JP2022538040A - ハロゲン化化学物質によるフォトレジスト現像 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レジストの現像は、例えば、高解像度のパターニングとの関連でパターニングマスクを形成するのに有用である。現像は、ハロゲン化水素などのハロゲン化物含有化学物質を使用して実現できる。ドライ又はウェット堆積技術を使用して、金属含有レジスト膜を半導体基板上に堆積させてよい。レジスト膜は、ＥＵＶ感光性の有機金属酸化物薄膜レジスト又は有機金属含有薄膜レジストとしてよい。露光後、フォトパターニングされた金属含有レジストは、ウェット又はドライ現像を使用して現像される。【選択図】図４Ｂ
Description
［参照による組み込み］
本出願の一部として、ＰＣＴ願書が本明細書と同時に提出される。同時に提出されたＰＣＴ願書において確認したように、本出願が優先権の利益を主張する対象である出願の各々が、その全体があらゆる目的のために参照により本明細書に組み込まれる。
本出願の一部として、ＰＣＴ願書が本明細書と同時に提出される。同時に提出されたＰＣＴ願書において確認したように、本出願が優先権の利益を主張する対象である出願の各々が、その全体があらゆる目的のために参照により本明細書に組み込まれる。
集積回路などの半導体デバイスの製造は、フォトリソグラフィを伴う多段階プロセスである。一般に、このプロセスは、ウェハー上に材料を堆積し、リソグラフィ技術により材料をパターニングして半導体デバイスの構造的フィーチャ（例えば、トランジスタ及び回路）を形成することを含む。当該技術分野において既知の典型的なフォトリソグラフィプロセスの工程は、基板を準備する工程と；スピンコーティングなどによりフォトレジストを塗布する工程と；フォトレジストを所望のパターンで露光して、フォトレジストの露光された領域を、ある程度、現像液に可溶性にする工程と；現像液を適用することにより現像して、フォトレジストの露光領域又は非露光領域のどちらかを除去する工程と；その後の、フォトレジストが除去された基板の領域にフィーチャを形成するために、例えばエッチング又は材料堆積によって処理する工程と、を含む。
半導体設計の進化が、半導体基板材料上に、これまでにない微細なフィーチャを作製する必要性を生み出してきており、それを作製する能力によって推進されてきた。技術のこのような進歩は、高密度集積回路におけるトランジスタ密度が２年ごとに２倍になるという「ムーアの法則」において特徴付けられている。実際、チップの設計と製造は進歩しており、その結果、最新のマイクロプロセッサは、単一のチップ上に数十億個のトランジスタ及び他の回路機能を含む場合がある。そのようなチップ上の個々のフィーチャは、２２ナノメートル（ｎｍ）以下、場合によっては１０ｎｍ未満のオーダーである場合がある。
そのように小さなフィーチャを有するデバイスの製造における課題の１つは、十分な解像度を有するフォトリソグラフィマスクを確実かつ再現可能に作製する能力である。現在のフォトリソグラフィプロセスは、典型的には１９３ｎｍの紫外線（ＵＶ）光を使用してフォトレジストを露光する。半導体基板上に作製されるフィーチャの所望のサイズよりも大幅に大きい波長を、光が有するという事実は、固有の問題を生む。光の波長よりも小さいフィーチャサイズを実現するには、マルチパターニングなどの複雑な解像度向上技術の使用を必要とする。したがって、１０ｎｍ～１５ｎｍ、例えば、１３．５ｎｍの波長を有する極紫外線（ＥＵＶ）などのより短い波長の光を使用するフォトリソグラフィ技術を開発することに大きな関心と研究努力がなされている。
しかしながら、ＥＵＶフォトリソグラフィプロセスは、光の低出力及びパターニング中の光の損失を含む課題を提示し得る。１９３ｎｍ ＵＶリソグラフィで使用されるものに類似した従来の有機化学増幅レジスト（ＣＡＲ）は、ＥＵＶリソグラフィで使用される場合、潜在的な欠点を有する。特に、それらはＥＵＶ領域での吸収係数が低く、光活性化化学種の拡散が、ぼやけ又はラインエッジラフネスを引き起こす可能性がある。更には、下にあるデバイス層にパターニングするために必要なエッチング耐性を提供するために、従来のＣＡＲ材料にパターニングされた微細なフィーチャが、パターン崩壊のリスクを伴う高いアスペクト比をもたらす可能性がある。したがって、厚さの低減、より大きな吸光度、及びより大きなエッチング耐性などの特性を有する、改良されたＥＵＶフォトレジスト材料の必要性が残っている。
本明細書で提供される「背景技術」の記載は、本技術の文脈を概略的に提示することを目的としている。本明細書の「背景技術」に記載されている範囲における、本明細書にて名前を挙げた発明者の業績、並びに、出願時点で先行技術と見なされないかも知れない本明細書の態様は、明示的にも暗黙的にも本技術に対する先行技術として認められていない。
フォトレジストの現像は、例えば、高解像度のパターニングとの関連でパターニングマスクを形成するのに有用であり得る。現像は、特定の現像化学物質を使用して、レジストの露光部分又は非露光部分のいずれかを選択的に除去することができる。現像化学物質は、ハロゲン化水素、又は水素とハロゲン化物ガスとの混合物などのハロゲン化物を含む。いくつかの実施形態では、現像はドライ現像である。いくつかの実施形態では、レジストはフォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストである。いくつかの実施形態では、ドライ現像プロセスは、プラズマを用いない熱プロセスである。
本明細書に開示されるのは、半導体基板を処理する方法及びシステムである。半導体基板を処理する方法は、プロセスチャンバ内において、フォトパターニングされた金属含有レジストを、半導体基板の基板層上に設けることと、ハロゲン化物を含む現像化学物質への曝露によりレジストの一部分を選択的に除去することにより、フォトパターニングされた金属含有レジストを現像して、レジストマスクを形成することと、を含む。
いくつかの実現形態では、フォトパターニングされた金属含有レジストは、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストである。いくつかの実現形態では、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストを現像することは、現像化学物質により、ＥＵＶレジストのＥＵＶ非露光部分をＥＵＶ露光部分に対して選択的に除去して、レジストマスクを形成することを含む。いくつかの実現形態では、現像化学物質は、ハロゲン化水素、水素ガス及びハロゲン化物ガス、有機ハロゲン化物、ハロゲン化アシル、ハロゲン化カルボニル、ハロゲン化チオニル、又はそれらの混合物を含む。いくつかの実現形態では、現像化学物質は、フッ化水素、塩化水素、臭化水素、又はヨウ化水素を含む。いくつかの実現形態では、現像化学物質への曝露により、フォトパターニングされた金属含有レジストを現像することは、ドライ現像化学物質への曝露によるフォトパターニングされた金属含有レジストをドライ現像することを含む。いくつかの実現形態では、フォトパターニングされた金属含有レジストをドライ現像することは、ハロゲン化物のラジカルを含むリモートプラズマをレジストに適用することを含む。いくつかの実現形態では、フォトパターニングされた金属含有レジストをドライ現像することは、－６０℃～１２０℃の温度で、０．１ｍＴｏｒｒ～５００ｍＴｏｒｒ又は約０．５Ｔｏｒｒ～約７６０Ｔｏｒｒのチャンバ圧力で、１００ｓｃｃｍ～２０００ｓｃｃｍのハロゲン化物のガス流量で行われ、レジストマスクのエッチング選択性は、温度、チャンバ圧力、ガス流量、又はそれらの組み合わせに少なくとも部分的に基づいて調整可能である。いくつかの実現形態では、温度は－２０℃～２０℃である。いくつかの実現形態では、フォトパターニングされた金属含有レジストは、スズ、ハフニウム、テルル、ビスマス、インジウム、アンチモン、ヨウ素、及びゲルマニウムからなる群から選択される元素を含む。いくつかの実現形態では、この方法は、フォトパターニングされた金属含有レジストを現像した後、フォトパターニングされた金属含有レジストを不活性ガスプラズマに曝露させることを更に含む。いくつかの実現形態では、本方法は、半導体基板上に金属含有ＥＵＶレジスト膜を堆積させ、フォトパターニングされた金属含有レジストを提供する前に基板層を除去することなく、半導体基板から金属含有ＥＵＶレジスト膜を非選択的に除去することを更に含む。
本明細書に開示されるのは、レジスト現像のための装置である。この装置は、基板支持体を有するプロセスチャンバと、プロセスチャンバに結合された真空ラインと、プロセスチャンバに結合された現像化学物質ラインとを含む。装置は、半導体基板を処理するための命令を有するように構成されたコントローラを更に含み、命令は、プロセスチャンバ内において、半導体基板の基板層上にフォトパターニングされた金属含有レジストを提供するためのコードと、ハロゲン化物を含む現像化学物質への曝露によりレジストの一部分を選択的に除去することにより、フォトパターニングされた金属含有レジストを現像して、レジストマスクを形成するためのコードと、を含む。
いくつかの実現形態では、フォトパターニングされた金属含有レジストは、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストであり、コントローラは命令で構成され、命令は、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストを現像するためのコードを含み、現像化学物質により、ＥＵＶレジストのＥＵＶ非露光部分をＥＵＶ露光部分に対して選択的に除去して、レジストマスクを形成するためのコードを含む。いくつかの実現形態では、装置は、基板支持体に結合された１つ以上のヒーターを更に含み、１つ以上のヒーターは、複数の独立制御可能な温度制御ゾーンを含む。いくつかの実現形態では、プロセスチャンバの内部は腐食防止剤でコーティングされている。いくつかの実現形態では、装置は、プロセスチャンバに結合されたコールドトラップを更に含み、コールドトラップは、プロセスチャンバから水を除去するように構成されている。いくつかの実現形態では、装置は、プロセスチャンバに結合されたＵＶ又はＩＲランプを更に含み、ＵＶ又はＩＲランプは、フォトパターニングされた金属含有レジストをキュアするか、又は過剰のハロゲン化物をプロセスチャンバから除去するように構成されている。
本明細書に開示されるのは、半導体基板を処理する方法である。本方法は、プロセスチャンバ内において、ドライで堆積されたフォトパターニングされた金属酸化物ＥＵＶレジストを、半導体基板の基板層上に設けることと、ハロゲン化水素を含むドライ現像化学物質への曝露によりＥＵＶレジストのＥＵＶ非露光部分を選択的に除去することにより、フォトパターニングされた金属酸化物ＥＵＶレジストをドライ現像して、ＥＵＶ露光部分からレジストハードマスクを形成することと、を含む。
いくつかの実現形態では、ドライ現像は、プラズマを用いない熱プロセスで行われ、ドライ現像化学物質への曝露は、約－２０℃～約２０℃の温度で行われる。いくつかの実現形態では、フォトパターニングされた金属酸化物ＥＵＶレジストは、有機スズ酸化物を含む。
開示される実施形態のこれら特徴及び他の特徴が、関連する図面を参照して以下に詳細に説明される。
本開示は、全般的には半導体処理の分野に関する。特定の態様では、本開示は、例えばＥＵＶパターニングとの関連でパターニングマスクを形成するための、ハロゲン化化学物質を使用してフォトレジスト（例えば、ＥＵＶ感光性の金属含有フォトレジスト及び／又は金属酸化物含有フォトレジスト）を現像するためのプロセス及び装置を対象とする。
本明細書では、本開示の具体的な実施形態を詳細に参照する。具体的な実施形態の例が、添付の図面に示されている。本開示はこれらの具体的な実施形態に関連して説明されるが、本開示をそのような具体的な実施形態に限定することを意図するものではないことが理解されるであろう。むしろ、本開示は、本開示の趣旨及び範囲に含まれてよい代替形態、修正形態、及び等価物を網羅することを意図している。以下の記載には、本開示の完全な理解を提供するために数多くの具体的な詳細が記述されている。本開示は、これらの具体的な詳細の一部又は全てを伴うことなく実施されてよい。その他の場合には、本開示を不必要に不明瞭にしないように、良く知られたプロセス作業は詳細には説明していない。
導入
半導体処理における薄膜のパターニングは多くの場合、半導体製造における重要な工程である。パターニングはリソグラフィを伴う。１９３ｎｍフォトリソグラフィなどの従来のフォトリソグラフィでは、光子源からの光子をマスク上に放出し、パターンを感光性フォトレジスト上に印刷することにより、フォトレジスト内で化学反応を生じさせ、現像後に、フォトレジストの特定部分を除去してパターンを形成することにより、パターンが形成される。
半導体処理における薄膜のパターニングは多くの場合、半導体製造における重要な工程である。パターニングはリソグラフィを伴う。１９３ｎｍフォトリソグラフィなどの従来のフォトリソグラフィでは、光子源からの光子をマスク上に放出し、パターンを感光性フォトレジスト上に印刷することにより、フォトレジスト内で化学反応を生じさせ、現像後に、フォトレジストの特定部分を除去してパターンを形成することにより、パターンが形成される。
（国際半導体技術ロードマップにより定義される）先端技術ノードには、２２ｎｍ、１６ｎｍ、及びそれ以降のノードが含まれる。例えば、１６ｎｍノードでは、ダマシン構造の典型的なビア又はラインの幅は、典型的には約３０ｎｍ以下である。先進的な半導体集積回路（ＩＣ）及び他のデバイス上のフィーチャのスケーリングが、リソグラフィの解像度の向上を促進している。
極紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィは、従来のフォトリソグラフィ法で実現可能なよりも、より短いイメージング光源波長に移行することにより、リソグラフィ技術を拡張することができる。約１０～２０ｎｍ、又は１１～１４ｎｍの波長、例えば１３．５ｎｍの波長のＥＵＶ光源は、スキャナとも呼ばれる最先端のリソグラフィツールに使用され得る。ＥＵＶ放射は、石英及び水蒸気を含む幅広い固体及び流体材料に強く吸収されるので、真空中で作用する。
ＥＵＶリソグラフィは、下にある層のエッチングに使用するマスクを形成するようにパターニングされたＥＵＶレジストを利用する。ＥＵＶレジストは、液体ベースのスピンオン技術により製造されたポリマーベースの化学増幅レジスト（ＣＡＲ）であり得る。ＣＡＲの代替は、直接フォトパターニング可能な金属酸化物含有膜であり、これは、例えばＩｎｐｒｉａ（Ｃｏｒｖａｌｌｉｓ、ＯＲ）から入手可能であり、例えば、米国特許公開第２０１７／０１０２６１２号、同第２０１６／０２１６６０号、及び同第２０１６／０１１６８３９号に記載されており、これらは、少なくともフォトパターニング可能な金属酸化物含有膜の開示に関して、参照により本明細書に組み込まれる。このような膜は、スピンオン技術又はドライ気相堆積により製造され得る。金属酸化物含有膜は、例えば、２０１８年６月１２日に発行された米国特許第９，９９６，００４号、題名「ＰＨＯＴＯＰＡＴＴＥＲＮＩＮＧ ＯＦ ＶＡＰＯＲ－ＤＥＰＯＳＩＴＥＤ ＭＥＴＡＬ ＯＸＩＤＥ－ＣＯＮＴＡＩＮＩＮＧ ＨＡＲＤＭＡＳＫＳ」、及び／又は、２０１９年５月９日に出願された国際出願第ＰＣＴ／ＵＳ１９／３１６１８、題名「ＭＥＴＨＯＤＳ ＦＯＲ ＭＡＫＩＮＧ ＥＵＶ ＰＡＴＴＥＲＮＡＢＬＥ ＨＡＲＤ ＭＡＳＫＳ」、に記載されているように、真空環境でのＥＵＶ露光により、直接（すなわち、別個のフォトレジストを使用せずに）パターニングでき、３０ｎｍ未満のパターニング解像度を提供し、これら開示における、少なくとも直接フォトパターニング可能な金属酸化物膜の組成、堆積、及びパターニングに関連する部分が、参照により本明細書に組み込まれる。一般に、パターニングは、ＥＵＶレジストをＥＵＶ放射で露光してレジスト内にフォトパターンを形成し、続いて現像して、フォトパターンに応じたレジストの一部分を除去してマスクを形成することを伴う。
また、本開示は、ＥＵＶリソグラフィによって例示されるリソグラフィパターニング技術及び材料に関するが、他の次世代リソグラフィ技術にも適用可能であることを理解すべきである。現在使用され開発されている標準の１３．５ｎｍのＥＵＶ波長を含むＥＵＶに加えて、そのようなリソグラフィに最も関連する放射線源は、一般に２４８ｎｍ又は１９３ｎｍのエキシマレーザー光源の使用を指すＤＵＶ（ｄｅｅｐ－ＵＶ）、形式上はＸ線範囲の低エネルギー範囲内にＥＵＶを含むＸ線、並びに広いエネルギー範囲をカバーできる電子ビーム、である。具体的な方法は、半導体基板及び最終的な半導体デバイスで使用される具体的な材料及び用途に依存してよい。したがって、本出願に記載される方法は、本技術で使用されてよい方法及び材料の単なる例示である。
直接フォトパターニング可能なＥＵＶレジストは、有機成分中に混合された金属及び／又は金属酸化物から構成されるか、又はそれらを含んでよい。金属／金属酸化物は、ＥＵＶ光子吸着を強化し、二次電子を生成し、及び／又は下層の層スタックとデバイス層に対するエッチング選択性が増加するという点で非常に有望である。これまで、これらのレジストはウェット（溶剤）手法を使用して開発されてきたが、この手法では、ウェハーをトラックに移動することが必要であり、そこでウェハーは現像溶剤に曝露され、乾燥及びベークされる。ウェット現像は、生産性を制限するだけでなく、表面張力及び／又は層間剥離に起因してライン崩壊をもたらす可能性もある。
基板の層間剥離及び界面不良を排除することによりこれら問題を克服するために、ドライ現像技術が提案されてきた。ドライ現像は、性能を改善し（例えば、ウェット現像における表面張力及び層間剥離に起因するライン崩壊を防止し）、スループットを向上させることができる（例えば、ウェット現像トラックを回避することにより）。他の利点が、有機溶媒現像剤の使用を排除すること、付着の問題に対する感度を下げること、線量効率を改善するためのＥＵＶ吸収を増加させること、及び溶解度に基づく制限がないこと、を含んでよい。ドライ現像はまた、調整可能性をより高め、更なる限界寸法（ＣＤ）制御及びスカム除去を提供できる。
