JP2018502173A - 有機金属溶液に基づいた高解像度パターニング組成物および対応する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2014年10月23日に出願された「Organo−Tin Compounds for Forming High Resolution Radiation Patternable Films,Precursor Compounds and Solutions,and Corresponding Methods(高解像度の放射線パターニング可能な膜、前駆体化合物および溶液を形成するための有機スズ化合物、ならびに対応する方法)」という表題の米国仮特許出願第62/067,552号明細書(Meyerら)と、2015年2月24日に出願された「Organo−Tin Compounds for Forming High Resolution Radiation Patternable Films,Precursor Formulations and Solutions,and Corresponding Methods(高解像度の放射線パターニング可能な膜、前駆体配合物および溶液を形成するための有機スズ化合物、ならびに対応する方法)」という表題の米国仮特許出願第62/119,972号明細書(Meyersら)とに対する優先権を主張し、これらはいずれも参照によって本明細書中に援用される。
膜を約80mJ/cm2以下のEUV線量で曝露するステップと、
膜を現像して、約25nm以下のハーフピッチおよび約5nm以下のライン幅ラフネスでフィーチャを形成するステップと
を含む。
有機金属膜を約15mJ/cm2以下のゲル線量(dose−to−gel)値でEUV放射線に曝露して、少なくとも約6のコントラストを得るステップ
を含む。
式RSnX3(式中、Xは、ハライド原子(F、Cl、BrまたはI)、またはアミド基、またはこれらの組み合わせを表す)を有する前駆体組成物を加水分解するステップを含み、加水分解は、加水分解を実現するために十分な水を用いて実施され、加水分解生成物は、約1重量ppm以下であるスズ以外の金属の個々の濃度を有する。
レジストコーティングを形成するための前駆体溶液は、一般的に、溶媒(一般的には、有機溶媒)中に適切なアルキル安定化配位子を有するスズカチオンを含む。前駆体溶液および最終的なレジストコーティングは金属酸化物化学に基づいており、アルキル配位子を有する金属ポリカチオンの有機溶液は、良好なレジスト特性を有する安定した溶液を提供する。分枝状アルキル配位子は特に改善されたパターニング能力を提供する。
nRCl+Sn→RnSnCl4−n+残渣
4RMgBr+SnCl4→R4Sn+4MgBrCl
3SnCl4+4R3Al→3R4Sn+4AlCl3
R4Sn+SnCl4→2R2SnCl2
式中、Rはアルキ(alky)配位子を表す。一般的に、異なる適切なハライドは、上記反応において置換され得る。反応は、反応物が合理的な溶解度を有する適切な有機溶媒中で実行され得る。
コーティング材料は、選択された基板への前駆体溶液の付着、およびそれに続く加工によって形成される。基板は一般的にコーティング材料が付着され得る表面を示し、そして基板は、表面が最上層に関連している複数の層を含み得る。いくつかの実施形態では、基板表面は、コーティング材料の接着のための表面を作製するために処理することができる。また、必要に応じて表面は清浄化および/または平滑化され得る。適切な基板表面は、任意の合理的な材料を含むことができる。特に興味深いいくつかの基板は、基板の表面にわたっておよび/または層内に、例えば、シリコンウェハ、シリカ基板、例えばセラミック材料のような他の無機材料、ポリマー基板、例えば有機ポリマーなど、これらの複合体、およびこれらの組み合わせを含む。比較的薄い円筒形構造などのウェハが便利であり得るが、任意の合理的な形状の構造を使用することができる。ポリマー基板または非ポリマー構造上にポリマー層を有する基板は、その低コストおよび柔軟性に基づいて、特定の用途のために望ましいことがあり、適切なポリマーは、本明細書に記載されるパターニング可能な材料の加工のために使用され得る比較的低い加工温度に基づいて選択され得る。適切なポリマーは、例えば、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエステル、ポリアルケン、そのコポリマーおよびその混合物を含むことができる。