CN114980477A - 背板、背光源、照明装置及显示装置 - Google Patents

背板、背光源、照明装置及显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供了背板、背光源、照明装置及显示装置，该背板包括：基板；设在基板的一个表面上的第一金属走线层；设在第一金属走线层远离基板一侧的绝缘层；设在绝缘层远离基板一侧的第二金属走线层，第二金属走线层在基板上的正投影与第一金属走线层在基板上的正投影存在重叠区域；设在第一金属走线层和第二金属走线层之间的阻挡层，阻挡层在基板上的正投影覆盖重叠区域，用于阻挡第一金属走线层和第二金属走线层中的金属向靠近彼此的方向生长。该背板中，通过设置阻挡层可以有效阻挡两个金属走线层向彼此靠近的方向迁移和生长，从而可以有效降低两个金属走线层短路的风险。

Description

背板、背光源、照明装置及显示装置
技术领域
本发明涉及背板技术领域，具体的，涉及背板、背光源、照明装置及显示装置。
背景技术
目前，对于Mini/Micro-LED产品，为满足通道低电阻要求，通常采用厚Cu工艺(即采用厚度较大的铜走线)，然而Cu属于活跃金属，铜离子易在有异物颗粒、电压等外界环境的影响下易产生迁移、生长的现象，因此导致上下两层金属发生短路，影响背光正常发光(如局部分区爆灯)。同时，裸露在外的金属引脚还容易发生氧化而影响信号传输。
因而，目前Mini/Micro-LED产品相关技术仍有待改进。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的目的在于提出一种能够有效改善上下两层金属走线短路问题、且制备工艺简单的背板、背光源、照明装置及显示装置。
在本发明的一个方面，本发明提供一种背板。根据本发明的实施例，该背板包括：基板；第一金属走线层，所述第一金属走线层设在所述基板的一个表面上；绝缘层，所述绝缘层设在所述第一金属走线层远离所述基板的一侧；第二金属走线层，所述第二金属走线层设在所述绝缘层远离所述基板的一侧，所述第二金属走线层在所述基板上的正投影与所述第一金属走线层在所述基板上的正投影存在重叠区域；阻挡层，所述阻挡层设在所述第一金属走线层和所述第二金属走线层之间，所述阻挡层在所述基板上的正投影覆盖所述重叠区域，适于阻挡所述第一金属走线层和所述第二金属走线层中的金属向靠近彼此的方向生长。该背板中，通过设置阻挡层可以有效阻挡两个金属走线层向彼此靠近的方向迁移和生长，从而可以有效降低两个金属走线层短路的风险。
根据本发明的实施例，所述第一金属走线层和所述第二金属走线层之间存在电压差，当所述第一金属走线层的电压高于所述第二金属走线层的电压时，所述阻挡层设在所述第一金属走线层靠近所述第二金属走线层的表面上；当所述第一金属走线层的电压低于所述第二金属走线层的电压时，所述阻挡层设在所述第二金属走线层靠近所述第一金属走线层的表面上。
根据本发明的实施例，所述阻挡层设在所述第一金属走线层靠近所述第二金属走线层的表面上。
根据本发明的实施例，所述阻挡层在所述基板上的正投影与所述第一金属走线层在所述基板上的正投影完全重叠。
根据本发明的实施例，所述第一金属走线层包括第一FPC连接线，所述第一FPC连接线在所述基板上的正投影与所述第二金属走线层在所述基板上的正投影完全不重叠。
根据本发明的实施例，所述第一金属走线层包括电路驱动信号线，所述第二金属走线层包括第一电极连接线和第二电极连接线，所述第一电极连接线通过贯穿所述绝缘层的第一过孔与所述电路驱动信号线电连接。
根据本发明的实施例，所述阻挡层设在所述第二金属走线层靠近所述第一金属走线层的表面上。
根据本发明的实施例，所述阻挡层在所述基板上的正投影与所述第二金属走线层在所述基板上的正投影完全重叠。
根据本发明的实施例，所述第一金属走线层包括第一FPC连接线，所述第二金属走线层包括第二FPC连接线，所述第二FPC连接线通过贯穿所述绝缘层的第二过孔与所述第一FPC连接线电连接。