ドライ現像には、ウェット現像と比較した場合、効果的なレジスト露光のための線量対サイズ（ｄｏｓｅ ｔｏ ｓｉｚｅ）要件が大きくなり得る、露光されていないレジスト材料とＥＵＶ露光されたレジスト材料との間のエッチング選択性を含む独自の課題がある。選択性が最適でない場合、エッチングガス下での曝露が長くなることに起因して、ＰＲコーナーのコーナーラウンディングが発生する可能性があり、これにより、以降の転写エッチングステップにおいてラインＣＤの変動が増加する場合がある。
ＥＵＶレジストの現像
本開示の様々な態様によれば、フォトパターニングされた金属含有フォトレジストは、ハロゲン化物含有化学物質への曝露により現像される。ＥＵＶ感光性の金属又は金属酸化物を含有する膜、例えば有機スズ酸化物が、半導体基板上に配置される。ＥＵＶ感光性の金属又は金属酸化物を含有する膜は、真空環境でのＥＵＶ露光により直接パターニングされる。次いで、現像化学物質を使用してパターンが現像されてレジストマスクが形成される。いくつかの実施形態では、現像化学物質はドライ現像化学物質である。いくつかの実施形態では、ドライ現像化学物質は、水素及びハロゲン化物を含む。このようなドライ現像技術は、水素及びハロゲン化物のドライ現像化学物質を流しながら、穏やかなプラズマ（高圧、低電力）又は熱プロセスのいずれかを用いながら行われてもよい。本開示は、レジストマスク形成プロセスの一部としての、金属含有レジストを現像するように構成されたプロセス及び装置を提供する。様々な実施形態は、気相堆積、ＥＵＶリソグラフィパターニング、及びドライ現像による、全てのドライ作業の組み合わせを含む。様々な他の実施形態は、ウェット及びドライ処理作業の組み合わせを含み、例えば、スピンオンＥＵＶフォトレジスト（ウェットプロセス）を、本明細書に記載されるようなドライ現像又は他のウェット若しくはドライプロセスと組み合わせてよい。また、ベベル及び裏面のクリーニング、チャンバのクリーニング、デスカム、平滑化、膜特性を変更及び強化するための硬化、並びにフォトレジストリワーク処理など、様々な堆積後（又は塗布後）プロセスについても説明される。
本開示の様々な態様によれば、フォトパターニングされた金属含有フォトレジストは、ハロゲン化物含有化学物質への曝露により現像される。ＥＵＶ感光性の金属又は金属酸化物を含有する膜、例えば有機スズ酸化物が、半導体基板上に配置される。ＥＵＶ感光性の金属又は金属酸化物を含有する膜は、真空環境でのＥＵＶ露光により直接パターニングされる。次いで、現像化学物質を使用してパターンが現像されてレジストマスクが形成される。いくつかの実施形態では、現像化学物質はドライ現像化学物質である。いくつかの実施形態では、ドライ現像化学物質は、水素及びハロゲン化物を含む。このようなドライ現像技術は、水素及びハロゲン化物のドライ現像化学物質を流しながら、穏やかなプラズマ（高圧、低電力）又は熱プロセスのいずれかを用いながら行われてもよい。本開示は、レジストマスク形成プロセスの一部としての、金属含有レジストを現像するように構成されたプロセス及び装置を提供する。様々な実施形態は、気相堆積、ＥＵＶリソグラフィパターニング、及びドライ現像による、全てのドライ作業の組み合わせを含む。様々な他の実施形態は、ウェット及びドライ処理作業の組み合わせを含み、例えば、スピンオンＥＵＶフォトレジスト（ウェットプロセス）を、本明細書に記載されるようなドライ現像又は他のウェット若しくはドライプロセスと組み合わせてよい。また、ベベル及び裏面のクリーニング、チャンバのクリーニング、デスカム、平滑化、膜特性を変更及び強化するための硬化、並びにフォトレジストリワーク処理など、様々な堆積後（又は塗布後）プロセスについても説明される。
図１は、いくつかの実施形態による、フォトレジストを堆積及び現像する例示的な方法のフロー図を示す。プロセス１００の作業は、異なる順序で、及び／又は異なる作業、より少ない作業、又は追加の作業を用いて実施されてよい。プロセス１００の態様は、図２Ａ～図２Ｃ、図３、及び図４Ａ～図４Ｂを参照して説明され得る。プロセス１００の１つ以上の作業が、図１２～図１５のいずれか１つに記載されている装置を使用して実施されてよい。いくつかの実施形態では、プロセス１００の作業は、少なくとも部分的に、１つ以上の非一時的コンピュータ可読媒体に格納されたソフトウェアに従って実現されてよい。
プロセス１００のブロック１０２において、フォトレジストの層が堆積される。これは、気相堆積プロセスなどのドライ堆積プロセス、又はスピンオン堆積プロセスなどのウェットプロセスのいずれかであってよい。
フォトレジストは、金属含有ＥＵＶレジストであってよい。ＥＵＶ感光性の金属又は金属酸化物を含有する膜は、ウェット（例えば、スピンオン）又はドライ（例えば、ＣＶＤ）堆積技術を含む任意の好適な技術により半導体基板上に堆積されてよい。例えば、記載されたプロセスは、有機スズ酸化物に基づくＥＵＶフォトレジスト組成物について実証されており、商業的にスピンコーティング可能な配合物（例えば、Ｉｎｐｒｉａ Ｃｏｒｐ（Ｃｏｒｖａｌｌｉｓ，ＯＲ））から入手可能なものなど）と、以下で更に説明するドライ真空堆積技術を使用して適用される配合物との両方に適用可能である。
半導体基板は、フォトリソグラフィ処理に好適な、特に集積回路及び他の半導体デバイスの製造に好適な任意の材料構造を含んでよい。いくつかの実施形態では、半導体基板はシリコンウェハーである。半導体基板は、シリコンウェハーであってもよく、その上に不規則な表面トポグラフィを有するフィーチャが作製されている（「下地フィーチャ」）。本明細書にて参照される場合、「表面」は、その上に本開示の膜が堆積されることになる表面、又は処理中にＥＵＶに露光されることになる表面である。下にあるフィーチャは、本開示の方法を実施する前の処理中に、（例えば、エッチングにより）材料が除去された領域、又は（例えば、堆積により）材料が追加された領域を含んでよい。そのような事前処理は、本開示の方法、又は２層以上のフィーチャが基板上に形成される反復プロセスでの他の処理方法を含んでよい。
ＥＵＶ感光性薄膜を半導体基板上に堆積させてよく、そのような膜は、それ以降のＥＵＶリソグラフィ及び処理のためのレジストとして使用可能である。このようなＥＵＶ感光性薄膜は、ＥＵＶに露光されると、低密度のＭ－ＯＨに富む物質中の金属原子に結合した嵩高いペンダント置換基の損失などの変化を被り、より高密度のＭ－Ｏ－Ｍ結合金属酸化物材料への架橋が可能になる材料を含む。ＥＵＶパターニングにより、非露光領域と比較して、物理的又は化学的特性が変化した膜の領域が形成される。これらの特性を、後続の処理で活用して、例えば、非露光領域若しくは露光領域のいずれかを溶解させるか、又は露光領域若しくは非露光領域のいずれかに材料を選択的に堆積させてよい。いくつかの実施形態では、そのような後続の処理が実施される条件下で、非露光膜は、露光膜よりも疎水性が高い表面を有する。例えば、材料の除去は、化学組成、密度、及び膜の架橋、における違いを活用することにより実施してよい。除去は、以下で更に説明するように、ウェット処理又はドライ処理により行ってよい。
様々な実施形態では、薄膜は、有機金属材料、例えば酸化スズ又は他の金属酸化物材料／部分を含む有機スズ材料である。有機金属化合物は、有機金属前駆体と反反応剤との気相反応で形成され得る。様々な実施形態では、有機金属化合物は、嵩高いアルキル基又はフルオロアルキル基を有する有機金属前駆体と反反応剤との特定の組み合わせを混合させ、混合物を気相で重合させて、半導体基板上に堆積する低密度のＥＵＶ感光性材料を生成することにより形成される。
様々な実施形態では、有機金属前駆体は、気相反応に耐え得る各金属原子に少なくとも１つのアルキル基を含む一方で、金属原子に配位した配位子又はイオンは、反反応剤で置換され得る。有機金属前駆体は、以下の化学式のものを含む。
ＭaＲbＬc（式１）
式中、Ｍは、高いパターニング放射線吸収断面積を有する元素であり；Ｒはアルキルであり、例えばＣnＨ2n+1であり、好ましくは、ｎ≧２であり；Ｌは、反反応剤と反応する配位子、イオン、又は他の部分であり、ａ≧１、ｂ≧１、及びｃ≧１である。
ＭaＲbＬc（式１）
式中、Ｍは、高いパターニング放射線吸収断面積を有する元素であり；Ｒはアルキルであり、例えばＣnＨ2n+1であり、好ましくは、ｎ≧２であり；Ｌは、反反応剤と反応する配位子、イオン、又は他の部分であり、ａ≧１、ｂ≧１、及びｃ≧１である。
様々な実施形態では、Ｍは、１ｘ１０7ｃｍ2／ｍｏｌ以上の原子吸収断面積を有する。Ｍは、例えば、スズ、ハフニウム、テルル、ビスマス、インジウム、アンチモン、ヨウ素、ゲルマニウム、及びそれらの組み合わせからなる群から選択されてよい。いくつかの実施形態では、Ｍはスズである。Ｒは、フッ素化されてよく、例えば、化学式ＣnＦxＨ(2n+1)、を有する。様々な実施形態では、Ｒは、少なくとも１つのベータ水素又はベータフッ素を有する。例えば、Ｒは、エチル、ｉ－プロピル、ｎ－プロピル、ｔ－ブチル、ｉ－ブチル、ｎ－ブチル、ｓｅｃ－ブチル、ｎ－ペンチル、ｉ－ペンチル、ｔ－ペンチル、ｓｅｃ－ペンチル、及びそれらの混合物、からなる群から選択されてよい。Ｌは、アミン（ジアルキルアミノ、モノアルキルアミノなど）、アルコキシ、カルボン酸、ハロゲン、及びこれらの混合物からなる群より選択された部分などのＭ－ＯＨ部分を生成するために、反反応剤によって容易に置換される任意の部分であってよい。
有機金属前駆体は、金属有機前駆体の多種多様な候補のいずれかであってよい。例えば、Ｍがスズの場合、そのような前駆体は、ｔ－ブチルトリス（ジメチルアミノ）スズ、ｉ－ブチルトリス（ジメチルアミノ）スズ、ｎ－ブチルトリス（ジメチルアミノ）スズ、ｓｅｃ－ブチルトリス（ジメチルアミノ）スズ、ｉ－プロピル（トリス）ジメチルアミノスズ、ｎ－プロピルトリス（ジメチルアミノ）スズ、エチルトリス（ジメチルアミノ）スズ、及びｔ－ブチルトリス（ｔ－ブトキシ）スズなど類似のアルキル（トリス）（ｔ－ブトキシ）スズ化合物、を含む。いくつかの実施形態では、有機金属前駆体は部分的にフッ素化されている。
反反応剤は、化学結合によって少なくとも２つの金属原子を結合させるために、反応性部分、配位子、又はイオン（例えば、上記式１のＬ）を置換する能力を有する。反反応剤は、水、過酸化物（例えば、過酸化水素）、ジヒドロキシアルコール又はポリヒドロキシアルコール、フッ化ジヒドロキシアルコール又はフッ化ポリヒドロキシアルコール、フッ化グリコール、及びヒドロキシル部分の他の源を含み得る。様々な実施形態では、反反応剤は、隣接する金属原子間に酸素架橋を形成することにより有機金属前駆体と反応する。他の潜在的な反反応剤は、硫黄架橋により金属原子を架橋し得る硫化水素及び二硫化水素を含む。
薄膜は、膜の化学的特性又は物理的特性を変更するために、例えば、ＥＵＶに対する膜の感光性を変更する、又はエッチング耐性を増加させるために、有機金属前駆体及び反反応剤に加えて任意選択の材料を含んでよい。そのような任意選択の材料は、例えば、半導体基板上への堆積の前に、薄膜の堆積の後に、又はその両方において、気相形成中にドーピングにより導入されてよい。いくつかの実施形態では、いくつかのＳｎ－Ｌ結合をＳｎ－Ｈに置換するように穏やかなリモートＨ2プラズマが導入されてよく、それによりＥＵＶ下でのレジストの反応性が増加し得る。
様々な実施形態では、ＥＵＶパターニング可能膜は、当該技術分野において既知の気相堆積設備及びプロセスを使用して半導体基板上に作製及び堆積される。そのようなプロセスでは、重合有機金属材料は、半導体基板の表面上に気相で又はｉｎ ｓｉｔｕで形成される。好適なプロセスは、例えば、化学気相堆積（ＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、及びＣＶＤ要素を含むＡＬＤ、例えば、金属前駆体及び反反応剤が時間又は空間のいずれかで分離される不連続なＡＬＤ的プロセス、を含む。
一般に、方法は、重合有機金属材料を形成するように有機金属前駆体の蒸気流を反反応剤の蒸気流と混合させることと、半導体基板の表面上に有機金属材料を堆積させることと、を含む。いくつかの実施形態では、蒸気流中に２つ以上の有機金属前駆体が含まれる。いくつかの実施形態では、蒸気流中に２つ以上の反反応剤が含まれる。当業者により理解されるように、プロセスの混合及び堆積に関する態様は、実質的に連続的なプロセスにおいて同時であってよい。
例示的な連続ＣＶＤプロセスでは、有機金属前駆体と反反応剤源の２つ以上のガスストリームが、別々の入口経路でＣＶＤ装置の堆積チャンバに導入され、それらは気相で混合及び反応して、アグロメレート化したポリマー材料が形成される（例えば、金属－酸素－金属結合生成）。これらの流れは、例えば、別個の注入口又はデュアルプレナムシャワーヘッドを用いて導入されてよい。装置は、有機金属前駆体流と反反応剤流とがチャンバ内で混合されて、有機金属前駆体と反反応剤とが反応して重合有機金属材料が生成されるように構成されている。本技術の機構、機能、又は効用を制限することなく、そのような気相反応からの生成物は、金属原子が反反応剤によって架橋されるので分子量がより重くなり、そのとき、半導体基板上に凝結するか又は堆積されると考えられている。様々な実施形態では、嵩高いアルキル基の立体障害は、密に詰まったネットワークの形成を防ぎ、滑らかで多孔質の低密度膜を形成する。
ＣＶＤプロセスは一般に、１０ミリトール～１０トールなどの減圧下で実施される。いくつかの実施形態では、プロセスは、０．５～２トールにて実施される。いくつかの実施形態では、半導体基板の温度は、反応物ストリームの温度以下である。例えば、基板温度は、０℃～２５０℃、又は周囲温度（例えば、２３℃）～１５０℃であってよい。様々なプロセスでは、基板上への重合有機金属材料の堆積は、表面温度に反比例する速度で生じる。
いくつかの実施形態では、ＥＵＶパターニング可能膜は、当技術分野で既知のウェット堆積設備及びプロセスを使用して半導体基板上に作製及び堆積される。例えば、有機金属材料は、半導体基板の表面上にスピンコーティングすることにより形成される。
半導体基板の表面上に形成されるＥＵＶパターニング可能膜の厚さは、表面特性、使用する材料、及び処理条件により異なってもよい。様々な実施形態では、膜の厚さは、０．５ｎｍ～１００ｎｍの範囲であってよく、ＥＵＶパターニングの条件下でＥＵＶ光の大部分を吸収するのに十分な厚さであってよい。ＥＵＶパターニング可能膜は、３０％以上の吸収に適応することが可能であってよく、それにより、利用可能なＥＵＶ光子がＥＵＶパターニング可能膜の底部に向かって著しく少なくなる。ＥＵＶ吸収がより高いと、ＥＵＶ露光膜の下部と比較して、ＥＵＶ露光膜の上部付近において、より多くの架橋と高密度化につながる。架橋が不十分な場合、ウェット現像ではレジストが浮き上がる又は崩壊しやすい場合があるが、ドライ現像では、そのようなリスクは存在しない。全ドライのリソグラフィ手法は、不透明がより高いレジスト膜による、ＥＵＶ光子のより効率的な利用を促進し得る。ＥＵＶ光子の効率的な利用は全体的な吸収がより高いＥＵＶパターニング可能膜で生じ得るが、場合によっては、ＥＵＶパターニング可能膜が約３０％未満であり得ることが理解されるであろう。比較のために、他の大部分のレジスト膜の最大の全体的吸収は３０％未満（例えば、１０％以下、又は５％以下）であるので、レジスト膜の底部におけるレジスト材料は十分に露光される。いくつかの実施形態では、膜の厚さは、１０ｎｍ～４０ｎｍ、又は１０ｎｍ～２０ｎｍである。本開示の機構、機能、又は効用を制限することなく、当技術分野のウェットスピンコーティングプロセスとは異なり、本開示のプロセスは、基板の表面接着特性に対する制限がより少なく、したがって多種多様な基板に適用され得ると考えられる。加えて、上述したように、堆積膜は、表面フィーチャに密接に適合する場合があり、下地フィーチャを有する基板などの基板上に、そのようなフィーチャを「充填する」又は平坦化することなくマスクが形成されるという利点をもたらす。
ブロック１０４において、任意選択のクリーニングプロセスが実施されて、半導体基板の裏面及び／又はベベルエッジがクリーニングされる。裏面及び／又はベベルエッジのクリーニングは、ＥＵＶレジスト膜を非選択的にエッチングして、基板の裏面とベベルエッジにおける様々なレベルの酸化又は架橋を有する膜を均等に除去し得る。ウェット堆積処理又はドライ堆積処理のいずれかによるＥＵＶパターニング可能膜の塗布中に、基板のベベルエッジ及び／又は裏面においてレジスト材料の意図しない堆積が生じる場合がある。意図しない堆積により、望ましくない粒子が後で半導体基板の上面に移動し、粒子の欠陥になる場合がある。その上、このベベルエッジと裏面の堆積は、パターニング（スキャナ）及び現像ツールの汚染を含む、下流における処理の問題を引き起こし得る。従来、このベベルエッジ及び裏面の堆積物の除去は、ウェットクリーニング技術により行われていた。スピンコーティングされたフォトレジスト材料の場合、このプロセスはエッジビード除去（ＥＢＲ）と呼ばれ、基板が回転している間にベベルエッジの上下から溶媒の流れを導くことにより実施される。同じプロセスを、気相堆積技術によって堆積された可溶性有機スズ酸化物ベースのレジストに適用することができる。
基板のベベルエッジ及び／又は裏面のクリーニングもまた、ドライクリーニングプロセスであってよい。いくつかの実施形態では、ドライクリーニングプロセスは、以下の気体、すなわちＨＢｒ、ＨＣｌ、ＢＣｌ3、ＳＯＣｌ2、Ｃｌ2、ＢＢｒ3、Ｈ2、Ｏ2、ＰＣｌ3、ＣＨ4、メタノール、アンモニア、ギ酸、ＮＦ3、ＨＦのうちの１種以上を有する蒸気及び／又はプラズマを伴う。いくつかの実施形態では、ドライクリーニングプロセスは、本明細書に記載されるドライ現像プロセスと同じ化学物質を使用してよい。例えば、ベベルエッジ及び裏面のクリーニングは、ハロゲン化水素現像化学物質を使用してよい。裏面及びベベルエッジのクリーニングプロセスでは、基板の表面における膜の何らかの劣化なしに、裏面及びベベルのみが除去されることを確実にするために、蒸気及び／又はプラズマは、基板の特定の領域に限定されなければならない。