一般に、基板は、特に高解像度用途のために、平坦な表面を有することが望ましい。しかしながら、特定の実施形態では、基板は実質的なトポグラフィを有することがあり、レジストコーティングは、特定のパターニング用途のために、フィーチャを充填または平坦化することが意図される。レジスト材料のこのような機能は、参照によって本明細書中に援用される「Pre−Patterned Hard Mask for Ultrafast Lithographic Imaging(超高速リソグラフィイメージングのためのプレパターン化ハードマスク)」という表題の米国特許出願公開第2015/0253667A1号明細書(Bristolら)に記載されている。
コーティング材料は、放射線を用いて微細にパターン化され得る。上記のように、前駆体溶液の組成、従って対応するコーティング材料の組成は、所望の形態の放射線を十分に吸収するように設計され得る。放射線の吸収は、金属とアルキル配位子との間の結合を破壊できるエネルギーを生じ、その結果、アルキル配位子の少なくとも一部はもはや材料を安定化するために利用できない。アルキル配位子または断片を含む放射線分解生成物は、プロセス変数およびこのような生成物の同一性に応じて膜から拡散してもしなくてもよい。十分な量の放射線の吸収により、曝露されたコーティング材料は凝縮し、すなわち増強された金属オキソ/ヒドロキソネットワークを形成し、これは、周囲大気から吸収された水を含み得る。放射線は、一般に、選択されたパターンに従って送達され得る。放射線パターンは、照射領域および非照射領域を有するコーティング材料において対応するパターンまたは潜像に転写される。照射領域は、化学的に変化されたコーティング材料を含み、非照射領域は一般的に形成されたままのコーティング材料を含む。下記のように、非照射コーティング材料の除去あるいは照射コーティング材料の選択的除去によるコーティング材料の現像の際、非常に鋭いエッジが形成され得る。
画像の現像は、潜像を含むパターン化コーティング材料を現像剤組成物に接触させて、非照射コーティング材料を除去してネガ画像を形成するか、または照射コーティングを除去してポジ画像を形成するかのいずれかを含む。本明細書に記載されるレジスト材料を用いると、一般的には同じコーティングに基づいて適切な現像溶液を用いて、望ましい解像度を有する効果的なネガティブパターニングまたはポジティブパターニングを実施することができる。特に、照射領域は少なくとも部分的に凝縮されて金属酸化物の特性が増大され、その結果、照射材料は有機溶媒による溶解に対して耐性であり、非照射組成物は有機溶媒に可溶性のままである。凝縮したコーティング材料への言及は、材料の酸化物特性が初期材料に対して増大するという意味において少なくとも部分的な凝縮を指す。一方、非照射材料は、材料が疎水性であるために弱い塩基または酸水溶液に溶解しにくく、従って、ポジティブパターニングのために塩基水溶液を使用して、非照射材料を保持しながら照射材料を除去することができる。
パターン化コーティング材料を形成した後、コーティング材料は、選択されたデバイスの形成を容易にするためにさらに加工され得る。さらに、構造を完成させるために、一般的にさらなる材料の付着、エッチングおよび/またはパターニングが実施され得る。コーティング材料は、最終的に除去されてもされなくてもよい。パターン化コーティング材料の品質は、いずれの場合も、改善されたデバイス(例えば、より小さい設置面積を有するデバイスなど)の形成のために前進され得る。
この実施例には、t−ブチルトリス(ジエチルアミド)スズからの加水分解物前駆体溶液の調製が記載される。
この実施例には、i−プロピルスズ三塩化物からの加水分解物前駆体溶液の調製が記載される。
この実施例には、加水分解物前駆体からのフォトレジスト溶液の調製が記載される。
この実施例は、極紫外放射線曝露によるネガ型画像形成に基づいたレジストパターンの形成を実証する。分枝状アルキルスズ酸化水酸化物フォトレジストをシリコンウェハ上に被覆し、EUV放射線を用いてネガ型の特徴的なコントラスト曲線を作成した。
この実施例には混合アルキル配位子を含む前駆体溶液の配合が記載されており、パターニングのためのこれらの配合物の有効性は、以下の実施例に記載される。
