CN110968219A - 触控器件、触控显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种触控器件，包括基底、第一引线、第二引线和阻隔结构，阻隔结构能够阻挡所述第一引线和所述第二引线中的金属材料发生迁移；阻隔材料层被构造为从所述第一引线指向所述第二引线的一侧延伸至所述第一引线背离所述基底的一侧，和/或从所述第二引线指向所述第一引线的一侧延伸至所述第二引线背离所述基底的一侧，以借助于所述阻隔材料层形成所述阻隔结构。通过在具有电势差的引线之间，设置借助阻隔材料层形成的阻挡结构，从而可以增加金属离子迁移到低电势引线侧的难度或避免金属离子从高电势的引线中析出，进而改善或避免了具有电势差的引线之间在高温、高湿环境下发生短路的问题。还提供一种触控显示面板和显示装置。

Description

触控器件、触控显示面板及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种触控器件、触控显示面板及显示装置。

背景技术

随着电子技术的不断发展，越来越多的显示装置开始应用人机互动模式实现用户对显示装置的操作。目前，人机互动模式已经由机械按键模式进入到触控感知模式。触控器件为用户提供触控感知的基础，其可靠性决定着整个显示装置的品质。

目前，某些金属材料(如银)具有优异的延展性及导电性，因此常被用做触控显示装置中的导线成分，但在严苛环境(例如高温、高湿)条件下，容易发生触控不良的现象。

发明内容

基于此，有必要针对在严苛条件下容易发生触控不良的问题，提供一种改善上述问题的触控器件、触控显示面板及显示装置。

根据本发明的一个方面，提供一种触控器件，包括：

基底，具有引线区；

第一引线和第二引线，位于所述引线区，所述第一引线和所述第二引线相邻且彼此间隔；

所述触控器件还包括能够阻挡所述第一引线和所述第二引线中的金属材料发生迁移的阻隔结构；

所述阻隔结构包括阻隔材料层，所述阻隔材料层被构造为从所述第一引线指向所述第二引线的一侧延伸至所述第一引线背离所述基底的一侧，和/或从所述第二引线指向所述第一引线的一侧延伸至所述第二引线背离所述基底的一侧，以借助于所述阻隔材料层形成所述阻隔结构。

上述的触控器件，通过在具有电势差的引线之间，设置借助阻隔材料层形成的阻挡结构，从而可以增加金属离子迁移到低电势引线侧的难度或避免金属离子从高电势的引线中析出，进而改善或避免了具有电势差的引线之间在高温、高湿环境下发生短路的问题。