プロセス条件は、ベベルエッジ及び裏面のクリーニングのために最適化されてよい。いくつかの実施形態では、より高い温度、より高い圧力、及び／又は反応物のより大きい流量が、エッチング速度の増加につながり得る。ドライベベルエッジ及び裏面クリーニング用の好適なプロセス条件は、フォトレジスト膜及び組成及び特性に依存して、反応物の流量が１００～１００００ｓｃｃｍ（例えば、５００ｓｃｃｍのＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＩ、又はＨ2とＣｌ2若しくはＢｒ2、ＢＣｌ3若しくはＨ2）、温度が２０～１４０℃（例えば、８０℃）、圧力が２０～１０００ｍＴｏｒｒ（例えば、１００ｍＴｏｒｒ）、プラズマ電力が高周波（例えば、１３．５６ＭＨｚ）において０～５００Ｗ、及び時間が約１０～２０秒、であってよい。これらの条件は、いくつかの処理リアクタ、例えば、Ｌａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｆｒｅｍｏｎｔ，ＣＡ）から入手可能なＫｉｙｏエッチングツールにとって好適であるが、処理リアクタの能力に応じて、より広い範囲のプロセス条件を使用してよいことを理解されたい。
代わりに、ドライクリーニング作業は、適用されたＥＵＶフォトレジストが除去される完全フォトレジスト除去又はフォトレジスト「リワーク」に、及び元のフォトレジストが損傷しているか又は欠陥がある場合などのフォトレジスト再適用のために準備された半導体基板に、拡張されてよい。フォトレジストのリワークは、下にある半導体基板に損傷を与えることなく実施する必要があるので、酸素ベースのエッチングは避けるべきである。代わりに、本明細書に記載されるハロゲン化物含有化学物質の変形形態を使用してよい。フォトレジストリワーク作業は、プロセス１００中の任意の段階で適用されてよいことが理解されるであろう。したがって、フォトレジストのリワーク作業は、フォトレジストの堆積後、ベベルエッジ及び裏面のクリーニング後、ＰＡＢ処理後、ＥＵＶ露光後、ＰＥＢ処理後、又は現像後に適用されてよい。いくつかの実施形態では、フォトレジストリワークは、フォトレジストの露光領域及び非露光領域に対しては非選択的であるが、下層に対しては選択的である除去のために実施され得る。
いくつかの実施形態では、フォトレジストリワークプロセスは、以下の気体、すなわちＨＢｒ、ＨＣｌ、ＨＩ、ＢＣｌ3、Ｃｌ2、ＢＢｒ3、Ｈ2、ＰＣｌ3、ＣＨ4、メタノール、アンモニア、ギ酸、ＮＦ3、ＨＦのうちの１種以上を有する蒸気及び／又はプラズマを伴う。いくつかの実施形態では、フォトレジストリワークプロセスは、本明細書に記載されるドライ現像プロセスと同じ化学物質を使用してよい。例えば、フォトレジストのリワークは、ハロゲン化水素現像化学物質を使用してよい。
プロセス条件は、フォトレジストリワーク用に最適化されてよい。いくつかの実施形態では、より高い温度、より高い圧力、及び／又は反応物のより大きい流量が、エッチング速度の増加につながり得る。フォトレジストリワークに好適なプロセス条件は、フォトレジスト膜及び組成及び特性に依存して、ＥＵＶフォトレジストを完全に除去するのに十分な、反応物の流量が１００～５００ｓｃｃｍ（例えば、５００ｓｃｃｍのＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＩ、ＢＣｌ3、又はＨ2とＣｌ2若しくはＢｒ2）、温度が２０～１４０℃（例えば、８０℃）、圧力が２０～１０００ｍＴｏｒｒ（例えば、３００ｍＴｏｒｒ）、高周波（例えば、１３．５６ＭＨｚ）でのプラズマ電力が３００～８００Ｗ（例えば、５００Ｗ）、ウェハーバイアスが０～２００Ｖb（下地の基板材料が硬いほど高いバイアスが使用され得る）、及び時間が約２０秒～３分、であってよい。これらの条件は、いくつかの処理リアクタ、例えば、Ｌａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｆｒｅｍｏｎｔ，ＣＡ）から入手可能なＫｉｙｏエッチングツールにとって好適であるが、処理リアクタの能力に応じて、より広い範囲のプロセス条件を使用してよいことを理解されたい。
プロセス１００のブロック１０６において、ＥＵＶパターニング可能膜の堆積後、かつＥＵＶ露光の前に、任意選択の塗布後ベーク（ＰＡＢ：ｐｏｓｔ－ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｂａｋｅ）が実施される。ＰＡＢ処理は、ＥＵＶパターニング可能膜のＥＵＶ感光性を高めるための熱処理、化学曝露、及び水分の組み合わせを伴って、ＥＵＶパターニング可能膜にパターンを現像するためのＥＵＶ線量を低減させてよい。ＰＡＢ処理温度は、ＥＵＶパターニング可能膜の感度を高めるために調整及び最適化されてよい。例えば、処理温度は、約９０℃～約２００℃、又は約１５０℃～約１９０℃であってよい。いくつかの実施形態では、ＰＡＢ処理は、大気圧と真空との間の圧力、及び約１～１５分、例えば約２分の処理持続時間で実施されてよい。いくつかの実施形態では、ＰＡＢ処理は、約１００℃～２００℃の温度で、約１分～２分間にわたって実施される。
プロセス１００のブロック１０８において、金属含有ＥＵＶレジスト膜はＥＵＶ放射に露光されてパターンが現像される。一般的に言えば、ＥＵＶ露光は、金属含有ＥＵＶレジスト膜において化学組成及び架橋の変化を引き起こし、エッチング選択性におけるコントラストを生成し、これを、その後の現像に活用できる。
金属含有ＥＵＶレジスト膜は次いで、典型的には比較的高い真空下で、膜の領域をＥＵＶ光に露光することによりパターニングされてもよい。本明細書で有用なＥＵＶデバイス及び画像化方法には、当該技術分野において既知の方法が含まれる。具体的には、上述したように、ＥＵＶパターニングにより、非露光領域と比較して変化した物理的又は化学的特性を有する、膜の露光領域が形成される。例えば、露光領域では、ベータ水素化物の脱離などを介して金属－炭素結合開裂が生じる場合があり、その結果、反応性でアクセス可能な金属水素化物の官能基が残り、これが、後続の露光後ベーク（ＰＥＢ）ステップ中に、金属－酸素ブリッジを介して水酸化物及び架橋金属酸化物部分に変換され得る。このプロセスは、ネガ型レジストとして現像するための化学的コントラストを作り出すために使用できる。一般に、アルキル基におけるベータＨの数が多いほど、膜の感度が高くなる。これはまた、より多くの分岐を有するより弱いＳｎ－Ｃ結合として説明することもできる。露光に続いて、金属酸化物膜に追加の架橋を生じさせるように、金属含有ＥＵＶレジスト膜をベークしてよい。後続の処理において、非露光領域を溶解させる、又は露光領域に材料を堆積させるなど、露光領域と非露光領域と間の特性の違いを活用してよい。例えば、ドライ方法を使用してパターンを現像して、金属酸化物含有マスクを形成することができる。
具体的には、様々な実施形態では、表面上に存在するヒドロカルビル終端酸化スズは、特に露光がＥＵＶを使用して真空中で行われる場合、イメージング層の露光領域において水素終端酸化スズに変換される。しかしながら、露光されたイメージング層を真空から取り出して空気中に入れること、又は酸素、オゾン、Ｈ2Ｏ2、又は水を制御して導入することにより、表面Ｓｎ－Ｈが酸化されてＳｎ－ＯＨになる可能性がある。例えば、照射領域、非照射領域、又はその両方を１つ以上の試薬と反応させて、選択的に、イメージング層に材料を追加するか、又はイメージング層から材料を除去することにより、以降の処理において露光領域と非露光領域との間の特性の違いを活用してよい。
本技術の機構、機能、又は効用を制限することなく、例えば、１０ｍＪ／ｃｍ2～１００ｍＪ／ｃｍ2の線量でのＥＵＶ露光は、Ｓｎ－Ｃ結合の切断をもたらし、その結果、アルキル置換基は消失し、立体障害が緩和され、低密度膜の崩壊が可能になる。加えて、ベータ水素化物脱離反応において生成された反応性金属－Ｈ結合が、膜中のヒドロキシルなどの隣接する活性基と反応して、更なる架橋及び緻密化がもたらされ、露光領域と非露光領域との間に化学的コントラストが生じ得る。
金属含有ＥＵＶレジスト膜にＥＵＶ光を露光させると、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストがもたらされる。フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストは、ＥＵＶ露光領域及び非露光領域を含む。
プロセス１００のブロック１１０において、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストのエッチング選択性のコントラストを更に増加させるために、任意選択の露光後ベーク（ＰＥＢ）が実施される。フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストは、様々な化学種の存在下で熱処理されてＥＵＶ露光領域の架橋が促進されるか、又は、単に周囲空気中でホットプレート上で、例えば１５０℃～２５０℃にて１～５分間（例えば、１９０℃で２分間）ベークされ得る。
様々な実施形態では、ベーク戦略は、ベーク環境の注意深い制御、反応性ガスの導入、及び／又はベーク温度のランプ速度の注意深い制御を含む。有用な反応性ガスの例には、例えば、空気、Ｈ2Ｏ、Ｈ2Ｏ2蒸気、ＣＯ2、ＣＯ、Ｏ2、Ｏ3、ＣＨ4、ＣＨ3ＯＨ、Ｎ2、Ｈ2、ＮＨ3、Ｎ2Ｏ、ＮＯ、アルコール、アセチルアセトン、ギ酸、Ａｒ、Ｈｅ、又はそれらの混合物が含まれる。ＰＥＢ処理は、（１）ＥＵＶ露光中に生成される有機フラグメントの完全な蒸発を促進し、（２）ＥＵＶ露光により、金属水酸化物中に生成されたいずれかのＳｎ－Ｈ、Ｓｎ－Ｓｎ、又はＳｎラジカル種を酸化し、（３）隣接するＳｎ－ＯＨ基間の架橋を促進して、より高密度に架橋したＳｎＯ2のようなネットワークを形成する、ように設計されている。ベーク温度は、最適なＥＵＶリソグラフィ性能を実現するように慎重に選択される。ＰＥＢ温度が低すぎると架橋が不十分になり、その結果、所与の線量において、現像に対する化学的コントラストが低下する。ＰＥＢ温度が高すぎると、非露光領域（この例では、パターニングされた膜の現像により除去されてマスクを形成する領域）における深刻な酸化及び膜収縮、並びに、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストと下層との間の界面における望ましくない相互拡散、を含む悪影響を被ることになり、これらは両方とも、化学的コントラストの損失、及び不溶性のスカムに起因する欠陥密度の増加の原因となり得る。ＰＥＢ処理温度は、約１００℃～約３００℃、約１７０℃～約２９０℃、又は約２００℃～約２４０℃であってよい。いくつかの実施形態では、ＰＥＢ処理は、大気圧と真空との間の圧力、及び約１～１５分、例えば約２分の処理持続時間で実施されてよい。いくつかの実施形態では、エッチング選択性を更に増加させるために、ＰＥＢ熱処理が反復されてよい。
プロセス１００のブロック１１２において、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストが現像されて、レジストマスクが形成される。様々な実施形態では、露光領域が除去される（ポジ型）か、又は非露光領域が除去される（ネガ型）。いくつかの実施形態では、現像は、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストの露光領域上又は非露光領域上のいずれかへの選択的堆積と、それに続くエッチング作業を含んでもよい。様々な実施形態では、これらのプロセスは、ドライプロセス又はウェットプロセスであってもよい。いくつかの実施形態では、現像はプラズマを発生させることなく実施されてよい。又は、現像は、リモートプラズマ源において活性化された又はリモートＵＶ放射への曝露により活性化された、水素及びハロゲン化物の流れ（例えば、Ｈ2、及びＣｌ2、及び／又はＢｒ2）により実施されてよい。現像用のフォトレジストは、スズ、ハフニウム、テルル、ビスマス、インジウム、アンチモン、ヨウ素、及びゲルマニウムからなる群から選択される元素を含んでもよい。この元素は、大きいパターニング放射線吸収断面積を有し得る。いくつかの実施形態では、この元素は、大きいＥＵＶ吸収断面積を有し得る。いくつかの実施形態では、金属含有ＥＵＶレジストは、３０％を超える全体的な吸収率を有し得る。全ドライリソグラフィプロセスでは、これは、ＥＵＶ光子のより効率的な利用をもたらし、より厚くより不透明なレジストの現像を可能にする。
現像用のプロセスの例は、有機スズ酸化物含有ＥＵＶ感光性フォトレジスト薄膜（例えば１０～３０ｎｍの厚さ、例えば２０ｎｍの厚さ）に、ＥＵＶ露光線量及び露光後ベークを実施し、次いで現像することを伴う。フォトレジスト膜は、例えば、イソプロピル（トリス）（ジメチルアミノ）スズなどの有機スズ前駆体と水蒸気との気相反応に基づいて堆積されてよく、又は有機マトリックス中にスズクラスタを含むスピンオン膜であってよい。
フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストは、現像化学物質に曝露されることにより現像され、現像化学物質はハロゲン化物含有化学物質である。いくつかの実施形態では、現像化学物質は、水素とハロゲン化物、例えばハロゲン化水素（例えば、ＨＢｒ又はＨＣｌ）、又は水素とハロゲンガス（例えば、Ｈ2とＣｌ2）、を含む。いくつかの実施形態では、現像化学物質は、ハロゲン化水素、水素とハロゲンガス、三塩化ホウ素、又はそれらの組み合わせを含む。ＥＵＶレジストの現像は、ハロゲン化物含有化学物質を使用するウェット現像、又はハロゲン化水素含有化学物質を使用するドライ現像により実施できる。ＥＵＶレジストがウェット現像を使用して現像される実施形態では、ウェット現像は、金属含有ＥＵＶレジスト膜のウェット堆積（例えば、スピンオン堆積）などの他のウェット処理作業と組み合わせてよい。代替として、ウェット現像は、金属含有ＥＵＶレジスト膜の気相堆積（例えば、ＣＶＤ）などの他のドライ処理作業と組み合わせてよい。ＥＵＶレジストがドライ現像を使用して現像される実施形態では、ドライ現像は、金属含有ＥＵＶレジスト膜のドライ堆積（例えば、ＣＶＤ）などの他のドライ処理作業と組み合わせてよい。ＥＵＶレジストがドライ現像を使用して現像される代替実施形態では、ドライ現像は、金属含有ＥＵＶレジスト膜のウェット堆積（例えば、スピンオン堆積）などの他のウェット処理作業と組み合わせてよい。
いくつかの実施形態では、半導体基板の処理は、気相堆積による膜形成、ＥＵＶリソグラフィパターニング、及びドライ現像を含む全てのドライ工程を組み合わせてよい。実際、プロセス１００の作業１０２～１１２のそれぞれが、ドライ処理作業であってよい。そのような処理作業は、ウェット現像などのウェット処理作業に関連する材料及び生産性のコストを回避し得る。ドライ処理は、より高い調整可能性をもたらし、更なる限界寸法（ＣＤ）制御及びスカム除去を追加し得る。ウェット処理は一般に水分及び／又は酸素を伴い、これはより容易にスカムの形成につながる。ウェット現像は溶解度及びクラスタサイズにより制限されるが、ドライ現像は溶解度及びクラスタサイズにより制限されることはない。ウェット現像は、パターン崩壊及び層間剥離の問題を起こしやすい傾向があるが、ドライ現像がこれらの問題を回避する。更に、全ドライ処理作業を用いることにより、周囲空気又はそこに含まれる微量汚染物質に曝露されずに、そしてこれらにより汚染されずに、相互接続された真空処理チャンバ内での統合が容易になり得る。例えば、露光領域が更なる架橋を受けるＰＥＢ熱処理は、現像と同じチャンバ内で行われてよいが、ＰＥＢ熱処理は、別のチャンバ内で実施されてよいことが理解されるであろう。
現像プロセスは、液相又は気相で現像化学物質を供給することにより行うことができる。いくつかの実施形態では、ドライ現像プロセスは、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、又はＨＩなどのハロゲン化水素含有ドライ現像化学物質を流しながら、穏やかなプラズマ（高圧、低電力）又は熱プロセスのいずれかを使用することにより行うことができる。例えば、ドライ現像は、ＨＣｌ又はＨＢｒなどのドライ現像化学物質を使用した熱プロセスで実施され得る。いくつかの実施形態では、ハロゲン化水素含有化学物質は、非露光材料を迅速に除去することができ、その結果、露光された膜のパターンが残り、それが、プラズマベースのエッチングプロセス、例えば従来のエッチングプロセスにより、下層に転写され得る。
熱現像プロセスでは、基板はプロセスチャンバ（例えば、オーブン）内で現像化学物質（例えば、ルイス酸）に曝露される。いくつかの実施形態では、圧力制御のためにプロセスチャンバに真空ラインが結合され、現像化学物質をプロセスチャンバに送達するための現像化学物質ラインがプロセスチャンバに結合されてよい。プロセスチャンバは、基板温度制御のためにプロセスチャンバ内の基板支持体に結合されたヒーターなどの、温度制御のための１つ以上のヒーターを含んでよい。いくつかの実施形態では、チャンバ内部は、有機ポリマー又は無機コーティングなどの耐食性膜でコーティングされ得る。そのようなコーティングの１つは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、例えば、テフロン１Ｍである。そのような材料は、プラズマ曝露による除去のリスクなしに、本開示の熱プロセスにおいて用いられ得る。
熱現像プロセスでは、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストは、露光領域と非露光領域との間のエッチング選択性に対して最適化された温度にて現像化学物質に曝露される。温度が低いとエッチング選択性のコントラストが増加する場合があり、温度が高いとエッチング選択性のコントラストが減少する場合がある。いくつかの実施形態では、温度は、約－６０℃～約１２０℃、約－２０℃～約６０℃、又は約－２０℃～約２０℃、例えば、約－１０℃であってよい。チャンバ圧力は調整されてよく、チャンバ圧力が、現像中の露光領域と非露光領域との間のエッチング選択性に影響を与え得る。いくつかの実施形態では、チャンバ圧力は比較的低く、希釈を伴わない場合があり、チャンバ圧力は、約０．１ｍＴｏｒｒ～約３００ｍＴｏｒｒ、約０．２ｍＴｏｒｒ～約１００ｍＴｏｒｒ、又は約０．５ｍＴｏｒｒ～約５０ｍＴｏｒｒであってよい。いくつかの実施形態では、チャンバ圧力は、約２０ｍＴｏｒｒ～約８００ｍＴｏｒｒ、又は約２０ｍＴｏｒｒ～約５００ｍＴｏｒｒ、例えば、約３００ｍＴｏｒｒであってよい。いくつかの実施形態では、チャンバ圧力は比較的高く、流量が大きく、希釈を伴わない場合があり、チャンバ圧力は、約１００Ｔｏｒｒ～約７６０Ｔｏｒｒ、又は約２００Ｔｏｒｒ～約７６０Ｔｏｒｒであってよい。反応物の流量が調整されてよく、反応物の流れが、現像中の露光領域と非露光領域との間のエッチング選択性に影響を与え得る。いくつかの実施形態では、反応物の流れが、約５０ｓｃｃｍ～約２０００ｓｃｃｍ、約１００ｓｃｃｍ～約２０００ｓｃｃｍ、又は約１００ｓｃｃｍ約１０００ｓｃｃｍ、例えば、約５００ｓｃｃｍであってよい。流量が多い場合、反応物の流量は約１Ｌ～約１０Ｌであってよい。曝露の持続時間が、熱現像プロセスにおいて調整されてよい。曝露の持続時間は、他の要因の中でもとりわけ、どれくらいの量のレジストを除去することを望むか、現像化学物質、レジスト内の架橋の量、及びレジストの組成と特性に依存する場合がある。いくつかの実施形態では、曝露の持続時間が、約５秒～約５分、約１０秒～約３分、又は約１０秒～約１分であってよい。