根据本发明的实施例，所述第一金属走线层和所述第二金属走线层各自独立的由铜、铝和银中的至少一种形成。
根据本发明的实施例，所述阻挡层由导电材料形成，所述导电材料包括导电氧化物，所述导电氧化物包括氧化铟锡。
根据本发明的实施例，所述阻挡层为整层结构，且由非导电材料形成。
在本发明的又一方面，本发明提供一种制备背板的方法。根据本发明的实施例，该方法包括：在基板上依次形成第一金属走线层；在所述第一金属走线层远离所述基板的一侧形成绝缘层；在所述绝缘层远离所述基板的一侧形成第二金属走线层，所述第二金属走线层在所述基板上的正投影与所述第一金属走线层在所述基板上的正投影存在重叠区域；在所述第一金属走线层和所述第二金属走线层之间形成阻挡层，所述阻挡层在所述基板上的正投影覆盖所述重叠区域，适于阻挡所述第一金属走线层和所述第二金属走线层中的金属向靠近彼此的方向迁移和生长。该方法步骤简单、方便，与现有工艺兼容性高，且得到的背板短路风险大大降低，良率高，稳定性好，使用寿命长。
根据本发明的实施例，所述阻挡层与所述第一金属走线层或者所述第二金属走线层通过一个掩膜版形成。
在本发明的另一方面，本发明提供一种背光源、照明装置或显示装置。根据本发明的实施例，该背光源、照明装置或显示装置包括前面所述的背板。该背光源、照明装置或显示装置中金属走线短路的风险大大降低，安全性和稳定性明显提高，使用寿命有效延长。
根据本发明的实施例，该背光源、照明装置或显示装置还包括：LED芯片，所述LED芯片与所述背板的第二金属走线层中的第一电极连接线和第二电极连接线电连接。
根据本发明的实施例，所述LED芯片为Mini LED芯片或Micro LED芯片。
附图说明
图1是背板制备过程中引入异物颗粒导致两层金属走线层短路的原理示意图。
图2是背板制备过程中引入异物颗粒的样品的剖面结构示意图。
图3是背板中的两层金属走线层之间存在电压差时金属迁移和生长的原理示意图。
图4是背板中的两层金属走线层之间金属迁移和生长导致短路的样品的剖面结构示意图。
图5是本发明一个实施例的背板的部分剖面结构示意图。
图6是本发明另一个实施例的背板的部分剖面结构示意图。
图7是本发明一个实施例中阻挡层阻挡金属迁移和生长的原理示意图。
图8是本发明另一个实施例中阻挡层阻挡金属迁移和生长的原理示意图。
图9是本发明另一个实施例的背板的部分剖面结构示意图。
图10是本发明另一个实施例的背板的部分剖面结构示意图。
图11是本发明另一个实施例的背板的部分剖面结构示意图。
图12是本发明另一个实施例的背板的部分剖面结构示意图。
图13是本发明另一个实施例的背板的部分剖面结构示意图。
图14是本发明一个实施例的Mini-LED背光驱动线路图。
图15是本发明一个实施例的Mini-LED背板布线设计图。
图16是本发明一个实施例的背光源、照明装置或显示装置的部分剖面结构示意图。
图17是本发明另一个实施例的背光源、照明装置或显示装置的部分剖面结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。
本发明是基于发明人的以下发现和认识而完成的：
当前Mini/Micro-LED(Mini/Micro Light Emitting Diode)产品制造过程中存在局部分区爆灯和FPC绑定连接线氧化问题。经分析，爆灯不良(DGS不良)的一种可能原因是背板制造过程中异物1(异物颗粒(P/T)等)引入导致成膜缺陷，在外部环境作用(如金属走线中的金属发生迁移和生长)膜层缺陷进一步加重，绝缘层3破坏而引发两层金属走线层2连接，形成短路，具体参照图1，下方金属走线成膜前P/T引入，成膜时膜层凸起，并引发后续成膜连锁反应，特别是金属P/T引入后，膜层异常凸起，后续制程中在电压、高温及高湿环境下，P/T及下方金属走线向上生长，无金属遮蔽层，容易顶破绝缘保护层3，与上方金属走线5连接，发生DGS不良，引入异物后的膜层异常样品的示意图参照图2；另一种可能原因是上下设置的两层金属走线2和5之间存在压差，在电压的作用下金属走线中的金属离子4发生迁移和生长，破坏金属走线层2和5之间的绝缘保护层3使得两层金属走线层短路(原理示意图参照图3，短路样品的示意图参照图4)。