JP2015130488A5 - 半導体装置 - Google Patents

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  1. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
    前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極は、第１のＣｕ−Ｘ合金膜（Ｘは、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、またはＴｉ）を含み、
    前記第２のトランジスタのゲート電極は、第２のＣｕ−Ｘ合金膜を含み、
    前記第１のＣｕ−Ｘ合金膜は、前記第２のＣｕ−Ｘ合金膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
  2. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
    前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極は、第１のＣｕ−Ｘ合金膜（Ｘは、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、またはＴｉ）と、前記第１のＣｕ−Ｘ合金膜上方の第１のＣｕ膜と、第１のＣｕ膜上方の第２のＣｕ−Ｘ合金膜と、を有し、
    前記第２のトランジスタのゲート電極は、第３のＣｕ−Ｘ合金膜と、前記第３のＣｕ−Ｘ合金膜上方の第２のＣｕ膜と、第２のＣｕ膜上方の第４のＣｕ−Ｘ合金膜と、を有し、
    前記第１のＣｕ−Ｘ合金膜は、前記第４のＣｕ−Ｘ合金膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１又は請求項２において、
    前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極は、被形成面と側面とのなす傾斜角が３０度以上７０度以下である、ことを特徴とする半導体装置。
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WO (1) WO2015083037A1 (ja)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9336919B2 (en) 2012-08-17 2016-05-10 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Methods for preparing colloidal nanocrystal-based thin films
WO2014113655A2 (en) * 2013-01-18 2014-07-24 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Nanocrystal thin film device fabrication methods and apparatus
KR101623776B1 (ko) * 2013-12-09 2016-06-07 엘지디스플레이 주식회사 터치 디스플레이 드라이버 집적회로 및 터치 표시장치
US10276502B2 (en) * 2015-03-27 2019-04-30 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and method for manufacturing same
CN104701384A (zh) * 2015-04-09 2015-06-10 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
KR101731172B1 (ko) * 2015-08-31 2017-04-28 엘지디스플레이 주식회사 터치센서 일체형 표시장치
TWI584170B (zh) * 2016-01-08 2017-05-21 Egalax_Empia Tech Inc Applies to the touch screen controller
WO2017130073A1 (ja) * 2016-01-29 2017-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び該半導体装置を有する表示装置
US10916430B2 (en) 2016-07-25 2021-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN110168706B (zh) * 2017-01-20 2023-04-04 凸版印刷株式会社 显示装置以及显示装置基板
US11469258B2 (en) 2017-05-31 2022-10-11 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Display panel and display device
JP7029907B2 (ja) * 2017-09-07 2022-03-04 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107634002A (zh) * 2017-09-26 2018-01-26 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管及其制作方法
CN107978560B (zh) * 2017-11-21 2019-12-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 背沟道蚀刻型tft基板及其制作方法
CN108663863B (zh) * 2018-06-25 2021-01-26 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板
KR20210035553A (ko) * 2019-09-24 2021-04-01 삼성전자주식회사 도메인 스위칭 소자 및 그 제조방법
US20230110228A1 (en) * 2020-03-19 2023-04-13 Fuzhou Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Thin-film transistor and preparation method therefor, and display substrate and display panel
CN114980477A (zh) * 2021-02-18 2022-08-30 合肥鑫晟光电科技有限公司 背板、背光源、照明装置及显示装置
CN115084275A (zh) * 2021-03-15 2022-09-20 京东方科技集团股份有限公司 金属氧化物TFT及制造方法、x射线探测器和显示面板

