JP2023520391A - フォトレジストのドライ除去用プロセスツール - Google Patents
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Description
本出願の一部として、PCT願書様式を本明細書と同時に提出する。同時に提出したPCT願書様式において特定される、本出願が利益または優先権を主張する各出願は、その内容全体が参照により、すべての目的のために本明細書に組み込まれる。
半導体処理における薄膜のパターニングは、多くの場合、半導体の製造において重要な工程である。パターニングは、リソグラフィを含む。193nmフォトリソグラフィなどの従来のフォトリソグラフィでは、光子源からマスクに光子を照射することにより、感光性フォトレジストにパターンを転写し、それによってフォトレジスト中で化学反応を起こし、現像後にフォトレジストの一部を除去してパターンを形成する。
本開示は、大気条件下での金属含有EUVレジストのドライエッチングを提供する。本明細書において「大気条件」とは、非真空条件への曝露を意味してもよい。具体的には、大気条件は、約50Torr~約760Torr(すなわち、大気圧)、または約50Torr~約765Torrのチャンバ圧力を構成してもよい。本開示におけるツールおよびチャンバは、大気圧を超える超過圧力で動作してもよい。超過圧力は例えば、大気圧よりも約0.1Torr~約5Torr、または約0.3Torr~約1.5Torr大きくてもよい。いくつかの実施形態において、大気条件は、チャンバ圧力が約760Torrを超える制御雰囲気を構成してもよい。大気圧を超える圧力での動作は、酸素または空気によるリークイン汚染を回避するのに有用な場合がある。
MaRbLc ・・・(式1)
ここで、Mは、高いパターニング照射吸収断面積を有する金属、Rは、CnH2n+1(好ましくは、n≧2)などのアルキル、Lは、カウンター反応物と反応する配位子、イオン、または他の部分であり、a≧1、b≧1、c≧1である。
金属および/または金属酸化物フォトレジストをドライエッチングして、例えばEUVパターニングにおいてパターニングマスクを形成するためのプロセスおよび装置が開示される。
[形態1]
装置であって、
大気条件に曝露されるプロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバ内の半導体基板を保持するための基板支持台と、
前記基板支持台上の前記半導体基板に面する加熱アセンブリであって、複数の加熱素子を含む加熱アセンブリと、
前記基板支持台の上方に配置されるエッチングガス供給ノズルであって、エッチングガスの供給位置が前記半導体基板の上方の位置になるように移動可能なエッチングガス供給ノズルと、
を含む、装置。
[形態2]
形態1に記載の装置であって、
前記半導体基板は金属含有EUVレジストを含み、
前記金属含有EUVレジストの1つ以上の部分は、前記エッチングガスによって除去可能である、
装置。
[形態3]
形態1に記載の装置であって、
大気条件に曝露される前記プロセスチャンバは、約50Torr~約765Torrの大気圧に曝露される、
装置。
[形態4]
形態1に記載の装置であって、
大気条件に曝露される前記プロセスチャンバは、制御雰囲気に曝露され、
前記制御雰囲気への曝露は、約760Torrを超えるチャンバ圧力への曝露および/または窒素、水蒸気、二酸化炭素、アルゴン、ヘリウム、もしくはこれらの組み合わせへの曝露を含む、
装置。
[形態5]
形態1に記載の装置であって、
前記複数の加熱素子は、複数のLEDを含み、
前記複数のLEDは、複数の独立して制御可能な加熱ゾーンに配置される、
装置。
[形態6]
形態1に記載の装置であって、
前記エッチングガス供給ノズルは、前記エッチングガス供給ノズルを前記半導体基板の中央から端部に位置させるように構成された可動スイングアームに結合される、
装置。
[形態7]
形態1に記載の装置であって、
前記基板支持台は、前記半導体基板を回転させるように構成される、
装置。
[形態8]
形態1に記載の装置であって、
前記半導体基板を処理するための命令を備えて構成されるコントローラをさらに含み、
前記命令は、