在一实施例中，所述阻隔材料层朝向所述基底的正投影完全覆盖所述第一引线和/或所述第二引线朝向所述基底的正投影。

在一实施例中，所述第一引线和所述第二引线之间彼此绝缘；

所述阻隔材料层与所述第一引线和/或所述第二引线直接接触。

在一实施例中，所述第一引线和所述第二引线均包括第一导电层；

所述第一导电层包含有能够发生迁移的金属材料；

所述阻隔材料层在所述基底上的正投影，与所述第一引线和/或所述第二引线的所述第一导电层在所述基底上的正投影至少部分重叠。

在一实施例中，所述第一引线和所述第二引线之间彼此绝缘；

所述阻隔材料层与所述第一引线和/或所述第二引线的所述第一导电层直接接触。

在一实施例中，所述基底还包括邦定区，在所述邦定区，所述阻隔材料层与所述第一引线末端和/或所述第二引线末端的所述第一导电层搭接。

在一实施例中，所述第一引线和所述第二引线还包括位于所述基底和所述第一导电层之间的第二导电层；

所述第一导电层在所述基底上的正投影，落入所述第二导电层在所述基底的正投影的范围内。

在一实施例中，所述第一引线和所述第二引线之间彼此绝缘；

所述阻隔材料层与所述第一引线和/或所述第二引线的所述第二导电层直接接触。

根据本发明的另一个方面，提供一种触控显示面板，包括如上述实施例中的触控器件。

根据本发明的又一个方面，提供一种显示装置，包括上述的触控显示面板。

附图说明

图1为本申请一实施例中的触控显示面板的平面示意图；

图2为本申请一实施例中的触控器件在引线区的局部截面示意图；

图3为本申请另一实施例中的触控器件在引线区的局部截面示意图；

图4为本申请又一实施例中的触控器件在引线区的局部截面示意图；

图5为本申请又一实施例中的触控器件在引线区的局部截面示意图；

图6为本申请又一实施例中的触控器件在引线区的局部截面示意图；

图7为图6所示的触控器件的阻隔材料层与信号保护线的第一导电层在邦定区的搭接示意图；

图8为本申请又一实施例中的触控器件在引线区的局部截面示意图；

图9为本申请又一实施例中的触控器件在引线区的局部截面示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

在描述位置关系时，除非另有规定，否则当一元件例如层、膜或基板被指为在另一膜层“上”时，其能直接在其他膜层上或亦可存在中间膜层。进一步说，当层被指为在另一层“下”时，其可直接在下方，亦可存在一或多个中间层。亦可以理解的是，当层被指为在两层“之间”时，其可为两层之间的唯一层，或亦可存在一或多个中间层。

正如背景技术所述，为实现窄边框的触控显示面板，目前普遍使用的溅镀铜走线或铜合金走线满足走线细宽的需求。然而，相对具有良好延展性的金或银，铜金属的耐挠折性能较弱，经多次挠折后，铜走线表面会产生裂痕，线阻抗值也会上升约5～10％。因此，考虑到成本，触控显示装置中的导线一般由含银导体制成，相邻的导线之间间隔设置以保证彼此绝缘。发明人研究发现，由于相邻的导线之间间隔设置，存在断差区域，使得导线中的金属银能够通过断差区域与水汽、氧气接触。因此，在一些存在直流电压梯度的高温、高湿环境下，水分子会渗入含银导体表面发生电解作用，将水电解为氢离子和氢氧根离子。此时，含银导体中的银会在电场及氢氧根离子的作用下，离解产生银离子，从而在电场的作用下，银离子会从高电位向低电位迁移，并形成絮状或枝蔓状扩展，并进而在高电位与低电位相连的边界上形成黑色的氧化银。也就是说，银离子的迁移会导致无电气连接的导体间形成旁路，造成绝缘下降乃至短路的问题。

目前，现有技术中为解决该问题，一种方式是通过加大导线间的间距来降低银离子迁移的发生几率，但是目前产品追求极窄的边框设计，如果通过增加导线之间的间距来解决该问题，不符合窄边框的设计要求。另一种方式是通过改变导线的高度，使相邻的导线处于不同的平面上，从而增加银离子迁移的路径，使银离子迁移到不同高度的平面上需要更多的能量，进而降低相邻的导线因银离子迁移造成短路的可能性。但是，采用这种方式一方面需要额外形成将导线抬高的垫高膜层，通常垫高膜层为绝缘材料层，如此增加了走线区域的导线制作的工艺的复杂度。另一方面，如若相邻的导线的高度之差不大，则仍然无法避免金属材料的迁移，反之，增加了形成导线制作的难度。

为解决上述问题，本发明提供了一种触控器件、触控显示面板及显示装置，能够较佳地改善上述问题。

可以理解，本发明实施例提供的触控显示面板，可以适用于各种模式的显示面板，例如，OLED显示面板、液晶显示面板等，在此不作限定。

图1为本申请一实施例中的触控显示面板的平面示意图；图2示出了本申请一实施例中的触控器件在引线区的局部截面示意图；图3示出了本申请另一实施例中的触控器件在引线区的局部截面示意图；图4示出了本申请又一实施例中的触控器件在引线区的局部截面示意图。为便于描述，附图仅示出了与本发明实施例相关的结构。

