JP2021523403A - Ｅｕｖパターン化可能ハードマスクを形成するための方法 - Google Patents

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Abstract

【解決手段】半導体基板上にＥＵＶを用いてパターニングされうる薄膜を形成するための方法は、有機金属前駆体の蒸気流を反反応剤蒸気流と混合させて重合有機金属材料を生成することと、半導体基板の表面上に有機金属ポリマ状材料を堆積させることとを含む。混合動作および堆積動作は、化学気相堆積（ＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、ならびに、ＣＶＤ要素を含むＡＬＤ（金属前駆体および反反応剤が時間または空間で分離される不連続なＡＬＤ的プロセスなど）によって実施されてよい。
【選択図】図２

Description

［関連出願の相互参照］
本出願は、２０１８年１２月２０日出願の米国仮出願第６２／７８２，５７８号、および２０１８年５月１１日出願の米国仮出願第６２／６７０，６４４号の利益を主張する。上記出願の全ての開示は、参照として本明細書に援用される。
本技術は、半導体製造で用いるためのリソグラフィマスクを形成するためのシステムおよび方法に関する。特に、本技術は、半導体デバイスの製造で用いられる基板上にパターン化可能ハードマスクを形成するための方法、装置、および構成を提供する。
本明細書に記載の背景技術の説明は、本開示の内容を一般的に提示するためである。現在名前が挙げられている発明者の発明は、本背景技術欄、および出願時の先行技術に該当しない説明の態様において記載される範囲で、本技術に対する先行技術として明示的にも黙示的にも認められない。
集積回路などの半導体デバイスの製造は、フォトリソグラフィを含むマルチステッププロセスである。一般に、このプロセスは、ウエハ上への材料の堆積、および、半導体デバイスの構造的特徴（例えば、コンタクト、ビア、インタコネクト、トランジスタ、および回路）を形成するためのリソグラフィ技術による材料のパターニングを含む。当技術分野で周知の一般的なフォトリソグラフィプロセスの工程は、基板の準備、例えばスピンコーティングによるフォトレジストの塗布、所望のパターンでのフォトレジストの露光、フォトレジストの露光領域の現像液における多少の溶解化、フォトレジストの露光領域または未露光領域を除去するための現像液の塗布による現像、エッチングまたは材料堆積などによってフォトレジストが除去された基板領域上にフィーチャを形成するための後続処理、を含む。
半導体デザインの進化は、半導体基板材上にこれまでにないほど微細なフィーチャを形成する必要性を作り出し、それを形成する能力によって進んできた。この技術の進歩は、「ムーアの法則」において、高密度集積回路におけるトランジスタの密度が２年ごとに２倍になると特徴付けられてきた。実際に、チップのデザインおよび製造は、現在のマイクロプロセッサが１つのチップ上に何十億ものトランジスタおよび他の回路フィーチャを備えるように進歩してきた。かかるチップ上の個々のフィーチャは、約２２ナノメータ（ｎｍ）以下であり、場合によっては１０ｎｍ未満でありうる。
かかる微細フィーチャを有するデバイスの製造における１つの課題は、十分な解像度を有するフォトリソグラフィマスクを確実に、かつ再現性よく形成する能力である。現在のフォトリソグラフィプロセスは、通常、フォトレジストを露光するのに１９３ｎｍの紫外（ＵＶ）光を用いる。その光が、半導体基板上に形成されるべき所望のフィーチャサイズより著しく大きい波長を有するという事実は、特有の問題を引き起こす。光の波長より小さいフィーチャサイズを実現することは、マルチパターニングなどの複雑な高解像度化技術の使用が必要である。よって、１０ｎｍから１５ｎｍ（例えば、１３．５ｎｍ）の波長を有する極紫外放射線（ＥＵＶ）などのより短い波長光を用いるフォトリソグラフィ技術の開発は、意義深い重要性と、大変な研究努力とがある。
しかし、ＥＵＶフォトリソグラフィプロセスは、パターニング中の低電力出力および光損失を含む課題を提示しうる。１９３ｎｍのＵＶリソグラフィで用いられるものに類似する、従来の有機化学増幅型レジスト（ＣＡＲ）は、特に、ＥＵＶ領域で低吸着係数を有し、光活性化化学種の拡散のぼやけ又はラインエッジの粗さが発生する可能性があるため、ＥＵＶリソグラフィで用いられるときに潜在的な欠点を有する。さらに、下地デバイス層をパターニングするのに必要なエッチング耐性を提供するために、従来のＣＡＲ材にパターニングされた微細フィーチャは、パターン崩壊リスクのある高アスペクト比を引き起こしうる。従って、薄い厚さ、より優れた吸光度、およびより優れたエッチング耐性という特性を有する改良されたＥＵＶフォトレジスト材料の必要性が残る。
本技術は、基板（特に、半導体基板）上にＥＵＶを用いてパターニングされうる薄膜を形成するための方法を提供する。かかる方法は、重合有機金属材料が気相で生成され、基板上に堆積されるものを含む。具体的には、半導体基板の表面上にＥＵＶパターン化可能薄膜を形成する方法は、有機金属前駆体の蒸気流を反反応剤の蒸気流と混合させて重合有機金属材料を生成することと、半導体基板の表面上に有機金属ポリマ状材料を堆積させることとを含む。いくつかの実施形態では、１つ以上の有機金属前駆体が蒸気流に含まれる。いくつかの実施形態では、１つ以上の反反応剤が蒸気流に含まれる。いくつかの実施形態では、混合動作および堆積動作は、連続化学気相堆積（ＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス、または、ＣＶＤ要素を含むＡＬＤ（金属前駆体および反反応剤が時間もしくは空間で分離される不連続なＡＬＤ的プロセスなど）において実施される。本技術は、半導体材料の表面上にパターンを形成するための方法も提供し、この方法は、通常、比較的高真空下でＥＵＶ光のパターン形成ビームを用いて、本技術に従って形成されたＥＵＶパターン化可能薄膜の一領域を露光することと、次に真空からウエハを取り出すことと、外気で露光後焼成を実施することとを含む。露光は、膜がＥＵＶ光に露光されていない１つ以上の未露光領域を含むように１つ以上の露光領域をもたらす。被覆基板のさらなる処理は、露光領域および未露光領域における化学的相違および物理的相違を利用してよい。
本技術のさらなる適用範囲は、発明を実施する形態、特許請求の範囲、および図面から明らかになるだろう。発明を実施する形態および特定の例は、説明の目的のみを意図し、本技術の範囲を限定する意図はない。
本技術は、発明を実施する形態および添付の図面からより深く理解されるだろう。
本技術の例示的な化学反応スキーム。 本技術の膜の堆積および処理の例示的なプロセスの態様を示すフローチャート。 本技術に従ってＥＵＶ確定パターンを形成するための例示的プロセス。 本技術に従ってパターンを形成するための別の例示的プロセス。 本技術の方法を用いて形成されたパターンフィーチャを有する、例１に従って形成された例示的基板の走査電子顕微鏡画像。 本技術の方法を用いて形成されたパターンフィーチャを有する、例１に従って形成された例示的基板の走査電子顕微鏡画像。 本技術の方法を用いて形成されたパターンフィーチャを有する、例１に従って形成された例示的基板の走査電子顕微鏡画像。 本技術の方法を用いて形成されたパターンフィーチャを有する、例２に従って形成された例示的基板の走査電子顕微鏡画像。 本技術の方法を用いて形成されたパターンフィーチャを有する、例２に従って形成された例示的基板の走査電子顕微鏡画像。 本技術の方法を用いて形成されたパターンフィーチャを有する、例２に従って形成されたさらなる例示的基板の走査電子顕微鏡画像。 本技術の方法を用いて形成されたパターンフィーチャを有する、例２に従って形成されたさらなる例示的基板の走査電子顕微鏡画像。 本技術の方法を用いて形成されたパターンフィーチャを有する、例３に従って形成された下地フィーチャを有する例示的基板の走査電子顕微鏡画像。
以下の技術の説明は、１つ以上の発明の主題、製造、および使用の本質における単なる例示であり、本願、または本願の優先権を主張して出願されうる他の出願、またはそれらから発行される特許において請求される特定の発明の範囲、適用、または使用を限定する意図はない。本技術の理解を助ける用語および表現についての非限定的議論は、この発明を実施するための形態の最後に提供される。
上記のように、本技術は、半導体基板上にＥＵＶを用いてパターニングされうる重合薄膜を形成するための方法を提供する。かかる方法は、重合有機金属材料が気相で生成され、基板上に堆積されるものを含む。