熱現像プロセスは、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストを、気相又は液相状態の特定のハロゲン化物含有化学物質に曝露させる場合がある。いくつかの実施形態では、現像化学物質は、ハロゲン化水素、水素とハロゲンガス、三塩化ホウ素、有機ハロゲン化物、ハロゲン化アシル、ハロゲン化カルボニル、ハロゲン化チオニル、又はそれらの混合物を含む。ハロゲン化水素は、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、及びＨＩを含み得るが、これらに限定されない。例えば、ハロゲン化水素は、ＨＣｌ又はＨＢｒであり得る。水素及びハロゲンガスは、Ｆ2、Ｃｌ2、Ｂｒ2、又はＩ2を水素ガス（Ｈ2）と混合させたものを含み得るが、これらに限定されない。三塩化ホウ素（ＢＣｌ3）は、前述したハロゲン化水素、又は水素とハロゲンガスのいずれかと組み合わせて使用されてよい。有機ハロゲン化物は、ＣxＨyＦz、ＣxＨyＣｌz、ＣxＨyＢｒz、及びＣxＨyＩzを含むことができ、ｘ、ｙ、及びｚは、０以上の値である。ハロゲン化アシルは、ＣＨ3ＣＯＦ、ＣＨ3ＣＯＣｌ、ＣＨ3ＣＯＢｒ、ＣＨ3ＣＯＩを含むことができるが、これらに限定されない。ハロゲン化カルボニルは、ＣＯＦ2、ＣＯＣｌ2、ＣＯＢｒ2、ＣＯＩ2を含むことができるが、これらに限定されない。ハロゲン化チオニルは、ＳＯＦ2、ＳＯＣｌ2、ＳｏＢｒ2、及びＳＯＩ2を含むことができるが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、ハロゲン化物含有化学物質は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、及びＮ2などの不活性ガス／担体ガス有り又は無しで流されてよい。
熱現像プロセスは、プラズマなしで実施されてよい。非プラズマ熱アプローチを適用することにより、低コストの熱真空チャンバ／オーブンにおいて複数のウェハーを同時にバッチ現像できるので、生産性を大幅に向上させることができる。しかしながら、いくつかの実施形態では、熱現像プロセスの後にプラズマへの曝露が続いてよい。その後のプラズマへの曝露は、脱離、デスカム処理、平滑化、又はその他の処理作業のために生じる場合がある。
プラズマ現像プロセスでは、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストは、１つ以上のガスのラジカル／イオンを含む現像化学物質に曝露される。半導体基板を処理するプロセスチャンバは、プラズマ生成チャンバであってよく、又はプロセスチャンバから遠隔にあるプラズマ生成チャンバに結合されてよい。いくつかの実施形態では、ドライ現像はリモートプラズマにより実施されてよい。プラズマ生成チャンバは、当技術分野における既知の設備及び技術を用いた、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）リアクタ、トランス結合プラズマ（ＴＣＰ）リアクタ、又は容量結合プラズマ（ＣＣＰ）リアクタであってよい。電磁場が１つ以上のガスに作用して、プラズマ生成チャンバ内でプラズマを生成する。リモートプラズマからのイオン及び／又はラジカルが、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストと相互作用し得る。いくつかの実施形態では、圧力制御のためにプロセスチャンバに真空ラインが結合され、１つ以上のガスをプラズマ生成チャンバに送達するために、現像化学物質ラインがプラズマ生成チャンバに結合されてよい。プロセスチャンバは、基板温度制御のためにプロセスチャンバ内の基板支持体に結合されたヒーターなどの、温度制御のための１つ以上のヒーターを含んでよい。いくつかの実施形態では、プロセスチャンバ内部は、有機ポリマー又は無機コーティングなどの耐食性膜でコーティングされ得る。そのようなコーティングの１つは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、例えば、テフロン１Ｍである。そのような材料は、プラズマ曝露による除去のリスクなしに、本開示の熱プロセスにおいて用いられ得る。
プラズマ現像プロセスでは、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストは、露光領域と非露光領域との間のエッチング選択性に対して最適化された条件下でリモートプラズマに曝露される。条件は、穏やかなプラズマを生成するように最適化されてよく、穏やかなプラズマは、高圧及び低電力によって特徴付けられ得る。チャンバ圧力は調整されてよく、チャンバ圧力が、現像中の露光領域と非露光領域との間のエッチング選択性に影響を与え得る。いくつかの実施形態では、チャンバ圧力は、約５ｍＴｏｒｒ以上、又は約１５ｍＴｏｒｒ以上であってよい。いくつかの実施形態では、チャンバ圧力は比較的高く、流量が大きく、希釈を伴わない場合があり、チャンバ圧力は、約１００Ｔｏｒｒ～約７６０Ｔｏｒｒ、又は約２００Ｔｏｒｒ～約７６０Ｔｏｒｒであってよい。ＲＦ電力レベルが調整されてよく、ＲＦ電力は、エッチング選択性、ラフネス、デスカム処理、及びその他の現像特性に影響を及ぼす場合がある。いくつかの実施形態では、ＲＦ電力は、約１０００Ｗ以下、約８００Ｗ以下、又は約５００Ｗ以下であってよい。温度が調整されてよく、温度は、エッチング選択性など、現像の様々な態様に影響を及ぼす場合がある。いくつかの実施形態では、温度が、約－６０℃～約３００℃、約０℃～約３００℃、又は約３０℃～約１２０℃であってよい。ガス流量が調整されてよく、ガス流が、現像中の露光領域と非露光領域との間のエッチング選択性に影響を与え得る。いくつかの実施形態ではガス流量が、約５０ｓｃｃｍ～約２０００ｓｃｃｍ、約１００ｓｃｃｍ～約２０００ｓｃｃｍ、又は約２００ｓｃｃｍ～約１０００ｓｃｃｍ、例えば、約５００ｓｃｃｍであってよい。曝露の持続時間が、プラズマ現像プロセスにおいて調整されてよい。曝露の持続時間は、他の要因の中でもとりわけ、どれくらいの量のレジストを除去することを望むか、現像化学物質、レジスト内の架橋の量、及びレジストの組成と特性に依存する場合がある。いくつかの実施形態では、曝露の持続時間は、約１秒～約５０分、約３秒～約２０分、又は約１０秒～約６分であり得る。
プラズマ現像プロセスが、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストを特定のハロゲン化物含有ガスのラジカルに曝露させる場合がある。いくつかの実施形態では、ラジカルはリモートプラズマ源から生成される。例えば、プラズマ現像は、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストを、リモートプラズマ源から生成された水素及びハロゲン化物ガスのラジカルに曝露させる場合がある。いくつかの実施形態では、ハロゲン化物含有ガスは、ハロゲン化水素、水素とハロゲンガス、三塩化ホウ素、有機ハロゲン化物、ハロゲン化アシル、ハロゲン化カルボニル、ハロゲン化チオニル、又はそれらの混合物を含む。ハロゲン化水素は、フッ化水素（ＨＦ）、塩化水素（ＨＣｌ）、臭化水素（ＨＢｒ）、及びヨウ化水素（ＨＩ）を含み得るが、これらに限定されない。例えば、ハロゲン化水素は、ＨＣｌ又はＨＢｒであってよい。水素及びハロゲンガスは、フッ素ガス（Ｆ2）、塩素ガス（Ｃｌ2）、臭素ガス（Ｂｒ2）、又はヨウ素ガス（Ｉ2）を水素ガス（Ｈ2）と混合させたものを含み得るが、これらに限定されない。有機ハロゲン化物は、ＣxＨyＦz、ＣxＨyＣｌz、ＣxＨyＢｒz、及びＣxＨyＩzを含むことができ、ｘ、ｙ、及びｚは、０以上の値である。ハロゲン化アシルは、ＣＨ3ＣＯＦ、ＣＨ3ＣＯＣｌ、ＣＨ3ＣＯＢｒ、及びＣＨ3ＣＯＩを含むことができるが、これらに限定されない。ハロゲン化カルボニルは、ＣＯＦ2、ＣＯＣｌ2、ＣＯＢｒ2、及びＣＯＩ2を含むことができるが、これらに限定されない。ハロゲン化チオニルは、ＳＯＦ2、ＳＯＣｌ2、ＳｏＢｒ2、及びＳＯＩ2を含むことができるが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、ハロゲン化物含有ガスは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、及びＮ2などの不活性ガス／担体ガス有り又は無しで流されてよい。
プラズマ活性化に加えて、又はその代わりに、ドライ現像プロセスにおける１つ以上のガスの活性化は、光活性化によって起こり得る。いくつかの実施形態では、光活性化は、紫外線（ＵＶ）放射への曝露により実現され得る。例えば、プロセスチャンバは、ＵＶ放射を生成するように構成された、ＵＶランプなどのランプを含んでよい。１つ以上のガスをＵＶ放射に曝露させると、１つ以上のガスのラジカルが生成される場合があり、これを、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストのドライ現像において使用することができる。フォトパターニングされたレジストをＵＶ放射に曝露させない形態で、１つ以上のガスをＵＶ放射に曝露させてよい。換言すれば、フォトパターニングされたレジストは、ＵＶランプからは見えない。したがって、ＵＶランプは、プロセスチャンバから遠隔にあるか、又はフォトパターニングされたレジストがＵＶ放射に曝露されることを回避するように位置付けられてもよい。
前述した熱現像、プラズマ現像、及び光活性化現像の方法を一緒に組み合わせてよいことが理解されるであろう。このような現像方法は、同時に又は連続的に適用されてよい。現像方法は、ドライ現像化学物質を液相又は気相で流しながら適用してもよく、ドライ現像化学物質は、式ＲxＺyの化合物を含むことができ、Ｒ＝Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃ、Ｓ、ＳＯ、そしてｘ＞０であり、Ｚ＝Ｃｌ、Ｈ、Ｂｒ、Ｆ、ＣＨ4、そしてｙ＞０である。現像は、ポジ型又はネガ型をもたらす可能性があり、ＲxＺy化学種は、露光されていない材料又は露光された材料のいずれかを選択的に除去し、対応する露光された部分又は露光されていない部分をマスクとして残す。
上述したように、ドライ現像中のエッチング選択性が、他の調整可能なプロセス条件の中でも、温度、圧力、ガスフロー、ガス組成、及びプラズマ電力などのプロセス条件を制御することにより調整可能である。単一のステップ又は複数のステップでエッチング選択性を調整することにより、所望のパターニングされた特性が実現され得る。いくつかの実施形態では、ドライ現像中のエッチング選択性が、ＥＵＶレジストプロファイルに影響を及ぼす１つ以上のステップにわたって調整される。より具体的には、異なるエッチング選択性を有する現像化学物質を、１つ以上のステップにわたって適用することにより、ＥＵＶレジストプロファイルのテーパーの量又は再入角を制御できる。デスカム処理、フォトレジストのリワーク、硬化、平滑化、及びクリーニングの作業もまた、調整可能なエッチング選択性に従って調整し得る。
図２Ａ～図２Ｃは、いくつかの実施形態による、ドライ現像の様々な処理段階の概略断面図を示す。図２Ａ～図２Ｃに示す例は、ネガ型のドライ現像を示す。図２Ａに示すように、ウェハー２００は、基板２０２と、エッチングされる基板層２０４とを含む。いくつかの実施形態では、基板層２０４は、スピンオンカーボン（ＳｏＣ）などのアッシング可能なハードマスク、又は他の材料、例えば、ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素を含む。いくつかの実施形態では、基板層２０４は、基板２０２上に配置された層スタックであってよい。ウェハー２００は、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジスト膜２０６を更に含む。例えば、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジスト膜２０６は、エッチングされる基板層２０４上に配置された有機金属含有層であってよい。フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジスト膜２０６は、約５ｎｍ～約５０ｎｍ、又は約１０ｎｍ～約３０ｎｍの厚さを有してよい。フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジスト膜２０６は、上述したように、ＥＵＶスキャナでのフォトパターニング後に、及び／又はＰＥＢ処理後に、プロセスチャンバ内に提供されてよい。フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジスト膜２０６は、非ＥＵＶ露光領域２０６ａ及びＥＵＶ露光領域２０６ｂを含む。図２Ｂに示すように、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジスト膜２０６の非ＥＵＶ露光領域２０６ａは、プラズマを発生させることなく、ドライ現像化学物質の流れに曝露させることによりドライ現像プロセスで除去され得る。ドライ現像化学物質は、ハロゲン化水素、又は水素とハロゲンガスなどの、ハロゲン化物含有化学物質を含んでよい。非ＥＵＶ露光領域２０６ａの除去により、現像後にレジストマスク２０８が形成される。その後、エッチングされる基板層２０４がレジストマスク２０８を使用してエッチングされて、図２Ｃに示す構造がもたらされ得る。
図３は、いくつかの実施形態による、ＨＢｒと、ＥＵＶフォトレジストの露光部分及び非露光部分との化学反応の例示的なドライ現像機構を示す。図３は、予想されるドライ現像機構を示すが、本開示は何らかの特定の機構、機能、理論、又は効用によって制限されないことが理解されるであろう。有機金属酸化物膜は、四面体配位構造を有してよい。露光領域はＳｎ－Ｏ－Ｓｎ架橋のレベルがより高く、その結果、密度がより高くなり、ＨＢｒ又はＨＣｌとの反応性がより低く／より遅くなる。非露光領域は、Ｓｎ－ＯＨ部分の接近と凝縮を妨げる嵩高いアルキル置換基が存在することに起因して密度がより低い。非露光領域では、ハロゲン化水素は、より四面体配位した有機スズ酸化物水酸化物に特徴的な、より「基本的」でアクセス可能な酸素孤立電子対をより容易にプロトン化する。ＲＳｎＸ３（Ｘ＝Ｃｌ又はＢｒ）の揮発性副生成物が急速に生成され、非露光領域から除去される。図３では、ＨＢｒが酸素孤立電子対を選択的にプロトン化して、Ｒ－Ｓｎ－Ｂｒの揮発性副生成物を形成する。水も副生成物である。水の除去により反応速度を増加させ得る。アルキル基がイソプロピルの場合、典型的なＥＵＶパターニング線量では、イソプロピル置換基の３つごとに少なくとも２つが除去され、その結果、ＰＥＢステップ後に露光領域が凝縮して、酸素原子へのアクセスがより困難な六方配位により近いスズ構造をとることに起因して、ハロゲン化水素との反応性がより低い、より高密度のＳｎＯ2のような材料が形成され、その結果、ハロゲン化水素との反応性が遥かに遅くなる。図３では、露光領域は、イソプロピル置換基の喪失に関連してドライエッチング速度が大幅に低下し、より多くの／大部分の酸素原子が３つ（２つではなく）のスズ原子に結合した材料への凝縮が可能になり、ＨＢｒ又はＨＣｌとの反応速度は著しく減少する。
場合によっては、現像後に残留物又はスカムが残っている場合がある。残留物は、スピンコーティング技術によって適用されるものを含む、均質性が劣るＥＵＶレジスト配合物におけるより遅いエッチング成分に起因する場合がある。このようなスカムは、高濃度の金属を含む場合があり、これがその後のパターン転写中に問題となる場合がある。
加えて又は代わりに、現像後に、現像されたパターンにおいて、エッチングされたフィーチャの側壁にラフネスが形成される場合がある。この一部は、光の確率論的又は非最適ガウス分布に起因する場合があり、その結果、レジストが非露光のままでなければならない領域において、材料が部分的に又は完全に露光される場合がある。
いくつかの実施形態では、ドライ現像は、デスカム／平滑化作業を伴う場合がある。いくつかの実施形態では、デスカム処理及び平滑化作業は、不活性ガスプラズマ脱離作業であってよい。例えば、不活性ガスプラズマ脱離作業は、ヘリウムプラズマ脱離作業であってよい。不活性ガスプラズマ脱離作業は、ドライ現像後に実施してよく、又はドライ現像と併せて反復させてよい。
図４Ａは、いくつかの実施形態による、不活性ガスプラズマを適用しないドライ現像の概略断面図を示す。フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジスト膜は、露光領域及び非露光領域を含む。図４Ａに示すように、金属酸化物（例えば、ＳｎＯx）の粒子又はクラスタが非露光領域を占める場合がある。ドライ現像が進むにつれて、金属酸化物のクラスタはより濃縮される。金属酸化物のクラスタは一般に除去が困難である。現像は有機材料の除去に対して選択的であってよい。非露光領域を除去した後、金属酸化物のクラスタがスカムとして基板表面上に残っている場合がある。露光領域の側壁に残っている金属酸化物のクラスタは、ラフネスにつながる場合がある。
図４Ｂは、いくつかの実施形態による、デスカム処理のためのドライ現像反復不活性ガスプラズマの概略断面図を示す。第１段階は、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジスト膜の非露光領域の相当な部分を除去するドライ現像を伴う。ドライ現像化学物質は、例えばＨＢｒを含み得る。相当な部分は、非露光領域の少なくとも７０体積％超、非露光領域の８０体積％超、又は非露光領域の９０体積％超を表し得る。金属酸化物のクラスタは、ＥＵＶレジスト膜の残りの非露光領域の表面に集中する。第２段階は、ヘリウムプラズマのような不活性ガスプラズマを低電力及び高イオンエネルギーで短時間にわたり適用することを伴う。ヘリウムプラズマは、金属酸化物のクラスタを除去する。加えて、ヘリウムプラズマは側壁からクラスタを除去し、側壁を平滑化する。ヘリウムプラズマ処理はまた、パターニングされたＥＵＶレジスト膜を硬化させ又はキュアして、ハードマスクのような密度がより高い金属酸化物を形成する役割りを担い得る。ヘリウムプラズマ処理後、選択性がより低いドライエッチングステップを使用して、ＥＵＶレジスト膜の非露光領域に残っているいかなる残留物も除去され得る。