混合配位子有機スズ酸化水酸化物フォトレジストを用いて、極紫外放射線への曝露によりネガ型パターンを生成した。この実施例は、混合アルキル配位子を有する実施例5からの前駆体溶液を用いるパターニングを研究する。
水反応性前駆体のイソプロピルトリス(ジメチルアミド)スズ(i−PrSn(NMe2)3)を不活性雰囲気下で合成し、続いて、i−PrSnO(3/2−x/2)(OH)x加水分解物を形成するために1)大気中の水分および2)液体H2Oを用いる2つの方法で加水分解した。
気密性シリンジを用いて、23.4g(79.6mmol)のi−プロピルトリス(ジメチルアミド)スズ(i−PrSn(NMe2)3)を150mLのn−ヘキサン(HPLCグレード、>99.5%ヘキサン、>95%n−ヘキサン)に添加して不透明な懸濁液を形成し、これを空気中で5分間撹拌してから、直径150mmの6つのペトリ皿に等体積で注いだ。空気中で1.5時間、溶媒を蒸発させながら懸濁液を大気中の水分と反応させると粗固体が残り、これを回収し、結合させ、真空下で15時間乾燥させて、15.8gの固体加水分解物を得た(化合物3、実施例2)。同じ手順により調製された加水分解物粉末の元素分析(UC Berkeley Microanalytical Facility)は、18.91%C、4.24%H、および0.51%N(質量)の組成物を戻し、ジメチルアミド配位子の実質的な加水分解および得られたアルキルアミンの蒸発と一致した。結果はC3H8O2Snの計算値:18.50%C、4.14%H、0.00%N、および60.94%Sn(質量)と一致する。乾燥空気中の同じサンプルの熱重量分析(図24)は、SnO2への完全分解を仮定して、500℃における残留重量(75.9%)に基づいて、約60%(質量)のSn組成物を示す。同じ分解の質量スペクトル分析(図25)は、−C3H6の存在を示す。まとめると、これらの結果は、i−PrSnSnO(3/2−x/2)(OH)x(式中、x≒1)の経験的な組成、および少量の残留ジメチルアミドの存在の可能性と一致する。
気密性シリンジを用いて、1.0g(3.4mmol)のi−プロピルトリス(ジメチルアミド)スズ(i−PrSn(NMe2)3)を、激しく撹拌しながら直接15mLのDI H2O(18.2MΩ)に迅速に添加してスラリーを形成し、これをさらに60分間撹拌した。次に、このスラリーを0.7μmのフィルタにより真空ろ過し、保持された固体を10mLのDI H2Oで洗浄した。次に、固体を回収し、16時間真空乾燥させて、0.7gの固体加水分解物を得た。同じ手順で調製された加水分解物粉末において乾燥空気中で実施された熱重量分析(図26)は、同様に、3(実施例2)のi−PrSnSnO(3/2−x/2)(OH)x(式中、x≒1)の経験的な組成と一致する。3のSnO2への完全分解に基づいて予測されるように、段階的な脱水(50〜175℃、約95.7%残留重量)および脱アルキル化/燃焼(200〜500℃、約77%残留重量)に起因する重量損失が観察される。
レジスト前駆体溶液は、前の実施例の方法1に従って調製した15.8gの乾燥粉末を810mLの4−メチル−2−ペンタノール(High Purity Products)に添加し、24時間撹拌することによって調製した。撹拌の後、混合物を0.22μmのPTFEフィルタにより吸引ろ過して、不溶性材料を除去した。溶媒を蒸発させ、続いて空気中700℃において固体をか焼した後の残留質量のサンプルは、化学量論的にSnO2に転換されたと仮定して、0.072Mの初期Sn濃度と一致した。
天然の酸化物表面を有するシリコンウェハ(100mm直径)を、薄膜付着のための基板として使用した。レジスト付着の前にヘキサメチルジシラザン(HMDS)蒸気プライムによりSi基板を処理した。実施例8からの0.072Mのレジスト溶液を、0.45nmシリンジフィルタを通して基板上に分配し、1500rpmでスピンコーティングし、ホットプレート上、100℃で2分間ベーキングした。コーティングおよびベーキング後の膜厚は、偏光解析法により約25nmであると測定された。被覆基板を極紫外放射線に曝露した(Lawrence Berkeley National Laboratory Micro Exposure Tool)。13.5nm波長の放射線、ダイポール照明、およびアパーチャー0.3を用いて、ウェハ上に34nmピッチで17nmのラインおよびスペースのパターンを投射した。