前記プロセスチャンバ内で前記半導体基板上に金属含有EUVレジストを設けることと、
前記エッチングガス供給ノズルを通じて前記半導体基板に前記エッチングガスを供給し、大気条件下で前記半導体基板から前記金属含有EUVレジストの1つ以上の部分をドライエッチングすることと、
を行うためのコードを含む、
装置。
[形態9]
形態8に記載の装置であって、
大気条件下で前記金属含有EUVレジストの前記1つ以上の部分をドライエッチングすることは、前記金属含有EUVレジストの露光部分に対して、前記金属含有EUVレジストの非露光部分を選択的に除去することにより前記金属含有EUVレジストをドライ現像することを含む、
装置。
[形態10]
形態8に記載の装置であって、
大気条件下で前記金属含有EUVレジストの前記1つ以上の部分をドライエッチングすることは、前記半導体基板のベベルエッジから前記金属含有EUVレジストをドライ洗浄することを含む、
装置。
[形態11]
形態1~10のいずれか一項に記載の装置であって、
前記プロセスチャンバ内のエッチング副生成物および他の残留ガスを除去するように構成された排気ファンをさらに含む、
装置。
[形態12]
形態1~10のいずれか一項に記載の装置であって、
不活性ガスおよび/または希釈ガスを前記プロセスチャンバに供給するために前記プロセスチャンバに結合されたガス源をさらに含む、
装置。
[形態13]
形態1~10のいずれか一項に記載の装置であって、
前記プロセスチャンバは、プラズマを使用しない熱プロセスチャンバである、
装置。
[形態14]
装置であって、
大気条件に曝露されるプロセスチャンバと、
半導体基板を支持するためのベークプレートであって、複数の加熱ゾーンを含み、前記複数の加熱ゾーンの各々が1つ以上の加熱素子を含む、ベークプレートと、
前記ベークプレートの上方に配置され、前記半導体基板にエッチングガスを供給するように構成されたエッチングガス分配器と、
を含む、装置。
[形態15]
形態14に記載の装置であって、
前記半導体基板は金属含有EUVレジストを含み、
前記金属含有EUVレジストの1つ以上の部分は、前記エッチングガスによって除去可能である、
装置。
[形態16]
形態14に記載の装置であって、
大気条件に曝露される前記プロセスチャンバは、約50Torr~約765Torrの大気圧に曝露される、
装置。
[形態17]
形態14に記載の装置であって、
大気条件に曝露される前記プロセスチャンバは、制御雰囲気に曝露され、
前記制御雰囲気への曝露は、約760Torrを超えるチャンバ圧力への曝露および/または窒素、水蒸気、二酸化炭素、アルゴン、ヘリウム、もしくはこれらの組み合わせへの曝露を含む、
装置。
[形態18]
形態14に記載の装置であって、
前記ベークプレートは、上面と、前記ベークプレートの前記上面よりも高い位置で前記半導体基板を支持するための複数の最小接触面積(MCA)支持部とを含む、
装置。
[形態19]
形態14~18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記エッチングガス分配器は、前記半導体基板に面するフェースプレートを有するシャワーヘッドを含み、
前記フェースプレートは、前記半導体基板に前記エッチングガスを供給するための複数の貫通孔を含む、
装置。
[形態20]
形態14~18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記プロセスチャンバは、プラズマを使用しない熱プロセスチャンバである、
装置。
[形態21]
形態14~18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記半導体基板を処理するための命令を備えて構成されるコントローラをさらに含み、前記命令は、
前記プロセスチャンバ内で前記半導体基板上に金属含有EUVレジストを設けることと、
前記エッチングガス分配器を通じて前記半導体基板に前記エッチングガスを供給し、大気条件下で前記半導体基板から前記金属含有EUVレジストの1つ以上の部分をドライエッチングすることと、
を行うためのコードを含む、
装置。
[形態22]
装置であって、
複数の半導体基板を保持するための基板支持台を有する炉反応器と、