いくつかの実施形態では、ＥＵＶレジスト膜の非露光領域が除去されるまで、ドライ現像を、１つ以上のサイクルにわたってヘリウムプラズマ処理と併せて反復してよい。結果を向上させるために、ヘリウムプラズマのデスカム／平滑化を、上述したように、ドライ現像と併せて反復してよい。このようにして、例えばパターンの非露光領域の有機成分の大部分がドライ現像により除去され、次いで、短時間のヘリウムプラズマ作業により、表面に集中した金属の一部が除去されて、残りの下地の有機材料へのアクセスが可能になり、次いでそれが、その後のドライ現像作業／サイクルにて除去され得る。ヘリウムプラズマの別のサイクルを使用して、残っているいかなる金属も全て除去し、清浄で平滑なフィーチャ表面を残してよい。サイクルは、全て又は実質的に全てのスカム及びラフネスの残留物が除去されて、清浄で平滑なフィーチャ表面が残るまで続けることができる。
デスカム処理及び平滑化作業のプロセス条件が、現像中又は現像後に制御されてよい。いくつかの実施形態では、反応物の流れが、約５０ｓｃｃｍ～約１０００ｓｃｃｍ、約１００ｓｃｃｍ～約５００ｓｃｃｍ、例えば、約５００ｓｃｃｍのＨｅであってよい。いくつかの実施形態では、温度は、約－６０℃～約１２０℃、約－２０℃～約６０℃、又は約２０℃～約４０℃、例えば、約２０℃であってよい。いくつかの実施形態では、チャンバ圧力が、約１ｍＴｏｒｒ～約３００ｍＴｏｒｒ、約５ｍＴｏｒｒ～約１００ｍＴｏｒｒ、約５ｍＴｏｒｒ～約２０ｍＴｏｒｒ、例えば、約１０ｍＴｏｒｒであってよい。プラズマ電力は、イオンエネルギーが高いと比較的低くなる場合がある。いくつかの実施形態では、プラズマ電力は、約５０Ｗ～約１０００Ｗ、約１００Ｗ～約５００Ｗ、又は約１００Ｗ～約３００Ｗ、例えば、約３００Ｗであってよい。いくつかの実施形態では、ウェハーバイアスは、約１０Ｖ～約５００Ｖ、約５０Ｖ～約３００Ｖ、例えば、約２００Ｖである。プラズマは、高ＲＦ周波数を使用して生成されてもよい。いくつかの実施形態では、ＲＦ周波数は１３．５６ＭＨｚである。プラズマ曝露中のＵＶ放射への過剰な曝露を回避するために、不活性ガスプラズマへの曝露の持続時間は比較的短くてよい。いくつかの実施形態では、曝露の持続時間は、約０．５秒～約５秒、約１秒～約３秒、例えば、約２秒である。
露光されていないレジスト残留物のデスカム処理及びクリーニングのための不活性ガスプラズマ処理は、露光されたレジストをキュアして硬化させ、それにより、下地の基板をエッチングする後続の作業においてそのハードマスク機能を強化するという副次的な利点を有し得る。このレジスト硬化は、不活性ガスプラズマにより生成されたＵＶ放射にＥＵＶ露光レジストを曝露させることにより実現され、これは、デスカム／平滑化が完了した後に、バイアスをオフにして継続され得る。デスカム／平滑化が必要でないか又は実施されない場合は、代わりに不活性ガスプラズマ硬化が実施されてよい。
いくつかの実施形態では、不活性ガスプラズマ脱離デスカム及び平滑化が、ウェット現像プロセスと共に使用されてよい。ウェット現像は非常に高い選択性を有し、明確なオン／オフ挙動を示すことが示されており、その結果、ウェット現像プロセスでは「ストレイ」ＥＵＶ光子により露光された領域を除去することができない。ウェット現像プロセス後に、残りの残留物が残り、スカムと、ラインエッジと幅のラフネスの増加とがもたらされる。興味深いことに、複数のノブ（例えば、時間、温度、圧力、ガス／フロー）に基づいてエッチング速度及び選択性が調整され得るドライ現像プロセスの調整可能性に起因して、不活性ガスプラズマ及び／又はドライ現像を更に適用して、これらの部分的に露光された残留物を除去することにより、金属含有レジストラインをデスカム処理及び平滑化できる。
図５は、ドライ現像中にヘリウムプラズマを使用したＥＵＶフォトレジストの露光部分と非露光部分のエッチング速度を比較したグラフを示している。ＥＵＶフォトレジストは、有機スズ酸化物ＥＵＶフォトレジストであってよい。非露光部分は、露光部分よりも速い速度でエッチングされる。しかしながら、ＨＢｒを使用するドライ現像が進行するにつれて、エッチング速度は低下する。何らかの理論により制限されるわけではないが、酸化スズ粒子／クラスタの存在はエッチング速度を遅くすると考えられている。ヘリウム脱離を適用することにより、ＥＵＶフォトレジストの非露光部分のより多くがエッチングされ得る。
図６Ａ及び図６Ｂは、ライン崩壊に関してウェット現像とドライ現像とを比較したＳＥＭ画像を示す。図６Ａでは、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストが、有機溶剤などのウェット現像化学物質に曝露されている。液体乾燥ステップの後、パターンライン崩壊がいくつか観察される。これは、部分的には毛管力による表面張力の作用に起因し得る。図６Ｂでは、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストが、ハロゲン化水素ガスなどのドライ現像化学物質に曝露されている。液体乾燥ステップなしの気相反応によるドライ現像が、パターンライン崩壊又は層間剥離を防止する。
図７Ａ及び図７Ｂは、ラフネス及び限界寸法（ＣＤ）制御に関して、ウェット現像とドライ現像とを比較したＳＥＭ画像を示す。図７Ａ及び図７Ｂでは、アッシング可能なハードマスク上に有機スズ酸化物膜が堆積されている。有機スズ酸化物膜は、様々な線量及び様々な焦点深度にてＥＵＶ露光された。有機スズ酸化物膜は、図７Ａではウェット現像され、図７Ｂではドライ現像された。有機スズ酸化物レジストマスクは、ウェット現像後に正方形のプロファイルを有し、一方、有機スズ酸化物レジストマスクは、ドライ現像後に先細りのプロファイルを有していた。ウェット現像ではパターン転写後にラインブリッジが観察されたが、ドライ現像ではパターン転写後にラインブリッジが観察されなかった。ウェット現像後の溶媒乾燥中の表面張力に起因して、より小さな線幅又はより低い線量において、ライン崩壊及びウィグリングの発生が観察された。ドライ現像後は、より狭い線幅又はより低い線量では、ライン崩壊又はウィグリングは発生しなかった。ドライ現像では、より広い線量及び焦点範囲にわたる、より大きなプロセスウィンドウが利用可能である。
図８は、ハードマスクを開口した後のスカムに関して、ウェット現像とドライ現像とを比較したＳＥＭ画像を示す。図８に示すように、ドライ現像後と比較して、ウェット現像後の方がより多くのスカムが観察される。何らかの理論により制限されるわけではないが、ドライ現像では、非露光ＥＵＶレジストの金属酸化物架橋を防ぐ酸素又は水分酸化源（ｍｏｉｓｔｕｒｅ ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｓｏｕｒｃｅ）を含有しないガス化学物質を使用することにより、スカムの形成を防止する。スカムは、金属酸化物架橋を有する露光ＥＵＶレジストに類似している。図８では、ウェット現像又はドライ現像の後にデスカム処理及び平滑化作業が実施できる。
図９Ａ及び図９Ｂは、第２の露光後ベーク作業がドライ現像の選択性に及ぼす影響を様々な圧力及び温度について表したグラフを示す。図９Ａに示すように、２回目の露光後ベークは改善されたエッチング選択性を示す。図９Ｂに示すように、ドライ現像中、エッチング選択性は、温度が低いと向上する。加えて、ドライ現像中、エッチング選択性は、圧力が低いと向上する。
図１０は、ＥＵＶレジストプロファイルへの圧力の影響を表すＳＥＭ画像を示す。ドライ現像の場合、圧力変化がＥＵＶレジストプロファイルに影響を及ぼす。一般に、より高い圧力が、エッチング速度をより大きくすることを可能にする。しかしながら、より低い圧力では、ＥＵＶレジストプロファイルの改善が実証された。図１０において圧力を低くすると、ＥＵＶレジストプロファイルがより真っ直ぐになった。
図１１Ａ及び図１１Ｂは、ライン／スペースの異なるピッチ及び異なる厚さにおけるＥＵＶレジストのＳＥＭ画像を示す。３２ｎｍピッチ及び２６ｎｍピッチを有するＥＵＶレジストマスクが現像された。現像前の膜厚は１５ｎｍ～４０ｎｍであった。３２ｎｍピッチの場合、ＥＵＶレジストマスクの厚さは、現像後に７．８ｎｍ～２２．５ｎｍの範囲であった。ウィグリングは観察されなかった。２６ｎｍピッチの場合、現像後のＥＵＶレジストマスクの厚さは、７．９ｎｍ～２２．２ｎｍの範囲であった。レジスト底部のアンダーカットに起因して、膜厚が３０ｎｍ以上の場合に、若干のウィグリングが観察された。
装置
本開示の装置は、ＥＵＶレジストを現像するように構成されている。装置は、堆積、ベベル及び裏面のクリーニング、塗布後ベーク、ＥＵＶスキャン、露光後ベーク、フォトレジストのリワーク、デスカム、平滑化、硬化、及び他の作業などの、他の処理作業を実施するように構成されてよい。いくつかの実施形態では、装置は、全ドライ作業を実施するように構成されている。いくつかの実施形態では、装置は、全ウェット作業を実施するように構成されている。いくつかの実施形態では、装置は、ウェット作業とドライ作業との組み合わせを実施するように構成されている。この装置は、単一のウェハーチャンバを含んでよく、又は同じプロセスチャンバ内に複数のステーションを含んでよい。同じプロセスチャンバ内に複数のステーションがある場合、本開示に記載されているような様々な処理作業が、同じプロセスチャンバ内の異なるステーションで実施されてよい。例えば、ＰＥＢ熱処理が、あるステーションで実施され、現像が、別のステーションで実施されてよい。
本開示の装置は、ＥＵＶレジストを現像するように構成されている。装置は、堆積、ベベル及び裏面のクリーニング、塗布後ベーク、ＥＵＶスキャン、露光後ベーク、フォトレジストのリワーク、デスカム、平滑化、硬化、及び他の作業などの、他の処理作業を実施するように構成されてよい。いくつかの実施形態では、装置は、全ドライ作業を実施するように構成されている。いくつかの実施形態では、装置は、全ウェット作業を実施するように構成されている。いくつかの実施形態では、装置は、ウェット作業とドライ作業との組み合わせを実施するように構成されている。この装置は、単一のウェハーチャンバを含んでよく、又は同じプロセスチャンバ内に複数のステーションを含んでよい。同じプロセスチャンバ内に複数のステーションがある場合、本開示に記載されているような様々な処理作業が、同じプロセスチャンバ内の異なるステーションで実施されてよい。例えば、ＰＥＢ熱処理が、あるステーションで実施され、現像が、別のステーションで実施されてよい。
ＥＵＶレジストの現像用に構成された装置は、基板支持体を有するプロセスチャンバを含む。装置は、圧力制御のためにプロセスチャンバに結合された真空ラインと、現像化学物質を送達するためにプロセスチャンバに結合された現像化学物質ラインとを含んでよい。いくつかの実施形態では、現像化学物質は、ハロゲン化物含有ガス、又はハロゲン化物含有ガスのラジカルを含む。いくつかの実施形態では、プロセスチャンバは、プラズマ生成チャンバであるか、又はリモートプラズマ源として機能するプラズマ生成チャンバに結合されている。プラズマ生成チャンバは、ＩＣＰ、ＴＣＰ、又はＣＣＰリアクタであってよい。装置は、温度制御用の１つ以上のヒーターを含んでよい。そのようなヒーターは、プロセスチャンバ内に及び／又は基板支持体内に設けられてよい。
いくつかの実施形態では、プロセスチャンバ内部は、ポリマー又は無機コーティングなどの耐食性膜でコーティングされている。一例では、プロセスチャンバの内部は陽極酸化アルミナでコーティングされている。別の例では、プロセスチャンバの内部は酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）でコーティングされている。
いくつかの実施形態では、プロセスチャンバは、プラスチックなどの安価な材料でできている。プロセスチャンバは、金属又はセラミックで作製されることが必ずしも必要ではない。プラスチック材料は、現像中にハロゲン化物含有化学物質に耐えるには十分であり得る。真空ライン及び／又は現像化学物質ラインは、プラスチックチャンバに結合されてよい。
いくつかの実施形態では、基板支持体を使用して、半径方向成分及び方位角成分を有する温度分布を使用して基板が処理されてよい。基板支持体は、温度制御ゾーンの上方の基板位置の近くに接近させて構成された複数の独立制御可能な温度制御ゾーンを含んでよい。これにより、基板支持体内の１つ以上のヒーターがより正確かつ局所的に温度を制御できるようになる。温度制御ゾーンは、長方形グリッド、六角形グリッド、又は所望に応じた温度プロファイルを生成するための他の好適なパターンなどの、所定のパターンで構成されてよい。いくつかの実施形態では、温度制御ゾーンは、方位角の不均一性又は局所的なＣＤの不均一性を是正するために、静電チャックにおいて空間的に構成されてよい。
いくつかの実施形態では、装置は、１つ以上のガスをプロセスチャンバ内へと送達するためのシャワーヘッドを更に含んでよい。いくつかの実施形態では、シャワーヘッドは、シャワーヘッド内でガスを概ね分離させたまま、反応領域に複数の別々のガスを供給してよい。シャワーヘッドは、複数のプレナム容積を含んでよい。これにより、他の化学物質の中でも、前駆体ガス、キャリアガス、現像ガス、及びクリーニングガスの分離が可能になる。
プロセスチャンバから水及び水分を除去することにより、フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストと現像化学物質との反応が速くなり得る。いくつかの実施形態では、副生成物の水蒸気を除去するために、コールドトラップがプロセスチャンバに結合されてよい。コールドトラップは、副生成物の水蒸気を液体又は固体の形に凝縮させ得る。
いくつかの実施形態では、装置は、レジスト硬化及び脱ハロゲン化のために、ＵＶランプなどのＵＶ源及び／又はＩＲランプなどのＩＲ源を更に含んでよい。ＵＶ源及び／又はＩＲ源は、ＥＵＶレジストをキュアするための放射線への曝露を提供してよい。加えて又は代わりに、ＵＶ源は、現像化学物質の光活性化を手助けしてよい。加えて又は代わりに、ＵＶ源はハロゲン除去を手助けしてよい。ハロゲン残留物が、半導体基板上又はチャンバ表面に形成される場合があり、それはＵＶ露光により除去できる。
図１２は、記載されたドライ現像、クリーニング、リワーク、デスカム、及び平滑化の実施形態に好適な低圧環境を維持するためのプロセスチャンバ本体１２０２を有するプロセスステーション１２００の実施形態の概略図を示す。複数のプロセスステーション１２００が、共通低圧プロセスツール環境に含まれてよい。例えば、図１３は、Ｌａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｆｒｅｍｏｎｔ、ＣＡ）から入手可能なＶＥＣＴＯＲ（登録商標）処理ツールなどのマルチステーション処理ツール１３００の実施形態を示す。いくつかの実施形態では、以下で詳細に論じられるパラメータを含む、プロセスステーション１２００の１つ以上のハードウェアパラメータが、１つ以上のコンピュータコントローラ１２５０によりプログラム的に調節されてよい。
プロセスステーションは、クラスタツール内のモジュールとして構成されてよい。図１５は、本明細書に記載の実施形態の実現に好適な真空統合堆積及びパターニングモジュールを有する半導体プロセスクラスタツールアーキテクチャを示す。そのようなクラスタプロセスツールアーキテクチャが、上述したように、及び更に図１４及び図１５を参照して後述するように、レジスト堆積モジュール、レジスト露光（ＥＵＶスキャナ）モジュール、レジスト現像モジュール、及びエッチングモジュールを含むことができる。
いくつかの実施形態では、特定の処理機能、例えば、ドライ現像及びエッチングが、同じモジュール内で連続して実施され得る。そして、本開示の実施形態は、ＥＵＶスキャナにおけるフォトパターニングに続いて、エッチングされる層又は層スタック上に配置されたフォトパターニングされたＥＵＶレジスト薄膜層を含むウェハーをドライ現像／エッチングチャンバに収容し、フォトパターニングされたＥＵＶレジスト薄膜層をドライ現像し、次いで、本明細書に記載されるように、パターニングされたＥＵＶレジストをマスクとして使用して下層膜をエッチングする、ための方法及び装置を対象とする。
図１２に戻ると、プロセスステーション１２００は、プロセスガスを分配シャワーヘッド１２０６に送達するための反応物送達システム１２０１ａと流体連通している。反応物送達システム１２０１ａは、任意選択で、シャワーヘッド１２０６への送達のためのプロセスガスを混合及び／又は調整するための混合容器１２０４を含む。１つ以上の混合容器入口弁１２２０が、混合容器１２０４へのプロセスガスの導入を制御してよい。プラズマ曝露が使用される場合、プラズマが更にシャワーヘッド１２０６へと供給されてよく、又はプロセスステーション１２００において生成されてよい。上述したように、少なくともいくつかの実施形態では、非プラズマ熱曝露が好まれる。
図１２は、混合容器１２０４に供給される液体反応物を気化させるための任意選択の気化ポイント１２０３を含む。いくつかの実施形態では、気化及びプロセスステーション１２００への送達のために、液体の質量流量を制御するために、気化ポイント１２０３の上流に液体流量コントローラ（ＬＦＣ）を設けてよい。例えば、ＬＦＣは、ＬＦＣの下流に位置する熱質量流量計（ＭＦＭ）を含んでよい。次いで、ＬＦＣのプランジャーバルブが、ＭＦＭと電気通信する比例積分微分（ＰＩＤ：ｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｌ－ｉｎｔｅｇｒａｌ－ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅ）コントローラにより供給されるフィードバック制御信号に応答して調節されてよい。