次に、ホットプレート上で180℃において2分間、パターン化レジストおよび基板に曝露後ベーキング(PEB)を行った。次に曝露したフィルムを2−ヘプタノン中に15秒間浸漬し、同じ現像剤でさらに15秒間すすいで、ネガ型画像、すなわち、コーティングの非曝露部分が除去された画像を形成した。最後に、150℃で5分間のホットプレートベーキングを現像後に実施した。図27は、60mJcm−2のイメージング線量、2.9nmのLWRを有する34nmピッチでパターン化された14.5nmのレジストラインにより画定された、基板上の得られたレジストライン/スペースパターンのSEM画像を示す。
i−PrSnCl3の加水分解物は、6.5g(24mmol)の化合物4 i−PrSnCl3を150mLの0.5Mの水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水に激しく撹拌しながら迅速に添加することによって調製し、すぐに沈殿物が生じた。TMAHは、導入される金属汚染が少ないように、配合物中に金属カチオンを含まない。得られた混合物を室温で1時間撹拌してから、No.1のろ紙(Whatman)により吸引ろ過した。保持された固体を1回約25mLのDI H2Oにより3回洗浄した後、真空(約5トル)下、室温で12時間乾燥させた。乾燥粉末加水分解物の元素分析(18.67%C、4.22%H、0.03%N、0.90%Cl;Microanalysis,Inc.;Wilmington,DE)は、加水分解およびすすぎの際の塩化物イオンの実質的な除去と一致し、さらに、一般的な化学量論のi−PrSnSnO(3/2−x/2)(OH)x(式中、x≒1)と一致した(C3H8O2Snの計算値:18.50%C、4.14%H、0.00%N、0.00%Cl)。同じ手順で調製された加水分解物粉末のTGA−MS分析(乾燥空気)(図28および29)も同じように一致する。SnO2への完全分解に基づいて予測されるように、段階的な脱水(50〜175℃、残留重量約97.0%)および脱アルキル化/燃焼(200〜500℃、残留重量約77.5%)に起因する重量損失が観察される。この実験は低金属汚染について特に試験するために実行されたものではないが、本明細書において伴われる実施例で実証されるように、実験は、金属汚染が少ない生成物t−アミルスズ酸化水酸化物が合成される能力を示すように設計される。
t−アミルスズ酸化水酸化物加水分解物、t−AmylSnO(3/2−x/2)(0<x<3)(化合物6)は、(1,1−ジメチルプロピル)スズトリス(フェニルアセチリド)、t−AmylSn(C≡CPh)3(化合物7)の水性加水分解により調製した。
t−BuSnO(3/2−x/2)(OH)xおよびi−PrSnSnO(3/2−x/2)(OH)xレジスト前駆体溶液は、実施例3に記載されるように調製した。溶液をスピンコーティングし、表4に要約されるプロセスパラメータで電子ビームリソグラフィを用いてパターン化した。天然の酸化物表面を有するシリコンウェハ(25x25mm2)を、薄膜付着のための基板として使用した。レジストコーティングの前に、15ミリトルにおいて25WのO2プラズマ中で1分間、基板を洗浄した。0.45nmシリンジフィルタを通して前駆体溶液を基板上に分配し、指示されるrpmで30秒間スピンコーティングし、ホットプレート上、指示される温度で2分間ベーキングした(適用後ベーキング、PAB)。コーティングおよびベーキング後の膜厚は偏光解析法により測定した。指定される線量でライン/スペースパターンを形成するようにラスターされた30keVの電子ビームに被覆基板を曝露した。次に、表4に示される温度においてホットプレート上で2分間、パターン化レジストおよび基板に曝露後ベーキング(PEB)を行った。次に曝露したフィルムを現像剤中に15秒間浸漬し、同じ現像剤でさらに15秒間すすいで、ネガ型画像、すなわち、コーティングの非曝露部分が除去された画像を形成した。最後に、150℃で5分間のホットプレートベーキングを現像後に実施した。図34は、32nm(上側)および28nm(下側)のピッチで基板上に得られたレジストライン/スペースパターンのSEM画像を示す。