基板は、フォトリソグラフィ処理、特に、集積回路および他の半導体デバイスの製造に適した任意の材料構成を含んでよい。いくつかの実施形態では、基板は、シリコンウエハである。基板は、不規則な表面トポグラフィを有する、フィーチャ（「下地フィーチャ」）が形成されたシリコンウエハであってよい（本明細書において、「表面」とは、本技術の膜が堆積される表面、または処理中にＥＵＶに露光される表面である）。かかる下地フィーチャは、本技術の方法が実施されるより前の処理の間に材料が（例えば、エッチングによって）除去された領域、または材料が（例えば、堆積によって）追加された領域を含んでよい。かかる事前処理は、２つ以上の層のフィーチャが基板上に形成される反復プロセスにおける本技術の方法または他の処理方法を含んでよい。本技術の機構、機能、または実用性を制限することなく、いくつかの実施形態では、本技術の方法は、スピンキャスティング法を用いて基板の表面上にフォトリソグラフィ膜が堆積される、当技術分野で周知の方法に対して利点があるとされる。かかる利点は、下地フィーチャの「充填」または平坦化なしのかかるフィーチャへの本技術の膜の共形性、および、様々な材料の表面上に膜を堆積させる能力による。本技術の膜が堆積された下地フィーチャを有する例示的基板は、以下の例３でさらに参照される図８に示されている。
重合薄膜
本技術は、ＥＵＶ感光薄膜が基板上に堆積される方法を提供する。かかる膜は、後続のＥＵＶリソグラフィおよび処理のためのレジストとして動作可能である。かかるＥＵＶ感光膜は、ＥＵＶに露光されると、低密度のＭ−ＯＨに富む物質の金属原子に結合した嵩高いペンダント置換基の損失などの変化が起き、より高密度のＭ−Ｏ−Ｍ結合金属酸化物材料への架橋を可能にする。ＥＵＶパターニングによって、未露光領域に対して変化した物理的特性または化学的特性を有する膜領域が生成される。これらの特性は、未露光領域もしくは露光領域を溶解するため、または露光領域もしくは未露光領域に材料を選択的に堆積させるためなどの後続の処理で利用されてよい。いくつかの実施形態では、かかる後続処理が実施される条件下で、未露光膜は疎水性表面を有し、露光膜は親水性表面を有する（露光領域および未露光領域の親水性特性は相関関係にあるとされる）。例えば、材料の除去は、膜の化学組成、密度、および架橋における相違を利用することによって実施されてよい。除去は、以下にさらに説明されるウェット処理またはドライ処理によって行われてよい。
様々な実施形態では、薄膜は、ＳｎＯxまたは他の金属酸化物部分を含む有機金属材料である。有機金属化合物は、有機金属前駆体の反反応剤との気相反応において生成されてよい。様々な実施形態では、有機金属化合物は、嵩高いアルキル基またはフルオロアルキルを有する有機金属前駆体と反反応剤との特定の組み合わせを混合させ、混合物を気相で重合させて、基板上に堆積する低密度のＥＵＶ感光材料を生成することによって形成される。
様々な実施形態では、有機金属前駆体は、気相反応に耐えうる少なくとも１つのアルキル基を各金属原子に備えるが、金属原子に配位した他の配位子またはイオンは、反反応剤に置き換えられうる。有機金属前駆体は、式：ＭaＲbＬc（式１）（Ｍは、高ＥＵＶ吸収断面積を有する金属、Ｒは、ＣnＨ2n+1（ｎ≧３が好ましい）などのアルキル、Ｌは、反反応剤に反応性を有する配位子、イオン、または他の部分、ａ≧１、ｂ≧１、ｃ≧１）を有する。
様々な実施形態では、Ｍは、１×１０7ｃｍ2／ｍｏｌ以上の原子吸収断面積を有する。例えば、Ｍは、スズ、ビスマス、アンチモン、およびこれらの組み合わせからなる群より選択されてよい。いくつかの実施形態では、Ｍはスズである。Ｒは、フッ素化されてよい（例えば、式：ＣnＦxＨ(2n+1)を有する）。様々な実施形態では、Ｒは、少なくとも１つのベータ水素またはベータフッ素を有する。例えば、Ｒは、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｔ−ブチル、ｉ−ブチル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｉ−ペンチル、ｔ−ペンチル、ｓｅｃ−ペンチル、およびこれらの組み合わせからなる群より選択されてよい。Ｌは、アミン（ジアルキルアミノ、モノアルキルアミノなど）、アルコキシ、カルボン酸、ハロゲン、およびこれらの組み合わせからなる群より選択された部分などのＭ−ＯＨ部分を生成するために、反反応剤によって容易に置き換えられる任意の部分であってよい。
有機金属前駆体は、様々な候補有機金属前駆体のいずれかであってよい。例えば、Ｍがスズの場合、かかる前駆体は、ｔ−ブチルトリス（ジメチルアミノ）スズ、ｉ−ブチルトリス（ジメチルアミノ）スズ、ｎ−ブチルトリス（ジメチルアミノ）スズ、ｓｅｃ−ブチルトリス（ジメチルアミノ）スズ、ｉ−プロピル（トリス）ジメチルアミノスズ、ｎ−プロピルトリス（ジメチルアミノ）スズ、および類似アルキル（トリス）（ｔ−ブトキシ）スズ化合物（ｔ−ブチルトリス（ｔ−ブトキシ）スズなど）を含む。いくつかの実施形態では、有機金属前駆体は、部分的にフッ素化されている。
反反応剤は、化学結合によって少なくとも２つの金属原子を結合させるために、反応性部分配位子またはイオン（例えば、上記式１のＬ）を置換する能力を有することが好ましい。反反応剤は、水、過酸化物（例えば、過酸化水素）、ジヒドロキシアルコールまたはポリヒドロキシアルコール、フッ化ジヒドロキシアルコールまたはフッ化ポリヒドロキシアルコール、フッ化グリコール、およびハイドロキシル部分の他の源を含みうる。様々な実施形態では、反反応剤は、隣接する金属原子の間に酸素架橋を形成することによって有機金属前駆体と反応する。他の潜在的な反反応剤は、硫黄架橋によって金属原子を架橋しうる硫化水素および二硫化水素を含む。重合有機金属材料が生成される例示的プロセスは、図１に示されている。
薄膜は、膜の化学的特性または物理的特性を変更する（例えば、ＥＵＶに対する膜の感度を変更する、またはエッチング耐性を増加させる）ため、有機金属前駆体および反反応剤に加えて任意の材料を含んでよい。かかる任意の材料は、例えば、基板上への堆積より前、成膜後、またはその両方における気相形成中のドーピングによって導入されてよい。いくつかの実施形態では、いくつかのＳｎ−Ｌ結合をＳｎ−Ｈに置換するために穏やかなリモートＨ2プラズマが導入されてよく、それによりＥＵＶ下でのレジストの反応性が増加しうる。
成膜
本技術の膜の堆積および処理のための例示的プロセスは、図２に示されている。いくつかの実施形態では、方法は、基板への膜の接着を向上させるための事前処理１を含む。ＥＵＶ膜は、次に基板上に堆積２されてよい。
様々な実施形態では、ＥＵＶパターン化可能膜は、当技術分野で周知の気相堆積装置およびプロセスを用いて基板上に成膜される。かかるプロセスでは、重合有機金属材料は、基板の表面上に気相でまたはｉｎ−ｓｉｔｕで生成される。適したプロセスは、例えば、化学気相堆積（ＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、およびＣＶＤ要素を含むＡＬＤ（金属前駆体および反反応剤が時間または空間で分離される不連続なＡＬＤ的プロセスなど）を含む。
一般に、方法は、有機金属前駆体の蒸気流を反反応剤の蒸気流と混合させて重合有機金属材料を生成することと、半導体基板の表面上に有機金属材料を堆積させることとを含む。当業者に理解されるように、プロセスの混合態様および堆積態様は、実質的に連続的なプロセスにおいて同時であってよい。
例示的な連続ＣＶＤプロセスでは、有機金属前駆体および反反応剤源の２つ以上のガス流は、別々の流入口でＣＶＤ装置の堆積チャンバに導入され、そこで気相で混合および反応して凝集高分子材料を（例えば、金属−酸素−金属結合の形成によって）生成する。これらの流れは、例えば、別々の注入口またはデュアルプレナムシャワーヘッドを用いて導入されてよい。装置は、有機金属前駆体流および反反応剤流がチャンバ内で混合されるように構成されるため、有機金属前駆体および反反応剤が反応して重合有機金属材料が生成されうる。本技術の機構、機能、または実用性を制限することなく、かかる気相反応による生成物は、金属原子が反反応剤によって架橋されるにつれて分子量が重くなり、次に基板上に凝結される、または堆積されるとされている。様々な実施形態では、嵩高いアルキル基の立体障害性は、高密度に詰め込まれたネットワークの形成を防ぎ、多孔質の低密度膜を形成する。
ＣＶＤプロセスは、一般に、１０ミリトルから１０トルなどの低圧で実行される。いくつかの実施形態では、このプロセスは、０．５トルから２トルで実行される。基板の温度は、反応剤流の温度以下であることが好ましい。例えば、基板の温度は、０℃から２５０℃、または大気温度（例えば、２３℃）から１５０℃であってよい。様々なプロセスでは、基板上への重合有機金属材料の堆積は、表面温度に反比例する速度で起こる。
基板の表面上に形成されたＥＵＶパターン化可能膜の厚さは、表面特性、使用材料、および処理条件によって異なってよい。様々な実施形態では、膜厚は、０．５ｎｍから１００ｎｍの範囲であってよく、ＥＵＶパターニングの条件下でＥＵＶ光のほとんどを吸収するのに十分な厚さであることが好ましい。例えば、レジスト膜の全吸収は、レジスト膜底部のレジスト材が十分露光されるように３０％以下（例えば、１０％以下または５％以下）であってよい。いくつかの実施形態では、膜厚は、１０ｎｍから２０ｎｍである。本技術の機構、機能、または実用性を制限することなく、当技術分野のウェットスピンコーティングプロセスと異なり、本技術のプロセスは、基板の表面接着特性に対する制限がほとんどないため、様々な基板に適用されうるとされる。また、上述のように、堆積膜は、表面フィーチャに密接に共形しうるため、下地フィーチャを「充填する」または平坦化することなく基板（かかるフィーチャを有する基板など）の上にマスクを形成することにおいて利益をもたらす。