参阅附图1及图2，本申请一实施例中的触控器件，包括基底11、第一引线、第二引线及能够阻挡第一引线和所述第二引线中的金属材料发生迁移的阻隔结构。

基底11可以选择相位差较小的材质，利于量产，例如，基底11可以采用是PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PI(聚酰亚胺)、CPI(透明聚酰亚胺)或COP(环烯烃聚合物)等。由于COP材料价格相对较低，且具有较佳的光学性能和力学性能，作为一种较佳的实施方式，基底11选择COP材料，可以进一步提高触控器件的品质并降低成本。在一些实施例中，基底11相对的两个表面还可以附着有硬涂层，从而对COP材质的基底11进行保护，防止其断裂。具体到实施方式中，硬涂层可以包含粘结剂树脂，该粘结剂树脂可以响应于外部环境的变化的固化性树脂组合物。例如，该粘结性树脂可以包含丙烯酸缩水甘油酯系聚合物与丙烯酸进行加成反应而得到的聚合物。

基底11具有可视区及沿可视区的周向设置的引线区。可视区与触控显示面板中显示区AA相对应，引线区与触控显示面板的边框区域NAA相对应，引线在触控显示面板中不可见，一般通过在盖板的边缘涂布例如黑色油墨实现遮挡。第一引线和第二引线位于基底11的引线区，第一引线和第二引线之间具有电势差。示例地，第一引线相较于第二引线具有更高的电势，具体地，如图2所示，触控器件的引线区包括交替设置的信号保护线14、触控信号接收线16和接地线18。通常，信号保护线14的电势较触控信号接收线和16接地线18的电势高，因此，第一引线可以包括信号保护线14，第二引线可以包括触控信号接收线16和接地线18，反之，另一些实施例中，第一引线也可以包括触控信号接收线16或接地线18，第二引线可以包括信号保护线14，在此不作限定。

如前文所述，前述的实施例中，第一引线和第二引线分别均可以相应地为信号保护线14、触控信号接收线16、和接地线18。在其他一些实施例中，第一引线和第二引线也可以为其他具有电势差，存在金属离子迁移问题的引线，而不限于上述的几种引线。

在运行评价测试中或恶劣使用环境下，在水汽、电势差以及高温的共同作用下，金属离子能够从电势较高的第一引线(信号保护线14)往电势较低的第二引线(接地线18)侧迁移，并会与氢氧根离子结合生成胶状金属氧化物，并分布搭接于引线之间，从而造成引线之间的短路。阻隔结构包括阻隔材料层19，阻隔材料层19被构造为从第一引线指向第二引线的一侧延伸至第一引线背离基底11的一侧，和/或从第二引线指向第一引线的一侧延伸至第二引线背离基底的一侧，以借助于阻隔材料层19形成所述阻隔结构。应当理解的是，析出的金属离子会沿着高电势的引线指向低电势的引线的方向以及引线背离基底11的一侧迁移出。因此，如图2和图3所示的实施例中，阻隔材料层19从信号保护线14侧面延伸至其上方，借助阻隔材料层19形成的阻隔结构可以阻挡金属离子在各个方向上的迁移，从而改善或避免引线之间发生短路的问题。

具体到实施方式中，阻隔材料可以为具有致密结构，从而防止金属离子迁移的材料，例如，阻隔材料可以为氧化铟锡，由于氧化铟锡高度结晶化，具有致密的晶体结构，因此，可以防止金属离子的迁移。金属材料可以为具有良好的导电率，且在电势差和水汽作用下能够发生迁移的材料，例如，金或银。

需要说明的是，由于信号保护线14与触控信号接收线16的电势差较小，信号保护线14与接地线18之间的电势差较大，因此，金属离子更容易由信号保护线14向接地线18迁移从而造成信号保护线14和接地线18短路。故，下文中主要以信号保护线14中的金属离子向接地线18迁移为例进行说明，但不应当理解为对本申请保护范围的限制。