分枝状アルキルスズ酸化水酸化物レジストを使用して、EUV放射線を用いてポジ型画像を生成した。実施例7に記載される方法1を用いてi−PrSnO(3/2−x/2)(OH)x加水分解物(化合物3)を調製し、4−メチル−2−ペンタノール中に溶解させて、約0.07MのSn前駆体溶液を生じさせた。天然の酸化物表面を有するシリコンウェハ(100mm直径)を、薄膜付着のための基板として使用した。コーティングの前にウェハ上でヘキサメチルジシラザン(HMDS)蒸気プライムを実施した。前駆体溶液をピペットにより基板上に分配し、1500rpmで30秒間スピンコーティングし、ホットプレート上、100℃で2分間ベーキングした。コーティングおよびベーキング後の膜厚は、偏光解析法により約23nmであると測定された。EUV曝露は、Berkeley METにおいて実行した。13.5nm波長の放射線およびアパーチャー0.3における環状照明およびイメージング線量25mJcm−2を用いて、様々なピッチの一連のラインおよびスペースパターンをウェハ上に投射した。曝露後すぐに、空気中において、レジストおよび基板をホットプレート上、150℃で2分間ベーキングした。
Claims (33)
- 有機溶媒と、式RSnO(3/2−x/2)(OH)x(式中、0<x<3)で表される第1の有機金属化合物とを含むコーティング溶液であって、前記溶液中に約0.0025M〜約1.5Mのスズが含まれ、Rが3〜31個の炭素原子を有するアルキル基またはシクロアルキル基であり、前記アルキル基またはシクロアルキル基が第2級または第3級炭素原子においてスズに結合された、コーティング溶液。
- 前記第1の有機金属化合物が、tert−ブチルスズ酸化水酸化物(R=−C(CH3)3)、イソプロピルスズ酸化水酸化物(R=−CH(CH3)2)、tert−アミルスズ酸化水酸化物(R=−C(CH2CH3)(CH3)2)またはこれらの混合物を含む、請求項1に記載のコーティング溶液。
- 前記第1の有機金属化合物とは異なる、式R’SnO(3/2−x/2)(OH)x(式中、0<x<3)で表される第2の有機金属化合物をさらに含み、R’が線状または分枝状アルキル基またはシクロアルキル基である、請求項1または2に記載のコーティング溶液。
- 前記有機溶媒がアルコールを含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載のコーティング溶液。
- 約0.5センチポアズ(cP)〜約150cPの粘度と、約0.01M〜約1.0Mのスズ濃度とを有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載のコーティング溶液。
- 有機溶媒と、式RSnO(3/2−x/2)(OH)x(式中、0<x<3であり、Rは3〜31個の炭素原子を有するアルキル基またはシクロアルキル基であり、前記アルキル基またはシクロアルキル基は第2級または第3級炭素原子においてスズに結合される)で表される第1の有機金属化合物と、前記第1の有機金属化合物とは異なる、式R’SnO(3/2−x/2)(OH)x(式中、0<x<3であり、R’は線状または分枝状アルキル基またはシクロアルキル基であり、RおよびR’は同一ではない)で表される第2の有機金属化合物とを含むコーティング溶液。
- 前記第1の有機金属化合物が、tert−ブチルスズ酸化水酸化物(R=−C(CH3)3)、イソプロピルスズ酸化水酸化物(R=−CH(CH3)2)、またはtert−アミルスズ酸化水酸化物(R=−C(CH2CH3)(CH3)2)を含む、請求項6に記載のコーティング溶液。
- RおよびR’がそれぞれ独立して分枝状アルキル基またはシクロアルキル基である、請求項6または7に記載のコーティング溶液。
- 前記第2の有機金属化合物が、前記コーティング溶液中の有機金属化合物の少なくとも約10重量パーセントに相当する、請求項6〜8のいずれか一項に記載のコーティング溶液。
- 式R”SnO(3/2−x/2)(OH)x(式中、0<x<3であり、R”は線状または分枝状アルキル基またはシクロアルキル基である)で表される第3の別個の有機金属化合物をさらに含み、前記第3の有機金属化合物が、前記コーティング溶液中の有機金属化合物の少なくとも約10重量パーセントに相当する、請求項6〜9のいずれか一項に記載のコーティング溶液。
- 前記溶媒がアルコールを含み、前記有機金属化合物が約0.0025M〜約1.5Mのスズイオン濃度をもたらす、請求項6〜10のいずれか一項に記載のコーティング溶液。
- 基板上の膜のパターニング方法であって、