ＥＵＶパターニング
本技術は、堆積膜の一領域をＥＵＶ光に露光することによって膜がパターニングされる方法も提供する。図２をさらに参照すると、パターニング４は、膜の任意の露光後焼成３に続いてよい。かかるパターニングでは、ＥＵＶ光は、被覆基板の１つ以上の領域に集光される。ＥＵＶへの露光は、通常、膜がＥＵＶ光に露光されない１つ以上の領域を含むように実施される。結果として生じた膜は、複数の露光領域および未露光領域を含んでよく、膜および基板の後続処理において基板への材料の追加または基板からの材料の除去によって形成される半導体デバイスのトランジスタまたは他のフィーチャの形成と一致するパターンを形成する。本明細書で有効なＥＵＶ装置および撮像方法は、当技術分野で周知の方法を含む。
具体的には、上述のように、膜の領域は、未露光領域に対して物理的特性または化学的特性を変更したＥＵＶパターニングによって形成される。例えば、露光領域では、ベータ水素化物の除去によって金属−炭素結合開裂が起こり、ハードマスク用のネガ型レジストまたはテンプレートとして化学的コントラストを形成するのに用いられうる、金属−酸素架橋によって水酸化物および架橋金属酸化物部分に変換されうる、反応性の接触可能な金属水素化物の官能性が残される。一般に、アルキル基におけるより多くのベータ−Ｈは、より高感光な膜をもたらす。露光に続いて、膜は、金属酸化物膜のさらなる架橋をもたらすために焼成されてよい。この化学反応は、図１、図３、および図４に示されている。露光領域と未露光領域との間の特性の相違は、未露光領域を溶解する、または露光領域に材料を堆積させるなどのために、後続処理で利用されてよい。
かかる方法は、異なる方法でパターニングするために用いられうる。図２をさらに参照すると、いくつかの実施形態では、露光後焼成５は、ネガ型レジスト方法において膜中のアルキル基の除去を促しうる。かかるネガ型レジスト方法は、図３に示されている。本技術の機構、機能、または実用性を制限することなく、例えば、１０ｍＪ／ｃｍ2から１００ｍＪ／ｃｍ2の量でのＥＵＶ露光は、立体障害を緩和し、低密度膜が崩壊する空間を提供してよい。また、ベータ−水素化物の除去反応で生成された反応性金属−Ｈ結合は、膜中のヒドロキシルなどの隣接する活性基と反応しうることで、さらなる架橋および高密度化をもたらし、露光領域と未露光領域との間に化学的コントラストを作り出す。
この材料コントラストは、その後、図２に示されるように後続処理で用いられうる。かかる処理６は、湿式現像、乾式現像、または領域選択ＡＬＤを含んでよい。例えば、湿式現像プロセスまたは乾式現像プロセスは、未露光領域を除去し、露光領域を残してよい。
湿式現像プロセスでは、露光領域における化学変化は、より大きい分子量を有するより多くの架橋材料の形成をもたらし、選択有機溶剤における溶解度の著しい減少をもたらす。非架橋領域は、適した有機溶剤（イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアセテート、または２−ヘプタノンなど）を用いて除去されてよい。乾式成膜の予想外の利点は、膜が完全に溶性ということである。本技術の機構、機能、または実用性を制限することなく、この利点は、堆積中に起こる気相重合／凝結に関係してよく、選択された溶剤に容易に溶ける環状オリゴマを生成する可能性がある。
選択的ドライエッチングは、組成、架橋の程度、および膜密度に関する相違を利用することによって実施されてもよい。本技術のいくつかの実施形態では、本技術の膜は、基板上に気相堆積される。膜は、次にＥＵＶ露光によって直接パターニングされ、パターンは、金属酸化物含有マスクを形成するために乾式方法を用いて現像される。かかるプロセスで有効な方法および装置は、２０１８年１２月２０日出願の、Ｖｏｌｏｓｓｋｉｙらによる米国特許出願第６２／７８２，５７８号（参照として本明細書に援用される）に記載されている。
かかる乾式現像プロセスは、ＢＣｌ3（三塩化ホウ素）または他のルイス酸などの乾式現像化学物質を流しながら、穏やかなプラズマ（高圧、低電力）または熱処理を用いて行われうる。いくつかの実施形態では、ＢＣｌ3は、未露光材料を迅速に除去して、従来のエッチングプロセスなどのプラズマ系エッチングプロセスによって下地層に転写されうる露光膜のパターンを残すことができる。
プラズマプロセスは、当技術分野で周知の装置および技術を用いる、トランス結合型プラズマ（ＴＣＰ）、誘電結合型プラズマ（ＩＣＰ）、または容量結合型プラズマ（ＣＣＰ）を含む。例えば、プロセスは、＞５ｍＴ（例えば、＞１５ｍＴ）の圧力で、＜１０００Ｗ（例えば、＜５００Ｗ）の電力レベルで実施されてよい。温度は、１００標準立方センチメートル／分（ｓｃｃｍ）から１０００ｓｃｃｍ（例えば、１秒から３０００秒（例えば、１０〜６００秒）間に約５００ｓｃｃｍ）の流量で、０℃から３００℃（例えば３０℃から１２０℃）であってよい。
熱現像プロセスでは、基板は、真空チャンバ（例えば、オーブン）で乾式現像化学物質（例えば、ルイス酸）に曝される。適したチャンバは、真空ライン、乾式現像化学物質ガス（例えば、Ｂｌ3）ライン、および温度制御用のヒータを含みうる。いくつかの実施形態では、チャンバ内部は、有機ポリマ被覆または無機被覆など耐食性被膜が施されうる。かかる被膜の１つは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）（例えば、テフロン１Ｍ）である。かかる材料は、本技術の熱処理においてプラズマ曝露による除去のリスクなしに用いられうる。
様々な実施形態では、本技術の方法は、蒸着、（ＥＵＶ）リソグラフィ光パターニング、および乾式現像による膜形成の全ての乾式工程を組み合わせる。かかるプロセスでは、基板は、ＥＵＶスキャナの光パターニングに続いて、乾式現像／エッチングチャンバに直接進んでよい。かかるプロセスは、湿式現像に関する材料および製造コストを回避しうる。あるいは、より高密度のＳｎＯ的ネットワークを形成するために露光領域がさらなる架橋を施される露光後焼成工程は、現像チャンバまたは他のチャンバで実行されてよい。
本技術の機構、機能、または実用性を制限することなく、本技術の乾式プロセスは、当技術分野で周知の湿式現像プロセスに対して様々な利益をもたらす可能性がある。例えば、本明細書に記載の乾式蒸着技術は、スピンコーティング技術を用いて塗布されるより薄く、より欠陥のない膜を堆積させるのに用いられることができ、堆積膜の正確な厚さは、単に堆積工程または堆積シーケンスの長さを伸縮させることによって変更および制御されうる。従って、乾式プロセスは、より多くの可同調性を提供し、さらなる限界寸法（ＣＤ）制御およびスカム除去を提供してよい。乾式現像は、性能を向上させ（例えば、湿式現像における表面張力による線崩壊を防ぐ）、例えば、湿式現像トラックを回避することによってスループットを増加させうる。他の利点は、有機溶剤現像液の不要化、接着感度問題の低減、および溶解性に基づく制限の無制限化を含んでよい。
ＥＵＶパターニングされた薄膜は、図４に示されるように、ハードマスクの領域選択的堆積のためのテンプレートとして用いられることもできる。いくつかの実施形態では、堆積した有機金属ポリマ膜からの表面アルキル基の除去は、基板の表面に塗布される副材料（金属酸化物前駆体など）との結合のために用いられうる反応性表面部分の領域を有するパターンを形成しうる。かかるパターンは、親水性の水素化物または水酸化物露光面、および、疎水性の嵩高いアルキル基被覆された未露光領域を含んでよい。かかるプロセスは、比較的低量のＥＵＶ光（例えば、１ｍＪ／ｃｍ2から４０ｍＪ／ｃｍ2）を用いる。これにより、原子層堆積（ＡＬＤ）および無電界堆積（ＥＬＤ）などの表面駆動プロセスによる副材料の選択的堆積が可能になる。
例えば、ＡＬＤによるハードマスクの形成は、前駆体が吸着できる水酸基などの核生成サイトが必要な表面駆動プロセスである。未露光領域では、表面は、ＡＬＤに対して不活性であり、水酸基を立体的にブロックするように機能する嵩高いアルキル基によって終端される。一方、露光領域は、ＡＬＤプロセスの核生成サイトとして機能しうる活性水素化物および／またはヒドロキシル官能価によって被覆される。表面反応性の相違は、露光領域にエッチング耐性材料を選択的に堆積させるのに用いられ、潜在的なドライエッチング／乾式現像用のハードマスクを形成しうる。この適用のためには、ＥＵＶ露光下で表面アルキル基のみが除去される必要がある。ＡＬＤの所望膜厚は、０．５ｎｍ〜３０ｎｍであってよい。ＡＬＤ前駆体は、露光レジストに拡散し、露光領域内で核生成してもよい。ＡＬＤは、金属膜または金属酸化物膜であってよく、ＡＬＤ堆積温度は、３０℃〜５００℃（例えば、３０℃〜２１０℃）であってよい。０．５ｎｍ〜４０ｎｍのレジスト膜厚が認められるだろう。いくつかの実施形態では、ＡＬＤ膜の膨張を防ぐのにレジスト膜の崩壊が用いられうるため、より厚い膜はいくらかの利益をもたらす。パターンを下地層に転写するために、プラズマエッチングプロセスが用いられてよい。例えば、Ｓｎ系ＣＶＤレジスト膜については、Ｈ2またはＨ2／ＣＨ4プラズマが用いられて、未露光レジスト材料が除去される。