前記複数の半導体基板を昇温温度に加熱するための複数の加熱素子と、
前記炉反応器にエッチングガスを供給するための1つ以上のエッチングガス入口であって、前記複数の半導体基板にエッチングガスを供給するように構成された1つ以上のエッチングガス入口と、
を含む、装置。
[形態23]
形態22に記載の装置であって、
前記炉反応器は、大気条件に曝露される、
装置。
[形態24]
形態23に記載の装置であって、
大気条件は、制御雰囲気への曝露を含み、
前記1つ以上のエッチングガス入口は、前記制御雰囲気を提供するために、窒素、水蒸気、二酸化炭素、アルゴン、ヘリウム、またはこれらの組み合わせを供給するようにさらに構成される、
装置。
[形態25]
形態22に記載の装置であって、
エッチング副生成物および他の残留ガスを前記炉反応器から除去するための1つ以上のガス出口と、
前記基板支持台を回転させるためのモータと、
をさらに含む、装置。
[形態26]
形態22~25のいずれか一項に記載の装置であって、
前記炉反応器のチャンバ壁は、石英、セラミック材料、または低温ポリマー材料を含む、
装置。
[形態27]
形態22~25のいずれか一項に記載の装置であって、
前記複数の半導体基板の各々は金属含有EUVレジストを含み、
前記金属含有EUVレジストの1つ以上の部分は、前記エッチングガスによって除去可能である、
装置。
[形態28]
トラックリソグラフィシステムであって、
半導体基板を受け取り、かつ戻すための1つ以上のポッドを含むカセット搭載部と、
前記半導体基板のフォトレジスト処理を行うための複数の処理ステーションを含む処理部であって、前記複数の処理ステーションは、
前記半導体基板上に金属含有EUVレジストを堆積するための堆積チャンバと、
熱プロセスチャンバと、
基板洗浄チャンバと、を含み、前記複数の処理ステーションの少なくとも1つは大気条件に曝露され、かつ前記半導体基板から前記金属含有EUVレジストの1つ以上の部分をドライ除去するように構成されている、処理部と、
前記半導体基板をEUV照射に露光するためのスキャナを含む露光部と、
前記半導体基板を前記処理部と前記露光部との間で搬送するためのインタフェース部と、
を含む、トラックリソグラフィシステム。
[形態29]
形態28に記載のトラックリソグラフィシステムであって、
前記複数の処理ステーションは、
前記半導体基板の表面を処理するためのヘキサメチルジシラザン(HMDS)処理チャンバをさらに含み、
前記HMDS処理チャンバは、大気条件下で前記金属含有EUVレジストの1つ以上の部分をドライ除去するように構成される、
トラックリソグラフィシステム。
[形態30]
形態28に記載のトラックリソグラフィシステムであって、
前記複数の処理ステーションの前記少なくとも1つは、前記半導体基板を保持するための基板支持台と、前記半導体基板にエッチングガスを供給するためのガス分配器とを含み、
前記金属含有EUVレジストの1つ以上の部分は、前記エッチングガスによって除去可能である、
トラックリソグラフィシステム。
Claims (30)
- 装置であって、
大気条件に曝露されるプロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバ内の半導体基板を保持するための基板支持台と、
前記基板支持台上の前記半導体基板に面する加熱アセンブリであって、複数の加熱素子を含む加熱アセンブリと、
前記基板支持台の上方に配置されるエッチングガス供給ノズルであって、エッチングガスの供給位置が前記半導体基板の上方の位置になるように移動可能なエッチングガス供給ノズルと、
を含む、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記半導体基板は金属含有EUVレジストを含み、
前記金属含有EUVレジストの1つ以上の部分は、前記エッチングガスによって除去可能である、
装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
大気条件に曝露される前記プロセスチャンバは、約50Torr~約765Torrの大気圧に曝露される、