シャワーヘッド１２０６は、プロセスガスを基板１２１２に向けて分配する。図１２に示す実施形態では、基板１２１２は、シャワーヘッド１２０６の下方に位置し、ペデスタル１２０８上に載っていることが示される。シャワーヘッド１２０６は、任意の好適な形状を有してよく、プロセスガスを基板１２１２に分配するための任意の好適な数及び構成のポートを有してよい。
いくつかの実施形態では、ペデスタル１２０８を上昇又は下降させて、基板１２１２とシャワーヘッド１２０６との間の容積に基板１２１２を曝露させてよい。いくつかの実施形態では、ペデスタルの高さが、好適なコンピュータコントローラ１２５０によりプログラム的に調節されてよいことが理解されるであろう。いくつかの実施形態では、シャワーヘッド１２０６は、複数の温度制御を伴う複数のプレナム容積を有してよい。
いくつかの実施形態では、ペデスタル１２０８は、ヒーター１２１０を介して温度制御されてよい。いくつかの実施形態では、ペデスタル１２０８は、開示された実施形態に記載されているように、ＨＢｒ又はＨＣｌなどのハロゲン化水素ドライ現像化学物質へのフォトパターニングされたレジストの非プラズマ熱曝露の間に、０℃を超え、最大で３００℃又はそれを超える、例えば５０℃～１２０℃、例えば約６５℃～８０℃の温度に加熱されてよい。いくつかの実施形態では、ペデスタル１２０８のヒーター１２１０は、複数の独立して制御可能な温度制御ゾーンを含んでよい。
更に、いくつかの実施形態では、プロセスステーション１２００用の圧力制御は、バタフライバルブ１２１８により提供されてよい。図１２の実施形態に示すように、バタフライバルブ１２１８は、下流の真空ポンプ（図示せず）により供給される真空を絞る。しかしながら、いくつかの実施形態では、プロセスステーション１２００の圧力制御はまた、プロセスステーション１２００に導入される１つ以上のガスの流量を変化させることにより調節されてよい。
いくつかの実施形態では、基板１２１２とシャワーヘッド１２０６との間の容積を変化させるために、ペデスタル１２０８に対するシャワーヘッド１２０６の位置が調節されてよい。更に、ペデスタル１２０８及び／又はシャワーヘッド１２０６の垂直位置が、本開示の範囲内にある任意の好適な機構により変更されてよいことが理解されるであろう。いくつかの実施形態では、ペデスタル１２０８は、基板１２１２の向きを回転させる回転軸を含んでよい。いくつかの実施形態では、これらの例示的な調節のうちの１つ以上が、１つ以上の好適なコンピュータコントローラ１２５０によりプログラム的に実施されてよいことが理解されるであろう。
プラズマが使用される場合、例えば、穏やかなプラズマベースのドライ現像の実施形態及び／又は同じチャンバ内で行われるエッチング作業において、シャワーヘッド１２０６及びペデスタル１２０８は、プラズマに給電するために無線周波数（ＲＦ）電源１２１４及び整合ネットワーク１２１６と電気通信する。いくつかの実施形態では、プラズマエネルギーは、プロセスステーションの圧力、ガス濃度、ＲＦ源の電力、ＲＦ源の周波数、及びプラズマ電力パルスタイミングのうちの１つ以上を制御することにより制御されてよい。例えば、ＲＦ電力供給源１２１４及び整合ネットワーク１２１６を任意の好適な電力で動作させて、所望の組成のラジカル種を有するプラズマを形成してよい。好適な電力の例は、最大約５００Ｗである。
いくつかの実施形態では、コントローラ１２５０用の命令は、入力／出力制御（ＩＯＣ）シーケンス命令を介して提供されてよい。一例では、プロセスフェーズ用の条件を設定する命令は、プロセスレシピの対応するレシピフェーズに含まれてよい。場合によっては、プロセス段階の全ての命令がそのプロセス段階と同時に実行されるように、レシピ段階が順番に構成されてよい。いくつかの実施形態では、１つ以上のリアクタパラメータを設定するための命令がレシピ段階に含まれてよい。例えば、レシピ段階は、ＨＢｒ又はＨＣｌなどのドライ現像化学物質反応ガスの流量を設定する命令と、レシピ段階用の時間遅延命令とを含んでよい。いくつかの実施形態では、コントローラ１２５０は、図１３のシステムコントローラ１３５０に関して以下に説明する特徴のいずれかを含んでよい。
上述したように、１つ以上のプロセスステーションが、マルチステーション処理ツールに含まれてよい。図１３は、インバウンドロードロック１３０２及びアウトバウンドロードロック１３０４を備えるマルチステーション処理ツール１３００の実施形態の概略図を示し、これらのいずれか又は両方がリモートプラズマ源を含んでよい。大気圧にあるロボット１３０６は、ポッド１３０８を通してロードされたカセットから、大気圧ポート１３１０を介してインバウンドロードロック１３０２内へとウェハーを移動するように構成されている。ウェハーは、ロボット１３０６により、インバウンドロードロック１３０２内のペデスタル１３１２上に置かれ、大気圧ポート１３１０が閉じられ、ロードロックがポンプダウンされる。インバウンドロードロック１３０２がリモートプラズマ源を含む場合、ウェハーは、処理チャンバ１３１４内へと導入される前に、ロードロック内で窒化ケイ素表面を処理するためにリモートプラズマ処理に曝露されてよい。更に、ウェハーはまた、例えば、水分及び吸着ガスを除去するために、インバウンドロードロック１３０２内においても加熱されてよい。次に、処理チャンバ１３１４へのチャンバ搬送ポート１３１６が開かれ、処理のために、別のロボット（図示せず）がウェハーを、リアクタ内に入れて、リアクタ内に示す第１のステーションのペデスタル上に配置する。図１３に示す実施形態はロードロックを含むが、いくつかの実施形態では、プロセスステーション内へのウェハーの直接の進入が提供されてよいことが理解されるであろう。
図示した処理チャンバ１３１４は、図１３に示す実施形態において１から４まで番号が付けられた４つのプロセスステーションを含む。各ステーションは、加熱されたペデスタル（ステーション１については１３１８で表示）、及びガスライン入口を有する。いくつかの実施形態では、各プロセスステーションは、異なる又は複数の目的を有してよいことが理解されるであろう。例えば、いくつかの実施形態では、プロセスステーションは、ドライ現像モードとエッチングプロセスモードとの間で切替可能であってよい。加えて又は代わりに、いくつかの実施形態では、処理チャンバ１３１４は、ドライ現像ステーション及びエッチングプロセスステーションの１つ以上の整合された対を含んでよい。図示した処理チャンバ１３１４は４つのステーションを含むが、本開示による処理チャンバが、任意の好適な数のステーションを有してよいことが理解されるであろう。例えば、いくつかの実施形態では、処理チャンバが５つ以上のステーションを有してよいが、他の実施形態では、処理チャンバが３つ以下のステーションを有してよい。
図１３は、処理チャンバ１３１４内でウェハーを移送するためのウェハーハンドリングシステム１３９０の実施形態を示す。いくつかの実施形態では、ウェハー処理システム１３９０は、様々なプロセスステーション間で、及び／又はプロセスステーションとロードロックとの間で、ウェハーを移送してよい。任意の好適なウェハーハンドリングシステムが採用されてよいことが理解されるであろう。非限定的な例は、ウェハーカルーセル及びウェハーハンドリングロボットを含む。図１３はまた、プロセスツール１３００のプロセス条件及びハードウェア状態を制御するために使用されるシステムコントローラ１３５０の実施形態を示す。システムコントローラ１３５０は、１つ以上のメモリデバイス１３５６、１つ以上の大容量記憶デバイス１３５４、及び１つ以上のプロセッサ１３５２を含んでよい。プロセッサ１３５２は、ＣＰＵ又はコンピュータ、アナログ、及び／又はデジタル入力／出力接続部、ステッパモータコントローラボードなどを含んでよい。
いくつかの実施形態では、システムコントローラ１３５０は、プロセスツール１３００の動作の全てを制御する。システムコントローラ１３５０は、大容量記憶デバイス１３５４に格納され、メモリデバイス１３５６中に読み込まれ、プロセッサ１３５２で実行される、システム制御ソフトウェア１３５８を実行する。代替として、制御ロジックは、コントローラ１３５０内にハードコードされていてよい。これら目的には、特定用途向け集積回路、プログラマブルロジックデバイス（例えば、フィールドプログラマブルゲートアレイ、又はＦＰＧＡ）などを使用してよい。以下の説明では、「ソフトウェア」又は「コード」が使用される場合はいつでも、機能的に同等のハードコードされたロジックが代わりに使用されてよい。システム制御ソフトウェア１３５８は、タイミング、ガスの混合、ガス流量、チャンバ及び／又はステーションの圧力、チャンバ及び／又はステーションの温度、ウェハー温度、目標電力レベル、ＲＦ電力レベル、基板ペデスタル、チャック及び／又はサセプタの位置、並びにプロセスツール１３００によって実施される特定のプロセスの他のパラメータ、を制御するための命令を含んでよい。システム制御ソフトウェア１３５８は、任意の好適な方法で構成されてよい。例えば、様々なプロセスツールプロセスを実施するために使用されるプロセスツール構成要素の作業を制御するために、様々なプロセスツール構成要素のサブルーチン又は制御オブジェクトが記述されてよい。システム制御ソフトウェア１３５８は、任意の好適なコンピュータ可読プログラミング言語でコーディングされてよい。
いくつかの実施形態では、システム制御ソフトウェア１３５８は、上述の様々なパラメータを制御するための入出力制御（ＩＯＣ）シーケンス命令を含んでよい。いくつかの実施形態では、システムコントローラ１３５０に関連付けられた大容量記憶デバイス１３５４及び／又はメモリデバイス１３５６に格納された他のコンピュータソフトウェア及び／又はプログラムを使用してよい。この目的のためのプログラム又はプログラムの一部の例には、基板の位置決めプログラム、プロセスガス制御プログラム、圧力制御プログラム、ヒーター制御プログラム、及びプラズマ制御プログラムが含まれる。
基板位置合わせプログラムが、基板をペデスタル１３１８上にロードし、基板とプロセスツール１３００の他の部品との間の間隔を制御するために使用される、プロセスツール構成要素用のプログラムコードを含んでよい。
プロセスガス制御プログラムは、ハロゲン化物含有ガスの組成（例えば、本明細書に記載されるＨＢｒ又はＨＣｌガス）及び流量を制御するためのコード、並びに任意選択で、プロセスステーション内の圧力を安定化させるために、堆積前にガスを１つ以上のプロセスステーション内へと流し込むためのコード、を含んでよい。圧力制御プログラムは、例えば、プロセスステーションの排気システムのスロットルバルブ、プロセスステーション内へのガス流、を調節することによりプロセスステーション内の圧力を制御するためのコードを含んでよい。
ヒーター制御プログラムは、基板を加熱するために使用される加熱ユニットへの電流を制御するためのコードを含んでよい。代わりに、ヒーター制御プログラムは、基板への熱伝達ガス（例えばヘリウム）の供給を制御してよい。
プラズマ制御プログラムは、本明細書の実施形態に従う１つ以上のプロセスステーション内のプロセス電極に印加されるＲＦ電力レベルを設定するためのコードを含んでよい。
圧力制御プログラムは、本明細書の実施形態に従って反応チャンバ内の圧力を維持するためのコードを含んでよい。
いくつかの実施形態では、システムコントローラ１３５０に関連付けられたユーザインターフェースがあってよい。ユーザインターフェースは、ディスプレイ画面、装置及び／又はプロセス条件のグラフィカルソフトウェアディスプレイ、並びにユーザ入力デバイス、例えば、ポインティングデバイス、キーボード、タッチスクリーン、マイク、を含んでよい。
いくつかの実施形態では、システムコントローラ１３５０によって調節されるパラメータは、プロセス条件に関係してよい。非限定的な例には、プロセスガスの組成と流量、温度、圧力、プラズマ条件（例えばＲＦバイアス電力レベル）などが含まれる。これらのパラメータは、ユーザインターフェースを利用して入力してよいレシピの形式でユーザに提供されてよい。
プロセスを監視するための信号は、システムコントローラ１３５０のアナログ及び／又はデジタル入力接続部によって、様々なプロセスツールセンサから提供されてよい。プロセスを制御するための信号は、プロセスツール１３００のアナログ及びデジタル出力接続部に出力されてよい。監視され得るプロセスツールセンサの非限定的な例には、マスフローコントローラ、圧力センサ（例えばマノメータ）、熱電対などが含まれる。プロセス条件を維持するために、適切にプログラムされたフィードバック及び制御アルゴリズムを、これらセンサからのデータと共に使用してよい。
システムコントローラ１３５０は、上述した堆積プロセスを実施するためのプログラム命令を提供してよい。プログラム命令は、ＤＣ電力レベル、ＲＦバイアス電力レベル、圧力、温度などの様々なプロセスパラメータを制御してよい。命令は、本明細書に記載される様々な実施形態に従う現像及び／又はエッチングプロセスを操作するパラメータを制御してよい。
システムコントローラ１３５０は、典型的には、開示された実施形態による方法を装置が実施するように命令を実行するように構成された１つ以上のメモリデバイス及び１つ以上のプロセッサを含むことになる。開示された実施形態によるプロセス作業を制御する命令を含む機械可読媒体が、システムコントローラ１３５０に結合されてよい。
いくつかの実施形態では、システムコントローラ１３５０はシステムの一部であり、これは上記の例の一部であってよい。このようなシステムは、１つ以上の処理ツール、１つ以上のチャンバ、１つ以上の処理用プラットフォーム、及び／又は特定の処理構成要素（ウェハー台、ガスフローシステムなど）を含む、半導体処理機器を含み得る。これらシステムは、半導体ウェハー又は基板の処理前、処理中、及び処理後の作業を制御するための電子機器に組み込まれてよい。電子機器は、システム（単数又は複数）の様々な構成要素又は副部品を制御し得る「コントローラ」と呼ばれる場合がある。システムコントローラ１３５０は、処理条件及び／又はシステムのタイプに応じて、処理ガスの送達、温度設定（例えば、加熱及び／又は冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、無線周波数（ＲＦ）発生器設定、ＲＦ整合回路設定、周波数設定、流量設定、流体送達設定、位置及び作業設定、特定のシステムと接続しているか又はインターフェースしているツール及び他の移送ツール並びに／又はロードロックに対するウェハーの搬出入、を含む、本明細書に開示されるプロセスのいずれをも制御するようにプログラムされてよい。
大まかに言って、システムコントローラ１３５０は、様々な集積回路、ロジック、メモリ、及び／又はソフトウェアを有し、命令を受信し、命令を発し、作業を制御し、クリーニング作業を有効にし、エンドポイント測定を有効にするなどの電子機器として定義されてよい。集積回路は、プログラム命令を記憶するファームウェアの形態のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として定義されたチップ、及び／又は１つ以上のマイクロプロセッサ、又はプログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行するマイクロコントローラ、を含んでよい。プログラム命令は、様々な個別設定（又はプログラムファイル）の形態でシステムコントローラ１３５０に通信される命令であって、特定のプロセスを半導体ウェハー上で若しくは半導体ウェハー用に、又はシステムに対して実施するための作業パラメータを定義してよい。いくつかの実施形態では、作業パラメータは、１つ以上の層、材料、金属、酸化物、シリコン、二酸化シリコン、表面、回路、及び／又はウェハーダイの作製時に、１つ以上の処理ステップを実現するために、プロセスエンジニアによって定義されるレシピの一部であってよい。
いくつかの実施形態では、システムコントローラ１３５０は、システムに組み込まれた、若しくは結合された、又はシステムにネットワーク接続された、又はこれらの組み合わせであるコンピュータの一部であるか、又はそのコンピュータに結合されていてよい。例えば、システムコントローラ１３５０は「クラウド」内にあるか、又はファブホストコンピュータシステムの全て若しくは一部であってよく、それによりウェハー処理のリモートアクセスが可能になる。コンピュータは、システムへのリモートアクセスを可能にして、製造作業の現在の進行状況を監視し、過去の製造作業の履歴を調査し、複数の製造作業から傾向又は性能の指標を調査して、現在の処理のパラメータを変更し、現在の処理に続く処理ステップを設定するか、又は新しいプロセスを開始してよい。いくつかの例では、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）は、ローカルネットワーク又はインターネットを含んでよいネットワークを経由して、プロセスレシピをシステムに提供することができる。リモートコンピュータは、パラメータ及び／又は設定の入力若しくはプログラミングを可能にするユーザインターフェースを含んでよく、パラメータ及び／又は設定は次いで、リモートコンピュータからシステムに通信される。いくつかの例では、システムコントローラ１３５０は、１つ以上の作業中に実施される各処理ステップのためのパラメータを指定するデータ形式の命令を受信する。パラメータは、実施されるプロセスのタイプ、及びシステムコントローラ１３５０がインターフェースするか又は制御するように構成されているツールのタイプに固有のものであってよいことを理解すべきである。従って、上述のように、システムコントローラ１３５０は、例えば、互いにネットワーク化され、本明細書に記載のプロセスや制御などの共通の目的を目指している１つ以上の個別のコントローラを含むことによって、分散されてよい。そのような目的のための分散コントローラの例は、遠隔に置かれた（例えば、プラットフォームレベルで、又はリモートコンピュータの一部として）１つ以上の集積回路と通信状態にあるチャンバ上の１つ以上の集積回路であってよく、これらが組み合わされてチャンバでのプロセスを制御する。
限定するわけではないが、例示的なシステムは、プラズマエッチングチャンバ又はモジュール、堆積チャンバ又はモジュール、スピンリンスチャンバ又はモジュール、金属メッキチャンバ又はモジュール、クリーニングチャンバ又はモジュール、ベベルエッジエッチングチャンバ又はモジュール、物理蒸着（ＰＶＤ）チャンバ又はモジュール、化学蒸着（ＣＶＤ）チャンバ又はモジュール、ＡＬＤチャンバ又はモジュール、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバ又はモジュール、イオン注入チャンバ又はモジュール、トラックチャンバ又はモジュール、ＥＵＶリソグラフィチャンバ（スキャナ）又はモジュール、現像チャンバ又はモジュール、及び半導体ウェハーの作製及び／又は製造に関連するか若しくは使用されてよい任意の他の半導体処理システム、を含んでよい。