本技術の実施形態は、以下の非限定的な例によってさらに説明される。
例１
ＥＵＶパターン化可能膜は、ｔ−ブチル（ジメチルアミノ）スズを有機金属前駆体として、水蒸気を反反応剤として用いて、３つのシリコンウエハ基板上にＣＶＤプロセスを用いて堆積される。基板および堆積チャンバ壁は、約７０℃の温度で維持される。このプロセスは、約２トルの圧力で実行される。
有機金属前駆体は、約２００標準立方センチメートル／分の流量のアルゴンキャリアガスを用いて、バブラを通じて堆積チャンバに導入される。反反応剤は、約５０ｍｇ／分で蒸発器を用いて配送された水である。前駆体は、２つの別々の注入口を通じて堆積チャンバに導入され、次に基板上方の空間で混合される。
以下にさらに説明されるように、約４０ｎｍの厚さを有する重合有機金属膜が基板の表面上に堆積される。基板は、次に１５０℃で２分間焼成され、２−ヘプタノンで約１５秒間現像され、続いて同じ溶剤を用いて１５秒間洗浄される。図５ａ、図５ｂ、および図５ｃは、現像後の基板の走査電子顕微鏡画像である。
具体的には、２枚の基板は、ローレンスバークレー国立研究所（ＬＢＮＬ）における小面積露光装置３（ＭＥＴ３）で、約７２ｍＪ／ｃｍ2の露光のＥＵＶを用いてパターニングされて、それぞれ３２ｎｍおよび８０ｎｍのハーフピッチで膜の表面上に１：１のラインスペースフィーチャが画定される。結果として生じた基板の画像は、それぞれ図５ａおよび図５ｂに示されている。３枚目の基板は、約６０ｍＪ／ｃｍ2の露光のＥＵＶを用いてパターニングされて、膜の表面上に３４ｎｍのコンタクトビアが画定される。結果として生じた基板の画像は、図５ｃに示されている。
例２
ＥＵＶパターン化可能膜は、イソプロピルトリス（ジメチルアミノ）スズを有機金属前駆体として、水蒸気を反反応剤として用いて、２枚のシリコンウエハ基板上にＣＶＤプロセスを用いて堆積される。２枚目のシリコンウエハは、５０ｎｍの非晶質炭素下地層を有する。基板および堆積チャンバ壁は、約７０℃の温度で維持される。このプロセスは、約２トルの圧力で実行される。
有機金属前駆体は、約２５標準立方センチメートル／分の流量のアルゴンキャリアガスを用いて、バブラを通じて堆積チャンバに導入される。反反応剤は、約５０ｍｇ／分で蒸発器を用いて配送される。両方の前駆体は、デュアルプレナムシャワーヘッドの２セットの別々の流路を通じて堆積チャンバに導入され、次に基板上方の空間で混合される。シャワーヘッドの温度は、８５℃に設定される。
両方のウエハ上で約２０ｎｍの厚さを有する重合有機金属膜が基板の表面に堆積される。第１のウエハは、ポールシェラー研究所（ＰＳＩ）におけるＥＵＶ干渉リソグラフィ（ＥＵＶ−ＩＬ）ツールで、約７５ｍＪ／ｃｍ2〜８０ｍＪ／ｃｍ2の露光のＥＵＶを用いてパターニングされて、膜の表面上に２６ｎｍおよび２４ｎｍのピッチで１：１のライン／スペースフィーチャが画定される。非晶質炭素下地層を有する第２のウエハは、ローレンスバークレー国立研究所（ＬＢＮＬ）における小面積露光装置３（ＭＥＴ３）で、約６４ｍＪ／ｃｍ2の露光のＥＵＶを用いてパターニングされて、膜の表面上に３６ｎｍピッチで１：１のライン／スペースフィーチャが画定される。両方の基板は、次に１８０℃で約２分間焼成され、２−ヘプタノンで約１５秒間現像され、続いて同じ溶剤を用いて１５秒間洗浄される。第２のシリコンウエハ上の湿式現像パターンは、次にヘリウム／酸素プラズマプロセスを用いて５０ｎｍの炭素下地層に転写される。図６ａおよび図６ｂは、現像後の第１の基板の走査電子顕微鏡画像である。図６ａは、７６ｍＪ／ｃｍ2で露光された２６ｎｍピッチのフィーチャを有する基板を示し、図６ｂは、７９ｍＪ／ｃｍ2で露光された２４ｎｍピッチのフィーチャを有する基板を示す。図７ａおよび図７ｂは、現像後（図７ａ）およびパターン転写後（図７ｂ）の第２の基板の走査電子顕微鏡画像である。
例３
ＥＵＶパターン化可能膜は、イソプロピルトリス（ジメチルアミノ）スズを有機金属前駆体として、水蒸気を反反応剤として用いて、シリコンウエハ基板上にＣＶＤプロセスを用いて堆積される。シリコンウエハは、堆積より前に形成された５０ｎｍの深さのライン／スペーストポグラフィを有する。堆積条件は、例２で述べられたプロセスと同じである。
約１０ｎｍの厚さを有する重合有機金属膜が基板の表面上に堆積され、シリコンウエハ上のトポグラフィを被覆する。既存のトポグラフィを有するウエハは、ポールシェラー研究所（ＰＳＩ）におけるＥＵＶ干渉リソグラフィ（ＥＵＶ−ＩＬ）ツールで、約７０ｍＪ／ｃｍ2の露光のＥＵＶを用いてパターニングされて、３２ｎｍ、２８ｎｍ、および２６ｎｍの３つの異なるピッチで１：１のライン／スペースフィーチャが画定される。基板は、次に１９０℃で約２分間焼成され、２−ヘプタノンで約１５秒間現像され、続いて同じ溶剤を用いて１５秒間洗浄される。図８ａ、図８ｂ、および図８ｃは、現像後の３２ｎｍのピッチ（図８ａ）、２８ｎｍのピッチ（図８ｂ）、および２６ｎｍのピッチ（図８ｃ）でシリコントポグラフィの上に印刷されたレジストライン／スペースパターンの走査電子顕微鏡画像である。
用語についての非限定的議論
前述の説明は、本質的に単なる例示であり、本技術、その適用、または使用を限定する意図はない。広義の技術は、様々な形態で実施されうる。よって、本技術は特定の例を含むが、図面、明細書、および以下の特許請求の範囲を考察すると他の変更点が明らかになるため、本技術の真の範囲は、それほど限定されるべきでない。
本明細書に記載の表題（「背景技術」や「発明の概要」など）および副題は、本技術内の題目の一般的な編成のみを意図し、本技術またはその態様の範囲を限定する意図はない。具体的には、「背景技術」に開示の主題は、新規の技術を含んでよく、先行技術の記載を構成しなくてよい。「発明の概要」に開示の主題は、本技術またはその実施形態の全範囲の包括的または完全な技術ではない。特定の実用性を有するとする本明細書欄内の題材についての分類または議論は、利便性のためであり、題材が所定の構成で用いられるときに、題材が本明細書のその分類に従って必然的にまたは単独で機能しなければならないと推定されるべきでない。
方法内の１つ以上の工程は、本技術の原理を変更することなく異なる順序で（または、同時に）実行されてよいことを理解されたい。さらに、各実施形態は特定の特徴を有すると上述されているが、本技術の実施形態に関して記載されたそれらの１つ以上の特徴は、他の実施形態において、および／または、他の実施形態の特徴と組み合わせて（その組み合わせが明記されていなくても）実施されうる。つまり、記載の実施形態は、相互に排他的でなく、１つ以上の実施形態の互いの並べ替えは、本技術の範囲内に留まる。例えば、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、もしくはＥ、またはこれらの組み合わせでありうる要素は、いくつかの実施形態では、Ａ、Ｂ、Ｃ、またはこれらの組み合わせと定義されてもよい。
本明細書で用いられる、Ａ、Ｂ、およびＣのうちの少なくとも１つという表現は、非排他的論理ＯＲを用いる論理（Ａ ＯＲ Ｂ ＯＲ Ｃ）を意味すると解釈されるべきであり、「Ａのうちの少なくとも１つ、Ｂのうちの少なくとも１つ、およびＣのうちの少なくとも１つ」を意味すると解釈されるべきでない。
本明細書で用いられる「好む」または「好ましい」という単語は、特定の状況下で特定の利益を提供する本技術の実施形態を意味する。しかし、同じまたは他の状況下で他の実施形態が好まれてもよい。さらに、１つ以上の好ましい実施形態の記載は、他の実施形態が有益でないことを意味せず、他の実施形態を本技術の範囲から排除する意図はない。
本明細書で用いられる「含む」という単語およびその変異形は、リスト内の項目の記載が、本技術の材料、構成、装置、および方法において同様に有益でありうる他の類似項目を除外しないように、非限定的であることを意図する。同様に、「〜しうる」および「〜してよい」という用語、ならびにその変異形は、実施形態が特定の要素または特徴を含みうる、または含んでよいという記載がそれらの要素または特徴を含まない本技術の他の実施形態を排除しないように、非限定的であることを意図する。
「備える」という無制限の用語は、含む、備える、または有するなどの非制限的な用語の同義語として、本明細書では本技術の実施形態を説明し主張するために用いられ、実施形態は、その代わりに「〜からなる」または「〜を主体とする」などのより限定的な用語を用いて説明されてよい。よって、材料、構成、またはプロセス工程を記載する特定の実施形態について、本技術は、追加の材料、構成、またはプロセスが本願に明記されていないとしても、かかる追加の材料、構成、もしくはプロセスを除く（〜からなる向け）材料、構成、もしくはプロセス、および、実施形態の重要な特性に影響を与える追加の材料、構成、もしくはプロセスを除く（〜を主体とする向け）材料、構成、もしくはプロセスからなる、またはかかる材料、構成、もしくはプロセスを主体とする実施形態も特に含む。例えば、要素Ａ、要素Ｂ、および要素Ｃを記載する構成またはプロセスの記載は、当技術に記載されうる要素Ｄを除く（本明細書で要素Ｄが排除されると明記されていなくても）Ａ、Ｂ、およびＣからなる、ならびにＡ、Ｂ、およびＣを主体とする実施形態を特に想定している。さらに、本明細書で用いられる、記載の材料または部品「を主体とする」という用語は、記載の材料または部品「からなる」実施形態を想定している。