装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
大気条件に曝露される前記プロセスチャンバは、制御雰囲気に曝露され、
前記制御雰囲気への曝露は、約760Torrを超えるチャンバ圧力への曝露および/または窒素、水蒸気、二酸化炭素、アルゴン、ヘリウム、もしくはこれらの組み合わせへの曝露を含む、
装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記複数の加熱素子は、複数のLEDを含み、
前記複数のLEDは、複数の独立して制御可能な加熱ゾーンに配置される、
装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記エッチングガス供給ノズルは、前記エッチングガス供給ノズルを前記半導体基板の中央から端部に位置させるように構成された可動スイングアームに結合される、
装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記基板支持台は、前記半導体基板を回転させるように構成される、
装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記半導体基板を処理するための命令を備えて構成されるコントローラをさらに含み、
前記命令は、
前記プロセスチャンバ内で前記半導体基板上に金属含有EUVレジストを設けることと、
前記エッチングガス供給ノズルを通じて前記半導体基板に前記エッチングガスを供給し、大気条件下で前記半導体基板から前記金属含有EUVレジストの1つ以上の部分をドライエッチングすることと、
を行うためのコードを含む、
装置。 - 請求項8に記載の装置であって、
大気条件下で前記金属含有EUVレジストの前記1つ以上の部分をドライエッチングすることは、前記金属含有EUVレジストの露光部分に対して、前記金属含有EUVレジストの非露光部分を選択的に除去することにより前記金属含有EUVレジストをドライ現像することを含む、
装置。 - 請求項8に記載の装置であって、
大気条件下で前記金属含有EUVレジストの前記1つ以上の部分をドライエッチングすることは、前記半導体基板のベベルエッジから前記金属含有EUVレジストをドライ洗浄することを含む、
装置。 - 請求項1~10のいずれか一項に記載の装置であって、
前記プロセスチャンバ内のエッチング副生成物および他の残留ガスを除去するように構成された排気ファンをさらに含む、
装置。 - 請求項1~10のいずれか一項に記載の装置であって、
不活性ガスおよび/または希釈ガスを前記プロセスチャンバに供給するために前記プロセスチャンバに結合されたガス源をさらに含む、
装置。 - 請求項1~10のいずれか一項に記載の装置であって、
前記プロセスチャンバは、プラズマを使用しない熱プロセスチャンバである、
装置。 - 装置であって、
大気条件に曝露されるプロセスチャンバと、
半導体基板を支持するためのベークプレートであって、複数の加熱ゾーンを含み、前記複数の加熱ゾーンの各々が1つ以上の加熱素子を含む、ベークプレートと、
前記ベークプレートの上方に配置され、前記半導体基板にエッチングガスを供給するように構成されたエッチングガス分配器と、
を含む、装置。 - 請求項14に記載の装置であって、
前記半導体基板は金属含有EUVレジストを含み、
前記金属含有EUVレジストの1つ以上の部分は、前記エッチングガスによって除去可能である、
装置。 - 請求項14に記載の装置であって、
大気条件に曝露される前記プロセスチャンバは、約50Torr~約765Torrの大気圧に曝露される、
装置。 - 請求項14に記載の装置であって、
大気条件に曝露される前記プロセスチャンバは、制御雰囲気に曝露され、
前記制御雰囲気への曝露は、約760Torrを超えるチャンバ圧力への曝露および/または窒素、水蒸気、二酸化炭素、アルゴン、ヘリウム、もしくはこれらの組み合わせへの曝露を含む、
装置。 - 請求項14に記載の装置であって、
前記ベークプレートは、上面と、前記ベークプレートの前記上面よりも高い位置で前記半導体基板を支持するための複数の最小接触面積(MCA)支持部とを含む、
