JP2017501303A5

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Publication number: JP2017501303A5
Application number: JP2016538624A
Authority: JP
Filing date: 2014-11-19
Publication date: 2017-11-30
Anticipated expiration: 2034-11-19

Claims

反応空間内で基板上に硫化マグネシウム薄膜を堆積する方法であって、当該方法は、
気相マグネシウム反応物質を前記反応空間に提供する工程と、
過剰な気相マグネシウム反応物質及び反応副生成物を除去する工程と、
硫黄を含む第２の気相反応物質を前記反応空間に提供する工程と、
過剰な第２の気相反応物質及び反応副生成物を除去する工程と、
を含む、１つ以上の堆積サイクルを含む、方法。
前記気相マグネシウム反応物質を前記反応空間に提供する前に、前記第２の気相反応物質は、前記反応空間に提供される、請求項１に記載の方法。
前記硫化マグネシウム薄膜は、マグネシウム以外の少なくとも１種の金属を含む、請求項１に記載の方法。
前記気相マグネシウム反応物質は、少なくとも１つのシクロペンタジエニル（Ｃｐ）配位子を含む、請求項１に記載の方法。
前記気相マグネシウム反応物質はＭｇ（Ｃｐ） _２又はその誘導体である、請求項１に記載の方法。
マグネシウムは、その上に前記硫化マグネシウム薄膜が形成されつつある前記基板の部分に存在しない、請求項１に記載の方法。
前記第２の気相反応物質はＨ _２Ｓである、請求項１に記載の方法。
前記第２の気相反応物質は、硫黄原子、硫黄含有プラズマ、又は硫黄ラジカルを含む、請求項１に記載の方法。
前記硫化マグネシウム薄膜が堆積される前記基板の表面は、ケイ素を含まない、請求項１に記載の方法。
前記硫化マグネシウム薄膜が堆積される前記基板の表面は、ＩｎＧａＡｓを含む、請求項１に記載の方法。
前記硫化マグネシウム薄膜を堆積する前に、ｅｘｓｉｔｕ又はｉｎｓｉｔｕで前記基板を前処理反応物質に曝露する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
堆積された前記硫化マグネシウム薄膜は、約１Å〜約２０Åの厚さを有する、請求項１に記載の方法。
反応空間内で基板の表面上に金属硫化物薄膜を堆積する方法であって、当該方法は、
前記基板を第１の気相金属反応物質と接触させる工程と、
過剰な気相金属反応物質及び反応副生成物を前記基板から除去する工程と、
前記基板を第２の気相硫黄反応物質と接触させる工程と、
過剰な気相硫黄反応物質及び反応副生成物を前記基板から除去する工程と、
を含む、１つ以上の堆積サイクルを含み、
前記気相金属反応物質は、シクロペンタジエニル（Ｃｐ）配位子又はβ−ジケトナート配位子と、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、Ｓｃ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｌａ、及びその他のランタニドからなる群から選択される金属と、を含む、
方法。
前記第１の気相金属反応物質を前記反応空間に導入する前に、前記第２の気相硫黄反応物質は、前記反応空間に導入される、請求項１３に記載の方法。
前記第１の気相金属反応物質は、少なくとも１つのシクロペンタジエニル（Ｃｐ）配位子を含む、請求項１３に記載の方法。
前記第１の気相金属反応物質の金属はＭｇである、請求項１３に記載の方法。
前記第１の気相金属反応物質はＭｇ（Ｃｐ） _２又はその誘導体である、請求項１３に記載の方法。
前記第１の気相金属反応物質は、シクロペンタジエニル（Ｃｐ）又はその誘導体を含み、前記金属は、Ｃａ、Ｌａ若しくはその他のランタニド、Ｓｃ、又はＹである、請求項１３に記載の方法。
前記第１の気相金属反応物質は、その上に前記金属硫化物薄膜が形成されつつある前記基板の部分に存在しない金属を含む、請求項１３に記載の方法。
前記第２の気相硫黄反応物質はＨ _２Ｓである、請求項１３に記載の方法。
前記第２の気相硫黄反応物質は、硫黄原子、硫黄含有プラズマ、又は硫黄ラジカルを含む、請求項１３に記載の方法。
前記金属硫化物薄膜はＭｇＳを含む、請求項１３に記載の方法。
前記金属硫化物薄膜が堆積される前記基板の表面は、ケイ素を含まない、請求項１３に記載の方法。
前記金属硫化物薄膜は、１種を超える金属を含む、請求項１３に記載の方法。
前記金属硫化物薄膜を堆積する前に、ｅｘｓｉｔｕ又はｉｎｓｉｔｕで前記基板を前処理反応物質に曝露する工程を更に含む、請求項１３に記載の方法。
堆積された前記金属硫化物薄膜は、約１Å〜約２０Åの厚さを有する、請求項１３に記載の方法。
反応空間内で基板の表面上に金属硫化物薄膜を堆積する方法であって、当該方法は、
前記基板を第１の気相金属反応物質と接触させる工程と、
過剰な気相金属反応物質及び反応副生成物を前記基板から除去する工程と、
前記基板を第２の気相硫黄反応物質と接触させる工程と、
過剰な気相硫黄反応物質及び反応副生成物を前記基板から除去する工程と、
を順に含む、１つ以上の堆積サイクルを含み、
前記第１の気相金属反応物質は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、Ｓｃ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｌａ、及びその他のランタニドからなる群から選択される金属を含み、
前記金属硫化物薄膜が堆積される前記基板の表面は、ＩｎＧａＡｓを含む、
方法。
過剰な反応物質を除去するステップは、前記基板をパージガスに曝露するステップを含む、請求項２７に記載の方法。
過剰な反応物質を除去するステップは、前記基板をパージガスに曝露するステップを含む、請求項１３に記載の方法。