本明細書で用いられる不定冠詞「ａ」および「ａｎ」は、「少なくとも１つ」の項目が存在することを示し、可能であれば、複数の項目が存在してよい。
本明細書に記載の数値は、「約」という単語を用いて修正されるか否かに関わらず、おおよその数値と理解され、おおよそ記載の値であると解釈されるべきである。よって、例えば、パラメータが「Ｘ」の値を有するという記載は、パラメータが「約Ｘ」の値を有してよいことを意味すると解釈されるべきである。値に適用されたときの「約」は、計算または測定がその値におけるわずかな不正解（その値における正確さにある程度近い、その値にほぼまたは適度に近い、ほとんどその値）を可能にすることを示す。何らかの理由で、「約」によって提供された不正解が当技術分野において通常の意味で理解されない場合は、本明細書で用いられる「約」は、計算または測定が適用される材料、装置、または他の対象を製造する、測定する、または使用する一般的な方法から生じる変形を示す。
本明細書に記載されるように、範囲は、特定されない限りエンドポイントを含み、全ての異なる値のテクノロジおよび全範囲内でさらに分割された範囲を含む。よって、例えば、「ＡからＢ」または「約Ａから約Ｂ」の範囲は、ＡおよびＢを含む。さらに、「約Ａから約Ｂ」という表現は、Ａ弱およびＢ強であってよいＡおよびＢの値の変形を含み、「約Ａ、ＡからＢ、および約Ｂ」と読み取られてよい。特定のパラメータ（温度、分子量、重量パーセントなど）の値の技術および範囲は、本明細書で有効な他の値および他の値の範囲を除外しない。
既定パラメータの２つ以上の特定の例示的値は、パラメータについて請求されうる値の範囲のエンドポイントを定義してよいことも想定される。例えば、本明細書においてパラメータＸが値Ａを有すると例示され、値Ｚも有すると例示された場合、パラメータＸは、約Ａから約Ｚの範囲の値を有してよいと想定される。同様に、パラメータ値の２つ以上の範囲のテクノロジは（かかる範囲がネスト化される、重複する、または別々であるか否かに関わらず）、開示の範囲のエンドポイントを用いて請求されうる値の範囲の全ての可能な組み合わせを含む。例えば、パラメータＸが本明細書で１〜１０、または２〜９、または３〜８の範囲の値を有すると例示された場合、パラメータＸは、１〜９、１〜８、１〜３、１〜２、２〜１０、２〜８、２〜３、３〜１０、および３〜９を含む他の範囲の値を有してもよいと想定される。
既定パラメータの２つ以上の特定の例示的値は、パラメータについて請求されうる値の範囲のエンドポイントを定義してよいことも想定される。例えば、本明細書においてパラメータＸが値Ａを有すると例示され、値Ｚも有すると例示された場合、パラメータＸは、約Ａから約Ｚの範囲の値を有してよいと想定される。同様に、パラメータ値の２つ以上の範囲のテクノロジは（かかる範囲がネスト化される、重複する、または別々であるか否かに関わらず）、開示の範囲のエンドポイントを用いて請求されうる値の範囲の全ての可能な組み合わせを含む。例えば、パラメータＸが本明細書で１〜１０、または２〜９、または３〜８の範囲の値を有すると例示された場合、パラメータＸは、１〜９、１〜８、１〜３、１〜２、２〜１０、２〜８、２〜３、３〜１０、および３〜９を含む他の範囲の値を有してもよいと想定される。
本発明は、例えば、以下の形態によっても実現されてもよい。
［形態１］
基板の表面上にＥＵＶパターン化可能膜を形成するための方法であって、
有機金属前駆体の蒸気流を反反応剤の蒸気流と混合させて重合有機金属材料を形成することと、
前記基板の前記表面上に前記有機金属材料を堆積させて、前記ＥＵＶパターン化可能膜を形成することと、
を含む、方法。
［形態２］
形態１に記載の方法であって、
前記有機金属前駆体は、式：Ｍ a Ｒ b Ｌ c を有し、Ｍは、１×１０ 7 ｃｍ 2 ／ｍｏｌ以上の原子吸収断面積を有する金属であり、Ｒは、Ｃ n Ｈ 2n+1 などのアルキルであり、ｎは≧３であり、Ｌは、反反応剤と反応する配位子、イオン、または他の部分であり、ａ≧１であり、ｂ≧１であり、ｃ≧である、方法。
［形態３］
形態２に記載の方法であって、
Ｍは、スズ、ビスマス、アンチモン、およびこれらの組み合わせからなる群より選択され、Ｒは、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｔ−ブチル、ｉ−ブチル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｉ−ペンチル、ｎ−ペンチル、ｔ−ペンチル、ｓｅｃ−ペンチル、およびこれらの混合物からなる群より選択され、Ｌは、アミン、アルコキシ、カルボン酸塩、ハロゲン、およびこれらの混合物からなる群より選択される、方法。
［形態４］
形態１または形態３に記載の方法であって、
前記有機金属前駆体は、ｔ−ブチルトリス（ジメチルアミノ）スズ、ｉ−ブチルトリス（ジメチルアミノ）スズ、ｎ−ブチル（トリス）ジメチルアミノスズ、ｓｅｃ−ブチルトリス（ジメチルアミノ）スズ、ｉ−プロピル（トリス）ジメチルアミノスズ、ｎ−プロピル（トリス）ジメチルアミノスズ、および類似アルキル（トリス）（ｔ−ブトキシ）スズ化合物である、方法。
［形態５］
形態１〜４のいずれか１項に記載の方法であって、
前記有機金属前駆体は、部分的にフッ素化されている、方法。
［形態６］
形態１〜５のいずれか１項に記載の方法であって、
前記反反応剤は、水、過酸化水素、ジヒドロキシアルコールまたはポリヒドロキシアルコール、硫化水素、二硫化水素、トリフルオロアセトアルデヒド一水和物、フッ化ジヒドロキシアルコールまたはフッ化ポリヒドロキシアルコール、およびフッ化グリコールからなる群より選択される、方法。
［形態７］
形態１〜６のいずれか１項に記載の方法であって、
前記混合および堆積は、連続化学気相堆積プロセスで実施される、方法。
［形態８］
形態１〜７のいずれか１項に記載の方法であって、
前記半導体基板は、下地トポグラフィフィーチャを備える、方法。
［形態９］
半導体基板の表面上にリソグラフィマスク前駆体を形成するための方法であって、
有機金属前駆体の蒸気流を反反応剤の蒸気流と混合させて重合有機金属材料を形成することと、
前記半導体基板の前記表面上に前記有機金属材料を堆積させて、ＥＵＶパターン化可能膜を形成することと、
任意で前記膜を加熱することと、
前記ＥＵＶパターン化可能膜がＥＵＶ光に露光されない未露光膜領域も含むように、前記ＥＵＶパターン化可能膜の一領域を前記ＥＵＶ光に露光して露光膜領域を生成することと、
任意で前記ＥＵＶパターン化可能膜を加熱して、前記露光領域および前記未露光領域を含むマスク前駆体を形成することと、
を含む、方法。
［形態１０］
形態９に記載の方法であって、
前記マスク前駆体の前記露光領域は、不溶性であり、前記マスク前駆体の前記未露光領域は、選択された溶剤において溶性である、方法。
［形態１１］
形態１０に記載の方法であって、さらに、
前記溶剤を用いて前記マスク前駆体の前記未露光領域を除去することを含む、方法。
［形態１２］
形態９または形態１０に記載の方法であって、
前記マスク前駆体の前記露光領域は、反応性表面部分を含む、方法。
［形態１３］
形態１２に記載の方法であって、さらに、
前記露光領域の前記表面上に副材料を選択的に堆積させることを含み、
溶解性コントラストまたはエッチング選択性は、前記露光領域と前記未露光領域との間で増加する、方法。
［形態１４］
形態１３に記載の方法であって、
前記副材料の前記堆積は、原子層堆積プロセスを用いて実施される、方法。
［形態１５］
形態９または形態１４に記載の方法であって、さらに、
前記露光後に前記ＥＵＶパターン化可能膜を乾式現像することを含む、方法。
［形態１６］
形態９〜１５のいずれか１項に記載の方法であって、
前記有機金属前駆体は、式：Ｍ a Ｒ b Ｌ c を有し、Ｍは、１×１０ 7 ｃｍ 2 ／ｍｏｌ以上の原子吸収断面積を有する金属であり、Ｒは、Ｃ n Ｈ 2n+1 などのアルキルであり、ｎは≧３であり、Ｌは、反反応剤と反応する配位子、イオン、または他の部分であり、ａ≧１であり、ｂ≧１であり、ｃ≧１である、方法。
［形態１７］
形態１６に記載の方法であって、
Ｍは、スズ、ビスマス、アンチモン、およびこれらの組み合わせからなる群より選択され、Ｒは、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｔ−ブチル、ｉ−ブチル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｉ−ペンチル、ｎ−ペンチル、ｔ−ペンチル、ｓｅｃ−ペンチル、およびこれらの混合物からなる群より選択され、Ｌは、アミン、アルコキシ、カルボン酸塩、ハロゲン、およびこれらの混合物からなる群より選択される、方法。
［形態１８］
形態９〜１７のいずれか１項に記載の方法であって、
