはニオブ合金からなる陽極2と、陽極2の表面上に形成される誘電体層3と、誘電体層3の上に形成される導電性高分子層5と、導電性高分子層5上に形成される陰極層6とを備えるニオブ固体電解コンデンサにおいて、誘電体層3の厚さが75nm以上であり、誘電体層3と導電性高分子層5の間にエポキシ系シランの層4が設けられていることを特徴としている。
【選択図】図1
Description
本発明は、ニオブまたはニオブ合金からなる陽極を用いたニオブ固体電解コンデンサ及びその製造方法に関するものである。
陽極にタンタルを用い、電解質に導電性高分子を用いたタンタル固体電解コンデンサは、等価直列抵抗(ESR)及び漏れ電流が小さいという特徴がある。このため、タンタル固体電解コンデンサは、ゲーム機、携帯電話等の携帯機器に広く使用されている。一方、小型電子機器等の普及に伴い、固体電解コンデンサの高性能化が求められている。
ニオブは、その酸化物(Nb2O5)の比誘電率がタンタル固体電解コンデンサの誘電体である酸化タンタル(Ta2O5)の比誘電率と比べて、約1.5倍大きい。そのため、ニオブは高容量化が可能な次世代の陽極材料として注目されている。
しかしながら、ニオブを陽極として用い、酸化ニオブ(Nb2O5)を誘電体として用いたニオブ固体電解コンデンサは、漏れ電流が大きく、十分な耐電圧が得られておらず、本格的な実用化には至っていない。この漏れ電流が大きい理由としては、ニオブの場合、陽極酸化時の電圧を増大して酸化膜を厚く形成しようとしても、酸化膜形成時に生成される欠陥が電圧の増大とともに顕著になることが考えられる。
この問題を解決するため、特許文献1においては、ニオブの酸化皮膜からなる誘電体層と、その表面におけるシランカップリング剤の反応によって形成される中間層と、この中間層の表面にポリスチレンスルホン酸層とを形成することで、リフロー後の漏れ電流の増大を抑制する技術が提案されている。しかしながら、本発明者らが検討を行った結果、この技術を用いても耐電圧を十分に高くできず、同時にESRの増大を招いてしまうということがわかった。
本発明の目的は、耐電圧が高く、かつESRの小さいニオブ固体電解コンデンサ及びその製造方法を提供することにある。
ニオブまたはニオブ合金からなる陽極と、陽極の表面上に形成される誘電体層と、誘電体層の上に形成される導電性高分子層と、導電性高分子層上に形成される陰極層とを備えるニオブ固体電解コンデンサにおいて、誘電体層の厚さが75nm以上であり、誘電体層と導電性高分子層の間にエポキシ系シランの層が設けられていることを特徴としている。
本発明に従い、誘電体層の厚さを75nm以上とし、かつ誘電体層と導電性高分子層の間にエポキシ系シランの層を設けることにより、誘電体層と導電性高分子層との間の密着性が良好となり、耐電圧を向上させることができ、かつESRを低減させることができる。
本発明において用いるエポキシ系シランとは、分子内にエポキシ基を有する有機シランである。このようなものとして、エポキシ基を有するシランカップリング剤が挙げられる。
本発明において用いるエポキシシランとしては、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランが特に好ましく用いられる。
本発明における導電性高分子層は、固体電解コンデンサの固体電解質として用いることができる導電性高分子から形成されているものであれば、特に限定されるものではないが、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン等の導電性高分子層を用いることができる。特に、本発明における導電性高分子層は、ポリピロールから形成することが好ましい。
本発明の製造方法は、上記本発明のニオブ固体電解コンデンサを製造することができる方法であり、陽極を作製する工程と、陽極の表面を酸化して誘電体層を形成する工程と、誘電体層を形成した陽極をエポキシ系シランの溶液に浸漬することにより、誘電体層の上にエポキシ系シランの層を形成する工程と、エポキシ系シランの層の上に導電性高分子層を形成する工程と、導電性高分子層の上に陰極層を形成する工程とを備えている。
本発明の製造方法によれば、誘電体層と導電性高分子層との間の密着性が良好であり、耐電圧が高く、かつESRが低減されたニオブ固体電解コンデンサを、効率良く製造することができる。
本発明によれば、耐電圧が高く、かつESRの小さいニオブ固体電解コンデンサとすることができる。
本発明の製造方法によれば、耐電圧が高く、かつESRの小さいニオブ固体電解コンデンサを効率良く製造することができる。
以下、本発明を実施形態に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施形態に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において、適宜変更して実施することが可能なものである。
図1は、本発明の一実施形態の固体電解コンデンサを示す模式的断面図である。
図1に示すように、陽極2には、陽極リード1が埋設されている。陽極2は、ニオブまたはニオブ合金からなる粉末を成形し、この成形体を焼結することにより作製されている。従って、陽極2は、多孔質体から形成されている。図1において図示されていないが、この多孔質体には、その内部から外部に連通する微細な孔が多数形成されている。このように作製された陽極2は、本実施形態において、外形が略直方体になるように作製されている。
陽極2は、上述のように、ニオブまたはニオブ合金から形成される。ニオブ合金としては、例えば、ニオブとタンタル等の2種以上の弁作用金属同士の合金や、ニオブと弁作用金属以外の他の金属との合金が挙げられる。この場合、ニオブは50原子%以上合金中に含有されていることが好ましい。ニオブ合金における他の弁作用金属としては、例えば、タンタル、チタン、アルミニウム、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。
陽極2の表面上には、誘電体層3が形成されている。誘電体層3は、陽極2の孔の表面にも形成されている。図1においては、陽極2の外周側に形成された誘電体層3を模式的に示しており、上述の多孔質体の孔の表面に形成された誘電体層は図示していない。誘電体層3は、陽極2を陽極酸化などで酸化することにより形成することができる。
本発明において、誘電体層3の膜厚は75nm以上である。誘電体層3の膜厚が75nm未満であると、耐電圧が高く、かつESRを低減することができる固体電解コンデンサとすることができない。誘電体層3の膜厚は、75nm〜200nmの範囲であることが好ましい。誘電体層3の膜厚が厚くなりすぎると、陽極酸化の際に高い電圧を長時間印加する必要があり、固体電解コンデンサを効率良く製造することができない場合がある。
誘電体層3の膜厚を75nm以上となるように形成するには、リン酸水溶液などの電解液中に陽極2を浸漬し陽極酸化する際、30V以上の電圧を印加することが好ましい。さらに好ましくは、30V〜80Vの範囲の電圧を印加することが好ましい。
誘電体層3の表面には、エポキシ系シランの層4が形成されている。エポキシ系シランの層4は、誘電体層3を形成した陽極2を、エポキシ系シランの溶液中に浸漬した後取り出し、乾燥させることにより形成することができる。エポキシ系シランの層4は、陽極2の孔の表面上の誘電体層3の上にも形成されている。なお、図1には、陽極2の孔の表面上のエポキシ系シランの層4は図示していない。
エポキシ系シランの層4の上には、導電性高分子層5が形成されている。導電性高分子層5は、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体などから形成されている。導電性高分子層5は、導電性高分子のモノマーを化学重合や電解重合等により重合することにより形成されている。導電性高分子層5は、陽極2の孔の表面上のエポキシ系シランの層4の上にも形成されている。なお、図1には、陽極2の孔の表面上の導電性高分子層5は図示していない。
導電性高分子層5の上には、カーボン層6aが形成され、カーボン層6aの上には銀層6bが形成されている。カーボン層6aと銀層6bから陰極層6が構成されている。
銀層6bには、導電性接着剤層7を介して、陰極端子9が接続されている。また、陽極リード1には、陽極端子8が接続されている。陽極端子8及び陰極端子9の端部が外部に引き出されるようにモールド外装樹脂10が形成されている。
本実施形態においては、誘電体層3と導電性高分子層5の間に、エポキシ系シランの層4が設けられている。誘電体層3の厚さを75nm以上とし、エポキシ系シランの層4を誘電体層3と導電性高分子層5との間に設けることにより、誘電体層3と導電性高分子層5との間の密着性を改善することができる。そのため、耐電圧を向上させることができ、かつESRを低減することができる。
以下、具体的な実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない限りにおいて、適宜変更して実施することが可能なものである。
<実験1>
(実施例1)
〔ステップ1〕
平均粒子径が約2μmのニオブ粉末を約1400℃で焼結させることにより、ニオブ金属リード線を陽極リードとして埋設させた多孔質焼結体からなる陽極2を形成した。
(実施例1)
〔ステップ1〕
平均粒子径が約2μmのニオブ粉末を約1400℃で焼結させることにより、ニオブ金属リード線を陽極リードとして埋設させた多孔質焼結体からなる陽極2を形成した。
〔ステップ2〕
ステップ1で作製した陽極2を、40℃に保持した0.1重量%リン酸水溶液中に浸漬し、陽極に30Vの定電圧を10時間印加することにより、陽極2の表面を陽極酸化させ、ニオブ酸化物を主成分とする誘電体層3を形成した。形成した誘電体層3の厚みを、以下のようにして測定した。誘電体層3を形成した陽極をディスクソーで切断し、その切断面をアルゴンイオンミリングで研磨することにより形成した研磨断面を、走査型電子顕微鏡で観察した。図2は、多孔質焼結体からなる陽極2と誘電体層3を示した模式的な断面図である。図2に示すように、誘電体層3の厚みtとして、多孔質焼結体からなる陽極2の表面から誘電体層3の表面までの距離を測定した。具体的には、陽極2と誘電体層3の界面からエポキシシランの層が形成される誘電体層3の表面までの距離を測定した。任意の5点について誘電体層の厚さtを測定し、それらの平均値を誘電体層3の厚さとした。本実施例においては、誘電体層の膜厚は75nmであった。