上述したように、ツールによって実施されるプロセスステップに応じて、システムコントローラ１３５０は、他のツール回路又はモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接ツール、隣り合うツール、工場全体に置かれたツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、又は半導体製造工場内のツール場所及び／又はロードポートとの間でウェハー容器を搬出入する材料搬送に使用されるツール、のうちの１つ以上と通信し得る。
特定の実施形態では、いくつかの実施形態の実現に好適なエッチング作業に好適であり得る誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）リアクタについて、ここで説明する。本明細書ではＩＣＰリアクタについて記載するが、いくつかの実施形態では、容量結合プラズマリアクタも使用できることを理解すべきである。
図１４は、ドライ現像及び／又はエッチングなどの、特定の実施形態又は実施形態の態様、を実現するのに適切な誘導結合プラズマ装置１４００の断面図を概略的に示し、この装置の例が、Ｌａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐ．（Ｆｒｅｍｏｎｔ，ＣＡ）により製造されるＫｉｙｏ（登録商標）リアクタである。他の実施形態では、本明細書に記載されるドライ現像及び／又はエッチングプロセスを行う機能を有する他のツール又はツールタイプを実現のために使用してよい。
誘導結合プラズマ装置１４００は、チャンバ壁１４０１及び窓１４１１によって構造的に画定された全体的なプロセスチャンバ１４２４を含む。チャンバ壁１４０１は、ステンレス鋼、アルミニウム、又はプラスチックから製造されてよい。窓１４１１は、石英又は他の誘電体材料から製造されてよい。オプションの内部プラズマグリッド１４５０は、全体的なプロセスチャンバを上部サブチャンバ１４０２と下部サブチャンバ１４０３とに分割する。大部分の実施形態では、プラズマグリッド１４５０を除去することにより、サブチャンバ１４０２及び１４０３で作られたチャンバ空間を利用してよい。チャック１４１７が、下部サブチャンバ１４０３の内部で底部内側表面の近くの位置している。チャック１４１７は半導体ウェハー１４１９を収容し保持するように構成され、半導体ウェハーに対してエッチング及び堆積プロセスが実施される。チャック１４１７は、ウェハー１４１９が存在する場合にウェハー１４１９を支持するための静電チャックであり得る。いくつかの実施形態では、エッジリング（図示せず）がチャック１４１７を取り囲んでおり、ウェハー１４１９がチャック１４１７上に存在する場合に、ウェハー１４１９の上面とほぼ同一平面となる上面を有する。チャック１４１７はまた、ウェハー１４１９をチャッキング、及びチャッキング解除のための静電電極も含む。この目的のために、フィルタ及びＤＣクランプ電源（図示せず）を設けてよい。ウェハー１４１９をチャック１４１７から持ち上げるための他の制御システムも設けることができる。チャック１４１７は、ＲＦ電源１４２３を使用して帯電させることができる。ＲＦ電源１４２３は、接続部１４２７を介して整合回路１４２１に接続されている。整合回路１４２１は、接続部１４２５を介してチャック１４１７に接続されている。このようにして、ＲＦ電源１４２３はチャック１４１７に接続されている。様々な実施形態では、静電チャックのバイアス電力は約５０Ｖに設定されてよく、又は、開示される実施形態に従って実施されるプロセスに応じて異なるバイアス電力に設定されてよい。例えば、バイアス電力は、約２０Ｖｂ～約１００Ｖ、又は約３０Ｖ～約１５０Ｖであってよい。
プラズマ生成用の要素は、窓１４１１の上に位置するコイル１４３３を含む。いくつかの実施形態では、開示された実施形態ではコイルは使用されない。コイル１４３３は、導電性材料から製造され、少なくとも１つの完全なターンを含む。図１４に示すコイル１４３３の例では、３つのターンを含む。コイル１４３３の断面は記号で示され、「Ｘ」を有するコイルは回転してページの中に入るように延び、「・」を有するコイルは回転してページの外に出るように延びている。プラズマ生成のための要素はまた、コイル１４３３にＲＦ電力を供給するように構成されたＲＦ電源５４１を含む。一般に、ＲＦ電源１４４１は、接続部１４４５を介して整合回路１４３９に接続されている。整合回路１４３９は、接続部１４４３を介してコイル１４３３に接続されている。このようにして、ＲＦ電源１４４１はコイル１４３３に接続されている。任意選択のファラデーシールド１４４９ａが、コイル１４３３と窓１４１１の間に位置している。ファラデーシールド１４４９ａは、コイル１４３３に対して間隔を空けた関係で維持されていてよい。いくつかの実施形態では、ファラデーシールド１４４９ａは窓１４１１の真上に配置される。いくつかの実施形態では、ファラデーシールド１４４９ｂは、窓１４１１とチャック１４１７との間にある。いくつかの実施形態では、ファラデーシールド１４４９ｂは、コイル１４３３に対して間隔を空けた関係では維持されていない。例えば、ファラデーシールド１４４９ｂは、間隙なく窓１４１１の真下にあってよい。コイル１４３３、ファラデーシールド１４４９ａ、及び窓１４１１はそれぞれ、互いに実質的に平行に構成されている。ファラデーシールド１４４９ａは、金属又は他の化学種がプロセスチャンバ１４２４の窓１４１１に堆積することを防ぎ得る。
プロセスガスが、上部サブチャンバ１４０２に位置する１つ以上のメインガス流入口１４６０を通って及び／又は１つ以上のサイドガス流入口１４７０を通って、プロセスチャンバの中に流入してよい。同様に、明示的には示していないが、類似のガス流入口を使用して、プロセスガスを容量結合プラズマ処理チャンバに供給してよい。真空ポンプ、例えば、１段又は２段の機械式ドライポンプ及び／又はターボ分子ポンプ１４４０を使用して、プロセスチャンバ１４２４からプロセスガスを引き出して、プロセスチャンバ１４２４の内部の圧力を維持してよい。例えば、真空ポンプを使用して、ＡＬＤのパージ作業中に下部サブチャンバ１４０３を排気してよい。真空ポンプによって提供される真空環境の適用を選択的に制御するために、バルブ制御導管を使用して、真空ポンプをプロセスチャンバ１４２４に流体的に接続してよい。これは、プラズマ処理の作業中に、スロットルバルブ（図示せず）又は振り子バルブ（図示せず）などの閉ループ制御流量制限デバイスを使用して行ってよい。同様に、真空ポンプ、及び容量結合プラズマ処理チャンバへのバルブ制御流体接続も使用してよい。
装置１４００の作業中、１つ以上のプロセスガスを、ガス流入口１４６０及び／又は１４７０を通して供給してよい。特定の実施形態では、プロセスガスを、メインガス流入口１４６０のみを通して、又はサイドガス流入口１４７０のみを通して供給してよい。場合によっては、図に示すガス流入口を、より複雑なガス流入口に、例えば１つ以上のシャワーヘッドに置き換えてよい。ファラデーシールド１４４９ａ及び／又は任意選択のグリッド１４５０は、プロセスガスをプロセスチャンバ１４２４に供給することを可能にする内部チャネル及び穴を含んでよい。ファラデーシールド１４４９ａ及び任意選択のグリッド１４５０のいずれか又は両方が、プロセスガスを供給するためのシャワーヘッドとして機能してよい。いくつかの実施形態では、液体気化及び供給システムをプロセスチャンバ１４２４の上流に配置してよく、それにより、液体反応物又は前駆体がいったん気化した場合、気化した反応物又は前駆体は、ガス流入口１４６０及び／又は１４７０を介してプロセスチャンバ１４２４の中に導入される。
高周波電力がＲＦ電源１４４１からコイル１４３３に供給されて、コイル１４３３にＲＦ電流が流れる。コイル５３３を通って流れるＲＦ電流は、コイル１４３３の周りに電磁場を生成する。電磁場は、上部サブチャンバ１４０２の内部に誘導電流を生成する。生成された様々なイオン及びラジカルとウェハー１４１９との物理的及び化学的相互作用が、ウェハー１４１９のフィーチャをエッチングし、ウェハー１４１９上に層を選択的に堆積させる。
上部サブチャンバ１４０２と下部サブチャンバ１４０３の両方が存在するようにプラズマグリッド１４５０が使用される場合、上部サブチャンバ１４０２内に存在するガスに誘導電流が作用して、上部サブチャンバ１４０２内で電子－イオンプラズマを生成する。任意選択の内部プラズマグリッド１４５０は、下部サブチャンバ１４０３内のホットエレクトロンの量を制限する。いくつかの実施形態では、装置１４００は、下部サブチャンバ１４０３内に存在するプラズマがイオン－イオンプラズマであるように設計及び操作される。
上部の電子－イオンプラズマ及び下部のイオン－イオンプラズマの両方が、正イオン及び負イオンを含有し得るが、イオン－イオンプラズマは、正イオンに対する負イオンの比率がより大きくなるであろう。揮発性エッチング及び／又は堆積による副生成物が、ポート１４２２を介して下部サブチャンバ１４０３から除去されてよい。本明細書で開示されるチャック１４１７は、約１０℃～約２５０℃の範囲の高い温度で動作し得る。温度はプロセス作業と具体的なレシピに依存することになる。
装置１４００がクリーンルーム又は製造施設に設置される場合、装置１４００は施設（図示せず）に結合されてよい。施設には、処理ガス、真空、温度制御、及び環境パーティクル制御を提供する配管が含まれる。装置１４００がターゲット製造施設に設置された場合、これらの施設は装置１４００に結合される。加えて、装置１４００は移送チャンバに結合されて、ロボット工学が、典型的な自動化装置を使用して、半導体ウェハーを装置１４００に搬出入することを可能にしてよい。
いくつかの実施形態では、システムコントローラ１４３０（１つ以上の物理的又は論理的コントローラを含み得る）が、プロセスチャンバ１４２４の作業の一部又は全てを制御する。システムコントローラ１４３０は、１つ以上のメモリデバイス及び１つ以上のプロセッサを含んでよい。いくつかの実施形態では、装置１４００は、開示された実施形態が実施されるときに流量及び持続時間を制御するための切替システムを含む。いくつかの実施形態では、装置１４００は、最大約５００ミリ秒、又は最大約７５０ミリ秒の切替時間を有し得る。切替時間は、フロー化学物質、選択されたレシピ、リアクタアーキテクチャ、及び他の要因に依存し得る。
いくつかの実施形態では、システムコントローラ１４３０はシステムの一部であり、これは上記の例の一部であってよい。このようなシステムは、１つ以上の処理ツール、１つ以上のチャンバ、１つ以上の処理用プラットフォーム、及び／又は特定の処理構成要素（ウェハー台、ガスフローシステムなど）を含む、半導体処理機器を含み得る。これらシステムは、半導体ウェハー又は基板の処理前、処理中、及び処理後の作業を制御するための電子機器に組み込まれてよい。電子機器は、システムコントローラ１４３０に組み込まれてよく、システムコントローラ１４３０は、システムの様々な構成要素又はサブパーツを制御してよい。システムコントローラは、処理パラメータ及び／又はシステムのタイプに応じて、処理ガスの送達、温度設定（例えば、加熱及び／又は冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、無線周波数（ＲＦ）発生器設定、ＲＦ整合回路設定、周波数設定、流量設定、流体送達設定、位置及び作業設定、特定のシステムと接続しているか又はインターフェースしているツール及び他の移送ツール並びに／又はロードロックに対するウェハーの搬出入、を含む、本明細書に開示されるプロセスのいずれをも制御するようにプログラムされてよい。
大まかに言って、システムコントローラ１４３０は、様々な集積回路、ロジック、メモリ、及び／又はソフトウェアを有し、命令を受信し、命令を発し、作業を制御し、クリーニング作業を有効にし、エンドポイント測定を有効にするなどの電子機器として定義されてよい。集積回路は、プログラム命令を記憶するファームウェアの形態のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として定義されたチップ、及び／又は１つ以上のマイクロプロセッサ、又はプログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行するマイクロコントローラ、を含んでよい。プログラム命令は、様々な個別設定（又はプログラムファイル）の形態でコントローラに通信される命令であって、特定のプロセスを半導体ウェハー上で若しくは半導体ウェハー用に、又はシステムに対して実施するための作業パラメータを定義してよい。いくつかの実施形態では、作業パラメータは、１つ以上の層、材料、金属、酸化物、ケイ素、二酸化ケイ素、表面、回路、及び／又はウェハーダイの製作時又は除去時に、１つ以上の処理ステップを実現するために、プロセスエンジニアによって定義されるレシピの一部であってよい。
いくつかの実施形態では、システムコントローラ１４３０は、システムに組み込まれた、若しくは結合された、又はシステムにネットワーク接続された、又はこれらの組み合わせであるコンピュータの一部であるか、又はそのコンピュータに結合されていてよい。例えば、コントローラは「クラウド」内にあるか、又はファブホストコンピュータシステムの全て若しくは一部であってよく、それによりウェハー処理のリモートアクセスが可能になり得る。コンピュータは、システムへのリモートアクセスを可能にして、製造作業の現在の進行状況を監視し、過去の製造作業の履歴を調査し、複数の製造作業から傾向又は性能の指標を調査して、現在の処理のパラメータを変更し、現在の処理に続く処理ステップを設定するか、又は新しいプロセスを開始してよい。いくつかの例では、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）は、ローカルネットワーク又はインターネットを含んでよいネットワークを経由して、プロセスレシピをシステムに提供することができる。リモートコンピュータは、パラメータ及び／又は設定の入力若しくはプログラミングを可能にするユーザインターフェースを含んでよく、パラメータ及び／又は設定は次いで、リモートコンピュータからシステムに通信される。いくつかの例では、システムコントローラ１４３０は、１つ以上の作業中に実施される各処理ステップのためのパラメータを指定するデータ形式の命令を受信する。パラメータは、実施されるプロセスのタイプ、及びコントローラがインターフェースするか、又は制御するように構成されているツールのタイプに固有のものであってよいことを理解されたい。従って、上述のように、システムコントローラ１４３０は、例えば、互いにネットワーク化され、本明細書に記載のプロセスや制御などの共通の目的を目指している１つ以上の個別のコントローラを含むことによって、分散されてよい。そのような目的のための分散コントローラの例は、遠隔に置かれた（例えば、プラットフォームレベルで、又はリモートコンピュータの一部として）１つ以上の集積回路と通信状態にあるチャンバ上の１つ以上の集積回路であってよく、これらが組み合わされてチャンバでのプロセスを制御する。
限定するわけではないが、例示的なシステムは、プラズマエッチングチャンバ又はモジュール、堆積チャンバ又はモジュール、スピンリンスチャンバ又はモジュール、金属メッキチャンバ又はモジュール、クリーニングチャンバ又はモジュール、ベベルエッジエッチングチャンバ又はモジュール、物理蒸着（ＰＶＤ）チャンバ又はモジュール、化学蒸着（ＣＶＤ）チャンバ又はモジュール、ＡＬＤチャンバ又はモジュール、ＡＬＥチャンバ又はモジュール、イオン注入チャンバ又はモジュール、トラックチャンバ又はモジュール、ＥＵＶリソグラフィチャンバ（スキャナ）又はモジュール、ドライ現像チャンバ又はモジュール、及び半導体ウェハーの作製及び／又は製造に関連するか若しくは使用されてよい任意の他の半導体処理システム、を含んでよい。
上述したように、ツールによって実施されるプロセスステップに応じて、コントローラは、他のツール回路又はモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接ツール、隣り合うツール、工場全体に置かれたツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、又は半導体製造工場内のツール場所及び／又はロードポートとの間でウェハー容器を搬出入する材料搬送に使用されるツール、のうちの１つ以上と通信し得る。
ＥＵＶＬパターニングは、多くの場合にスキャナと呼ばれる任意の好適なツール、例えばＡＳＭＬ（Ｖｅｌｄｈｏｖｅｎ，ＮＬ）により提供されるＴＷＩＮＳＣＡＮ ＮＸＥ：３３００Ｂ（商標）プラットフォーム、を使用して実施されてよい。ＥＵＶＬパターニングツールはスタンドアロンデバイスであってよく、本明細書に記載されるように、堆積及びエッチングのために、このツールから基板が中に入る及び外に出る。又は、後述するように、ＥＵＶＬパターニングツールは、より大きなマルチコンポーネントツールのモジュールであってよい。図１５は、本明細書で説明するプロセスの実現に好適な、真空移送モジュールとインターフェースする真空で統合された堆積、ＥＵＶパターニング、及びドライ現像／エッチングモジュールを有する、半導体プロセスクラスタツールアーキテクチャを示す。プロセスはそのような真空統合装置なしで実施されてよいが、そのような装置はいくつかの実施形態において有利であり得る。
図１５は、本明細書で説明するプロセスの実現に好適な、真空移送モジュールとインターフェースする真空で統合された堆積及びパターニングモジュールを有する、半導体プロセスクラスタツールアーキテクチャを示す。複数の格納設備と処理モジュールとの間でウェハーを「移送」するための移送モジュールの構成は、「クラスタツールアーキテクチャ」システムと呼ばれる場合がある。堆積及びパターニングモジュールは、特定のプロセスの要件に従って真空で統合されている。エッチング用などの他のモジュールもクラスタに含まれる場合がある。