前記有機金属前駆体は、ｔ−ブチルトリス（ジメチルアミノ）スズ、ｉ−ブチルトリス（ジメチルアミノ）スズ、ｎ−ブチル（トリス）ジメチルアミノスズ、ｓｅｃ−ブチルトリス（ジメチルアミノ）スズ、ｉ−プロピル（トリス）ジメチルアミノスズ、ｎ−プロピル（トリス）ジメチルアミノスズ、および類似アルキル（トリス）（ｔ−ブトキシ）スズ化合物である、方法。
［形態１９］
半導体基板の表面上にリソグラフィマスク前駆体を形成するための方法であって、
（ａ）有機金属前駆体の蒸気流を反反応剤の蒸気流と混合させて重合有機金属材料を形成することであって、
（ｉ）前記有機金属前駆体は、式：Ｍ a Ｒ b Ｌ c を有し、Ｍは、１×１０ 7 ｃｍ 2 ／ｍｏｌ以上の原子吸収断面積を有する金属であり、Ｒは、Ｃ n Ｈ 2n+1 などのアルキルであり、ｎは≧３であり、Ｌは、反反応剤と反応する配位子、イオン、または他の部分であり、ａ≧１であり、ｂ≧１であり、ｃ≧１であり、
（ｉｉ）前記反反応剤は、水、過酸化物（例えば、過酸化水素）、ジヒドロキシアルコールまたはポリヒドロキシアルコール、フッ化ジヒドロキシアルコールまたはフッ化ポリヒドロキシアルコール、フッ化グリコール、およびこれらの混合物からなる群より選択されることと、
（ｂ）前記基板の前記表面上に前記有機金属材料を堆積させて、ＥＵＶパターン化可能膜を形成することと、
（ｃ）任意で前記膜を加熱することと、
（ｄ）前記ＥＵＶパターン化可能膜がＥＵＶ光に露光されない未露光膜領域も含むように、前記ＥＵＶパターン化可能膜の一領域を前記ＥＵＶ光に露光して露光膜領域を形成することと、
（ｅ）前記ＥＵＶパターン化可能膜を乾式湿現像することと、
を含む、方法。
［形態２０］
形態９〜１９のいずれか１項に記載の方法であって、
前記有機金属前駆体は、部分的にフッ素化されている、方法。

Claims (20)

  1. 基板の表面上にＥＵＶパターン化可能膜を形成するための方法であって、
    有機金属前駆体の蒸気流を反反応剤の蒸気流と混合させて重合有機金属材料を形成することと、
    前記基板の前記表面上に前記有機金属材料を堆積させて、前記ＥＵＶパターン化可能膜を形成することと、
    を含む、方法。
  2. 請求項１に記載の方法であって、
    前記有機金属前駆体は、式：ＭaＲbＬcを有し、Ｍは、１×１０7ｃｍ2／ｍｏｌ以上の原子吸収断面積を有する金属であり、Ｒは、ＣnＨ2n+1などのアルキルであり、ｎは≧３であり、Ｌは、反反応剤と反応する配位子、イオン、または他の部分であり、ａ≧１であり、ｂ≧１であり、ｃ≧である、方法。
  3. 請求項２に記載の方法であって、
    Ｍは、スズ、ビスマス、アンチモン、およびこれらの組み合わせからなる群より選択され、Ｒは、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｔ−ブチル、ｉ−ブチル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｉ−ペンチル、ｎ−ペンチル、ｔ−ペンチル、ｓｅｃ−ペンチル、およびこれらの混合物からなる群より選択され、Ｌは、アミン、アルコキシ、カルボン酸塩、ハロゲン、およびこれらの混合物からなる群より選択される、方法。
  4. 請求項１または請求項３に記載の方法であって、
    前記有機金属前駆体は、ｔ−ブチルトリス（ジメチルアミノ）スズ、ｉ−ブチルトリス（ジメチルアミノ）スズ、ｎ−ブチル（トリス）ジメチルアミノスズ、ｓｅｃ−ブチルトリス（ジメチルアミノ）スズ、ｉ−プロピル（トリス）ジメチルアミノスズ、ｎ−プロピル（トリス）ジメチルアミノスズ、および類似アルキル（トリス）（ｔ−ブトキシ）スズ化合物である、方法。
  5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法であって、
    前記有機金属前駆体は、部分的にフッ素化されている、方法。
  6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法であって、
    前記反反応剤は、水、過酸化水素、ジヒドロキシアルコールまたはポリヒドロキシアルコール、硫化水素、二硫化水素、トリフルオロアセトアルデヒド一水和物、フッ化ジヒドロキシアルコールまたはフッ化ポリヒドロキシアルコール、およびフッ化グリコールからなる群より選択される、方法。
  7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法であって、
    前記混合および堆積は、連続化学気相堆積プロセスで実施される、方法。
  8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法であって、
    前記半導体基板は、下地トポグラフィフィーチャを備える、方法。
  9. 半導体基板の表面上にリソグラフィマスク前駆体を形成するための方法であって、
    有機金属前駆体の蒸気流を反反応剤の蒸気流と混合させて重合有機金属材料を形成することと、
    前記半導体基板の前記表面上に前記有機金属材料を堆積させて、ＥＵＶパターン化可能膜を形成することと、
    任意で前記膜を加熱することと、
    前記ＥＵＶパターン化可能膜がＥＵＶ光に露光されない未露光膜領域も含むように、前記ＥＵＶパターン化可能膜の一領域を前記ＥＵＶ光に露光して露光膜領域を生成することと、
    任意で前記ＥＵＶパターン化可能膜を加熱して、前記露光領域および前記未露光領域を含むマスク前駆体を形成することと、
    を含む、方法。
  10. 請求項９に記載の方法であって、
    前記マスク前駆体の前記露光領域は、不溶性であり、前記マスク前駆体の前記未露光領域は、選択された溶剤において溶性である、方法。
  11. 請求項１０に記載の方法であって、さらに、
    前記溶剤を用いて前記マスク前駆体の前記未露光領域を除去することを含む、方法。
  12. 請求項９または請求項１０に記載の方法であって、
    前記マスク前駆体の前記露光領域は、反応性表面部分を含む、方法。
  13. 請求項１２に記載の方法であって、さらに、
    前記露光領域の前記表面上に副材料を選択的に堆積させることを含み、
    溶解性コントラストまたはエッチング選択性は、前記露光領域と前記未露光領域との間で増加する、方法。
  14. 請求項１３に記載の方法であって、
    前記副材料の前記堆積は、原子層堆積プロセスを用いて実施される、方法。
  15. 請求項９または請求項１４に記載の方法であって、さらに、
    前記露光後に前記ＥＵＶパターン化可能膜を乾式現像することを含む、方法。
  16. 請求項９〜１５のいずれか１項に記載の方法であって、
    前記有機金属前駆体は、式：ＭaＲbＬcを有し、Ｍは、１×１０7ｃｍ2／ｍｏｌ以上の原子吸収断面積を有する金属であり、Ｒは、ＣnＨ2n+1などのアルキルであり、ｎは≧３であり、Ｌは、反反応剤と反応する配位子、イオン、または他の部分であり、ａ≧１であり、ｂ≧１であり、ｃ≧１である、方法。
  17. 請求項１６に記載の方法であって、
    Ｍは、スズ、ビスマス、アンチモン、およびこれらの組み合わせからなる群より選択され、Ｒは、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｔ−ブチル、ｉ−ブチル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｉ−ペンチル、ｎ−ペンチル、ｔ−ペンチル、ｓｅｃ−ペンチル、およびこれらの混合物からなる群より選択され、Ｌは、アミン、アルコキシ、カルボン酸塩、ハロゲン、およびこれらの混合物からなる群より選択される、方法。
  18. 請求項９〜１７のいずれか１項に記載の方法であって、
    前記有機金属前駆体は、ｔ−ブチルトリス（ジメチルアミノ）スズ、ｉ−ブチルトリス（ジメチルアミノ）スズ、ｎ−ブチル（トリス）ジメチルアミノスズ、ｓｅｃ−ブチルトリス（ジメチルアミノ）スズ、ｉ−プロピル（トリス）ジメチルアミノスズ、ｎ−プロピル（トリス）ジメチルアミノスズ、および類似アルキル（トリス）（ｔ−ブトキシ）スズ化合物である、方法。
  19. 半導体基板の表面上にリソグラフィマスク前駆体を形成するための方法であって、
    （ａ）有機金属前駆体の蒸気流を反反応剤の蒸気流と混合させて重合有機金属材料を形成することであって、
    （ｉ）前記有機金属前駆体は、式：ＭaＲbＬcを有し、Ｍは、１×１０7ｃｍ2／ｍｏｌ以上の原子吸収断面積を有する金属であり、Ｒは、ＣnＨ2n+1などのアルキルであり、ｎは≧３であり、Ｌは、反反応剤と反応する配位子、イオン、または他の部分であり、ａ≧１であり、ｂ≧１であり、ｃ≧１であり、
    （ｉｉ）前記反反応剤は、水、過酸化物（例えば、過酸化水素）、ジヒドロキシアルコールまたはポリヒドロキシアルコール、フッ化ジヒドロキシアルコールまたはフッ化ポリヒドロキシアルコール、フッ化グリコール、およびこれらの混合物からなる群より選択されることと、
    （ｂ）前記基板の前記表面上に前記有機金属材料を堆積させて、ＥＵＶパターン化可能膜を形成することと、
    （ｃ）任意で前記膜を加熱することと、
    （ｄ）前記ＥＵＶパターン化可能膜がＥＵＶ光に露光されない未露光膜領域も含むように、前記ＥＵＶパターン化可能膜の一領域を前記ＥＵＶ光に露光して露光膜領域を形成することと、