ステップ1で作製した陽極2を、40℃に保持した0.1重量%リン酸水溶液中に浸漬し、陽極に30Vの定電圧を10時間印加することにより、陽極2の表面を陽極酸化させ、ニオブ酸化物を主成分とする誘電体層3を形成した。形成した誘電体層3の厚みを、以下のようにして測定した。誘電体層3を形成した陽極をディスクソーで切断し、その切断面をアルゴンイオンミリングで研磨することにより形成した研磨断面を、走査型電子顕微鏡で観察した。図2は、多孔質焼結体からなる陽極2と誘電体層3を示した模式的な断面図である。図2に示すように、誘電体層3の厚みtとして、多孔質焼結体からなる陽極2の表面から誘電体層3の表面までの距離を測定した。具体的には、陽極2と誘電体層3の界面からエポキシシランの層が形成される誘電体層3の表面までの距離を測定した。任意の5点について誘電体層の厚さtを測定し、それらの平均値を誘電体層3の厚さとした。本実施例においては、誘電体層の膜厚は75nmであった。
〔ステップ3〕
ステップ2で作製した陽極を、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを1.0重量%含有する水溶液中に5分間浸漬した。この際、溶媒である水は予め硫酸によりpH4に調整して使用した。5分間浸漬した後、取り出し、100℃で10分間乾燥することにより、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランからなるエポキシシランの層を誘電体層の上に形成した。
ステップ2で作製した陽極を、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを1.0重量%含有する水溶液中に5分間浸漬した。この際、溶媒である水は予め硫酸によりpH4に調整して使用した。5分間浸漬した後、取り出し、100℃で10分間乾燥することにより、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランからなるエポキシシランの層を誘電体層の上に形成した。
〔ステップ4〕
ステップ3で作製した陽極のエポキシ系シランの層の上に、化学重合等によりポリピロールからなる導電性高分子層を形成した。
ステップ3で作製した陽極のエポキシ系シランの層の上に、化学重合等によりポリピロールからなる導電性高分子層を形成した。
〔ステップ5〕
ステップ4で作製した陽極の導電性高分子層の上に、カーボンペーストを塗布した後乾燥しカーボン層を形成した。また、カーボン層の上に銀ペーストを塗布した後乾燥し、銀層を形成した。以上のようにして、導電性高分子層の上に、カーボン層及び銀層からなる陰極層を形成した。
ステップ4で作製した陽極の導電性高分子層の上に、カーボンペーストを塗布した後乾燥しカーボン層を形成した。また、カーボン層の上に銀ペーストを塗布した後乾燥し、銀層を形成した。以上のようにして、導電性高分子層の上に、カーボン層及び銀層からなる陰極層を形成した。
〔ステップ6〕
ステップ5で作製した陽極の陰極層の上に、導電性接着剤層を介して陰極端子を接続するとともに、陽極リードに陽極端子を接続した。次に、陽極端子及び陰極端子の端部が外部に引き出されるようにモールド外装樹脂を形成し、固体電解コンデンサA1を作製した。
ステップ5で作製した陽極の陰極層の上に、導電性接着剤層を介して陰極端子を接続するとともに、陽極リードに陽極端子を接続した。次に、陽極端子及び陰極端子の端部が外部に引き出されるようにモールド外装樹脂を形成し、固体電解コンデンサA1を作製した。
(実施例2)
実施例1のステップ2において、40Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサA2を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が100nmであった。
実施例1のステップ2において、40Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサA2を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が100nmであった。
(実施例3)
実施例1のステップ2において、50Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサA3を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が125nmであった。
実施例1のステップ2において、50Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサA3を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が125nmであった。
(実施例4)
実施例1のステップ2において、60Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサA4を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が150nmであった。
実施例1のステップ2において、60Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサA4を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が150nmであった。
(実施例5)
実施例1のステップ2において、70Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサA5を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が175nmであった。
実施例1のステップ2において、70Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサA5を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が175nmであった。
(実施例6)
実施例1のステップ2において、80Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサA6を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が200nmであった。
実施例1のステップ2において、80Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサA6を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が200nmであった。
(比較例1)
実施例1のステップ2において、10Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサX1を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が25nmであった。
実施例1のステップ2において、10Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサX1を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が25nmであった。
(比較例2)
実施例1のステップ2において、15Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサX2を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が38nmであった。
実施例1のステップ2において、15Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサX2を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が38nmであった。
(比較例3)
実施例1のステップ2において、20Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサX3を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が50nmであった。
実施例1のステップ2において、20Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサX3を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が50nmであった。
(比較例4)
実施例1のステップ2において、25Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサX4を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が63nmであった。
実施例1のステップ2において、25Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサX4を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が63nmであった。
(比較例5)
実施例1のステップ2において、10Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサY1を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が25nmであった。
実施例1のステップ2において、10Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサY1を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が25nmであった。