本申请的一些实施例中，阻隔材料层19朝向基底11的正投影，与第一引线和/或第二引线朝向基底11的正投影具有第一交叠区域。容易理解，第一交叠区域可以是阻隔材料层19在基底上的正投影，和引线在基底11上正投影部分重叠或完全重叠的区域。例如，在一些实施方式中，第一交叠区域可以是第一引线或第二引线的投影与阻隔材料层19的投影部分重叠或完全重叠的区域；又例如，在另一些实施方式中，也可以是阻隔材料层19与第一引线和第二引线分别具有的部分重叠区域或完全重叠区域的集合。可以理解，当阻隔材料层19从第一引线指向第二引线的一侧延伸至第一引线的上方和/或从第二引线指向第一引线的一侧延伸至第二引线上方，未完全遮盖第一引线背离基底11的一侧和/或第二引线背离基底11的一侧，此时，金属离子仅能够从阻隔材料层19未遮盖空间析出。但如此，无疑增加了金属离子朝向低电势引线侧迁移的难度，从而改善了第一引线和第二引线之间发生短路的问题。

作为一种优选的实施方式，阻隔材料层19朝向基底11的正投影完全覆盖第一引线和/或第二引线朝向基底11的正投影。也就是说，前述的第一交叠区域可以包含第一引线与阻隔材料层19完全重叠的区域和/或第二引线与阻隔材料层19完全重叠的区域。例如，如图2和图3所示，在一种实施方式中，阻隔材料层19延伸至信号保护线14的上方，虽未完全包裹信号保护线14背离接地线18的一侧，但其在基底11上的投影和信号保护线14在基底上的投影完全重合。此时金属离子仅能够从信号保护线14背离接地线18的一侧析出，但如此金属离子迁移至接地线18需要付出更大的能量，增加了金属离子朝向接地线18迁移出的难度，从而难以形成短路相邻引线的旁路。又例如，如图4所示，在另一种实施方式中，阻隔材料层19将信号保护线14包围形成一个围裹，金属离子难以析出，同样难以形成短路相邻引线的旁路。

本申请的一些实施例中，第一引线和第二引线之间彼此绝缘，阻隔材料层19与第一引线和/或第二引线直接接触。应当理解的是，由于第一引线和第二引线之间彼此绝缘，即说明不存在与第一引线和第二引线对应设置的阻隔材料层19之间电短路而导致的引线之间短路的问题。例如，对应第一引线设置的阻隔材料层，和对应第二引线设置的阻隔材料层之间间隔绝缘设置，即可以避免第一引线和第二引线的电短路。还应当理解的是，对应第一引线和/或第二引线设置的阻隔材料层19与第一引线和/或第二引线直接接触，可以使阻隔材料层19与其对应的引线具有相同的电势，从而形成一个围绕在引线周围等电势的阻隔结构。这样，进一步增加了第一引线和第二引线中金属离子迁移的难度。

图5示出了本申请又一实施例中的触控器件在引线区的局部截面示意图；图6示出了本申请又一实施例中的触控器件在引线区的局部截面示意图。

一些实施例中，触控器件还包括形成于所述基底11的绝缘层13，在引线区，第一引线和第二引线通过所述绝缘层13彼此绝缘。绝缘层13可以通过印刷、涂布绝缘材料并使其固化形成，其可以起到绝缘隔离的作用，还可以起到隔绝水氧的作用。此外，绝缘层13还可以起到一定程度上的阻挡金属离子的迁移的效果。具体到一些实施例中，绝缘层13至少覆盖第一引线或第二引线中的一者的全部，以实现第一引线和第二引线之间具有较佳的绝缘效果。如图2-图4所示的实施例中，绝缘层13完全覆盖触控信号接收线16和接地线18，覆盖信号保护线14的部分。如图5所示的实施例中，绝缘层仅覆盖触控信号接收线16和接地线18，信号保护线14上没有覆盖绝缘材料。作为一种优选地实施方式，如图6所示，绝缘层13可以同时完全覆盖第一引线(信号保护线14)和第二引线(触控信号接收线16和接地线18)，然后在第一引线处形成前述的阻隔材料层19。这样，可以保证第一引线和第二引线之间具有较佳的绝缘性。进一步地，绝缘层13在基底11上的正投影可以与阻隔材料层19在基底11上的正投影具有第二交叠区域。这样，绝缘层13也可以起到阻挡金属离子迁移的作用，进一步地增加了金属离子迁移的难度。