    （ｅ）前記ＥＵＶパターン化可能膜を乾式湿現像することと、
    を含む、方法。
  20. 請求項９〜１９のいずれか１項に記載の方法であって、
    前記有機金属前駆体は、部分的にフッ素化されている、方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
JP6495025B2 (ja) 2014-01-31 2019-04-03 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 真空統合ハードマスク処理および装置
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US12051589B2 (en) 2016-06-28 2024-07-30 Lam Research Corporation Tin oxide thin film spacers in semiconductor device manufacturing
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
SG10201801132VA (en) 2017-02-13 2018-09-27 Lam Res Corp Method to create air gaps
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10546748B2 (en) 2017-02-17 2020-01-28 Lam Research Corporation Tin oxide films in semiconductor device manufacturing
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10109517B1 (en) 2018-01-10 2018-10-23 Lam Research Corporation Rotational indexer with additional rotational axes
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
WO2019182872A1 (en) 2018-03-19 2019-09-26 Lam Research Corporation Chamfer-less via integration scheme
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN113785381A (zh) 2019-04-30 2021-12-10 朗姆研究公司 用于极紫外光刻抗蚀剂改善的原子层蚀刻及选择性沉积处理
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
JP2023513134A (ja) * 2020-02-04 2023-03-30 ラム リサーチ コーポレーション 金属含有ｅｕｖレジストの乾式現像性能を高めるための塗布／露光後処理
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US11705332B2 (en) 2020-03-30 2023-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist layer surface treatment, cap layer, and method of forming photoresist pattern
US11822237B2 (en) 2020-03-30 2023-11-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
DE102021101486A1 (de) 2020-03-30 2021-09-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresistschicht-oberflächenbehandlung, abdeckschichtund herstellungsverfahren einer photoresiststruktur
US11784046B2 (en) 2020-03-30 2023-10-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US20210302839A1 (en) * 2020-03-30 2021-09-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
US11942322B2 (en) * 2020-05-22 2024-03-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of manufacturing semiconductor devices and pattern formation method
US12099301B2 (en) 2020-05-22 2024-09-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Underlayer composition and method of manufacturing a semiconductor device
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
EP3919979A1 (en) 2020-06-02 2021-12-08 Imec VZW Resistless patterning mask
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12084764B2 (en) 2020-07-01 2024-09-10 Applied Materials, Inc. Vapor phase photoresists deposition
US11621172B2 (en) 2020-07-01 2023-04-04 Applied Materials, Inc. Vapor phase thermal etch solutions for metal oxo photoresists
US20220004105A1 (en) 2020-07-01 2022-01-06 Applied Materials, Inc. Dry develop process of photoresist
US20220005687A1 (en) * 2020-07-02 2022-01-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device and pattern formation method
US20230072538A1 (en) * 2020-07-02 2023-03-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device and pattern formation method
US11358975B2 (en) * 2020-07-03 2022-06-14 Entegris, Inc. Process for preparing organotin compounds
KR102601038B1 (ko) * 2020-07-07 2023-11-09 램 리써치 코포레이션 방사선 포토레지스트 패터닝을 패터닝하기 위한 통합된 건식 프로세스
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20230051195A (ko) * 2020-07-17 2023-04-17 램 리써치 코포레이션 감광성 하이브리드 막들을 형성하는 방법
CN116134381A (zh) * 2020-07-17 2023-05-16 朗姆研究公司 含钽光致抗蚀剂
WO2022016127A1 (en) * 2020-07-17 2022-01-20 Lam Research Corporation Photoresists from sn(ii) precursors
KR20230041749A (ko) * 2020-07-17 2023-03-24 램 리써치 코포레이션 유기 공-반응 물질들 (co-reactants) 을 사용한 건식 증착된 포토레지스트들
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
KR20230113400A (ko) * 2020-12-08 2023-07-28 램 리써치 코포레이션 유기 증기를 사용한 포토레지스트 현상
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN116888133A (zh) * 2021-01-28 2023-10-13 恩特格里斯公司 制备有机锡化合物的方法