(比較例6)
実施例1のステップ2において、15Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサY2を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が38nmであった。
実施例1のステップ2において、15Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサY2を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が38nmであった。
(比較例7)
実施例1のステップ2において、20Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサY3を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が50nmであった。
実施例1のステップ2において、20Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサY3を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が50nmであった。
(比較例8)
実施例1のステップ2において、25Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサY4を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が63nmであった。
実施例1のステップ2において、25Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサY4を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が63nmであった。
(比較例9)
実施例1のステップ2において、30Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサY5を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が75nmであった。
実施例1のステップ2において、30Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサY5を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が75nmであった。
(比較例10)
実施例1のステップ2において、40Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサY6を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が100nmであった。
実施例1のステップ2において、40Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサY6を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が100nmであった。
(比較例11)
実施例1のステップ2において、50Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサY7を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が125nmであった。
実施例1のステップ2において、50Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサY7を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が125nmであった。
(比較例12)
実施例1のステップ2において、60Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサY8を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が150nmであった。
実施例1のステップ2において、60Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサY8を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が150nmであった。
(比較例13)
実施例1のステップ2において、70Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサY9を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が175nmであった。
実施例1のステップ2において、70Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサY9を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が175nmであった。
(比較例14)
実施例1のステップ2において、80Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサY10を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が200nmであった。
実施例1のステップ2において、80Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサY10を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が200nmであった。
(比較例15)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、10Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT1を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が16nmであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、10Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT1を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が16nmであった。
(比較例16)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、15Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT2を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が27nmであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、15Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT2を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が27nmであった。
(比較例17)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、20Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT3を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が35nmであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、20Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT3を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が35nmであった。
(比較例18)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、25Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT4を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が42nmであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、25Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT4を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が42nmであった。
(比較例19)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、30Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT5を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が50nmであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、30Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT5を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が50nmであった。