另外，背板中用于连接FPC的连接线一般直接由金属走线形成，而裸露在空气中的金属走线无法承受后续加工和储存运输过程中存在的高温高湿环境，容易氧化而影响性能。针对上述问题，发明人经过研究，提出在两层金属走线层之间设置适于阻挡金属迁移和生长的阻挡层，从而可以大大降低短路风险，同时，通过将阻挡层设在合适的位置，可以使阻挡层覆盖在用于连接FPC的金属走线上，避免金属直接接触空气，从而降低其氧化的风险。
有鉴于此，在本发明的一个方面，本发明提供一种背板。根据本发明的实施例，参照图5和图6，该背板包括：基板10；第一金属走线层20，所述第一金属走线层20设在所述基板10的一个表面上；绝缘层30，所述绝缘层30设在所述第一金属走线层20远离所述基板10的一侧；第二金属走线层40，所述第二金属走线层40设在所述绝缘层30远离所述基板10的一侧，所述第二金属走线层40在所述基板10上的正投影与所述第一金属走线层20在所述基板上10的正投影存在重叠区域；阻挡层50，所述阻挡层50设在所述第一金属走线层20和所述第二金属走线层40之间，所述阻挡层50在所述基板10上的正投影覆盖所述重叠区域，用于阻挡所述第一金属走线层20和所述第二金属走线层40中的金属向靠近彼此的方向迁移和生长。该背板中，通过设置阻挡层可以有效阻挡两个金属走线层向彼此靠近的方向迁移和生长，从而可以有效降低两个金属走线层短路的风险，进而可以降低采用该背板的装置产生不良的风险，提高良率、安全性和稳定性，同时可以延长使用寿命。
根据本发明的实施例，基板的种类没有特别限制，可以根据实际需要灵活选择，例如可以为玻璃基板、聚合物基板等。进一步的，为了避免基板中的物质迁移而影响基板上的电路结构，参照图5和图6，可以在基板上设置缓冲层60。缓冲层的具体材质、厚度等等可以根据使用要求参照常规技术设置在此不再一一赘述。由此，背板的使用效果更佳。
根据本发明的实施例，绝缘层30可以为单层结构，也可以为多层结构，一些具体示例中，参照图5和图6，绝缘层30可以包括层叠设置的第一钝化层31和第一平坦层32，其中，第一钝化层31靠近基板设置。其中，第一钝化层可以由无机材料形成，例如氮化硅、氧化硅等，而第一平坦层可以由有机材料形成，例如亚克力等。
根据本发明的实施例，该背板中的第一金属走线层和第二金属走线层中可以各自独立的包括多种驱动电路信号线和连接线，换句话说，第一金属走线层和第二金属走线层均为图案化的走线结构，各部分走线可以电连接，也可以彼此绝缘层设置，具体可以根据实际使用要求灵活设置。一些具体实施例中，参照图5和图6，该背板包括芯片绑定区A和FPC绑定区B，第一金属走线层20可以包括位于芯片绑定区A中的驱动电路信号线21(具体可以包括电源线(PWR)、接地线(GND)等等)和位于FPC绑定区B中的第一FPC连接线22，而第二金属走线层40可以包括位于芯片绑定区A中且用于连接芯片的第一电极连接线41和第二电极连接线42，以及位于FPC绑定区B中的第二FPC连接线43。
根据本发明的实施例，根据功能需要，第一金属走线层中的信号线或者连接线可以与第二金属走线层中的信号线或连接线电连接，具体可以通过过孔连接。一些具体实例中，参照图5和图6，所述第一电极连接线21可以通过贯穿所述绝缘层30的第一过孔与所述电路驱动信号线21电连接；第二FPC连接线43可以通过过孔与第一FPC连接线电连接。由此可以简化结构，方便布线，更利于背板功能的实现。
根据本发明的实施例，所述第一金属走线层和所述第二金属走线层的材料没有特别限制，可以为任何容易发生迁移和生长的金属。一些具体实施例中，所述第一金属走线层和所述第二金属走线层各自独立的由铜、铝和银中的至少一种形成。由此，能够充分利用导电性好的金属达到背板的电学性能(如低电阻)要求，同时大大降低了其因迁移和生长而导致的短路风险，提高了背板的良率。