Family Cites Families (156)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
JPH11505377A (ja) 1995-08-03 1999-05-18 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 半導体装置
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
KR100268895B1 (ko) * 1997-12-27 2000-10-16 김영환 박막트랜지스터 및 이의 제조방법
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
US6297519B1 (en) * 1998-08-28 2001-10-02 Fujitsu Limited TFT substrate with low contact resistance and damage resistant terminals
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
JP3916334B2 (ja) * 1999-01-13 2007-05-16 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
EP1443130B1 (en) 2001-11-05 2011-09-28 Japan Science and Technology Agency Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
WO2005088726A1 (ja) 2004-03-12 2005-09-22 Japan Science And Technology Agency アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7211825B2 (en) * 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
US7554260B2 (en) 2004-07-09 2009-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device provided with a conductive film connection between a wiring component and a metal electrode film
US7940361B2 (en) * 2004-08-31 2011-05-10 Advanced Interconnect Materials, Llc Copper alloy and liquid-crystal display device
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
CN101057333B (zh) 2004-11-10 2011-11-16 佳能株式会社 发光器件
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
JP5118812B2 (ja) 2004-11-10 2013-01-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
EP2455975B1 (en) 2004-11-10 2015-10-28 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor with amorphous oxide
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
US7608531B2 (en) 2005-01-28 2009-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
TWI412138B (zh) 2005-01-28 2013-10-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
US7544967B2 (en) 2005-03-28 2009-06-09 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5064747B2 (ja) 2005-09-29 2012-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
EP1998375A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101397571B1 (ko) 2005-11-15 2014-05-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 그의 제조방법
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
JP5196813B2 (ja) 2006-03-20 2013-05-15 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物膜をゲート絶縁層に用いた電界効果型トランジスタ
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
TWI312578B (en) * 2006-09-29 2009-07-21 Innolux Display Corp Thin film transistor substrate
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
KR101416876B1 (ko) * 2006-11-17 2014-07-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
US8274078B2 (en) 2007-04-25 2012-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Metal oxynitride semiconductor containing zinc
JP5121299B2 (ja) 2007-05-09 2013-01-16 アルティアム サービシズ リミテッド エルエルシー 液晶表示装置
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US20110057170A1 (en) * 2007-10-15 2011-03-10 E.I. Du Pont De Nemours And Company Solution processed electronic devices
KR101518091B1 (ko) * 2007-12-13 2015-05-06 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 산화물 반도체를 이용한 전계 효과형 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5215158B2 (ja) 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
JP5571887B2 (ja) 2008-08-19 2014-08-13 アルティアム サービシズ リミテッド エルエルシー 液晶表示装置及びその製造方法
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
EP2184783B1 (en) * 2008-11-07 2012-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101980167B1 (ko) 2008-11-07 2019-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
CN101740631B (zh) 2008-11-07 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及该半导体装置的制造方法
KR101906751B1 (ko) 2009-03-12 2018-10-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
TWI489628B (zh) * 2009-04-02 2015-06-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
JP2010245366A (ja) 2009-04-08 2010-10-28 Fujifilm Corp 電子素子及びその製造方法、並びに表示装置
KR101476817B1 (ko) 2009-07-03 2014-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법
KR101967480B1 (ko) 2009-07-31 2019-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR20220116369A (ko) 2009-11-13 2022-08-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기
US8395156B2 (en) 2009-11-24 2013-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP2507822B1 (en) 2009-12-04 2016-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR101963300B1 (ko) 2009-12-04 2019-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
TWI422035B (zh) 2009-12-22 2014-01-01 Au Optronics Corp 半導體元件結構及其製造方法
KR20230141883A (ko) 2010-02-05 2023-10-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2011122363A1 (en) * 2010-04-02 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20110124530A (ko) * 2010-05-11 2011-11-17 삼성전자주식회사 산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터 표시판
CN103038866A (zh) 2010-07-02 2013-04-10 合同会社先端配线材料研究所 半导体装置
JP5453663B2 (ja) 2010-07-02 2014-03-26 合同会社先端配線材料研究所 薄膜トランジスタ
JP2012027159A (ja) * 2010-07-21 2012-02-09 Kobe Steel Ltd 表示装置
WO2012017584A1 (ja) 2010-08-03 2012-02-09 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板
US8647919B2 (en) * 2010-09-13 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and method for manufacturing the same
US8916866B2 (en) 2010-11-03 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8569754B2 (en) 2010-11-05 2013-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI562379B (en) 2010-11-30 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8941112B2 (en) 2010-12-28 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101895421B1 (ko) * 2011-02-24 2018-09-07 삼성디스플레이 주식회사 배선, 박막 트랜지스터, 및 박막 트랜지스터 표시판과 이들을 제조하는 방법들
JP5429718B2 (ja) * 2011-03-08 2014-02-26 合同会社先端配線材料研究所 酸化物半導体用電極、その形成方法
JP2012222171A (ja) * 2011-04-11 2012-11-12 Hitachi Ltd 表示装置およびその製造方法
JP5171990B2 (ja) * 2011-05-13 2013-03-27 株式会社神戸製鋼所 Ｃｕ合金膜および表示装置
KR20120138074A (ko) 2011-06-14 2012-12-24 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 및 박막 트랜지스터 표시판과 이들을 제조하는 방법
US8952377B2 (en) * 2011-07-08 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101913207B1 (ko) * 2011-10-12 2018-11-01 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 및 박막 트랜지스터 표시판과 이들을 제조하는 방법
US8405086B1 (en) * 2011-11-04 2013-03-26 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Pixel structure of display panel and method for manufacturing the same
JP5912046B2 (ja) * 2012-01-26 2016-04-27 株式会社Ｓｈカッパープロダクツ 薄膜トランジスタ、その製造方法および該薄膜トランジスタを用いた表示装置
US20130207111A1 (en) 2012-02-09 2013-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including semiconductor device, electronic device including semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
US8999773B2 (en) 2012-04-05 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processing method of stacked-layer film and manufacturing method of semiconductor device
KR102069158B1 (ko) 2012-05-10 2020-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 배선의 형성 방법, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102222438B1 (ko) 2012-05-10 2021-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 표시 장치
US9564474B2 (en) * 2012-06-21 2017-02-07 Joled Inc. TFT substrate, method for producing same, organic EL display device, and method for manufacturing organic EL display device
KR102039102B1 (ko) * 2012-12-24 2019-11-01 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
TW201523877A (zh) 2013-11-29 2015-06-16 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置、半導體裝置的製造方法以及顯示裝置
US20150155313A1 (en) 2013-11-29 2015-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9882014B2 (en) 2013-11-29 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same

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