(比較例20)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、40Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT6を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が68nmであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、40Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT6を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が68nmであった。
(比較例21)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、50Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT7を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が85nmであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、50Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT7を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が85nmであった。
(比較例22)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、60Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT8を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が102nmであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、60Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT8を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が102nmであった。
(比較例23)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、70Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT9を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が120nmであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、70Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT9を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が120nmであった。
(比較例24)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、80Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT10を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が135mであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、80Vの定電圧で陽極酸化したこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT10を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が135mであった。
(比較例25)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、10Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT11を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が16nmであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、10Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT11を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が16nmであった。
(比較例26)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、15Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT12を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が27nmであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、15Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT12を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が27nmであった。
(比較例27)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、20Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT13を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が35nmであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、20Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT13を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が35nmであった。
(比較例28)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、25Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT14を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が42nmであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、25Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT14を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が42nmであった。
(比較例29)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、30Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT15を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が50nmであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、30Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT15を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が50nmであった。
(比較例30)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、40Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT16を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が68nmであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、40Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT16を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が68nmであった。
(比較例31)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、50Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT17を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が85nmであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、50Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT17を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が85nmであった。
(比較例32)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、60Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT18を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が102nmであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、60Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT18を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が102nmであった。
(比較例33)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、70Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT19を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が120nmであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、70Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT19を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が120nmであった。
(比較例34)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、80Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT20を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が135nmであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、80Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3を行わなかったこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT20を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が135nmであった。
〔評価方法〕
上記各実施例及び各比較例の固体電解コンデンサについて、耐電圧及びESRを測定した。
上記各実施例及び各比較例の固体電解コンデンサについて、耐電圧及びESRを測定した。
耐電圧は、各固体電解コンデンサそれぞれ20個の素子について、固体電解コンデンサに印加する電圧を一定の割合(1V/sec)で上昇させ、短絡した時点の電圧(20個の素子の平均値)を耐電圧の値とした。
ESRは、周波数100kHzでLCRメーターを用い、20個の素子の平均値を求めた。測定結果を表1に示す。なお、ESRの値は、陽極をニオブから作製した固体電解コンデンサA1〜A6、X1〜X4及びY1〜Y10については、固体電解コンデンサY1のESR値を100とした相対値を、陽極をタンタルから作製した固体電解コンデンサT1〜T20については、固体電解コンデンサT11のESR値を100とした相対値を用いた。
本発明に従う実施例の固体電解コンデンサA1〜A6と、比較の固体電解コンデンサX1〜X4との比較から明らかなように、本発明に従い、誘電体層の厚さを75nm以上とすることにより、耐電圧を向上させることができ、ESRを低減することができる。
また、実施例の固体電解コンデンサA1〜A6と、エポキシ系シランの層を形成していない比較の固体電解コンデンサY1〜Y10との比較から明らかなように、誘電体層と導電性高分子層の間にエポキシ系シランの層を設けることにより、耐電圧を向上させることができ、ESRを低減できる。
また、陽極をタンタルから形成した固体電解コンデンサT1〜T20の結果から明らかなように、誘電体層の厚さを75nm以上とし、かつ誘電体層と導電性高分子層の間にエポキシ系シランの層を設けることにより、耐電圧を向上させることができ、ESRを低減することができるという本発明の効果は、陽極がニオブを主成分として形成されている場合に得られる効果であることがわかる。
<実験2>
ここでは、有機シランの種類と耐電圧及びESRとの特性との関係について検討した。
ここでは、有機シランの種類と耐電圧及びESRとの特性との関係について検討した。
(実施例7)
実施例1のステップ2において、50Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3において、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの代わりに2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシランを用いたこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサB1を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が125nmであった。
実施例1のステップ2において、50Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3において、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの代わりに2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシランを用いたこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサB1を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が125nmであった。
(比較例35)
実施例のステップ2において、20Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3において、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの代わりに3−アミノプロピルトリメトキシシランを用いたこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサZ1を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が50nmであった。
実施例のステップ2において、20Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3において、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの代わりに3−アミノプロピルトリメトキシシランを用いたこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサZ1を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が50nmであった。
(比較例36)
実施例のステップ2において、20Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3において、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの代わりに3−メルカプトプロピルトリメトキシシランを用いたこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサZ2を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が50nmであった。
実施例のステップ2において、20Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3において、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの代わりに3−メルカプトプロピルトリメトキシシランを用いたこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサZ2を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が50nmであった。
(比較例37)
実施例のステップ2において、50Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3において、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの代わりに3−アミノプロピルトリメトキシシランを用いたこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサZ3を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が125nmであった。
実施例のステップ2において、50Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3において、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの代わりに3−アミノプロピルトリメトキシシランを用いたこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサZ3を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が125nmであった。
(比較例38)
実施例のステップ2において、50Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3において、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの代わりに3−メルカプトプロピルトリメトキシシランを用いたこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサZ4を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が125nmであった。