在一些实施例中，绝缘层不覆盖第一引线和第二引线，此时阻隔材料层19与第一引线和第二引线均直接接触，此时可以通过将阻隔材料层19分为与第一引线直接接触的第一阻隔材料层和与第二引线直接接触的第二阻隔材料层，在第一阻隔材料层和第二阻隔材料层之间设置有绝缘层，使得第一阻隔材料层和第二阻隔材料层之间相互绝缘，从而实现第一引线和第二引线之间的绝缘。

当然，第一引线和第二引线之间也可以通过具有足够的间距实现彼此之间的绝缘，在此不作限定。

本申请的一些实施例中，第一引线和第二引线均包括第一导电层，第一导电层包含有能够发生迁移的金属材料，阻隔材料层19在基底上的正投影，与第一引线和/或第二引线的第一导电层在基底上的正投影至少部分重叠。容易理解，由于能够发生迁移的金属材料包含于第一导电层中，因此，阻隔材料层19的正投影，与第一引线和/或第二引线中的第一导电层的正投影至少部分重叠，能够在第一引线和/或第二引线中的侧面和上方存在阻挡金属离子的阻隔材料层19，从而保证阻挡结构的阻断性能。例如，如图2-图6所示的实施例中，信号保护线14的第一导电层144在基底11上的正投影和阻隔材料层19在基底11上的正投影至少部分重叠。如此，能够在第一引线的第一导电层144的侧面和上方存在阻挡金属离子的阻隔材料层19，从而保证阻挡结构的阻断性能。作为一种优选的实施方式，第一引线和/或第二引线的第一导电层在基底11上的正投影落入阻隔材料层19在基底11上的正投影范围内。如此，增加了金属离子在第一引线和第二引线间迁移的难度，从而进一步地改善了引线之间容易形成短路旁路的问题。

进一步地，在引线区，绝缘层13在第一引线和/或第二引线的位置至少覆盖第一引线和/或第二引线的第一导电层，阻隔材料层19形成于绝缘层13上。如此，可以起到一定程度上的阻挡金属离子的迁移效果，进一步地增加了金属离子在第一引线和第二引线间迁移的难度。

一些实施例中，第一引线和第二引线之间彼此绝缘，阻隔材料层19与第一引线和/或第二引线的第一导电层直接接触。如此，可以使阻隔材料层19与其对应的引线具有相同的电势，从而形成一个围绕在引线周围的与其等电势的阻隔结构，从而进一步增加了第一引线和第二引线中金属离子迁移的难度。

图8示出了本申请又一实施例中的触控器件在引线区的局部截面示意图。

可以理解，在一些实施例中，阻隔材料层19可以与第一引线和/或第二引线的第一导电层在引线区直接接触。如图8所示的实施例中，信号保护线14的第一导电层144上方未覆盖有绝缘层13，此时，阻隔材料层19与信号保护线14的第一导电层144直接接触。如此，可实现阻隔材料层19和第一引线具有同电势。同样的方式也适用于阻隔材料层19与第二引线的第一导电层在引线区直接接触，实现阻隔材料层19和第二引线具有同电势。

图7示出了图6所示的触控器件的阻隔材料层与信号保护线的第一导电层搭接示意图。

在一些实施例中，基底11还包括邦定区，在引线区阻隔材料层19通过绝缘层13与第一引线和/或第二引线间隔绝缘设置，在邦定区，阻隔材料层19与第一引线和/或第二引线的末端的第一导电层搭接。具体到如图6及图7所示的实施例中，在引线区，绝缘层13覆盖触控信号接收线16、信号保护线14和接地线18，阻隔材料层19在信号保护线14的末端与信号保护线14的第一导电层144搭接。如此，同样使阻隔材料层19和信号保护线14具有同电势，降低了金属离子发生迁移的可能性，从而改善了引线之间容易形成短路旁路的问题，又因为绑定区和引线末端的引线较宽，面积较大，在制备阻隔材料层与引线搭接时，容易定位，制备工艺简单。