根据本发明的实施例，阻挡层的具体设置位置可以根据实际需要灵活选择，只要其位于第一金属走线层和第二金属走线层之间，能够阻挡两个金属走线层中的金属向彼此靠近的方向迁移和生长造成短路即可。具体的，可以设在第一金属走线层20靠近第二金属走线层40的表面上(参照图5)，也可以设在第二金属走线层40靠近第一金属走线层20的表面上(参照图6)，还可以设在绝缘层30中(图中未示出)。
一些具体实施例中，当第一金属走线层和第二金属走线层之间存在电压差时，易发生金属由高电压向低电压处迁移而导致上下两层金属短路，因此，若所述第一金属走线层和所述第二金属走线层之间存在电压差，当所述第一金属走线层的电压高于所述第二金属走线层的电压时，所述阻挡层设在所述第一金属走线层靠近所述第二金属走线层的表面上；当所述第一金属走线层的电压低于所述第二金属走线层的电压时，所述阻挡层设在所述第二金属走线层靠近所述第一金属走线层的表面上。由此，阻挡层阻挡金属迁移和生长的效果更佳。
具体的，当第一金属走线层和第二金属走线层之间存在电压差时，以第二金属走线层的电压高于第一金属走线层的电压，阻挡层设在第二金属走线层靠近第一金属走线层的表面上为例说明其具体原理。参照图7，阻挡层阻挡金属迁移和生长的原理为：通过设置阻挡层，膜层间应力可阻碍第二金属走线层40向靠近第一金属走线层20的方向生长，同时阻挡层可以为导电膜层，通电状态下，向靠近第一金属走线层20的方向迁移的金属离子经过阻挡层，会与阻挡层导电电子发生碰撞，阻碍其向靠近第一金属走线层20的方向运动，甚至改变其运动方向，以此减少金属离子迁移造成的短路不良。
当制备过程中引入异物颗粒时，以阻挡层设在第一金属走线层靠近第二金属走线层的表面上为例说明其具体原理。参照图8，第一金属走线层20原远离基板的表面上增加一层阻挡层50，则P/T及第一金属走线层中的金属向上生长时可被阻绝，不会顶破绝缘层30，则不因短路而有DGS不良出现。
下面参照一些具体实施方式对本申请的背板进行详细说明。
根据本发明的一个实施方式，参照图9，所述阻挡层50设在所述第一金属走线层20靠近所述第二金属走线层40的表面上。
根据本发明的实施例，要实现阻挡金属迁移和生长以避免短路的效果，仅需要在第一金属走线层和第二金属走线层重叠的区域设置阻挡层即可，即阻挡层在基板上的正投影与第一金属走线层和第二金属走线层在基板上的正投影的重叠区域完全重叠。为了简化制备步骤，降低生产成本等，一些具体示例中，参照图9，所述阻挡层50在所述基板10上的正投影与所述第一金属走线层20在所述基板10上的正投影完全重叠。由此，阻挡层可以与第一金属走线层通过一个掩膜版形成，与现有制备工艺兼容性较高，且可以大大降生产成本，简化制备步骤。
一般情况下，由第一金属走线层中的第一FPC连接线22和第二金属走线层中的第二FPC连接线43共同用于连接FPC(参照图5和图6)，而本发明的该实施方式中，第一金属走线层靠近第二金属走线层的表面设置了阻挡层，可以将第一金属走线层覆盖，因此，若进一步调整第二金属走线层的图案化形状，在FPC连接位置处不设置第二金属走线层，则可以使得第一FPC连接线22被阻挡层50覆盖，避免金属直接暴露在空气中而被氧化。由此，一些具体示例中，参照图9，所述第一金属走线层中的第一FPC连接线22在所述基板上的正投影与所述第二金属走线层40在所述基板上的正投影完全不重叠。由此，由于阻挡层覆盖第一金属走线层，则第一FPC连接线22不会直接暴露，大大降低了FPC连接线金属被氧化的风险。
根据本发明另一个实施方式，参照图10，所述阻挡层50设在所述第二金属走线层40靠近所述第一金属走线层20的表面上。
根据本发明的一些实施例，为了简化制备步骤，降低生产成本，参照图10，所述阻挡层50在所述基板10上的正投影与所述第二金属走线层40在所述基板10上的正投影完全重叠。由此，阻挡层可以与第二金属走线层通过一个掩膜版形成，与现有制备工艺兼容性较高，且可以大大降生产成本，简化制备步骤。