実施例のステップ2において、50Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3において、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの代わりに3−メルカプトプロピルトリメトキシシランを用いたこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサZ4を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が125nmであった。
(比較例39)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、20Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3において、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの代わりに3−アミノプロピルトリメトキシシランを用いたこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT21を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が35nmであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、20Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3において、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの代わりに3−アミノプロピルトリメトキシシランを用いたこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT21を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が35nmであった。
(比較例40)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、20Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3において、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの代わりに3−メルカプトプロピルトリメトキシシランを用いたこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT22を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が35nmであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、20Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3において、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの代わりに3−メルカプトプロピルトリメトキシシランを用いたこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT22を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が35nmであった。
(比較例41)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、50Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3において、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの代わりに3−アミノプロピルトリメトキシシランを用いたこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT23を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が85nmであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、50Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3において、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの代わりに3−アミノプロピルトリメトキシシランを用いたこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT23を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が85nmであった。
(比較例42)
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、50Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3において、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの代わりに3−メルカプトプロピルトリメトキシシランを用いたこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT24を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が85nmであった。
実施例1のステップ1において、平均粒子径が約2μmのニオブ粉末の代わりに平均粒子径が約2μmのタンタル粉末を用い、ステップ2において、50Vの定電圧で陽極酸化し、ステップ3において、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの代わりに3−メルカプトプロピルトリメトキシシランを用いたこと以外は同様の方法で固体電解コンデンサT24を作製した。この際、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の膜厚を測定した結果、膜厚が85nmであった。
〔評価方法〕
実験1と同様にして、上記実施例及び各比較例の固体電解コンデンサについて、耐電圧及びESRを測定した。測定結果を表2に示す。なお、表2に示すESRの値は、陽極をニオブから形成した固体電解コンデンサにB1及びZ1〜Z4については、固体電解コンデンサY1のESR値を100とした相対値を、陽極をタンタルから作製した固体電解コンデンサT21〜T24については固体電解コンデンサT11のESR値を100とした相対値を用いた。表2には固体電解コンデンサA3の結果を併せて示す。
実験1と同様にして、上記実施例及び各比較例の固体電解コンデンサについて、耐電圧及びESRを測定した。測定結果を表2に示す。なお、表2に示すESRの値は、陽極をニオブから形成した固体電解コンデンサにB1及びZ1〜Z4については、固体電解コンデンサY1のESR値を100とした相対値を、陽極をタンタルから作製した固体電解コンデンサT21〜T24については固体電解コンデンサT11のESR値を100とした相対値を用いた。表2には固体電解コンデンサA3の結果を併せて示す。
表2に示す結果から明らかなように、有機シランとしてエポキシ系シランを用いた実施例の固体電解コンデンサB1及びA3においてのみ、耐電圧が高く、かつESRを低減することができるという本発明の効果が得られることがわかる。表1に示す固体電解コンデンサT3及びT7と、表2に示す固体電解コンデンサT21〜T24の結果から明らかなように、誘電体層の厚さを75nm以上とし、かつ誘電体層と導電性高分子層の間にエポキシ系シランの層を設けることにより、耐電圧の向上とESRの低減を実現できるという本発明の効果は、陽極がニオブを主成分として形成される場合に得られる効果であることがわかる。
1…陽極リード
2…陽極
3…誘電体層
4…エポキシ系シランの層
5…導電性高分子層
6…陰極層
6a…カーボン層
6b…銀層
7…導電性接着剤層
8…陽極端子
9…陰極端子
10…モールド外装樹脂
2…陽極
3…誘電体層
4…エポキシ系シランの層
5…導電性高分子層
6…陰極層
6a…カーボン層
6b…銀層
7…導電性接着剤層
8…陽極端子
9…陰極端子
10…モールド外装樹脂
Claims (4)
- ニオブまたはニオブ合金からなる陽極と、前記陽極の表面上に形成される誘電体層と、前記誘電体層の上に形成される導電性高分子層と、前記導電性高分子層上に形成される陰極層とを備えるニオブ固体電解コンデンサにおいて、
前記誘電体層の厚さが75nm以上であり、前記誘電体層と前記導電性高分子層の間にエポキシ系シランの層が設けられていることを特徴とするニオブ固体電解コンデンサ。 - 前記エポキシ系シランが、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランであることを特徴とする請求項1に記載のニオブ固体電解コンデンサ。
- 前記導電性高分子層が、ポリピロールから形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載のニオブ固体電解コンデンサ。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載のニオブ固体電解コンデンサを製造する方法であって、
前記陽極を作製する工程と、
前記陽極の表面を酸化して前記誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層を形成した前記陽極をエポキシ系シランの溶液に浸漬することにより、前記誘電体層の上に前記エポキシ系シランの層を形成する工程と、
前記エポキシ系シランの層の上に前記導電性高分子層を形成する工程と、
前記導電性高分子層の上に前記陰極層を形成する工程とを備えることを特徴とするニオブ固体電解コンデンサの製造方法。
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