一些实施例中，第一引线和第二引线还包括位于基底11和第一导电层之间的第二导电层，该第一导电层在基底11上的正投影，落入第二导电层在基底11上的正投影的范围内。具体地，如图2-图6所示，第一导电层的的线宽小于第二导电层的线宽，则第一导电层在基底11上的正投影落入第二导电层在基底11上的正投影的范围内。如此，通过层叠设置的第一导电层和第二导电层可以增大电流经过的截面面积，降低了引线的电阻，且使第一导电层的宽度小于第二导电层的宽度，在不影响导电性能的前提下，降低了价格昂贵的金属材料的成本。作为一种优选地实施方式，第一导电层的材料为银，第二导电层的材料可以为氧化铟锡，氧化铟锡具有比金属更低的电阻值，因此可以进一步降低了引线的电阻。

一些实施例中，第一引线和第二引线之间彼此绝缘，阻隔材料层19与第一引线和/或第二引线的第二导电层直接接触，以形成能够阻挡第一引线和第二引线中的金属材料发生迁移的阻隔结构。应当理解的是，无论阻隔材料层19采用何种形式与第一引线和/或第二引线的第二导电层搭接，均可以与第一引线和/或第二引线的第二导电层形成环绕或至少部分环绕第一引线和/或第二引线的第一导电层的阻隔结构。如此，可以改善了引线之间容易形成短路旁路的问题。此外，阻隔材料层19与第一引线和/或第二引线的第二导电层相互搭接，可以使与引线相对应的阻隔材料层和该引线具有相同的电势，从而形成一个围绕在第一引线和/或第二引线的第一导电层周围等电势的阻隔结构。作为一种优选的实施方式，阻隔材料可以与第二导电层的材料相同，例如，均为氧化铟锡材料。如此，阻隔材料层19和第一引线和/或第二引线的第二导电层共同构成可以阻挡金属离子向低电势引线迁移的阻隔结构，降低了金属离子发生迁移的可能性，从而进一步地改善了引线之间容易形成短路旁路的问题。

需要说明的是，理论上引线的侧边缘应当在垂直于基底11的方向上具有平面的截面，则此时，第一引线指向第二引线的一侧和第一引线背离基底11的一侧能够界定出明显的界线。但在例如图2所示的实施例中，引线包括第一导电层和第二导电层，且第一导电层和第二导电层的宽度不同形成台阶面，且在实际成膜过程中，各膜层的边缘会形成倾斜的坡度。因此，第一引线指向第二引线的一侧和第一引线背离基底11的一侧没有明显的界线，即第一引线指向第二引线的一侧区域包括第一引线背离基底11一侧区域的部分，反之亦然。

在一实施例中，触控器件还包括覆盖基底11的保护层15。具体地，保护层15的成型工艺可以与绝缘层13相同，保护层15由质地较密、隔离水氧效果较佳的胶体固化形成，作为一种实施方式，所述保护层15包含透明光学胶材料。如此，保护层15也可以进一步地阻止水氧接触引线。可以理解，通常，保护层15隔绝水氧的效果强于绝缘层13，因此，通过绝缘层13和保护层15的结合，既可以保证触控器件的正常工作，还可有效地将触控器件与高温、高湿环境隔离，从而使引线不易被腐蚀或发生金属材料的迁移，进一步地改善了引线之间容易形成短路旁路的问题。

为便于更佳地本申请的技术方案和技术效果，下面将结合附图，对一些具体实施例进行说明。

如图2所示，本实施例中，信号保护线14、触控信号接收线16和接地线18形成于由COP材料形成的基底11上，信号保护线14位于触控信号接收线16和接地线18之间。触控信号接收线16、信号保护线14和接地线18均包括由氧化铟锡材料形成的第二导电层和由金属银形成的第一导电层。在引线区，绝缘层13覆盖触控信号接收线16和接地线18的全部，覆盖信号保护线14的第一导电层144和第二导电层142的部分，并显露出信号保护线14的第二导电层142的部分上表面。