真空搬送モジュール（ＶＴＭ）１５３８が、４つの処理モジュール１５２０ａ～１５２０ｄとインターフェースし、これらは個々に最適化されて様々な製造プロセスを実施してよい。例として、処理モジュール１５２０ａ～１５２０ｄは、堆積、蒸発、ＥＬＤ、ドライ現像、エッチング、ストリップ、及び／又は他の半導体プロセスを実施するために実現されてよい。例えば、モジュール１５２０ａはＡＬＤリアクタであってよく、これは、本明細書に記載される熱原子層堆積を非プラズマで実施するように操作されてよく、例えば、Ｌａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｆｒｅｍｏｎｔ，ＣＡ）から入手可能なＶｅｃｔｏｒツールである。また、モジュール１５２０ｂは、Ｌａｍ Ｖｅｃｔｏｒ（登録商標）などのＰＥＣＶＤツールであってよい。図面は必ずしも縮尺通りに描かれているわけではないことを理解すべきである。
ロードロック又は移送モジュールとも呼ばれるエアロック１５４２及び１５４６が、ＶＴＭ１５３８及びパターニングモジュール１５４０とインターフェースする。例えば、上述したように、好適なパターニングモジュールは、ＡＳＭＬ（Ｖｅｌｄｈｏｖｅｎ，ＮＬ）によって供給されるＴＷＩＮＳＣＡＮ ＮＸＥ：３３００Ｂ（商標）プラットフォームであってよい。このツールアーキテクチャにより、半導体基板又はウェハーなどのワークピースが露光前に反応しないように真空下で移送することが可能になる。Ｈ2Ｏ、Ｏ2などの周囲ガスによる入射光子の強力な光吸収を想定すると、ＥＵＶＬもまた大幅に低い圧力を必要とするという事実により、堆積モジュールとリソグラフィツールとの統合が促進される。
上述したように、この統合アーキテクチャは、説明したプロセスを実現するためのツールの１つの予想される実施形態に過ぎない。このプロセスはまた、従来のスタンドアロンＥＵＶＬスキャナと、Ｌａｍ Ｖｅｃｔｏｒツールなどの堆積リアクタを使用して、スタンドアロンで、又はクラスタアーキテクチャにおけるエッチング、ストリップなど（例えば、Ｌａｍ Ｋｉｙｏ又はＧａｍｍａツール）の他のツールにモジュールとして統合して、例えば図１５を参照して説明したように、しかし統合されたパターニングモジュールなしで、実現されてよい。
エアロック１５４２は、「外向き」ロードロックであってよく、堆積モジュール１５２０ａにサービスを提供するＶＴＭ１５３８から基板を出してパターニングモジュール１５４０に移送することを指し、エアロック１５４６は、「内向き」ロードロックであってよく、パターニングモジュール１５４０からＶＴＭ１５３８に基板を戻す移送を指す。内向きロードロック１５４６はまた、基板の出し入れのためのツール外部へのインターフェースを提供してよい。各プロセスモジュールは、モジュールをＶＴＭ１５３８にインターフェースするファセットを有する。例えば、堆積プロセスモジュール１５２０ａはファセット１５３６を有する。各ファセットの内側では、ウェハー１５２６がそれぞれのステーション間を移動した場合にウェハー１５２６の通過を検出するために、センサ、例えば図示するようなセンサ１～１８、が使用される。パターニングモジュール１５４０、並びにエアロック１５４２及び１５４６が同様に、追加のファセット及びセンサ（図示せず）を備えてよい。
メインＶＴＭロボット１５２２が、エアロック１５４２及び１５４６を含むモジュール間でウェハー１５２６を移送する。一実施形態ではロボット１５２２は１つのアームを有し、別の実施形態ではロボット１５２２は２つのアームを有し、各アームは、ウェハー１５２６などのウェハーを搬送のために持ち上げるためのエンドエフェクタ１５２４を有する。ウェハー１５２６を、外向きエアロック１５４２からパターニングモジュール１５４０に、及びパターニングモジュール１５４０から内向きエアロック１５４６に移送するために、フロントエンドロボット１５４４が使用される。フロントエンドロボット１５４４はまた、基板の出し入れのために、内向きロードロックとツール外部との間でウェハー１５２６を搬送してよい。内向きエアロックモジュール１５４６は、大気と真空との間の環境を整合させる能力を有するので、ウェハー１５２６は損傷を受けることなく２つの圧力環境間を移動できる。
ＥＵＶＬツールは典型的には、堆積ツールよりも高い真空で動作することに留意すべきである。この場合には、堆積ツールとＥＵＶＬツールとの間の移送中の基板の環境の真空度を高めて、パターニングツールに入る前に基板を脱気できるようにすることが望ましい。外向きエアロック１５４２は、移送されたウェハーを、より低い圧力で、すなわちパターニングモジュール１５４０内の圧力以下で、一定期間保持し、いかなる排出気体をも排気し、その結果、パターニングツール１５４０の光学系が、基板からの排出気体により汚染されることがないようにすることにより、この機能を提供してよい。排出気体用の外向きエアロックの好適な圧力は、１Ｅ－８トール以下である。
いくつかの実施形態では、システムコントローラ１５５０（１つ以上の物理的又は論理的コントローラを含み得る）が、クラスタツール及び／又はその別個のモジュールの作業の一部又は全てを制御する。コントローラは、クラスタアーキテクチャにローカルとすることができ、又は製造フロアのクラスタアーキテクチャの外部に配置することができ、又は遠隔地に配置してネットワーク経由でクラスタアーキテクチャに接続することができる、という点に留意すべきである。システムコントローラ１５５０は、１つ以上のメモリデバイス及び１つ以上のプロセッサを含んでよい。プロセッサは、中央処理装置（ＣＰＵ）又はコンピュータ、アナログ及び／又はデジタル入出力接続、ステッパモータコントローラボード、及び他の同様の構成要素を含んでよい。適正な制御作業を実現する命令は、プロセッサで実行される。これら命令は、コントローラに関連付けられたメモリデバイスに格納されてよく、又はこれら命令はネットワーク経由で提供されてよい。特定の実施形態では、システムコントローラは、システム制御ソフトウェアを実行する。
システム制御ソフトウェアは、ツール又はモジュール作業の任意の態様の適用タイミング及び／又は大きさを制御する命令を含んでよい。システム制御ソフトウェアは、任意の好適な方法で構成されてよい。例えば、様々なプロセスツールプロセスを実施するために必要なプロセスツール構成要素の作業を制御するために、様々なプロセスツール構成要素のサブルーチン又は制御オブジェクトが記述されてよい。システム制御ソフトウェアは、任意の好適なコンピュータ可読プログラミング言語でコーディングされてよい。いくつかの実施形態では、システム制御ソフトウェアは、上述した様々なパラメータを制御する入出力制御（ＩＯＣ）シーケンス命令を含む。例えば、半導体製造プロセスの各段階は、システムコントローラにより実行される１つ以上の命令を含んでよい。凝縮、堆積、蒸発、パターニング、及び／又はエッチング段階についてプロセス条件を設定する命令は、例えば、対応するレシピ段階に含まれてよい。
様々な実施形態では、ネガ型マスクを形成するための装置が提供される。装置は、パターニング、堆積、及びエッチングのための処理チャンバと、ネガ型マスクを形成するための命令を含むコントローラとを含んでよい。命令は、処理チャンバ内で、半導体基板上の化学増幅（ＣＡＲ）レジスト内のフィーチャをＥＵＶ露光によりパターニングして基板の表面を曝露させ、フォトパターニングされたレジストを現像し、パターニングされたレジストをマスクとして使用して下にある層又は層のスタックをエッチングするためのコードを含んでよい。現像は、ハロゲン化物含有化学物質を使用して実施されてよい。
ウェハーの移動を制御するコンピュータは、クラスタアーキテクチャにローカルとすることができ、又は製造フロアのクラスタアーキテクチャの外部に配置することができ、又は遠隔地に配置してネットワーク経由でクラスタアーキテクチャに接続することができる、という点に留意すべきである。図１２、図１３、又は図１４のいずれかに関して上述したようなコントローラが、図１５のツールを使用して実現されてよい。
結論
例えば、ＥＵＶパターニングとの関連でパターニングマスクを形成するための、金属及び／又は金属酸化物のフォトレジストのドライ現像のためのプロセス及び装置が開示される。
例えば、ＥＵＶパターニングとの関連でパターニングマスクを形成するための、金属及び／又は金属酸化物のフォトレジストのドライ現像のためのプロセス及び装置が開示される。
本明細書に記載される実施例及び実施形態は例示のみを目的としており、それに照らして、様々な修正又は変更が当業者に提案されるであろうことが理解されている。明確化のために様々な詳細が省略されているが、様々な設計の代替形態が実現されてもよい。したがって、本実施例は、例示的であって限定的ではないと見なされるべきであり、本開示は、本明細書に記載される詳細に限定されず、本開示の範囲内において修正されてよい。
Claims (35)
- 半導体基板を処理する方法であって、
プロセスチャンバ内において、フォトパターニングされた金属含有レジストを、半導体基板の基板層上に設けることと、
ハロゲン化物を含む現像化学物質への曝露により前記レジストの一部分を選択的に除去することにより、前記フォトパターニングされた金属含有レジストを現像して、レジストマスクを形成することと、を含む方法。 - 請求項１に記載の方法であって、前記フォトパターニングされた金属含有レジストはフォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストである、方法。
- 請求項２に記載の方法であって、前記フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストを現像することは、前記現像化学物質により、前記ＥＵＶレジストのＥＵＶ非露光部分をＥＵＶ露光部分に対して選択的に除去して、前記レジストマスクを形成することを含む、方法。
- 請求項３に記載の方法であって、
前記基板層を除去せずに、前記フォトパターニングされた金属含有レジストの前記ＥＵＶ非露光部分及び前記ＥＵＶ露光部分を非選択的に除去することを更に含む、方法。 - 請求項１に記載の方法であって、前記現像化学物質は、ハロゲン化水素、水素ガス及びハロゲンガス、有機ハロゲン化物、ハロゲン化アシル、ハロゲン化カルボニル、ハロゲン化チオニル、又はそれらの混合物を含む、方法。
- 請求項５に記載の方法であって、前記現像化学物質は、フッ化水素（ＨＦ）、塩化水素（ＨＣｌ）、臭化水素（ＨＢｒ）、又はヨウ化水素（ＨＩ）を含む、方法。
- 請求項５に記載の方法であって、前記現像化学物質は、水素ガス（Ｈ2）と、フッ素ガス（Ｆ2）、塩素ガス（Ｃｌ2）、臭素ガス（Ｂｒ2）、又はヨウ素ガス（Ｉ2）とを含む、方法。
- 請求項１に記載の方法であって、前記ハロゲン化物は、キャリアガスと共に前記プロセスチャンバ内へと流され、前記キャリアガスは、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、キセノン（Ｘｅ）、又は窒素（Ｎ2）を含む、方法。
- 請求項１に記載の方法であって、前記現像化学物質への曝露による前記フォトパターニングされた金属含有レジストの現像は、前記フォトパターニングされた金属含有レジストを、ドライ現像化学物質への曝露によりドライ現像することを含む、方法。
- 請求項９に記載の方法であって、前記フォトパターニングされた金属含有レジストをドライ現像することは、前記ハロゲン化物のラジカルを含むリモートプラズマを前記レジストに適用することを含む、方法。
- 請求項９に記載の方法であって、前記フォトパターニングされた金属含有レジストをドライ現像することは、プラズマを用いない熱プロセスにて、少なくとも前記ハロゲン化物に曝露させることを含む、方法。
- 請求項９に記載の方法であって、前記フォトパターニングされた金属含有レジストをドライ現像することは、約－６０℃～約１２０℃の温度で、０．１ｍＴｏｒｒ～約７６０Ｔｏｒｒのチャンバ圧力で、１００ｓｃｃｍ～２０００ｓｃｃｍの前記ハロゲン化物のガス流量で行われ、前記レジストマスクのエッチング選択性は、前記温度、前記チャンバ圧力、前記ガス流量、又はそれらの組み合わせに少なくとも部分的に基づいて調整可能である、方法。
- 請求項１２に記載の方法であって、前記温度は、約－２０℃～約２０℃である、方法。
- 請求項１２に記載の方法であって、前記レジストマスクのプロファイルが、前記温度、前記チャンバ圧力、前記ガス流量、又はそれらの組み合わせに少なくとも部分的に基づいて制御可能である、方法。
- 請求項１～１４のいずれか一項に記載の方法であって、前記フォトパターニングされた金属含有レジストは、有機金属酸化物薄膜又は有機金属含有薄膜である、方法。
- 請求項１５に記載の方法であって、前記フォトパターニングされた金属含有レジストは有機スズ酸化物を含む、方法。
- 請求項１～１４のいずれか一項に記載の方法であって、前記フォトパターニングされた金属含有レジストは、スズ、ハフニウム、テルル、ビスマス、インジウム、アンチモン、ヨウ素、及びゲルマニウムからなる群から選択される元素を含む、方法。
- 請求項１～１４のいずれか一項に記載の方法であって、前記フォトパターニングされた金属含有レジストを提供することは、前記基板層上に金属含有レジスト膜を気相堆積することを含む、方法。
- 請求項１～１４のいずれか一項に記載の方法であって、前記フォトパターニングされた金属含有レジストを提供することは、前記基板層上に金属含有レジスト膜をスピンコーティングすることを含む、方法。
- 請求項１～１４のいずれか一項に記載の方法であって、前記フォトパターニングされた金属含有レジストの厚さが約１０ｎｍ～約５０ｎｍである、方法。
- 請求項１～１４のいずれか一項に記載の方法であって、
前記フォトパターニングされた金属含有レジストを現像した後、前記フォトパターニングされた金属含有レジストを不活性ガスプラズマに曝露させることを更に含む、方法。 - 請求項２１に記載の方法であって、
前記フォトパターニングされた金属含有レジストを現像する作業と、前記フォトパターニングされた金属含有レジストを前記不活性ガスプラズマに曝露させる作業とを反復すること更に含む、方法。 - 請求項１～１４のいずれか一項に記載の方法であって、
前記フォトパターニングされた金属含有レジストを現像する前に、前記フォトパターニングされた金属含有レジストを高温でベークすることを更に含む、方法。 - 請求項１～１４のいずれか一項に記載の方法であって、前記フォトパターニングされた金属含有レジストを提供することは、
前記半導体基板上に金属含有ＥＵＶレジスト膜を堆積させることと、
前記半導体基板の裏面及びベベルエッジにある、前記金属含有ＥＵＶレジスト膜の一部を、非選択的に除去することと、
前記金属含有ＥＵＶレジスト膜をＥＵＶ光に露光させて、前記フォトパターニングされた金属含有レジストを形成することと、を含む方法。 - 請求項１～１４のいずれか一項に記載の方法であって、
前記半導体基板上に金属含有ＥＵＶレジスト膜を堆積させることと、
前記フォトパターニングされた金属含有レジストを提供する前に、前記基板層を除去することなく、前記半導体基板から前記金属含有ＥＵＶレジスト膜を非選択的に除去することと、を更に含む方法。 - レジストの現像を行う装置であって、前記装置は、
基板支持体を有するプロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバに結合された真空ラインと、
前記プロセスチャンバに結合された現像化学物質ラインと、
半導体基板を処理するための命令を有するように構成されたコントローラと、を備え、前記命令は、
前記プロセスチャンバ内において、前記半導体基板の基板層上にフォトパターニングされた金属含有レジストを提供するための、
及びハロゲン化物を含む現像化学物質への曝露により前記レジストの一部分を選択的に除去することにより、前記フォトパターニングされた金属含有レジストを現像してレジストマスクを形成するための、コードを含む、装置。 - 請求項２６に記載の装置であって、前記フォトパターニングされた金属含有レジストはフォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストであり、前記コントローラは、前記フォトパターニングされた金属含有ＥＵＶレジストを現像するためのコードを含み、前記現像化学物質により前記ＥＵＶレジストのＥＵＶ非露光部分をＥＵＶ露光部分に対して選択的に除去して前記レジストマスクを形成するためのコードを含む、命令を有するように構成されている、装置。
- 請求項２６に記載の装置であって、
前記基板支持体に結合された１つ以上のヒーターを更に備え、前記１つ以上のヒーターは複数の独立して制御可能な温度制御ゾーンを含む、装置。 - 請求項２６に記載の装置であって、前記プロセスチャンバの内部が腐食防止剤でコーティングされている、装置。
- 請求項２６に記載の装置であって、
前記プロセスチャンバに結合されたコールドトラップを更に備え、前記コールドトラップは前記プロセスチャンバから水を除去するように構成されている、装置。 - 請求項２６～３０のいずれか一項に記載の装置であって、前記プロセスチャンバはプラスチック材料を含む、装置。
- 請求項２６～３０のいずれか一項に記載の装置であって、前記プロセスチャンバに結合されたＵＶランプ又はＩＲランプを更に備え、前記ＵＶランプ又は前記ＩＲランプは前記フォトパターニングされた金属含有レジストをキュアするか、又は過剰のハロゲン化物を前記プロセスチャンバから除去するように構成されている、装置。
- 半導体基板を処理する方法であって、前記方法は、
プロセスチャンバ内において、ドライ堆積されたフォトパターニングされた金属酸化物ＥＵＶレジストを半導体基板の基板層上に設けることと、
ＨＣｌ及び／又はＨＢｒを含むドライ現像化学物質への曝露により、前記ＥＵＶレジストのＥＵＶ非露光部分を選択的に除去することにより、前記フォトパターニングされた金属酸化物ＥＵＶレジストをドライ現像して、前記ＥＵＶ露光部分からレジストハードマスクを形成することと、を含む、方法。 - 請求項３３に記載の方法であって、ドライ現像がプラズマを用いない熱プロセスで行われ、前記ドライ現像化学物質への曝露は約－２０℃～約２０℃の温度で行われる、方法。
- 請求項３３に記載の方法であって、前記フォトパターニングされた金属酸化物ＥＵＶレジストは有機スズ酸化物を含む、方法。
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