JP2015130488A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (3)

1. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
   前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極は、第１のＣｕ−Ｘ合金膜（Ｘは、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、またはＴｉ）を含み、
   前記第２のトランジスタのゲート電極は、第２のＣｕ−Ｘ合金膜を含み、
   前記第１のＣｕ−Ｘ合金膜は、前記第２のＣｕ−Ｘ合金膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
   前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極は、第１のＣｕ−Ｘ合金膜（Ｘは、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、またはＴｉ）と、前記第１のＣｕ−Ｘ合金膜上方の第１のＣｕ膜と、第１のＣｕ膜上方の第２のＣｕ−Ｘ合金膜と、を有し、
   前記第２のトランジスタのゲート電極は、第３のＣｕ−Ｘ合金膜と、前記第３のＣｕ−Ｘ合金膜上方の第２のＣｕ膜と、第２のＣｕ膜上方の第４のＣｕ−Ｘ合金膜と、を有し、
   前記第１のＣｕ−Ｘ合金膜は、前記第４のＣｕ−Ｘ合金膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極は、被形成面と側面とのなす傾斜角が３０度以上７０度以下である、ことを特徴とする半導体装置。