阻隔材料层19由氧化铟锡材料形成，且与信号保护线14的第二导电层142未被绝缘层13覆盖的部分上表面搭接，并从信号保护线14的第一导电层144指向接地线18的一侧延伸至第一导电层144的上方。其中，阻隔材料层19朝向基底11的正投影完全覆盖信号保护线14朝向基底11的正投影。保护层15覆盖整个引线区，进一步起到限制金属离子迁移的作用。

如此，阻隔材料层19与第二导电层142共同形成能够阻挡银离子向接地线18发生迁移的阻隔结构。在水汽、电势差以及高温的共同作用下，银离子从第一导电层144析出，并向接地线18的方向迁移。由于阻隔结构的限制，银离子只有从信号保护线14指向触控信号接收线16的方向运动逃离信号保护线14的区域，才能向接地线18方向迁移。可以理解，一方面银离子需要付出更多的能量才能到达信号保护线14和接地线18之间的区域，增加了银离子迁移的难度；另一方面，受绝缘层13、保护层15的阻挡，银离子难以到达信号保护线14和接地线18之间的区域。这样，改善或避免了信号保护线14和接地线18之间发生短路的问题。

如图4所示，信号保护线14、触控信号接收线16和接地线18形成于由COP材料形成的基底11上，信号保护线14位于触控信号接收线16和接地线18之间。触控信号接收线16、信号保护线14和接地线18均包括由氧化铟锡材料形成的第二导电层和由金属银形成的第一导电层。在引线区，绝缘层13覆盖触控信号接收线16和接地线18的全部，覆盖信号保护线14的第一导电层144，并显露出信号保护线14的第二导电层142的部分上表面。

阻隔材料层19由氧化铟锡材料形成，覆盖于信号保护线14上的绝缘层13以及信号保护线14的第二导电层142的侧面和未被绝缘层13覆盖的部分上表面。如此，形成一个将信号保护线14包裹的阻隔结构，从而可以阻挡银离子在各个方向上的迁移。保护层15覆盖整个引线区，进一步起到限制金属离子迁移的作用。这样，采用阻隔材料层19将信号保护线14完全包裹，进一步可以改善或避免相邻引线之间的金属离子的迁移和短路。

可以理解，如图5所示，覆盖信号保护线14的第一导电层144的绝缘材料可以省去。

如图6所示，信号保护线14、触控信号接收线16和接地线18形成于由COP材料形成的基底11上，信号保护线14位于触控信号接收线16和接地线18之间。触控信号接收线16、信号保护线14和接地线18均包括由氧化铟锡材料形成的第二导电层和由金属银形成的第一导电层。在引线区，绝缘层13覆盖触控信号接收线16、信号保护线14和接地线18。

在引线区，阻隔材料层19由氧化铟锡材料形成，覆盖于信号保护线14上的绝缘层13上，并延伸至信号保护线14和接地线18之间的镂空区域与基底11相接触，如图7所示，阻隔材料层19在邦定区与信号保护线14的第一导电层144搭接。其中，阻隔材料层19朝向基底11的正投影，完全覆盖信号保护线14在基底11上的正投影。保护层15覆盖整个引线区，进一步起到限制金属离子迁移的作用。如此，银离子只有从信号保护线14指向触控信号接收线16的方向运动逃离信号保护线14的区域，才能向接地线18的方向迁移。这样，银离子需要付出更多的能量才能到达信号保护线14和接地线18之间的区域，增加了银离子迁移的难度，可以改善或避免相邻引线之间的金属离子的迁移和短路。

可以理解，如图8所示，图6和图7所示的实施例中的在信号保护线14的第一导电层144上方的绝缘材料可以去除，使阻隔材料层19可以与信号保护线14的第一导电层144直接接触。

如图9所示，信号保护线14、触控信号接收线16和接地线18形成于由COP材料形成的基底11上，信号保护线14位于触控信号接收线16和接地线18之间。触控信号接收线16、信号保护线14和接地线18均包括由氧化铟锡材料形成的第二导电层和由金属银形成的第一导电层。在引线区，绝缘层13覆盖触控信号接收线16、信号保护线14和接地线18。