装置。 - 請求項14~18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記エッチングガス分配器は、前記半導体基板に面するフェースプレートを有するシャワーヘッドを含み、
前記フェースプレートは、前記半導体基板に前記エッチングガスを供給するための複数の貫通孔を含む、
装置。 - 請求項14~18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記プロセスチャンバは、プラズマを使用しない熱プロセスチャンバである、
装置。 - 請求項14~18のいずれか一項に記載の装置であって、
前記半導体基板を処理するための命令を備えて構成されるコントローラをさらに含み、前記命令は、
前記プロセスチャンバ内で前記半導体基板上に金属含有EUVレジストを設けることと、
前記エッチングガス分配器を通じて前記半導体基板に前記エッチングガスを供給し、大気条件下で前記半導体基板から前記金属含有EUVレジストの1つ以上の部分をドライエッチングすることと、
を行うためのコードを含む、
装置。 - 装置であって、
複数の半導体基板を保持するための基板支持台を有する炉反応器と、
前記複数の半導体基板を昇温温度に加熱するための複数の加熱素子と、
前記炉反応器にエッチングガスを供給するための1つ以上のエッチングガス入口であって、前記複数の半導体基板にエッチングガスを供給するように構成された1つ以上のエッチングガス入口と、
を含む、装置。 - 請求項22に記載の装置であって、
前記炉反応器は、大気条件に曝露される、
装置。 - 請求項23に記載の装置であって、
大気条件は、制御雰囲気への曝露を含み、
前記1つ以上のエッチングガス入口は、前記制御雰囲気を提供するために、窒素、水蒸気、二酸化炭素、アルゴン、ヘリウム、またはこれらの組み合わせを供給するようにさらに構成される、
装置。 - 請求項22に記載の装置であって、
エッチング副生成物および他の残留ガスを前記炉反応器から除去するための1つ以上のガス出口と、
前記基板支持台を回転させるためのモータと、
をさらに含む、装置。 - 請求項22~25のいずれか一項に記載の装置であって、
前記炉反応器のチャンバ壁は、石英、セラミック材料、または低温ポリマー材料を含む、
装置。 - 請求項22~25のいずれか一項に記載の装置であって、
前記複数の半導体基板の各々は金属含有EUVレジストを含み、
前記金属含有EUVレジストの1つ以上の部分は、前記エッチングガスによって除去可能である、
装置。 - トラックリソグラフィシステムであって、
半導体基板を受け取り、かつ戻すための1つ以上のポッドを含むカセット搭載部と、
前記半導体基板のフォトレジスト処理を行うための複数の処理ステーションを含む処理部であって、前記複数の処理ステーションは、
前記半導体基板上に金属含有EUVレジストを堆積するための堆積チャンバと、
熱プロセスチャンバと、
基板洗浄チャンバと、を含み、前記複数の処理ステーションの少なくとも1つは大気条件に曝露され、かつ前記半導体基板から前記金属含有EUVレジストの1つ以上の部分をドライ除去するように構成されている、処理部と、
前記半導体基板をEUV照射に露光するためのスキャナを含む露光部と、
前記半導体基板を前記処理部と前記露光部との間で搬送するためのインタフェース部と、
を含む、トラックリソグラフィシステム。 - 請求項28に記載のトラックリソグラフィシステムであって、
前記複数の処理ステーションは、
前記半導体基板の表面を処理するためのヘキサメチルジシラザン(HMDS)処理チャンバをさらに含み、
前記HMDS処理チャンバは、大気条件下で前記金属含有EUVレジストの1つ以上の部分をドライ除去するように構成される、
トラックリソグラフィシステム。 - 請求項28に記載のトラックリソグラフィシステムであって、
前記複数の処理ステーションの前記少なくとも1つは、前記半導体基板を保持するための基板支持台と、前記半導体基板にエッチングガスを供給するためのガス分配器とを含み、
前記金属含有EUVレジストの1つ以上の部分は、前記エッチングガスによって除去可能である、
トラックリソグラフィシステム。
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