前記膜を約80mJ/cm2以下のEUV線量で曝露するステップと、
前記膜を現像して、約25nm以下のハーフピッチおよび約5nm以下のライン幅ラフネスでフィーチャを形成するステップと
を含む方法。 - 前記EUV線量が約12mJ/cm2〜約75mJ/cm2である、請求項12に記載の方法。
- 前記ハーフピッチが約18nm以下である、請求項12または13に記載の方法。
- 前記有機金属膜が、式RSnO(3/2−x/2)(OH)x(式中、0<x<3であり、Rは3〜31個の炭素原子を有するアルキル基またはシクロアルキル基であり、前記アルキル基またはシクロアルキル基は第2級または第3級炭素においてスズに結合される)で表される第1の有機金属化合物を含む、請求項12〜14のいずれか一項に記載の方法。
- 曝露の後に前記膜を現像して、前記膜の非曝露部分の除去によりネガティブ画像を形成するステップをさらに含む、請求項12〜15のいずれか一項に記載の方法。
- 曝露の後に前記膜を現像して、前記膜の曝露部分の除去によりポジティブ画像を形成するステップをさらに含む、請求項12〜15のいずれか一項に記載の方法。
- 基板上の有機金属膜のパターニング方法であって、
前記有機金属膜を約15mJ/cm2以下のゲル線量値でEUV放射線に曝露して、少なくとも約6のコントラストを得るステップ
を含む方法。 - 表面を有する基板と、前記表面に関連したコーティングとを含むパターン化構造であって、前記コーティングの少なくとも一部が式(R)zSnO2−z/2−x/2(OH)x(0<(x+z)<4)で表され、Rが3〜31個の炭素原子を有するアルキル基またはシクロアルキル基であり、前記アルキル基またはシクロアルキル基が第2級または第3級炭素原子においてスズに結合された、パターン化構造。
- zが約1未満である、請求項19に記載のパターン化構造。
- zが約1未満であり、(2−z/2−x/2):xの比が約1よりも大きい、請求項19に記載のパターン化構造。
- 前記基板が、ポリマーシート、元素ケイ素および/またはセラミック材料を含む、請求項19〜21のいずれか一項に記載のパターン化構造。
- 前記コーティングが、約50nm以下の平均厚さを有する、請求項19〜22のいずれか一項に記載のパターン化構造。
- 前記コーティングがパターンを形成し、その少なくとも一部が約25nm以下のハーフピッチを有するフィーチャを形成する、請求項19〜23のいずれか一項に記載のパターン化構造。
- 溶媒と、式RSnO(3/2−x/2)(OH)x(式中、0<x<3であり、Rは1〜31個の炭素原子を有するアルキル、シクロアルキルまたは置換アルキル部分である)で表される化合物とを含む溶液であって、金属汚染物質の個々の濃度が約1重量ppm以下である溶液。
- Rが3〜31個の炭素原子を有するアルキル基またはシクロアルキル基であり、前記アルキル基またはシクロアルキル基が第2級または第3級炭素原子においてスズに結合された、請求項25に記載の溶液。
- 個々の金属汚染物質が約500重量ppb以下であり、金属汚染物質が100重量ppm未満の濃度を有する、請求項25または26に記載の溶液。
- 個々のアルカリ金属およびアルカリ土類金属の濃度が約100重量ppb以下である、請求項25〜27のいずれか一項に記載の溶液。
- 式RSnOOHまたはRSnO(3/2−x/2)(OH)x(式中、0<x<3であり、Rは1〜31個の炭素原子を有するアルキルまたはシクロアルキル部分である)で表される化合物の合成方法であって、
式RSnX3(式中、Xは、ハライド原子(F、Cl、BrまたはI)、またはアミド基、またはこれらの組み合わせを表す)を有する前駆体組成物を加水分解するステップを含み、前記加水分解が、加水分解を実現するために十分な水を用いて実施され、前記加水分解生成物が、約1重量ppm以下であるスズ以外の金属の個々の濃度を有する方法。 - 前記加水分解が水酸化第4級アンモニウムを用いて実施される、請求項29に記載の方法。
- 前記加水分解が、加水分解を実現するために十分な水を含む有機溶媒中、制御された反応で実施される、請求項29に記載の方法。
- 前記水が、測定された量で有機溶媒に添加される、請求項31に記載の方法。
- 前記水が周囲環境から吸収される、請求項31に記載の方法。
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