阻隔结构包括彼此连接的第一阻隔材料层20和第二阻隔材料层22；第一阻隔材料层20被构造为从信号保护线14指向接地线18的一侧延伸至信号保护线14背离基底11的一侧；第二阻隔材料层22被构造为从接地线18指向信号保护线14的一侧延伸至接地线18背离所述基底11的一侧。如此，从信号保护线14析出的金属离子经过第一阻隔材料层20的屏障后，还需要穿过第二阻隔材料层22。这样，进一步地增加了金属离子由高电势的引线向低电势的引线迁移的难度，从而可以改善或避免相邻引线之间的短路问题。

示例地，阻隔结构还包括位于信号保护线14和接地线18之间的搭接部17，该搭接部17的材料与阻隔材料相同，均可以为氧化铟锡材料，第一阻隔材料层20和第二阻隔材料层22通过所述搭接部17连接。

可以理解，在其他一些实施例中，第一阻隔材料层20和第二阻隔材料层22也可以相互间隔设置，在此不作限定。

基于上述的触控器件，本申请还提供一种触控显示面板，该触控显示面板包括上述实施例中的触控器件。

具体地，该触控显示面板包括显示面板本体及设于显示面板本体上的触控器件。

基于上述的触控显示面板，本申请的实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括上述的触控显示面板。

该显示终端可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、车载设备、可穿戴设备或物联网设备等任何具有触控显示功能的产品或部件。

上述的触控器件、触控显示面板及显示装置，通过在具有电势差的引线之间，设置借助阻隔材料层19形成的阻挡结构，从而可以增加金属离子迁移到低电势引线侧的难度或避免金属离子从高电势的引线中析出，进而改善或避免了具有电势差的引线之间在高温、高湿环境下发生短路的问题。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种触控器件，其特征在于，包括：

基底，具有引线区；

第一引线和第二引线，位于所述引线区，所述第一引线和所述第二引线相邻且彼此间隔；

所述触控器件还包括能够阻挡所述第一引线和所述第二引线中的金属材料发生迁移的阻隔结构；

所述阻隔结构包括阻隔材料层，所述阻隔材料层被构造为从所述第一引线指向所述第二引线的一侧延伸至所述第一引线背离所述基底的一侧，和/或从所述第二引线指向所述第一引线的一侧延伸至所述第二引线背离所述基底的一侧，以借助于所述阻隔材料层形成所述阻隔结构。

2.根据权利要求1所述的触控器件，其特征在于，所述阻隔材料层朝向所述基底的正投影完全覆盖所述第一引线和/或所述第二引线朝向所述基底的正投影。

3.根据权利要求1所述的触控器件，其特征在于，所述第一引线和所述第二引线之间彼此绝缘；

所述阻隔材料层与所述第一引线和/或所述第二引线直接接触。

4.根据权利要求1-3任一项所述的触控器件，其特征在于，所述第一引线和所述第二引线均包括第一导电层；

所述第一导电层包含有能够发生迁移的金属材料；

所述阻隔材料层在所述基底上的正投影，与所述第一引线和/或所述第二引线的所述第一导电层在所述基底上的正投影至少部分重叠。

5.根据权利要求4所述的触控器件，其特征在于，所述第一引线和所述第二引线之间彼此绝缘；

所述阻隔材料层与所述第一引线和/或所述第二引线的所述第一导电层直接接触。

6.根据权利要求5所述的触控器件，其特征在于，所述基底还包括邦定区，在所述邦定区，所述阻隔材料层与所述第一引线末端和/或所述第二引线末端的所述第一导电层搭接。

7.根据权利要求4所述的触控器件，其特征在于，所述第一引线和所述第二引线还包括位于所述基底和所述第一导电层之间的第二导电层；

所述第一导电层在所述基底上的正投影，落入所述第二导电层在所述基底的正投影的范围内。

8.根据权利要求7所述的触控器件，其特征在于，所述第一引线和所述第二引线之间彼此绝缘；

所述阻隔材料层与所述第一引线和/或所述第二引线的所述第二导电层直接接触。

9.一种触控显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的触控器件。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的触控显示面板。

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