US11697660B2 (en) * 2021-01-29 2023-07-11 Entegris, Inc. Process for preparing organotin compounds
JP2024507190A (ja) * 2021-02-23 2024-02-16 ラム リサーチ コーポレーション ハロゲンおよび脂肪族含有有機スズフォトレジストおよびその方法
US20220291587A1 (en) * 2021-03-10 2022-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
CN115220300A (zh) * 2021-04-14 2022-10-21 华为技术有限公司 图案化材料、图案化组合物和图案形成方法
CN117321504A (zh) * 2021-04-23 2023-12-29 恩特格里斯公司 用于低曝光剂量euv辐射的高量子效率干式抗蚀剂
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
US12032291B2 (en) 2021-06-15 2024-07-09 Inpria Corporation Organotin patterning materials with ligands having silicon/germanium; precursor compositions; and synthesis methods
WO2022265874A1 (en) * 2021-06-17 2022-12-22 Tokyo Electron Limited Dry resist system and method of using
CN117651708A (zh) * 2021-06-18 2024-03-05 恩特格里斯公司 制备有机锡化合物的方法
CN117730281A (zh) * 2021-07-26 2024-03-19 朗姆研究公司 用于改善含金属抗蚀剂的干式显影性能的多步骤暴露后处理
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CA3231519A1 (en) * 2021-09-13 2023-03-16 Gelest, Inc. Method and precursors for producing oxostannate rich films
US12077552B2 (en) 2021-09-14 2024-09-03 Entegris, Inc. Synthesis of fluoroalkyl tin precursors
WO2023096894A1 (en) * 2021-11-24 2023-06-01 Entegris, Inc. Organotin precursor compounds
WO2023235416A1 (en) * 2022-06-03 2023-12-07 Entegris, Inc. Compositions and related methods of alkyltintrihalides
WO2023245047A1 (en) * 2022-06-17 2023-12-21 Lam Research Corporation Tin precursors for deposition of euv dry resist
US20240045332A1 (en) * 2022-08-02 2024-02-08 Tokyo Electron Limited Method of forming photosensitive organometallic oxides by chemical vapor polymerization
US12060377B2 (en) 2022-08-12 2024-08-13 Gelest, Inc. High purity tin compounds containing unsaturated substituent and method for preparation thereof
US20240174699A1 (en) * 2022-11-15 2024-05-30 Entegris, Inc. Functionalized organotin precursors and related methods

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016517633A (ja) * 2013-03-14 2016-06-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 蒸着で堆積されたフォトレジスト、及びそのための製造及びリソグラフィシステム
WO2017066319A2 (en) * 2015-10-13 2017-04-20 Inpria Corporation Organotin oxide hydroxide patterning compositions, precursors, and patterning

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007064376A2 (en) * 2005-11-28 2007-06-07 Honeywell International Inc. Organometallic precursors and related intermediates for deposition processes, their production and methods of use
US9310684B2 (en) * 2013-08-22 2016-04-12 Inpria Corporation Organometallic solution based high resolution patterning compositions
KR102319630B1 (ko) * 2014-10-23 2021-10-29 인프리아 코포레이션 유기 금속 용액 기반의 고해상도 패터닝 조성물 및 상응하는 방법
JP6748098B2 (ja) * 2015-03-09 2020-08-26 バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー 抵抗ランダムアクセスメモリとして使用するための有機ケイ酸ガラス膜の堆積プロセス
US9996004B2 (en) * 2015-11-20 2018-06-12 Lam Research Corporation EUV photopatterning of vapor-deposited metal oxide-containing hardmasks
US10358722B2 (en) * 2015-12-14 2019-07-23 Lam Research Corporation Showerhead assembly
US10755942B2 (en) * 2016-11-02 2020-08-25 Massachusetts Institute Of Technology Method of forming topcoat for patterning

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016517633A (ja) * 2013-03-14 2016-06-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 蒸着で堆積されたフォトレジスト、及びそのための製造及びリソグラフィシステム
WO2017066319A2 (en) * 2015-10-13 2017-04-20 Inpria Corporation Organotin oxide hydroxide patterning compositions, precursors, and patterning

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11921427B2 (en) 2018-11-14 2024-03-05 Lam Research Corporation Methods for making hard masks useful in next-generation lithography
JP2022538040A (ja) * 2019-06-26 2022-08-31 ラム リサーチ コーポレーション ハロゲン化化学物質によるフォトレジスト現像
US12105422B2 (en) 2019-06-26 2024-10-01 Lam Research Corporation Photoresist development with halide chemistries
US11988965B2 (en) 2020-01-15 2024-05-21 Lam Research Corporation Underlayer for photoresist adhesion and dose reduction

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