如前所述，根据背板性能要求，第一金属走线层可以包括驱动电路信号线和第一FPC连接线，而第二金属走线层可以包括第一电极连接线、第二电极连接线和第二FPC连接线，一些具体实例中，参照图10，第二FPC连接线43通过贯穿所述绝缘层30的过孔与第一FPC连接线22电连接。由此，可以方便背板与FPC连接，更利于FPC为背板传输信号。
另一个实施方式中，参照图11，阻挡层50可以为整层结构。由此，可以省去图案化的复杂步骤，制备更简单。可以理解，当阻挡层设在第一金属走线层或第二金属走线层的表面上时，若与阻挡层接触的金属走线层中的线路均电连接，此时阻挡层既可以由导电材料形成，又可以由非导电材料形成；若与阻挡层接触的金属走线层中的至少两条线路需要彼此绝缘设置，则整层结构的阻挡层需要由非导电材料形成，以避免需要绝缘的线路之间短路。
根据本发明的一些具体实施例，所述阻挡层可以由导电材料形成，此时，阻挡层不会影响上下两层金属走线层之间通的电连接关系，同时利于引导迁移的金属离子的运动方向，避免两层金属走线层之间短路。具体的，所述导电材料可以包括导电氧化物，具体如氧化铟锡(ITO)等。由此，阻挡层硬度和致密度较好，阻挡金属迁移和生长的效果较佳。
可以理解，除了前面描述的结构之外，该显示背板还可以包括常规背板所必须具备的结构和部件，在此不再一一赘述。根据本发明的一些具体实施例，该背板可以作为Mini-LED或Micro LED产品的背板，例如背光源，照明装置或者显示装置的背板，此时，参照图12和图13，该背板还可以包括第二钝化层81和第二平坦层82，其中，第二钝化层81设在第二金属走线层40远离基板的表面和绝缘层30远离基板的表面上，第二平坦层82设在第二钝化层远离基板的表面上，第二钝化层81和第二平坦层82中设有过孔以暴露第二金属走线层中的第一电极连接线41和第二电极连接线42。由此，第二钝化层81和第二平坦层82可以保护第二金属走线层，同时可以避免与其上方设置的其他结构相互影响。
具体的，上述背板用于Mini-LED背光源时，Mini-LED背光驱动线路图和背板布线设计图分别参照图14和图15，由Mini-LED背光源工作原理可知，VLED信号线100为LED芯片90提供一个较大的恒流电压，然后与GND信号线200形成回路，因此在LED芯片90与GND信号线200间存在较大的电压差。在背板设计中，因布线需求，部分GND信号线200会布在LED芯片下方，即LED芯片连接线所在的第二金属走线层40和GND信号线所在的第一金属走线层20之间存在较大压差式，金属走线层中的金属易发生离子迁移现象，而导致LED芯片连接线与GND信号线短路，导致背光部分灯弱亮，影响光学效果。而通过设置本发明的阻挡层，可以有效阻挡金属的离子迁移，大大降低短路风险。
在本发明的又一方面，本发明提供了一种制备前面所述的显示背板的方法。根据本发明的实施例，该方法包括：在基板上依次形成第一金属走线层；在所述第一金属走线层远离所述基板的一侧形成绝缘层；在所述绝缘层远离所述基板的一侧形成第二金属走线层，所述第二金属走线层在所述基板上的正投影与所述第一金属走线层在所述基板上的正投影存在重叠区域；在所述第一金属走线层和所述第二金属走线层之间形成阻挡层，所述阻挡层在所述基板上的正投影覆盖所述重叠区域，适于阻挡所述第一金属走线层和所述第二金属走线层中的金属向靠近彼此的方向迁移和生长。该方法步骤简单、方便，与现有工艺兼容性高，且得到的背板短路风险大大降低，良率高，稳定性好，使用寿命长。
根据本发明的一些实施例，第一金属走线层、第二金属走线层和阻挡层均可以通过构图工艺形成，具体的，可以预先沉积形成整层膜层，然后对整层膜层进行图案化处理，具体的图案化处理方式可以包括光刻，即利用掩膜版对整层膜层进行曝光、显影和蚀刻等步骤，得到第一金属走线层、第二金属走线层和阻挡层。根据本发明的另一些实施例，也可以直接利用掩膜版一步沉积形成图案化的第一金属走线层、第二金属走线层和阻挡层。
根据本发明的实施例，为了简化步骤，阻挡层可以与第一金属走线层或者第二金属走线层通过一个掩膜版形成，具体可以通过一个掩膜版一步沉积形成，也可以通过一个构图工艺形成。由此，减少掩膜版数量，降低制造成本，且操作更加容易。
根据本发明的实施例，绝缘层可以通过沉积方法形成，具体的沉积步骤、参数等均可分局性能需要参照常规技术进行，在此不再一一赘述。
根据本发明的一个具体示例，第一金属走线层(Cu1)和第二金属走线层(Cu2)均为铜层，背板可以通过以下步骤制备获得：
1)通过Sputter(磁控溅射)、Cleaning(清洁)、Coating(涂覆)、烘烤、Photo(曝光)、显影、硬烤、Etch(蚀刻)、剥离的工艺流程在缓冲层层上方制作Cu1层；
2)通过Sputter工艺制作一层PVX1层(第一钝化层)；
3)通过Coating、Photo、显影的工艺流程在Cu1层上方制作OC1层(第一平坦层)；
4)通过干刻工艺以OC1作为挡墙刻蚀掉OC1开孔处的PVX1层；
5)通过Sputter、Cleaning、Coating、烘烤、Photo、显影、硬烤、Etch、剥离的工艺流程在OC1层上方制作ITO层(阻挡层)；
6)通过Sputter、Cleaning、Coating、烘烤、Photo、显影、硬烤、Etch、剥离的工艺流程，在ITO层的上方制作Cu2层；
7)通过Sputter工艺制作一层PVX2层(第二钝化层)；
8)通过Coating、Photo、显影的工艺流程在PVX2层上方制作OC2层(第二平坦层)；
9)通过干刻工艺以OC2作为挡墙刻蚀掉OC2开孔处的PVX2层，得到的背板结构示意图可参照13。
根据本发明的另一个具体示例，第一金属走线层(Cu1)和第二金属走线层(Cu2)均为铜层，背板可以通过以下步骤制备获得：
1.形成Cu1宽走线层，目前采用两道mask(掩膜版)重读进行，目的为增加铜厚，以满足电学要求；
2.进行ITO Dep(沉积)、Photo&Etch制程，形成ITO Pattern(阻挡层)，与Cu1Pattern一致；
3.沉积PVX1和Resin1(第一平坦层)进行并进行开口，开口处为Cu1与Cu2连接处以及FPC绑定开口处，利用干刻去除开口处PVX1，使Cu1与Cu2进行搭接，形成通路；
4.沉积形成Cu2走线，为LED芯片连接线，Cu2部分位置与Cu1搭接，且不形成FPC绑定连接线；
5.沉积形成PVX2和Resin2(第二平坦层)并开口，利用干刻去除PVX2，以焊接LED芯片，得到的背板结构示意图可参照12。
在本发明的另一方面，本发明提供一种背光源、照明装置或显示装置。根据本发明的实施例，该背光源、照明装置或显示装置包括前面所述的背板。该背光源、照明装置或显示装置中金属走线短路的风险大大降低，安全性和稳定性明显提高，使用寿命有效延长。
根据本发明的实施例，参照图16和图17，该背光源、照明装置或显示装置还包括：LED芯片90，所述LED芯片90与所述背板的第二金属走线层40中的第一电极连接线41和第二电极连接线42电连接。根据本发明的具体实施例，所述LED芯片可以为Mini LED芯片或Micro LED芯片。对于Mini-LED或Micro LED产品，为满足通道低电阻要求，其中的走线采用厚Cu工艺，然而Cu属于活跃金属，所以走线上下层Cu金属极易发生铜迁移和生长而导致上下两层金属短路，通过采用上述设有阻挡层的背板，可以有效减少铜迁移和生长造成线路短路不良的发生机率，提高产品良率。
可以理解，除了前面描述的结构之外，该背光源、照明装置或显示装置还可以包括常规背光源、照明装置或显示装置所必要的结构和部件，具体可以参照常规技术设置，在此不再一一赘述。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (17)

1.一种背板，其特征在于，包括：
基板；
第一金属走线层，所述第一金属走线层设在所述基板的一个表面上；
绝缘层，所述绝缘层设在所述第一金属走线层远离所述基板的一侧；
第二金属走线层，所述第二金属走线层设在所述绝缘层远离所述基板的一侧，所述第二金属走线层在所述基板上的正投影与所述第一金属走线层在所述基板上的正投影存在重叠区域；
阻挡层，所述阻挡层设在所述第一金属走线层和所述第二金属走线层之间，适于阻挡所述第一金属走线层和所述第二金属走线层中的金属向靠近彼此的方向迁移和生长。
2.根据权利要求1所述的背板，其特征在于，所述第一金属走线层和所述第二金属走线层之间存在电压差，
当所述第一金属走线层的电压高于所述第二金属走线层的电压时，所述阻挡层设在所述第一金属走线层靠近所述第二金属走线层的表面上；
当所述第一金属走线层的电压低于所述第二金属走线层的电压时，所述阻挡层设在所述第二金属走线层靠近所述第一金属走线层的表面上。
3.根据权利要求1所述的背板，其特征在于，所述阻挡层设在所述第一金属走线层靠近所述第二金属走线层的表面上。
4.根据权利要求3所述的背板，其特征在于，所述阻挡层在所述基板上的正投影与所述第一金属走线层在所述基板上的正投影完全重叠。
5.根据权利要求3所述的背板，其特征在于，所述第一金属走线层包括第一FPC连接线，所述第一FPC连接线在所述基板上的正投影与所述第二金属走线层在所述基板上的正投影完全不重叠。
6.根据权利要求5所述的背板，其特征在于，所述第一金属走线层包括电路驱动信号线，所述第二金属走线层包括第一电极连接线和第二电极连接线，所述第一电极连接线通过贯穿所述绝缘层的第一过孔与所述电路驱动信号线电连接。
7.根据权利要求1所述的背板，其特征在于，所述阻挡层设在所述第二金属走线层靠近所述第一金属走线层的表面上。
8.根据权利要求7所述的背板，其特征在于，所述阻挡层在所述基板上的正投影与所述第二金属走线层在所述基板上的正投影完全重叠。
9.根据权利要求7所述的背板，其特征在于，所述第一金属走线层包括第一FPC连接线，所述第二金属走线层包括第二FPC连接线，所述第二FPC连接线通过贯穿所述绝缘层的第二过孔与所述第一FPC连接线电连接。
10.根据权利要求1所述的背板，其特征在于，所述第一金属走线层和所述第二金属走线层各自独立的由铜、铝和银中的至少一种形成。
11.根据权利要求1所述的背板，其特征在于，所述阻挡层由导电材料形成，所述导电材料包括导电氧化物，所述导电氧化物包括氧化铟锡。
12.根据权利要求1所述的背板，其特征在于，所述阻挡层为整层结构，且由非导电材料形成。
13.一种制备背板的方法，其特征在于，包括：
在基板上依次形成第一金属走线层；
在所述第一金属走线层远离所述基板的一侧形成绝缘层；
在所述绝缘层远离所述基板的一侧形成第二金属走线层，所述第二金属走线层在所述基板上的正投影与所述第一金属走线层在所述基板上的正投影存在重叠区域；
在所述第一金属走线层和所述第二金属走线层之间形成阻挡层，所述阻挡层在所述基板上的正投影覆盖所述重叠区域，适于阻挡所述第一金属走线层和所述第二金属走线层中的金属向靠近彼此的方向迁移和生长。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述阻挡层与所述第一金属走线层或者所述第二金属走线层通过一个掩膜版形成。
15.一种背光源、照明装置或显示装置，其特征在于，包括权利要求1～12中任一项所述的背板。
16.根据权利要求15所述的背光源、照明装置或显示装置，其特征在于，还包括：
LED芯片，所述LED芯片与所述背板的第二金属走线层中的第一电极连接线和第二电极连接线电连接。
17.根据权利要求16所述的背光源、照明装置或显示装置，其特征在于，所述LED芯片为Mini LED芯片或Micro LED芯片。
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